KR101483260B1 - 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휴대폰 및 산업용 플래쉬 리플렉터를 단조를 이용하여 제조하여 도금처리를 하지않고도 반사면이 높은 반사율을 가진 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
또한, 리플렉터로 가공할 금속의 제 1재료가 제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부에서 순차적으로 가공될 수 있도록 이송 및 공급시켜주는 재료 공급단계와 상기 제 1재료를 제 1금형부로 가압하여 리플렉터의 외형을 형성하는 외형 가공 단계와 상기 제 1금형부를 통해 외형이 형성된 제 1재료가 제 2금형부로 이송되면 제 2금형부로 가압하여 소정의 위치에 홀을 형성하는 홀 가공 단계와 상기 제 2금형부를 통해 홀이 형성된 제 1재료가 제 3금형부로 이송되면 제 3금형부로 가압하여 내면에 소정의 경사를 가진 반사면을 형성하는 반사면 가공 단계와 상기 제 3금형부를 통해 반사면이 가공된 제 1재료가 제 4금형부로 이송되면 제 4금형부로 가압하여 제 1재료로부터 반사면이 형성된 리플렉터를 절단하여 분리시키는 절단단계와 상기 제 4금형부를 통해 분리된 리플렉터를 배출하는 배출 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법{The reflector using a forging and manufacturing method thereof}

본 발명은 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휴대폰 및 산업용 플래쉬 리플렉터를 단조를 이용하여 제조하여 도금처리를 하지 않고도 반사면이 높은 반사율을 가진 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법에 관한 것이다.

종래의 휴대폰 및 산업용 플래쉬 리플렉터는 다이캐스팅을 이용하여 제조하였으나, 다이캐스팅을 통해 리플렉터를 제조할 시 정밀한 반사면을 구현하는 것이 어렵고, 다이캐스팅의 특정상 표면이 거칠어 광원을 제대로 반사하지 못하는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 다이캐스팅을 통해 제조된 리플렉터의 반사면에 은도금층을 형성하여 반사율을 높이는 방법이 개발되었으나, 은도금을 수행하면서 단가 상승과 도금시간의 소요 등으로 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.

또한, 리플렉터의 반사면에 은도금층을 형성한 후 은도금이 변색되는 문제점이 발생하였으며, 이로 인해 반사율이 감소 및 변색이 발생하여 외관을 중요시하는 제품에 적용하지 못하는 문제점이 있었다.

또한, 한국등록특허 제10-1385549호 "다이캐스팅 리플렉터 가공장치"와 같은 다이캐스팅 후 가공을 통해 표면의 반사율을 높이고자하는 기술이 개발되었으나, 2mm ~ 10mm의 작은 크기를 가지는 휴대폰 및 산업용 플래쉬 리플렉터의 표면을 가공하기에는 어려운 문제점이 있었다.

또한, 리플렉터를 구성하고 있는 알루미늄 재질은 회로기판과의 납땜시 부착력이 낮아 부착 후 이탈되는 문제점이 있었다.

한국등록특허 제10-1385549호 "다이캐스팅 리플렉터 가공장치"

본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 은도금층을 형성하지 않고도 높은 반사율을 가진 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 저렴한 생산 단가에 높은 품질을 가지며, 리플렉터를 회로기판 등에 부착(soldering)하는 같은 SMT 작업시 부착이 용이한 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법은 리플렉터로 가공할 금속의 제 1재료가 제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부에서 순차적으로 가공될 수 있도록 이송 및 공급시켜주는 재료 공급단계와 상기 제 1재료를 제 1금형부로 가압하여 리플렉터의 외형을 형성하는 외형 가공 단계와 상기 제 1금형부를 통해 외형이 형성된 제 1재료가 제 2금형부로 이송되면 제 2금형부로 가압하여 소정의 위치에 홀을 형성하는 홀 가공 단계와 상기 제 2금형부를 통해 홀이 형성된 제 1재료가 제 3금형부로 이송되면 제 3금형부로 가압하여 내면에 소정의 경사를 가진 반사면을 형성하는 반사면 가공 단계와 상기 제 3금형부를 통해 반사면이 가공된 제 1재료가 제 4금형부로 이송되면 제 4금형부로 가압하여 제 1재료로부터 반사면이 형성된 리플렉터를 절단하여 분리시키는 절단단계와 상기 제 4금형부를 통해 분리된 리플렉터를 배출하는 배출 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 서로 상이한 재질의 제 1재료와 제 2재료를 압연하여 양면이 각각 상이한 재질로 구성되도록 부착하여 제 3재료를 제조하는 합지 단계와 상기 합지 단계를 통해 합지된 제 3재료가 제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부에서 순차적으로 가공될 수 있도록 이송 및 공급시켜주는 재료 공급단계와 상기 제 3재료를 제 1금형부로 가압하여 리플렉터의 외형을 형성하는 외형 가공 단계와 상기 제 1금형부를 통해 외형이 형성된 제 3재료가 제 2금형부로 이송되면 제 2금형부로 가압하여 소정의 위치에 홀을 형성하는 홀 가공 단계와 상기 제 2금형부를 통해 홀이 형성된 제 3재료가 제 3금형부로 이송되면 제 3금형부로 가압하여 내면에 소정의 경사를 가진 반사면을 형성하는 반사면 가공 단계와 상기 제 3금형부를 통해 반사면이 가공된 제 3재료가 제 4금형부로 이송되면 제 4금형부로 가압하여 제 3재료로부터 반사면이 형성된 리플렉터를 절단하여 분리시키는 절단단계와 상기 제 4금형부를 통해 분리된 리플렉터를 배출하는 배출 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제 1재료는 Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하며, 상기 제 2재료는 Cu, Ni, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 1재료로 구성된 상부 몸체와 Cu, Ni, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 2재료로 구성된 하부 몸체와 상기 상부 몸체와 하부 몸체가 압연을 통해 이종 접합된 육면체 형태의 몸체와 상기 몸체의 상면에 형성된 사각형의 상부 홀과 몸체 하면에 형성된 상부 홀보다 작은 면적을 가지는 사각형의 하부 홀과 상기 상부 홀에서부터 하부 홀까지 사다리꼴 기둥형상으로 관통된 몸체의 내측에 위치한 반사면을 포함하며, 상기 몸체, 상부 홀, 하부 홀, 반사면이 단조를 통해 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 1재료로 구성된 상부 몸체와 Cu, Ni, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 2재료로 구성된 하부 몸체와 상기 상부 몸체와 하부 몸체가 압연을 통해 이종 접합된 육면체 형태의 몸체와 상기 몸체의 상면에 형성된 사각형의 상부 홀과 몸체 하면에 형성된 상부 홀보다 작은 면적을 가지는 사각형의 하부 홀과 상기 상부 홀에서부터 하부 홀까지 사다리꼴 기둥형상으로 관통된 몸체의 내주면에 Ag를 포함하는 반사층 형성재료로 구성된 반사면을 포함하며, 상기 몸체, 상부 홀, 하부 홀, 반사면이 단조를 통해 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 리플렉터는 하면에 회로기판에 형성된 부착 돌기와의 끼움 결합을 위한 부착 홈을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법에 의하면, 리플렉터의 반사면에 은도금층을 형성하지 않고도 높은 반사율을 가질 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터 및 그 제조방법에 의하면, 도금이 필요치 않음에 따라 단가가 절감되고, 변색에 있어서 은도금 보다 높은 신뢰성을 가지며, Cu, Ni, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 부착면을 통해 부착(soldering)과 같은 SMT 작업시 불량저하 및 생산성을 높일 수 있는 효과가 얻어진다.

도 1은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법을 도시한 순서도.
도 2는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 1을 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 2를 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 3을 도시한 도면.
도 5 내지 도 13은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 4를 도시한 도면.
도 14는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예1을 도시한 도면.
도 15는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예 2를 도시한 도면.
도 16은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예 2와 회로기판의 결합을 도시한 도면.
도 17은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예3을 도시한 도면.
도 18은 기존의 다이캐스팅 후 은도금층을 형성한 리플렉터와 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터를 도시한 도면.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법을 도시한 순서도이며, 도 2는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 1을 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 2를 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 3을 도시한 도면이고, 도 5 내지 도 13은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 4를 도시한 도면이며, 도 14는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예1을 도시한 도면이고, 도 15는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예 2를 도시한 도면이며, 도 16은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예 2와 회로기판의 결합을 도시한 도면이며, 도 17은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예3을 도시한 도면이고, 도 18은 기존의 다이캐스팅 후 은도금층을 형성한 리플렉터와 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터를 도시한 도면이다.

도 1은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법을 도시한 순서도이며, 101에 도시된 바와 같이 재료 공급단계(S2), 외형 가공 단계(S3a), 홀 가공 단계(S3b), 반사면 가공 단계(S3c), 절단 단계(S3d), 배출 단계(S4)를 통해 리플렉터를 제조하거나, 102에 도시된 바와 합지 단계(S1), 재료 공급단계(S2), 외형 가공 단계(S3a), 홀 가공 단계(S3b), 반사면 가공 단계(S3c), 절단 단계(S3d), 배출 단계(S4)를 통해 리플렉터를 제조할 수도 있다.

또한, 복수 개의 단계로 구성된 상기 외형 가공 단계(S3a), 홀 가공 단계(S3b), 반사면 가공 단계(S3c), 절단 단계(S3d)는 하나의 단조 단계(S3)로 통합되어 한번에 진행될 수도 있다.

보다 상세하게는, 한번의 가압으로 리플렉터를 제조하는 단조 금형에 리플렉터로 가공할 금속으로 구성된 제 1재료를 공급하는 재료 공급단계(S2)와 상기 단조 금형을 이용한 가압으로 리플렉터를 제조하는 단조 단계(S3)와 상기 단조 금형 내에 위치한 리플렉터를 배출하는 배출 단계(S4)를 포함하는 실시예 1을 통해 리플렉터를 제조할 수 있다.

또한, 서로 상이한 재질의 제 1재료와 제 2재료를 압연하여 양면이 각각 상이한 재질로 구성되도록 부착하는 합지 단계(S1)와 상기 합지 단계(S1)를 통해 합지된 제 3재료를 단조 금형에 공급하는 재료 공급단계(S2)와 상기 단조 금형을 이용한 가압으로 리플렉터를 제조하는 단조 단계(S3)와 상기 단조 금형 내에 위치한 리플렉터를 배출하는 배출 단계(S4)를 포함하는 실시예 2를 통해 리플렉터를 제조할 수도 있다.

즉, 실시예 1과 실시예 2는 합지 단계(S1)의 유무 및 그에 따른 공급 재료만 상이하며, 실시예 1은 단조 가공방식을 이용하여 리플렉터를 제조하는데 그 특징이 있으며, 실시예 2는 상이한 금속 판재를 합지한 후 한번의 가압으로 리플렉터를 제조하는데 그 특징이 있다.

또한, 상기 제 1재료는 Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하는 금속 재료 또는 그 합금을 사용하게 되며, 특히 Al, Zn, Fe, Ni을 사용하는 것이 단조를 이용한 가공이 용이하며, 가공 후 표면이 높은 반사율을 가질 수 있음에 따라 가장 바람직하다.

또한, 상기 제 2재료는 Cu, Ni, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 금속 재료 또는 그 합금을 사용하게 되며, 특히 Cu, Sn을 사용하는 것이 리플렉터를 제조한 후 회로기판 등에 부착(납땜 또는 접착)할 시 인장력을 통해 높은 부착성을 가질 수 있음에 따라 가장 바람직하다.

즉, 제 1재료는 높은 반사율을 가질 수 있는 금속 재료가 사용되며, 제 2재료응 높은 부착성을 가질 수 있는 금속 재료가 사용된다.

또 다른 제조방법으로 서로 상이한 재질의 3개의 재료를 압연하여 하나의 재료로 구성하는 합지 단계(S1)를 포함하는 실시예 3을 통해 리플렉터를 제조할 수도 있다.

보다 상세하게는, 2개의 재료로 구성된 제 3재료의 상부에 Ag를 포함하는 반사층 형성재료를 더 구비하여 단조시 상기 반사층 형성재료가 금형에 의한 가압에 의해 리플렉터의 내주면으로 신장되어 반사층을 형성하게 된다(하기 아래 상세히 설명).

또한, 가공성을 높이기 위해 단조 금형이 소정의 온도를 가지도록 히터를 이용하여 가열하며 단조를 진행하여 리플렉터를 제조할 수도 있으며, 공급되는 재료에 따라 그 온도는 달라질 수도 있다.

예를 들면, Mg이 포함된 제 1재료의 경우 200 ~ 350℃의 온도를 가지는 단조 금형을 이용하여 리플렉터로 제조하는 것이, 재료의 취성으로 인한 불량(깨짐 또는 미성형)을 방지할 수 있다.

또한, 단조시 높은 열로 인하여 반사면을 형성하는 금형부에 소재가 융착(사용되는 소재에 따라 융착되는 온도는 상이함)되는 것을 방지하기 위해 금형부를 소정의 온도로 냉각시켜주는 냉각부를 이용하여 소정 온도 이하로 냉각시키면서 리플렉터를 제조할 수도 있다.

또한, 101 또는 102에 도시된 바와 같이 하나의 단조 단계(S3)로 통합하지 않고, 리플렉터로 가공할 금속의 제 1재료가 제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부에서 순차적으로 가공될 수 있도록 이송 및 공급시켜주는 재료 공급단계(S2)와 상기 제 1재료를 제 1금형부로 가압하여 리플렉터의 외형을 형성하는 외형 가공 단계(S3a)와 상기 제 1금형부를 통해 외형이 형성된 제 1재료가 제 2금형부로 이송되면 제 2금형부로 가압하여 소정의 위치에 홀을 형성하는 홀 가공 단계(S3b)와 상기 제 2금형부를 통해 홀이 형성된 제 1재료가 제 3금형부로 이송되면 제 3금형부로 가압하여 내면에 소정의 경사를 가진 반사면을 형성하는 반사면 가공 단계(S3c)와 상기 제 3금형부를 통해 반사면이 가공된 제 1재료가 제 4금형부로 이송되면 제 4금형부로 가압하여 제 1재료로부터 반사면이 형성된 리플렉터를 절단하여 분리시키는 절단단계(S3d)와 상기 제 4금형부를 통해 분리된 리플렉터를 배출하는 배출 단계(S4)를 포함하는 실시예 4를 통해 리플렉터를 제조할 수도 있다.

또한, 서로 상이한 재질의 제 1재료, 제 2재료 또는 제 1재료와 제 2재료, 반사층 형성재료를 압연하여 복수 개의 상이한 재질로 구성된 제 3재료를 제조하는 합지 단계(S1)와 상기 합지 단계를 통해 합지된 제 3재료가 제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부에서 순차적으로 가공될 수 있도록 이송 및 공급시켜주는 재료 공급단계(S2)와 상기 제 3재료를 제 1금형부로 가압하여 리플렉터의 외형을 형성하는 외형 가공 단계(S3a)와 상기 제 1금형부를 통해 외형이 형성된 제 3재료가 제 2금형부로 이송되면 제 2금형부로 가압하여 소정의 위치에 홀을 형성하는 홀 가공 단계(S3b)와 상기 제 2금형부를 통해 홀이 형성된 제 3재료가 제 3금형부로 이송되면 제 3금형부로 가압하여 내면에 소정의 경사를 가진 반사면을 형성하는 반사면 가공 단계(S3c)와 상기 제 3금형부를 통해 반사면이 가공된 제 3재료가 제 4금형부로 이송되면 제 4금형부로 가압하여 제 3재료로부터 반사면이 형성된 리플렉터를 절단하여 분리시키는 절단단계(S3d)와 상기 제 4금형부를 통해 분리된 리플렉터를 배출하는 배출 단계(S4)를 포함하는 실시예 5를 통해 리플렉터를 제조할 수도 있다.

또한, 상기 제 3재료는 판형 이외에 소정의 형상을 가지는 스트랩의 형태(하기 아래 상세히 설명)일 수도 있으며, 스트랩의 형태를 가질 경우 합지 단계(S1)는 압연후 합지된 재료를 스트랩으로 제조하는 공정을 포함하거나, 합지를 위한 압연과 동시에 합지된 재료를 스트랩으로 제조하게 된다.

상기와 같이, 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법을 통해 리플렉터를 제조할 경우, 리플렉터의 내주면에 위치한 반사면을 비롯한 표면을 단조를 통해 충분한 압력을 가하며 가공함에 따라 표면의 품질(평탄도)이 다이캐스팅과 같은 기존의 제조방법에 비해 크게 향상되며, 다이캐스팅을 이용한 리플렉터 또는 다이캐스팅 후 반사면에 은도금층을 형성한 리플렉터에 비해 생산성이 크게 향상되고, 품질(표면의 반사율) 또한 은도금을 했을 때와 동일한 수준의 반사율을 가지게 된다.

도 2는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 1에 따른 재료 공급단계(S2), 단조 단계(S3), 배출 단계(S4)를 도시한 것이다.

리플렉터를 제조하기 위한 제 1재료(15)가 작업자 또는 트랜스퍼(이송장치)에 의해 단조 금형(31, 32)으로 이송(공급)되는 재료 공급단계(S2)를 통해 상부 금형(32)과 하부 금형(31) 사이에 제 1재료(15)가 위치하게 된다.

또한, 단조 단계(S3)를 통해 상부 금형(32)과 하부 금형(31) 사이에 위치한 제 1재료(15)를 상부 금형(32)이 하강하여 가압하여 제 1재료(15)를 소정의 형태를 가지는 리플렉터로 제조하게 되며, 상부 금형(32)이 상승하면 작업자 또는 트랜스퍼(이송장치)를 이용하여 단조 금형(31,32)에 위치한 리플렉터(1)를 배출하게 된다.

또한, 제 1재료(15)를 가압하여 소정의 형태를 가지는 리플렉터로 형상화 하기 위한 단조 금형(32, 31) 중 상부 금형(32)은 사다리꼴 기둥 형태의 돌출부(321)를 구비하여 리플렉터의 내측면에 위치한 반사면(하기 아래 설명)을 가공하게 된다.

또한, 단조 금형(32, 31) 중 하부 금형(31)은 사각 기둥형태의 홈(311)을 구비하며, 상부 금형(32)의 가압에 의해 제 1재료(15)가 사각 기둥형태의 홈(311)에 인입되며 리플렉터의 외형을 형상화하게 된다.

상기 위에서는 상부 금형(32)에 사다리꼴 기둥 형태의 돌출부(32)를 구비하고, 하부 금형(31)에 사각 기둥형태의 홈(311)을 구비한 것으로 설명하였으나, 상기 돌출부(32) 및 홈(311)의 형태는 제조하고자 하는 리플렉터의 형상에 따라 상이할 수도 있다.

또한, 상기 돌출부(32) 및 홈(311)의 위치도 바뀔 수도 있으며, 예를 들면 상부 금형(32)에 원기둥 형태의 홈이 위치하고 하부 금형(31)에 원뿔형태의 돌출부를 구비할 수도 있다.

또한, 상기 리플렉터(1)의 반사면(11) 품질(평탄도)을 더욱 높이기 위해 상기 돌출부(321)가 제 1재료(15)를 가압하여 리플렉터(1)의 내주면에 위치한 반사면(11)을 형성할 때 초음파에 의해 진동하거나, 반사면(11)에 수평한 방향으로 회전할 수도 있다.

상기와 같이 돌출부(321)가 진동 또는 회전할 경우, 리플렉터(1)의 반사면(11)을 문질러주는 효과가 있음에 따라 품질(평탄도)을 더욱 높일 수 있게 되며, 반사면(11)의 반사율이 향상된다.

도 3은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 2에 따른 합지 단계(S1), 재료 공급단계(S2), 단조 단계(S3), 배출 단계(S4)를 한번에 도시한 것이다.

도 3에 도시된 바와 같이 서로 상이한 재질의 제 1재료(15)와 제 2재료(16)를 압연하여 양면이 각각 상이한 재질을 가지도록 합지된 제 3재료(15b)를 작업자 또는 트랜스퍼(이송장치)를 이용하여 단조 금형(31,32)으로 이송(공급)한 후 상부 금형(32)과 하부 금형(31)으로 구성된 단조 금형(31, 32)을 이용하여 제 3재료(15b)를 소정의 형태를 가지는 리플렉터(1)로 제조하게 되며, 상부 금형(32)이 상승하면 작업자 또는 트랜스퍼(이송장치)를 이용하여 단조 금형(31,32)에 위치한 리플렉터(1)를 배출하게 된다.

또한, 상기 제 1재료(15)와 제 2재료(16)를 압연하기 전에 제 1재료(15)와 제 2재료(16) 사이에 접착제(14) 또는 프라이머를 분사할 수도 있으며, 제 1재료(15)와 제 2재료(16) 사이에 접착제(14) 또는 프라이머를 분사한 후 압연할 경우, 제 1재료(15)와 제 2재료(16)는 보다 높은 결합력으로 합지된다.

상기와 같이, 합지 단계를 더 포함하는 것을 제외한 나머지 구성은 실시예 1과 동일하며, 제 1재료(15)와 제 2재료(16)가 합지된 제 3재료(15b)를 이용하여 리플렉터를 제조할 경우 리플렉터의 상부를 구성하게되는 제 1재료(Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 어느 하나 이상을 포함)에 의해 반사면을 비롯한 표면이 높은 반사율을 가질 수 있게 되며, 리플렉터의 하부를 구성하게 되는 제 2재료(Cu, Ni, Pb, Sn, Ag, Au 중 어느 하나 이상을 포함)에 의해 제조된 리플렉터를 회로기판 등에 부착(납땜 또는 접착)할 시 높은 부착성을 가질 수 있게 된다.

상기 실시예 2에서 설명한 리플렉터(1)의 내주면(반사면)을 형성하기 위한 돌출부, 리플렉터(1)의 외면을 형성하기 위한 홈의 위치를 비롯한 높은 품질의 반사면(11)을 형성하기 위한 돌출부의 진동 및 회전 등을 더 포함할 수도 있다.

즉, 서로 상이한 재질의 제 1재료(15)와 제 2재료(16)를 압연하여 양면이 각각 상이한 재질로 구성된 제 3재료(15b)를 제조하는 합지 단계(S1)와 상기 합지 단계(S1)를 통해 제조(합지)된 제 3재료(15b)를 단조 금형에 공급하는 재료 공급단계(S2)와 상기 단조 금형을 이용한 가압으로 리플렉터를 제조하는 단조 단계(S3)와 상기 단조 금형 내에 위치한 리플렉터를 배출하는 배출 단계(S4)를 포함한다면 동일한 제조방법으로 보아야 한다.

도 4는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 3에 따른 합지 단계(S1), 재료 공급단계(S2), 단조 단계(S3), 배출 단계(S4)를 한번에 도시한 것이다.

도 4의 401에 도시된 바와 같이 서로 상이한 재질의 제 1재료(15), 제 2재료(16), 반사층 형성재료(15c)를 복수 회수 압연(합지)하여 제 3재료(15b)를 제조하거나, 한번에 제 1재료(15), 제 2재료(16), 반사층 형성재료(15c)를 압연(미도시)하여 제 3재료(15b)를 제조할 수도 있다.

또한, 제 3재료(15b)를 제조하는 과정 이외의 공정은 상기 위에서 설명한 실시예 2와 동일하며, 제 3재료(15b)를 작업자 또는 트랜스퍼(이송장치)를 이용하여 단조 금형(31,32)으로 이송(공급)한 후 상부 금형(32)과 하부 금형(31)으로 구성된 단조 금형(31, 32)을 이용하여 제 3재료(15b)를 소정의 형태를 가지는 리플렉터(1)로 제조하게 되며, 상부 금형(32)이 상승하면 작업자 또는 트랜스퍼(이송장치)를 이용하여 단조 금형(31,32)에 위치한 리플렉터(1)를 배출하게 된다.

즉, 제조 공정으로 보았을 때 합지 단계(S1)에서 제조되는 제 3재료(15b)가 반사층 형성재료(15c)를 더 포함한다는 점이 상이하다.

상기와 같이 제 3재료(15b)가 제 1재료(15), 제 2재료(16), 반사층 형성재료(15c)로 구성될 경우, 단조 단계(S3)에서 제 3재료(15b)의 상부에 위치한 반사층 형성재료(15c)는 상부 금형(23)의 가압에 의해 반사층 형성재료(15c)가 리플렉터(1)의 내주면으로 딸려 들어가 리플렉터(1)의 내주면에 형성되는 반사면(11)을 형성하게 되며, 반사율이 높은 Ag와 같은 재료로 구성된 반사층 형성재료(15c)가 인장되어 반사면(11)을 형성함에 따라, 도금에 비해 극히 짧은 생산시간이 소요되며, 단조를 통해 미려한 표면을 가짐에 따라 도금에 비해 높은 반사율을 얻을 수 있게 된다.

도 5 내지 도 13은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 4를 도시한 것이며, 상기 위에서 설명한 실시예 1 내지 실시예 3과 같은 판형의 제 3재료를 이용하거나, 도 8에 도시된 바와 같이 제 3재료를 소정의 형상으로 가공한 스트랩(15d)을 이용하여 리플렉터를 제조할 수도 있다.

또한, 제 3재료가 소정의 형상으로 미리 가공된 스트랩(15d)을 공급하여 리플렉터를 제조할 경우 실시예 4는 합지 단계(S1)에서 제 1재료, 제 2재료 또는 제 1재료, 제 2재료, 반사층 형성재료를 합지하기 위한 압연 롤러(도 3의 33 또는 도 4의 33)가 압연과 동시에 제 3재료가 스트랩(15d)의 형상을 가지도록 제조하거나, 압연한 후 스트랩(15d)의 형상으로 가공할 수도 있다.

또한, 미리 가공된 제 3재료(미리 합지된 재료 또는 미리 합지된 후 스트랩의 형상으로 가공된 재료)를 공급하여 리플렉터를 제조할 수도 있다.

바람직한 실시예로서 실시예 4는 상부 금형(32)을 구성하고 있는 제 1금형부(32a)에서 제 4금형부(32d)까지 가공할 재료(15d)가 이송되면서 가공됨에 따라, 스트랩의 형상으로 가공된 재료를 사용함이 바람직하다.

본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 4를 스트랩, 제 1재료, 제 3재료 중 어느 하나의 재료(이하, 15d)를 이용하여 리플렉터를 제조하는 방법으로 보다 상세히 설명하면 하기 아래와 같다.

도 5 내지 도 13에 도시된 바와 같이 재료(15d)는 재료 공급단계(S2)를 통해 제 1금형부(32a), 제 2금형부(32b), 제 3금형부(32c), 제 4금형부(32d)로 구성된 순차 이송금형의 상부 금형(32)을 순차적으로 통과(이송)하면서 가공되며, 상기 상부 금형(32)은 제 1금형부(32a), 제 2금형부(32b), 제 3금형부(32c), 제 4금형부(32d)로 나누어 설명하겠으나, 더 많은 구역으로 나누어 작업될 수도 있으며, 제 1금형부(32a), 제 2금형부(32b), 제 3금형부(32c), 제 4금형부(32d)로 나누어진 하나의 상부 금형(32)이 아니라 복수개의 상부 금형으로 구성될 수도 있다.

보다 상세하게는, 도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같이 공급된 재료(15d)는 제 1금형부(32a)의 가압에 의해서 육면체 형상을 가지는 리플렉터의 외형이 형성되며, 가압에 의한 외형의 형성이 완료된 후 도 7에 도시된 바와 같이 제 2금형부(32b)로 이송된다.

또한, 리플렉터의 외형이 형성된 재료(15d)의 이송과 동시에 제 1금형부(32a)에는 리플렉터의 외형이 형성된 재료(15d)와 연결된 동일한 재료가 공급되며, 제 2금형부로 이송된 리플렉터의 외형이 형성된 재료(15d)와 제 1금형부(31a)에 공급된 재료는 하나의 판형 또는 스트랩 형태로 연결된 일체형의 동일한 재료이다.

상기와 같이, 제 1금형부(32a), 제 2금형부(32b)에 각각 재료(15d)가 이송되면 제 1금형부(32a) 및 제 2금형부(32b)는 도 8에 도시된 바와 같이 동시에 하강하여 제 1금형부(32a), 제 2금형부(32b)에 각각 위치한 재료(15d)를 가공하게 되며, 제 1금형부(32a)에서는 리플렉터의 외형이 형성되며, 제 2금형부(32b)에서는 재료(15d)의 중앙을 관통하는 홀을 형성하게 된다.

또한, 상기와 같은 가공이 완료된 재료(15d)는 도 9에 도시된 바와 같이 다음 금형부(제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부)로 이송된 후 도 10에 도시된 바와 같이 제 1금형부에 위치한 재료(15d)는 리플렉터의 외형이 형성되고, 제 2금형부(32b)에서는 리플렉터의 외형을 가지는 재료(15d)의 중앙을 관통하는 홀을 형성하게 되며, 제 3금형부(32c)에서는 리플렉터의 반사면을 형성하게 된다.

또한, 상기와 같은 가공이 완료된 재료(15d)는 도 11에 도시된 바와 같이 다음 금형부(제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부)로 이송된 후 도 15에 도시된 바와 같은 상부 금형(32)의 하강에 따른 가압에 의해 가공된다.

상부 금형(32)의 하강에 따른 가압이 완료되면 도 12에 도시된바와 같이 제 1금형부에 위치한 재료(15d)는 리플렉터의 외형이 형성되고, 제 2금형부(32b)에서는 리플렉터의 외형을 가지는 재료(15d)의 중앙을 관통하는 홀을 형성하게 되며, 제 3금형부(32c)에서는 리플렉터의 반사면을 형성하게 되며, 제 4금형부(32d)에서는 완성된 리플렉터를 재료(15d)로부터 분리(절단)하여 도 13에 도시된 바와 같은 순차 이송 및 가공에 의한 리플렉터(1)의 제조가 완료된다.

도 14는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 1에 따라 제조된 리플렉터의 평면도(a), 저면도(b), A-A'의 단면도(c)를 도시한 것이다.

보다 상세하게는, 실시예 1에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)는 육면체 형상의 외형을 가지는 몸체의 상면에 사각형의 상부 홀이 위치하며, 몸체 하면에는 상부 홀보다 작은 면적을 가지는 사각형의 하부 홀이 형성되어 있다.

또한, 상기 몸체는 상부 홀에서부터 하부 홀까지 사다리꼴 기둥형상으로 관통되어 몸체의 내측에 반사면(11)이 위치하게 되며, 리플렉터(1)를 회로기판에 부착할 시 부착면(12)이 접착제 또는 납땜 등의 부착방법을 통해 회로기판에 부착된다.

도 15는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 실시예1 중 부착 홈을 구비한 리플렉터의 평면도(a), 저면도(b), A-A'의 단면도(c)로 도시한 것이다.

본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터(1)는 회로기판과의 부착 시 리플렉터의 부착위치 이탈 또는 삐뚤어짐 등을 방지하고자 부착면(12)에 부착 홈(13)을 더 구비할 수도 있다.

보다 상세하게는, 리플렉터(1)의 부착면(12)에 소정의 크기를 가지는 부착 홈(13) 구비하여 도 16에 도시된 바와 같이 회로기판(21)에 형성된 부착 돌기(22)가 상기 리플렉터(1)의 부착면(12)에 형성된 부착 홈(13)에 삽입하는 형태로 리플렉터(1)의 부착위치를 고정하게 된다.

도 17은 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터의 제조방법 중 실시예 2에 따라 제조된 리플렉터의 평면도(a), 저면도(b), A-A'의 단면도(c)를 도시한 것이다.

보다 상세하게는, 실시예 2에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)의 외형은 실시예 1에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)와 동일하게 육면체 형상의 외형을 가지는 몸체의 상면에 사각형의 상부 홀이 위치하며, 몸체 하면에는 상부 홀보다 작은 면적을 가지는 사각형의 하부 홀이 형성되어 있으며, 부착 홈(13)을 구비할 수도 있다.

즉, 실시예 1과 실시예 2에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)의 외형상 차이점은 없다.

반면, 실시예 2에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)는 실시예 1에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)와 회로기판에 부착할 시 회로기판에 접촉(부착)되는 부착면(12b)의 재질이 제 2재료로 구성된다는 것이 상이하다.

즉, 실시예 2에 따른 제조방법에 의해 제조되는 리플렉터(1)는 상부를 구성하는 제 1재료와 하부를 구성하는 제 2재료가 이종 접합되어 상부는 제 1재료로 구성되며, 하부는 제 2재료로 구성된다는 점이 상이하다.

이에 따라, 실시예 2에 따른 제조방법을 통해 제조되는 리플렉터(1)는 회로기판 등에 부착할 시 제 1재료에 비해 부착성이 높은 제 2재료로 구성된 부착면(12b)을 통해 회로기판에 리플렉터(1)가 부착됨에 따라 회로기판에 리플렉터(1)를 부착한 후 리플렉터(1)가 이탈되거나 손상되는 문제를 크게 줄일 수 있게 된다.

도 18은 기존의 다이캐스팅 후 은도금층을 형성한 리플렉터(a)와 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터(b)를 도시한 것으로서 은도금 공정으로 인해 높은 제조비용이 소요되는 은도금층을 형성한 리플렉터(a)에 비해 단조를 이용하여 생산함에 따라 낮은 제조비용과 높은 생산성을 가지는 본 발명에 따른 단조를 이용한 리플렉터(b)는 은도금층을 형성하지 않고도 반사면(11)을 비롯한 표면의 반사율이 높은 것을 확인할 수 있다.

이상과 같이 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양한 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.

1 : 단조된 리플렉터
11 : 반사면
12 : 부착면
13 : 부착 홈
14 : 접착제
15 : 제 1재료
15c : 반사층 형성재료
16 : 제 2재료
21 : 회로기판
22 : 부착 돌기
31 : 하부 금형
32 : 상부 금형
33 : 압연 롤러

Claims (6)

1. 삭제
2. 서로 상이한 재질의 제 1재료와 제 2재료를 압연하여 양면이 각각 상이한 재질로 구성되도록 부착하여 제 3재료를 제조하는 합지 단계와;
   상기 합지 단계를 통해 합지된 제 3재료가 제 1금형부, 제 2금형부, 제 3금형부, 제 4금형부에서 순차적으로 가공될 수 있도록 이송 및 공급시켜주는 재료 공급단계와;
   상기 제 3재료를 제 1금형부로 가압하여 리플렉터의 외형을 형성하는 외형 가공 단계와;
   상기 제 1금형부를 통해 외형이 형성된 제 3재료가 제 2금형부로 이송되면 제 2금형부로 가압하여 소정의 위치에 홀을 형성하는 홀 가공 단계와;
   상기 제 2금형부를 통해 홀이 형성된 제 3재료가 제 3금형부로 이송되면 제 3금형부로 가압하여 내면에 소정의 경사를 가진 반사면을 형성하는 반사면 가공 단계와;
   상기 제 3금형부를 통해 반사면이 가공된 제 3재료가 제 4금형부로 이송되면 제 4금형부로 가압하여 제 3재료로부터 반사면이 형성된 리플렉터를 절단하여 분리시키는 절단단계와;
   상기 제 4금형부를 통해 분리된 리플렉터를 배출하는 배출 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는
   단조를 이용한 리플렉터 제조방법.
   
3. 제 2항에 있어서,
   상기 제 1재료는 Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하며,
   상기 제 2재료는 Cu, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는
   단조를 이용한 리플렉터 제조방법.
   
4. Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 1재료로 구성된 상부 몸체와;
   Cu, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 2재료로 구성된 하부 몸체와;
   상기 상부 몸체와 하부 몸체가 압연을 통해 이종 접합된 육면체 형태의 몸체와;
   상기 몸체의 상면에 형성된 사각형의 상부 홀과;
   몸체 하면에 형성된 상부 홀보다 작은 면적을 가지는 사각형의 하부 홀과;
   상기 상부 홀에서부터 하부 홀까지 사다리꼴 기둥형상으로 관통된 몸체의 내측에 위치한 반사면;을 포함하며,
   상기 몸체, 상부 홀, 하부 홀, 반사면이 단조를 통해 형성된 것을 특징으로 하는
   단조를 이용한 리플렉터.
   
5. Al, Zn, Fe, Ni, Mg, Ti, Pt 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 1재료로 구성된 상부 몸체와;
   Cu, Pb, Sn, Ag, Au 중 적어도 하나 이상을 포함하는 제 2재료로 구성된 하부 몸체와;
   상기 상부 몸체와 하부 몸체가 압연을 통해 이종 접합된 육면체 형태의 몸체와;
   상기 몸체의 상면에 형성된 사각형의 상부 홀과;
   몸체 하면에 형성된 상부 홀보다 작은 면적을 가지는 사각형의 하부 홀과;
   상기 상부 홀에서부터 하부 홀까지 사다리꼴 기둥형상으로 관통된 몸체의 내주면에 Ag를 포함하는 반사층 형성재료로 구성된 반사면;을 포함하며,
   상기 몸체, 상부 홀, 하부 홀, 반사면이 단조를 통해 형성된 것을 특징으로 하는
   단조를 이용한 리플렉터.
   
6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,
   상기 리플렉터는 하면에 회로기판에 형성된 부착 돌기와의 끼움 결합을 위한 부착 홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는
   단조를 이용한 리플렉터.
   
   

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