KR101474922B1

KR101474922B1 - Blade module and apparatus for treating of substrate

Info

Publication number: KR101474922B1
Application number: KR1020130094330A
Authority: KR
Inventors: 장승일
Original assignee: 주식회사 엠엠테크
Priority date: 2013-08-08
Filing date: 2013-08-08
Publication date: 2014-12-19

Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus which includes: a process chamber where a substrate to be processed is located; a first table which is fixed to the inside of the process chamber and supports the substrate to be horizontally moved; a second table which is located in the process chamber and supports the substrate to be horizontally moved; an elevating unit which is connected to the second table and vertically elevates the second table; a blade module which is located in the process chamber and has at least one injection hole facing the surface of the substrate; and a driving unit which straightly reciprocates the blade module when the blade module is separated from the surface of the substrate in the process chamber.

Description

[0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

기판 처리 장치에 관한 것이다.And a substrate processing apparatus.

박막 트랜지스터를 포함한 디스플레이용 기판이나, 반도체 소자용 기판은 그 표면의 실리콘 산화막을 제거하거나 실리콘막 표면을 평탄화시키기 위한 기판 표면 처리 공정을 거친다.A substrate for a display including a thin film transistor or a substrate for a semiconductor device is subjected to a substrate surface treatment step for removing the silicon oxide film on the surface thereof or for planarizing the surface of the silicon film.

이러한 기판 표면 처리 공정은 기판의 표면에 에칭액과 같은 처리액을 포함하는 처리 매체를 제공하여 행해진다.Such a substrate surface treatment process is performed by providing a treatment medium containing a treatment liquid such as an etching liquid on the surface of a substrate.

이와 관련하여, 본 출원인은 특허문헌 1 내지 5에 개시된 바와 같이 실리콘막 표면을 균일하게 처리할 수 있는 기술을 제시한 바 있다. In this connection, the present applicant has proposed a technique for uniformly treating the surface of a silicon film as disclosed in Patent Documents 1 to 5.

이러한 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 처리하기 위한 블레이드 모듈에 의한 표면 처리 효율을 증대시킬 필요가 있다.In such a substrate processing apparatus, it is necessary to increase the surface treatment efficiency by the blade module for processing the substrate.

특허문헌 1: 한국 공개 특허 제2012-0034422호Patent Document 1: Korean Patent Publication No. 2012-0034422 특허문헌 2: 한국 공개 특허 제2012-0034423호Patent Document 2: Korean Patent Publication No. 2012-0034423 특허문헌 3: 한국 공개 특허 제2012-0034424호Patent Document 3: Korean Patent Publication No. 2012-0034424 특허문헌 4: 한국 공개 특허 제2012-0090606호Patent Document 4: Korean Patent Publication No. 2012-0090606 특허문헌 5: 한국 공개 특허 제2013-0015886호Patent Document 5: Korean Patent Publication No. 2013-0015886

본 발명은 종래기술의 문제 및/또는 한계를 극복하기 위한 것으로, 표면처리 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 하나의 목적이 있다.An object of the present invention is to overcome the problems and / or limitations of the prior art and to provide a substrate processing apparatus capable of further improving the surface treatment efficiency.

본 발명의 일 측면에 따르면, 피처리용 기판이 위치하는 공정실과, 상기 공정실 내에 고정되게 위치하고 상기 기판을 수평 이동 가능하도록 지지하는 제1테이블과, 상기 공정실 내에 위치하고 상기 기판을 수평 이동 가능하도록 지지하는 제2테이블과, 상기 제2테이블에 연결되어 상기 제2테이블을 수직방향으로 승강시키도록 구비된 승강 유닛과, 상기 공정실 내에 위치하고, 상기 기판의 표면을 향한 적어도 하나의 분사구를 구비한 블레이드 모듈과, 상기 블레이드 모듈을 상기 공정실 내에서 상기 기판의 표면과 이격된 상태로 직선 왕복 운동시키는 구동 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a processing chamber in which a substrate for processing is placed, a first table fixedly installed in the processing chamber and supporting the substrate so as to be horizontally movable, An elevating unit connected to the second table and vertically elevating and lowering the second table; and at least one jetting port located in the process chamber and facing the surface of the substrate And a drive unit for linearly reciprocating the blade module in a state where the blade module is spaced apart from the surface of the substrate in the process chamber.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1테이블의 제1방향의 길이를 D1이라 하고, 상기 블레이드 모듈의 제1방향의 너비를 W라 할 때, 상기 D1 및 W는 D1≥W의 관계를 만족하도록 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, when the length of the first table in the first direction is D1 and the width of the blade module in the first direction is W, D1 and W satisfy the relationship D1? W .

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2테이블의 제1방향의 길이를 D2라 하고, 상기 기판의 제1방향의 길이를 L이라 할 때, 상기 D2 및 L은 D2>L의 관계를 만족하도록 할 수 있다.According to still another aspect of the present invention, when the length of the second table in the first direction is D2 and the length of the substrate in the first direction is L, D2 and L satisfy the relationship of D2 > L .

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1테이블의 제1방향의 길이를 D1이라 하고, 상기 제2테이블의 제1방향의 길이를 D2라 할 때, 상기 D1 및 D2는 D2>D1의 관계를 만족하도록 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, when the length of the first table in the first direction is D1 and the length of the second table in the first direction is D2, D1 and D2 satisfy the relationship of D2 > D1 Can be satisfied.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 공정실은, 상기 기판이 유입되는 입구 및 상기 기판이 유출되는 출구를 포함하고, 상기 제1테이블은 상기 제2테이블보다 상기 입구 및 출구에 인접하게 위치할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the process chamber includes an inlet through which the substrate is introduced and an outlet through which the substrate flows, and the first table may be positioned adjacent to the inlet and the outlet than the second table have.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1테이블은 상기 공정실에 2개 설치할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the first table may be provided in the process chamber.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1테이블은 상기 제2테이블이 승강하는 수직 경로의 외측에 위치할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the first table may be located outside the vertical path on which the second table ascends and descends.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 공정실의 측벽에 수평한 방향으로 슬릿이 형성되고, 상기 구동 유닛은 상기 공정실 외측에 위치하여 상기 슬릿을 통해 상기 블레이드 모듈과 연결될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a slit is formed in a horizontal direction on the side wall of the processing chamber, and the driving unit is located outside the processing chamber and can be connected to the blade module through the slit.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 슬릿의 제1방향의 길이는 상기 제2테이블의 제1방향의 길이보다 길 수 있다.According to another aspect of the present invention, the length of the slit in the first direction may be longer than the length of the second table in the first direction.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 슬릿의 제1방향의 일 단부는 상기 제2테이블의 제1방향의 일 단부보다 길게 연장될 수 있다.According to another aspect of the present invention, one end of the slit in the first direction may extend longer than one end of the second table in the first direction.

보다 간단하고 콤팩트한 구조의 블레이드 모듈 및 기판 처리 장치의 구성이 가능해지고, 부품 수를 줄일 수 있다.The configuration of the blade module and the substrate processing apparatus having a simpler and more compact structure becomes possible, and the number of parts can be reduced.

블레이드 모듈이 제2테이블의 승강 운동에 방해가 되지 않을 수 있다.The blade module may not interfere with the lifting movement of the second table.

이에 따라 제2테이블이 그 상면에 기판을 안착시킨 상태에서 수직 방향으로 승강 운동할 때에 기판의 가장자리가 제2테이블 외측으로 돌출되어 기판의 가장자리가 손상될 수 있는 위험을 방지할 수 있다.Thus, the risk that the edge of the substrate protrudes to the outside of the second table when the substrate is lifted and moved in the vertical direction while the substrate is placed on the upper surface of the second table, and the edge of the substrate is damaged can be prevented.

이에 따라 최소 부피의 공정실로 보다 큰 면적의 기판을 처리할 수 있어 장소적 효율성을 증대시킬 수 있다. As a result, a substrate having a larger area can be processed with a process chamber having a minimum volume, and the efficiency of the process can be increased.

블레이드 모듈이 제2테이블의 제1수평 방향의 전체 길이에 걸쳐 이동하면서 기판의 표면을 처리할 수 있다.The blade module can process the surface of the substrate while moving over the entire length in the first horizontal direction of the second table.

처리액에 대한 기판의 젖음성을 일정 정도로 균일하게 유지시킬 수 있고, 처리되는 기판의 균일도를 향상시킬 수 있다.The wettability of the substrate with respect to the treatment liquid can be maintained uniformly to some extent, and the uniformity of the substrate to be treated can be improved.

공정실 내부의 가스 등이 공정실 외부로 유출되어 시스템 및/또는 구동 유닛을 오염 및/또는 손상시키는 것을 방지할 수 있다. It is possible to prevent the gas and the like in the process chamber from flowing out of the process chamber to contaminate and / or damage the system and / or the drive unit.

또, 습식 처리 장치로 사용할 때에 시스템의 내구성을 향상시킬 수 있다.Further, the durability of the system can be improved when the apparatus is used as a wet processing apparatus.

제2테이블을 승강 운동시킬 수 있는 승강 시스템인 지지대들과 승강 유닛이 처리 매체로부터 보호받을 수 있기 때문에, 이들 구성요소를 고가의 내부식성 및 내약품성이 높은 재질로 형성할 필요가 없어 원가를 줄일 수 있다. Since the support platforms and the elevation unit which are the elevation system capable of elevating and lowering the second table can be protected from the treatment medium, there is no need to form these components with a material having high corrosion resistance and high chemical resistance, .

그리고 공정실 내에 습식 처리부가 설치되어 있음에도 불구하고, 공정실 내에 승강 시스템을 설치할 수 있다.Although the wet processing unit is installed in the process chamber, the elevating system can be installed in the process chamber.

처리 매체의 비산으로부터 공정실의 상부면이나 바닥면을 보호할 수 있다. It is possible to protect the upper surface or the bottom surface of the processing chamber from scattering of the processing medium.

처리 매체의 배출이 더욱 원활해질 수 있고, 처리 매체의 처리에도 더욱 유용해, 환경 오염을 줄일 수 있다.The discharge of the treatment medium can be made more smooth, the treatment medium can be more effectively used, and the environmental pollution can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 측단면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치의 일부 정단면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3은 도 1의 제1테이블 및 제2테이블의 일 예를 도시한 것이다.
도 4는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 일부 구성의 일 실시예를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 5는 도 1의 블레이드 모듈의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5에 따른 실시예의 블레이드 모듈의 일부 평면도이다.
도 7은 도 5 및 도 6에 도시된 블레이드 모듈에서 제1매체의 분사 방향과 제2매체의 분사 방향을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 일부 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 9는 도 8에 따른 실시예의 블레이드 모듈의 일부 평면도이다.
도 10은 밀봉 유닛 및 구동 유닛의 일 예를 도시한 부분 단면도이다.
도 11은 밀봉 유닛 및 구동 유닛의 일 예를 도시한 부분 평면도이다.
도 12는 밀봉 유닛 및 구동 유닛의 다른 일 예를 도시한 부분 평면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 측단면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a schematic view showing a partial cross-sectional configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a partial cross-sectional configuration of the substrate processing apparatus. FIG.
FIG. 3 shows an example of the first table and the second table of FIG.
FIG. 4 is a schematic view showing an embodiment of a part of the configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.
5 is a cross-sectional view showing one embodiment of the blade module of FIG.
Figure 6 is a partial plan view of the blade module of the embodiment according to Figure 5;
FIG. 7 is a view schematically showing the ejecting direction of the first medium and the ejecting direction of the second medium in the blade module shown in FIGS. 5 and 6. FIG.
8 is a schematic view showing a part of the structure of the substrate processing apparatus shown in Fig.
Figure 9 is a partial plan view of the blade module of the embodiment according to Figure 8;
10 is a partial cross-sectional view showing an example of a sealing unit and a driving unit.
11 is a partial plan view showing an example of a sealing unit and a driving unit.
12 is a partial plan view showing another example of the sealing unit and the driving unit.
13 is a schematic view showing a partial cross-sectional configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 측단면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 2는 상기 기판 처리 장치의 일부 정단면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.FIG. 1 is a schematic view showing a partial cross-sectional configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing a partial cross-sectional configuration of the substrate processing apparatus.

도 1 및 도 2를 참조하면, 공정실(2) 내에 제1테이블(31) 및 제2테이블(32)이 위치한다. 그리고 제1테이블(31) 및 제2테이블(32) 하부에는 쉴드 플레이트(33)가 고정적으로 배치된다. 공정실(2) 내의 상기 제1테이블(31) 및 제2테이블(32)의 상부에는 블레이드 모듈(4)이 위치한다.Referring to Figs. 1 and 2, the first table 31 and the second table 32 are located in the processing chamber 2. [ A shield plate 33 is fixedly disposed below the first table 31 and the second table 32. The blade module 4 is positioned above the first table 31 and the second table 32 in the processing chamber 2. [

상기 제1테이블(31)은 상기 공정실(2) 내에 고정되게 위치하고 상기 기판(1)의 일부를 수평 이동 가능하도록 지지한다.The first table (31) is fixedly positioned within the process chamber (2) and supports a part of the substrate (1) so as to be horizontally movable.

상기 제2테이블(32)은 상기 공정실(2) 내에 위치하고 상기 기판(1)을 수평 이동 가능하도록 지지한다. 상기 제2테이블(32)은 승강 유닛(7)과 연결되어 수직 방향(Z)으로 승강될 수 있다.The second table 32 is located in the process chamber 2 and supports the substrate 1 horizontally movably. The second table 32 is connected to the elevating unit 7 and can be raised and lowered in the vertical direction Z.

상기 쉴드 플레이트(33)는 공정실(2)의 하부를 밀봉하며, 그 아래 쪽에 배치된 승강 유닛(7)으로, 기판(1) 표면으로 토출된 처리 매체들이 떨어지지 않도록 한다.The shield plate 33 seals the lower part of the processing chamber 2 and prevents the processing media discharged to the surface of the substrate 1 from falling down by the elevating unit 7 disposed below the shield plate 33. [

도 1에서 볼 때, 공정실(2)의 일단 측벽에는 기판(1)이 출입하는 제1게이트(231)와 제2게이트(232)가 형성된다. 제1게이트(231)가 유입구, 제2게이트(232)가 유출구가 될 수 있는 데, 서로 바뀌어도 무방하다. 상기 제2게이트(232)는 제1게이트(231)의 직하부에 배치될 수 있다. 그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1게이트(231)가 공정실(2)의 한쪽 측벽의 위쪽에 배치되고, 상기 제2게이트(232)가 공정실(2)의 다른 한쪽 측벽의 아래쪽에 배치될 수 있다. 그리고 상기 제1게이트(231)가 공정실(2)의 한쪽 측벽의 아래쪽에 배치되고, 상기 제2게이트(222)가 공정실(2)의 다른 한쪽 측벽의 위쪽에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, a first gate 231 and a second gate 232, through which the substrate 1 enters and exits, are formed on one side wall of the process chamber 2. The first gate 231 may be an inlet, and the second gate 232 may be an outlet. The second gate 232 may be disposed directly below the first gate 231. The first gate 231 is disposed above one side wall of the process chamber 2 and the second gate 232 is connected to the other side wall 234 of the process chamber 2, As shown in FIG. The first gate 231 may be disposed below one sidewall of the process chamber 2 and the second gate 222 may be disposed above the other sidewall of the process chamber 2.

상기 공정실(2)의 하부에는 승강 유닛(7)이 설치되어 있다. 이 승강 유닛(7)에는 복수의 지지대들(71)이 연결된다. 지지대들(71)의 상단은 제2테이블(32)의 하면에 결합되어 있다. 상기 승강 유닛(7)은 상기 지지대들(71)을 동시에 또는 이시에 승강(또는 신축) 구동시키며, 이에 따라 제2테이블(32)이 공정실(2) 내에서 승강 운동되도록 한다. 상기 승강 유닛(7) 및 지지대들(71)은 실린더 장치나 또는 모터 및 기어장치로 구비될 수 있다.An elevating unit (7) is provided below the processing chamber (2). A plurality of support rods (71) are connected to the elevating unit (7). The upper ends of the support posts 71 are coupled to the lower surface of the second table 32. The elevating unit 7 drives the support tables 71 at the same time or at the same time so that the second table 32 is moved up and down in the process chamber 2. The elevating unit 7 and the supporting rods 71 may be provided with a cylinder device or a motor and a gear device.

한편, 상기 쉴드 플레이트(33)에는 상기 지지대들(71)이 관통하도록 통공들(331)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 통공들(331)의 주위로 상기 제2테이블(32)의 하면과 상기 쉴드 플레이트(33)의 상면 사이에는 신축 가능하도록 구비된 복수의 보호 부재들(72)이 설치된다. 이 보호 부재들(72)은 지지대들(71)을 감싸도록 설치되며, 그 단부들이 상기 통공들(331) 외측에 위치하도록 한다. 따라서 기판(1)에 대한 처리 매체가 쉴드 플레이트(33)로 떨어졌다고 하더라도 통공들(331)을 통해 승강 유닛(7)으로 떨어지는 것이 방지되어 승강 유닛(7)을 오염시킬 염려가 없다. 상기 보호 부재들(72)은 신축성이 있도록 그 길이가 가변될 수 있는 부재로 형성되는 것이 바람직한데, 벨로우즈로 형성될 수 있다. 상기 쉴드 플레이트(33)에는 별도의 배수 장치가 설치되어 기판(1)에 대한 처리 매체를 외부로 배출시키도록 할 수 있다.On the other hand, the shield plate 33 is formed with through holes 331 through which the support posts 71 pass. A plurality of protection members 72 are provided around the through holes 331 to extend between the lower surface of the second table 32 and the upper surface of the shield plate 33. The protection members 72 are installed to surround the support bars 71 and have their ends positioned outside the through holes 331. Therefore, even if the processing medium for the substrate 1 is dropped to the shield plate 33, it is prevented from falling down to the elevation unit 7 through the holes 331, so that the elevation unit 7 is not contaminated. The protective members 72 are preferably formed of a member having a variable length so as to be stretchable, and may be formed as a bellows. The shield plate 33 may be provided with a separate drain device to discharge the processing medium for the substrate 1 to the outside.

이러한 구조에서는 상기 승강 유닛(7)에 의해 제2테이블(32)이 승강 이동할 수 있으며, 따라서 기판(1)이 제1게이트(231) 및 제2게이트(232) 중 하나를 통해 공정실(2)로 유입된 후 처리 매체로 처리된 다음 진행 방향이 전환되어 공정실(2) 밖으로 토출될 수 있다.In this structure, the second table 32 can be moved up and down by the elevating unit 7, so that the substrate 1 can be moved up and down through one of the first gate 231 and the second gate 232 to the processing chamber 2 And then processed by the processing medium, and then the direction of travel can be changed and discharged out of the processing chamber 2. [

상기 공정실(2)의 일측 벽면(21)에는 도 1 및 도 2에서 볼 수 있듯이, 슬릿(22)이 제1수평 방향(X)으로 길게 형성되어 있다. 이 슬릿(22)을 따라 블레이드 모듈(4)이 제1수평 방향(X)으로 직선 왕복 운동을 하게 된다. 상기 슬릿(22)의 길이(S)는 적어도 기판(1)의 제1수평 방향(X)으로의 길이(L1) 보다 길게 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 블레이드 모듈(4)이 기판(1)의 제1수평 방향(X)으로의 길이(L1) 전체에 걸쳐서 왕복 운동하면서 기판(1)의 표면에 처리 매체를 토출할 수 있게 된다.As shown in FIGS. 1 and 2, a slit 22 is elongated in a first horizontal direction X on one side wall 21 of the processing chamber 2. As shown in FIG. And the blade module 4 makes a linear reciprocating movement along the slit 22 in the first horizontal direction X. [ The length S of the slit 22 is preferably at least longer than the length L1 of the substrate 1 in the first horizontal direction X. [ This enables the blade module 4 to reciprocate over the entire length L1 in the first horizontal direction X of the substrate 1 and to discharge the processing medium to the surface of the substrate 1. [

도 2에서 볼 수 있듯이, 상기 블레이드 모듈(4)의 제2수평 방향(Y)으로의 전체 길이(W2)는 상기 기판(1)의 제2수평 방향(Y)으로의 길이(L2)보다 길도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 블레이드 모듈(4)에서의 처리 매체의 토출에 의해 기판(1)의 제2수평 방향(Y)으로의 길이(L2) 전체에 걸쳐 한 번에 표면 처리가 이뤄질 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 상기 블레이드 모듈(4)이 하나인 것만을 도시하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 복수의 블레이드 모듈(4)이 공정실(2) 내에 위치할 수 있다. 그리고 하나의 블레이드 모듈(4)가 복수의 동질 및/또는 이질의 처리 매체를 동시 및/또는 이시에 토출시키도록 구비될 수 있다.2, the overall length W2 of the blade module 4 in the second horizontal direction Y is longer than the length L2 of the substrate 1 in the second horizontal direction Y, . The surface treatment can be performed at one time over the entire length L2 of the substrate 1 in the second horizontal direction Y by discharge of the treatment medium in the blade module 4. [ Although only one blade module 4 is shown in FIGS. 1 and 2, the present invention is not necessarily limited to this, and a plurality of blade modules 4 may be located in the process chamber 2. And one blade module 4 may be provided to simultaneously and / or simultaneously discharge a plurality of homogeneous and / or heterogeneous processing media.

도 3은 상기 제1테이블(31) 및 제2테이블(32)의 일 예를 도시한 것이다. FIG. 3 shows an example of the first table 31 and the second table 32. FIG.

상기 제1테이블(31)은 제2수평 방향(Y)으로 양단에 설치된 한 쌍의 제1프레임(311)을 포함한다. 상기 제1프레임(311)은 서로 대향되게 배치될 수 있다.The first table 31 includes a pair of first frames 311 provided at both ends in a second horizontal direction (Y). The first frames 311 may be disposed opposite to each other.

한 쌍의 제1프레임(311)에는 복수의 지지봉(301)들이 배치된다. 상기 지지봉(301)들은 제1수평 방향(X)을 따라 일전한 간격을 두고 배치되어 있다. 각 지지봉(301)들에는 복수의 구동 롤(302)들이 소정 간격 이격되도록 설치되어 있다.A plurality of support rods 301 are disposed in the pair of first frames 311. The support bars 301 are arranged at regular intervals along the first horizontal direction X. A plurality of drive rolls 302 are provided on the support rods 301 so as to be spaced apart from each other by a predetermined distance.

상기 제1테이블(31)의 제1수평 방향(X)으로의 양단인 제1단(31a) 및 제2단(31b)은 턱이 없거나 낮게 형성되어 기판이 제1수평 방향(X)으로 지나가기에 문제가 되지 않도록 하는 것이 바람직하다.The first end 31a and the second end 31b of the first table 31 in the first horizontal direction X are formed with no or low jaws so that the substrate is moved in the first horizontal direction X It is preferable to prevent the problem from becoming a problem.

상기 제2테이블(32)은 제2수평 방향(Y)으로 양단에 설치된 한 쌍의 제2프레임(311)을 포함한다. 상기 제2프레임(321)은 서로 대향되게 배치될 수 있다. The second table (32) includes a pair of second frames (311) provided at both ends in the second horizontal direction (Y). The second frames 321 may be disposed opposite to each other.

한 쌍의 제2프레임(321)에는 복수의 지지봉(301)들이 배치된다. 상기 지지봉(301)들은 제1수평 방향(X)을 따라 일전한 간격을 두고 배치되어 있다. 각 지지봉(301)들에는 복수의 구동 롤(302)들이 소정 간격 이격되도록 설치되어 있다.A plurality of support rods (301) are disposed in the pair of second frames (321). The support bars 301 are arranged at regular intervals along the first horizontal direction X. A plurality of drive rolls 302 are provided on the support rods 301 so as to be spaced apart from each other by a predetermined distance.

상기 제2테이블(32)의 제1테이블(31)을 향한 제1수평 방향(X)으로의 일단인 제3단(32a)은 턱이 없거나 낮게 형성되어 기판이 제1수평 방향(X)으로 지나가기에 문제가 되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 상기 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)으로의 타단인 제4단(32b)에는 제3프레임(322)이 설치되고, 이 제3프레임(322)의 양단은 제2프레임(321)에 각각 결합될 수 있다.The third end 32a of the second table 32 which is one end in the first horizontal direction X toward the first table 31 is formed with no or low jaws so that the substrate is moved in the first horizontal direction X It is preferable to prevent the problem from being passed. A third frame 322 is provided at the other end of the second table 32 in the first horizontal direction X and the other end of the third frame 322 is connected to a second frame 321, respectively.

제1프레임(311), 제2프레임(321) 및 제3프레임(322)의 상면에는 기판의 측면을 지지하는 지지 롤러(303)들이 설치된다. On the upper surfaces of the first frame 311, the second frame 321 and the third frame 322, support rollers 303 for supporting the side surfaces of the substrate are provided.

이러한 구조의 제1테이블(31) 및 제2테이블(32)은 도 1에서 볼 수 있듯이, 제1테이블(31)은 공정실(2) 내에 고정적으로 설치되고, 제2테이블(32)은 승강 유닛(7)에 연결되어 수직 방향(Z)으로 승강 구동한다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 경우, 제1테이블(31)은 제2테이블(32)보다 제1게이트(231) 및/또는 제2게이트(232)에 더 인접하게 위치할 수 있다. 이 경우, 제2게이트(232)에 인접하게 제1테이블(31)이 설치되고, 제1테이블(31)과 동일한 구조의 또 다른 제1테이블(31')이 제1게이트(231)에 인접하게 설치될 수 있다. 이들 한 쌍의 제1테이블(31')(31)은 각각 제1게이트(231) 및 제2게이트(232)에 결합되게 설치될 수 있다.1, the first table 31 and the second table 32 of this structure are fixedly installed in the processing chamber 2, and the second table 32 is fixedly installed in the process chamber 2, Unit 7 so as to move up and down in the vertical direction Z. 1, in the case of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the first table 31 includes a first gate 231 and / or a second gate 232 rather than the second table 32, As shown in FIG. In this case, the first table 31 is provided adjacent to the second gate 232, and another first table 31 'having the same structure as the first table 31 is provided adjacent to the first gate 231 . The pair of first tables 31 'and 31 may be provided so as to be coupled to the first gate 231 and the second gate 232, respectively.

한편, 상기 제1테이블(31)의 제1수평 방향(X)의 길이를 D1이라 하고, 블레이드 모듈(4)의 제1수평 방향(X)의 너비를 W1이라 할 때, D1 및 W1은 아래 식(1)을 만족하도록 하는 것이 바람직하다.When the width of the first table 31 in the first horizontal direction X is denoted by D1 and the width of the first horizontal direction X of the blade module 4 is denoted by W1, It is preferable to satisfy the expression (1).

D1≥W1 …………………….. 식(1)D1? W1 ... ... ... ... ... ... ... ... (1)

즉, 상기 제1테이블(31)의 제1수평 방향(X)의 길이(D1)는 적어도 블레이드 모듈(4)의 제1수평 방향(X)의 너비(W1)보다 크거나 같은 것이 바람직하다.That is, the length D1 of the first table 31 in the first horizontal direction X is preferably at least equal to the width W1 of the first horizontal direction X of the blade module 4.

이에 따라 블레이드 모듈(4)이 제1테이블(31)의 직상부에 위치했을 때에 블레이드 모듈(4)이 제2테이블(32)의 승강 운동에 방해가 되지 않을 수 있다.Accordingly, when the blade module 4 is positioned directly above the first table 31, the blade module 4 may not interfere with the ascending and descending movement of the second table 32.

이에 더하여 상기 제1테이블(31)은 상기 제2테이블(32)의 승강하는 수직 경로의 외측에 위치하도록 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the first table (31) is located outside the vertical path of the second table (32).

따라서 제2테이블(32)이 기판(1)을 수직 방향(Z)으로 이송하는 경우에 블레이드 모듈(4)이 제1테이블(31)의 직상부에 위치함으로써 제2테이블(32)의 수직 운동에 방해가 되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, when the second table 32 transports the substrate 1 in the vertical direction Z, the blade module 4 is positioned directly above the first table 31 so that the vertical movement of the second table 32 It is possible to prevent disturbance.

또, 상기 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)의 길이를 D2라 하고, 상기 기판(1)의 제1수평 방향(X)의 길이를 L1이라 할 때, 상기 D2 및 L1은 아래 식(2)를 만족하도록 하는 것이 바람직하다.When the length of the second table 32 in the first horizontal direction X is denoted by D2 and the length of the first horizontal direction X of the substrate 1 is denoted by L1, It is preferable to satisfy the following expression (2).

D2>L1 …………………… 식(2)D2> L1 ... ... ... ... ... ... ... ... Equation (2)

즉, 상기 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)의 길이(D2)는 상기 기판(1)의 제1수평 방향(X)의 길이(L1)보다 큰 것이 바람직하다.That is, the length D2 of the second table 32 in the first horizontal direction X is preferably larger than the length L1 of the first horizontal direction X of the substrate 1.

이에 따라 제2테이블(32)이 그 상면에 기판(1)을 안착시킨 상태에서 수직 방향(Z)으로 승강 운동할 때에 기판(1)의 가장자리가 제2테이블(32) 외측으로 돌출되어 기판(1)의 가장자리가 손상될 수 있는 위험을 방지할 수 있다.The edge of the substrate 1 protrudes to the outside of the second table 32 when the second table 32 moves up and down in the vertical direction Z while the substrate 1 is placed on the upper surface thereof, 1 can be prevented from being damaged.

상기 제1테이블(31)의 제1수평 방향(X)의 길이를 D1이라 하고, 상기 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)의 길이를 D2라 할 때, 상기 D1 및 D2는 하기 식(3)을 만족하도록 하는 것이 바람직하다.The length of the first table 31 in the first horizontal direction X is D1 and the length of the second table 32 in the first horizontal direction X is D2, It is preferable to satisfy the following formula (3).

D2>D1 …………………… 식(3)D2> D1 ... ... ... ... ... ... ... ... Equation (3)

즉, 상기 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)의 길이(D2)가 상기 제1테이블(31)의 제1수평 방향(X)의 길이(D1)보다 큰 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the length D2 of the second table 32 in the first horizontal direction X is larger than the length D1 of the first table 31 in the first horizontal direction X.

이에 따라 최소 부피의 공정실(2)로 보다 큰 면적의 기판(1)을 처리할 수 있어 장소적 효율성을 증대시킬 수 있다. 전술한 바와 같이 제2테이블(32)이 수직 이동하는 동안 제1테이블(31)의 직상부에 위치하고 있던 블레이드 모듈(4)은 제2테이블(32)의 하강 위치에 위치한 때에, 즉, 제2테이블(32)의 제3단(32a)이 제1테이블(31)의 제2단(31b)과 정렬된 후에 제2테이블(32)의 위로 이동하여 제2테이블(32) 위에 안착된 기판(1)의 표면을 처리할 수 있다. 기판(1) 표면 처리가 끝난 후에는 제2테이블(32)이 기판(1)을 제2게이트(232)의 방향으로 수평 이동시키고, 제1테이블(31)이 기판(1)을 제2게이트(232)를 거쳐 공정실(2) 밖으로 토출되도록 할 수 있다.As a result, the substrate 1 having a larger area can be processed with the process chamber 2 having the smallest volume, thereby increasing the efficiency of the process. The blade module 4 positioned just above the first table 31 while the second table 32 is vertically moved is positioned at the lowered position of the second table 32, The third stage 32a of the table 32 moves up the second table 32 after being aligned with the second stage 31b of the first table 31 and moves to the substrate 1) can be treated. After the surface treatment of the substrate 1 is finished, the second table 32 horizontally moves the substrate 1 in the direction of the second gate 232, and the first table 31 moves the substrate 1 to the second gate And then discharged out of the process chamber 2 through the discharge port 232.

상기 블레이드 모듈(4)의 이동 경로가 되는 슬릿(22)은 그 제1수평 방향(X)의 길이(S)가 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)의 길이(D2)보다 길게 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라 블레이드 모듈(4)이 제2테이블(32)의 제1수평 방향(X)의 전체 길이에 걸쳐 이동하면서 기판(1)의 표면을 처리할 수 있다.The length S of the slit 22 in the first horizontal direction X is greater than the length D2 of the second horizontal direction X of the second table 32, It is preferable to form it long. Whereby the blade module 4 can process the surface of the substrate 1 while moving over the entire length of the second table 32 in the first horizontal direction X. [

상기 슬릿(22)은 제1수평 방향(X)의 일 단부(22a)가 제2테이블(32)의 제3단(32a)보다 길게 연장되는 것이 바람직하다. 및/또는 상기 슬릿(22)은 제1수평 방향(X)의 타 단부(22b)가 제2테이블(32)의 제4단(32b)보다 길게 연장되는 것이 바람직하다. 이에 따라 블레이드 모듈(4)이 제2테이블(32)이 수직 방향(Z)으로 이동할 때에 제1테이블(31)의 직상부로 위치하기에 충분하도록 할 수 있고, 제2테이블(32) 위에 놓인 기판(1)의 전체 면적을 처리하기에 충분하도록 할 수 있다.It is preferable that the slit 22 extends longer than the third end 32a of the second table 32 at one end 22a of the first horizontal direction X. [ And the other end 22b of the slit 22 is longer than the fourth end 32b of the second table 32 in the first horizontal direction X. [ The blade module 4 can be made to be positioned just above the first table 31 when the second table 32 moves in the vertical direction Z, So that the entire area of the substrate 1 can be sufficient for processing.

한편, 상기 블레이드 모듈(4)은 도 4에서 볼 수 있듯이, 피처리 대상인 기판(1) 상에 위치해, 상기 기판(1)의 일단으로부터 타단을 향해 직선 방향으로 이동하면서 기판(1)의 표면에 기판(1)의 면 방향으로 적어도 2종류 이상의 매체를 제공한다. 4, the blade module 4 is disposed on the substrate 1 to be processed and moves in a linear direction from one end to the other end of the substrate 1, At least two kinds of medium are provided in the surface direction of the substrate 1. [

상기 블레이드 모듈(4)은 적어도 2 이상의 저장조(9)에 연결되어 상기 매체를 공급받을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 저장조(9)는 제1매체가 저장된 제1저장조(91) 및 제2매체가 저장된 제2저장조(92)를 포함할 수 있다.The blade module 4 may be connected to at least two reservoirs 9 to receive the medium. According to one embodiment, the reservoir 9 may include a first reservoir 91 storing a first medium and a second reservoir 92 storing a second medium.

저장조(9)와 블레이드 모듈(4)의 사이에는 펌프들(94)(95)이 개재되어 매체의 토출 압력을 결정한다. 제1저장조(91)와 블레이드 모듈(4)의 사이에는 제1펌프(94)가, 제2저장조(92)와 블레이드 모듈(4)의 사이에는 제2펌프(95)가 각각 개재된다.Between the reservoir 9 and the blade module 4, pumps 94 and 95 are interposed to determine the discharge pressure of the medium. A first pump 94 is interposed between the first reservoir 91 and the blade module 4 and a second pump 95 is interposed between the second reservoir 92 and the blade module 4.

상기 블레이드 모듈(4) 및 제1,2펌프(94)(95)는 각각 제어부(8)에 전기적으로 연결되어 그 동작이 제어된다.The blade module 4 and the first and second pumps 94 and 95 are electrically connected to the control unit 8 to control the operation thereof.

상기 제1매체는 기판(1)의 표면에 제공되는 것으로, 처리액, 물 또는 에어가 될 수 있다. 처리액으로는 불산(HF) 또는 오존수가 될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 기판(1)의 표면을 식각 및/또는 세정시킬 수 있는 처리액이면 어떠한 것이든 적용될 수 있다. 물은 순수(DI Water)가 될 수 있다. 에어는 액절 공기가 될 수 있다.The first medium is provided on the surface of the substrate 1 and can be a treatment liquid, water or air. The treatment liquid may be hydrofluoric acid (HF) or ozonated water. However, the treatment liquid is not always limited thereto, and any treatment liquid that can etch and / or clean the surface of the substrate 1 can be applied. Water can be DI Water. The air can be a lump air.

상기 제2매체는 상기 기판(1)의 표면에 제공되는 것으로, 처리액, 물 또는 에어가 될 수 있다. 상기 제2매체는 상기 제1매체와 동일하거나 상이한 매체일 수 있다.The second medium is provided on the surface of the substrate 1 and can be a treatment liquid, water or air. The second medium may be the same or a different medium than the first medium.

도 4에는 단일의 블레이드 모듈(4)이 구비된 것이 도시되어 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 블레이드 모듈(4)과 동일한 또는 다른 형태를 갖는 별도의 블레이드 모듈이 더 구비될 수 있다.Although FIG. 4 shows a single blade module 4, the present invention is not necessarily limited to this, but a separate blade module having the same or different shape as the blade module 4 may be further provided have.

상기 블레이드 모듈(4)은 적어도 3개 이상의 블록들이 서로 결합되며, 상기 블록들 사이에 연통로들이 형성되고, 상기 블록들의 단부에 상기 연통로들과 각각 연통된 분사구들이 구비될 수 있다.In the blade module 4, at least three or more blocks are coupled to each other, a communication path is formed between the blocks, and an injection port communicating with the communication paths may be provided at an end of the blocks.

도 5 및 도 6은 이러한 도 4의 블레이드 모듈(4)의 보다 구체적인 일 실시예를 나타낸 단면도 및 평면도이다.5 and 6 are a cross-sectional view and a plan view showing a more specific embodiment of the blade module 4 of FIG.

도 5 및 도 6에서 볼 수 있듯이, 상기 블레이드 모듈(4)의 제1블록(411), 제2블록(412) 및 제3블록(413)은 서로 결합된 상태이거나 결합되지 않은 상태에서 그 상단이 지지 브라켓(45)에 결합되어 고정된다.5 and 6, the first block 411, the second block 412, and the third block 413 of the blade module 4 are coupled to each other in a state where the first block 411, the second block 412, Is fixedly coupled to the support bracket (45).

그리고 제2블록(412)의 제1블록(411)을 향한 면의 반대측 면에는 복수의 제1홀들(461)이 형성되어 있고, 제3블록(413)의 제1블록(411)을 향한 면의 반대측 면에는 복수의 제2홀들(462)이 형성되어 있다.A plurality of first holes 461 are formed on the surface of the second block 412 opposite to the first block 411 and a plurality of first holes 461 are formed on the surface of the third block 413 facing the first block 411 And a plurality of second holes 462 are formed on the opposite side of the second holes 462.

이 제1홀들(461) 및 제2홀들(462)에는 도 11에서 볼 수 있듯이, 각각 연결블록들(471)이 결합되며, 연결블록들(471) 사이에는 제1공급관들(472)이 연결되어 있다. 제1홀들(461)과 이에 연결된 제1공급관들(472)은 서로 연통되어 있고, 제2홀들(462)과 이에 연결된 제1공급관들(472)도 서로 연통되어 있다. 따라서 상기 공급관들(472)을 통해 도 4에서 볼 수 있듯이, 제1저장조(91)로부터 제1매체가 제1홀들(461)로 제공되고, 제2저장조(92)로부터 제2매체가 제2홀들(462)로 제공된다.11, the connection blocks 471 are connected to the first holes 461 and the second holes 462 and the first supply pipes 472 are connected between the connection blocks 471, . The first holes 461 and the first supply pipes 472 connected to the first holes 461 are communicated with each other and the second holes 462 and the first supply pipes 472 connected thereto are also communicated with each other. 4, the first medium is supplied to the first holes 461 from the first reservoir 91 and the second medium is supplied from the second reservoir 92 to the second holes 461 through the supply pipes 472. [ Holes 462, respectively.

상기 제1매체가 물이나 처리액과 같은 액체일 경우 상기 제1연통로(421)는 도 5에서 볼 수 있듯이 지그재그 형태의 다단 경로를 형성할 수 있다. 이렇게 다단 경로를 형성함으로써 제1연통로(421)로 유입된 액체 내에 이물질이 포함되어 있을 경우에도 이물질을 걸러낼 수 있고, 액체의 제공 유량을 미세하게 컨트롤해 정확한 유량이 기판으로 공급될 수 있도록 할 수 있다When the first medium is a liquid such as water or a treatment liquid, the first communication path 421 may form a multistage path in the form of a zigzag as shown in FIG. By forming the multi-stage path in this way, even when foreign matter is contained in the liquid flowing into the first communication path 421, the foreign matter can be filtered out, and the flow rate of the liquid can be finely controlled, can do

이 때, 도 5에서 볼 수 있듯이, 수직 방향의 액 경로를 수평 방향의 액 경로보다 좁게 형성한다. 이에 따라 상기 제1연통로(421) 내에서 낙하하는 액의 낙하 속도를 조절할 수 있고, 액에 포함되어 있을 수 있는 이물질이 낙하되지 않도록 한다. 그리고 수평 방향의 액 경로를 넓게 형성됨으로 인해 이 공간들에 액이 충분히 저장될 수 있도록 해, 수직 경로로 액이 흐를 수 있는 충분한 유압을 제공하고, 액 내에 포함될 수 있는 입자 혹은 이물질들이 저장되도록 할 수 있다. 그리고 수평 방향의 액 경로들 중 일부를 다른 수평 방향의 액 경로보다 좁게 형성함으로써 유속의 제어가 정밀하게 이뤄지도록 할 수 있다.At this time, as shown in FIG. 5, the liquid path in the vertical direction is formed to be narrower than the liquid path in the horizontal direction. Accordingly, the falling speed of the liquid dropped in the first communication path 421 can be adjusted, and foreign substances contained in the liquid can be prevented from falling. In addition, since the liquid path in the horizontal direction is widely formed, it is possible to sufficiently store the liquid in these spaces, to provide sufficient hydraulic pressure to flow the liquid through the vertical path, and to store particles or foreign substances contained in the liquid . In addition, some of the liquid passages in the horizontal direction are formed to be narrower than the liquid passages in the other horizontal direction, so that the flow velocity can be precisely controlled.

상기 제2매체가 에어일 경우 상기 제2연통로(422)는 제1연통로(421)와 달리 대략 직선상의 연통로가 되도록 할 수 있다. 이는 에어는 액체와 달리 연통로 내에서의 이물질 문제 및 유량 컨트롤 문제가 덜 발생될 수 있기 때문이다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 에어를 통과시키는 제2연통로(422)의 경우에도 적어도 2단의 다단 경로를 갖도록 할 수 있다.When the second medium is air, the second communication path 422 may be a substantially straight communication path unlike the first communication path 421. This is because, unlike a liquid, air may cause a problem of foreign matters and flow control problems in a communication path. However, the present invention is not limited to this, and even in the case of the second communication path 422 through which air is passed, it is possible to have at least two multi-stage paths.

상기 블레이드 모듈(4)은, 상기 제1연통로(421)와 연통되고 상기 제1블록(411) 및 제2블록(412)의 사이에 위치한 제1분사구(431)와, 상기 제2연통로(422)와 연통되고 상기 제1블록(411) 및 제3블록(413)의 사이에 위치한 제2분사구(432)를 포함한다. 상기 제1분사구(431)를 통해 제1매체가 토출되고, 상기 제2분사구(432)를 통해 제2매체가 토출된다.The blade module 4 includes a first jetting port 431 communicating with the first communication path 421 and located between the first block 411 and the second block 412, And a second jetting port 432 communicating with the second block 422 and located between the first block 411 and the third block 413. The first medium is ejected through the first ejection port 431 and the second medium is ejected through the second ejection port 432. [

도 5에 도시된 블레이드 모듈(4)의 실시예는 제2분사구(432)의 분사 방향이 제1분사구(431)의 분사 방향에 대해 평행이 아닌 경사 방향을 이룬다. 상기 제1분사구(431)의 분사 방향(D1)은 지면에 대해 수직이고, 상기 제2분사구(432)의 분사 방향은 제1분사구(431)의 분사 방향에 대해 5 내지 60도가 될 수 있다.The blade module 4 shown in FIG. 5 has an inclined direction in which the jetting direction of the second jetting port 432 is not parallel to the jetting direction of the first jetting port 431. The injection direction D1 of the first injection port 431 is perpendicular to the paper surface and the injection direction of the second injection port 432 may be 5 to 60 degrees with respect to the injection direction of the first injection port 431. [

상기 블레이드 모듈(4)은, 제1블록(411)의 제2블록(412)을 향한 면의 하단으로부터 하방으로 연장된 차단 블록(441)을 포함할 수 있다.The blade module 4 may include a blocking block 441 extending downward from the lower end of the face of the first block 411 toward the second block 412.

도 7은 상기 도 5 및 도 6에 따른 실시예를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예를 도시한 개략 단면도이다.FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a method of processing a substrate using the embodiment according to FIGS. 5 and 6. FIG.

먼저, 도 7에서 볼 수 있듯이, 기판(1)의 표면에 물이 제공되어, 물막(201)이 형성되도록 한다. First, as can be seen from Fig. 7, water is provided on the surface of the substrate 1 so that a water film 201 is formed.

다음으로, 형성된 물막(201)을 기판(1)의 표면에서 제거해 기판(1)의 제1부분(101)을 노출시킨다. 상기 물막(201)의 제거는 기판(1)의 일단에서부터 타단을 향해 순차적으로 진행될 수 있다.Next, the formed water film 201 is removed from the surface of the substrate 1 to expose the first portion 101 of the substrate 1. The removal of the water film 201 may proceed sequentially from one end of the substrate 1 toward the other end.

기판(1) 표면에서 물막(201)을 제거함으로써 상기 기판(1)의 제1부분(101)을 노출시키는 것은 상기 기판(1)의 표면으로 에어(402)를 분사함으로써 가능해질 수 있다. 따라서 에어(402)는 도 5 및 도 6에 따른 실시예에서 제2분사구(432)를 통해 제2분사구(432)의 분사방향(D2)으로 분사되고(도 7 참조), 블레이드 모듈(4)이 기판(1)의 일단에서부터 타단을 향해(도 7에서 볼 때 왼쪽에서 오른쪽으로) 순차로 이동하면서 상기 물막(201)을 제거한다.Exposing the first portion 101 of the substrate 1 by removing the water film 201 from the surface of the substrate 1 may be enabled by spraying the air 402 onto the surface of the substrate 1. [ The air 402 is ejected in the ejecting direction D2 of the second ejecting opening 432 through the second ejecting opening 432 in the embodiment according to FIGS. 5 and 6 (see FIG. 7) The water film 201 is removed while moving sequentially from one end of the substrate 1 toward the other end (left to right in FIG. 7).

상기 물막(201)은 상기 에어(402)에 의해 물리적 및/또는 화학적으로 제거되며, 제거되는 물막(201)의 가장자리(202)는 에어(402)에 의해 밀려 올라가는 형상으로 제거된다.The water film 201 is physically and / or chemically removed by the air 402 and the edge 202 of the water film 201 to be removed is removed in such a shape as to be pushed up by the air 402.

이렇게 기판(1)의 표면으로 에어(402)가 제공됨으로써 에어(402)의 직접적인 영향권 내에서 상기 기판(1)의 표면에 제1기압 영역(501)이 형성된다. 즉, 상기 제1기압 영역(501)은 상기 에어(402)의 제공 압력의 영향을 받는 영역이 된다.Thus, the air 402 is provided to the surface of the substrate 1, thereby forming the first pressure area 501 on the surface of the substrate 1 within the direct influence of the air 402. [ That is, the first atmospheric pressure region 501 is a region affected by the pressure of the air 402.

상기 제1기압 영역(501)은 제거되는 물막(201)의 가장자리(202) 위에 위치할 수 있다.The first atmospheric pressure region 501 may be located above the edge 202 of the water film 201 to be removed.

다음으로, 기판(1)의 표면으로 처리액(401)이 제공된다. 상기 처리액(401)은 도 5 및 도 6에 따른 실시예에서 제1분사구(431)를 통해 제1분사구(431)의 분사방향(D1)으로 분사되고 블레이드 모듈(4)이 기판(1)의 일단에서부터 타단을 향해(도 7에서 볼 때 왼쪽에서 오른쪽으로) 순차로 이동하면서 기판(1)의 표면에 제공된다.Next, the surface of the substrate 1 is provided with the treatment liquid 401. The treatment liquid 401 is sprayed in the spraying direction D1 of the first jetting port 431 through the first jetting port 431 in the embodiment according to FIGS. 5 and 6 and the blade module 4 is sprayed onto the substrate 1, (From left to right as viewed in Fig. 7) from one end of the substrate 1 to the other end thereof.

기판(1)의 표면으로 상기 처리액(401)이 제공됨으로써 처리액(401)의 직접적인 영향권 내에서 상기 기판(1)의 표면에 제2기압 영역(502)이 형성된다. 즉, 상기 제2기압 영역(502)은 상기 처리액(401)의 제공 압력의 영향을 받는 영역이 된다.The second pressure area 502 is formed on the surface of the substrate 1 within the direct influence of the processing liquid 401 by providing the processing liquid 401 on the surface of the substrate 1. [ That is, the second atmospheric pressure region 502 is a region affected by the pressure of the treatment liquid 401.

상기 제2기압 영역(502)은 상기 물막(201)이 제거되어 노출된 기판(1)의 제1부분(101) 위에 위치한다.The second pressure area 502 is located above the first part 101 of the substrate 1 from which the water film 201 is removed.

상기 제1기압 영역(501)과 제2기압 영역(502)의 사이에는 상기 제1기압 및 제2기압보다 낮은 제3기압을 갖는 제3기압 영역(503)이 형성된다. 상기 제3기압 영역(503)은 상기 제1기압 영역(501)과 제2기압 영역(502)의 이격된 거리의 조절 및/또는 상기 처리액(401)의 분사 방향인 제1분사구(431)의 분사방향(D1)에 대한 에어(402)의 분사 방향인 제2분사구(432)의 분사방향(D2)의 경사 각도인 제1각도(a1)의 조절에 의해 형성될 수 있다. A third atmospheric pressure region 503 having a third atmospheric pressure lower than the first atmospheric pressure and the second atmospheric pressure is formed between the first atmospheric pressure region 501 and the second atmospheric pressure region 502. The third atmospheric pressure area 503 may be adjusted by adjusting a distance between the first pressure area 501 and the second atmospheric pressure area 502 and / or adjusting the distance between the first jetting port 431, which is the jetting direction of the process liquid 401, Which is an inclination angle of the ejection direction D2 of the second ejection opening 432, which is the ejection direction of the air 402 with respect to the ejection direction D1 of the ejection direction D1.

상기 제3기압 영역(503)은 상기 물막(201)의 가장자리(202)와 상기 기판(1)의 제1부분(101) 사이에 위치하는 상기 기판(1)의 제2부분(102) 위에 위치한다. 상기 제2부분(102)은 상기 물막(201)의 가장자리(202)와 상기 기판(1)의 경계 영역(103)을 포함한다.The third pressure region 503 is positioned above the second portion 102 of the substrate 1 positioned between the edge 202 of the water film 201 and the first portion 101 of the substrate 1, do. The second portion 102 includes an edge 202 of the water film 201 and a boundary region 103 of the substrate 1.

이러한 제3기압 영역(503)은 상기 제1기압 영역(501)에 인접하게 위치할 수 있다.The third pressure region 503 may be located adjacent to the first pressure region 501.

상기 처리액(401)으로는 불산(HF) 또는 오존수가 사용될 수 있는 데, 이러한 처리액(401)에 의해 기판(1)의 표면을 처리할 때에는 전술한 바와 같이 기판(1)의 표면에 미리 물막(201)을 형성시켜, 기판(1) 표면의 젖음성을 균일하게 향상시켜 놓아야 한다. 기판(1) 표면의 젖음성이 기판(1)의 면 방향에 걸쳐 불균일한 특성을 보이는 경우에는 처리액(401)에 의한 기판(1) 표면에서의 반응이 불균일해질 수 있고, 이는 기판(1) 표면의 특성을 불균일하게 할 수 있다. 특히 상기 기판(1)이 표면에 실리콘막 및/또는 산화막을 포함하고 있을 경우에는 이 실리콘막 및/또는 산화막의 처리액(401)과의 반응이 기판(1)의 면방향에 걸쳐 불균일해질 수 있고, 이는 처리 후의 기판(1)을 이용한 전자 장치, 예컨대 디스플레이 장치의 특성에도 악영향을 미칠 수 밖에 없다.(HF) or ozone water can be used as the treatment liquid 401. When the surface of the substrate 1 is treated with the treatment liquid 401, The water film 201 should be formed so that the wettability of the surface of the substrate 1 is uniformly improved. The reaction on the surface of the substrate 1 by the treatment liquid 401 may be uneven when the wettability of the surface of the substrate 1 shows a nonuniform characteristic across the plane direction of the substrate 1, The surface characteristics can be made non-uniform. Particularly, when the substrate 1 includes a silicon film and / or an oxide film on its surface, the reaction of the silicon film and / or the oxide film with the processing solution 401 can be made nonuniform in the plane direction of the substrate 1 Which adversely affects the characteristics of an electronic device using the substrate 1 after processing, for example, a display device.

한편, 상기 물막(201)은 처리액(401)의 농도를 희석시킬 수 있기 때문에, 처리액(401)의 제공 전에 제거할 수 있다.On the other hand, since the water film 201 can dilute the concentration of the treatment liquid 401, it can be removed before the treatment liquid 401 is provided.

이를 위해 상기 물막(201)을 향해 에어(402)를 분사하여, 상기 물막(201)의 적어도 가장자리(202) 위에 제1기압 영역(501)을 형성하는 것이다.To this end, air 402 is sprayed toward the water film 201 to form a first air pressure area 501 on at least an edge 202 of the water film 201.

이러한 에어(402)의 분사에 이어, 곧바로 처리액(401)이 노출된 상기 기판(1)의 제1부분(101) 위로 제공된다. 따라서 상기 기판(1)의 제1부분(101) 위에는 물막(201)이 존재하지는 않으나, 이 제1부분(101)은 표면 젖음성이 있는 상태가 된다.Following the injection of the air 402, the treatment liquid 401 is provided immediately above the first portion 101 of the exposed substrate 1. Therefore, although the water film 201 is not present on the first portion 101 of the substrate 1, the first portion 101 is in a state of surface wettability.

처리액(401)이 상기 기판(1)의 제1부분(101) 위로 소정의 압력으로 토출되므로, 상기 제1부분(101) 위에는 상기 처리액(401)에 의해 제2기압 영역(502)이 형성된다. The processing solution 401 is discharged onto the first portion 101 of the substrate 1 at a predetermined pressure so that the second pressure region 502 is formed on the first portion 101 by the processing solution 401 .

이 때, 상기 처리액(401)이 분사되는 영역은 상기 에어(402)가 분사되는 영역과 소정 간격 이격되어 있기 때문에, 상기 에어(402)에 의한 제1기압 영역(501)과 상기 처리액(401)에 의한 제2기압 영역(502)의 사이에는 상대적인 저압 영역인 제3기압 영역(503)이 존재하게 된다. At this time, since the area to which the treatment liquid 401 is sprayed is spaced apart from the spray area of the air 402 by a predetermined distance, the first pressure area 501 by the air 402 and the treatment liquid A third atmospheric pressure region 503, which is a relatively low pressure region, is present between the second atmospheric pressure region 502 by the first pressure region 401.

따라서 상기 제3기압 영역(503)은 상기 물막(201)의 가장자리(202)와 상기 기판(1)의 경계 영역(103)을 포함하는 제2부분(102) 위에 위치하게 된다.The third pressure region 503 is positioned on the second portion 102 including the edge 202 of the water film 201 and the boundary region 103 of the substrate 1.

이 제3기압 영역(503)은 상기 제2기압 영역(502)에 인접하게 위치하고, 제2기압 영역(502)보다 상대적으로 낮은 기압을 나타내므로, 상기 제2기압 영역(502)으로 향하던 처리액(401) 중 적어도 일부(401a)는 상기 제3기압 영역(503)으로 빨려 들게 된다.Since the third atmospheric pressure region 503 is located adjacent to the second atmospheric pressure region 502 and exhibits a relatively lower atmospheric pressure than the second atmospheric pressure region 502, At least a portion 401a of the first pressure region 401 is sucked into the third pressure region 503.

이처럼 처리액(401)의 일부(401a)가 제3기압 영역(503)으로 향하게 됨으로써 물막(201)이 제거된 직후에 노출된 부분인 기판(1)의 제2부분(102)에도 처리액(401)의 일부(401a)가 제공된다.The portion 401a of the treatment liquid 401 is directed to the third atmospheric pressure region 503 so that the second portion 102 of the substrate 1, which is a portion exposed immediately after the water film 201 is removed, 401 is provided.

물막(201)이 제거된 후 기판(1) 표면의 젖음성은 매우 빠른 시간 내에 소멸될 수 있는 데, 상기 실시예에 따르면, 물막(201)이 제거된 직후의 부분에까지 처리액(401)이 제공되도록 함으로써 기판(1) 표면에 대한 처리가 최적 효율을 갖도록 할 수 있다.After the water film 201 is removed, the wettability of the surface of the substrate 1 can be quickly eliminated. According to the embodiment, the treatment liquid 401 is supplied until a portion immediately after the water film 201 is removed So that the processing on the surface of the substrate 1 can be made to have the optimum efficiency.

상기와 같이 처리액(401)의 적어도 일부(401a)가 제3기압 영역(503)을 향하도록 하기 위하여, 상기 처리액(401)은 기판(1)의 표면에 수직한 방향인 제1분사구(431)의 분사방향(D1)으로 제2기압 영역(502)을 향해 분사되도록 할 수 있다.In order to make at least a part 401a of the treatment liquid 401 point toward the third atmospheric pressure region 503 as described above, the treatment liquid 401 is supplied to the first jetting port 431 toward the second atmospheric pressure region 502 in the ejecting direction D1.

상기 제1기압 영역(501)을 향해 분사되는 에어(402)가 상기 제3기압 영역(503)으로 되돌아 오지 않도록 상기 에어(501)는 상기 기판(1)에 수직한 방향으로부터 제1각도(a1)만큼 경사진 방향인 제2분사구(432)의 분사방향(D2)을 향해 분사되도록 할 수 있다. 이 때의 제1각도(a1)는 5 내지 60도의 범위일 수 있다. 상기 제1각도(a1)가 5도보다 작을 경우 에어(402)가 제3기압 영역(503)으로 되돌아 오는 양이 많아지게 되어, 처리액(401)의 일부(402)가 제3기압 영역(503)을 향하는 것을 방해할 수 있다. 상기 분사 각도(a1)가 60도보다 클 경우 제1기압 영역(501)이 제2기압 영역(502)과 너무 많이 이격되기 때문에 기판(1)의 제1부분(101)에서의 젖음성이 떨어질 수 있게 되고, 이는 전술한 바와 같이 기판(1) 표면 처리의 불균일을 초래할 수 있다.The air 501 is guided from the direction perpendicular to the substrate 1 so that the air 402 injected toward the first pressure region 501 does not return to the third pressure region 503, To the injection direction D2 of the second jetting port 432, which is the inclined direction. The first angle a1 may be in the range of 5 to 60 degrees. When the first angle a1 is smaller than 5 degrees, the amount of the air 402 returned to the third atmospheric pressure region 503 increases, and the portion 402 of the process liquid 401 reaches the third atmospheric pressure region 503 in the direction of the arrow. When the injection angle a1 is larger than 60 degrees, the first pressure region 501 is excessively spaced from the second pressure region 502, so that the wettability of the first portion 101 of the substrate 1 may deteriorate , Which may lead to irregularities in the surface treatment of the substrate 1 as described above.

도 5에 도시된 실시예의 블레이드 모듈(4)은 제1분사구(431)에 인접하여 차단블록(441)이 구비되므로, 처리액(401)의 분사 방향이 제2기압 영역(502)으로 지나치게 치우치게 되는 것을 방지하고, 기판(1)의 표면이 젖음성을 유지한 상태에서 처리액(401)에 의한 최적의 기판(1) 표면 처리가 이루어질 수 있도록 할 수 있다.The blade module 4 of the embodiment shown in FIG. 5 is provided with the blocking block 441 adjacent to the first jetting port 431 so that the jetting direction of the process liquid 401 is excessively biased toward the second air pressure area 502 And the surface of the substrate 1 can be optimally treated by the treatment liquid 401 while maintaining the wettability of the surface of the substrate 1.

이상 설명한 실시예의 블레이드 모듈은 서로 다른 2개의 매체를 제1분사구 및 제2분사구를 통해 분사하는 경우를 나타내었는 데, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The blade module of the above-described embodiment shows a case where two different media are jetted through the first jetting port and the second jetting port, but the present invention is not limited thereto.

즉, 도 8에 도시된 실시예와 같이, 하나의 블레이드 모듈(4)에 제1저장조(91), 제2저장조(92) 및 제3저장조(93)를 연결해 제1매체 내지 제3매체가 선택적으로 기판(1)에 제공되도록 할 수 있다. 도 4에 따른 실시예와 달리 제3저장조(93)와 블레이드 모듈(4)의 사이에는 제3펌프(96)가 개재될 수 있고, 제3펌프(96)는 제어부(8)에 연결될 수 있다.8, the first storage tank 91, the second storage tank 92, and the third storage tank 93 are connected to one blade module 4 so that the first to third media And can be selectively provided to the substrate 1. 4, the third pump 96 may be interposed between the third reservoir 93 and the blade module 4, and the third pump 96 may be connected to the controller 8 .

이 경우 도 9에서 볼 수 있듯이, 제1공급관들(472) 중 하나에 다지 블록(473)이 연결되어 각 연결블록(471)로 선택적으로 매체를 제공하도록 할 수 있다.In this case, as shown in FIG. 9, one of the first supply pipes 472 may be connected to the Dodge block 473 so that the connection block 471 may selectively provide the medium.

이에 따라 전술한 도 7에 도시된 방법을 실행할 때에 물막(201)의 형성, 에어(402)의 제공 및 처리액(401)의 제공을 하나의 블레이드 모듈(4)로 실행할 수 있다.Accordingly, in executing the method shown in Fig. 7 described above, the formation of the water film 201, the provision of the air 402, and the provision of the processing liquid 401 can be performed by one blade module 4.

한편, 상기 공정실(2)의 외측에는 구동 유닛(5)이 위치한다. 상기 구동 유닛(5)은 상기 슬릿(22)을 관통해 상기 블레이드 모듈(4)과 연결되며 상기 블레이드 모듈(4)을 상기 슬릿(22)의 길이방향을 따라 상기 기판(1)의 면 방향으로 이동시킨다. 상기 구동 유닛(5)은 상기 블레이드 모듈(4)을 슬릿(22)의 길이방향을 따라 이동시킬 수 있는 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있는 데, 리니어 모션 시스템, 체인 구동 시스템, 또는 자기 부상 시스템 등 다양한 선형 구동 시스템이 적용될 수 있다.On the other hand, the drive unit 5 is located outside the process chamber 2. The driving unit 5 is connected to the blade module 4 through the slit 22 and the blade module 4 is moved in the direction of the surface of the substrate 1 along the longitudinal direction of the slit 22 . The driving unit 5 may be any one capable of moving the blade module 4 along the longitudinal direction of the slit 22 and may be any of various types such as a linear motion system, A linear drive system can be applied.

상기 블레이드 모듈(4)과 상기 구동 유닛(5)과의 사이에는 밀봉 유닛(6)이 개재된다. 상기 밀봉 유닛(6)에 의해 적어도 상기 구동 유닛(5)은 상기 공정실(2) 내부의 분위기로부터 밀봉될 수 있다. 본 명세서에서 밀봉이란 공정실(2) 내부와 외부와의 일체의 유체 소통이 전면적으로 차단된 제한적 밀봉에 한정되는 것은 아니고, 공정실(2) 내부와 외부의 압력 조건 등이 동일하게 유지될 수 있고 일정 정도의 공기 소통이 가능한 비제한적 밀봉을 포함한다.A sealing unit (6) is interposed between the blade module (4) and the drive unit (5). At least the drive unit (5) can be sealed from the atmosphere inside the processing chamber (2) by the sealing unit (6). In the present specification, the sealing is not limited to the limited sealing in which the fluid communication between the inside and the outside of the process chamber 2 is entirely blocked, and the pressure conditions inside and outside the process chamber 2 can be maintained And non-restrictive seals capable of a certain degree of air communication.

상기 밀봉 유닛(6)은 슬릿(22)에 인접하게 위치하는 데, 바람직하게는 공정실(2) 측벽(21) 외측에 인접하게 위치한다.The sealing unit 6 is located adjacent to the slit 22, preferably adjacent to the outside of the side wall 21 of the process chamber 2.

상기 블레이드 모듈(4)은 연결 블록(48)을 통해 상기 밀봉 유닛(6)에 연결된다. 상기 연결 블록(48)은 도 6 및 도 9에서 볼 때 지지 브라켓(45)에 연결될 수 있다.The blade module (4) is connected to the sealing unit (6) through a connecting block (48). The connection block 48 may be connected to the support bracket 45 as seen in FIGS.

상기 공정실(2) 외측에는 저장조(9)가 위치하는 데, 블레이드 모듈(4)은 저장조(9)와 제1공급관(472) 및 제2공급관(474)을 통해 연결된다. A storage tank 9 is located outside the process chamber 2 and the blade module 4 is connected to the storage tank 9 through a first supply pipe 472 and a second supply pipe 474.

도 10은 상기 구동 유닛(5) 및 밀봉 유닛(6)의 일 예를 도시한 단면도이고, 도 11은 그 평면도이다.Fig. 10 is a cross-sectional view showing one example of the drive unit 5 and the sealing unit 6, and Fig. 11 is a plan view thereof.

먼저, 슬릿(22)에 인접하게 공정실(2) 측벽(21)의 외측에 워터 재킷(61)이 위치한다. 상기 워터 재킷(61)에는 물(60)이 채워져 있다.First, a water jacket 61 is located outside the side wall 21 of the processing chamber 2 adjacent to the slit 22. The water jacket (61) is filled with water (60).

상기 워터 재킷(61)은 제1수용부(611), 연장부(613) 및 제2수용부(612)를 포함할 수 있다.The water jacket 61 may include a first receiving portion 611, an extending portion 613, and a second receiving portion 612.

상기 제1수용부(611)는 상기 슬릿(22)의 상측 단부로부터 공정실(2) 외측으로 연장되어 상방으로 절곡되도록 형성되며, 이에 따라 그 내부에 물(60)이 수용되도록 구비된다. 상기 제1수용부(611)는 적어도 슬릿(22)의 길이에 걸쳐 형성될 수 있다. 상기 제1수용부(611)에 의해 상기 워터 재킷(61)의 한 쪽 재킷이 형성될 수 있다.The first receiving portion 611 is formed to extend outward from the upper end of the slit 22 to the outside of the process chamber 2 so as to be upwardly bent so that the water 60 is received therein. The first receiving portion 611 may be formed at least over the length of the slit 22. One jacket of the water jacket 61 can be formed by the first accommodating portion 611.

상기 연장부(613)는 상기 슬릿(22)의 하측 단부로부터 공정실(2) 외측으로 연장되어 상기 제1수용부(611)와 소정 간격으로 이격되며 상기 제1수용부(611)와 대향되게 연장되어 상방으로 절곡된다.The extension portion 613 extends outward from the lower end of the slit 22 to the outside of the processing chamber 2 and is spaced apart from the first accommodating portion 611 by a predetermined distance and opposed to the first accommodating portion 611 And is bent upward.

상기 제2수용부(612)는 상기 연장부(613)의 외측면으로부터 수평으로 연장된 후 상방으로 절곡되어 그 내부에 물(60)이 수용되도록 구비된다. The second accommodating portion 612 extends horizontally from the outer surface of the extended portion 613 and is bent upward to accommodate the water 60 therein.

상기 연장부(613) 및 제2수용부(612)는 적어도 슬릿(22)의 길이에 걸쳐 형성될 수 있다. 상기 연장부(613) 및 제2수용부(612)에 의해 상기 워터 재킷(61)의 다른 한 쪽 재킷이 형성될 수 있다.The extended portion 613 and the second accommodating portion 612 may be formed at least over the length of the slit 22. The other jacket of the water jacket 61 can be formed by the extending portion 613 and the second accommodating portion 612. [

이러한 워터 재킷(61) 위에 커버 부재(62, 도 11 참조)가 배치된다. 상기 커버 부재(62)는 하방으로 향한 양단(623)(624)을 가지며, 이들 하향 형성된 양단(623)(624)이 각각 워터 재킷(61)의 물(60)에 잠기도록 배치된다. 따라서 공정실(2) 내부에서 발생된 에칭용 가스, 습기, 먼지, 파티클 등(이하, "가스 등"이라 함)이 슬릿(22)을 거쳐 구동 유닛(5)으로 갈 때에는 반드시 워터 재킷(61)의 물(60)을 거쳐야 하고, 이 물(60)에 의해 전달이 차단되기 때문에 구동 유닛(5)을 오염시키는 것을 줄일 수 있다. A cover member 62 (see Fig. 11) is disposed on the water jacket 61. As shown in Fig. The cover member 62 has both ends 623 and 624 directed downward and the both ends 623 and 624 are disposed so as to be submerged in the water 60 of the water jacket 61, respectively. Therefore, when etching gas, moisture, dust, particles (hereinafter referred to as "gas or the like") generated in the process chamber 2 travels to the drive unit 5 through the slit 22, ) Of water 60, and the contamination of the drive unit 5 can be reduced because the water is blocked by the water 60.

상기 커버 부재(62)는 도 11에서 볼 수 있듯이, 제1커버 부재(621)와 제2커버 부재(622)를 포함할 수 있다.The cover member 62 may include a first cover member 621 and a second cover member 622, as shown in FIG.

상기 제1커버 부재(621)는 금속과 같은 견고한 소재로 형성된다. 상기 제1커버 부재(621)의 상면에는 상기 구동 유닛(5)과 연결된 제1연결 부재(631)가 결합되고, 상기 제1커버 부재(621)의 하면에는 연결 블록(48)과 연결된 제2연결 부재(632)가 결합된다. The first cover member 621 is formed of a rigid material such as a metal. A first connection member 631 connected to the driving unit 5 is coupled to the upper surface of the first cover member 621 and a second connection member 631 connected to the connection block 48 is connected to the lower surface of the first cover member 621. [ The connecting member 632 is engaged.

상기 제1연결 부재(631) 내에는 제2공급관(474)이, 상기 제2연결 부재(632) 내에는 제1공급관(472)이 각각 위치하고, 상기 제1공급관(472)과 제2공급관(474)은 서로 연결되어 있다. 도 18에는 2개의 제1공급관(472) 및 제2공급관(474)이 각각 제1연결 부재(631) 및 제2연결 부재(632) 내에 배치되는 것을 나타내었으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 블레이드 모듈(4)에 의해 토출되는 처리 매체의 종류 및 수에 따라 공급관의 개수가 증감될 수 있음은 물론이다.A second supply pipe 474 is disposed in the first connection member 631 and a first supply pipe 472 is disposed in the second connection member 632. The first supply pipe 472 and the second supply pipe 472 474 are connected to each other. 18, the two first supply pipes 472 and the second supply pipes 474 are disposed in the first connection member 631 and the second connection member 632, respectively, but the present invention is not limited thereto Needless to say, the number of supply pipes can be increased or decreased according to the type and number of the processing media discharged by the blade module 4.

도 10에서 볼 수 있듯이, 상기 제1커버 부재(621)와 상기 워터 재킷(61)의 사이에는 복수의 베어링(614)이 설치되어 상기 제1커버 부재(621)가 구동 유닛(5)의 작동에 의해 상기 슬릿(22)의 길이방향을 따라 이동할 때에 워터 재킷(61)과의 사이에서 마찰을 줄일 수 있다. 예컨대, 상기 베어링들(614)은 상기 제1커버 부재(621)의 하향 단부(623)(624)와 제1수용부(611) 및 연장부(613)의 사이, 제1커버 부재(621)의 수평면 부분과 제1수용부(611) 및 연장부(613)의 상향 단부들 사이에 각각 위치할 수 있다.10, a plurality of bearings 614 are provided between the first cover member 621 and the water jacket 61 so that the first cover member 621 can be moved by the operation of the drive unit 5 The friction between the water jacket 61 and the water jacket 61 can be reduced when the water jacket 61 moves along the longitudinal direction of the slit 22. [ For example, the bearings 614 may be disposed between the lower end portions 623 and 624 of the first cover member 621 and the first cover member 621, between the first accommodation portion 611 and the extension portion 613, And the upper end portions of the first receiving portion 611 and the extending portion 613, respectively.

상기 워터 재킷(61)에 수용된 물(60)은 적어도 일부에서 외측으로 흘러 넘칠 수 있도록 채워지고, 별도의 공급 장치(미도시)로부터 워터 재킷(61)에 연속적으로 물(60)을 공급하도록 할 수 있다. 이에 따라 공정실(2) 내부의 가스 등에 오염된 물을 연속적으로 외부로 배출시키고, 공정실(2) 내부 가스 등이 공정실(2) 밖으로 유출되는 것을 방지할 수 있다.The water 60 contained in the water jacket 61 is filled in such a manner that at least a part of the water 60 can flow over the water jacket 61 and water 60 is continuously supplied to the water jacket 61 from a separate supply device . As a result, the water contaminated in the gas or the like in the process chamber 2 can be continuously discharged to the outside, and the gas or the like inside the process chamber 2 can be prevented from flowing out of the process chamber 2.

상기 구동 유닛(5)은 슬릿(22)의 길이 방향을 따라 연장된 레일(51)과 이 레일(51) 위를 이동하는 이동자(52)를 포함할 수 있다. 레일(51)과 이동자(52)는 리니어 모션 시스템이 적용될 수 있으나, 전술한 바와 같이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The drive unit 5 may include a rail 51 extending along the longitudinal direction of the slit 22 and a mover 52 moving on the rail 51. The linear motion system may be applied to the rail 51 and the mover 52, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1연결 부재(631)는 구동 유닛(5)의 이동자(52)에 결합되어 이동자(52)가 레일(51)을 따라 선형 이동함과 동시에 제1커버 부재(621)를 선형 이동시킬 수 있다.The first connecting member 631 is coupled to the mover 52 of the drive unit 5 so that the mover 52 linearly moves along the rail 51 and linearly moves the first cover member 621 have.

한편 제2커버 부재(622)는 도 11에서 볼 수 있듯이 제1커버 부재(621)에 결합되는 것으로, 상기 슬릿(22)의 길이 방향을 따라 신축 가능하도록 구비될 수 있다. 예컨대 상기 제2커버 부재(622)는 벨로우즈로 구비될 수 있다. 이에 따라 제1커버 부재(621)가 이동자(52)의 선형 이동과 동시에 선형 이동됨에 따라 제2커버 부재(622)는 공정실(2) 내부의 밀봉을 유지하면서 신축을 반복할 수 있다. 도면에 도시하지 않았지만 상기 제2커버 부재(622)의 하향 단부도 워터 재킷(61)에 수용되어 공정실(2) 내부의 가스 등이 외부로 유출되어 공정실(2) 외부를 오염시키거나 구동 유닛(5)을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.11, the second cover member 622 is coupled to the first cover member 621 and may be provided to extend and retract along the longitudinal direction of the slit 22. For example, the second cover member 622 may be provided as a bellows. Accordingly, as the first cover member 621 linearly moves with the linear movement of the mover 52, the second cover member 622 can repeat the expansion and contraction while maintaining the seal inside the process chamber 2. [ The downstream end of the second cover member 622 is received in the water jacket 61 so that gas or the like inside the process chamber 2 flows out to the outside to contaminate the outside of the process chamber 2 It is possible to prevent the unit 5 from being damaged.

도 12는 기판 처리 장치의 또 다른 일 실시예의 일부분을 도시한 평면도이다. 도 12에 따른 실시예에서 두 개의 제1커버 부재들(621a)(621b)이 서로 나란하게 배치되어 있고, 각 제1커버 부재들(621a)(621b) 사이로 제2커버 부재들(622)이 연결되어 있다. 12 is a plan view showing a part of another embodiment of the substrate processing apparatus. 12, the two first cover members 621a and 621b are arranged side by side and the second cover members 622 are disposed between the first cover members 621a and 621b It is connected.

각 제1커버 부재들(621a)(621b) 위에는 두 개의 제1연결 부재들(631a)(631b)의 일단들이 결합되어 있고, 각 제1연결 부재들(631a)(631b)의 타단들은, 레일(51) 위에 위치한 두 개의 이동자들(52a)(52b)에 결합되어 있다. 이러한 구조에서는 두 개의 이동자들(52a)(52b)이 순차 이동함에 따라 두 개의 제1커버 부재들(621a)(621b)이 순차 이동하게 된다.One end of each of the first connecting members 631a and 631b is coupled to each of the first cover members 621a and 621b and the other ends of the first connecting members 631a and 631b are connected to the other end (52a) and (52b) positioned on the movable base (51). In this structure, the two first cover members 621a and 621b sequentially move as the two mover members 52a and 52b move sequentially.

도면에 도시하지는 않았지만, 제1커버 부재들(621a)(621b)에는 각각 별개의 블레이드 모듈들이 연결될 수 있으며, 서로 다른 처리 매체를 토출시킬 수 있다.Although not shown in the drawing, separate blade modules may be connected to the first cover members 621a and 621b, respectively, and different processing media may be dispensed.

도 1에 도시된 실시예의 경우 블레이드 모듈(4)의 설치 위치가 공정실(2)의 하부에 위치함으로써, 제2테이블(32)이 하강해 있는 상태에서 제2테이블(32) 상의 기판(1)을 처리할 수 있도록 한 것이나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 블레이드 모듈(4)이 공정실(2)의 상부에 위치해, 제2테이블(32)이 상승해 있는 상태에서 제2테이블(32) 상의 기판(1)을 처리할 수 있도록 할 수도 있다.1, the installation position of the blade module 4 is located at the lower portion of the process chamber 2, so that the substrate table 1 on the second table 32 in the state in which the second table 32 is lowered However, the present invention is not limited to this. The blade module 4 is positioned above the process chamber 2, and in a state in which the second table 32 is elevated, So that the substrate 1 on the substrate 32 can be processed.

도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 측단면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.13 is a schematic view showing a partial cross-sectional configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 13에 도시된 실시예는 도 1에 도시된 실시예와 달리 제2테이블(32)이 제1테이블(31)보다 제2게이트(232)에 보다 인접하게 위치한다. 이 경우 제1테이블(31)은 제1게이트(231)에 인접하게 추가로 위치할 필요는 없다. 제2테이블(32)이 제1게이트(231)에 인접하게 상승한 위치에 있을 때, 기판(1)이 제2테이블(32) 위로 이송되고, 다시 제2테이블(32)이 하강하여 제2게이트(232)에 인접한 위치에 이르게 되면, 블레이드 모듈(4)이 직선 운동하여 기판(1)의 표면을 처리하게 된다. 제2테이블(32)이 수직 방향(Z)으로 이동하고 있는 동안에는 블레이드 모듈(4)은 제1테이블(31)의 직상부에 위치하여 제2테이블(32)의 이동에 방해가 되지 않도록 할 수 있다.The embodiment shown in FIG. 13 differs from the embodiment shown in FIG. 1 in that the second table 32 is positioned closer to the second gate 232 than the first table 31. In this case, the first table 31 does not need to be further positioned adjacent to the first gate 231. When the second table 32 is in the raised position adjacent to the first gate 231 the substrate 1 is transported over the second table 32 and the second table 32 is lowered again, The blade module 4 is moved linearly to process the surface of the substrate 1. As a result, While the second table 32 is moving in the vertical direction Z, the blade module 4 is positioned directly above the first table 31 so as not to interfere with the movement of the second table 32 have.

도 1 및 도 13에 도시된 실시예들의 경우 블레이드 모듈(4)의 설치 위치가 공정실(2)의 하부에 위치함으로써, 제2테이블(32)이 하강해 있는 상태에서 제2테이블(32) 상의 기판(1)을 처리할 수 있도록 한 것이나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 블레이드 모듈(4)이 공정실(2)의 상부에 위치해, 제2테이블(32)이 상승해 있는 상태에서 제2테이블(32) 상의 기판(1)을 처리할 수 있도록 할 수도 있다.1 and 13, since the mounting position of the blade module 4 is located at the lower portion of the processing chamber 2, the second table 32 is moved in a state in which the second table 32 is lowered, The present invention is not limited to this. The blade module 4 may be positioned above the process chamber 2 and the second table 32 may be in a raised state So that the substrate 1 on the second table 32 can be processed.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

Claims

A processing chamber in which an object to be processed is placed, an inlet through which the substrate is introduced and an outlet through which the substrate flows out are arranged at vertical positions;
A pair of first tables fixedly positioned within the process chamber and supporting the substrate horizontally movably and horizontally positioned at the inlet and outlet, respectively;
Wherein the first table and the second table are disposed in the process chamber and support the substrate horizontally movably and are reciprocated between a horizontal position at the inlet and the outlet, A second table disposed inline to support the substrate horizontally with each of the first tables and positioned so as not to interfere with the first table on a vertical path that ascends and descends;
An elevating unit coupled to the second table to elevate the second table in a vertical direction;
A blade module located in the process chamber and having at least one jetting port toward a surface of the substrate; And
And a drive unit for linearly reciprocating the blade module in a state where the blade module is spaced apart from the surface of the substrate in the process chamber.

The method according to claim 1,
Wherein a length of the first table in a first direction is equal to or greater than a width of the blade module in a first direction.

The method according to claim 1,
Wherein the length of the second table in the first direction is larger than the length of the substrate in the first direction.

The method according to claim 1,
Wherein the length of the first table in the first direction is smaller than the length of the second table in the first direction.

The method according to claim 1,
Wherein the first table is positioned closer to the inlet and the outlet than the second table.

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6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein a slit is formed on a side wall of the process chamber in a horizontal direction and the drive unit is located outside the process chamber and connected to the blade module through the slit.

9. The method of claim 8,
And the length of the slit in the first direction is longer than the length of the second table in the first direction.

9. The method of claim 8,
Wherein one end of the slit in the first direction extends longer than one end of the second table in the first direction.