KR101388173B1 - Method for treating of substrate and apparatus for treating of substrate - Google Patents

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Abstract

기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 제1매체를 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 제1매체와 다른 제2매체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 기판에 대한 상기 제1매체의 제공 속도는 상기 기판에 대한 상기 제2매체의 제공 속도보다 큰 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.Providing a first medium on a surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end, and differenting the first medium on a surface of the substrate in a plane direction of the substrate toward the other end of the substrate And providing a second medium, wherein a rate of providing said first medium to said substrate is greater than a rate of providing said second medium to said substrate.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating of substrate and apparatus for treating of substrate}Substrate processing method and substrate processing apparatus {Method for treating of substrate and apparatus for treating of substrate}

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.A substrate processing method and a substrate processing apparatus.

박막 트랜지스터를 포함한 디스플레이용 기판이나, 반도체 소자용 기판은 그 표면의 실리콘 산화막을 제거하거나 실리콘막 표면을 평탄화시키기 위한 기판 표면 처리 공정을 거친다.A substrate for a display including a thin film transistor or a substrate for a semiconductor device is subjected to a substrate surface treatment step for removing the silicon oxide film on the surface thereof or for planarizing the surface of the silicon film.

이러한 기판 표면 처리 공정은 기판의 표면에 에칭액과 같은 처리액을 포함하는 처리 매체를 제공하여 행해진다.Such a substrate surface treatment process is performed by providing a treatment medium containing a treatment liquid such as an etching liquid on the surface of a substrate.

이와 관련하여, 본 출원인은 특허문헌 1 내지 3에 개시된 바와 같이 실리콘막 표면을 균일하게 처리할 수 있는 기술을 제시한 바 있다. In this regard, the present applicant has proposed a technique capable of uniformly treating the surface of the silicon film as disclosed in Patent Documents 1 to 3.

그런데 폴리 실리콘막과 같이 반응성이 매우 높은 막에 대한 표면처리를 행할 경우에는 처리되는 막 균일도를 더욱 높일 필요성이 있다.However, when surface treatment is performed on a highly reactive film such as a polysilicon film, there is a need to further increase the film uniformity to be treated.

특허문헌 1: 한국 공개 특허 제2012-0034422호Patent Document 1: Korean Patent Publication No. 2012-0034422 특허문헌 2: 한국 공개 특허 제2012-0034423호Patent Document 2: Korean Patent Publication No. 2012-0034423 특허문헌 3: 한국 공개 특허 제2012-0034424호Patent Document 3: Korean Patent Publication No. 2012-0034424

본 발명은 종래기술의 문제 및/또는 한계를 극복하기 위한 것으로, 표면처리 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 데에 목적이 있다.The present invention is to overcome the problems and / or limitations of the prior art, and an object thereof is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can further improve the surface treatment efficiency.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 제1매체를 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 제1매체와 다른 제2매체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 기판에 대한 상기 제1매체의 제공 속도는 상기 기판에 대한 상기 제2매체의 제공 속도 이상인 기판 처리 방법을 제공한다.According to one aspect of the invention, the step of providing a first medium in the surface direction of the substrate toward the other end from the one end of the substrate on the surface of the substrate, the surface of the substrate toward the other end from the one end of the substrate on the surface of the substrate Providing a second medium different from the first medium in a direction, wherein a rate of providing the first medium to the substrate is equal to or greater than a rate of providing the second medium to the substrate.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1매체는 상기 기판의 표면으로부터 이격된 제1토출 유닛에 의해 상기 기판에 제공되고 상기 제1매체의 제공 속도는 상기 제1토출 유닛과 상기 기판의 상대적 이동속도에 의해 결정될 수 있다.According to another feature of the invention, the first medium is provided to the substrate by a first discharge unit spaced from the surface of the substrate and the speed of providing the first medium is relative movement of the first discharge unit and the substrate. Can be determined by speed.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2매체는 상기 기판의 표면으로부터 이격된 제2토출 유닛에 의해 상기 기판에 제공되고 상기 제2매체의 제공 속도는 상기 제2토출 유닛과 상기 기판의 상대적 이동속도에 의해 결정될 수 있다.According to another feature of the invention, the second medium is provided to the substrate by a second discharge unit spaced from the surface of the substrate and the rate of providing the second medium is relative to the second discharge unit and the substrate. It can be determined by the moving speed.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1매체는 상기 기판의 표면으로부터 이격된 제1토출 유닛에 의해 상기 기판에 제공되고 상기 제1매체의 제공 속도는 상기 제1토출 유닛으로부터 토출되는 상기 제1매체의 토출 압력에 의해 결정될 수 있다.According to another feature of the invention, the first medium is provided to the substrate by a first discharging unit spaced from the surface of the substrate and the supply speed of the first medium is discharged from the first discharging unit It can be determined by the discharge pressure of one medium.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2매체는 상기 기판의 표면으로부터 이격된 제2토출 유닛에 의해 상기 기판에 제공되고 상기 제2매체의 제공 속도는 상기 제2토출 유닛으로부터 토출되는 상기 제2매체의 토출 압력에 의해 결정될 수 있다.According to another feature of the invention, the second medium is provided to the substrate by a second discharge unit spaced from the surface of the substrate and the supply speed of the second medium is discharged from the second discharge unit It can be determined by the discharge pressure of the two media.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1매체는 순수를 포함하고, 상기 제2매체는 상기 기판의 표면을 처리할 수 있는 적어도 한 종류의 약액을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the first medium may include pure water, and the second medium may include at least one kind of chemical liquid capable of treating the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1매체는 액체를 포함하고, 상기 제2매체는 기체를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the first medium may comprise a liquid, the second medium may comprise a gas.

본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 제1매체를 제공하는 제1토출 유닛과, 상기 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 제1매체와 다른 제2매체를 제공하는 제2토출 유닛과, 상기 제1토출 유닛 및 제2토출 유닛과 전기적으로 연결되고, 상기 기판에 대한 상기 제1매체의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 제2매체의 제공 속도 이상이 되도록 하는 속도 조절부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.According to another aspect of the invention, the first discharge unit for providing a first medium on the surface of the substrate toward the surface of the substrate from one end to the other end in accordance with the relative movement with the substrate, and the substrate A second discharge unit for providing a second medium different from the first medium in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end on the surface of the substrate according to the relative movement; the first discharge unit and the second discharge unit And a speed control unit electrically connected to the first substrate, the speed adjusting unit configured to provide a speed of providing the first medium to the substrate to be equal to or higher than a speed of providing the second medium to the substrate.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 속도 조절부는, 상기 제1토출 유닛 및 제2토출 유닛 중 적어도 하나와 상기 기판의 상대적 이동속도를 조절하는 이동 속도 조절부를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the speed adjusting unit may include a moving speed adjusting unit for adjusting the relative moving speed of at least one of the first discharge unit and the second discharge unit and the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 속도 조절부는, 상기 제1토출 유닛 및 제2토출 유닛 중 적어도 하나로부터 토출되는 매체의 토출 압력을 조절하는 토출 압력 조절부를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the speed adjusting unit may include a discharge pressure adjusting unit for adjusting the discharge pressure of the medium discharged from at least one of the first discharge unit and the second discharge unit.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1매체는 순수를 포함하고, 상기 제2매체는 상기 기판의 표면을 처리할 수 있는 적어도 한 종류의 약액을 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the first medium may include pure water, and the second medium may include at least one kind of chemical liquid capable of treating the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1매체는 액체를 포함하고, 상기 제2매체는 기체를 포함할 수 있다.According to another feature of the invention, the first medium may comprise a liquid, the second medium may comprise a gas.

제1매체의 기판에의 제공 속도를 제2매체의 기판에의 제공 속도 이상이 되도록 함으로써, 서로 다른 두 개의 매체를 기판에 제공할 때에 매체의 기판에 대한 특성 및 매체들 상호간의 특성을 고려하여 기판 표면 처리 효율을 최적화할 수 있다.By providing the rate of supply of the first medium to the substrate at or above the rate of supply of the second medium to the substrate, the characteristics of the substrate of the medium and the characteristics of the media are taken into consideration when providing two different media to the substrate. Substrate surface treatment efficiency can be optimized.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3은 기판의 일 예를 도시한 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram schematically showing a planar configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view showing an example of a substrate.
4 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a configuration diagram schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a schematic view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1토출 유닛(20), 제2토출 유닛(30) 및 속도 조절부(60)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first discharge unit 20, a second discharge unit 30, and a speed controller 60.

상기 제1토출 유닛(20)은 피처리 대상인 기판(10)과의 상대적 이동에 따라 상기 기판(10)의 표면에 상기 기판(10)의 일단으로부터 타단을 향해 기판(10)의 면 방향으로 제1매체를 제공한다.The first discharging unit 20 is formed on the surface of the substrate 10 in a plane direction of the substrate 10 from one end of the substrate 10 to the other end on the surface of the substrate 10 according to relative movement with the substrate 10 to be processed. Provide 1 medium.

상기 제2토출 유닛(30)은 상기 기판(10)과의 상대적 이동에 따라 상기 기판(10)의 표면에 상기 기판(10)의 일단으로부터 타단을 향해 기판(10)의 면 방향으로 상기 제1매체와 다른 제2매체를 제공한다.The second discharge unit 30 may be disposed on the surface of the substrate 10 in a plane direction of the substrate 10 from one end of the substrate 10 to the other end on the surface of the substrate 10 according to the relative movement with the substrate 10. A second medium different from the medium is provided.

상기 제1토출 유닛(20)은 제1분사 유닛(22)을 포함할 수 있다. 상기 제1분사 유닛(22)은 기판(10)의 표면으로부터 일정 간격 이격된 상방에 위치하며, 적어도 하부의 기판(10)을 향해 제1매체를 분사시킬 수 있도록 구비된다. 도 2에서 볼 수 있듯이 상기 제1분사 유닛(22)의 전체 길이(L1)는 상기 기판(10)의 폭(W)보다 길도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 제1분사 유닛(22) 에서의 제1매체의 토출에 의해 기판(10)의 폭 전체에 걸쳐 표면 처리가 이뤄질 수 있다. 상기와 같은 제1분사 유닛(22)은 스프레이 타입, 직분사형 타입, 간접 분사형 타입 등 다양하게 적용 가능하다.The first discharge unit 20 may include a first injection unit 22. The first spraying unit 22 is positioned above the surface of the substrate 10 at a predetermined distance, and is provided to spray the first medium toward at least the lower substrate 10. As shown in FIG. 2, the total length L1 of the first injection unit 22 may be longer than the width W of the substrate 10. Accordingly, the surface treatment may be performed over the entire width of the substrate 10 by the discharge of the first medium from the first injection unit 22. The first injection unit 22 as described above can be variously applied, such as spray type, direct injection type, indirect injection type.

상기 제1분사 유닛(22)은 제1저장조(24)에 연결되고, 제1분사 유닛(22)과 제1저장조(24)의 사이에 제1토출 펌프(26)가 개재된다. 상기 제1분사 유닛(22) 및 제1토출 펌프(26)는 속도 조절부(60)에 전기적으로 연결되어 있다. 도시되지는 않았지만 상기 제1분사 유닛(22)은 별도의 구동 유닛을 포함할 수 있다. 이 구동 유닛에 의해 상기 제1분사 유닛(22)은 상기 기판(10)의 길이방향을 따라 직선 왕복 운동을 하도록 구비될 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 제1분사 유닛(22)을 기판(10)의 길이방향을 따라 이동시킬 수 있는 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있는 데, 리니어 모션 시스템, 체인 구동 시스템, 또는 자기 부상 시스템 등 다양한 선형 구동 시스템이 적용될 수 있다. 물론, 상기 제1분사 유닛(22)은 고정형일 수 있는 데, 이 경우에는 기판(10)이 제1분사 유닛(22)에 대해 상대적으로 평면방향으로 직선 운동할 수 있다.The first injection unit 22 is connected to the first reservoir 24, and a first discharge pump 26 is interposed between the first injection unit 22 and the first reservoir 24. The first spraying unit 22 and the first discharge pump 26 are electrically connected to the speed adjusting unit 60. Although not shown, the first injection unit 22 may include a separate drive unit. By this driving unit, the first injection unit 22 may be provided to perform a linear reciprocating motion along the longitudinal direction of the substrate 10. The driving unit may be applied as long as it can move the first spraying unit 22 along the longitudinal direction of the substrate 10. Various linear elements such as a linear motion system, a chain driving system, or a magnetic levitation system may be applied. The drive system can be applied. Of course, the first spraying unit 22 may be fixed, in which case the substrate 10 may linearly move in a plane direction relative to the first spraying unit 22.

상기 제2토출 유닛(30)은 제2분사 유닛(32)을 포함할 수 있다. 상기 제2분사 유닛(32)은 기판(10)의 표면으로부터 일정 간격 이격된 상방에 위치하며, 적어도 하부의 기판(10)을 향해 제2매체를 분사시킬 수 있도록 구비된다. 도 2에서 볼 수 있듯이 상기 제2분사 유닛(32)의 전체 길이(L2)는 상기 기판(10)의 폭(W)보다 길도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 제2분사 유닛(32) 에서의 제2매체의 토출에 의해 기판(10)의 폭 전체에 걸쳐 표면 처리가 이뤄질 수 있다. 상기와 같은 제2분사 유닛(32)은 스프레이 타입, 직분사형 타입, 간접 분사형 타입 등 다양하게 적용 가능하다.The second discharge unit 30 may include a second injection unit 32. The second injection unit 32 is positioned above the surface of the substrate 10 at a predetermined interval and is provided to spray the second medium toward at least the lower substrate 10. As shown in FIG. 2, the total length L2 of the second injection unit 32 may be longer than the width W of the substrate 10. Accordingly, the surface treatment may be performed over the entire width of the substrate 10 by the discharge of the second medium from the second injection unit 32. The second injection unit 32 as described above can be variously applied, such as spray type, direct injection type, indirect injection type.

상기 제2분사 유닛(32)은 제2저장조(34)에 연결되고, 제2분사 유닛(32)과 제2저장조(34)의 사이에 제2토출 펌프(36)가 개재된다. 상기 제2분사 유닛(32) 및 제2토출 펌프(36)는 속도 조절부(60)에 전기적으로 연결되어 있다. 도시되지는 않았지만 상기 제2분사 유닛(32)은 별도의 구동 유닛을 포함할 수 있다. 이 구동 유닛에 의해 상기 제2분사 유닛(32)은 상기 기판(10)의 길이방향을 따라 직선 왕복 운동을 하도록 구비될 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 제2분사 유닛(32)을 기판(10)의 길이방향을 따라 이동시킬 수 있는 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있는 데, 리니어 모션 시스템, 체인 구동 시스템, 또는 자기 부상 시스템 등 다양한 선형 구동 시스템이 적용될 수 있다. 물론, 상기 제2분사 유닛(32)은 고정형일 수 있는 데, 이 경우에는 기판(10)이 제2분사 유닛(32)에 대해 상대적으로 평면방향으로 직선 운동할 수 있다.The second spray unit 32 is connected to the second reservoir 34, and a second discharge pump 36 is interposed between the second spray unit 32 and the second reservoir 34. The second injection unit 32 and the second discharge pump 36 are electrically connected to the speed adjusting unit 60. Although not shown, the second injection unit 32 may include a separate drive unit. By this driving unit, the second injection unit 32 may be provided to perform a linear reciprocating motion along the longitudinal direction of the substrate 10. The drive unit may be applied to any one that can move the second injection unit 32 along the longitudinal direction of the substrate 10. Various linear elements such as a linear motion system, a chain drive system, or a magnetic levitation system may be applied. The drive system can be applied. Of course, the second injection unit 32 may be fixed, in which case the substrate 10 may linearly move in a plane direction relative to the second injection unit 32.

상기 속도 조절부(60)는 상기 제1토출 유닛(20) 및 제2토출 유닛(30)과 전기적으로 연결되는 데, 상기 기판(10)에 대한 상기 제1매체의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 제2매체의 제공 속도 이상이 되도록 한다.The speed adjusting unit 60 is electrically connected to the first discharging unit 20 and the second discharging unit 30, and the speed of providing the first medium to the substrate 10 is increased with respect to the substrate. The speed of providing the second medium is higher than that of the second medium.

상기 속도 조절부(60)는 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제1토출 펌프(26) 및 제2토출 펌프(36)에 각각 전기적으로 연결된다.The speed adjusting unit 60 is electrically connected to the first spraying unit 22 and the second spraying unit 32, respectively, and electrically connected to the first discharge pump 26 and the second discharge pump 36, respectively. Is connected.

상기 속도 조절부(60)는 이동 속도 조절부(61)와 토출 압력 조절부(62)를 포함할 수 있다.The speed controller 60 may include a movement speed controller 61 and a discharge pressure controller 62.

상기 이동 속도 조절부(61)는 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)에 각각 전기적으로 연결되어 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)의 기판(10)에 대한 상대적 이동속도를 조절한다. 구체적으로, 상기 이동 속도 조절부(61)는 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)의 전술한 구동 유닛들에 각각 연결되어 구동 유닛들의 속도를 조절한다. 물론 전술한 바와 같이 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)이 고정형일 경우에는 상기 이동 속도 조절부(61)는 상기 기판(10)을 이동시키는 장치에 연결되어 기판(10)의 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)에 대한 상대적인 이동 속도를 조절한다.The moving speed adjusting unit 61 is electrically connected to the first spraying unit 22 and the second spraying unit 32, respectively, so that the substrates of the first spraying unit 22 and the second spraying unit 32 ( Adjust the relative movement speed for 10). Specifically, the moving speed adjusting unit 61 is connected to the above-described driving units of the first injection unit 22 and the second injection unit 32, respectively, to adjust the speed of the drive units. Of course, as described above, when the first injection unit 22 and the second injection unit 32 are fixed, the movement speed adjusting unit 61 is connected to an apparatus for moving the substrate 10 so that the substrate 10 The relative moving speed with respect to the first injection unit 22 and the second injection unit 32.

상기 이동 속도 조절부(61)에 의해, 상기 제1매체 및 제2매체의 기판(10)에 대한 제공 속도가 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)의 기판(10)에 대한 상대적 이동속도에 의해 결정될 수 있다. 즉, 기판(10) 표면으로 빠르게 제공되어야 하는 제1매체에 대해서는, 제1분사 유닛(22)의 기판(10)에 대한 상대적 이동 속도를 높이고, 상대적으로 기판(10) 표면으로 느리게 제공되어야 하는 제2매체에 대해서는, 제2분사 유닛(32)의 기판(10)에 대한 상대적 이동 속도를 낮춘다.By the moving speed adjusting unit 61, the supply speed of the first medium and the second medium to the substrate 10 is increased by the substrate 10 of the first injection unit 22 and the second injection unit 32. It can be determined by the relative speed with respect to. That is, with respect to the first medium to be provided quickly to the surface of the substrate 10, the relative speed of movement of the first spraying unit 22 with respect to the substrate 10 is increased, and relatively slow to the surface of the substrate 10 should be provided. For the second medium, the relative moving speed of the second spray unit 32 relative to the substrate 10 is lowered.

상기 토출 압력 조절부(62)는 상기 제1토출 펌프(26) 및 제2토출 펌프(36)에 전기적으로 연결되어, 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)으로부터 각각 토출되는 제1매체 및 제2매체의 토출 압력을 조절할 수 있다.The discharge pressure adjusting unit 62 is electrically connected to the first discharge pump 26 and the second discharge pump 36, and discharged from the first injection unit 22 and the second injection unit 32, respectively. The discharge pressure of the first medium and the second medium can be adjusted.

상기 토출 압력 조절부(62)에 의해, 상기 제1매체 및 제2매체의 기판(10)에 대한 제공 속도가 상기 제1분사 유닛(22) 및 제2분사 유닛(32)으로부터 토출되는 제1매체 및 제2매체의 토출 압력에 의해 결정될 수 있다. 즉, 기판(10) 표면으로 빠르게 제공되어야 하는 제1매체에 대해서는, 제1분사 유닛(22)의 기판(10)에 대한 제1매체의 토출 압력을 높이고, 상대적으로 기판(10) 표면으로 느리게 제공되어야 하는 제2매체에 대해서는, 제2분사 유닛(32)의 기판(10)에 대한 제2매체의 토출 압력을 낮춘다.The first discharge rate of the first medium and the second medium is supplied from the first spraying unit 22 and the second spraying unit 32 by the discharge pressure adjusting unit 62. It can be determined by the discharge pressure of the medium and the second medium. That is, with respect to the first medium to be quickly provided to the surface of the substrate 10, the discharge pressure of the first medium against the substrate 10 of the first injection unit 22 is increased, and relatively slow to the surface of the substrate 10. For the second medium to be provided, the discharge pressure of the second medium against the substrate 10 of the second injection unit 32 is lowered.

상기 제1매체에 대해서는 이동 속도 조절부(61)를 통해 기판(10)에 대한 제공 속도를 조절하고, 상기 제2매체에 대해서는 토출 압력 조절부(62)를 통해 기판(10)에 대한 제공 속도를 조절할 수 있다. 물론, 그 반대의 경우도 가능하다. The supply speed to the substrate 10 is controlled through the moving speed controller 61 for the first medium, and the supply speed to the substrate 10 through the discharge pressure controller 62 for the second medium. Can be adjusted. Of course, the opposite is also possible.

도 1에 도시된 실시예에서 상기 속도 조절부(60)는 이동 속도 조절부(61)와 토출 압력 조절부(62)를 모두 포함하고 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 속도 조절부(60)는 이동 속도 조절부(61)와 토출 압력 조절부(62) 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 충분하다.In the embodiment shown in FIG. 1, the speed adjusting unit 60 includes both the moving speed adjusting unit 61 and the discharge pressure adjusting unit 62, but the present invention is not necessarily limited thereto. It is sufficient that the unit 60 includes at least one of the moving speed adjusting unit 61 and the discharge pressure adjusting unit 62.

본 발명의 실시예는, 제1매체의 기판(10)에의 제공 속도를 제2매체의 기판(10)에의 제공 속도 이상이 되도록 함으로써, 서로 다른 두 개의 매체를 기판에 제공할 때에 매체의 기판에 대한 특성 및 매체들 상호간의 특성을 고려하여 기판 표면 처리 효율을 최적화할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the supply speed of the first medium to the substrate 10 is equal to or higher than the supply speed of the second medium to the substrate 10, so that two different media are provided to the substrate. The substrate surface treatment efficiency may be optimized in consideration of the characteristics of the substrates and the characteristics of the media.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1매체는 순수가 되고, 상기 제2매체는 상기 기판(10)의 표면을 처리할 수 있는 적어도 한 종류의 약액이 될 수 있다. 상기 약액으로는 불산(HF) 또는 오존수가 될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 기판(10)의 표면을 식각시킬 수 있는 약액이면 어떠한 것이든 적용될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first medium may be pure water, and the second medium may be at least one kind of chemical liquid capable of treating the surface of the substrate 10. The chemical liquid may be hydrofluoric acid (HF) or ozone water, but is not limited thereto, and any chemical liquid may be used as long as it may etch the surface of the substrate 10.

상기 기판(10)은 도 3에서 볼 수 있듯이, 베이스 기판(12) 위로 실리콘막(14)이 형성된 것일 수 있다. 이 실리콘막(14)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 실리콘막(14)은 외기와의 반응성이 좋기 때문에, 그 표면에 산화막(16)이 형성되기 쉽다. 상기 약액은 이 산화막(16)을 식각시키거나, 실리콘막(14)의 표면을 평탄화할 수 있는 매체가 사용될 수 있다.As shown in FIG. 3, the substrate 10 may have a silicon layer 14 formed on the base substrate 12. This silicon film 14 may comprise polysilicon. Since the silicon film 14 has good reactivity with outside air, an oxide film 16 is easily formed on the surface thereof. The chemical liquid may be a medium capable of etching the oxide film 16 or planarizing the surface of the silicon film 14.

상기 속도 조절부(60)에 의해 순수인 제1매체의 기판(10)에의 제공 속도가 약액인 제2매체의 기판(10)에의 제공 속도 이상이 되도록 함으로써 순수에 의한 물층이 기판(10) 표면에 균일하게 형성되어 있도록 할 수 있다. 또한 순수에 의한 물층은 기판(10) 표면에 너무 두껍게 형성되지 않도록 하는 것이 바람직한 데, 순수의 제공 속도를 약액의 제공 속도 이상이 되게 하여 기판(10) 표면에 균일하게 얇은 물층이 형성되도록 함으로써 기판(10) 표면의 젖음성을 균일하게 가져갈 수 있다. 이에 따라 연속되는 약액의 제공 시 약액이 기판(10) 표면에 충분히 균일하게 퍼지도록 할 수 있으며, 이에 따라 기판(10) 표면이 균일하게 표면 처리되도록 할 수 있다.The water layer of pure water is formed on the surface of the substrate 10 by the rate adjusting unit 60 such that the rate of supply of the first medium, which is pure, to the substrate 10, is higher than the rate of supply of the second medium, which is chemical, to the substrate 10. It can be made to form uniformly. In addition, it is preferable that the water layer made of pure water is not formed too thick on the surface of the substrate 10. The rate of supply of pure water is higher than the rate of supplying chemicals so that a uniformly thin water layer is formed on the surface of the substrate 10. (10) The wettability of the surface can be brought uniformly. Accordingly, when the continuous chemical is provided, the chemical may be spread evenly on the surface of the substrate 10, and thus the surface of the substrate 10 may be uniformly treated.

본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 상기 제1매체는 액체가 되고, 상기 제2매체는 기체가 될 수 있다. 상기 액체는 순수 또는 약액일 수 있다. 상기 기체는 기판(10) 표면에 제공된 액체를 물리적 및/또는 화학적으로 제거하기 위한 액절 공기가 될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the first medium may be a liquid, and the second medium may be a gas. The liquid may be pure or chemical liquid. The gas may be liquid air for physically and / or chemically removing the liquid provided on the surface of the substrate 10.

상기 속도 조절부(60)에 의해 액체인 제1매체의 기판(10)에의 제공 속도가 기체인 제2매체의 기판(10)에의 제공 속도 이상이 되도록 함으로써 기체에 의해 액체가 과도하게 튀는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 기판 표면 처리가 이루어지는 챔버 내부가 오염되거나 챔버 내부가 과도하게 부식되는 것을 방지할 수 있다.The rate adjusting unit 60 prevents the liquid from being excessively splashed by the gas by providing the liquid supplying speed of the first medium to the substrate 10 higher than the supplying speed of the gaseous second medium to the substrate 10. can do. Accordingly, the inside of the chamber where the substrate surface treatment is performed can be prevented from being contaminated or excessively corroded inside the chamber.

본 발명은 이처럼 제1매체와 제2매체의 기판(10)에의 제공 속도를 조절함으로써, 최적의 기판 표면 처리 효율을 거둘 수 있다.As described above, the present invention can achieve the optimum substrate surface treatment efficiency by controlling the supply speed of the first medium and the second medium to the substrate 10.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 개략 구성도이다.4 is a schematic structural diagram showing yet another embodiment of the present invention.

도 4에 따른 실시예는 전술한 도 1에 따른 실시예에 더하여 제3토출 유닛(40)을 더 포함한다. The embodiment according to FIG. 4 further includes a third discharge unit 40 in addition to the embodiment according to FIG. 1 described above.

상기 제3토출 유닛(40)은 제1토출 유닛(20) 및/또는 제2토출 유닛(30)과 같이, 제3분사 유닛(42), 제3저장조(44) 및 제3토출 펌프(46)를 포함한다. 각 구성에 대한 상세한 설명은 전술한 상기 제1토출 유닛(20) 및/또는 제2토출 유닛(30)과 같다.The third discharge unit 40, like the first discharge unit 20 and / or the second discharge unit 30, has a third injection unit 42, a third reservoir 44, and a third discharge pump 46. ). Detailed description of each configuration is the same as the first discharge unit 20 and / or the second discharge unit 30 described above.

제3분사 유닛(42) 및 제3토출 펌프(46)는 속도 조절부(60)에 전기적으로 연결될 수 있다.The third injection unit 42 and the third discharge pump 46 may be electrically connected to the speed adjusting unit 60.

도 4에 따른 실시예에서는 제1매체 및 제2매체와는 다른 제3매체를 기판(10)의 표면에 제공한다. In the embodiment according to FIG. 4, a third medium different from the first medium and the second medium is provided on the surface of the substrate 10.

상기 제1매체 및 제2매체가 각각 순수 및 약액일 경우, 상기 제3매체는 제2매체와는 다른 약액이거나 액절 공기일 수 있다. 상기 제3매체가 제2매체와는 다른 종류의 약액일 경우, 제1매체인 순수의 기판(10)에 대한 제공 속도를 상기 제3매체의 기판(10)에 대한 제공속도 이상이 되도록 할 수 있다. 상기 제3매체가 액절 공기일 경우, 상기 제1매체 및 제2매체인 액체들의 기판(10)에 대한 제공 속도를 상기 제3매체의 기판(10)에 대한 제공속도 이상이 되도록 할 수 있다.When the first medium and the second medium are pure water and chemical liquid, respectively, the third medium may be a different chemical liquid from the second medium or liquid air. When the third medium is a chemical liquid of a different type from the second medium, the supply speed of the pure water substrate 10 which is the first medium may be higher than the supply speed of the third medium to the substrate 10. have. When the third medium is liquid air, the supply speed of the liquid, which is the first medium and the second medium, to the substrate 10 may be higher than the supply speed to the substrate 10 of the third medium.

상기 제1매체 및 제2매체가 각각 액체 및 기체일 경우, 상기 제3매체는 제1매체와는 다른 종류의 액체일 수 있다. 즉, 제1매체가 순수일 경우 제3매체는 약액일 수 있고, 제1매체가 약액일 경우 제3매체는 순수 또는 제1매체와는 다른 약액일 수 있다. 상기 제3매체의 기판(10)에 대한 제공 속도가 상기 제2매체의 기판(10)에 대한 제공 속도 이상이 되도록 할 수 있다. 상기 제1매체가 순수이고 제3매체가 약액일 경우 상기 제1매체의 기판(10)에 대한 제공 속도를 상기 제3매체의 기판(10)에 대한 제공 속도 이상이 되도록 할 수 있다. When the first medium and the second medium are liquid and gas, respectively, the third medium may be a different kind of liquid from the first medium. That is, when the first medium is pure, the third medium may be a chemical liquid, and when the first medium is a chemical liquid, the third medium may be pure or a different chemical liquid from the first medium. The providing speed of the third medium to the substrate 10 may be equal to or higher than the providing speed of the second medium to the substrate 10. When the first medium is pure and the third medium is a chemical solution, the supply speed of the first medium to the substrate 10 may be higher than the supply speed to the substrate 10 of the third medium.

제3매체의 기판(10)에 대한 제공속도의 조절은 전술한 제1매체 및/또는 제2매체의 기판(10)에 대한 제공속도의 조절 메커니즘과 동일할 수 있다.The adjustment of the provision rate of the third medium to the substrate 10 may be the same as the adjustment mechanism of the provision rate of the first medium and / or the second medium to the substrate 10.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 개략 구성도이다.5 is a schematic structural diagram showing yet another embodiment of the present invention.

도 5에 따른 실시예는 전술한 도 4에 따른 실시예에 더하여 제4토출 유닛(50)을 더 포함한다. The embodiment according to FIG. 5 further includes a fourth discharge unit 50 in addition to the embodiment according to FIG. 4 described above.

상기 제4토출 유닛(50)은 제4분사 유닛(52), 제4저장조(54) 및 제4토출 펌프(56)를 포함한다. 각 구성에 대한 상세한 설명은 전술한 상기 제1토출 유닛(20) 및/또는 제2토출 유닛(30)과 같다.The fourth discharge unit 50 includes a fourth spray unit 52, a fourth reservoir 54, and a fourth discharge pump 56. Detailed description of each configuration is the same as the first discharge unit 20 and / or the second discharge unit 30 described above.

제4분사 유닛(52) 및 제4토출 펌프(56)는 속도 조절부(60)에 전기적으로 연결될 수 있다.The fourth injection unit 52 and the fourth discharge pump 56 may be electrically connected to the speed adjusting unit 60.

도 5에 따른 실시예에서는 제1매체 내지 제3매체와는 다른 제4매체를 기판(10)의 표면에 제공한다. In the embodiment according to FIG. 5, a fourth medium different from the first to third media is provided on the surface of the substrate 10.

상기 제1매체, 제2매체 및 제3매체가 각각 순수, 약액 및 또 다른 약액일 경우, 상기 제4매체는 액절 공기일 수 있다. 상기 제1매체, 제2매체 및 제3매체가 각각 순수, 약액 및 액절 공기일 경우, 상기 제4매체는 제2매체와 다른 종류의 약액일 수 있다. 제4매체가 액절 공기일 경우, 상기 제1매체 내지 제3매체의 기판(10)에 대한 제공 속도를 상기 제4매체의 기판(10)에 대한 제공속도 이상이 되도록 할 수 있다. 상기 제4매체가 제2매체와 다른 종류의 약액일 경우, 상기 제1매체인 순수의 기판(10)에 대한 제공 속도를 상기 제4매체의 기판(10)에 대한 제공속도 이상이 되도록 할 수 있다.When the first medium, the second medium and the third medium are pure water, chemical liquid and another chemical liquid, respectively, the fourth medium may be liquid air. When the first medium, the second medium and the third medium are pure water, chemical liquid and liquid air, respectively, the fourth medium may be a different kind of chemical liquid from the second medium. When the fourth medium is liquid air, the supply speed of the first medium to the third medium to the substrate 10 may be higher than the supply speed to the substrate 10 of the fourth medium. When the fourth medium is a chemical liquid of a different type from the second medium, the supply speed of the pure water substrate 10 as the first medium may be higher than the supply speed of the fourth medium to the substrate 10. have.

상기 제1매체, 제2매체 및 제3매체가 각각 액체, 기체 및 다른 종류의 액체일 경우, 제4매체는 상기 제1매체 및 제3매체와는 또 다른 종류의 액체일 수 있다. 즉, 제1매체가 순수이고, 제3매체가 약액일 경우, 제4매체는 제3매체와는 다른 약액일 수 있다. 제1매체가 약액이고 제3매체가 순수일 경우, 제4매체는 제1매체와는 다른 약액일 수 있다. 제1매체가 약액이고 제3매체가 제1매체와 다른 약액일 경우, 제4매체는 순수일 수 있다. 상기 제4매체의 기판(10)에 대한 제공 속도가 상기 제2매체의 기판(10)에 대한 제공 속도 이상이 되도록 할 수 있다. 상기 제4매체가 약액일 경우 제1매체 또는 제3매체의 기판(10)에 대한 제공 속도는 상기 제4매체의 기판(10)에 대한 제공 속도 이상이 될 수 있다. 상기 제4매체가 순수일 경우 상기 제4매체의 기판(10)에 대한 제공 속도는 제1매체 및 제3매체의 기판(10)에 대한 제공 속도 이상이 되도록 할 수 있다.When the first medium, the second medium and the third medium are liquids, gases and other kinds of liquids, respectively, the fourth medium may be a different kind of liquid from the first medium and the third medium. That is, when the first medium is pure and the third medium is a chemical liquid, the fourth medium may be a different chemical liquid from the third medium. When the first medium is a chemical liquid and the third medium is pure water, the fourth medium may be a different chemical liquid from the first medium. When the first medium is a chemical liquid and the third medium is a chemical liquid different from the first medium, the fourth medium may be pure water. The providing speed of the fourth medium to the substrate 10 may be greater than or equal to the providing speed of the second medium to the substrate 10. When the fourth medium is a chemical solution, the supply speed of the first medium or the third medium to the substrate 10 may be higher than the supply speed of the fourth medium to the substrate 10. When the fourth medium is pure water, the supply speed of the fourth medium to the substrate 10 may be higher than the supply speed of the first medium and the third medium to the substrate 10.

제4매체의 기판(10)에 대한 제공속도의 조절은 전술한 제1매체 및/또는 제2매체의 기판(10)에 대한 제공속도의 조절 메커니즘과 동일할 수 있다.The adjustment of the provision rate of the fourth medium to the substrate 10 may be the same as the adjustment mechanism of the provision rate of the first medium and / or the second medium to the substrate 10.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

10: 기판 20: 제1토출 유닛
30: 제2토출 유닛 40: 제3토출 유닛
50: 제4토출 유닛 60: 속도 조절부
22: 제1분사 유닛 24: 제1저장조
26: 제1토출 펌프 32: 제2분사 유닛
34: 제2저장조 36: 제2토출 펌프
42: 제3분사 유닛 44: 제3저장조
46: 제3토출 펌프 52: 제4분사 유닛
54: 제4저장조 56: 제4토출 펌프
61: 이동 속도 조절부 62: 토출 압력 조절부10: substrate 20: first discharge unit
30: second discharge unit 40: third discharge unit
50: fourth discharge unit 60: speed control unit
22: first injection unit 24: first reservoir
26: first discharge pump 32: second injection unit
34: 2nd reservoir 36: 2nd discharge pump
42: third injection unit 44: third reservoir
46: third discharge pump 52: fourth injection unit
54: fourth reservoir 56: fourth discharge pump
61: moving speed control unit 62: discharge pressure control unit

Claims (12)

기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 순수를 제공하는 단계; 및
상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 기판의 표면을 처리할 수 있는 약액을 제공하는 단계;를 포함하고,
상기 기판에 상기 순수를 제공하는 단계는 상기 기판에 상기 약액을 제공하는 단계보다 먼저 수행되며,
상기 기판에 대한 상기 순수의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 약액의 제공 속도 이상인 기판 처리 방법.Providing pure water to the surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end; And
Providing a chemical liquid on a surface of the substrate to treat the surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end to the other end of the substrate;
Providing the pure water to the substrate is performed before providing the chemical liquid to the substrate,
The substrate processing method of the said pure water supply rate with respect to the said board | substrate is more than the provision rate of the said chemical liquid with respect to the said board | substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 기판의 표면에 잔류하는 순수 또는 약액을 제거할 수 있는 액절 공기를 제공하는 단계를 더 포함하고,
상기 기판에 상기 액절 공기를 제공하는 단계는 상기 기판에 상기 약액을 제공하는 단계 이후에 수행되며,
상기 기판에 대한 상기 약액의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 액절 공기의 제공 속도 이상인 기판 처리 방법.The method of claim 1,
Providing liquid air to the surface of the substrate to remove pure or chemical liquid remaining on the surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end to the other end of the substrate,
Providing the liquid air to the substrate is performed after providing the chemical liquid to the substrate,
And a rate at which the chemical liquid is supplied to the substrate is higher than a rate at which the liquid air is supplied to the substrate. 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 액체를 제공하는 단계; 및
상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 기판의 표면에 잔류하는 액체를 제거할 수 있는 액절 공기를 제공하는 단계;를 포함하고,
상기 기판에 상기 액체를 제공하는 단계는 상기 기판에 상기 액절 공기를 제공하는 단계보다 먼저 수행되며,
상기 기판에 대한 상기 액체의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 액절 공기의 제공 속도 이상인 기판 처리 방법.Providing a liquid on a surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end; And
Providing liquid air to the surface of the substrate to remove liquid remaining on the surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end to the other end of the substrate;
Providing the liquid to the substrate is performed prior to providing the liquid air to the substrate,
And a rate at which the liquid is supplied to the substrate is at least a rate at which the liquid air is supplied to the substrate. 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 순수를 제공하는 제1토출 유닛;
상기 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 기판의 표면을 처리할 수 있는 약액을 제공하는 제2토출 유닛; 및
상기 제1토출 유닛 및 제2토출 유닛과 전기적으로 연결되고, 상기 기판에 상기 순수를 제공하는 것이 상기 기판에 상기 약액을 제공하는 것보다 먼저 수행되도록 하고, 상기 기판에 대한 상기 순수의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 약액의 제공 속도 이상이 되도록 하는 속도 조절부;를 포함하는 기판 처리 장치.A first discharging unit for providing pure water in a surface direction of the substrate toward one end of the substrate and the other end on the surface of the substrate according to a relative movement with the substrate;
A second discharging unit for providing a chemical liquid capable of treating the surface of the substrate in a surface direction of the substrate from one end of the substrate to the other end on the surface of the substrate in accordance with relative movement with the substrate; And
Electrically connected with the first discharge unit and the second discharge unit, such that providing the pure water to the substrate is performed prior to providing the chemical liquid to the substrate, and providing a rate of supplying the pure water to the substrate And a speed controller configured to be equal to or higher than a supply speed of the chemical liquid to the substrate. 삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 기판의 표면에 잔류하는 순수 또는 약액을 제거할 수 있는 액절 공기를 제공하며, 상기 속도 조절부와 전기적으로 연결된 제3토출 유닛을 더 포함하고,
상기 속도 조절부는 상기 기판에 상기 액절 공기를 제공하는 것을 상기 기판에 상기 약액을 제공하는 것 이후에 수행되도록 하고, 상기 기판에 대한 상기 약액의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 액절 공기의 제공 속도 이상이 되도록 하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Providing liquid air capable of removing pure or chemical liquid remaining on the surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end of the substrate according to relative movement with the substrate, and adjusting the speed Further comprising a third discharge unit electrically connected to the unit,
The speed adjusting section is configured to provide the liquid air to the substrate after providing the chemical liquid to the substrate, and the supplying speed of the chemical liquid to the substrate is equal to or higher than the supply speed of the liquid air to the substrate. Substrate processing apparatus to be. 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 액체를 제공하는 제1토출 유닛;
상기 기판과의 상대적 이동에 따라 상기 기판의 표면에 상기 기판의 일단으로부터 타단을 향해 기판의 면 방향으로 상기 기판의 표면에 잔류하는 액체를 제거할 수 있는 액절 공기를 제공하는 제2토출 유닛; 및
상기 제1토출 유닛 및 제2토출 유닛과 전기적으로 연결되고, 상기 기판에 상기 액체를 제공하는 것이 상기 기판에 상기 액절 공기를 제공하는 것보다 먼저 수행되도록 하고, 상기 기판에 대한 상기 액체의 제공 속도가 상기 기판에 대한 상기 액절 공기의 제공 속도 이상이 되도록 하는 속도 조절부;를 포함하는 기판 처리 장치.A first discharging unit for supplying a liquid to a surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end according to relative movement with the substrate;
A second discharge unit for providing liquid air to the surface of the substrate to remove liquid remaining on the surface of the substrate in a plane direction of the substrate from one end of the substrate to the other end in accordance with the relative movement with the substrate; And
Electrically connected with the first discharge unit and the second discharge unit, such that providing the liquid to the substrate is performed prior to providing the liquid air to the substrate, and providing the liquid to the substrate And a speed adjusting unit such that is equal to or higher than a supply speed of the liquid air to the substrate.
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