KR101315337B1 - Method for treating of substrate and apparatus for treating of substrate - Google Patents

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장승일
안길수
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주식회사 엠엠테크
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Abstract

PURPOSE: A method for treating a substrate and an apparatus for treating the substrate are provided to improve the efficiency of surface treatment by maintaining the wettability of the substrate for a process liquid. CONSTITUTION: Water is removed on the surface of a substrate. The first part (101) of the substrate is exposed by the removal process. A process liquid is supplied onto the surface of the substrate. A first atmospheric pressure region (501) is formed on the surface of the substrate. A second atmospheric pressure region (502) is formed on the surface of the substrate.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating of substrate and apparatus for treating of substrate}Substrate processing method and substrate processing apparatus {Method for treating of substrate and apparatus for treating of substrate}

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.A substrate processing method and a substrate processing apparatus.

박막 트랜지스터를 포함한 디스플레이용 기판이나, 반도체 소자용 기판은 그 표면의 실리콘 산화막을 제거하거나 실리콘막 표면을 평탄화시키기 위한 기판 표면 처리 공정을 거친다.A display substrate including a thin film transistor or a semiconductor element substrate is subjected to a substrate surface treatment process for removing the silicon oxide film on the surface or planarizing the silicon film surface.

이러한 기판 표면 처리 공정은 기판의 표면에 에칭액과 같은 처리액을 포함하는 처리 매체를 제공하여 행해진다.This substrate surface treatment step is performed by providing a treatment medium containing a treatment liquid such as an etching solution on the surface of the substrate.

이와 관련하여, 본 출원인은 특허문헌 1 내지 3에 개시된 바와 같이 실리콘막 표면을 균일하게 처리할 수 있는 기술을 제시한 바 있다. In this regard, the present applicant has proposed a technique capable of uniformly treating the surface of the silicon film as disclosed in Patent Documents 1 to 3.

그런데 폴리 실리콘막과 같이 반응성이 매우 높은 막에 대한 표면처리를 행할 경우에는 처리되는 막 균일도를 더욱 높일 필요성이 있다.However, when surface treatment is performed on a highly reactive film such as a polysilicon film, there is a need to further increase the film uniformity to be treated.

특허문헌 1: 한국 공개 특허 제2012-0034422호Patent Document 1: Korean Patent Publication No. 2012-0034422 특허문헌 2: 한국 공개 특허 제2012-0034423호Patent Document 2: Korean Patent Publication No. 2012-0034423 특허문헌 3: 한국 공개 특허 제2012-0034424호Patent Document 3: Korean Unexamined Patent Publication No. 2012-0034424

본 발명은 종래기술의 문제 및/또는 한계를 극복하기 위한 것으로, 표면처리 효율을 더욱 향상시키고 처리되는 막 균일도를 높일 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 데에 목적이 있다.The present invention has been made to overcome the problems and / or limitations of the prior art, and an object thereof is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of further improving the surface treatment efficiency and increasing the film uniformity to be treated.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판의 표면에 물을 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면에서 물을 제거해, 상기 기판의 제1부분을 노출시키는 단계와, 상기 기판의 표면에 처리액을 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면에 제1기압 영역을 형성하는 단계와, 상기 기판의 표면에 제2기압 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1기압 영역 및 제2기압 영역의 사이에 상기 제1기압 및 제2기압보다 낮은 제3기압 영역을 형성하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.According to one aspect of the invention, providing water to the surface of the substrate, removing the water from the surface of the substrate to expose the first portion of the substrate, and providing a treatment liquid on the surface of the substrate Forming a first atmospheric pressure region on the surface of the substrate, forming a second atmospheric pressure region on the surface of the substrate, and between the first atmospheric pressure region and the second atmospheric pressure region And forming a third atmospheric pressure region lower than the second atmospheric pressure.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제1기압 영역은 제거되는 상기 물의 가장자리 위에 위치될 수 있다.According to another feature of the invention, the first atmospheric pressure region may be located above the edge of the water to be removed.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2기압 영역은 상기 제1부분 위에 위치될 수 있다.According to another feature of the invention, the second pressure region may be located above the first portion.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제3기압 영역은 상기 물과 상기 기판의 경계 영역을 포함하는 제2부분 위에 위치될 수 있다.According to another feature of the invention, the third atmospheric pressure region may be located above a second portion including a boundary region of the water and the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 처리액은 상기 제2기압 영역으로 제공될 수 있다.According to another feature of the invention, the treatment liquid may be provided to the second atmosphere region.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제3기압 영역은 상기 제2기압 영역과 인접하게 위치할 수 있다.According to another feature of the invention, the third pressure region may be located adjacent to the second pressure region.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판의 제1부분을 노출시키는 단계는, 상기 기판의 표면으로 에어를 분사할 수 있다.According to another feature of the invention, exposing the first portion of the substrate, the air may be injected to the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 에어를 분사하는 단계는 수직방향으로부터 5 내지 60도의 각도로 진행될 수 있다.According to another feature of the invention, the step of injecting the air may proceed at an angle of 5 to 60 degrees from the vertical direction.

본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 기판의 일단으로부터 타단을 향해 직선방향으로 이동하면서 기판의 면 방향으로 물을 제공하는 제1토출 유닛과, 기판의 일단으로부터 타단을 향해 직선방향으로 이동하면서 상기 기판의 면 방향으로 에어를 제공하고, 상기 기판의 표면에 제1기압 영역을 형성하는 제2토출 유닛과, 기판의 일단으로부터 타단을 향해 직선방향으로 이동하면서 상기 기판의 면 방향으로 처리액을 제공하고, 상기 기판의 표면에 제2기압 영역을 제공하는 제3토출 유닛을 포함하고, 상기 제2토출 유닛은 상기 제3토출 유닛에 비해 상기 이동 방향의 전단에 위치하고, 상기 제1기압 영역 및 제2기압 영역의 사이에 상기 제1기압 및 제2기압보다 낮은 제3기압 영역을 형성하는 기판 처리 장치가 제공된다.According to another aspect of the invention, the first discharge unit for providing water in the surface direction of the substrate while moving in a linear direction from one end of the substrate to the other end, and the substrate while moving in a linear direction from one end of the substrate to the other end Supplying air in the plane direction of the substrate, and forming a first air pressure region on the surface of the substrate, and providing a processing liquid in the plane direction of the substrate while moving in a linear direction from one end of the substrate to the other end; And a third discharge unit providing a second atmospheric pressure region on the surface of the substrate, wherein the second discharge unit is positioned at a front end of the moving direction relative to the third discharge unit, and the first atmospheric pressure region and the second atmospheric pressure region are provided. A substrate processing apparatus is provided which forms a third atmospheric pressure region lower than the first and second atmospheric pressures between the atmospheric pressure regions.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제3기압 영역은 상기 제2토출 유닛과 상기 제3토출 유닛의 이격 각도에 의해 조절될 수 있다.According to another feature of the invention, the third air pressure region may be adjusted by the separation angle of the second discharge unit and the third discharge unit.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제3토출 유닛은 상기 기판의 표면에 수직인 방향으로 상기 처리액을 토출할 수 있다.According to another feature of the present invention, the third discharging unit may discharge the processing liquid in a direction perpendicular to the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2토출 유닛은 상기 제3토출 유닛과 5 내지 60도의 각도를 이루는 방향으로 상기 에어를 토출할 수 있다.According to another feature of the invention, the second discharge unit may discharge the air in a direction forming an angle of 5 to 60 degrees with the third discharge unit.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2토출 유닛과 상기 제3토출 유닛은 서로 연동하여 구동되도록 구비될 수 있다.According to another feature of the invention, the second discharge unit and the third discharge unit may be provided to be driven in conjunction with each other.

처리액에 대한 기판의 젖음성을 일정 정도로 균일하게 유지시킬 수 있고, 처리되는 기판의 균일도를 향상시킬 수 있다.The wettability of the substrate with respect to the treatment liquid can be maintained uniformly to a certain degree, and the uniformity of the substrate to be treated can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 부분 단면도이다.
도 2는 기판의 일 예를 도시한 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 5는 도 3의 제1분사 유닛 및 제2분사 유닛의 관계를 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a schematic partial cross-sectional view illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
2 is a partial cross-sectional view showing an example of a substrate.
3 is a configuration diagram schematically illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a configuration diagram schematically illustrating a planar configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
FIG. 5 is a configuration diagram schematically illustrating a relationship between a first injection unit and a second injection unit of FIG. 3.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 부분 단면도이다.1 is a schematic partial cross-sectional view illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 기판(10)의 표면에 물을 제공하여, 물막(201)을 형성한다. 상기 물은 순수(DI Water)를 사용할 수 있다.First, water is provided on the surface of the substrate 10 to form a water film 201. The water may use DI water.

다음으로, 형성된 물막(201)을 기판(10)의 표면에서 제거해 기판(10)의 제1부분(101)을 노출시킨다. 상기 물막(201)의 제거는 기판(10)의 일단에서부터 타단을 향해 순차적으로 진행될 수 있다.Next, the formed water film 201 is removed from the surface of the substrate 10 to expose the first portion 101 of the substrate 10. Removal of the water film 201 may proceed sequentially from one end of the substrate 10 to the other end.

기판(10) 표면에서 물막(201)을 제거함으로써 상기 기판(10)의 제1부분(101)을 노출시키는 것은 상기 기판(10)의 표면으로 에어(301)를 분사함으로써 가능해질 수 있다. 따라서 에어(301)는 기판(10)의 일단에서부터 타단을 향해 순차로 이동하면서(도 1에서 볼 때 왼쪽에서 오른쪽으로 이동하면서) 상기 물막(201)을 제거한다.Exposing the first portion 101 of the substrate 10 by removing the water film 201 from the surface of the substrate 10 may be enabled by spraying air 301 onto the surface of the substrate 10. Accordingly, the air 301 removes the water film 201 while sequentially moving from one end of the substrate 10 to the other end (moving from left to right in FIG. 1).

상기 물막(201)은 상기 에어(301)에 의해 물리적 및/또는 화학적으로 제거되며, 제거되는 물막(201)의 가장자리(202)는 에어(301)에 의해 밀려 올라가는 형상으로 제거된다.The water film 201 is physically and / or chemically removed by the air 301, and the edge 202 of the water film 201 to be removed is removed by being pushed up by the air 301.

이렇게 기판(10)의 표면으로 에어(301)가 제공됨으로써 에어(301)의 직접적인 영향권 내에서 상기 기판(10)의 표면에 제1기압 영역(501)이 형성된다. 즉, 상기 제1기압 영역(501)은 상기 에어(301)의 제공 압력의 영향을 받는 영역이 된다.As the air 301 is provided to the surface of the substrate 10, the first air pressure region 501 is formed on the surface of the substrate 10 within the direct influence area of the air 301. That is, the first air pressure region 501 becomes an area affected by the pressure provided by the air 301.

상기 제1기압 영역(501)은 제거되는 물막(201)의 가장자리(202) 위에 위치할 수 있다.The first pressure region 501 may be located on the edge 202 of the water film 201 to be removed.

다음으로, 기판(10)의 표면으로 처리액(401)이 제공된다.Next, the processing liquid 401 is provided on the surface of the substrate 10.

기판(10)의 표면으로 상기 처리액(401)이 제공됨으로써 처리액(401)의 직접적인 영향권 내에서 상기 기판(10)의 표면에 제2기압 영역(502)이 형성된다. 즉, 상기 제2기압 영역(502)은 상기 처리액(401)의 제공 압력의 영향을 받는 영역이 된다.By providing the treatment liquid 401 to the surface of the substrate 10, the second pressure region 502 is formed on the surface of the substrate 10 within the direct influence of the treatment liquid 401. In other words, the second air pressure region 502 becomes an area affected by the supply pressure of the processing liquid 401.

상기 제2기압 영역(502)은 상기 물막(201)이 제거되어 노출된 기판(10)의 제1부분(101) 위에 위치한다.The second pressure region 502 is positioned on the first portion 101 of the substrate 10 from which the water film 201 is removed.

상기 제1기압 영역(501)과 제2기압 영역(502)의 사이에는 상기 제1기압 및/또는 제2기압보다 낮은 제3기압을 갖는 제3기압 영역(503)이 형성된다. 상기 제3기압 영역(503)은 상기 제1기압 영역(501)과 제2기압 영역(502)의 이격된 거리의 조절 및/또는 상기 에어(301)의 분사 각도(a1)의 조절에 의해 형성될 수 있다. 상기 에어(301)의 분사 각도(a1)는 기판(10)에 수직한 방향으로부터 에어(301)가 분사되는 경사 각도를 말한다.A third air pressure region 503 having a third air pressure lower than the first air pressure and / or the second air pressure is formed between the first air pressure region 501 and the second air pressure region 502. The third air pressure region 503 is formed by adjusting the spaced distance between the first air pressure region 501 and the second air pressure region 502 and / or adjusting the injection angle a1 of the air 301. Can be. The injection angle a1 of the air 301 refers to an inclination angle at which the air 301 is injected from a direction perpendicular to the substrate 10.

상기 제3기압 영역(503)은 상기 물막(201)의 가장자리(202)와 상기 기판(10)의 제1부분(101) 사이에 위치하는 상기 기판(10)의 제2부분(102) 위에 위치한다. 상기 제2부분(102)은 상기 물막(201)의 가장자리(202)와 상기 기판(10)의 경계 영역(103)을 포함한다.The third atmospheric pressure region 503 is positioned above the second portion 102 of the substrate 10 positioned between the edge 202 of the water film 201 and the first portion 101 of the substrate 10. do. The second portion 102 includes an edge 202 of the water film 201 and a boundary region 103 of the substrate 10.

이러한 제3기압 영역(503)은 상기 제1기압 영역(501)에 인접하게 위치할 수 있다.The third pressure region 503 may be located adjacent to the first pressure region 501.

상기 기판(10)은 도 2에서 볼 수 있듯이, 베이스 기판(12) 위로 실리콘막(14)이 형성된 것일 수 있다. 이 실리콘막(14)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 실리콘막(14)은 외기와의 반응성이 좋기 때문에, 그 표면에 산화막(16)이 형성되기 쉽다. 상기 처리액은 이 산화막(16)을 식각시키거나, 실리콘막(14)의 표면을 평탄화할 수 있는 매체가 사용될 수 있다.As shown in FIG. 2, the substrate 10 may be a silicon film 14 formed on the base substrate 12. This silicon film 14 may comprise polysilicon. Since the silicon film 14 has good reactivity with outside air, an oxide film 16 is easily formed on the surface thereof. As the treatment liquid, a medium capable of etching the oxide film 16 or planarizing the surface of the silicon film 14 may be used.

상기 처리액(401)으로는 불산(HF) 또는 오존수가 될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 기판(10)의 표면을 식각시킬 수 있는 처리액이면 어떠한 것이든 적용될 수 있다.The treatment liquid 401 may be hydrofluoric acid (HF) or ozone water, but is not limited thereto, and any treatment liquid may be applied as long as the treatment liquid may etch the surface of the substrate 10.

이러한 처리액(401)에 의해 기판(10)의 표면을 처리할 때에는 전술한 바와 같이 기판(10)의 표면에 미리 물막(201)을 형성시켜, 기판(10) 표면의 젖음성을 균일하게 향상시켜 놓도록 하는 것이 바람직하다. 기판(10) 표면의 젖음성이 기판(10)의 면 방향에 걸쳐 불균일한 특성을 보이는 경우에는 처리액(401)에 의한 기판(10) 표면에서의 반응이 불균일해질 수 있고, 이는 기판(10) 표면의 특성을 불균일하게 할 수 있다. 특히 도 2에서 볼 수 있듯이, 상기 기판(10)이 표면에 실리콘막(14) 및/또는 산화막(16)을 포함하고 있을 경우에는 이 실리콘막(14) 및/또는 산화막(16)과 상기 처리액(401)과의 반응이 기판(10)의 면방향에 걸쳐 불균일해질 수 있고, 이는 처리 후의 기판(10)을 이용한 전자 장치, 예컨대 디스플레이 장치의 특성에도 악영향을 미칠 수 밖에 없다.When the surface of the substrate 10 is treated by the treatment liquid 401, as described above, the water film 201 is formed on the surface of the substrate 10 in advance to uniformly improve the wettability of the surface of the substrate 10. It is desirable to let go. When the wettability of the surface of the substrate 10 exhibits non-uniform characteristics over the surface direction of the substrate 10, the reaction on the surface of the substrate 10 by the treatment liquid 401 may become nonuniform, which is the substrate 10. Uneven surface properties can be made. In particular, as shown in FIG. 2, when the substrate 10 includes a silicon film 14 and / or an oxide film 16 on its surface, the silicon film 14 and / or oxide film 16 and the treatment The reaction with the liquid 401 may become nonuniform over the surface direction of the substrate 10, which may adversely affect the characteristics of the electronic device, for example, the display device, using the substrate 10 after the treatment.

한편, 상기 물막(201)은 처리액(401)의 제공 전에 제거할 수 있다. 상기 물막(201)이 처리액(401)의 농도를 희석시킬 수 있기 때문이다.Meanwhile, the water film 201 may be removed before the treatment liquid 401 is provided. This is because the water film 201 can dilute the concentration of the treatment liquid 401.

이를 위해 상기 물막(201)을 향해 에어(301)를 분사하여, 상기 물막(201)의 적어도 가장자리(202) 위에 제1기압 영역(501)을 형성하는 것이다.To this end, the air 301 is sprayed toward the water film 201 to form the first air pressure region 501 on at least the edge 202 of the water film 201.

이러한 에어(301)의 분사에 이어, 곧바로 상기 처리액(401)이 에어(301)에 의해 노출된 상기 기판(10)의 제1부분(101) 위로 제공된다. 따라서 상기 기판(10)의 제1부분(101) 위에는 물막(201)이 존재하지는 않으나, 이 제1부분(101)은 물막(201)이 제거된 후이기 때문에 표면 젖음성이 있는 상태가 된다.Immediately following this jet of air 301, the treatment liquid 401 is provided over the first portion 101 of the substrate 10 exposed by the air 301. Therefore, although the water film 201 does not exist on the first portion 101 of the substrate 10, the first portion 101 is in a state of surface wettability since the water film 201 is removed.

상기 처리액(401)이 상기 기판(10)의 제1부분(101) 위로 소정의 압력으로 토출되므로, 상기 제1부분(101) 위에는 상기 처리액(401)에 의해 제2기압 영역(502)이 형성된다. Since the processing liquid 401 is discharged at a predetermined pressure onto the first portion 101 of the substrate 10, the second atmospheric pressure region 502 is formed on the first portion 101 by the processing liquid 401. Is formed.

이 때, 상기 처리액(401)이 분사되는 영역은 상기 에어(301)가 분사되는 영역과 소정 간격 이격되어 있기 때문에, 상기 에어(301)에 의한 제1기압 영역(501)과 상기 처리액(401)에 의한 제2기압 영역(502)의 사이에는 상대적인 저압 영역인 제3기압 영역(503)이 존재하게 된다. At this time, since the area in which the processing liquid 401 is injected is spaced apart from the area in which the air 301 is injected by a predetermined interval, the first air pressure region 501 and the processing liquid ( Between the second atmospheric pressure region 502 by the 401, there is a third atmospheric pressure region 503 which is a relatively low pressure region.

따라서 상기 제3기압 영역(503)은 상기 물막(201)의 가장자리(202)와 노출된 기판(10) 표면 사이의 경계 영역(103)을 포함하는 제2부분(102) 위에 위치하게 된다. 따라서 상기 제2부분(102)은 제1영역(101)과 물막(201)의 가장자리(202)와의 사이에 위치한다.Accordingly, the third pressure region 503 is positioned on the second portion 102 including the boundary region 103 between the edge 202 of the water film 201 and the exposed surface of the substrate 10. Accordingly, the second portion 102 is positioned between the first region 101 and the edge 202 of the water film 201.

이 제3기압 영역(503)은 상기 제2기압 영역(502)에 인접하게 위치하고, 제2기압 영역(502)보다 상대적으로 낮은 기압을 나타내므로, 상기 제2기압 영역(502)으로 향하던 처리액(401) 중 적어도 일부(402)는 상기 제3기압 영역(503)으로 빨려들게 된다.The third atmospheric pressure region 503 is located adjacent to the second atmospheric pressure region 502, and exhibits a lower pressure than the second atmospheric pressure region 502, and thus has been treated to the second atmospheric pressure region 502. At least a portion 402 of 401 is sucked into the third atmospheric pressure region 503.

이처럼 처리액(401)의 일부(402)가 제3기압 영역(503)으로 향해 다가가서 밀집 치환된다. 이에 따라 물막(201)이 제거된 직후에 노출된 부분인 기판(10)의 제2부분(102)에도 처리액(401)의 일부(402)가 제공된다.In this way, a part 402 of the processing liquid 401 approaches the third pressure region 503 and is densely substituted. Accordingly, a portion 402 of the processing liquid 401 is also provided in the second portion 102 of the substrate 10, which is an exposed portion immediately after the water film 201 is removed.

물막(201)이 제거된 후 기판(10) 표면의 젖음성은 매우 빠른 시간 내에 소멸될 수 있는 데, 상기 실시예에 따르면, 물막(201)이 제거된 직후의 부분에까지 처리액(401)이 빨려 들어 제공되도록 함으로써 기판(10) 표면에 대한 처리가 최적 효율을 갖도록 할 수 있다.After the water film 201 is removed, the wettability of the surface of the substrate 10 can be extinguished in a very short time. According to the embodiment, the treatment liquid 401 is sucked up to the portion immediately after the water film 201 is removed. For example, the substrate 10 may be treated to have an optimum efficiency.

상기와 같이 처리액(401)의 적어도 일부(402)가 제3기압 영역(503)을 향하도록 하기 위하여, 상기 처리액(401)은 기판(10)의 표면에 수직한 방향으로 제2기압 영역(502)을 향해 분사되도록 할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 처리액(401)은 상기 기판(10)의 표면에 수직한 방향으로부터 상기 제3기압 영역(503)을 향한 방향으로 소정 각도 경사지도록 분사될 수 있다.In order to direct at least a portion 402 of the processing liquid 401 toward the third pressure region 503 as described above, the processing liquid 401 is formed in the second pressure region in a direction perpendicular to the surface of the substrate 10. May be directed toward 502. However, the present invention is not limited thereto, and the processing liquid 401 may be sprayed to be inclined at a predetermined angle in a direction from the direction perpendicular to the surface of the substrate 10 toward the third atmospheric pressure region 503.

한편, 상기 제1기압 영역(501)을 향해 분사되는 에어(301)가 상기 제3기압 영역(503)으로 되돌아 오지 않도록 상기 에어(301)는 상기 기판(10)에 수직한 방향으로부터 경사진 방향을 향해 분사되도록 할 수 있다. 이 때의 분사 각도(a1)는 5 내지 60도의 범위일 수 있다. 상기 분사 각도(a1)가 5도보다 작을 경우 에어(301)가 제3기압 영역(503)으로 되돌아 오는 양이 많아지게 되어, 처리액(401)의 일부(402)가 제3기압 영역(503)을 향하는 것을 방해할 수 있다. 상기 분사 각도(a1)가 60도보다 클 경우 제1기압 영역(501)이 제2기압 영역(502)과 너무 많이 이격되기 때문에 기판(10)의 제1부분(101)에서의 젖음성이 떨어질 수 있게 되고, 이는 전술한 바와 같이 기판(10) 표면 처리의 불균일을 초래할 수 있다.Meanwhile, the air 301 is inclined from a direction perpendicular to the substrate 10 so that the air 301 injected toward the first air pressure region 501 does not return to the third air pressure region 503. It can be sprayed toward. In this case, the injection angle a1 may be in a range of 5 to 60 degrees. When the injection angle a1 is smaller than 5 degrees, the amount of air 301 returning to the third atmospheric pressure region 503 increases, so that a part 402 of the processing liquid 401 becomes the third atmospheric pressure region 503. May interfere with). When the injection angle a1 is greater than 60 degrees, the wettability of the first portion 101 of the substrate 10 may be degraded because the first air pressure region 501 is spaced too far from the second air pressure region 502. This can lead to non-uniformity of surface treatment of the substrate 10 as described above.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 5는 도 3의 제1분사 유닛 및 제2분사 유닛의 관계를 개략적으로 도시한 구성도이다. 전술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 도 3 내지 도 5에 도시된 기판 처리 장치의 실시예에 의해 구현될 수 있다.3 is a configuration diagram schematically illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a configuration diagram schematically illustrating a planar configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 3. FIG. 5 is a configuration diagram schematically illustrating a relationship between a first injection unit and a second injection unit of FIG. 3. The substrate processing method according to an embodiment of the present invention as described above may be implemented by the embodiment of the substrate processing apparatus illustrated in FIGS. 3 to 5.

도 3에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1토출 유닛(20), 제2토출 유닛(30), 제3토출 유닛(40) 및 제어부(50)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first discharge unit 20, a second discharge unit 30, a third discharge unit 40, and a controller 50. do.

상기 제1토출 유닛(20)은 피처리 대상인 기판(10) 상에 위치하고, 상기 기판(10)의 일단으로부터 타단을 향해 직선 방향으로 이동하면서 기판(10)의 표면에 기판(10)의 면 방향으로 물을 제공한다. The first discharging unit 20 is positioned on the substrate 10 to be processed and moves in a linear direction from one end of the substrate 10 to the other end in a plane direction of the substrate 10 on the surface of the substrate 10. To provide water.

상기 제2토출 유닛(30)은 상기 기판(10) 상에 위치하고, 상기 기판(10)의 일단으로부터 타단을 향해 직선 방향으로 이동하면서 기판(10)의 표면에 기판(10)의 면 방향으로 에어를 제공한다.The second discharge unit 30 is positioned on the substrate 10 and moves in a straight direction from one end of the substrate 10 to the other end in the plane direction of the substrate 10 on the surface of the substrate 10. To provide.

상기 제3토출 유닛(40)은 상기 기판(10) 상에 위치하고, 상기 기판(10)의 일단으로부터 타단을 향해 직선 방향으로 이동하면서 기판(10)의 표면에 기판(10)의 면 방향으로 처리액을 제공한다.The third discharge unit 40 is disposed on the substrate 10, and is processed in the plane direction of the substrate 10 on the surface of the substrate 10 while moving in a linear direction from one end of the substrate 10 to the other end. Provide the liquid.

상기 제1토출 유닛(20)은 제1분사 유닛(22)을 포함할 수 있다. 상기 제1분사 유닛(22)은 기판(10)의 표면으로부터 일정 간격 이격된 상방에 위치하며, 적어도 하부의 기판(10)을 향해 물을 분사시킬 수 있도록 구비된다. 도 4에서 볼 수 있듯이 상기 제1분사 유닛(22)의 전체 길이(L1)는 상기 기판(10)의 폭(W)보다 길도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 제1분사 유닛(22)은 기판(10)의 폭 전체에 걸쳐 1회 스캔으로 물을 제공할 수 있다. 상기와 같은 제1분사 유닛(22)은 스프레이 타입, 직분사형 타입, 간접 분사형 타입 등 다양하게 적용 가능하다.The first discharge unit 20 may include a first injection unit 22. The first spraying unit 22 is positioned above the surface of the substrate 10 at a predetermined interval, and is provided to spray water toward at least the lower substrate 10. As shown in FIG. 4, the total length L1 of the first injection unit 22 may be longer than the width W of the substrate 10. Accordingly, the first spraying unit 22 may provide water in one scan over the entire width of the substrate 10. The first injection unit 22 as described above can be variously applied, such as spray type, direct injection type, indirect injection type.

상기 제1분사 유닛(22)은 제1저장조(24)에 연결되고, 제1분사 유닛(22)과 제1저장조(24)의 사이에 제1토출 펌프(26)가 개재될 수 있다. 상기 제1분사 유닛(22) 및 제1토출 펌프(26)는 제어부(50)에 전기적으로 연결되어 있다. 도시되지는 않았지만 상기 제1분사 유닛(22)은 별도의 구동 유닛을 포함할 수 있다. 이 구동 유닛에 의해 상기 제1분사 유닛(22)은 상기 기판(10)의 길이방향을 따라 직선 왕복 운동을 하도록 구비될 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 제1분사 유닛(22)을 기판(10)의 길이방향을 따라 이동시킬 수 있는 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있는 데, 리니어 모션 시스템, 체인 구동 시스템, 또는 자기 부상 시스템 등 다양한 선형 구동 시스템이 적용될 수 있다. 물론, 상기 제1분사 유닛(22)은 고정형일 수 있는 데, 이 경우에는 기판(10)이 제1분사 유닛(22)에 대해 상대적으로 평면방향으로 직선 운동할 수 있다.The first spraying unit 22 may be connected to the first reservoir 24, and a first discharge pump 26 may be interposed between the first spraying unit 22 and the first reservoir 24. The first injection unit 22 and the first discharge pump 26 are electrically connected to the control unit 50. Although not shown, the first injection unit 22 may include a separate drive unit. By this driving unit, the first injection unit 22 may be provided to perform a linear reciprocating motion along the longitudinal direction of the substrate 10. The driving unit may be applied as long as it can move the first spraying unit 22 along the longitudinal direction of the substrate 10. Various linear elements such as a linear motion system, a chain driving system, or a magnetic levitation system may be applied. The drive system can be applied. Of course, the first spraying unit 22 may be fixed, in which case the substrate 10 may linearly move in a plane direction relative to the first spraying unit 22.

상기 제2토출 유닛(30)은 제2분사 유닛(32)을 포함할 수 있다. 상기 제2분사 유닛(32)은 기판(10)의 표면으로부터 일정 간격 이격된 상방에 위치하며, 적어도 하부의 기판(10)을 향해 에어를 분사시킬 수 있도록 구비된다. 도 4에서 볼 수 있듯이 상기 제2분사 유닛(32)의 전체 길이(L2)는 상기 기판(10)의 폭(W)보다 길도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 제2분사 유닛(32)은 1회의 스캔으로 에어를 기판(10)의 폭 전체에 걸쳐 제공할 수 있다. 상기와 같은 제2분사 유닛(32)은 스프레이 타입, 직분사형 타입, 간접 분사형 타입 등 다양하게 적용 가능하다.The second discharge unit 30 may include a second injection unit 32. The second injection unit 32 is positioned above the surface of the substrate 10 at a predetermined distance, and is provided to spray air toward at least the lower substrate 10. As shown in FIG. 4, the total length L2 of the second injection unit 32 may be longer than the width W of the substrate 10. Accordingly, the second injection unit 32 may provide air over the entire width of the substrate 10 in one scan. The second injection unit 32 as described above can be variously applied, such as spray type, direct injection type, indirect injection type.

상기 제2분사 유닛(32)은 제2저장조(34)에 연결되고, 제2분사 유닛(32)과 제2저장조(34)의 사이에 제2토출 펌프(36)가 개재된다. 상기 제2분사 유닛(32) 및 제2토출 펌프(36)는 제어부(50)에 전기적으로 연결되어 있다. 도시되지는 않았지만 상기 제2분사 유닛(32)은 별도의 구동 유닛을 포함할 수 있다. 이 구동 유닛에 의해 상기 제2분사 유닛(32)은 상기 기판(10)의 길이방향을 따라 직선 왕복 운동을 하도록 구비될 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 제2분사 유닛(32)을 기판(10)의 길이방향을 따라 이동시킬 수 있는 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있는 데, 리니어 모션 시스템, 체인 구동 시스템, 또는 자기 부상 시스템 등 다양한 선형 구동 시스템이 적용될 수 있다. The second spray unit 32 is connected to the second reservoir 34, and a second discharge pump 36 is interposed between the second spray unit 32 and the second reservoir 34. The second injection unit 32 and the second discharge pump 36 are electrically connected to the control unit 50. Although not shown, the second injection unit 32 may include a separate drive unit. By this driving unit, the second injection unit 32 may be provided to perform a linear reciprocating motion along the longitudinal direction of the substrate 10. The drive unit may be applied to any one that can move the second injection unit 32 along the longitudinal direction of the substrate 10. Various linear elements such as a linear motion system, a chain drive system, or a magnetic levitation system may be applied. The drive system can be applied.

상기 제3토출 유닛(40)은 제3분사 유닛(42)을 포함할 수 있다. 상기 제3분사 유닛(42)은 기판(10)의 표면으로부터 일정 간격 이격된 상방에 위치하며, 적어도 하부의 기판(10)을 향해 처리액을 분사시킬 수 있도록 구비된다. 도 4에서 볼 수 있듯이 상기 제3분사 유닛(42)의 전체 길이(L3)는 상기 기판(10)의 폭(W)보다 길도록 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 제3분사 유닛(42)은 1회의 스캔으로 처리액을 기판(10)의 폭 전체에 걸쳐 제공할 수 있다. 상기와 같은 제3분사 유닛(42)은 스프레이 타입, 직분사형 타입, 간접 분사형 타입 등 다양하게 적용 가능하다.The third discharge unit 40 may include a third injection unit 42. The third spray unit 42 is positioned above the surface of the substrate 10 at a predetermined distance, and is provided to spray the processing liquid toward at least the lower substrate 10. As shown in FIG. 4, the total length L3 of the third injection unit 42 may be longer than the width W of the substrate 10. Accordingly, the third injection unit 42 can provide the processing liquid over the entire width of the substrate 10 in one scan. The third injection unit 42 as described above can be variously applied, such as spray type, direct injection type, indirect injection type.

상기 제3분사 유닛(42)은 제3저장조(44)에 연결되고, 제3분사 유닛(42)과 제3저장조(44)의 사이에 제3토출 펌프(46)가 개재된다. 상기 제3분사 유닛(42) 및 제3토출 펌프(46)는 제어부(50)에 전기적으로 연결되어 있다. 도시되지는 않았지만 상기 제3분사 유닛(42)은 별도의 구동 유닛을 포함할 수 있다. 이 구동 유닛에 의해 상기 제3분사 유닛(42)은 상기 기판(10)의 길이방향을 따라 직선 왕복 운동을 하도록 구비될 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 제3분사 유닛(42)을 기판(10)의 길이방향을 따라 이동시킬 수 있는 것이면 어떠한 것이든 적용될 수 있는 데, 리니어 모션 시스템, 체인 구동 시스템, 또는 자기 부상 시스템 등 다양한 선형 구동 시스템이 적용될 수 있다. The third spray unit 42 is connected to the third reservoir 44, and a third discharge pump 46 is interposed between the third spray unit 42 and the third reservoir 44. The third injection unit 42 and the third discharge pump 46 are electrically connected to the control unit 50. Although not shown, the third injection unit 42 may include a separate drive unit. By this driving unit, the third injection unit 42 may be provided to perform linear reciprocating motion along the longitudinal direction of the substrate 10. The driving unit may be applied as long as it can move the third spraying unit 42 along the longitudinal direction of the substrate 10. Various linear elements such as a linear motion system, a chain driving system, or a magnetic levitation system may be applied. The drive system can be applied.

전술한 바와 같이 상기 제3토출 유닛(40)은 제2토출 유닛(30)과 연동하여 구동될 수 있다. 이를 위하여 상기 제3분사 유닛(42)이 상기 제2분사 유닛(32)과 서로 일체의 유닛을 이루도록 구비될 수 있다. 이 경우에는 제2분사 유닛(32)과 제3분사 유닛(42)은 단일의 구동 유닛에 의해 구동될 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 제1토출 유닛(20) 내지 제3토출 유닛(40)이 모두 연동하여 구동될 수 있는 데, 이를 위하여 상기 제1분사 유닛(22) 내지 제3분사 유닛(42)이 일체의 유닛을 이룰 수 있다.As described above, the third discharge unit 40 may be driven in conjunction with the second discharge unit 30. To this end, the third injection unit 42 may be provided to form an integral unit with the second injection unit 32. In this case, the second injection unit 32 and the third injection unit 42 may be driven by a single drive unit. In addition, all of the first discharging unit 20 to the third discharging unit 40 may be driven in conjunction with each other. For this purpose, the first spraying unit 22 to the third spraying unit 42 may be integrally formed. Units can be achieved.

상기 제어부(50)는 상기 제1토출 유닛(20) 내지 제3토출 유닛(40)과 전기적으로 연결되는 데, 상기 제1토출 유닛(20) 내지 제3토출 유닛(40)의 각 분사유닛들, 각 구동 유닛들 및 각 토출 펌프들과 연결되어 전술한 바와 같이 도 1에 도시된 실시예와 같이 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법을 제어한다.The controller 50 is electrically connected to the first discharging unit 20 to the third discharging unit 40, and each injection unit of the first discharging unit 20 to the third discharging unit 40 is provided. In connection with each of the driving units and the respective discharge pumps, as described above, the substrate processing method according to the embodiment of the present invention is controlled as shown in FIG. 1.

전술한 도 1에 따른 실시예에서 제1기압 영역(501), 제2기압 영역(502) 및 제3기압 영역(503)의 형성과 그 범위는 제1토출 유닛(20) 내지 제3토출 유닛(40)의 각 분사유닛들, 각 구동 유닛들 및 각 토출 펌프들의 작동 시간 간격, 동작 속도, 토출 압력, 이격된 거리 등에 의해 조절될 수 있다.In the above-described embodiment according to FIG. 1, the formation and the range of the first air pressure region 501, the second air pressure region 502, and the third air pressure region 503 are defined in the first discharge unit 20 to the third discharge unit. It can be adjusted by the operating time interval, the operating speed, the discharge pressure, the spaced distance and the like of each injection unit, each drive unit and each discharge pump of 40.

예컨대 기판(10)에 대한 젖음성이 유지되도록 하기 위해서는 제1토출 유닛(20)에 의해 형성된 물막(201)이 마르지 않고 적당한 두께로 유지된 상태에서 제2토출 유닛(30) 및 제3토출 유닛(40)이 동작해야 한다. 따라서 제1토출 유닛(20)의 동작 속도를 가능한 한 제2토출 유닛(30) 및/또는 제3토출 유닛(40)의 동작 속도 이상이 되도록 한다. 이 때 동작 속도란 각 분사 유닛들이 이동하는 속도 및/또는 각 분사 유닛들로부터 매체가 토출되는 속도를 의미한다.For example, in order to maintain the wettability with respect to the substrate 10, the second discharge unit 30 and the third discharge unit 30 may be formed in a state in which the water film 201 formed by the first discharge unit 20 is not dried and maintained at an appropriate thickness. 40) should work. Therefore, the operating speed of the first discharge unit 20 is made to be equal to or higher than the operating speed of the second discharge unit 30 and / or the third discharge unit 40 as much as possible. In this case, the operating speed refers to a speed at which each injection unit moves and / or a speed at which the medium is discharged from each injection unit.

적정 너비의 제3기압 영역(503)의 형성을 위해서는, 도 5에서 볼 수 있듯이, 제2분사 유닛(32)과 제3분사 유닛(42)이 이격 각도(a2)만큼 서로 이격되어 있어야 한다. 제2분사 유닛(32)과 제3분사 유닛(42)은 서로 부채꼴 형태로 이격되어 있다. 만일 제3분사 유닛(42)이 지면에 수직한 방향을 향하도록 배치되어 있을 경우, 상기 이격 각도(a2)는 전술한 분사 각도(a1)와 같은 수 있다. 따라서 상기 이격 각도(a2)는 전술한 분사 각도(a1)와 같이 5 내지 60도의 범위를 이룰 수 있다.In order to form the third pressure region 503 of the appropriate width, as shown in FIG. 5, the second injection unit 32 and the third injection unit 42 should be spaced apart from each other by a separation angle a2. The second injection unit 32 and the third injection unit 42 are spaced apart from each other in a fan shape. If the third injection unit 42 is disposed to face in a direction perpendicular to the ground, the separation angle a2 may be the same as the injection angle a1 described above. Therefore, the separation angle a2 may be in the range of 5 to 60 degrees as in the aforementioned injection angle a1.

상기 제3분사 유닛(42)이 지면에 경사방향으로 약간 정도 기울어진 경우에도 상기 이격 각도(a2)는 분사 각도(a1)보다 작게 되도록 하는 것이 바람직하다. 상기 이격 각도(a2)가 상기 분사 각도(a1)보다 클 경우에는 도 1에서 볼 때, 에어(301)와 처리액(401)의 간격이 너무 넓어지게 되어 처리액(401)을 맞게 되는 기판(10)의 제1부분(101)의 젖음성이 지나치게 떨어지게 되는 문제가 있고, 제3영역(503)이 너무 넓어지게 되는 문제가 생길 수 있다. 따라서 이 경우 상기 이격 각도(a2)는 분사 각도(a1)에서 제3분사 유닛(42)의 수직방향으로부터의 이격된 각도를 뺀 각도가 될 수 있다. Even when the third injection unit 42 is slightly inclined to the ground in an inclined direction, the separation angle a2 may be smaller than the injection angle a1. When the separation angle a2 is larger than the injection angle a1, as shown in FIG. 1, the distance between the air 301 and the processing liquid 401 becomes too wide to meet the processing liquid 401 ( There is a problem that the wettability of the first portion 101 of 10) is too low, and there is a problem that the third region 503 becomes too wide. Therefore, in this case, the separation angle a2 may be an angle obtained by subtracting the separation angle from the vertical direction of the third injection unit 42 from the injection angle a1.

도 5에서는 상기 이격 각도(a2)가 별도의 제2분사 유닛(32)과 제3분사 유닛(42)이 서로 이격된 각도를 도시한 것이나, 제2분사 유닛(32)과 제3분사 유닛(42)이 서로 결합되어 일체의 유닛을 이룰 경우에도 적용된다. 이 때의 이격 각도(a2)란 제2분사 유닛(32) 및 제3분사 유닛(42)의 각 토출구의 토출 방향간의 각도로 정의될 수 있다.In FIG. 5, the separation angle a2 illustrates an angle at which the second injection unit 32 and the third injection unit 42 are separated from each other, but the second injection unit 32 and the third injection unit ( The same applies when 42) is combined with each other to form a unit. In this case, the separation angle a2 may be defined as an angle between the discharge directions of the discharge ports of the second injection unit 32 and the third injection unit 42.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

Claims (13)

기판의 표면에 물을 제공하는 단계;
상기 기판의 표면에서 물을 제거해, 상기 기판의 제1부분을 노출시키는 단계;
상기 기판의 표면에 처리액을 제공하는 단계;
상기 기판의 표면에 제1기압 영역을 형성하는 단계;
상기 기판의 표면에 제2기압 영역을 형성하는 단계; 및
상기 제1기압 영역 및 제2기압 영역의 사이에 상기 제1기압 및 제2기압보다 낮은 제3기압 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.Providing water to the surface of the substrate;
Removing water from the surface of the substrate to expose the first portion of the substrate;
Providing a treatment liquid to a surface of the substrate;
Forming a first atmospheric pressure region on a surface of the substrate;
Forming a second pressure region on a surface of the substrate; And
And forming a third air pressure region lower than the first air pressure and the second air pressure between the first air pressure region and the second air pressure region. 제1항에 있어서,
상기 제1기압 영역은 제거되는 상기 물의 가장자리 위에 위치하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
And the first atmospheric pressure region is positioned over an edge of the water to be removed. 제1항에 있어서,
상기 제2기압 영역은 상기 제1부분 위에 위치하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
And the second atmospheric pressure region is located above the first portion. 제1항에 있어서,
상기 제3기압 영역은 상기 물과 상기 기판의 경계 영역을 포함하는 제2부분 위에 위치하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
And the third atmospheric pressure region is positioned over a second portion including a boundary region of the water and the substrate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 상기 제2기압 영역으로 제공되는 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the processing liquid is provided to the second atmospheric pressure region. 제5항에 있어서,
상기 제3기압 영역은 상기 제2기압 영역과 인접하게 위치하는 기판 처리 방법.The method of claim 5,
And the third atmospheric pressure region is adjacent to the second atmospheric pressure region. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 제1부분을 노출시키는 단계는, 상기 기판의 표면으로 에어를 분사하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Exposing the first portion of the substrate comprises spraying air onto a surface of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 에어를 분사하는 단계는 수직방향으로부터 5 내지 60도의 각도로 진행되는 기판 처리 방법.The method of claim 7, wherein
And spraying the air is performed at an angle of 5 to 60 degrees from the vertical direction. 기판의 일단으로부터 타단을 향해 직선방향으로 이동하면서 기판의 면 방향으로 물을 제공하는 제1토출 유닛;
기판의 일단으로부터 타단을 향해 직선방향으로 이동하면서 상기 기판의 면 방향으로 에어를 제공하고, 상기 기판의 표면에 제1기압 영역을 형성하는 제2토출 유닛; 및
기판의 일단으로부터 타단을 향해 직선방향으로 이동하면서 상기 기판의 면 방향으로 처리액을 제공하고, 상기 기판의 표면에 제2기압 영역을 제공하는 제3토출 유닛;을 포함하고,
상기 제2토출 유닛은 상기 제3토출 유닛에 비해 상기 이동 방향의 전단에 위치하고, 상기 제1기압 영역 및 제2기압 영역의 사이에 상기 제1기압 및 제2기압보다 낮은 제3기압 영역을 형성하는 기판 처리 장치.A first discharge unit for providing water in a plane direction of the substrate while moving in a linear direction from one end of the substrate to the other end;
A second discharge unit for providing air in a plane direction of the substrate while moving in a linear direction from one end of the substrate to the other end, and forming a first atmospheric pressure region on the surface of the substrate; And
And a third discharge unit which provides a processing liquid in a plane direction of the substrate while moving in a linear direction from one end of the substrate to the other end and provides a second pressure region on the surface of the substrate.
The second discharge unit is located at the front end of the movement direction compared to the third discharge unit, and forms a third air pressure region lower than the first air pressure and the second air pressure between the first air pressure region and the second air pressure region. Substrate processing apparatus. 제9항에 있어서,
상기 제3기압 영역은 상기 제2토출 유닛과 상기 제3토출 유닛의 이격 각도에 의해 조절되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
And the third atmospheric pressure region is controlled by a separation angle between the second discharge unit and the third discharge unit. 제9항에 있어서,
상기 제3토출 유닛은 상기 기판의 표면에 수직인 방향으로 상기 처리액을 토출하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
And the third discharging unit discharges the processing liquid in a direction perpendicular to the surface of the substrate. 제9항에 있어서,
상기 제2토출 유닛은 상기 제3토출 유닛과 5 내지 60도의 각도를 이루는 방향으로 상기 에어를 토출하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
And the second discharge unit discharges the air in a direction forming an angle of 5 to 60 degrees with the third discharge unit. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2토출 유닛과 상기 제3토출 유닛은 서로 연동하여 구동되도록 구비된 기판 처리 장치.13. The method according to any one of claims 9 to 12,
And the second discharge unit and the third discharge unit are driven to interlock with each other.
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