KR101471767B1 - 반도체 소자 몰딩 장치 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- -1 regions Substances 0.000 description 1
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- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/12—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels
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Abstract
반도체 소자 몰딩 장치에 있어서, 상기 장치는 기판 상에 탑재된 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 상부 캐버티를 갖는 상형과 상기 기판을 지지하는 하형을 포함한다. 상기 하형은 상기 기판을 지지하는 상부면을 갖는 하부 캐버티 블록과, 상기 하부 캐버티 블록 아래에 배치되는 서포트 블록과, 상기 서포트 블록 아래에 배치되는 베이스 블록, 및 상기 베이스 블록 상에서 상기 서포트 블록 또는 상기 하부 캐버티 블록을 지지하되 상기 기판의 두께 편차에 따라 서로 다른 높이를 갖는 복수의 지지부재들을 포함한다. 따라서, 상기 기판의 두께 편차가 상기 지지부재들에 의해 보상될 수 있으므로 상기 반도체 소자들의 몰딩 공정에서 몰딩 수지의 누설이 충분히 방지될 수 있다.
Description
본 발명의 실시예들은 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판 상에 탑재된 반도체 소자들을 몰딩 수지를 이용하여 반도체 패키지들로 성형하기 위한 반도체 소자 몰딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자들에 대한 몰딩 공정은 금형 내에 상기 반도체 소자들이 탑재된 기판을 배치하고 캐버티 내부로 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 주입함으로써 이루어질 수 있다. 상기 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치는 상기 캐버티 내부로 용융된 수지 또는 액상 수지를 주입하는 트랜스퍼 몰딩 방식과, 상기 캐버티 내부에 분말 형태의 몰딩 수지, 용융된 수지 또는 액상 수지를 공급하고 상형과 하형 사이에서 상기 몰딩 수지를 압축하여 성형하는 컴프레션 몰딩 방식의 장치로 구분될 수 있다.
상기 트랜스퍼 몰딩 장치의 일 예로서 대한민국 특허공개 제10-2001-0041616호 및 제10-2006-0042228호 등에는 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 상형과 하형 등을 포함하는 트랜스퍼 몰딩 장치들이 개시되어 있다.
상기 몰딩 장치는 기판을 지지하는 하형과 상기 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 상부 캐버티가 구비되는 상형을 구비할 수 있다. 특히, 상기 하형은 상기 기판을 지지하는 하부 캐버티 블록, 상기 몰딩 수지를 공급하기 위한 포트 블록, 상기 하부 캐버티 블록의 일측에 배치되는 벤트 블록 등을 포함할 수 있으며, 상기 기판이 상기 하부 캐버티 상에 위치된 후 상기 포트 블록을 통해 상기 상부 캐버티 내부로 몰딩 수지가 공급될 수 있다.
상기 상형은 상기 상부 캐버티를 구비하는 상부 캐버티 블록과 상기 상부 캐버티 블록의 일측에 위치되는 컬 블록 등을 포함할 수 있다. 상기 컬 블록은 상기 포트 블록 상부에 위치될 수 있으며, 상기 컬 블록에 대향하는 상기 상형의 타측 부위에는 상기 상부 캐버티로부터 공기를 제거하기 위한 배기구(air vent)가 구비될 수 있다. 또한, 상기 하형의 벤트 블록에는 상기 배기구와 연결되는 배기용 진공홀들이 구비될 수 있다.
한편, 상기 기판의 두께 편차가 발생되는 경우, 예를 들면, 상기 기판의 일측 두께와 타측 두께 사이에 미세한 차이가 발생되는 경우 상기 상부 캐버티로 주입된 몰딩 수지가 상기 상형과 기판 사이에서 외측으로 누설될 수 있으며 이에 의해 상기 배기용 진공홀들이 상기 몰딩 수지로 막히는 문제점이 발생될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판의 두께 편차에 대응할 수 있는 반도체 소자 몰딩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 상에 탑재된 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 상부 캐버티를 갖는 상형과 상기 기판을 지지하는 하형을 포함하는 반도체 소자 몰딩 장치에 있어서, 상기 하형은, 상기 기판을 지지하는 상부면을 갖는 하부 캐버티 블록과, 상기 하부 캐버티 블록 아래에 배치되는 서포트 블록과, 상기 서포트 블록 아래에 배치되는 베이스 블록, 및 상기 베이스 블록 상에서 상기 서포트 블록 또는 상기 하부 캐버티 블록을 지지하되 상기 기판의 두께 편차에 따라 서로 다른 높이를 갖는 복수의 지지부재들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 서포트 블록에는 복수의 관통홀들이 구비될 수 있으며, 상기 지지부재들은 상기 관통홀들 내에 삽입되어 상기 하부 캐버티 블록을 지지하는 기둥 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부재들은 상기 하부 캐버티 블록에 나사 결합 방식으로 결합될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 서포트 블록의 하부에는 복수의 홈들이 구비될 수 있으며, 상기 지지부재들은 상기 홈들 내에 삽입되어 상기 서포트 블록을 지지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 지지부재들에는 단차를 갖는 관통홀들이 각각 구비될 수 있으며, 상기 지지부재들은 각각 상기 관통홀들을 통해 상기 서포트 블록에 결합되는 볼트들에 의해 상기 서포트 블록에 결합될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 하부 캐버티 블록에는 상기 기판을 흡착하기 위한 제1 진공홀들이 구비될 수 있고, 상기 서포트 블록에는 상기 제1 진공홀들과 연결되는 적어도 하나의 제2 진공홀이 구비될 수 있으며, 상기 서포트 블록과 상기 베이스 블록 사이에는 상기 제2 진공홀을 감싸는 밀봉 부재가 개재될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 제2 진공홀의 하부에는 상기 밀봉 부재가 하방으로 일부 돌출되도록 삽입되는 단차 구조가 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 서포트 블록의 상부면에는 상기 제1 및 2 진공홀들과 연통되는 진공 채널들이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 하형은, 상기 하부 캐버티 블록의 일측에 배치되어 상기 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 몰딩 수지를 제공하는 포트 블록과, 상기 하부 캐버티 블록의 타측에 배치되어 상기 상부 캐버티 내부의 공기를 제거하기 위한 배기용 진공홀들이 형성된 벤트 블록과, 상기 하부 캐버티 블록과 서포트 블록 및 베이스 블록을 상기 포트 블록과 상기 벤트 블록 사이에서 수직 방향으로 이동시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 하부 캐버티 블록과 인접하는 상기 포트 블록과 상기 벤트 블록의 측면들에는 수평 방향으로 연장하는 가이드 슬롯이 각각 구비될 수 있으며, 상기 기판은 상기 가이드 슬롯들을 따라 수평 방향으로 로드 및 언로드될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 복수의 반도체 소자들이 탑재된 기판을 지지하는 하부 캐버티 블록은 상기 기판의 두께 편차에 따라 서로 다른 높이를 갖는 복수의 지지부재들에 의해 지지될 수 있으며, 이에 의해 상기 기판이 상형에 충분히 밀착될 수 있다.
결과적으로, 상기 기판의 두께 편차가 상기 지지부재들에 의해 충분히 보상될 수 있으므로 상기 반도체 소자들에 대한 몰딩 공정에서 몰딩 수지의 누설이 충분히 방지될 수 있으며, 이에 따라 상기 몰딩 수지 누설에 따른 보수에 소요되는 시간과 비용이 크게 감소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 하부 캐버티 블록과 서포트 블록 및 지지부재들을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 하부 캐버티 블록을 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 서포트 블록을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 지지부재들의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 하부 캐버티 블록과 서포트 블록 및 지지부재들을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 하부 캐버티 블록을 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 서포트 블록을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 지지부재들의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치(100)는 기판(10) 상에 탑재된 반도체 소자들(20)을 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지(30)로 몰딩하여 반도체 패키지들을 제조하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 몰딩 장치(100)는 상기 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 금형을 포함할 수 있으며, 상기 금형은 상기 기판(10)을 지지하는 하형(200)과 상기 반도체 소자들(20)을 몰딩하기 위한 상부 캐버티(302)를 구비하는 상형(300)을 포함할 수 있다.
상기 상형(300)은 상부 체이스 블록(310)과 상기 상부 체이스 블록(310) 아래에 장착되는 상부 캐버티 블록(320)과 컬 블록(330) 및 상부 가이드 블록(340)을 포함할 수 있다. 상기 상부 캐버티(302)는 상기 상부 캐버티 블록(320)과 상기 컬 블록(330) 및 상기 상부 가이드 블록(340)에 의해 한정될 수 있다. 그러나, 상기 상형(300)의 구조는 다양하게 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다. 예를 들면, 상기 상부 캐버티 블록(320)과 컬 블록(330) 및/또는 상기 상부 가이드 블록(340)은 일체로 구성될 수도 있다.
상기 하형(200)은 상기 기판(10)을 지지하기 위한 하부 캐버티 블록(210)과 상기 하부 캐버티 블록(210) 아래에 배치되는 서포트 블록(220) 및 상기 서포트 블록(220) 아래에 배치되는 베이스 블록(230)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 하형은 상기 하부 캐버티 블록(210)과 상기 서포트 블록(220)의 양측에 각각 배치되는 포트 블록(240)과 벤트 블록(250)을 포함할 수 있다.
상기 포트 블록(240)은 상기 반도체 소자들(20)을 몰딩하기 위한 몰딩 수지(30)를 공급하는 복수의 포트들을 구비하며, 상기 포트들 내부에는 상기 몰딩 수지를 공급하기 위한 플런저들(242)이 배치될 수 있다.
한편, 상기 포트 블록(240)의 상부에 상기 컬 블록(330)이 배치되며, 상기 포트 블록(240)과 상기 컬 블록(330)의 양측에 각각 상형(300)과 하형(200)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 몰딩 장치(100)는 상기 포트 블록(240)과 컬 블록(330)을 공유하는 두 개의 금형으로 구성될 수 있다. 그러나, 이러한 구성은 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상기 상부 가이드 블록(340)에는 상기 반도체 소자들(20)에 대한 몰딩 공정을 수행하는 동안 상기 상부 캐버티(302) 내부로부터 공기를 제거하기 위하여 상기 상부 캐버티(302)와 연결되는 배기구(342)가 구비될 수 있으며, 상기 벤트 블록(250)에는 상기 배기구(342)와 연통되는 배기용 진공홀들(252)이 구비될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 하부 캐버티 블록과 서포트 블록 및 지지부재들을 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 하부 캐버티 블록을 설명하기 위한 개략적인 저면도이며, 도 4는 도 1에 도시된 서포트 블록을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 블록(230) 상에는 상기 하부 캐버티 블록(210)을 지지하기 위한 복수의 지지부재들(260)이 배치될 수 있다. 상기 서포트 블록(220)에는 복수의 관통홀들(222)이 구비될 수 있으며, 상기 지지부재들(260)은 상기 관통홀들(222)에 삽입되어 상기 하부 캐버티 블록(210)을 지지하는 기둥 형태를 가질 수 있다.
상기 관통홀들(222)은 상기 서포트 블록(220)의 가장자리 부위를 따라 배치될 수 있으며 상기 지지부재들(260)은 상기 기판(10)의 두께 편차에 따라 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 일 예로서, 상기 기판(10)의 일측이 타측보다 두께가 얇은 경우 상기 두께가 얇은 타측에 대응하기 위하여 상기 지지부재들(260) 중 일부의 높이가 나머지보다 높게 구성될 수 있다.
특히, 상기 지지부재들(260)은 서로 높이가 다른 여러 종류가 미리 준비될 수 있으며, 상기 기판(10)의 두께 편차에 따라 선택적으로 사용될 수 있다. 일 예로서, 상기 지지부재들(260) 중 일부의 높이는 나머지보다 약 0.01mm 내지 0.02mm 정도 더 높게 구성될 수 있으며 이에 의해 상기 기판(10)의 두께 편차가 보상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지지부재들(260)은 상기 서포트 블록(220)의 관통홀들(222)에 삽입되며 상기 하부 캐버티 블록(210)에 나사 결합 방식으로 결합될 수 있다. 이를 위하여 상기 하부 캐버티 블록(210)의 저면에는 상기 지지부재들(260)에 대응하는 복수의 나사공들(212)이 마련될 수 있다.
한편, 상기 하부 캐버티 블록(210)에는 상기 기판(10)을 흡착하기 위한 복수의 제1 진공홀들(214)이 구비될 수 있으며, 상기 서포트 블록(220)에는 상기 제1 진공홀들(214)과 연결되는 적어도 하나의 제2 진공홀(224)이 구비될 수 있다. 도시된 바에 의하면, 두 개의 제2 진공홀들(224)이 상기 서포트 블록(220)에 마련되고 있으나, 상기 제1 및 제2 진공홀들(214,224)의 개수는 다양하게 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상기 서포트 블록(220)의 상부면에는 상기 제1 및 제2 진공홀들(214,224)을 서로 연결하는 진공 채널들(226)이 구비될 수 있다. 그러나, 이와 다르게 상기 진공 채널들(226)은 상기 하부 캐버티 블록(210)의 하부면에 구비될 수도 있다.
또한, 상기 베이스 블록(230)에는 상기 제2 진공홀들(224)과 연결되는 제3 진공홀들(232)이 구비될 수 있으며, 상기 서포트 블록(220)과 베이스 블록(230) 사이에는 상기 제2 진공홀들(224)을 감싸는 밀봉 부재들(228)이 개재될 수 있다. 일 예로서, 상기 제2 진공홀들(224)의 하부에는 상기 밀봉 부재들(228)이 삽입되는 단차 구조가 형성될 수 있다. 이때, 상기 지지부재들(260)의 높이 차이에 의해 상기 서포트 블록(220)과 베이스 블록(230) 사이에는 소정의 갭이 형성될 수 있으므로 진공 누설을 방지하기 위하여 상기 밀봉 부재들(228)은 하방으로 일부 돌출되도록 상기 제2 진공홀들(224)의 하부 단차 구조에 삽입될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 몰딩 장치(100)는 상기 하부 캐버티 블록(210)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 구동부(280)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 구동부(280)는 상기 베이스 블록(230) 아래에 배치될 수 있으며 상기 포트 블록(240)과 벤트 블록(250) 사이에서 상기 하부 캐버티 블록(210)과 상기 서포트 블록(220) 및 상기 베이스 블록(230)을 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.
상기 구동부(280)는 공압 또는 유압 실린더를 포함할 수 있으며, 이 밖에도 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 구성될 수도 있다.
한편, 상기 하부 캐버티 블록(210)과 인접하는 상기 포트 블록(240)과 상기 벤트 블록(250)의 측면들에는 각각 가이드 슬롯(244,254)이 구비될 수 있으며, 상기 기판(10)은 상기 포트 블록(240)과 벤트 블록(250)의 가이드 슬롯들(244,254)을 따라 수평 방향으로 로드 및 언로드될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 몰딩 장치(100)는 상기 기판(10)의 로드 및 언로드를 위한 로더(미도시)를 구비할 수 있으며, 상기 로더는 상기 가이드 슬롯들(244,254)을 따라 상기 기판(10)을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 한편, 상기 로더는 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 또는 벨트 구동 기구 등을 이용하여 다양하게 구성될 수 있으므로 이의 구성에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상기 로더에 의해 상기 기판(10)이 상기 상부 캐버티(302) 아래에 위치된 후 상기 하부 캐버티 블록(210)은 상기 구동부(280)에 의해 상승될 수 있으며, 이에 따라 상기 기판(10)은 상기 하부 캐버티 블록(210)에 의해 지지될 수 있으며 또한 상기 하부 캐버티 블록(210)에 의해 상기 상형(300)에 밀착될 수 있다. 이때, 상기 기판(10)의 두께 편차는 상기 지지부재들(260)에 의해 충분히 보상될 수 있으므로 상기 기판(10)이 상기 상형(300)에 충분히 밀착될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 지지부재들의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 베이스 블록(230) 상에는 상기 서포트 블록(220)을 지지하기 위한 복수의 지지부재들(270)이 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 서포트 블록(220)의 하부에는 복수의 홈들이 구비될 수 있으며, 상기 지지부재들(270)은 상기 홈들 내에 삽입되어 상기 서포트 블록(220)을 지지할 수 있다.
일 예로서, 상기 지지부재들(270)에는 단차를 갖는 관통홀들이 각각 구비될 수 있으며, 상기 지지부재들(270)은 상기 관통홀들을 통해 상기 서포트 블록(220)에 결합되는 볼트들(272)에 의해 상기 서포트 블록(220)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 서포트 블록(220)의 홈들 내부에는 상기 볼트들(272)에 대응하는 나사공들이 구비될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 복수의 반도체 소자들(20)이 탑재된 기판(10)을 지지하기 위한 하부 캐버티 블록(210)은 상기 기판(10)의 두께 편차에 따라 서로 다른 높이를 갖는 복수의 지지부재들(260)에 의해 지지될 수 있으며, 이에 의해 상기 기판(10)이 상형(300)에 충분히 밀착될 수 있다.
결과적으로, 상기 기판(10)의 두께 편차가 상기 지지부재들(260)에 의해 충분히 보상될 수 있으므로 상기 반도체 소자들(20)에 대한 몰딩 공정에서 몰딩 수지(30)의 누설이 충분히 방지될 수 있으며, 이에 따라 상기 몰딩 수지(30) 누설에 따른 보수에 소요되는 시간과 비용이 크게 감소될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 20 : 반도체 소자
30 : 몰딩 수지 100 : 반도체 소자 몰딩 장치
200 : 하형 210 : 하부 캐버티 블록
220 : 서포트 블록 230 : 베이스 블록
240 : 포트 블록 250 : 벤트 블록
244,254 : 가이드 슬롯 260,270 : 지지부재
280 : 구동부 300 : 상형
310 : 상부 체이스 블록 320 : 상부 캐버티 블록
330 : 컬 블록 340 : 상부 가이드 블록
30 : 몰딩 수지 100 : 반도체 소자 몰딩 장치
200 : 하형 210 : 하부 캐버티 블록
220 : 서포트 블록 230 : 베이스 블록
240 : 포트 블록 250 : 벤트 블록
244,254 : 가이드 슬롯 260,270 : 지지부재
280 : 구동부 300 : 상형
310 : 상부 체이스 블록 320 : 상부 캐버티 블록
330 : 컬 블록 340 : 상부 가이드 블록
Claims (10)
- 기판 상에 탑재된 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 상부 캐버티를 갖는 상형과 상기 기판을 지지하는 하형을 포함하는 반도체 소자 몰딩 장치에 있어서,
상기 하형은,
상기 기판을 지지하는 상부면을 갖는 하부 캐버티 블록과, 상기 하부 캐버티 블록 아래에 배치되는 서포트 블록과, 상기 서포트 블록 아래에 배치되는 베이스 블록, 및 상기 베이스 블록 상에서 상기 서포트 블록 또는 상기 하부 캐버티 블록을 지지하되 상기 기판의 두께 편차에 따라 서로 다른 높이를 갖는 복수의 지지부재들을 포함하며,
상기 하부 캐버티 블록에는 상기 기판을 흡착하기 위한 제1 진공홀들이 구비되고, 상기 서포트 블록에는 상기 제1 진공홀들과 연결되는 적어도 하나의 제2 진공홀이 구비되며, 상기 서포트 블록과 상기 베이스 블록 사이에는 상기 제2 진공홀을 감싸는 밀봉 부재가 개재되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치. - 제1항에 있어서, 상기 서포트 블록에는 복수의 관통홀들이 구비되며, 상기 지지부재들은 상기 관통홀들 내에 삽입되어 상기 하부 캐버티 블록을 지지하는 기둥 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 지지부재들은 상기 하부 캐버티 블록에 나사 결합 방식으로 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 서포트 블록의 하부에는 복수의 홈들이 구비되며, 상기 지지부재들은 상기 홈들 내에 삽입되어 상기 서포트 블록을 지지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 지지부재들에는 단차를 갖는 관통홀들이 각각 구비되며, 상기 지지부재들은 각각 상기 관통홀들을 통해 상기 서포트 블록에 결합되는 볼트들에 의해 상기 서포트 블록에 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 제2 진공홀의 하부에는 상기 밀봉 부재가 하방으로 일부 돌출되도록 삽입되는 단차 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 서포트 블록의 상부면에는 상기 제1 및 2 진공홀들과 연통되는 진공 채널들이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 하형은,
상기 하부 캐버티 블록의 일측에 배치되어 상기 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 몰딩 수지를 제공하는 포트 블록과,
상기 하부 캐버티 블록의 타측에 배치되어 상기 상부 캐버티 내부의 공기를 제거하기 위한 배기용 진공홀들이 형성된 벤트 블록과,
상기 하부 캐버티 블록과 서포트 블록 및 베이스 블록을 상기 포트 블록과 상기 벤트 블록 사이에서 수직 방향으로 이동시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치. - 제9항에 있어서, 상기 하부 캐버티 블록과 인접하는 상기 포트 블록과 상기 벤트 블록의 측면들에는 수평 방향으로 연장하는 가이드 슬롯이 각각 구비되며, 상기 기판은 상기 가이드 슬롯을 따라 수평 방향으로 로드 및 언로드되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130068815A KR101471767B1 (ko) | 2013-06-17 | 2013-06-17 | 반도체 소자 몰딩 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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KR101471767B1 true KR101471767B1 (ko) | 2014-12-10 |
Family
ID=52678557
Family Applications (1)
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KR1020130068815A KR101471767B1 (ko) | 2013-06-17 | 2013-06-17 | 반도체 소자 몰딩 장치 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR101471767B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980022349A (ko) * | 1996-09-21 | 1998-07-06 | 황인길 | Bga 반도체패키지용 패키지 성형금형의 pcb 클램프 |
JP2001179782A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Daiichi Seiko Kk | 樹脂封止用金型装置 |
KR100325822B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2002-02-27 | 곽 노 권 | 반도체 팩키지의 리드걸폼 성형장치 |
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-
2013
- 2013-06-17 KR KR1020130068815A patent/KR101471767B1/ko active IP Right Grant
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