KR20130006380U - 반도체 소자 몰딩 장치 - Google Patents

반도체 소자 몰딩 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130006380U
KR20130006380U KR2020120003423U KR20120003423U KR20130006380U KR 20130006380 U KR20130006380 U KR 20130006380U KR 2020120003423 U KR2020120003423 U KR 2020120003423U KR 20120003423 U KR20120003423 U KR 20120003423U KR 20130006380 U KR20130006380 U KR 20130006380U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cavity
block
molding
chase block
press
Prior art date
Application number
KR2020120003423U
Other languages
English (en)
Inventor
최종호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR2020120003423U priority Critical patent/KR20130006380U/ko
Publication of KR20130006380U publication Critical patent/KR20130006380U/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

하부 프레스의 상부면에 배치된 복수의 하형들과 상부 프레스의 하부면에 배치된 복수의 상형들을 포함하며 복수의 기판들에 대한 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치에 있어서, 각각의 하형들은 하부 체이스 블록과, 상기 하부 체이스 블록 상에서 탄성적으로 장착되며 상기 기판들 각각에 장착된 반도체 소자를 몰딩하기 위한 캐버티의 내측면들을 한정하는 캐버티 부재와, 상기 캐버티 부재 내에 배치되어 상기 캐버티의 저면을 한정하는 인서트 부재를 포함하며, 각각의 상형들은 상부 체이스 블록과, 상기 상부 체이스 블록에 탄성적으로 장착되며 상기 각각의 기판들이 파지되는 하부면을 갖는 캐버티 블록을 포함한다. 따라서, 각각의 캐버티들 내에서 압축 성형되는 패키지들 각각에 대한 불량이 크게 감소될 수 있다.

Description

반도체 소자 몰딩 장치{Apparatus for molding semiconductor devices}
본 고안의 실시예들은 반도체 소자들을 몰딩하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판 상에 탑재된 반도체 소자를 몰딩 수지를 이용하여 압축 성형하기 위한 반도체 소자 몰딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자들에 대한 몰딩 공정은 금형 내에 상기 반도체 소자들이 탑재된 기판을 배치하고 캐버티 내부로 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 주입함으로써 이루어질 수 있다. 상기 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치는 상기 캐버티 내부로 용융된 수지 또는 액상 수지를 주입하는 트랜스퍼 몰딩 방식과, 상기 캐버티 내부에 분말 형태의 몰딩 수지, 용융된 수지 또는 액상 수지를 공급하고 상형과 하형 사이에서 상기 몰딩 수지를 압축하여 성형하는 컴프레션 몰딩 방식의 장치로 구분될 수 있다.
상기 컴프레션 몰딩 장치의 일 예로서 본 출원인에 의해 출원되고 공개된 대한민국 특허공개 제10-2010-0013055호 및 제10-2010-0013056호에는 상형과 하형을 포함하는 전자 부품 몰딩 장치가 개시되어 있다. 최근, 상기 컴프레션 몰딩 장치의 생산성을 향상시키기 위하여 하나의 프레스를 사용하여 복수의 금형들을 동작시키는 방법이 사용되고 있다.
그러나, 각각의 금형들 내부로 공급되는 몰딩 수지의 양에서 다소의 차이가 발생될 수 있으며, 이 경우 하나의 프레스를 이용하여 상기 복수의 금형들을 동작시키는 과정에서 몰딩 수지의 누설, 몰드 표면 불량 또는 몰드 두께 편차 등과 같은 문제점들이 발생될 수 있다.
본 고안의 실시예들은 상기와 같이 하나의 프레스를 이용하여 복수의 금형들을 동작시키는 경우 몰딩 수지의 공급량 차이에도 불구하고 공정 에러를 감소시킬 수 있는 반도체 소자 몰딩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 고안의 일 실시예에 따르면, 하부 프레스의 상부면에 배치된 복수의 하형들과 상부 프레스의 하부면에 배치된 복수의 상형들을 포함하며 복수의 기판들에 대한 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치에 있어서, 각각의 하형들은 하부 체이스 블록과, 상기 하부 체이스 블록 상에서 탄성적으로 장착되며 상기 기판들 각각에 장착된 반도체 소자를 몰딩하기 위한 캐버티의 내측면들을 한정하는 캐버티 부재와, 상기 캐버티 부재 내에 배치되어 상기 캐버티의 저면을 한정하는 인서트 부재를 포함할 수 있으며, 각각의 상형들은 상부 체이스 블록과, 상기 상부 체이스 블록에 탄성적으로 장착되며 상기 각각의 기판들이 파지되는 하부면을 갖는 캐버티 블록을 포함할 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 체이스 블록의 하부에는 상기 캐버티 블록을 탄성적으로 지지하기 위한 복수의 상부 스프링들이 장착되는 복수의 홈들이 구비될 수 있으며, 상기 상부 체이스 블록과 상기 캐버티 블록 사이는 상기 캐버티 블록의 탄성적 유동이 가능하도록 소정 간격 이격될 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 체이스 블록과 상기 캐버티 블록 사이에는 밀봉 부재가 개재될 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 따르면, 상기 캐버티 부재는 복수의 하부 스프링들에 의해 탄성적으로 지지될 수 있으며, 상기 상부 스프링들은 상기 하부 스프링들보다 큰 탄성력을 가질 수 있다.
상술한 바와 같은 본 고안의 실시예들에 따르면, 복수의 캐버티들에 서로 다른 양의 몰딩 수지가 공급되는 경우에도 각각의 상부 캐버티 블록들이 상부 스프링들에 의해 각각 수직 방향으로 이동이 가능하므로 상기 몰딩 수지의 공급량 차이가 보상될 수 있다.
결과적으로, 각 캐버티들 내에 공급된 몰딩 수지가 상기 상부 스프링들에 의해 충분히 압축될 수 있으므로 상기 캐버티들 내에서 압축 성형되는 패키지들 각각의 패키지 두께가 전체적으로 균일하게 형성될 수 있으며 또한 패키지들 각각의 표면 불량 등의 공정 오류가 충분히 감소될 수 있다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 반도체 소자 몰딩 장치를 이용하여 반도체 소자들을 몰딩하는 방법을 설명하기 위한 개략도들이다.
이하, 본 고안은 본 고안의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 고안은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 고안이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 고안의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 고안의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 고안을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 고안의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 고안의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 고안의 실시예들은 본 고안의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 고안의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 고안의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 고안의 일 실시예에 따른 반도체 소자 몰딩 장치(100)는 기판(10) 상에 탑재된 반도체 소자(20)를 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지(30)를 이용하여 컴프레션 몰딩 방식으로 성형하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 반도체 소자 몰딩 장치(100)는 하부 프레스(102)와 상부 프레스(104)로 이루어진 프레스 구조물 및 상기 하부 프레스(102) 및 상부 프레스(104)에 의해 동작되는 복수의 금형들을 포함할 수 있다. 도시된 바에 의하면 두 개의 금형들이 상기 하부 프레스(102)와 상부 프레스(104)에 장착되어 있으나, 상기 금형들의 개수는 변경 가능하다. 또한, 도시된 바에 의하면 각각의 기판(10) 상에는 하나의 반도체 소자(20)가 탑재되어 있으나, 이와 다르게 복수의 반도체 소자들이 각각의 기판(10) 상에 탑재될 수도 있다.
상기 금형들은 상기 하부 프레스(102)의 상부면에 배치된 복수의 하형들(110)과 상기 상부 프레스(104)의 하부면에 배치된 복수의 상형들(120)을 포함할 수 있다. 각각의 금형들을 이루는 하형(110)과 상형(120)은 서로 결합되어 상기 반도체 소자(20)를 몰딩하기 위한 캐버티(50)를 형성할 수 있다.
상기 하형(110)은 상기 하부 프레스(102)의 상부면 상에 장착된 하부 체이스 블록(112)과 상기 하부 체이스 블록(112) 상에 장착되어 상기 캐버티(50)의 내측면들을 한정하는 캐버티 부재(114) 및 상기 캐버티 부재(114) 내에 배치되어 상기 캐버티(50)의 저면을 한정하는 인서트 부재(116)를 포함할 수 있다.
상기 캐버티 부재(114)는 대략 사각 링 형태를 가질 수 있으며 몰딩 공정이 수행되는 동안 상기 기판(10)의 가장자리 부위와 밀착될 수 있다. 상기 인서트 부재(116)는 대략 사각 플레이트 형태를 가질 수 있다. 특히, 상기 캐버티 부재(114)는 상기 하부 체이스 블록(112) 상에서 탄성적으로 지지될 수 있다. 상기 하부 체이스 블록(112)에는 복수의 하부 스프링들(118)이 장착되는 복수의 홈들이 구비될 수 있으며 상기 캐버티 부재(114)는 상기 하부 스프링들(118)에 의해 탄성적으로 지지될 수 있다.
상기 상형(120)은 상기 상부 프레스(104)의 하부면에 장착되는 상부 체이스 블록(122)과 상기 상부 체이스 블록(122)에 장착되며 상기 기판(10)이 파지되는 하부면을 갖는 캐버티 블록(124)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 캐버티 블록(124)은 상기 상부 체이스 블록(122)의 하부에 탄성적으로 장착될 수 있다.
예를 들면, 상기 상부 체이스 블록(122)의 하부에는 상부 스프링들(126)이 장착되는 복수의 홈들이 구비될 수 있으며, 상기 캐버티 블록(124)은 상기 상부 스프링들(126)에 의해 탄성적으로 지지될 수 있다. 이때, 상기 상부 체이스 블록(122)의 하부면과 상기 캐버티 블록(124)의 상부면 사이는 상기 캐버티 블록(124)이 탄성적으로 유동이 가능하도록 즉 수직 방향으로 탄성적인 이동이 가능하도록 소정 간격 이격될 수 있다.
한편, 상기 캐버티 블록(124)에는 상기 기판(10)을 파지하기 위한 복수의 진공홀들(128)이 구비될 수 있다. 상기 진공홀들(128)은 상기 상부 체이스 블록(122) 내에 구비된 진공 라인과 연결될 수 있으며 상기 진공 라인은 외부의 진공 시스템(미도시)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 캐버티 블록(124)의 양측에는 상기 기판(10)을 파지하기 위한 클램프들(130)이 배치될 수 있다.
도시된 바에 의하면, 상기 진공 라인이 상기 상부 체이스 블록(122)과 상기 상부 프레스(104)를 통하여 상기 진공 시스템과 연결되고 있으나, 상기 진공 라인의 배치 관계는 다양하게 변경될 수 있으므로 이에 의해 본 고안의 범위가 제한되지는 않을 것이다.
상기 상부 체이스 블록(122)과 상기 캐버티 블록(124) 사이에는 진공 누설을 방지하기 위한 밀봉 부재(132)가 개재될 수 있다. 예를 들면, 상기 캐버티 블록(124)의 상부면에는 상기 밀봉 부재(132)를 장착하기 위한 그루브가 구비될 수 있으며, 상기 그루브 내에는 오링과 같은 밀봉 부재(132)가 삽입될 수 있다. 이때, 상기 밀봉 부재(132)는 상기 상부 스프링들(126) 주위를 감싸도록 배치될 수 있으며 또한 상기 상부 체이스 블록(122)의 하부면에 밀착되도록 다소 돌출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기한 바에 의하면, 상기 밀봉 부재(132)가 상기 캐버티 블록(124)의 상부면에 구비되고 있으나, 이와 다르게 상기 밀봉 부재(132)는 상기 상부 체이스 블록(122)의 하부면에 구비될 수도 있다. 또한, 상기 오링 이외에도 다양한 형태의 패킹들이 상기 밀봉 부재(132)로서 사용될 수도 있다.
한편, 도시되지는 않았으나, 상기 캐버티(50)의 내측면들 및 저면에는 상기 반도체 소자(20)에 대한 몰딩 공정이 완료된 후 상기 몰딩된 반도체 소자를 분리하기 위한 이형 필름(미도시)이 도포될 수 있다. 예를 들면, 상기 이형 필름은 상기 하부 프레스(102) 및 상부 프레스(104)의 양측에 각각 배치된 공급 롤러(미도시)와 권취 롤러(미도시)에 의해 상기 하형(110) 상으로 제공될 수 있다.
상기와 같이 제공된 이형 필름은 중간형 또는 별도의 클램프 기구를 이용하여 상기 캐버티 부재(114)의 상부면에 밀착될 수 있으며, 또한 상기 캐버티(50) 내측에 제공되는 진공에 의해 상기 캐버티(50)의 내측면들 및 저면에 밀착될 수 있다. 상기와 같은 이형 필름의 사용에 관하여는 본 출원인에 의해 출원되고 공개된 대한민국 특허공개 제10-2010-0013055호 및 제10-2010-0013056호 등에 개시되어 있으므로 이에 대한 추가적인 설명은 생략하기로 한다.
도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 반도체 소자 몰딩 장치를 이용하여 반도체 소자들을 몰딩하는 방법을 설명하기 위한 개략도들이다.
도 2를 참조하면, 각각 반도체 소자(20A,20B)가 탑재된 기판들(10A,10B)이 로더(미도시)에 의해 상기 금형 내부 즉 상기 하형(110A,110B)과 상형(120A,120B) 사이로 로드될 수 있으며, 상기 기판들(10A,10B)은 상기 상형들(120A,120B)의 캐버티 블록들(124A,124B)에 의해 파지될 수 있다. 또한, 상기 하형들(110A,110B)의 캐버티들(50A,50B) 내에는 각각 몰딩 수지(30A,30B)가 공급될 수 있다. 일 예로서, 분말 형태의 에폭시 수지 또는 액상 수지가 상기 캐버티들(50A,50B) 내부로 공급될 수 있다. 상기 몰딩 수지(30A,30B)가 분말 형태로 공급되는 경우 상기 하형들(110A,110B)에는 상기 몰딩 수지(30A,30B)를 용융시키기 위한 히터(미도시)가 구비될 수 있다.
한편, 상기 캐버티들(50A,50B) 내부로 공급되는 몰딩 수지(30A,30B)의 양은 몰딩하고자 하는 반도체 소자(20A,20B)의 부피에 따라 제어될 수 있으나, 각 캐버티(50A,50B)별로 다소의 차이가 발생될 수 있다. 예를 들면, 도시된 바와 같이 제1 캐버티(50A)에 공급된 몰딩 수지(30A)의 양보다 제2 캐버티(50B)에 공급된 몰딩 수지(30B)의 양이 더 작을 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 기판들(10A,10B)이 파지된 상형들(120A,120B)은 상기 상부 프레스(104)에 의해 하강될 수 있으며 이에 의해 상기 기판들(10A,10B) 각각의 가장자리 부위는 상기 하형들(110A,110B)의 캐버티 부재들(114A,114B)에 밀착될 수 있다.
도 4를 참조하면, 계속해서 상기 상부 프레스(104)의 하강에 의해 상기 기판들(10A,10B)에 장착된 반도체 소자들(20A,20B)이 상기 캐버티들(50A,50B) 내부의 몰딩 수지(30A,30B)에 침지될 수 있다. 이때, 제1 기판(10A)의 제1 반도체 소자(20A)는 제1 캐버티(50A)에 공급된 몰딩 수지(30A)에 충분히 침지될 수 있으나, 상기 제2 캐버티(50B)에 공급된 몰딩 수지(30B)의 양이 상기 제1 캐버티(50A)에 공급된 몰딩 수지(30A)의 양보다 작기 때문에 제2 기판(10B)의 제2 반도체 소자(20B)는 제2 캐버티(50B)에 공급된 몰딩 수지(30B)에 충분히 침지되지 않을 수 있다. 이때, 상기 캐버티 부재들(114A,114B)이 먼저 하강될 수 있도록 상기 상부 스프링들(126A,126B)은 상기 하부 스프링들(118A,118B)에 비하여 더 큰 탄성력을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기 하부 스프링들(118A,118B)이 압축됨으로써 상기 제1 기판(10A)의 제1 반도체 소자(20A)는 제1 캐버티(50A)에 공급된 몰딩 수지(30A)에 충분히 침지될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 상부 프레스(104)가 계속해서 하강하면, 상기 제1 캐버티(50A) 내에 공급된 몰딩 수지(30A)가 충분히 압축될 수 있으며, 이에 의해 상기 제1 하부 스프링들(118A)의 압축이 중단되고 상기 제1 상부 스프링들(126A)의 압축이 진행될 수 있다. 그러나, 이와 다르게, 상기 제2 캐버티(50B) 내에 공급된 몰딩 수지(30B)의 경우 충분히 압축되지 않은 상태이므로 제2 하부 스프링들(118B)의 압축이 계속 진행될 수 있다. 계속해서 상기 상부 프레스(104)가 기 설정된 위치까지 하강하면 상기 제2 캐버티(50B) 내에 공급된 몰딩 수지(30B)가 충분히 압축될 수 있으며 이후 상기 제2 상부 스프링들(126B)이 압축될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제1 및 제2 캐버티들(50A,50B) 내에 몰딩 수지(30A,30B)가 서로 다른 양이 공급되는 경우에도 상기 제1 및 제2 상부 스프링들(126A,126B)에 의해 상기 제1 및 제2 캐버티들(50A,50B) 내에 공급된 몰딩 수지(30A,30B)가 모두 충분히 압축될 수 있다. 결과적으로, 상기 제1 및 제2 반도체 소자들(20A,20B) 각각의 패키지 두께가 전체적으로 균일하게 형성될 수 있으며, 또한 패키지 표면 불량 등의 공정 오류가 충분히 감소될 수 있다.
한편, 상기한 바에 의하면 상부 프레스(104)가 하강하는 것으로 설명되었으나, 이와 다르게 하부 프레스(102)가 상승될 수도 있다. 또한, 상기에서는 본 고안의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 실용신안등록청구의 범위에 기재된 본 고안의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 20 : 반도체 소자
30 : 몰딩 수지 40 : 캐버티
100 : 몰딩 장치 102 : 하부 프레스
104 : 상부 프레스 110 : 하형
112 : 하부 체이스 블록 114 : 캐버티 부재
116 : 인서트 부재 118 : 하부 스프링
120 : 상형 122 : 상부 체이스 블록
124 : 캐버티 블록 126 : 상부 스프링
128 : 진공홀 130 : 클램프
132 : 밀봉 부재

Claims (4)

  1. 하부 프레스의 상부면에 배치된 복수의 하형들과 상부 프레스의 하부면에 배치된 복수의 상형들을 포함하며 복수의 기판들에 대한 몰딩 공정을 수행하기 위한 장치에 있어서,
    각각의 하형들은 하부 체이스 블록과, 상기 하부 체이스 블록 상에서 탄성적으로 장착되며 상기 기판들 각각에 장착된 반도체 소자를 몰딩하기 위한 캐버티의 내측면들을 한정하는 캐버티 부재와, 상기 캐버티 부재 내에 배치되어 상기 캐버티의 저면을 한정하는 인서트 부재를 포함하며,
    각각의 상형들은 상부 체이스 블록과, 상기 상부 체이스 블록에 탄성적으로 장착되며 상기 각각의 기판들이 파지되는 하부면을 갖는 캐버티 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부 체이스 블록의 하부에는 상기 캐버티 블록을 탄성적으로 지지하기 위한 복수의 상부 스프링들이 장착되는 복수의 홈들이 구비되며, 상기 상부 체이스 블록과 상기 캐버티 블록 사이는 상기 캐버티 블록의 탄성적 유동이 가능하도록 소정 간격 이격되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 상부 체이스 블록과 상기 캐버티 블록 사이에는 밀봉 부재가 개재되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 캐버티 부재는 복수의 하부 스프링들에 의해 탄성적으로 지지되며, 상기 상부 스프링들은 상기 하부 스프링들보다 큰 탄성력을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 몰딩 장치.
KR2020120003423U 2012-04-26 2012-04-26 반도체 소자 몰딩 장치 KR20130006380U (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020120003423U KR20130006380U (ko) 2012-04-26 2012-04-26 반도체 소자 몰딩 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020120003423U KR20130006380U (ko) 2012-04-26 2012-04-26 반도체 소자 몰딩 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130006380U true KR20130006380U (ko) 2013-11-05

Family

ID=52433968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020120003423U KR20130006380U (ko) 2012-04-26 2012-04-26 반도체 소자 몰딩 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130006380U (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023033252A1 (en) * 2021-09-06 2023-03-09 Bmc Co., Ltd. Apparatus for manufacturing rotor core
WO2023033253A1 (en) * 2021-09-06 2023-03-09 Bmc Co., Ltd. Apparatus for resin molding magnet of rotor core

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023033252A1 (en) * 2021-09-06 2023-03-09 Bmc Co., Ltd. Apparatus for manufacturing rotor core
WO2023033253A1 (en) * 2021-09-06 2023-03-09 Bmc Co., Ltd. Apparatus for resin molding magnet of rotor core

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101832597B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
TWI620641B (zh) 樹脂成形裝置及樹脂成形品製造方法
JP5817044B2 (ja) 樹脂封止装置および樹脂封止方法
CN109382967A (zh) 搬运机构、树脂成型装置、成型对象物向成型模的交接方法及树脂成型品的制造方法
KR20170134210A (ko) 수지 씰링품 제조 방법 및 수지 씰링 장치
KR101419643B1 (ko) 수지밀봉장치 및 수지밀봉방법
JP2020179604A (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
TW201910091A (zh) 樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法
TW201910088A (zh) 樹脂成型品的搬運機構、樹脂成型裝置以及樹脂成型品的製造方法
KR20130006380U (ko) 반도체 소자 몰딩 장치
KR20180015568A (ko) 성형 형, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법
TW201810558A (zh) 將均勻的夾緊壓力施加到襯底上的模塑系統
TWI787417B (zh) 壓縮成形用模具及壓縮成形裝置
KR102202436B1 (ko) 수지 성형 장치, 수지 성형 방법, 및 수지 성형품의 제조 방법
TWI629163B (zh) 沖壓機構、沖壓方法、壓縮成形裝置以及壓縮成形方法
KR20130006459U (ko) 반도체 소자 몰딩 장치
KR101535718B1 (ko) 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
TWI744088B (zh) 樹脂成形品的製造方法以及樹脂成形裝置
KR101515715B1 (ko) 수직형 몰딩 장치
KR101482871B1 (ko) 반도체 소자 몰딩 장치
KR101482866B1 (ko) 반도체 소자 몰딩 장치
KR101471767B1 (ko) 반도체 소자 몰딩 장치
KR101471768B1 (ko) 반도체 소자 몰딩 장치
KR101496033B1 (ko) 웨이퍼 레벨 몰딩 장치
KR101799626B1 (ko) 반도체 소자 몰딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination