KR101464353B1 - 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름, 및 이를 이용한 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이방 도전성 필름용 조성물 및 이방 도전성 필름에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지, 플루오렌계 에폭시 수지, 및 나노 실리카를 포함함으로써 가압착성이 개선된 이방 도전성 필름용 조성물, 및 이를 이용한 이방 도전성 필름에 관한 것이다.

Description

이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름, 및 이를 이용한 반도체 장치{Composition for use of an anisotropic conductive film, an anisotropic conductive film thereof and a semiconductor device using the same}
본 발명은 이방 도전성 필름용 조성물 및 이방 도전성 필름에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지, 에폭시 수지, 및 나노 실리카를 포함함으로써 가압착성이 개선된 이방 도전성 필름용 조성물, 및 이를 이용한 이방 도전성 필름에 관한 것이다.
디스플레이 산업이 대형화 및 박형화되는 추세에 따라 전극 및 회로들 간의 피치(pitch)는 점차 미세화되고 있으며, 이러한 미세 회로 단자들을 접속하기 위한 배선 기구 중의 하나로서 이방 도전성 필름(Anisotropic conductive film, ACF)은 중요한 역할을 수행하고 있다.
이방 도전성 필름은 LCD 모듈에서 LCD 패널, 인쇄회로기판(PCB), 또는 드라이버 IC 회로 등을 패키징하는 접속 재료로 사용된다. LCD 모듈에서 TFT(thin film transistor) 패턴들을 구동시키기 위해서는 다수개의 드라이버 IC가 실장된다. 드라이버 IC를 LCD 패널에 실장하는 방식은 도전성 와이어를 통해 LCD 패널 전극에 드라이버 IC를 접속하는 방식인 와이어 본딩 방식, 베이스 필름을 이용해 LCD 패널상의 전극에 드라이버 IC를 실장하는 방식인 TAB(tape automated bonding) 방식 및 소정의 접착제를 이용해 드라이버 IC를 LCD 패널 상에 직접 실장하는 방식인 COG(chip on glass) 방식 등으로 분류할 수 있다. 이방 도전성 필름은 COG 실장의 접속 재료로서 주목을 받고 있으며, 폴리이미드 기판에 설계된 배선 패턴과 액정 표시 장치의 유리 기판 상에 설계된 ITO(indium tin oxide) 패턴 또는 전자 부품의 리드 등을 전기적으로 접속하는 곳에 사용되고 있다.
드라이버 IC의 수백개의 범프(bump)들은 일반적으로 불균일하게 분포되어 있으며, 구체적으로 입력부의 범프 크기는 크고, 출력부의 범프 크기는 작다. 또한, 드라이버 IC의 양쪽 측면부에는 범프가 없거나 있더라도 소수로 존재한다. 출력부에는 수백개의 범프들이 1열, 2열 또는 3열로 배열되어 있으며 일부에서는 혼재되어 있기도 한다. 따라서, 이방 도전성 필름 접착시 상부에서 압력을 가하게 되면 각 범프들마다 균일하게 압력 전달이 되지 않는다.
종래에 비스페놀 A형(BPA) 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형(BPF) 에폭시 수지와 페녹시 수지 위주의 조성을 갖는 이방 도전성 필름은 경화시 점도가 낮다. 따라서, 압착시 가해지는 압력에 저항력이 약하고, 수지의 오버플로우(overflow)가 지나치게 크며 반응속도가 느려 드라이버 IC가 열 압착시 받게 되는 불균일한 압력 구배를 그대로 받게 된다. 결국, 각 범프들마다 눌러지는 정도의 편차가 발생하고 이에 따라 접속 저항의 편차도 발생하게 되어 접속 신뢰성이 떨어지게 된다는 문제가 있다.
드라이버 IC의 범프의 배열을 균일하게 하고 특히 드라이버 IC의 양쪽 측면부에 압력 균일성을 위해 접속과 상관없는 범프를 배열하는 방법이 있기는 하다. 그러나, 기술 개발의 경향상 드라이버 IC의 두께가 계속해서 낮아지고 있으며, 디스플레이 제품의 액티브 에어리어(Active area) 및 데드 스페이스(dead space)의 축소에 따라 드라이버 IC의 크기도 작아지고 있다. 따라서, 드라이버 IC의 범프의 배열을 개선하는 것보다는 접착성 필름 자체의 물성을 개선시킬 필요성이 더해지고 있다.
한편, 이방 도전성 필름용 조성물의 선행 기술은 다음과 같다.
대한민국 특허 출원 공개 제2011-0019519호는 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물을 개시한다. 그러나, 이 특허는 상기 에폭시 수지의 고온 고습 상태에서 부서지기 쉬운 성질을 보완하여 유연성과 내충격성을 확보코자 하는 것이고 상기 에폭시 수지 외 아크릴 고무계 수지를 포함한다는 점에서 본원 발명과 차이가 있다.
대한민국 특허 출원 공개 제2010-0020029호는 접착제의 경화 후의 물에 대한 접촉각이 90℃ 이상인 것이 특징인 회로 접속용 필름상 접착제를 개시하며, 그 구성으로 페녹시 수지, 에폭시 수지, 고무 성분 및 잠재성 경화제를 개시한다.
대한민국 특허 출원 공개 제2010-0056198호는 아다만탄 유도체의 에폭시 또는 옥세탄 수지 및 열가소성 고분자 수지 등을 포함하는 이방 전도성 필름용 조성물을 개시한다.
상기 선행 기술들 어디에서도 본원 발명의 가압착성 개선을 기술적 해결 과제로 삼고 있지 않으며 또한, 이방 도전성 필름 접착시 발생하는 불균일한 압력 전달의 문제점에 대해 인식하고 있지 않다.
대한민국 출원 공개 제2011-0019519호 대한민국 출원 공개 제2010-0020029호 대한민국 출원 공개 제2010-0056198호
없음
본 발명의 목적은 이방 도전성 필름 접착시 가해지는 압력에 대해 각 범프들마다 균일하게 압력 전달이 되어 가압착성이 개선된 이방 도전성 필름용 조성물 및 필름을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 이방 도전성 필름의 가압착성을 개선하여 60℃ 이상의 가압착 조건에서 점착성이 양호하여 버블 발생이 적으며, 본딩 후 압흔이 균일한 이방 도전성 필름용 조성물 및 필름을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 이방 도전성 필름의 신뢰성 평가 후 접속저항의 증가율을 낮추어 접속 신뢰성을 높인 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 예의노력을 거듭한 결과, 경화 후 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지; 플루오렌계 에폭시 수지; 및 나노 실리카를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물에서 상기 특성들이 충족됨을 밝혀내고 본 발명에 이르게 되었다.
또한, 본 발명은 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지; 및 비점이 50 내지 80℃인 플루오렌계 에폭시 수지를 포함하며, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.1 내지 1:1.5일 때 고점착성을 가진 고접속 신뢰도의 이방 도전성 필름용 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 70℃, 1Mpa, 0.5 초에서의 필 강도(peel strength)가 4MPa 이상인 이방 도전성 필름에 관한 것이다.
본 발명에 따른 이방 도전성 필름용 조성물 및 필름은 이방 도전성 필름 접착시 가해지는 압력에 대해 각 범프들마다 균일하게 압력 전달이 됨으로써 가압착성 및 본딩 후 압흔의 불균일성이 개선된다.
또한, 본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 가압착성이 개선되어 60℃ 이상의 가압착 조건에서 점착성이 양호하여 버블 발생이 적다.
또한, 본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 신뢰성 평가 후 접속저항의 증가율이 낮아 접속 신뢰성이 높다.
도 1a, 1b 및 1c는 순차적으로 가압착성 ○(매우 양호), △(양호) 및 ×(불량) 이미지를 나타내며, 총 3회 측정시 ×가 하나도 없고 ○가 하나 이상일 때 가압착이 가능하다고 판단한다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 일 양태에서 각각 본딩 후 압흔 양호 이미지(○) 및 불량 이미지(×)를 의미한다.
도 3은 본 발명에 있어서 필 강도(peel strength)를 측정하는 방법을 도시한다.
본 발명의 일 양태는 경화 후 유리전이온도(Tg)가 165℃ ~ 250℃인 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지; 비점이 50 내지 80℃이고 분자량이 1000 이하이며 액상인 플루오렌계 에폭시 수지; 및 나노 실리카를 포함하는 이방 도전성 필름용 조성물을 제공한다.
상기한 본 발명의 일 양태에서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 나노 실리카의 중량비가 3:1 내지 6:1일 수 있다. 더욱 바람직한 중량비는 3.5:1 내지 6:1일 수 있다. 상기 중량 범위에서, X, Y, Z 방향으로 범프별 압력이 균일하게 유지되어 이방 도전성 필름의 가압착성이 개선될 수 있다.
상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 반응속도가 빠르나, 열 압착시 점도가 높고, 고 내열성을 유지하여, 드라이버 IC가 열압착시 받게 되는 압력 구배에 저항성이 커서, X, Y 방향으로 범프별 압력을 균일하게 유지시켜 준다. 그러나, 압력이 전달되는 Z-방향으로도 너무 높은 점도를 가져, 드라이버 IC와 Panel 전극 간 수지 배제성이 낮아 전극간 오픈될 가능성이 있다. 나노 사이즈의 실리카를 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 함께 사용하면 Z-축 방향의 수지 배제성을 높일 수 있어 결과적으로 X-Y-Z 축의 압력 불균일성을 해소시킬 수 있다.
상기한 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 나노 실리카의 함량이 많게 되면 Glass 쪽에 tack이 떨어지는 단점이 발생하게 된다. 이에 비점이 50 내지 80℃이고 분자량이 1000 이하이며 액상인 플루오렌계 에폭시 수지를 사용하게 되면 조성물의 초기 점착성을 개선시킬 수 있어 가압착에 문제가 없는 이방 도전성 필름 조성물을 제공할 수 있다.
상기 양태에서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비는 1:0.1 내지 1:1.5이고, 바람직하게는 1:0.14 내지 1:1이다. 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 0.1 미만이면 초기 점착성 개선이라는 소기의 목적을 달성할 수 없고, 1.5를 초과하게 되면 X-Y-Z 축의 압력 불균일이 생길 수 있으며, 이로 인해 접속 신뢰도가 저하될 수 있다.
상기 양태에서, 본 발명의 조성물은 COG(chip on glass) 실장 방식에 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 양태에서, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 전체 조성물의 중량을 기준으로 10 내지 50 중량% 포함될 수 있다.
상기 양태에서, 본 발명에 따른 이방 도전성 필름용 조성물은 이중층 이방성 도전성 필름 조성물의 ACF 층으로 사용될 수 있다.
상기 양태에서, 본 발명에 따른 이방 도전성 필름용 조성물은, 상기 성분들 외에 페녹시 수지, 도전성 입자 및 경화제를 추가로 포함할 수 있으며, 이것들이 포함되는 경우 각각의 함량은 조성물의 전체 중량을 기준으로, 페녹시 수지 15 내지 25 중량%, 도전성 입자 5 내지 30 중량%, 및 경화제 10 내지 20중량% 범위일 수 있다.
상기 양태에서, 본 발명에 따른 이방 도전성 필름용 조성물은 Ball tack으로 측정한 초기 점착성이 20 gf 초과 내지 60 gf 미만, 바람직하게는 20 gf 초과 50 gf 미만의 범위일 수 있다. 상기 점착성은 Probe Tack 테스터기를 사용하여 본원 실시예에 기재된 바와 같은 방법으로 측정한다.
본 발명에 따른 이방 도전성 필름용 조성물은 비점이 50 내지 80℃이고 분자량이 1000 이하이며 액상인 플루오렌계 에폭시 수지를 포함함으로써 상기와 같이 20 초과 내지 60 미만의 초기 점착성 및/또는 70℃, 1MPa, 0.5초에서 5MPa 이상의 필 강도를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 양태는 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지; 및 비점이 50 내지 80℃인 플루오렌계 에폭시 수지를 포함하며, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.1 내지 1:1.5인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.
상기 양태에서, 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 0.1 미만이면 초기 점착성 개선이라는 소기의 목적을 달성할 수 없고, 1.5를 초과하게 되면 X-Y-Z 축의 압력 불균일로 인해 본딩 후 압흔이 불균일하게 되고 이로 인해 접속신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 양태에서, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 플루오렌계 에폭시 수지의 더욱 바람직한 중량비는 1:0.14 내지 1:1이다. 플루오렌계 에폭시 수지의 함량은 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지의 함량과 같거나 이보다 적게 포함되는 것이 바람직하다.
상기 양태에서, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지의 경화 후 유리전이온도(Tg)가 165℃ ~ 250℃이다. 경화 후 유리전이온도가 상기한 범위일 때 FOG(film on glass) 압착시 약 160℃에서 열 전달이 발생하여, ACF에 데미지가 가해져서 신뢰성 저항이 상승하는 것을 막을 수 있고, ACF 가압착 온도가 높지 않아 작업성 불량이 발생하지 않는다. 또한, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지의 30 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 3,000 내지 10,000 Pa.s일 수 있다. 상기 최저 용융 점도는 ARES(advanced rheometric expansion system)에 의한 방법으로 측정될 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 예들 들어, 점탄성 측정기(TA사 RSA III)로 측정할 수 있다.
상기 양태에서, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비를 1:0.1 내지 1:1.5로 포함시킴으로써, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지만을 포함하는 조성물에 비해 가압착시의 초기 점착성을 증가시켜 버블 발생을 줄일 수 있으며, 이로써 60℃ 이상의 가압착 조건에서도 접속신뢰성이 양호한 이방 도전성 필름을 제공할 수 있다. 가압착 공정은 일반적으로 온도가 낮을수록 선호되는데, 그 이유는 고온에서 가압착하게 되면 ACF 조성물이 일부 경화가 일어날 수 있어 본압착시 접착력 등을 훼손할 수 있고 낮은 온도에서 가압착하는 것이 공정의 제어성 등의 면에서 유리하기 때문이다.
상기 양태에 따른 조성물은 본딩 후 압흔이 균일하고, 초기 접속 저항 및 신뢰성 후 저항의 접속 저항 증가율이 5배 이하, 바람직하게는 4배 이하, 더욱 바람직하게는 3.5배 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 본딩 후 압흔의 균일성은 60℃, 1초 동안, 1MPa로 가압착 후, 160℃, 8초 3MPa로 본압착하여 압흔의 균일성 여부를 육안 관찰하여 판별한다. 구체적으로, 도 2a에서와 같이 드라이버 IC의 양쪽 측면부의 압흔이 중앙 부분의 압흔과 동등한 정도로 선명할 때 이를 압흔이 균일하다고 판단하며, 도 2b에서와 같이 드라이버 IC 양쪽 측면부의 압흔이 중앙 부분의 압흔에 비해 흐리거나 불분명할 때 이를 불균일하다고 판단한다.
상기 초기 접속 저항은 필름을 유리기판에 200℃, 60MPa의 조건으로 5초간 열압착시키고, 이의 전기저항을 HIOKI 사의 HIOKI HI-TESTER를 사용하여 1mA의 전류를 인가하여 측정한다. 신뢰성 후 접속 저항은 고온고습(85℃/85%) 환경에 샘플을 투입하여 500시간 방치후 접속저항을 측정한다.
상기 양태에서, 조성물은 나노 실리카를 추가로 포함하며, 이 경우 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 나노 실리카의 중량비는 3:1 내지 6:1일 수 있다. 상기 중량비의 나노 실리카를 포함함으로써 압력이 전달되는 Z-축 방향의 점도를 낮추어 전극간 오픈될 가능성을 제거할 수 있다.
본 발명에서 플루오렌계 에폭시 수지로는 바람직하게 하기 화학식 1의 비스페놀 플루오렌 디아크릴레이트에 글리시딜기를 형성시킨 수지가 사용될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011104503582-pat00001
상기 식에서, R은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 사이클로 알킬기이고, m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n은 각각 독립적으로 2 내지 5의 정수이다.
본 발명의 또 다른 양태는 70℃, 1Mpa, 0.5 초에서의 필 강도(peel strength)가 4MPa 이상인 이방 도전성 필름에 관한 것이다. 본원에서 필 강도는 70℃, 1MPa, 0.5초의 조건으로 가압착시킨 후 당해 압착 부위를 도 3에 도시된 바와 같이 LCD Panel에서 Maximum load: 200kgf, Test speed : 100um/sec의 조건으로 필 강도 측정기(Bond tester Dage Series-4000)를 이용하여 측정한다.
상기 필 강도는 바람직하게 4MPa 이상, 더욱 바람직하게는 5 내지 20 의 범위일 수 있다. 상기 범위 일 경우, 본 압착 시, 밀림 현상 또는 필름이 날라가버리는 현상이 일어나지 않으며, 압착이 잘못 되었을 경우에도 rework이 가능하다.
필 강도가 상기 범위 내에 해당함으로써, 가압착시 요구되는 초기 점착성이 확보됨으로써 가압착 온도 조건, 바람직하게는 60℃ 이상, 특히 바람직하게는 70℃이상에서 버블 발생 없이 가압착이 가능하다.
상기 양태에 따른 필름은 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지, 비점이 50 내지 80℃인 플루오렌계 에폭시 수지, 및 나노 실리카를 포함할 수 있다. 여기서, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.1 내지 1:1.5이고, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 나노 실리카의 중량비가 3:1 내지 6:1일 수 있다.
상기 양태에 따른 필름은 본딩 후 압흔이 균일하고, 초기 접속 저항 및 신뢰성 후 저항의 접속 저항 증가율이 5배 이하, 바람직하게는 4배 이하, 더욱 바람직하게는 3.5배 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 초기 접속 저항은 필름을 유리기판(ITO GLass)에 200℃, 60MPa의 조건으로 5초간 열압착시키고, 이의 전기저항을 HIOKI 사의 HIOKI HI-TESTER를 사용하여 1mA의 전류를 인가하여 측정한다. 신뢰성 후 접속 저항은 고온고습(85℃/85%) 환경에 샘플을 투입하여 500시간 방치후 접속저항을 측정한다.
상기 양태에 따른 필름은 COG(chip on glass) 실장 방식에 적합하게 이용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태는 본원에 기재된 조성물 혹은 본원에 기재된 필름에 의해 형성된 반도체 장치에 관한 것이다.
이하 본 발명에 따른 이방 도전성 필름용 조성물의 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지
상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 2개 이상의 방향족 고리가 연결되어 있거나 융합(fused)되어 있고 상기 방향족 고리에 1개 이상의 에폭시 관능기가 직접적으로 또는 산소, 탄소 또는 황을 포함하는 원자를 통해 연결되어 있는 수지를 의미할 수 있다.
상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지의 유리전이온도(Tg)는 165℃ ~ 250℃의 범위이다. 상기 범위 내에서, FOG(film on glass) 압착시 약 160℃에서 열 전달이 발생하여, ACF에 데미지가 가해져서 신뢰성 저항이 상승하는 것을 막을 수 있고, ACF 가압착 온도가 높지 않아 작업성 불량이 발생하지 않는다.
상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 예를 들면, 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지 및 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다. 바람직하게는 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 1종 이상 포함할 수 있다.
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지의 예로는 2개 이상의 벤젠 고리가 연속적으로 결합된 에폭시 수지를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 일 실시예로서, 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 하기 화학식 2에서 나타난 바와 같이 리지드(rigid) 구조로 나프탈렌 모이어티(moiety)를 갖는 나프탈렌 4관능 에폭시 모노머로부터 경화된 것일 수 있다. 예를 들어, HP4700(대일본 잉크 화학) 등을 사용할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112011104503582-pat00002
2관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 예를 들어 2개 이상의 벤젠 고리가 연속적으로 결합된 에폭시 수지를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 일예로, 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지로는 하기 화학식 3의 구조를 갖는 에폭시 모노머로부터 경화된 것일 수 있다. 예를 들어, 1,6-비스(2,3-에폭시프로폭시)나프탈렌, 1,5-비스(2,3-에폭시프로폭시)나프탈렌 및 2,2'-비스(2,3-에폭시프로폭시)바이나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 에폭시 모노머로부터 경화된 것이다.
[화학식 3]
(Ar)n-Em
상기 식에서, (Ar)n은 벤젠고리의 개수가 n인 폴리사이클릭 방향족 탄화수소를 나타내고, E는 에폭시기, 글리시딜기, 또는 글리시딜옥시기로부터 선택되고, m은 상기 E의 개수로 1-5이다.
바람직하게는 n은 2 또는 4이고, m은 2이다.
폴리사이클릭 방향족 고리를 포함하는 에폭시 수지는 이방 도전성 필름 조성물 중 10 내지 50 중량%, 바람직하게는 20 내지 40중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 열 압착시 압력에 대한 저항력이 강해 압력 불균형이 발생하지 않고, 드라이버 IC와 Panel의 접속이 어려워지는 것을 막을 수 있다.
종래 이방 도전성 필름에서 에폭시 수지로 절연성 접착제로 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 사용하지 않았을 경우에는 접착시 가열 및 가압할 경우 압력 불균형을 초래하여 접촉성에 문제가 발생하였다. 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 열 압착시 점도가 높고, 고 내열성을 유지시켜 드라이버 IC가 열 압착시 받게 되는 불균일한 압력 구배에 저항성을 부여함으로써 접속 신뢰성을 높일 수 있다.
플루오렌계 에폭시 수지
본 발명의 플루오렌계 에폭시 수지의 기본 골격인 플루오렌 유도체는 방향족 디아조알루미늄 화합물과 동 이온의 반응에 의한 아릴라디칼의 생성을 경유하는 방법(Pschorr 반응), 인덴(indene)류와 부타디엔류와의 딜스(Otto Paul Hermann Diels)-알더(Kurt Alder) 반응 등에 의해 제조된 플루오렌을 공기　중에서 산화시켜 얻어지는 플루오레논에 페놀화합물,　메르캅토카르복실산 등의 티올 화합물 및 염산수용액의 공존 하에서 축합　반응시킴으로써 얻어질 수 있다.
바람직하게는 플루오렌계 에폭시 수지로 하기 화학식 1의 비스페놀 플루오렌 디아크릴레이트에 글리시딜기를 형성시킨 수지가 사용될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011104503582-pat00003
상기 식에서, R은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 사이클로 알킬기이고, m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n은 각각 독립적으로 2 내지 5의 정수이다.
본 발명에 사용될 수 있는 플루오렌계 에폭시 수지는 비점이 50 내지 80℃이고 액상인 것이 바람직하다. 여기서, 액상은 상온, 즉, 25℃에서 액체 상태인 것을 의미한다. 비점이 상기 제시된 범위이고 액상인 플루오렌계 에폭시 수지를 사용함으로써, 초기 점착성을 개선시켜 가압착 온도 조건(예를 들어 60℃ 이상)에서의 버블 발생을 줄일 수 있다.
본 발명에서 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비는 1:0.1 내지 1:1.5이고, 바람직하게는 1:0.14 내지 1:1이다. 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 0.1 미만이면 초기 점착성 개선이라는 소기의 목적을 달성할 수 없고, 1.5를 초과하게 되면 X-Y-Z 축의 압력 불균일이 생길 수 있을 뿐만 아니라 경화 후 구조가 너무 딱딱하게 되는 문제가 발생할 수 있다.
상기 플루오렌계 에폭시 수지는, PG-100(BPFG, 오사까가스), EG-210(BPEGF, 오사까가스) 등에서 선택한 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
나노 실리카
본 발명에서 나노 실리카는 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 함께 사용됨으로써 압력이 전달되는 Z-방향의 압력 불균형을 해소하여 드라이버 IC와 Panel 전극 간 수지 배제성이 낮아 전극간 오픈될 가능성을 낮출 수 있다.
나노 실리카의 평균 입경(D50)은 1nm 내지 100nm이고, 원형인 나노실리카가 바람직하다.
나노 실리카는 이방 도전성 필름 조성물의 총 중량을 기준으로 1 내지 15 중량%, 바람직하게는 1 내지 10중량%로 포함될 수 있다.
또한, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 나노 실리카의 중량비는 3:1 내지 6:1일 수 있다. 더욱 바람직한 중량비는 3.5:1 내지 6:1일 수 있다. 상기 중량 범위에서, X, Y, Z 방향으로 범프별 압력이 균일하게 유지되어 이방 도전성 필름의 가압착성이 개선될 수 있다.
페녹시 수지
본 발명에 따른 조성물은 페녹시 수지를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 있어 '페녹시 수지'는 페녹시 모이어티를 포함하는 수지를 의미하는 것으로, 예를 들어, 비스페놀 A계 페녹시 수지를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 상기 페녹시 수지는 본 발명에 따른 이방 도전성 조성물에 있어 매트릭스 역할을 하는 것으로 유리 전이 온도가 낮은 수지를 사용할 수 있다. 페녹시 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 예를 들면 60 내지 80℃일 수 있다.
페녹시 수지는 본 발명에 따른 이방 도전성 필름 조성물의 총 중량을 기준으로 15 내지 25 중량%, 바람직하게는 15 내지 20중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 필름 형성이 쉬어지고, 양호한 신뢰성을 구현할 수 있다.
도전성 입자
본 발명에서 '도전성 입자'는 금속입자를 사용하거나, 유기, 무기 입자 위에 금이나 은 등의 금속으로 코팅한 것을 사용할 수 있다. 또한 과량 사용시의 전기적 절연성을 확보하기 위하여 도전성 입자를 절연화 처리하여 사용할 수 있다.
구체적으로 도전성 입자는 Ni, Pd, Cu, Ag, Al, Ti, Cr, Au 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리비닐알코올 중 선택된 하나 이상의 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Cu, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전성 입자 등을 사용할 수 있다.
도전성 입자의 크기는 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 2 - 50 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 2 내지 30 ㎛ 범위이며, 더욱 바람직하게는 2 내지 6 ㎛ 범위일 수 있다.
도전성 입자는 이방 도전성 필름 조성물의 총 중량을 기준으로 5 내지 30 중량%, 바람직하게는 10-25중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 접속 신뢰성이 우수하며, 쇼트 발생이 일어나지 않는다.
경화제
경화제는 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 경화시킴으로써 이방 도전성 필름을 형성할 수 있는 작용을 할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 상기 경화제로 잠재성 경화제를 사용할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 경화제는 이미다졸계, 이소시아네이트계, 아민계, 아미드계, 페놀계 및 산무수물계로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
경화제는 이방 도전성 필름 조성물의 총 중량을 기준으로 10 내지 20중량%, 바람직하게는 13 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 경화가 충분히 일어날 수 있고 상용성이 좋다.
본 발명의 양태에 따른 이방 도전성 필름용 조성물에는 상기 성분 외에 기본 물성을 저해하지 않으면서 부가적인 물성을 추가하기 위해 중합방지제, 산화방지제, 열안정제, 경화촉진제, 커플링제 등의 기타 첨가제가 추가로 포함될 수 있다. 이들 첨가량은 당업자에게 널리 알려져 있다.
본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지, 플루오렌 에폭시 수지, 페녹시 수지, 나노 실리카, 경화제, 도전성 입자 및 용제를 포함하는 이방 도전성 필름 조성물을 이형 필름 위에 도포하고 건조함으로써 제조될 수 있다. 상기 용제는 폴리사이클릭 방향족 고리를 포함하는 에폭시 수지, 페녹시 수지, 플루오렌 에폭시 수지, 나노 실리카, 경화제 도전성 입자를 균일하게 혼합하여 조성물의 점도를 낮게 함으로써 필름의 제조를 용이하게 하는 작용을 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
실시예 1: 이방 도전성 접착 필름의 제조
(1) 이방 도전성 접착층의 제조
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지(HP4700, 대일본 잉크화학, 유리전이온도 245℃) 35 중량%, 필름 형성을 위한 매트릭스 역할의 바인더 수지로 페녹시 수지(PKHH, Inchemrez사) 20 중량%, 플루오렌계 에폭시 수지(제품명: EG200 제조사: OSAKA GAS) 5중량%, 나노 실리카(R972, 입경 7nm, 데구사), 도전성 입자(AUL-704, 평균 입경 D50: 4㎛, SEKISUI사) 15 중량%, 경화제 15중량%(HX3941HP, 아사히카세이) 및 용제로 PGMEA 100 중량부를 혼합하여 두께 8㎛의 이방 전도성 접착층을 제조하였다.
(2) 비-도전성 접착층의 제조
상기 (1) 이방 도전성 접착층의 제조에서 도전 입자를 제거한 것을 제외하고는 위와 동일하게 실시하여 두께 10㎛의 비-도전성 접착층을 제조하였다.
(3) 이방 도전성 접착 필름의 제조
본 발명의 이방 도전성 접착 필름은 특별한 장치나 설비 없이 용이하게 본 발명의 이방 도전성 접착 조성물을 이용하여 제조할 수 있다.
상기에서 제조한 이방성 도전성 접착층과 비 도전성 접착층을 40℃, 0.2Mpa에서 라미네이팅 공정을 통해 접착하여, 비 도전성 필름 위에 이방성 도전 필름이 적층되어 있는 이중층 이방성 도전 필름 (ACF : 두께 8㎛, NCF : 두께 10㎛)을 제조하였다.
실시예 2
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 30중량%로, 플루오렌계 에폭시 수지를 10 중량%로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 이방 도전성 접착 필름을 제조하였다.
실시예 3
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 20중량%로, 플루오렌계 에폭시 수지를 20 중량%로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 이방 도전성 접착 필름을 제조하였다.
비교예 1
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 40중량%로 하고, 플루오렌계 에폭시 수지를 첨가하지 않는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 이방 도전성 접착 필름을 제조하였다.
비교예 2
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 20중량%로 하고, 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지(제품명: HP4032D, 제조사:DIC )를 추가로 20중량%로 포함하는 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법을 실시하여 이방 도전성 접착 필름을 제조하였다.
비교예 3
4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 15중량%로 하고, 플루오렌계 에폭시 수지를 25 중량%로 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 이방 도전성 접착 필름을 제조하였다.
비교예 4
페녹시 수지를 25 중량%, 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지를 20중량%로 하며, 나노 실리카를 포함하지 않는 것을 제외하고는 상기 비교예 3과 동일한 방법을 실시하여 이방 도전성 접착 필름을 제조하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
페녹시 수지 20 20 20 20 20 20 25
나노 실리카 10 10 10 10 10 10 0
폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지(4관능) 35 30 20 40 20 15 20
폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지(2관능) 0 0 0 0 20 0 0
플루오렌 골격을 갖는 액상 에폭시 수지 5 10 20 0 0 25 25
도전입자 15 15 15 15 15 15 15
경화제 15 15 15 15 15 15 15
Total 100 100 100 100 100 100 100
(단위:함량 중량%)
페녹시 수지: PKHH, Inchemrez사, 미국
나노 실리카: R972, 입경 7nm, 데구사
폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지(4관능): HP4700, 대일본 잉크화학, 유리전이온도 245℃
폴리사이클릭 방향족 고리 함유 에폭시 수지(2관능): 제품명: HP4032D, 회사: 대일본 잉크화학
플루오렌 골격을 갖는 액상 에폭시 수지: 제품명: EG200 , 제조사:OSAKA GAS
도전입자: AUL-704, 평균 입경 D50: 4㎛, SEKISUI사, 일본
경화제: HX3941HP, 마이크로캡슐형, 아사히카세이
용제: 자일렌
실험예 : 점착성, 가압착성 , 본딩 후 압흔 균일성, 접속 저항 및 필 강도 측정
상기 실시예와 비교예에서 제조한 이방 도전성 접착 필름의 점착성, 가압착성, 본딩 후 압흔 균일, 접속 저항 및 필 강도를 아래와 같이 측정하였다.
물성 측정 방법
(1) 점착성(Ball Tack)
점착성은 Probe Tack 테스터기(모델명: TopTack 2000A, 시리얼 번호: CLTT02030305A, Force Accuracy : 0.025%, Speed Range : 0.0001 ~ 15mm/sec, Power Requirements : 220 ~ 240V(AC), 50Hz±15%, 115V 60Hz)를 사용하였으며,
아래와 같은 기기 Set up, 시료 준비 및 시험 조건에서 Ball Tack을 측정하였다:
1. 기기 Set Up
1) 기기 본체에 연결되어 있는 Load Cell, Motor, 전원 케이블을 interface에 연결한다.
2) 기기 본체에 있는 전원코드를 콘센트에 연결하고 기기 후면의 스위치를 ON 시킨다.
3) Sample Plate의 온도를 30℃로 설정한다.
4) Computer를 켜고 tack 프로그램을 실행시킨다.
5) 프로그램상에서 초기 Calibration을 실행한다.
　-　500g 의 추를 사용하여 calibration을 실시한다.
- 시료가 없는 상태에서의 auto-rescaling 작업을 실시한다. (초기화 작업)
2. 측정
2-1. 시료준비
1) 측정할 시료를 준비한다. (냉동보관시료의 경우 상온에서 1시간 이상 방치한다.)
2) 상,하부 Load Cell 을 MEK를 이용하여 세척후 3분정도 건조시킨다 (하중 200gf 를 넘지 않게 주의)
3) 측정기기의 Sample Stage에 적당한 크기의 양면 테이프를 붙인　후, 그 위에 시료를 부착한다.
4) 핀셋을 이용하여 ACF Cover Film 을 벗긴다
2-2. 시험조건설정
1) Pressure Force : 200gf
2) Separation Speed : 0.08mm/sec
3) Dwell Time : 20sec
4) Operating Temp. : 30℃
5) Load cell : 1.0 kg
6) Probe Jig Size : 3/8 inch
(2) 가압착성
이방 도전성 접착 필름의 가압착성을 평가하기 위해, 피접착자재로는 범프면적 1430㎛2 IC 칩(제조원: 삼성 LSI)와 5000Å의 두께를 갖는 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판을(제조원: 네오뷰 코오롱) 사용하였다.
상기 제조한 이방 도전성 접착 필름을 상기 유기 기판에 놓고 각각 40℃, 50℃, 60℃, 70℃ 및 80℃에서, 1초 동안 1MPa로 가압착하였다. 상기 가압착한 후, 이형 필름을 제거하고 현미경(제조사: 올림푸스)으로 단자와 단자간의 버블 유무를 관찰하였다. 압착 부위 중 버블형성의 면적비율에 따라 매우 양호 이미지(○), 양호 이미지(△), 불량 이미지(×)로 평가하였다.
버블 형성이 매우 양호한 경우의 예(○)를 도 1a에, 양호한 경우(△)의 예를 도 1b에, 불량한 경우(×)의 예를 도 1c에 각각 도시하였다. 총 3회 측정시 ×가 하나도 없고 ○가 하나 이상일 때 가압착이 가능하다고 판단한다.
(3) 본딩 후 압흔 균일성
상기 (2)에서 가압착 후 이형 필름을 제거하고 드라이버 IC를 대치시킨 후, 160℃, 8초 3MPa로 본압착하였다. 압흔의 균일성을 육안 관찰하여 판별한다. 구체적으로, 도 2a에서와 같이 드라이버 IC의 양쪽 측면부의 압흔이 중앙 부분의 압흔과 동등한 정도로 선명할 때 이를 압흔이 균일하다고 판단하며, 도 2b에서와 같이 드라이버 IC 양쪽 측면부의 압흔이 중앙 부분의 압흔에 비해 흐리거나 불분명할 때 이를 불균일하다고 판단하였다.
(4) 필 강도(peel strength)
필 강도는 가압착 조건을 70℃, 1MPa, 0.5초로 한 것을 제외하고는 상기 (2)에 기재된 방법으로 가압착하고, 당해 압착 부위를 도 3에 도시된 바와 같이 LCD Panel에서 Maximum load: 200kgf, Test speed : 100um/sec의 조건으로 필 강도 측정기(Bond tester Dage Series-4000)를 이용하여 측정하였다.
(5) 접속 저항(초기 저항 및 신뢰성 후 저항)
피접착자재로는 범프면적 1430㎛2 IC 칩(제조원 기재,삼성 LSI)와 5000Å의 두께를 갖는 인듐틴옥사이드 회로가 있는 유리 기판을(제조원,네오뷰코오롱) 사용하였다. 각각의 피착재 사이에 제조된 필름을 위치시켜 200℃, 60MPa의 조건으로 5초간 열압착시켜 샘플을 제조하였다. 샘플의 전기저항은 HIOKI 사의 HIOKI HI-TESTER를 사용하여 1mA의 전류를 인가하여 측정하였다. 신뢰성 결과는 고온고습(85℃/85%) 환경에 샘플을 투입하여 500시간을 방치한 후, 접속 저항을 측정하였다.
상기 각 물성의 측정 결과를 아래 표 2에 나타내었다.
　 실시예1 실시예2 실시예3 비교예1 비교예2 비교예3 비교예4
점착성 (Ball Tack) 25 36 48 0 3 7 20
가압착성
[>60℃]		 40℃ O△X O△△ OXX XXX XXX XXX XXX
50℃ O△△ OOO XX△ XXX XXX XXX XXX
60℃ OOO OOO O△△ XXX XXX XXX XX△
70℃ OOO OOO OOO XXX XXX XXX O△△
80℃ OOO OOO OOO XXX XXX XXX OOO
본딩 후 압흔 균일성
O : Very Good, △: Good, X : Bad		 OOO OOO OOO OOO OOO OOO O△△
가압착 필강도 [Mpa] 6 5 6 2 3 2 2
초기 접속저항 Ω [<1Ω] 0.44 0.46 0.43 0.45 0.47 0.48 0.58
500Hr 접속저항 Ω [<5Ω] 1.25 1.32 1.33 1.24 1.38 1.48 2.37
상기 표 2로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 이방 도전성 접착 조성물 또는 필름은 본딩 후 압흔의 불균일성이 개선되었을 뿐 아니라 가압착성이 개선되어 60℃ 이상의 가압착 조건에서 점착성이 양호하며 버블 발생이 적다.
또한, 본 발명에 따른 이방 도전성 필름은 필 강도가 4MPa 이상으로 높아 피접착자재에 대한 접착성이 강하고, 이로 인해 신뢰성 평가 조건에서도 접속저항의 증가율이 낮은 접속 신뢰성이 우수하다.

Claims (21)

  1. 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지 및 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지;
    플루오렌계 에폭시 수지;
    나노 실리카; 및 도전 입자를 포함하고,
    상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.1 내지 1:1.5인 이방 도전성 필름용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 경화 후 유리전이온도(Tg)가 165℃ ~ 250℃인 것을 특징으로 하는, 이방 도전성 필름용 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플루오렌계 에폭시 수지는 비점이 50 내지 80℃이고 분자량이 1000 이하인 것을 특징으로 하는, 이방 도전성 필름용 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 나노 실리카의 중량비가 3:1 내지 6:1인 이방 도전성 필름용 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 플루오렌계 에폭시 수지가 하기 화학식 1의 비스페놀 플루오렌 디아크릴레이트에 글리시딜기를 형성시킨 수지인 이방 도전성 필름용 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112011104503582-pat00004

    상기 식에서, R은 각각 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 사이클로 알킬기이고, m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n은 각각 독립적으로 2 내지 5의 정수이다.
  7. 삭제
  8. 제1항 내지 제3항, 제5항 및 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 조성물이 COG(chip on glass) 실장 방식에 사용되는 이방 도전성 필름용 조성물.
  9. 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지; 및
    비점이 50 내지 80℃인 플루오렌계 에폭시 수지를 포함하며,
    상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.1 내지 1:1.5인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름용 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 플루오렌계 에폭시 수지가 25℃에서 액상인 이방 도전성 필름용 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지는 4관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지 및 2관능 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 것인 이방 도전성 필름용 조성물.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.14 내지 1:1인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름용 조성물.
  13. 제9항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 조성물이 나노 실리카를 추가로 포함하며, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 나노 실리카의 중량비가 3:1 내지 6:1인 이방 도전성 필름용 조성물.
  14. 제9항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 조성물의 본딩 후 압흔이 균일한 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름용 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 상기 조성물의 가압착 온도가 60℃ 이상인 것을 추가의 특징으로 하는 이방 도전성 필름용 조성물.
  16. 70℃, 1Mpa, 0.5 초에서의 필 강도(peel strength)가 4MPa 이상이며, 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지, 비점이 50 내지 80℃인 플루오렌계 에폭시 수지, 및 나노 실리카를 포함하는 이방 도전성 필름.
  17. 제16항에 있어서, 상기 필름의 가압착 온도가 60℃를 초과하는 이방 도전성 필름.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 필름의 본딩 후 압흔이 균일한 것을 특징으로 하는 이방 도전성 필름.
  19. 삭제
  20. 제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 플루오렌계 에폭시 수지의 중량비가 1:0.1 내지 1:1.5이고, 상기 폴리사이클릭 방향족 고리함유 에폭시 수지와 상기 나노 실리카의 중량비가 3:1 내지 6:1인 이방 도전성 필름.
  21. 제1항에 기재된 조성물 혹은 제16항에 기재된 필름에 의해 형성된 반도체 장치.
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