KR101462967B1 - Method for preparing flexible metal clad laminate and flexible metal clad laminate prepared from the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 연성 금속박 적층판 제조방법은 고분자 필름 상에 금속 박막을 증착하여 박막층을 형성하고; 상기 박막층이 형성된 고분자 필름을 전기 도금하여 상기 박막층 상에 금속 전도층을 형성하고; 그리고 상기 고분자 필름의 유리전이온도 이상 분해 개시온도 이하에서 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 연성 금속박 적층판 제조방법은 고분자 필름과 금속 전도층의 접착 강도가 우수하고, 고정밀도 및 고주파 용도에 적합하다.The method for fabricating a flexible metal foil laminate of the present invention includes the steps of: depositing a metal thin film on a polymer film to form a thin film layer; Electroplating the polymer film having the thin film layer formed thereon to form a metal conductive layer on the thin film layer; And heating the polymer film at a temperature not lower than the glass transition temperature of the polymer film. The method for producing a flexible metal foil laminate has excellent adhesion strength between the polymer film and the metal conductive layer and is suitable for high precision and high frequency applications.

Description

연성 금속박 적층판의 제조방법 및 이로부터 제조된 연성 금속박 적층판{METHOD FOR PREPARING FLEXIBLE METAL CLAD LAMINATE AND FLEXIBLE METAL CLAD LAMINATE PREPARED FROM THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible metal foil laminates and a flexible metal foil laminates,

본 발명은 연성 금속박 적층판의 제조방법 및 이로부터 제조된 연성 금속박 적층판에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 고분자 필름과 금속 전도층의 접착 강도가 우수하고, 고정밀도 및 고주파 용도에 적합한 연성 금속박 적층판의 제조방법 및 이로부터 제조된 연성 금속박 적층판에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a flexible metal foil laminates and a flexible metal foil laminates produced therefrom. More particularly, the present invention relates to a method for producing a flexible metal foil laminate having excellent adhesion strength between a polymer film and a metal conductive layer and suitable for high-precision and high-frequency applications, and a flexible metal foil laminate produced therefrom.

인쇄 회로 기판(Printed Circuit Borard: PCB, 이하, 배선 기판)은 각종 부품을 접속할 전기 배선을 회로 설계에 따라 배선 도형으로 표현한 것으로 각종 부품을 연결하거나 지지해 주는 역할을 한다. 최근, 전자기기의 고기능화, 고정밀도화, 고성능화에 따라, 이러한 배선 기판의 고기능화가 요구되고 있다. 특히, 휴대 전화, 휴대 음악기기 등의 휴대용 기기, 액정 디스플레이 등의 용도로 사용되는 배선 기판은 유연성이 요구되며, 이에 따라, 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Borard: FPCB, 이하, 플렉서블 기판)의 개발이 활발하게 진행되고 있다.Printed Circuit Bard (PCB) is a wiring diagram that shows the electrical wiring to connect various parts according to the circuit design. It connects and supports various parts. In recent years, as electronic devices have become more sophisticated, more accurate, and have higher performance, it is required to increase the functionality of such wiring boards. Particularly, a flexible printed circuit board (FPCB) (hereinafter referred to as " flexible printed circuit board ") is required for a wiring board used for a portable device such as a cellular phone or a portable music apparatus, Development is progressing actively.

통상적으로 플렉서블 기판의 배선은 라인 스페이스가 35 내지 70 ㎛으로서, 이를 제조하기 위한 기판 기재(원자재)는 고정밀도가 요구되며, 고주파 대응으로 패턴의 미세화에 대응할 수 있어야 하고, 고주파에서 전기 특성을 저하시키지 않아야 하며, 저유전율, 낮은 수분 흡수성 및 요철이 적은 특성 등이 요구된다. 이러한 플렉서블 기판의 원자재로서, 굴곡성이 크고 경박단소화에 유리한 특성을 갖는 연성 동박 적층판(Flexible Copper Clad laminate: FCCL)이 널리 사용되고 있다.Typically, the wiring of the flexible substrate has a line space of 35 to 70 탆. The substrate base material (raw material) for manufacturing the flexible substrate is required to be highly accurate, and must be capable of coping with the miniaturization of the pattern in correspondence with high frequency, , Low dielectric constant, low water absorption, low unevenness, and the like. As a raw material for such a flexible substrate, a flexible copper clad laminate (FCCL) having a large bending property and favorable characteristics for light weight shortening has been widely used.

연성 동박 적층판은 고분자 필름(층)과 금속 전도층을 적층한 것으로 가요성을 갖는 것이 특징이며, 유연성이나 굴곡성이 요구되는 전자기기 또는 전자기기의 소재 부분에 이용되며, 전자기기의 소형화, 경량화에 공헌하고 있다.The flexible copper-clad laminate is a laminate of a polymer film (layer) and a metal conductive layer. The flexible copper-clad laminate is used for a part of electronic equipment or electronic equipment requiring flexibility and flexibility. Contributing.

상기 고분자 필름으로는 폴리이미드 필름이 널리 사용되고 있으나, 고기능화 요구에 따라, 저흡습성, 절연성이 우수한 필름이 개발되고 사용되기 시작하였다. As the polymer film, a polyimide film has been widely used. However, a film having low hygroscopicity and excellent insulation property has been developed and used in accordance with the demand for high functionality.

통상적으로 상기 금속 전도층(동 박막)을 형성하는 방법으로는 접착성을 보장하기 위하여, 스퍼터링(진공 증착) 방식으로 니켈, 크롬 등을 포함하는 구리 박막을 형성한 후, 박막 위에 전기 도금 방식으로 구리 도금층인 금속 전도층을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 상기 방법은 배선 회로 구성을 위한 패턴 에칭 공정에서, 구리 에칭뿐만 아니라 니켈, 크롬 등도 에칭을 해야 하므로, 공정이 추가되는 문제가 있다. 특히, 니켈은 자성 금속이기 때문에 고주파 용도에 지장을 줄 수 있다.As a method of forming the metal conductive layer (copper thin film), a copper thin film including nickel, chromium, or the like is formed by a sputtering (vacuum deposition) method in order to ensure adhesion, and then electroplated A method of forming a metal conductive layer which is a copper plating layer is used. However, in the above method, since not only copper etching but also nickel, chromium, and the like must be etched in a pattern etching process for constituting a wiring circuit, there is a problem that a process is added. In particular, since nickel is a magnetic metal, it may interfere with high frequency applications.

다른 방법으로는 박막층 형성 공정 없이, 스퍼터링 방법만으로 금속 전도층을 형성하는 방법도 제안되고 있다. 그러나, 스퍼터링 방법만으로 금속 전도층의 두께를 약 12 ㎛ 이상 형성하려면 상당한 시간이 필요하므로 실용적이지 못하다.As another method, a method of forming a metal conductive layer by a sputtering method without forming a thin film layer has been proposed. However, it takes a considerable time to form the metal conductive layer with a thickness of about 12 탆 or more by the sputtering method alone, which is not practical.

상기 문제는 무전해 도금법(electroless plating)을 사용하면 어느 정도 해소될 수 있다. 즉, 무전해 도금법은 시간을 단축하여 공정의 효율성을 높일 수 있고, 고분자 필름에 금속 도금층을 직접 형성할 수 있다. 상기 무전해 도금법은 전처리를 통해 고분자 필름 표면에 요철을 형성하고, 이른바 앵커 효과를 통해 도금층을 부착하는 방법이다. 예를 들어, 폴리이미드 필름의 경우, 일반적으로 컨디셔너로 불리는 전처리제를 사용하여 필름 표면에 요철을 형성(표면 조화 처리)한다. 그러나, 고분자 필름 표면의 요철은 고주파 용도에서는 신호의 산란 현상을 일으킬 우려가 있다.This problem can be solved to some extent by using electroless plating. That is, the electroless plating method can shorten the time, increase the efficiency of the process, and can directly form the metal plating layer on the polymer film. The electroless plating method is a method in which irregularities are formed on the surface of the polymer film through a pretreatment, and the plating layer is adhered through the so-called anchor effect. For example, in the case of a polyimide film, unevenness is formed on the film surface (surface roughening treatment) by using a pretreatment agent generally called a conditioner. However, irregularities on the surface of the polymer film may cause signal scattering in high frequency applications.

통상적으로 고분자 필름은 벤젠 고리를 골격으로 한 구조를 가지기 때문에 고주파 기판으로서 높은 절연성을 나타내는 장점이 있으나, 스퍼터 등의 건식법, 도금 등의 습식법 등 어느 방법을 채택하더라도 금속 전도층과의 표면 부착 강도가 저하되는 것을 막기는 어렵다. 특히, 액정 고분자(liquid crystal polymer: LCP)를 이용한 연성 금속박 적층판은 통상적으로 금속박을 고분자 필름에 열로 붙이는 방법으로 제조되므로, LCP는 소재 자체의 절연특성이 우수함에도 불구하고, 금속박의 박막화가 곤란하여 사용 범위가 제한된다는 문제가 있다. 따라서, 고분자 필름을 기재로 사용할 경우에도 쉽게 고분자 필름과 접착 강도가 우수한 금속 전도층을 형성할 수 있는 연성 금속박 적층판의 제조방법이 요구되고 있다.
Generally, a polymer film has a structure having a benzene ring as a skeleton, and thus has a merit of exhibiting high insulating properties as a high frequency substrate. However, even if any method such as a dry method such as sputtering or a wet method such as plating is employed, the surface adhesion strength with the metal conductive layer It is difficult to prevent deterioration. In particular, since a flexible metal foil laminate using a liquid crystal polymer (LCP) is usually manufactured by attaching a metal foil to a polymer film by heat, LCP is difficult to thin a metal foil despite its excellent insulating properties There is a problem that the use range is limited. Therefore, there is a demand for a method of producing a flexible metal foil laminate capable of easily forming a metal conductive layer having excellent adhesion strength with a polymer film even when a polymer film is used as a substrate.

본 발명의 목적은 고분자 필름과 금속 전도층의 접착 강도가 우수하고, 고정밀도 및 고주파 용도에 적합한 연성 금속박 적층판의 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method for producing a flexible metal foil laminate having excellent adhesion strength between a polymer film and a metal conductive layer and suitable for high precision and high frequency applications.

본 발명의 다른 목적은 상기 제조방법으로 제조된 연성 금속박 적층판을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a flexible metal foil laminate produced by the above-mentioned production method.

본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
The above and other objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.

본 발명의 하나의 관점은 연성 금속박 적층판의 제조방법에 관한 것이다. 상기 제조방법은 고분자 필름 상에 금속을 증착하여 박막층을 형성하고; 상기 박막층이 형성된 고분자 필름을 전기 도금하여 상기 박막층 상에 금속 전도층을 형성하고; 그리고 상기 고분자 필름의 유리전이온도 이상 분해 개시온도 이하에서 가열하는; 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.One aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a flexible metal foil laminate. The method includes depositing a metal on a polymer film to form a thin film layer; Electroplating the polymer film having the thin film layer formed thereon to form a metal conductive layer on the thin film layer; And heating the polymer film at a temperature not lower than the glass transition temperature of the polymer film; The method comprising the steps of:

구체예에서, 상기 증착은 스퍼터링 방법에 의한 것일 수 있다.In embodiments, the deposition may be by a sputtering method.

구체예에서, 상기 증착은 상기 고분자 필름의 유리전이온도로부터, -30 내지 300℃의 온도 범위 및 1 Pa 이하의 압력에서 수행될 수 있다.In embodiments, the deposition may be performed from the glass transition temperature of the polymer film at a temperature ranging from -30 to 300 < 0 > C and a pressure of 1 Pa or less.

구체예에서, 상기 박막층은 구리, 금, 은, 알루미늄, 티탄, 아연, 바나듐, 망간 중 1종 이상을 포함할 수 있다.In an embodiment, the thin film layer may include at least one of copper, gold, silver, aluminum, titanium, zinc, vanadium, and manganese.

구체예에서, 상기 박막층의 두께는 0.05 내지 1 ㎛일 수 있다.In an embodiment, the thickness of the thin film layer may be 0.05 to 1 占 퐉.

구체예에서, 상기 고분자 필름은 폴리이미드, 에폭시 수지, 테프론, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 불소화폴리올레핀, 폴리이미드에테르, 폴리아미드이미드, 아라미드, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 및 폴리사이클로올레핀 중 1종 이상을 포함할 수 있다.In an embodiment, the polymer film is one of polyimide, epoxy resin, Teflon, polyphenylene sulfide, polyamide, polyester, fluorinated polyolefin, polyimide ether, polyamideimide, aramid, polycarbonate, polyolefin and polycycloolefin. Or more species.

구체예에서, 상기 박막층 형성 후, 100 내지 250℃에서 3분 이상 가열할 수 있다.In a specific example, the thin film layer may be heated at 100 to 250 ° C for 3 minutes or more after formation.

구체예에서, 상기 금속 전도층의 두께는 1 내지 30 ㎛일 수 있다.In an embodiment, the thickness of the metal conductive layer may be 1 to 30 탆.

본 발명의 다른 관점은 상기 제조방법으로부터 제조된 연성 금속박 적층판에 관한 것이다.
Another aspect of the present invention relates to a flexible metal foil laminate produced from the above production method.

본 발명은 고분자 필름과 금속 전도층의 접착 강도가 우수하고, 고정밀도 및 고주파 용도에 적합한 연성 금속박 적층판의 제조방법 및 이로부터 제조된 연성 금속박 적층판을 제공하는 발명의 효과를 갖는다. 상기 연성 금속박 적층판은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Borard: PCB), 터치 패널, 전자파 차폐 필름, 반사 방지 필름, 투명 도전성 필름 등의 기재로서 유용하다.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has the effect of providing a method for producing a flexible metal foil laminated board excellent in adhesion strength between a polymer film and a metal conductive layer and suitable for high precision and high frequency applications and a flexible metal foil laminate produced therefrom. The flexible metal foil-clad laminate is useful as a substrate for a printed circuit board (PCB), a touch panel, an electromagnetic wave shielding film, an antireflection film, and a transparent conductive film.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 금속박 적층판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예 따른 박막층 형성용 마그네트론 스퍼터링 장치의 개략도이다.
1 is a cross-sectional view of a flexible metal foil laminate according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view of a magnetron sputtering apparatus for forming a thin film layer according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 금속박 적층판의 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 연성 금속박 적층판은 고분자 필름(10), 박막층(20) 및 금속 전도층(30)이 적층된 형태로서, 통상의 연성 금속박 적층판과 동일한 구성을 포함할 수 있으나, 박막층(20)을 매개로 하여, 고분자 필름(10)과 금속 전도층(30)의 접착 강도가 매우 우수한 것이다. 상기 연성 금속박 적층판은 본 발명에 따른 연성 금속박 적층판 제조방법에 따라 제조될 수 있다.
1 is a cross-sectional view of a flexible metal foil laminate according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the flexible metal foil laminate of the present invention is a laminate of the polymer film 10, the thin film layer 20, and the metal conductive layer 30, and may include the same configuration as a conventional flexible metal foil laminate However, the adhesive strength between the polymer film 10 and the metal conductive layer 30 is very excellent through the thin film layer 20. The flexible metal foil laminates may be manufactured according to the method of manufacturing flexible metal foil laminates according to the present invention.

본 발명에 따른 연성 금속박 적층판의 제조방법은 고분자 필름(10) 상에 금속을 증착하여 박막층(20)을 형성하고, 상기 박막층(20)이 형성된 고분자 필름(10)을 전기 도금하여 상기 박막층(20) 상에 금속 전도층(30)을 형성하고, 그리고 상기 고분자 필름(10)의 유리전이온도 이상 분해 개시온도 이하에서 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The method for fabricating a flexible metal foil laminate according to the present invention includes the steps of forming a thin film layer 20 by depositing a metal on a polymer film 10 and electroplating the polymer film 10 on which the thin film layer 20 is formed to form the thin film layer 20 ), And heating the polymer film (10) at a temperature not lower than the glass transition temperature of the polymer film (10).

본 발명에 사용되는 고분자 필름(10)으로는 통상의 연성 금속박 적층판에 사용되는 고분자 필름, 액정 고분자(liquid crystal polymer: LCP) 필름 등을 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 고분자 필름(10)은 폴리이미드, 에폭시 수지, 테프론, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 불소화폴리올레핀, 폴리이미드에테르, 폴리아미드이미드, 아라미드, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 및 폴리사이클로올레핀 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 폴리에스테르 등은 써모트로픽(thermotropic) 액정 등의 공지의 액정 고분자 형태일 수 있다. 상기 폴리올레핀의 구체적인 예로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리4-메틸펜텐-1 등을 예시할 수 있다. As the polymer film 10 used in the present invention, a polymer film, a liquid crystal polymer (LCP) film and the like used in a conventional flexible metal foil laminate can be used without limitation. For example, the polymer film 10 may be formed of a material such as polyimide, epoxy resin, Teflon, polyphenylene sulfide, polyamide, polyester, fluorinated polyolefin, polyimide ether, polyamideimide, aramid, polycarbonate, Olefins, and the like, but is not limited thereto. The polyester or the like may be in the form of a known liquid crystal polymer such as a thermotropic liquid crystal. Specific examples of the polyolefin include polyethylene, polypropylene, poly-4-methylpentene-1, and the like.

구체예에서, 상기 고분자 필름(10)은 표면의 불순물을 제거하기 위하여 탈지 처리할 수 있다. 일반적으로 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜 등의 알콜류, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 이소부틸케톤 등의 케톤류에 침지하여 처리할 수 있고, 성가 액체들을 침적시킨 종이, 직물 부직포 등으로 닦아서 탈지 처리할 수도 있다. 또한, 일반적으로 프린트 기판에 널리 활용되고 있는 묽은 염산 등 산 수용액, 계면 활성제가 포함된 수용액으로 세척할 수도 있다.In an embodiment, the polymer film 10 may be degreased to remove impurities on the surface. In general, it can be treated by immersing it in alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol and isopropyl alcohol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and isobutyl ketone, and degreasing treatment by wiping with paper, It is possible. In addition, it may be washed with an aqueous acid solution such as diluted hydrochloric acid or the like and a surfactant-containing aqueous solution, which are generally used for printed boards.

또한, 상기 고분자 필름(10)은 필름 제작 시 표면에 부착된 모노머 등의 불순물, 필름에 내장되어 있는 수분이나 가스를 제거하기 위하여, 진공 상태에서 열처리할 수 있다. 상기 열처리 온도는 사용되는 고분자 필름(10)의 유리전이온도일 수 있으며, 유리전이온도가 없는 열경화 수지, 예를 들면 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리아미드 등은 150℃ 이상에서 실시할 수 있다. 통상적으로 상기 열처리는 진공 장치의 압력이 0.001 Pa 이하에 도달할 때까지 수행할 수 있다.Further, the polymer film 10 can be heat-treated in a vacuum state to remove impurities such as monomers adhering to the surface of the film during production of the film, moisture or gas contained in the film. The heat treatment temperature may be a glass transition temperature of the polymer film 10 to be used, and a thermosetting resin having no glass transition temperature, for example, an epoxy resin, a polyimide, a polyamide or the like, Normally, the heat treatment can be performed until the pressure of the vacuum device reaches 0.001 Pa or less.

상기 고분자 필름(10)의 두께는 예를 들면, 3 내지 100 ㎛일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
The thickness of the polymer film 10 may be, for example, 3 to 100 占 퐉, but is not limited thereto.

본 발명의 박막층(20)은 상기 고분자 필름(10) 상에 금속을 스퍼터링 방식으로 증착시켜 형성할 수 있으며, 바람직하게는 상기 증착은 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 방법에 의한 것일 수 있다.The thin film layer 20 of the present invention may be formed by depositing a metal on the polymer film 10 by a sputtering method. Preferably, the deposition may be performed by a magnetron sputtering method.

도 2는 본 발명의 일 실시예 따른 박막층(금속 박막, 20) 형성용 (마그네트론) 스퍼터링 장치의 개략도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 박막층(20)은 통상적인 (마그네트론) 스퍼터링 장치를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 필름(10)을 스퍼터링 장치의 고정 지그(114)를 사용하여 스퍼터링 소스(금속 증발원, 13) 위쪽에 고정한다. 상기 고정 지그(114)에는 고분자 필름(10)의 온도를 일정하게 유지하기 위한 온도 조절 장치(112)가 연결되어 온도 조절용 매체가 순환되는 형태일 수 있다. 또한, 상기 고정 지그(114)는 마그네트론 전원(115)부터 바이어스 전원이 인가될 수 있다.2 is a schematic view of a sputtering apparatus for forming a thin film layer (a metal thin film) 20 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the thin film layer 20 of the present invention can be performed using a conventional (magnetron) sputtering apparatus. For example, the polymer film 10 is fixed above the sputtering source (metal evaporation source) 13 using the fixing jig 114 of the sputtering apparatus. The fixing jig 114 may be connected to a temperature controller 112 for keeping the temperature of the polymer film 10 constant, and the temperature controlling medium may be circulated. In addition, the fixing jig 114 may be supplied with bias power from the magnetron power supply 115.

상기 고분자 필름(10)을 상기 고정 지그(114)에 고정한 후, 진공 펌프(118)을 작동시켜, 배기 진공 계측기(진공 압력계, 19)에서 측정한 스퍼터링 장치 내부의 압력이 1 Pa 이하, 바람직하게는 0.1 Pa 이하, 더욱 바람직하게는 0.001 Pa 이하, 예를 들면 0.000001 내지 0.001 Pa가 될 때까지 배기한다. 상기 압력은 진공계(119)를 통해 확인할 수 있다. 이때, 상기 고정된 고분자 필름(10)의 온도는 사용되는 고분자 필름(10)에 따라 달라질 수 있으나, 상기 온도 조절 장치(112)에 의해 상기 고분자 필름(10)의 유리전이온도로부터, -30 내지 300℃의 온도 범위로 유지될 수 있다. 구체예에서, 상기 고분자 필름(10)이 열가소성 수지일 경우, 열가소성 수지의 유리전이온도로부터 -30 내지 50℃의 온도 범위로 유지될 수 있고, 열경화성 수지일 경우, 열경화성 수지의 유리전이온도로부터 100 내지 300℃로 유지될 수 있다. 상기 범위에서 증착 시 고분자 필름(10)과 박막층(20)의 접착 강도가 우수할 수 있다.After the polymer film 10 is fixed to the fixing jig 114, the vacuum pump 118 is operated so that the pressure inside the sputtering apparatus measured by an exhaust vacuum meter (vacuum pressure gauge 19) is 1 Pa or less, Is equal to or less than 0.1 Pa, more preferably equal to or less than 0.001 Pa, for example, from 0.000001 to 0.001 Pa. The pressure can be confirmed through a vacuum system 119. The temperature of the fixed polymer film 10 may be varied depending on the polymer film 10 to be used, but the temperature of the fixed polymer film 10 may be changed from the glass transition temperature of the polymer film 10 to -30 to- Lt; RTI ID = 0.0 > 300 C. < / RTI > In the specific example, when the polymer film 10 is a thermoplastic resin, it can be maintained in a temperature range of -30 to 50 캜 from the glass transition temperature of the thermoplastic resin. In the case of a thermosetting resin, the glass transition temperature of the thermosetting resin is 100 Lt; 0 > C to 300 < 0 > C. The adhesion strength between the polymer film 10 and the thin film layer 20 during the deposition in the above range can be excellent.

상기 스퍼터링 장치 내부의 압력이 1 Pa 이하에 도달하고, 고분자 필름(10)이 설정 온도에 도달하면, 마그네트론 전원(115)를 작동시켜 전원을 인가한다. 이때, 상기 마그네트론 전원(115)에서 인가되는 전압은 1 내지 20 kV, 바람직하게는 5 내지 15 kV일 수 있다. 상기 범위에서 금속 박막과 고분자 필름(10)의 접착성을 향상시킬 수 있고, 고분자 필름(10) 표면의 변화 및 요철 형성을 방지하여, 회로 형성 시 고주파 신호를 산란시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 필름 자체의 기계적 특성도 저하를 방지할 수 있고, 스퍼터링을 하는데 있어서 안정된 방전을 얻을 수 있다.When the pressure inside the sputtering apparatus reaches 1 Pa or less and the polymer film 10 reaches the set temperature, the magnetron power supply 115 is operated to apply power. At this time, the voltage applied to the magnetron power supply 115 may be 1 to 20 kV, preferably 5 to 15 kV. In this range, the adhesion between the metal thin film and the polymer film 10 can be improved, and the change in the surface of the polymer film 10 and the formation of the unevenness can be prevented, thereby preventing the high frequency signal from scattering during circuit formation. In addition, the mechanical properties of the film itself can be prevented from deteriorating, and a stable discharge can be obtained in sputtering.

다음으로, 외부 가스 도입관(117)의 밸브를 개방하여, 아르곤, 질소 등의 외부 가스를 주입하면서, 스퍼터링 장치 내부의 압력이 0.1 Pa 이하가 되도록 조절한다. 이어서, 상기 금속 증발원(113)에 연결된 전원(116)을 켜서 방전을 시작하면, 금속 증발원(113)의 금속이 고분자 필름(10)에 증착된다. 이때, 고분자 필름(10)에 증착되는 금속 박막(박막층(20))의 증착 속도는 초당 0.1 내지 10 Å(옹스트롬)일 수 있다. 증착 완료 후, 배기를 중지하고, 누수 밸브(120)을 개방하여 장치 내부 압력을 상압으로 되돌릴 수 있다. Next, the valve of the external gas introduction pipe 117 is opened to adjust the internal pressure of the sputtering apparatus to 0.1 Pa or less while injecting an external gas such as argon or nitrogen. Then, when the power source 116 connected to the metal evaporation source 113 is turned on to start the discharge, the metal of the metal evaporation source 113 is deposited on the polymer film 10. At this time, the deposition rate of the metal thin film (thin film layer 20) deposited on the polymer film 10 may be 0.1 to 10 Å (angstrom) per second. After completion of the deposition, the exhaust is stopped, and the water leakage valve 120 is opened to return the internal pressure of the apparatus to normal pressure.

구체예에서, 상기 금속 증발원(113)의 금속, 즉, 상기 박막층(금속 박막, 20)은 구리, 금, 은, 알루미늄, 티탄, 아연, 바나듐, 망간 등을 1종 이상, 바람직하게는 구리 또는 금을 포함할 수 있다.The metal of the metal evaporation source 113, that is, the thin film layer (metal thin film) 20 may be formed of one or more kinds of copper, gold, silver, aluminum, titanium, zinc, vanadium, manganese, It can include gold.

상기 박막층(20)의 두께는 0.05 내지 1 ㎛, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 ㎛일 수 있다. 상기 범위에서 기능 저하 및 막 변형이 없고 우수한 접착 강도를 갖는 금속 전도층(30)을 형성할 수 있다.The thickness of the thin film layer 20 may be 0.05 to 1 占 퐉, preferably 0.1 to 0.5 占 퐉. The metal conductive layer 30 having no deterioration in function and film deformation and having an excellent bonding strength can be formed within the above range.

일 구체예에서, 본 발명의 연성 금속박 적층판은 상기 박막층(20) 형성 후, 100 내지 250℃, 바람직하게는 150 내지 200℃에서 3분 이상, 예를 들면, 3 내지 60분, 바람직하게는 3 내지 10분 동안 더욱 가열(열처리)할 수 있다. 이 경우, 고분자 필름(10)과 박막층(20)이 융착되고, 박막층(20)이 결창화되어 접착 강도가 향상될 수 있다.
In one embodiment, the flexible metal foil laminate of the present invention is formed by forming the thin film layer 20 at a temperature of 100 to 250 ° C, preferably 150 to 200 ° C for 3 minutes or more, for example, 3 to 60 minutes, preferably 3 (Heat treatment) for 10 minutes to 10 minutes. In this case, the polymer film 10 and the thin film layer 20 are fused, and the thin film layer 20 is fused to improve the bonding strength.

본 발명의 금속 전도층(30)은 통상의 전기 도금 용액, 예를 들면, 구리 전기 도금 용액 또는 금 전기 도금 용액을 사용한 전기 도금 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막층(20)이 형성된 고분자 필름(10)을 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt) 등의 첨가제로 도금 응력을 조정한 전기 도금 용액에 침지한 후, 전기 도금을 실시함으로써, 원하는 두께의 금속 도전층을 형성할 수 있다. 상기 첨가제의 사용량은 전체 전기 도금 용액에 대하여, 0.1 내지 100 ppm, 바람직하게는 1 내지 8 ppm일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The metal conductive layer 30 of the present invention can be formed by a conventional electroplating solution, for example, an electroplating method using a copper electroplating solution or a gold electroplating solution. For example, the polymer film 10 on which the thin film layer 20 is formed is coated with an additive such as bis [3-sulfopropylsulfonic acid] sodium salt to adjust the plating stress A metal electroconductive layer having a desired thickness can be formed by carrying out electroplating after dipping in an electroplating solution. The amount of the additive to be used may be 0.1 to 100 ppm, preferably 1 to 8 ppm, based on the total electroplating solution, but is not limited thereto.

구체예에서, 상기 구리 전기 도금 용액으로는 구리 전기 도금 기판용 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 필요에 따라, 상기 첨가제를 첨가하여 도금 응력을 조정한 도금액을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In a specific example, as the copper electroplating solution, if necessary, in a high-slow type copper sulfate basic tank (copper sulfate: 75 g / L, sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) for a copper electroplating substrate, May be used to adjust the plating stress, but the present invention is not limited thereto.

구체예에서, 상기 금 전기 도금 용액으로는 금시안화칼륨(청화금) 2.3 g/L, 시안화칼륨(청화가리) 15 g/L 및 인산나트륨 4 g/L를 포함하는 통상의 금 전기 도금 용액을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In a specific example, a conventional gold electroplating solution containing 2.3 g / L of potassium cyanide (sodium chloride), 15 g / L of potassium cyanide (chlorination gray) and 4 g / L of sodium phosphate is used as the gold electroplating solution But is not limited thereto.

또한, 상기 전기 도금은 15 내지 120℃의 온도 및 0.1 내지 0.5 A/dm2의 전류 밀도 조건에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In addition, the electroplating may be performed at a temperature of 15 to 120 DEG C and a current density of 0.1 to 0.5 A / dm < 2 >

상기 금속 전도층(30)의 두께는 1 내지 30 ㎛, 바람직하게는 5 내지 25 ㎛일 수 있다. 상기 범위에서 스트레스 및 굴곡이 없고 접착층이 우수한 금속 전도층을 얻을 수 있다.
The thickness of the metal conductive layer 30 may be 1 to 30 탆, preferably 5 to 25 탆. It is possible to obtain a metal conductive layer free from stress and bending in the above range and having an excellent adhesive layer.

본 발명의 연성 금속박 적층판은 상기 금속 전도층(30) 형성 후, 상기 고분자 필름(10)의 유리전이온도 이상 분해 개시온도 이하, 예를 들면, 100 내지 300℃, 바람직하게는 150 내지 250℃에서 가열(열처리)하는 단계를 수행하여 제조한다.The flexible metal foil laminate of the present invention preferably has a glass transition temperature higher than the glass transition temperature and the decomposition initiation temperature of the polymer film 10, for example, 100 to 300 占 폚, preferably 150 to 250 占 폚 Followed by heating (heat treatment).

본 발명의 연성 금속박 적층판은 상기 과정을 통해 통상의 연성 금속박 적층판에 비해 고분자 필름(10)과 금속 전극층(30)의 접착 강도가 향상된다. 이는, 가열 처리에 의해 고분자 필름(10)을 구성하는 고분자의 미세 구조(미크론 구조)가 온도 변화 과정에서 박막층(20) 및 금속 전도층(30)과 융착되어, 고분자 필름(10)과 금속 전극층 계면이 활성화되며, 그 결과, 결합력이 강화되는 것이라 판단된다. The adhesive strength between the polymer film 10 and the metal electrode layer 30 is improved as compared with the conventional flexible metal foil laminate through the above process. This is because the microstructure (micron structure) of the polymer constituting the polymer film 10 is fused with the thin film layer 20 and the metal conductive layer 30 during the temperature change process by the heat treatment to form the polymer film 10, The interface is activated, and as a result, the binding force is enhanced.

상기 가열 온도는 고분자 필름(10)의 종류에 따라 적절히 선택될 수 있고, 일반적으로, 상기 도금 처리 온도(15 내지 120℃) 보다 고온에서 수행될 수 있으며, 일 실시예에서, 200℃의 온도에서 30분 동안 수행될 수 있다. 상기 가열 온도가 상기 고분자 필름(10)의 유리전이온도 미만일 경우, 접착 강도 향상 효과를 얻지 못할 우려가 있고, 상기 고분자 분해 개시온도를 초과할 경우, 필름이 분해될 우려가 있다. 일반적으로 고분자 필름은 열 변형 온도(분해 개시 온도) 이하이면 미세 구조(미크론 구조)는 변화하지만, 전기적 성질, 흡수성, 치수 안정성 등의 고분자 필름 물성에 변화가 생길 정도의 큰 변화는 생기지 않는다.
The heating temperature may be appropriately selected depending on the kind of the polymer film 10 and may be generally performed at a higher temperature than the plating treatment temperature (15 to 120 ° C), and in one embodiment, at a temperature of 200 ° C 30 minutes. ≪ / RTI > If the heating temperature is lower than the glass transition temperature of the polymer film 10, there is a fear that the adhesive strength improving effect is not obtained. If the heating temperature is higher than the polymer decomposition starting temperature, the film may be decomposed. Generally, when the polymer film has a heat distortion temperature (decomposition initiation temperature) or lower, the microstructure (micron structure) changes, but there is no significant change such that the properties of the polymer film such as electrical property, water absorbability and dimensional stability are changed.

본 발명의 연성 금속박 적층판은 고분자 필름(10)과 금속 전도층(30)의 접착 강도가 우수하고, 고정밀도 및 고주파 용도에 적합하므로, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Borard: PCB), 터치 패널, 전자파 차폐 필름, 반사 방지 필름, 투명 도전성 필름 등의 기재로서 유용하다.
The flexible metal foil laminate of the present invention is excellent in adhesion strength between the polymer film 10 and the metal conductive layer 30 and is suitable for high precision and high frequency applications and thus can be used as a printed circuit board Shielding films, antireflection films, and transparent conductive films.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로서, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but these examples are for illustrative purposes only and should not be construed as limiting the present invention.

실시예Example

실시예Example 1 One

두께 25 ㎛의 액정 고분자(LCP) 필름(제조사: 주식회사 쿠라레, 제품명: Vecstar) 표면을 소독용 알코올을 적신 부직포로 문질러 탈지 처리를 하였다. 탈지 처리된 LCP 필름을 마그네트론 스퍼터링 장치(진공 증착 장치)의 고정 지그(플레이트)에 고정한 후, 진공 펌프를 작동시키고, 동시에 고정 지그에 온도 조절용 매체를 순환시켜 LCP 필름의 온도가 150℃가 될 때까지 가열하였다. LCP 필름의 온도가 150℃에 도달하고, 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력이 0.0001 Pa에 도달한 후, 마그네트론 전원을 작동시켜서 5 kV의 전압을 인가하였다. 다음으로, 외부가스 도입구를 통해 아르곤 가스를 마그네트론 스퍼터링 장치 내에 도입하고, 내부 압력이 0.1 Pa이 되도록 조절하였다. 이어서, 금속(구리) 증발원에 연결된 마그네트론 스퍼터링 장치의 전원을 작동시켜 제막(구리 증착)을 시작하였다. 박막층(구리 증착막)의 두께가 0.8 ㎛가 되면 제막을 종료하고, 아르곤 가스 공급을 중단하였다. 다음으로 박막층이 형성된 LCP 필름을 50℃ 이하로 냉각시키고, 진공 펌프 배기를 중지하고 누수 밸브를 개방하여 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력을 상압으로 되돌렸다. 이어서, 상기 박막층이 형성된 LCP 필름을 시판의 첨가제인 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt)가 1 내지 8 ppm 첨가된 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 침지하고, 전기 도금하여 두께 18 ㎛인 금속(구리) 전도층을 형성하였다. 다음으로, 금속 전도층(30)이 형성된 LCP 필름을 질소 분위기 하에서 150℃로 30분간 열처리하여 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
The surface of a 25 μm thick liquid crystal polymer (LCP) film (manufactured by Kuraray Co., Ltd., product name: Vecstar) was degreased by rubbing with a nonwoven fabric impregnated with alcohol for disinfection. The degreased LCP film was fixed to a fixing jig (plate) of a magnetron sputtering apparatus (vacuum vapor deposition apparatus), and then a vacuum pump was operated. At the same time, the temperature controlling medium was circulated in the fixing jig, . After the temperature of the LCP film reached 150 캜 and the inner pressure of the magnetron sputtering apparatus reached 0.0001 Pa, a magnetron power was turned on and a voltage of 5 kV was applied. Next, argon gas was introduced into the magnetron sputtering apparatus through an external gas inlet, and the internal pressure was adjusted to 0.1 Pa. Subsequently, a power source of a magnetron sputtering apparatus connected to a metal (copper) evaporation source was operated to start film formation (copper deposition). When the thickness of the thin film layer (copper deposited film) was 0.8 탆, the film formation was terminated and the supply of argon gas was stopped. Next, the LCP film on which the thin film layer was formed was cooled to 50 DEG C or less, the evacuation of the vacuum pump was stopped, and the leak valve was opened to return the pressure inside the magnetron sputtering apparatus to normal pressure. Subsequently, the LCP film on which the thin film layer was formed was immersed in a high-slow-type copper sulfate solution containing 1 to 8 ppm of bis [3-sulfo propyl sulfonic acid] sodium salt as a commercially available additive And immersed in a basic tank (copper sulfate: 75 g / L, sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) and electroplated to form a metal (copper) conductive layer having a thickness of 18 μm. Next, the LCP film on which the metal conductive layer 30 was formed was heat-treated at 150 DEG C for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to produce a flexible metal foil-clad laminate.

실시예Example 2 2

두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름(제조사: 우베사, 제품명: 유피렉스(R)) 표면을 소독용 알코올을 적신 부직포로 문질러 탈지 처리를 하였다. 탈지 처리된 폴리이미드 필름을 마그네트론 스퍼터링 장치(진공 증착 장치)의 고정 지그(플레이트)에 고정한 후, 진공 펌프를 작동시키고, 동시에 고정 지그에 온도 조절용 매체를 순환시켜 폴리이미드 필름의 온도가 200℃가 될 때까지 가열하였다. 폴리이미드 필름의 온도가 200℃에 도달하고, 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력이 0.00003 Pa에 도달한 후, 마그네트론 전원을 작동시켜서 8 kV의 전압을 인가하였다. 다음으로, 외부가스 도입구를 통해 아르곤 가스를 마그네트론 스퍼터링 장치 내에 도입하고, 내부 압력이 0.1 Pa이 되도록 조절하였다. 이어서, 금속(구리) 증발원에 연결된 마그네트론 스퍼터링 장치의 전원을 작동시켜 제막(구리 증착)을 시작하였다. 박막층(구리 증착막)의 두께가 1.0 ㎛가 되면 제막을 종료하고, 아르곤 가스 공급을 중단하였다. 다음으로 박막층이 형성된 폴리이미드 필름을 50℃ 이하로 냉각시키고, 진공 펌프 배기를 중지하고 누수 밸브를 개방하여 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력을 상압으로 되돌렸다. 이어서, 상기 박막층이 형성된 폴리이미드 필름을 시판의 첨가제인 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt)가 1 내지 8 ppm 첨가된 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 침지하고, 전기 도금하여 두께 12 ㎛인 금속(구리) 전도층을 형성하였다. 다음으로, 금속 전도층이 형성된 폴리이미드 필름을 질소 분위기 하에서 150℃로 30분간 열처리하여 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
The surface of the polyimide film (manufactured by Ube, product name: UFIREX (R)) having a thickness of 25 mu m was degreased by rubbing with a nonwoven fabric impregnated with alcohol for disinfection. After the degreased polyimide film is fixed to a fixing jig (plate) of a magnetron sputtering apparatus (vacuum vapor deposition apparatus), a vacuum pump is operated, and at the same time, a temperature controlling medium is circulated in the fixing jig, Lt; / RTI > After the temperature of the polyimide film reached 200 占 폚 and the pressure inside the magnetron sputtering apparatus reached 0.00003 Pa, a magnetron power source was turned on and a voltage of 8 kV was applied. Next, argon gas was introduced into the magnetron sputtering apparatus through an external gas inlet, and the internal pressure was adjusted to 0.1 Pa. Subsequently, a power source of a magnetron sputtering apparatus connected to a metal (copper) evaporation source was operated to start film formation (copper deposition). When the thickness of the thin film layer (copper deposited film) became 1.0 탆, the film formation was terminated and the supply of argon gas was stopped. Next, the polyimide film having the thin film layer formed was cooled to 50 DEG C or lower, the evacuation of the vacuum pump was stopped, and the leak valve was opened to return the pressure inside the magnetron sputtering apparatus to normal pressure. Then, the polyimide film on which the thin film layer was formed was immersed in a solution of a high-speed type of bis (3-sulfopropylsulfonic acid) sodium salt (bis (3-sulfopropylsulfonic acid) sodium salt) (Copper sulfate) 75 g / L, sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) and electroplated to form a metal (copper) conductive layer having a thickness of 12 탆. Next, the polyimide film having the metal conductive layer formed thereon was heat-treated at 150 占 폚 for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to prepare a flexible metal foil-clad laminate.

실시예Example 3 3

두께 25 ㎛의 폴리페닐렌설파이드(PPS) 필름(제조사: 도레이 주식회사) 표면을 소독용 알코올을 적신 부직포로 문질러 탈지 처리를 한 후, 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 박막층을 형성하였다. 시판의 첨가제인 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt)가 1 내지 8 ppm 첨가된 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 침지하고, 전기 도금하여 두께 18 ㎛인 금속(구리) 전도층을 형성하였다. 다음으로, 금속 전도층이 형성된 폴리이미드 필름을 질소 분위기 하에서 150℃로 30분간 열처리하여 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
A surface of a polyphenylene sulfide (PPS) film (manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 25 탆 was degreased by rubbing with a nonwoven fabric impregnated with alcohol for disinfection, and then a thin film layer was formed in the same manner as in Example 2. A high-slow type copper sulfate basic tank (copper sulfate: 75 g / L (1 g / L)) containing 1 to 8 ppm of bis [3-sulfo propyl sulfonic acid] sodium salt as a commercially available additive , Sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) and electroplated to form a metal (copper) conductive layer having a thickness of 18 탆. Next, the polyimide film having the metal conductive layer formed thereon was heat-treated at 150 占 폚 for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to prepare a flexible metal foil-clad laminate.

실시예Example 4 4

두께 25 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(제조사: 도레이 주식회사) 표면을 소독용 알코올을 적신 부직포로 문질러 탈지 처리를 하였다. 탈지 처리된 PET 필름을 마그네트론 스퍼터링 장치(진공 증착 장치)의 고정 지그(플레이트)에 고정한 후, 진공 펌프를 작동시키고, 동시에 고정 지그에 온도 조절용 매체를 순환시켜 PET 필름의 온도가 105℃가 될 때까지 가열하였다. PET 필름의 온도가 105℃에 도달하고, 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력이 0.0001 Pa 이하가 되면, 마그네트론 전원을 작동시켜서 5 kV의 전압을 인가하였다. 다음으로, 외부가스 도입구를 통해 아르곤 가스를 마그네트론 스퍼터링 장치 내에 도입하고, 내부 압력이 0.1 Pa이 되도록 조절하였다. 이어서, 금속(구리) 증발원에 연결된 마그네트론 스퍼터링 장치의 전원을 작동시켜 제막(구리 증착)을 시작하였다. 박막층(구리 증착막)의 두께가 0.8 ㎛가 되면 제막을 종료하고, 아르곤(Ar) 가스 공급을 중단하였다. 다음으로 박막층이 형성된 PET 필름을 50℃ 이하로 냉각시키고, 진공 펌프 배기를 중지하고 누수 밸브를 개방하여 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력을 상압으로 되돌렸다. 이어서, 상기 박막층이 형성된 PET 필름을 시판의 첨가제인 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt)가 1 내지 8 ppm 첨가된 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 침지하고, 전기 도금하여 두께 25 ㎛인 금속(구리) 전도층을 형성하였다. 다음으로, 금속 전도층이 형성된 PET 필름을 질소 분위기 하에서 150℃로 30분간 열처리하여 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
The surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Toray Industries, Inc.) having a thickness of 25 mu m was degreased by rubbing with a nonwoven fabric impregnated with alcohol for disinfection. The degreased PET film was fixed to a fixing jig (plate) of a magnetron sputtering apparatus (vacuum vapor deposition apparatus), and then a vacuum pump was operated. At the same time, the temperature controlling medium was circulated in the fixing jig, . When the temperature of the PET film reached 105 占 폚 and the inner pressure of the magnetron sputtering apparatus became 0.0001 Pa or less, a magnetron power source was turned on and a voltage of 5 kV was applied. Next, argon gas was introduced into the magnetron sputtering apparatus through an external gas inlet, and the internal pressure was adjusted to 0.1 Pa. Subsequently, a power source of a magnetron sputtering apparatus connected to a metal (copper) evaporation source was operated to start film formation (copper deposition). When the thickness of the thin film layer (copper deposited film) became 0.8 탆, the film formation was terminated and the supply of argon (Ar) gas was stopped. Next, the PET film on which the thin film layer was formed was cooled to 50 DEG C or less, the evacuation of the vacuum pump was stopped, and the leak valve was opened to return the pressure inside the magnetron sputtering apparatus to normal pressure. Subsequently, the PET film on which the thin film layer was formed was immersed in a high-slow type copper sulfate solution containing 1 to 8 ppm of bis [3-sulfo propyl sulfonic acid] sodium salt as a commercially available additive And immersed in a basic tank (copper sulfate: 75 g / L, sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) and electroplated to form a metal (copper) conductive layer having a thickness of 25 μm. Next, the PET film on which the metal conductive layer was formed was heat-treated at 150 占 폚 for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to prepare a flexible metal foil-clad laminate.

실시예Example 5 5

두께 25 ㎛의 폴리4-메틸펜텐-1(TPX) 필름(제조사: 미쓰이 화학) 표면을 소독용 알코올을 적신 부직포로 문질러 탈지 처리를 하였다. 탈지 처리된 TPX 필름을 마그네트론 스퍼터링 장치(진공 증착 장치)의 고정 지그(플레이트)에 고정한 후, 진공 펌프를 작동시키고, 동시에 고정 지그에 온도 조절용 매체를 순환시켜 TPX 필름의 온도가 120℃가 될 때까지 가열하였다. TPX 필름의 온도가 120℃에 도달하고, 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력이 0.0001 Pa에 도달한 후, 마그네트론 전원을 작동시켜서 1 kV의 전압을 인가하였다. 다음으로, 외부가스 도입구를 통해 아르곤 가스를 마그네트론 스퍼터링 장치 내에 도입하고, 내부 압력이 0.1 Pa이 되도록 조절하였다. 이어서, 금속(구리) 증발원에 연결된 마그네트론 스퍼터링 장치의 전원을 작동시켜 제막(구리 증착)을 시작하였다. 박막층(구리 증착막)의 두께가 0.9 ㎛가 되면 제막을 종료하고, 아르곤 가스 공급을 중단하였다. 다음으로 박막층이 형성된 TPX 필름을 50℃ 이하로 냉각시키고, 진공 펌프 배기를 중지하고 누수 밸브를 개방하여 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력을 상압으로 되돌렸다. 이어서, 상기 박막층이 형성된 TPX 필름을 시판의 첨가제인 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt)가 1 내지 8 ppm 첨가된 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 침지하고, 전기 도금하여 두께 18 ㎛인 금속(구리) 전도층을 형성하였다. 다음으로, 금속 전도층이 형성된 TPX 필름을 질소 분위기 하에서 150℃로 30분간 열처리하여 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
The surface of the poly 4-methylpentene-1 (TPX) film (manufacturer: Mitsui Chemicals) having a thickness of 25 탆 was degreased by rubbing with a nonwoven fabric impregnated with alcohol for disinfection. After the degreased TPX film was fixed to a fixing jig (plate) of a magnetron sputtering apparatus (vacuum vapor deposition apparatus), a vacuum pump was operated and at the same time, the temperature controlling medium was circulated in the fixing jig . After the temperature of the TPX film reached 120 占 폚 and the pressure inside the magnetron sputtering apparatus reached 0.0001 Pa, a magnetron power source was turned on and a voltage of 1 kV was applied. Next, argon gas was introduced into the magnetron sputtering apparatus through an external gas inlet, and the internal pressure was adjusted to 0.1 Pa. Subsequently, a power source of a magnetron sputtering apparatus connected to a metal (copper) evaporation source was operated to start film formation (copper deposition). When the thickness of the thin film layer (copper vapor-deposited film) reached 0.9 mu m, the film formation was terminated and the supply of argon gas was stopped. Next, the TPX film having the thin film layer formed was cooled to 50 DEG C or less, the evacuation of the vacuum pump was stopped, and the leak valve was opened to return the pressure inside the magnetron sputtering apparatus to atmospheric pressure. Subsequently, the TPX film on which the thin film layer was formed was immersed in a high-slow type copper sulfate solution containing 1 to 8 ppm of bis [3-sulfo propyl sulfonic acid] sodium salt as a commercially available additive And immersed in a basic tank (copper sulfate: 75 g / L, sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) and electroplated to form a metal (copper) conductive layer having a thickness of 18 μm. Next, the TPX film on which the metal conductive layer was formed was heat-treated at 150 占 폚 for 30 minutes under a nitrogen atmosphere to prepare a flexible metal foil-clad laminate.

비교예Comparative Example 1 One

두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름(제조사: 우베사, 제품명: 유피렉스(R)) 표면을 소독용 알코올을 적신 부직포로 문질러 탈지 처리를 하였다. 탈지 처리된 폴리이미드 필름을 마그네트론 스퍼터링 장치(진공 증착 장치)의 고정 지그(플레이트)에 고정한 후, 진공 펌프를 작동시키고, 동시에 고정 지그에 온도 조절용 매체를 순환시켜 폴리이미드 필름의 온도가 25℃가 될 때까지 가열하였다. 폴리이미드 필름의 온도가 25℃에 도달하고, 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력이 0.001 Pa에 도달한 후, 마그네트론 전원을 작동시켜서 1 kV의 전압을 인가하였다. 다음으로, 외부가스 도입구를 통해 아르곤 가스를 마그네트론 스퍼터링 장치 내에 도입하고, 내부 압력이 0.1 Pa이 되도록 조절하였다. 이어서, 금속(구리) 증발원에 연결된 마그네트론 스퍼터링 장치의 전원을 작동시켜 제막(구리 증착)을 시작하였다. 박막층(구리 증착막)의 두께가 1.0 ㎛가 되면 제막을 종료하고, 아르곤 가스 공급을 중단하였다. 다음으로 박막층이 형성된 폴리이미드 필름을 50℃ 이하로 냉각시키고, 진공 펌프 배기를 중지하고 누수 밸브를 개방하여 마그네트론 스퍼터링 장치 내부 압력을 상압으로 되돌렸다. 이어서, 상기 박막층이 형성된 폴리이미드 필름을 시판의 첨가제인 비스[3-술포 프로필 술포닉 애시드]소듐 솔트(Bis[3-sulfo propyl sulfonic acid]sodium salt)가 1 내지 8 ppm 첨가된 하이 슬로우 타입의 황산구리 기본 탱크(황산구리: 75 g/L, 황산: 180 g/L, 염소: 40 ppm)에 침지하고, 전기 도금하여 두께 12 ㎛인 금속(구리) 전도층을 형성하였다. 다음으로, 금속 전도층이 형성된 폴리이미드 필름을 질소 분위기 하에서 폴리이미드 필름의 유리전이온도 이하인 80℃로 30분간 열처리하여 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
The surface of the polyimide film (manufactured by Ube, product name: UFIREX (R)) having a thickness of 25 mu m was degreased by rubbing with a nonwoven fabric impregnated with alcohol for disinfection. The degreased polyimide film was fixed to a fixing jig (plate) of a magnetron sputtering apparatus (vacuum vapor deposition apparatus), and then a vacuum pump was operated. At the same time, a temperature controlling medium was circulated in the fixing jig to adjust the temperature of the polyimide film to 25 deg. Lt; / RTI > After the temperature of the polyimide film reached 25 占 폚 and the pressure inside the magnetron sputtering apparatus reached 0.001 Pa, a magnetron power source was turned on and a voltage of 1 kV was applied. Next, argon gas was introduced into the magnetron sputtering apparatus through an external gas inlet, and the internal pressure was adjusted to 0.1 Pa. Subsequently, a power source of a magnetron sputtering apparatus connected to a metal (copper) evaporation source was operated to start film formation (copper deposition). When the thickness of the thin film layer (copper deposited film) became 1.0 탆, the film formation was terminated and the supply of argon gas was stopped. Next, the polyimide film having the thin film layer formed was cooled to 50 DEG C or lower, the evacuation of the vacuum pump was stopped, and the leak valve was opened to return the pressure inside the magnetron sputtering apparatus to normal pressure. Then, the polyimide film on which the thin film layer was formed was immersed in a solution of a high-speed type of bis (3-sulfopropylsulfonic acid) sodium salt (bis (3-sulfopropylsulfonic acid) sodium salt) (Copper sulfate) 75 g / L, sulfuric acid: 180 g / L, chlorine: 40 ppm) and electroplated to form a metal (copper) conductive layer having a thickness of 12 탆. Next, the polyimide film having the metal conductive layer formed thereon was heat-treated at 80 캜 for 30 minutes under a nitrogen atmosphere and below the glass transition temperature of the polyimide film to prepare a flexible metal foil-clad laminate.

비교예Comparative Example 2 2

금속 전도층 형성 후, 열처리를 하지 않은 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 연성 금속박 적층판을 제조하였다.
A flexible metal clad laminate was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, except that the heat treatment was not performed after formation of the metal conductive layer.

비교예Comparative Example 3 3

박막층을 형성하지 않은 폴리이미드 필름에 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 전기 도금을 실시하였으나, 금속 전도층이 형성되지 않았다.
The polyimide film without the thin film layer was subjected to electroplating in the same manner as in Comparative Example 1, but the metal conductive layer was not formed.

물성 평가 방법Property evaluation method

상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 및 2에서 제조된 연성 금속박 적층판의 고분자 필름과 금속 전도층의 결합 강도를 평가하기 위하여 하기 테이프 박리 시험을 수행하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. In order to evaluate the bonding strength between the polymer film and the metal conductive layer of the flexible metal foil laminate prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, the following tape peel test was conducted and the results are shown in Table 1 below.

테이프 박리 시험: 연성 금속박 적층판의 금속 전도층 표면에 폭 10 mm, 길이 40 mm의 접착 테이프를 접착면 길이 20 mm가 되도록 붙인 후, 접착 테이프의 다른 쪽 끝을 당겨, 박리 발생에 필요한 강도를 측정하였다.
Tape peeling test: An adhesive tape having a width of 10 mm and a length of 40 mm was stuck on the surface of the metal conductive layer of the flexible metal foil laminate so that the bonding surface had a length of 20 mm and the other end of the adhesive tape was pulled to measure the strength required for peeling Respectively.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 접착 강도Adhesive strength 12 N/cm12 N / cm 10 N/cm10 N / cm 10 N/cm10 N / cm 10 N/cm10 N / cm 9 N/cm9 N / cm 3 N/cm3 N / cm 1 N/cm1 N / cm

상기 표 1의 결과로부터, 본 발명에 따른 연성 금속박 적층판(실시예 1-5)은 고분자 필름과 금속 전도층의 접착 강도가 우수함을 알 수 있다. 따라서, 니켈, 크롬 등이 함유되지 않는 박막층을 사용하고도 접착성이 우수한 연성 금속박 적층판을 제조할 수 있고, 제조 공정을 단순화할 수 있음을 알 수 있다. From the results shown in Table 1, it can be seen that the flexible metal foil-clad laminate (Example 1-5) according to the present invention has excellent adhesion strength between the polymer film and the metal conductive layer. Therefore, it can be understood that the flexible metal clad laminate having excellent adhesiveness can be produced even when a thin film layer containing no nickel, chromium, or the like is used, and the manufacturing process can be simplified.

반면, 비교예 1 및 2의 경우, 접착 강도가 3 N/cm 및 1 N/cm로 접착 강도가 낮음을 알 수 있다.
On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 and 2, the bonding strength was 3 N / cm and 1 N / cm, respectively, indicating low bonding strength.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

Claims (9)

고분자 필름 상에 금속을 증착하여 박막층을 형성하고;
상기 박막층이 형성된 고분자 필름을 전기 도금하여 상기 박막층 상에 금속 전도층을 형성하고; 그리고
상기 고분자 필름의 유리전이온도 이상 분해 개시온도 이하에서 가열하는; 단계를 포함하며,
상기 증착은 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하고, 아르곤 가스를 도입하여 수행되는 것이며, 상기 고분자 필름이 열가소성 수지일 경우, 열가소성 수지의 유리전이온도로부터 -30 내지 50℃의 온도 범위 및 1 Pa 이하의 압력에서 수행되고, 상기 고분자 필름이 열경화성 수지일 경우, 열경화성 수지의 유리전이온도로부터 100 내지 300℃의 온도 범위 및 1 Pa 이하의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판 제조방법.
Depositing a metal on the polymer film to form a thin film layer;
Electroplating the polymer film having the thin film layer formed thereon to form a metal conductive layer on the thin film layer; And
Heating the polymer film at a temperature not lower than the glass transition temperature of the polymer film; ≪ / RTI >
When the polymer film is a thermoplastic resin, it is preferable that the glass transition temperature of the thermoplastic resin is in the range of -30 to 50 캜 and a pressure of 1 Pa or less Wherein when the polymer film is a thermosetting resin, it is performed at a temperature ranging from 100 to 300 ° C and a pressure of 1 Pa or less from the glass transition temperature of the thermosetting resin.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 박막층은 구리, 금, 은, 알루미늄, 티탄, 아연, 바나듐, 망간 중 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판 제조방법.
The method according to claim 1, wherein the thin film layer comprises at least one metal selected from the group consisting of copper, gold, silver, aluminum, titanium, zinc, vanadium and manganese.
제1항에 있어서, 상기 박막층의 두께는 0.05 내지 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판 제조방법.
The method of manufacturing a flexible metal-clad laminate according to claim 1, wherein the thickness of the thin film layer is 0.05 to 1 占 퐉.
제1항에 있어서, 상기 고분자 필름은 폴리이미드, 에폭시 수지, 테프론, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 불소화폴리올레핀, 폴리이미드에테르, 폴리아미드이미드, 아라미드, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 및 폴리사이클로올레핀 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판 제조방법.
The method according to claim 1, wherein the polymer film is at least one selected from the group consisting of polyimide, epoxy resin, Teflon, polyphenylene sulfide, polyamide, polyester, fluorinated polyolefin, polyimide ether, polyamideimide, aramid, polycarbonate, polyolefin and polycycloolefin Wherein the flexible metal foil laminate comprises at least one of the following materials.
제1항에 있어서, 상기 박막층 형성 후, 100 내지 250℃에서 3분 이상 가열하는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판 제조방법.
The method of manufacturing a flexible metal film laminate according to claim 1, wherein the thin film layer is heated at 100 to 250 ° C for 3 minutes or more after forming the thin film layer.
제1항에 있어서, 상기 금속 전도층의 두께는 1 내지 30 ㎛인 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판 제조방법.
The method of manufacturing a flexible metal-clad laminate according to claim 1, wherein the thickness of the metal conductive layer is 1 to 30 탆.
제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 연성 금속박 적층판.A flexible metal foil laminate produced from the manufacturing method according to any one of claims 1 to 8.
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