KR101457806B1 - LED Package and Method of Manufacturing the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판과, 상기 기판에 설치되어 있는 발광 다이오드 칩과, 상기 기판에 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 둘러싸도록 설치되어 있는 적어도 하나의 댐 구조와, 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 적어도 하나의 댐 구조를 피복하는 적어도 하나의 패키지체를 구비하는 발광 다이오드 패키지 구조를 제공한다. 상기 댐 구조는 상기 패키지체에 의해 피복되는 한편 상기 패키지체의 외표면과 접한다.The present invention relates to a light emitting device, comprising: a substrate; a light emitting diode chip mounted on the substrate; at least one dam structure provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting diode chip; And at least one package body covering the structure of the light emitting diode package. The dam structure is covered by the package body and contacts the outer surface of the package body.

Description

발광 다이오드 패키지 구조 및 그 제조 방법{LED Package and Method of Manufacturing the Same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package,

본 발명은, 발광 다이오드 패키지 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 패키지체를 갖는 발광 다이오드 패키지 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package structure and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting diode package structure having a package body and a manufacturing method thereof.

발광 다이오드는 전류를 특정 범위의 빛으로 변환시키는 반도체 소자로서, 그 발광효율이 높고, 체적이 작으며, 가볍고, 환경보호 등의 이점(利點)으로 인해 각 분야에 널리 사용되고 있다. 발광 다이오드를 더욱 효율적으로 이용하기 위해, 발광 다이오드의 외주에 렌즈를 피복시키고, 그에 의해 방출되는 빛에 대해 재차 광학 보정을 진행한다.2. Description of the Related Art A light emitting diode is a semiconductor device that converts a current into a specific range of light and has been widely used in various fields due to its high luminous efficiency, small volume, light weight, and environmental protection. In order to use the light emitting diode more efficiently, the lens is coated on the outer periphery of the light emitting diode, and the optical correction is performed again with respect to the light emitted thereby.

통상, 사출 성형 또는 디스펜스 성형 등의 방식으로 렌즈를 발광 다이오드 외주에 피복시킨다. 그 중에서, 전자(前者)는 사출 성형에 의해 렌즈를 형성한 후, 접착제를 통해 렌즈를 기판의 발광 다이오드 외주에 피복시킨다. 그러나, 이러한 방법은 비록 정밀도가 높기는 하지만 비용이 비싸다. 후자(後者)는 기판의 발광 다이오드 외주에 직접 디스펜스하여 렌즈를 형성한다. 그러나, 기판에 수직하는 법선과 렌즈의 양측 표면이 이루는 각이 비교적 크기 때문에 발광 다이오드가 방사한 광선이 렌즈의 출광면에 도달했을 때의 해당 출광면과 이루는 각이 큰 것에 기인해서 전반사가 쉽게 발생하여 발광 다이오드의 출광율이 낮아지게 된다.
Normally, the lens is coated on the outer periphery of the light emitting diode by a method such as injection molding or dispensing molding. Among them, the former (the former) forms a lens by injection molding, and then the lens is coated on the outer periphery of the light emitting diode of the substrate through an adhesive. However, this method is expensive, though it is highly accurate. The latter forms a lens by directly dispensing on the periphery of the light emitting diode of the substrate. However, since the angle formed by the normal to the substrate and the surface of both sides of the lens is relatively large, total reflection is easily caused due to the large angle formed by the light emitted by the light emitting diode and the light emitting surface of the lens. So that the light emitting rate of the light emitting diode is lowered.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 출광율이 높은 발광 다이오드 패키지 구조 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting diode package structure having a high light emitting rate and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판과, 상기 기판에 설치되어 있는 발광 다이오드 칩과, 상기 기판에 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 둘러싸도록 설치되어 있는 적어도 하나의 댐 구조와, 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 적어도 하나의 댐 구조를 피복하는 적어도 하나의 패키지체를 구비하는 발광 다이오드 패키지 구조를 제공한다. 상기 댐 구조는 상기 패키지체에 의해 피복되는 한편 상기 패키지체의 외표면과 접한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including a substrate, a light emitting diode chip mounted on the substrate, at least one dam structure provided on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting diode chip, And at least one package body covering the at least one dam structure. The dam structure is covered by the package body and contacts the outer surface of the package body.

또한, 본 발명은, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판에 발광 다이오드 칩을 설치하는 단계와, 적어도 하나의 댐 구조를 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 둘러싸도록 상기 기판에 설치하는 단계와, 상기 댐 구조 및 상기 기판의 상기 댐 구조에 의해 형성된 구역에 디스펜스하여, 상기 댐 구조 및 상기 발광 다이오드 칩을 피복하는 패키지체를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 구조의 제조 방법을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode, including the steps of providing a substrate, installing a light emitting diode chip on the substrate, installing at least one dam structure on the substrate so as to surround the periphery of the light emitting diode chip, And forming a package body that covers the dam structure and the LED chip by dispensing the structure in a region formed by the dam structure of the substrate and the dam structure.

종래의 기술에 비해, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조 및 그 제조 방법에 있어서, 댐 구조가 패키지체와 기판의 교접처에 위치하기 때문에, 디스펜스하여 상기 패키지체를 형성하는 경우, 상기 패기지체와 상기 기판의 수평방향으로의 직접적인 접촉이 상기 패키지체와 상기 댐 구조의 당접면의 수직방향으로의 직접적인 접촉으로 변하여 아직 고화(固化)되지 않아 액태를 표현하고 있는 패키지체의 상기 교접한 곳에서의 내부를 향하는 표면장력이 약화되어, 상기 패키지체와 상기 기판의 접촉각에 영향을 주어 상기 법선과 상기 접선 사이의 끼인각이 비교적 작아 고화된 패키지체의 출광면은 구면(球面)에 근접한다. 따라서, 상기 발광 다이오드 칩이 방사한 광선과 상기 출광면이 이루는 각이 효과적으로 작아져, 전반사율이 작아지기 때문에 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조의 출광율이 향상된다.
In the light emitting diode package structure and the method of manufacturing the same according to the present invention, as compared with the conventional art, since the dam structure is located at the place where the package body and the substrate are in contact, when the package body is formed by dispensing, The direct contact of the substrate in the horizontal direction changes into a direct contact with the contact surface of the package structure and the contact surface of the dam structure so that the package body is not yet solidified, The surface tension toward the interior is weakened and the angle of inclination between the normal line and the tangent line is relatively small due to the influence of the contact angle between the package body and the substrate so that the outgoing surface of the solidified package body approaches the spherical surface. Therefore, the angle formed by the light emitted by the LED chip and the light-emitting surface is effectively reduced, and the total reflectance is reduced, so that the light emitting rate of the LED package structure according to the present invention is improved.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지 구조의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지 구조의 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조의 제조에 대한 표시도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package structure according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a light emitting diode package structure according to another embodiment of the present invention.
3 to 6 are diagrams illustrating fabrication of a light emitting diode package structure according to the present invention.

이하, 예시도면을 참조하면서 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조 및 그 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a light emitting diode package structure and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제1실시형태의 발광 다이오드 패키지 구조(100)는 기판(10)과, 상기 기판(10)에 설치되어 있는 발광 다이오드 칩(20)과, 상기 기판(10)에 상기 발광 다이오드 칩(20)의 외주를 둘러싸도록 설치되어 있는 댐(dam) 구조(30)와, 상기 발광 다이오드 칩(20) 및 상기 댐 구조(30)를 피복하는 패키지체(40)를 구비한다. 1, a light emitting diode package structure 100 according to a first embodiment of the present invention includes a substrate 10, a light emitting diode chip 20 mounted on the substrate 10, A dam structure 30 provided to surround the outer periphery of the light emitting diode chip 20 and a package body 40 covering the light emitting diode chip 20 and the dam structure 30, .

상기 기판(10)은 장방체 모양을 나타내고, 그 상부 표면(11)은 전도회로(傳導回路, 도시되지 않았음)가 설치되어 있는 평탄한 표면이다. 상기 기판(10)은 인쇄회로 기판, 실리콘 기판, 또는 세라믹 기판 등이다. 본 실시형태에 있어서, 상기 기판(10)은 인쇄회로기판이다.The substrate 10 has an oblong shape and its upper surface 11 is a flat surface provided with a conduction circuit (not shown). The substrate 10 is a printed circuit board, a silicon substrate, or a ceramic substrate. In the present embodiment, the substrate 10 is a printed circuit board.

상기 발광 다이오드 칩(20)은 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 설치된다. 본 실시형태에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 발광 다이오드 웨이퍼이다. 상기 발광 다이오드 칩(20)은 2개의 와이어를 통해 상기 기판(10)의 전극구조(도시되지 않았음)에 전기접속되는 한편, 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 고정된다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 파장이 서로 다른 여러 개의 칩의 조합일 수도 있다.The light emitting diode chip 20 is mounted on the upper surface 11 of the substrate 10. In the present embodiment, the light emitting diode chip 20 is a light emitting diode wafer. The light emitting diode chip 20 is electrically connected to the electrode structure (not shown) of the substrate 10 via two wires while being fixed to the upper surface 11 of the substrate 10. In addition, the light emitting diode chip 20 may be a combination of several chips having different wavelengths.

상기 댐 구조(30)는 상기 발광 다이오드 칩(20)의 외주에 위치하도록 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 설치된다. 본 실시형태에 있어서, 상기 댐 구조(30)는 환(環) 모양을 나타내고 그 단면 모양은 구형(矩形)이다. 상기 댐 구조(30)는 당접면(31)를 갖고, 그 당접면(31)은 상기 환 모양의 댐 구조(30)의 외측벽이다. 상기 댐 구조(30)는 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 질화 알루미늄(AlN) 또는 세라믹 재료에 의해 형성된다. 또한, 상기 댐 구조(30)에 반사층으로서 금속을 피복시켜 발광 다이오드 칩(20)을 도와 출광을 진행할 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 상기 댐 구조(30)는 환 모양이 아닌 기타 기하적 모양의 구역을 형성할 수 있다. 예컨대, 상기 댐 구조(30)는 적어도 3개의 괴상부(塊狀部)를 구비하고, 상기 적어도 3개의 괴상부가 상기 발광 다이오드 칩(20)의 주위를 불연속적으로 둘러싸서 상기 패키지체(40)의 형성구역을 형성한다.The dam structure 30 is installed on the upper surface 11 of the substrate 10 so as to be positioned on the outer periphery of the LED chip 20. In the present embodiment, the dam structure 30 has a ring shape and a cross-sectional shape is a rectangle. The dam structure 30 has a contact surface 31 and its contact surface 31 is the outer wall of the annular dam structure 30. [ The dam structure 30 is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN) or a ceramic material. In addition, metal can be coated on the dam structure 30 as a reflective layer to facilitate the light emitting diode chip 20 to light out. In another embodiment, the dam structure 30 may form other non-annular zones of geometric shape. For example, the dam structure 30 has at least three lump portions, and the at least three mass portions discontinuously surround the periphery of the LED chip 20 to form the package body 40, As shown in FIG.

상기 패키지체(40)는 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 설치된 상기 발광 다이오드 칩(20) 및 상기 댐 구조(30)를 피복한다. 상기 패키지체(40)는 입광면(41) 및 출광면(42)을 포함한다. 상기 입광면(41)은 상기 발광 다이오드 칩(20)의 표면, 상기 기판(10)의 상부 표면(11) 및 상기 댐 구조(30)의 표면에 부착되어 있다. 상기 발광 다이오드 칩(20)이 빛을 방사하는 경우, 그 빛은 상기 입광면(41)로부터 상기 패키지체(40)의 내부에 진입되고, 상기 출광면(42)으로부터 그 빛을 출사한다. 상기 패키지체(40)는 투명한 교질체(膠質體)이고, 발광의 요구에 따라 상기 패키지체(40)의 내부에 분말을 분산시킬 수도 있다. 상기 분말은 단일 색의 형광 분말일 수도 있고, 여러 색채의 형광 분말의 혼합물일 수도 있어, 실제 요구에 따라 형광 분말의 색채를 조절하는 것으로 여러 가지 색의 출사광을 얻을 수 있고, 광선의 파장을 개변하며, 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 색온도를 조절할 수 있다. 또한, 상기 분말은 실제 요구에 따라 이산화 규소(SiO2), 산화 알루미늄(Al203) 또는 규산염(Silicate) 등의 분말과 형광 분말이 적층되어 형성될 수 있다.The package body 40 covers the light emitting diode chip 20 and the dam structure 30 provided on the upper surface 11 of the substrate 10. The package body 40 includes a light incident surface 41 and a light exit surface 42. The light incidence surface 41 is attached to the surface of the light emitting diode chip 20, the upper surface 11 of the substrate 10 and the surface of the dam structure 30. When the light emitting diode chip 20 emits light, the light enters the inside of the package body 40 from the light incoming surface 41 and emits the light from the light emitting surface 42. The package body 40 is a transparent colloid, and powder may be dispersed in the package body 40 in accordance with a demand for luminescence. The powder may be a fluorescent powder of a single color or a mixture of fluorescent powders of various colors so that the color of the fluorescent powder can be adjusted according to the actual requirements to obtain the outgoing light of various colors, And the color temperature of the light emitting diode package structure 100 can be adjusted. In addition, the powder may be formed by laminating powders of silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicate or the like and fluorescent powder according to actual requirements.

상기 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 패키지체(40)는 디스펜스에 의해 형성되고, 상기 댐 구조(30)는 상기 패키지체(40)에 의해 피복되는 한편 상기 패키지체(40)의 출광면(42)과 접한다. 구체적으로는, 법선(A), 접선(B) 및 끼인각(θ)을 아래와 같이 정의(定義)한다. 법선(A)은 상기 댐 구조(30)의 외측벽(당접면(42))에 접하는 한편 상기 기판(10)에 수직하는 선이고, 접선(B)은 상기 댐 구조(30)로부터 연신하여 상기 출광면(42)에 접하는 선이며, 끼인각(θ)은 상기 법선(A)과 접선(B)의 사이에 끼인각이다. 디스펜스하여 상기 패키지체(40)을 형성하는 경우, 상기 패기지체(40)와 상기 기판(10)의 수평방향으로의 직접적인 접촉이 상기 패키지체(40)와 상기 댐 구조(30)의 당접면(31)의 수직방향으로의 직접적인 접촉으로 변하여 아직 고화(固化)되지 않아 액태를 표현하고 있는 패키지체(40)의 상기 교접한 곳에서의 내부를 향하는 표면장력이 약화(弱化)되어, 패키지체(40)와 상기 기판(10)의 접촉각에 영향을 주어 고화된 패키지체(40)는 반구체(半球體)와 유사하다. 상기 댐 구조(30)의 지지작용에 인해 상기 법선(A)과 상기 접선(B) 사이의 끼인각(θ)이 60도보다 작도록 제어된다. 본 실시형태에 있어서, 상기 패키지체(40)의 수직방향에서의 단면이 반원형(半圓形)에 근접하고 상기 끼인각(θ)은 15도보다 작다.The package structure 40 of the light emitting diode package structure 100 is formed by dispensing and the dam structure 30 is covered by the package body 40 while the light emitting surface 42 of the package body 40 ). More specifically, the normal line (A), the tangent line (B), and the subtended angle (?) Are defined (defined) as follows. The normal line A is a line perpendicular to the substrate 10 while being in contact with the outer wall (contact surface 42) of the dam structure 30. The tangent line B extends from the dam structure 30, Is a line tangent to the light surface 42 and the subtracted angle? Is an angle formed between the normal line A and the tangent line B. The direct contact between the breaker body 40 and the substrate 10 in the horizontal direction can be prevented by direct contact between the package body 40 and the dam structure 30 The surface tension of the package body 40 which exhibits the action is weakened so that the surface tension toward the inside of the package body 40 is weakened, 40 and the contact angle of the substrate 10, the solidified package body 40 is similar to a hemisphere. The inclined angle? Between the normal line A and the tangent line B is controlled to be smaller than 60 degrees due to the supporting action of the dam structure 30. [ In this embodiment, the cross section in the vertical direction of the package body 40 is close to a semicircle and the subtended angle? Is smaller than 15 degrees.

종래의 기술에 비해, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조(100)에 있어서, 상기 기판(10)에 설치된 댐 구조(30)가 상기 패키지체(40)에 의해 피복되는 한편 상기 출광면(42)과 접하고, 상기 댐 구조(30)가 상기 패키지체(40)와 상기 기판(10)의 교접처(交接處)에 위치하기 때문에, 디스펜스하여 상기 패키지체(40)를 형성하는 경우, 상기 패기지체(40)와 상기 기판(10)의 수평방향으로의 직접적인 접촉이 상기 패키지체(40)와 상기 댐 구조(30)의 당접면(31)의 수직방향으로의 직접적인 접촉으로 변하여 아직 고화(固化)되지 않아 액태를 표현하고 있는 패키지체(40)의 상기 교접한 곳에서의 내부를 향하는 표면장력이 약화되어, 상기 패키지체(40)와 상기 기판(10)의 접촉각에 영향을 주어 상기 법선(A)과 상기 접선(B) 사이의 끼인각(θ)이 비교적 작아 고화된 패키지체(40)의 출광면(42)은 구면(球面)에 근접한다. 따라서, 상기 발광 다이오드 칩(20)이 방사한 광선과 상기 출광면(42)이 이루는 각이 효과적으로 작아져서, 전반사율이 작아지기 때문에 상기 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 출광율이 향상된다. 이와 함께, 이러한 구조의 패키지체(40)는 사출성형에 의해 형성되는 것이 아니므로, 제조비용이 저감될 뿐만 아니라, 상기 기판(10)의 상기 패키지체(40)가 형성된 이외 부분에 교질체가 부착되지 않아 상기 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 전체 성능의 향상에 유리하다.The dam structure 30 provided on the substrate 10 is covered by the package body 40 while the light emitting surface 42 is formed on the light emitting diode package structure 100, And the dam structure 30 is located at a place where the package body 40 and the substrate 10 are in contact with each other, when the package body 40 is formed by dispensing, The direct contact between the package body 40 and the substrate 10 in the horizontal direction is converted into a direct contact with the package body 40 in the vertical direction of the contact surface 31 of the dam structure 30, The surface tension of the package body 40 which expresses the action of the package body 40 toward the inside is weakened and the contact angle of the package body 40 and the substrate 10 is affected, ) And the tangent line (B) are relatively small and the solidified package body 40 Is close to a spherical surface. Accordingly, the light emitted by the LED chip 20 and the angle formed between the light-emitting surface 42 and the light-emitting surface 42 are effectively reduced, thereby reducing the total reflectance, thereby improving the light emitting efficiency of the LED package structure 100. In addition, since the package body 40 having such a structure is not formed by injection molding, not only the manufacturing cost is reduced, but also the collar is attached to the portion of the substrate 10 other than the package body 40 The overall performance of the light emitting diode package structure 100 is advantageously improved.

또한, 상기 댐 구조(30)가 상기 패키지체(40) 내부에 수용되고 상기 패키지체(40) 외부에 상기 패키지체(40)의 출광면(42)의 형상을 조절하는 기타의 구조가 필요 없기 때문에 상기 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 전체적 외관이 미감적이다.The dam structure 30 is accommodated in the package body 40 and other structure for adjusting the shape of the light emitting surface 42 of the package body 40 is not required outside the package body 40 The overall appearance of the light emitting diode package structure 100 is unfavorable.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 다른 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조(100)는 복수 개의 댐 구조(30)와 복수 개의 패키지체(40)의 조합으로 복수 개의 동심원인 패키지체 형성구역을 형성할 수 있다. 디스펜스하여 상기 패키지체(40)를 형성하는 경우, 상기 댐 구조(30)가 상기 패기지체(40)를 지지 및 당접하는 것으로 상기 법선(A)과 상기 접선(B) 사이의 끼인각(θ)을 비교적 작은 범위 내로 제어하여 출광율이 우수한 패키지체(40)를 얻는다. 또한, 상기 패키지체(40)의 내부에 실제 요구에 따라 단일 층 또는 복수 층의 분말을 분산시킬 수 있다. 상기 분말은 단일 색 또는 여러 색의 분말일 수 있다.2, in another embodiment, the light emitting diode package structure 100 according to the present invention includes a plurality of dam structures 30 and a plurality of package bodies 40 in a plurality of concentric circles A package body forming region can be formed. The inclined angle θ between the normal line A and the tangent line B is set to be smaller than the inclined angle θ between the normal line A and the tangent line B by the dam structure 30 supporting and abutting the breakage support body 40 in the case of forming the package body 40 by dispensing So that the package body 40 having excellent emission rate is obtained. In addition, a single layer or a plurality of layers of powder may be dispersed in the package body 40 according to actual requirements. The powder may be a single color or a multicolor powder.

이하, 도 1 및 도 3 내지 도 6을 참조하면서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 제조에 대해 설명한다. 상기 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다.Hereinafter, the fabrication of the light emitting diode package structure 100 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 3 to 6. FIG. The manufacturing method of the light emitting diode package structure 100 includes the following steps.

제1 단계에서는, 도 3을 참조하면, 평탄한 상부 표면(11)을 갖는 기판(10)을 제공한다. 상기 기판(10)은 장방체 모양을 나타내고, 상기 상부 표면(11)에는 전도회로(도시되지 않았음)가 설치되어 있다. 상기 기판(10)은 인쇄회로 기판, 실리콘 기판, 또는 세라믹 기판 등이다. 본 실시형태에 있어서, 상기 기판(10)은 인쇄회로기판이다.In the first step, referring to FIG. 3, a substrate 10 having a planar upper surface 11 is provided. The substrate 10 has an oblong shape, and the upper surface 11 is provided with a conduction path (not shown). The substrate 10 is a printed circuit board, a silicon substrate, or a ceramic substrate. In the present embodiment, the substrate 10 is a printed circuit board.

제2 단계에서는, 도 4를 참조하면, 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 발광 다이오드 칩(20)을 설치한다. 본 실시형태에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 발광 다이오드 웨이퍼이다. 상기 발광 다이오드 칩(20)은 2개의 와이어를 통해 상기 기판(10)의 전극구조(도시되지 않았음)에 전기접속되는 한편, 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 고정된다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 파장이 서로 다른 여러 개의 칩의 조합일 수도 있다.Referring to FIG. 4, in the second step, the LED chip 20 is mounted on the upper surface 11 of the substrate 10. In the present embodiment, the light emitting diode chip 20 is a light emitting diode wafer. The light emitting diode chip 20 is electrically connected to the electrode structure (not shown) of the substrate 10 via two wires while being fixed to the upper surface 11 of the substrate 10. In addition, the light emitting diode chip 20 may be a combination of several chips having different wavelengths.

제3 단계에서는, 도 5를 참조하면, 댐 구조(30)를 상기 발광 다이오드 칩(20)의 외주를 둘러싸도록 상기 기판(10)의 상부 표면(11)에 설치한다. 본 실시형태에 있어서, 상기 댐 구조(30)는 환(環) 모양을 나타내며 그 단면 모양은 구형(矩形)이다. 상기 댐 구조(30)는 당접면(31)를 갖고, 그 당접면(31)은 상기 환 모양의 댐 구조(30)의 외측벽이다. 상기 댐 구조(30)는 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 질화 알루미늄(AlN) 등의 세라믹 재료에 의해 형성된다. 또한, 상기 댐 구조(30)에 반사층으로서 금속을 피복시켜 발광 다이오드 칩(20)을 도와 출광을 진행할 수 있다.5, the dam structure 30 is installed on the upper surface 11 of the substrate 10 so as to surround the outer periphery of the LED chip 20. In the present embodiment, the dam structure 30 has a ring shape and its cross-sectional shape is rectangular. The dam structure 30 has a contact surface 31 and its contact surface 31 is the outer wall of the annular dam structure 30. [ The dam structure 30 is formed of a ceramic material such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN). In addition, metal can be coated on the dam structure 30 as a reflective layer to facilitate the light emitting diode chip 20 to light out.

제4 단계에서는, 도 6을 참조하면, 상기 댐 구조(30) 및 상기 기판(10)의 상기 댐 구조(30)에 의해 형성된 구역에 디스펜스하여, 상기 댐 구조(30) 및 상기 발광 다이오드 칩(20)을 피복하는 패키지체(40)를 형성한다. 상기 댐 구조(30)가 상기 패키지체(40)와 상기 기판(10)의 교접처(交接處)에 위치하기 때문에, 디스펜스하여 상기 패키지체(40)을 형성하는 경우, 상기 패기지체(40)와 상기 기판(10)의 수평방향으로의 직접적인 접촉이 상기 패키지체(40)와 상기 댐 구조(30)의 당접면(31)의 수직방향으로의 직접적인 접촉으로 변하여 아직 고화(固化)되지 않아 액태를 표현하고 있는 패키지체(40)의 상기 교접한 곳에서의 내부를 향하는 표면장력이 약화되어, 패키지체(40)와 상기 기판(10)의 접촉각에 영향을 주어 고화된 패키지체(40)는 반구체(半球體)와 유사하다. 법선(A), 접선(B) 및 끼인각(θ)을 아래와 같이 정의(定義)한다. 법선(A)은 상기 댐 구조(30)의 외측벽(당접면(42))에 접하는 한편 상기 기판(10)에 수직하는 선이고, 접선(B)은 상기 댐 구조(30)로부터 연신하여 상기 출광면(42)에 접하는 선이며, 끼인각(θ)은 상기 법선(A)과 접선(B)의 사이에 끼인각이다. 상기 댐 구조(30)의 지지작용에 인해 상기 법선(A)과 상기 접선(B) 사이의 끼인각(θ)이 60도보다 작도록 제어된다. 본 실시형태에 있어서, 상기 패키지체(40)의 수직방향에서의 단면이 반원형(半圓形)에 근접하고 상기 끼인각(θ)은 15도보다 작다.In a fourth step, referring to FIG. 6, the dam structure 30 and the light emitting diode chip (not shown) are dispensed into the region formed by the dam structure 30 and the dam structure 30 of the substrate 10, 20 are formed. Since the dam structure 30 is positioned at the intersection of the package body 40 and the substrate 10 so that the package body 40 is formed by dispensing, Direct contact with the substrate 10 in the horizontal direction changes into direct contact with the package body 40 in the vertical direction of the contact surface 31 of the dam structure 30 and is not yet solidified, The surface tension of the package body 40 facing the interior of the package body 40 expressing the contact angle of the package body 40 is weakened to affect the contact angle between the package body 40 and the substrate 10, It is similar to a hemisphere. The normal (A), tangent (B) and subtended angle (θ) are defined as follows. The normal line A is a line perpendicular to the substrate 10 while being in contact with the outer wall (contact surface 42) of the dam structure 30. The tangent line B extends from the dam structure 30, Is a line tangent to the light surface 42 and the subtracted angle? Is an angle formed between the normal line A and the tangent line B. The inclined angle? Between the normal line A and the tangent line B is controlled to be smaller than 60 degrees due to the supporting action of the dam structure 30. [ In this embodiment, the cross section in the vertical direction of the package body 40 is close to a semicircle and the subtended angle? Is smaller than 15 degrees.

또한, 다른 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 구조(100)는 복수 개의 댐 구조(30)와 복수 개의 패키지체(40)의 조합으로 복수 개의 동심원인 패키지체 형성구역을 형성할 수 있다. 디스펜스하여 상기 패키지체(40)를 형성하는 경우, 상기 댐 구조(30)가 상기 패기지체(40)를 지지 및 당접하는 것으로 상기 법선(A)과 상기 접선(B) 사이의 끼인각(θ)을 비교적 작은 범위 내로 제어하여 출광율이 우수한 패키지체(40)를 얻는다. 또한, 상기 패키지체(40)의 내부에 실제 요구에 따라 단일 층 또는 복수 층의 분말을 분산시킬 수 있다. 상기 분말은 단일 색 또는 여러 색의 분말일 수 있고, 여러 색채의 형광 분말의 혼합물일 수도 있다. 실제 요구에 따라 형광 분말의 색채를 조절하는 것으로 여러 가지 색의 출사광을 얻을 수 있고, 광선의 파장을 개변하며, 발광 다이오드 패키지 구조(100)의 색온도를 조절할 수 있다. 또한, 상기 분말은 실제 요구에 따라 이산화 규소(SiO2), 산화 알루미늄(Al203) 또는 규산염(Silicate) 등의 분말과 형광 분말이 적층되어 형성될 수 있다.In another embodiment, the light emitting diode package structure 100 according to the present invention can form a plurality of concentric package body forming regions by a combination of a plurality of dam structures 30 and a plurality of package bodies 40 have. The inclined angle θ between the normal line A and the tangent line B is set to be smaller than the inclined angle θ between the normal line A and the tangent line B by the dam structure 30 supporting and abutting the breakage support body 40 in the case of forming the package body 40 by dispensing So that the package body 40 having excellent emission rate is obtained. In addition, a single layer or a plurality of layers of powder may be dispersed in the package body 40 according to actual requirements. The powder may be a single color or a multicolor powder, or may be a mixture of fluorescent powder of various colors. By adjusting the color of the fluorescent powder according to the actual requirement, it is possible to obtain various colors of emitted light, change the wavelength of the light, and adjust the color temperature of the LED package structure 100. In addition, the powder may be formed by laminating powders of silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicate or the like and fluorescent powder according to actual requirements.

이상, 본 발명을 바람직한 실시형태를 사용하여 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the present invention.

100 --- 발광 다이오드 패키지 구조 10 --- 기판
20 --- 발광 다이오드 칩 21 --- 와이어
30 --- 댐 구조 31 --- 당접면
40 --- 패키지체 41 --- 입광면
42 --- 출광면 A --- 법선
B --- 접선 θ --- 끼인각100 --- LED package structure 10 --- Substrate
20 --- Light emitting diode chip 21 --- Wire
30 --- dam structure 31 --- contact surface
40 --- Package body 41 --- Incoming surface
42 --- emission surface A --- normal
B --- tangent θ -

Claims (9)

기판과,
상기 기판에 설치되어 있는 발광 다이오드 칩과,
상기 기판에 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 둘러싸도록 설치되어 있는 적어도 하나의 댐 구조와,
상기 발광 다이오드 칩 및 상기 적어도 하나의 댐 구조를 피복하는 적어도 하나의 패키지체를 구비하고,
상기 댐 구조는 복수 개의 괴상부를 구비하고, 상기 복수 개의 괴상부는 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 불연속적으로 둘러싸도록 상기 기판에 설치되며, 상기 댐 구조는 상기 패키지체에 의해 피복되는 한편 상기 패키지체의 외표면과 접하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
A substrate;
A light emitting diode chip mounted on the substrate,
At least one dam structure provided on the substrate so as to surround the outer periphery of the LED chip,
And at least one package body covering the light emitting diode chip and the at least one dam structure,
Wherein the dam structure includes a plurality of mass portions, the plurality of mass portions are disposed on the substrate so as to discretely surround the outer periphery of the LED chip, the dam structure is covered by the package body, And the light emitting diode package structure is in contact with an outer surface of the light emitting diode package.
제1항에 있어서,
상기 패키지체는 출광면을 포함하고, 상기 댐 구조는 상기 패키지체의 출광면과 접하는 외측벽을 포함하며,
상기 외측벽에 당접하는 한편 상기 기판에 수직인 법선과 상기 댐 구조로부터 연신하여 상기 출광면에 접하는 접선 사이의 끼인각이 60도보다 작은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
The method according to claim 1,
Wherein the package body includes a light emitting surface, and the dam structure includes an outer wall contacting the light emitting surface of the package body,
And a subtended angle between a normal line perpendicular to the substrate and a tangent line extending from the dam structure to contact the light emitting surface is less than 60 degrees.
제2항에 있어서,
상기 끼인각이 15도보다 작은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
3. The method of claim 2,
Wherein the subtended angle is smaller than 15 degrees.
제1항에 있어서,
상기 댐 구조는 환 모양으로 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 둘러싸도록 상기 기판에 설치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
The method according to claim 1,
Wherein the dam structure is installed on the substrate so as to surround the outer periphery of the light emitting diode chip in an annular shape.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 댐 구조의 재료는 산화 알루미늄 또는 질화 알루미늄 또는 세라믹 재료인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
The method according to claim 1,
Wherein the material of the dam structure is aluminum oxide, aluminum nitride, or a ceramic material.
제1항에 있어서,
상기 댐 구조 및 상기 패키지체의 개수는 각각 복수 개이고, 상기 복수 개의 댐 구조 및 상기 복수 개의 패키지체는 일일이 대응되며, 상기 복수 개의 댐 구조는 동심원을 이루어 상기 발광 다이오드 칩의 주위를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of dam structures and the plurality of package bodies correspond to each other, and the plurality of dam structures are concentrically formed to surround the periphery of the LED chip, characterized in that the dam structure and the number of the package bodies are each a plurality, Emitting diode package structure.
제1항에 있어서,
상기 댐 구조의 표면에 금속재료가 피복되어 반사층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조.
The method according to claim 1,
Wherein a surface of the dam structure is covered with a metal material to form a reflective layer.
기판을 제공하는 단계와,
상기 기판에 발광 다이오드 칩을 설치하는 단계와,
복수 개의 괴상부를 구비하는 적어도 하나의 댐 구조의 복수 개의 괴상부가 상기 발광 다이오드 칩의 외주를 불연속적으로 둘러싸도록 복수 개의 괴상부를 구비하는 적어도 하나의 댐 구조를 상기 기판에 설치하는 단계와,
상기 댐 구조의 복수 개의 괴상부 및 상기 기판의 상기 댐 구조에 의해 형성된 구역에 디스펜스하여, 상기 댐 구조의 복수 개의 괴상부 및 상기 발광 다이오드 칩을 피복하는 패키지체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 구조의 제조 방법.Providing a substrate;
Installing a light emitting diode chip on the substrate,
Installing at least one dam structure having a plurality of mass portions in the substrate such that a plurality of mass portions of at least one dam structure having a plurality of mass portions discontinuously surround the outer periphery of the light emitting diode chip;
And forming a package body that covers the plurality of mass portions of the dam structure and the light emitting diode chip by dispensing the plurality of mass portions of the dam structure and the space formed by the dam structure of the substrate Of the light emitting diode package structure.
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