KR101433782B1 - 다결정 실리콘 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 1-10 ppta의 붕소, 1-20 ppta의 인, 1-10 ppta의 비소, 및 0.01-1 ppta의 알루미늄의 도판트 농도를 가지고, 적어도 2000 및 최대 4500 μs의 전하 캐리어 수명을 가지는 다결정 실리콘을 제공한다.

Description

다결정 실리콘{POLYCRYSTALLINE SILICON}
본 발명은 다결정 실리콘을 제공한다.
산업적 규모로, 조 실리콘은 약 2000℃ 온도에서 광 아크 로 내에서 탄소로 실리콘 디옥사이드를 환원시킴에 의하여 얻어진다.
이는 약 98-99%의 순도를 가지는 "야금 등급" 실리콘 (Simg)를 제공한다.
광전변환소자 및 마이크로일렉트로닉스에서의 적용을 위하여, 상기 야금 등급 실리콘은 정제되어야 한다.
이러한 목적을 위하여, 이는 예를 들어 유동층 반응기 내에서 300-350℃에서 기체 염화수소와 반응하여 실리콘-함유 기체, 예를 들어 모노실란 또는 할로실란, 예를 들어 트리클로로실란을 제공한다. 상기 실리콘-함유 기체를 정제하기 위하여 증류 단계가 잇따른다.
이러한 정제된 실리콘-함유 기체는 고순도 다결정 실리콘의 생산을 위한 출발 물질로 작용한다.
종종 짧게 폴리실리콘으로도 불리우는 상기 다결정 실리콘은 전형적으로 Siemens 공정에 의하여 생산된다. 이는 실리콘-함유 성분 및 수소를 포함하는 반응 기체의 도입과 함께, 벨 형상 반응기 (Siemens 반응기) 내에서 전류의 직접 통과에 의하여 얇은 필라멘트 로드를 가열하는 것을 포함한다.
상기 반응 기체의 실리콘-함유 성분은 일반적으로 일반식 SiHnX4 -n (n = 0, 1, 2, 3; X = Cl, Br, I)의 모노실란 또는 할로실란이다. 이는 바람직하게 클로로실란, 더 바람직하게 트리클로로실란이다. 주로 SiH4 또는 SiHCl3 (트리클로로실란, TCS)이 수소와의 혼합물로 사용된다.
상기 Siemens 공정에서, 상기 필라멘트 로드는 전형적으로, 이를 통하여 전원에 연결되는, 반응기 베이스에 존재하는 전극 내로 수직으로 삽입된다. 각각 두 개의 필라멘트 로드가 수평 브릿지 (마찬가지로 실리콘으로 구성됨)를 통하여 커플링되고, 실리콘 증착을 위한 지지체를 형성한다. 상기 브릿지 커플링은 얇은 로드로도 불리우는 캐리어 몸체들의 전형적인 U 형상을 생산한다.
폴리실리콘은 가열된 로드 및 상기 브릿지 상에 증착되며, 그 결과, 로드 직경은 시간 경과에 따라 증가한다 (CVD = 화학증기증착/기상증착).
상기 증착 완료 후, 상기 폴리실리콘 로드는 전형적으로 기계적 공정에 의하여 추가로 프로세싱되어 상이한 크기의 단편들을 제공하며, 임의로 습식-화학 정제되고 최종적으로 패킹된다.
그러나, 상기 폴리실리콘은 또한 로드 또는 로드 조각 형태로 추가로 프로세싱될 수 있다. 단일 결정이 폴리실리콘 로드로부터 생산되는 FZ 공정에서 폴리실리콘의 사용의 경우에 특히 그러하다.
다결정 실리콘 (짧게 폴리실리콘)은 도가니 인상법 (초크랄스키법 또는 CZ 공정) 또는 대역 용융법 (Flotazone 또는 FZ 공정)에 의한 단결정 실리콘의 생산에서 출발 물질로 작용한다.
이러한 단결정 실리콘은 웨이퍼 내로 나뉘어지고, 많은 기계적, 화학적 및 화학역학적 프로세싱 작업 후, 전자 부품 (칩)의 제조를 위한 반도체 산업에 사용된다.
그러나, 보다 구체적으로, 다결정 실리콘은 인상 또는 주조 공정에 의한 단- 또는 다결정 실리콘의 생산에 필요하며, 이러한 단- 또는 다결정 실리콘은 광전변환소자용 태양 전지 제조에 사용된다.
폴리실리콘에 대한 품질 요구가 높아지고 있으므로, 전체 공정을 통한 품질 조절이 필수적이다. 상기 물질은 예를 들어 금속 또는 도판트 오염에 대하여 분석된다. 벌크 오염은 폴리실리콘 단편 또는 로드 조각 표면에서의 오염으로부터 구별되어야 한다.
또한, 품질 조절 목적으로 생산된 폴리실리콘을 단결정 물질로 전환시키는 것이 관례적이다. 이 경우, 상기 단결정 물질이 분석된다. 여기서 마찬가지로, 반도체 산업에서 고객 관련 프로세스에서 특히 결정적으로 평가되는, 금속 오염이 특히 중요하다. 그러나, 실리콘은 알루미늄, 붕소, 인 및 비소와 같은 도판트 및 탄소에 대해서도 분석된다.
도판트는 다결정 물질로부터 생산되는 FZ 단일 결정 상에서 SEMI MF 1398에 따른 광 발광에 의하여 분석된다 (SEMI MF 1723). 대안적으로, 저온 FTIR (푸리에 변환 적외 분광 분석)이 사용된다 (SEMI MF 1630).
FTIR (SEMI MF 1188, SEMI MF 1391)는 탄소 및 산소 농도 측정을 가능케 한다.
FZ 공정의 기초는 예를 들어 DE-3007377 A에 기재되어 있다.
FZ 공정에서, 다결정성 스톡 로드가 고주파 코일에 의하여 서서히 용융되고, 단결정성 시드 결정으로 시딩한 후 재결정화에 의하여 상기 용융된 물질이 단일 결정으로 전환된다. 재결정화 과정에서, 단일 결정 형성 직경은 원하는 최종 직경에 도달할 때까지 (로드 형성) 원뿔 형상으로 먼저 증가한다 (원뿔 형성). 원뿔 형성에서, 얇은 시드 결정의 부하를 위하여 상기 단일 결정이 또한 기계적으로 지지된다.
또한, 분석 목적으로 단일 결정으로 인상된 실리콘은 그 전하 캐리어 수명에 대하여 분석된다. 상이한 측정 기술, 예를 들어 SEMI PV9에 따른 측정 기술이 사용된다.
전하 캐리어 수명은 성분의 최대 효율을 보증하기 위하여, 반도체 및 광전변환소자 부문에서 다결정 실리콘의 사용에 있어서 결정적이다.
DE　10　2005　044　328　A1는 2 내지 500 μs의 수명을 가지는 다결정 실리콘 재료를 개시한다. 다결정 실리콘 재료의 생산을 위하여, Siemens 공정을 사용하며, 사용되는 실란 기체는 적어도 10 및 최대 1000 ppb의 붕소를 가지는 트리클로로실란 또는 모노실란이다. 상기 다결정 실리콘 재료는 태양열 발전을 위하여 사용된다.
DE　10　2005　044　328　A1에 따르면, 반도체 품질의 실란의 순도는 100 ppb 미만의 붕소이다. 또한, Fe, Cu, Ni, Cr, Zn 및 Na의 합이 5 ppb 이하이고 (ICP 방법), Al 및 B의 공여체 양이 0.1 ppb 이하이고 (광발광), 및 수명이 1000 μs 이상이다 (ASTM F28-91).
EP　0　345　618　B1는 15 ppta 미만의 붕소 및 20 ppta 미만의 인을 가지는 다결정 실리콘 로드를 개시한다. 이러한 로드를 이용하여, 플로팅 존 공정에 의하여, 적어도 10,000 ohmcm의 비저항 및 적어도 10,000μs의 수명을 가지는 단결정 실리콘을 생산할 수 있다. 상기 다결정 실리콘 로드는 Siemens 공정에 의하여 생산된다. 상기 다결정 실리콘 로드는 5 ppta 미만의 알루미늄 및 0.1 ppma 미만의 탄소를 함유한다. 필라멘트 로드는 0.2 ppba 미만의 붕소 및 0.2 ppba 미만의 인을 함유한다. EP　0　345　618　B1에서 Simens 공정에서, 모노실란을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는 붕소 및 인이 모노실란으로부터 용이하게 제거될 수 있기 때문이다. 대조적으로, 트리클로로실란은 사용되는 흡착제가 트리클로로실란을 알루미늄으로 오염시키므로 효과적인 증류를 허용하지 않는다.
본 발명의 목적은 상기 문제점들을 해결하고자 하는 것이다.
본 발명의 목적은
1-10 ppta의 붕소,
1-20 ppta의 인,
1-10 ppta의 비소, 및
0.01-1 ppta의 알루미늄
의 도판트 농도를 가지고,
적어도 2000 및 최대 4500 μs의 전하 캐리어 수명을 가지는 다결정 실리콘에 의하여 달성된다.
본 발명의 다결정 실리콘은 예외적으로 낮은 도판트 농도, 특히 낮은 알루미늄 농도, 및 동시에 비교적 높은 전하 캐리어 수명을 가진다.
인 농도는 바람직하게 1-10 ppta이다.
붕소 농도는 바람직하게 1-5 ppta이다.
비소 농도는 바람직하게 1-5 ppta이다.
도판트 농도는 다음과 같이 결정된다:
다결정 실리콘의 코어 샘플로부터 FZ에 의한 단일 결정 성장, 로드 조각의 제거, HF/HNO3로 에칭, 광 발광.
다결정 실리콘은 다음과 같은 금속 내부 (벌크) 농도를 더욱 특징으로 한다:
Fe 10-100　pptw, 바람직하게 10-60　pptw, 가장 바람직하게 10-40　pptw
Cu 10-250　pptw, 바람직하게 10-100　pptw, 가장 바람직하게 10-50　pptw
Ni 1-20　pptw, 바람직하게 1-10　pptw
Cr 0.1-10　pptw, 바람직하게 0.1-2　pptw
Zn 1-20　pptw, 바람직하게 1-4　pptw
Na 10-1000　pptw, 바람직하게 10-700　pptw, 가장 바람직하게 10-400　pptw
Fe, Cu, Ni, Cr, Zn 및 Na 농도는 총 1400 pptw 미만, 바람직하게 35-850 pptw, 가장 바람직하게 35-550 pptw이다.
상기 금속 농도는 (HF/HNO3로 에칭된) 샘플 상에서 INAA에 의하여 결정된다: cf. SEMI PV10-1110.
INAA (중성자 방사화 분석법)는 원자 핵 내 반응에 근거한다. 분석될 샘플의 원자를 중성자 빔에 의하여 활성화한다. 반응기 내에서 방사 중에, 일부 원자핵이 중성자를 포획한다 - 이는 불안정한 동위원소를 형성한다. 그 방사성 분해 과정에서 방출되는 방사선 측정은 분석 샘플 내 존재하는 원소의 성질 및 양에 대한 결론을 허용한다.
상기 전하 캐리어 수명은 SEMI PV9-0611에 따라 결정된다 (짧은 광 펄스 후 마이크로웨이브 반사의 비-접촉 측정에 의한 PV 실리콘 재료 내 과량의 전하 캐리어 붕괴에 대한 시험법).
본 발명의 다결정 실리콘은 예외적으로 낮은 도판트 농도, 특히 낮은 알루미늄 농도, 및 동시에 비교적 높은 전하 캐리어 수명을 가진다.
다결정 실리콘의 제조
a) 트리클로로실란의 제조/증류
Siemens 반응기 내에서 트리클로로실란과 수소의 반응으로부터 다결정 실리콘이 얻어진다. TCS는 주로 세 가지 상이한 공정을 통하여 얻어진다.
A) Si + 3 HCl → SiHCl3 + H2 + 부산물
B) Si + 3 SiCl4 + 2 H2 → 4 SiHCl3 + 부산물
C) SiCl4 + H2 → SiHCl3 + HCl + 부산물
이러한 공정들은 기타 부산물 또는 불순물뿐 아니라, 비교적 다량의 디클로로실란 (DCS)을 형성한다.
예를 들어, (A)에 따른 야금 등급 실리콘의 염화수소 첨가 반응에서, 약 0.1-1.0% DCS가 반응 생성물 내 존재하는 것으로 알려져 있다.
(B)에 따른 야금 등급 실리콘과 실리콘 테트라클로라이드 (STC) 및 수소와의 반응은, 특히 구리가 이 공정을 위한 촉매로 사용될 때, 일반적으로 반응 생성물 내에 훨씬 더 높은 DCS 함량을 제공한다.
(C)에 따른 STC의 수소첨가 반응에서도, 0.05-1.0% DCS가 반응 생성물 내에 발견된다.
따라서, 상기 반응 생성물은 TCS, DCS 및 STC를 포함하는 클로로실란 혼합물이다.
이러한 클로로실란 혼합물은 몇몇 증류 컬럼 내에서 증류 공정에 의하여 정제된다. 상기 혼합물을 붕소를 함유하는 것으로 알려져 있다.
증류에서, 저-비등 붕소 화합물이 붕소-풍부 DCS를 포함하는 상부 스트림에 의하여 증류 컬럼으로부터 나뉘어지고, 비교적 고-비등 붕소 화합물이 고-비등물을 포함하는 붕소-풍부 바닥 스트림에 의하여 나뉘어진다.
바람직하게, 제공되는 클로로실란 혼합물은 350-400℃에서 유동층 반응기 내에서 야금 등급 실리콘과 HCl과의 반응에 의하여 얻어진다.
클로로실란 혼합물은 바람직하게 제1 분리 컬럼에 공급되며, 이러한 분리 컬럼으로부터 제1 분획 내에 10 ppm 미만의 STC가 존재하고 이러한 분리 컬럼으로부터의 제2 분획 내에 10 ppm 미만의 TCS가 존재한다.
바람직하게, 상기 분리 컬럼으로부터의 제2 분획이 제2 컬럼에 공급되고, 증류에 의하여 STC를 포함하는 상부 스트림 및 고-비등물을 포함하는 붕소-풍부 바닥 스트림으로 분리된다.
상기 분리 컬럼으로부터의 제1 분획은 바람직하게 제3 컬럼에 공급되고, 증류에 의하여 TCS를 포함하는 바닥 스트림, 및 TCS뿐 아니라 DCS와 같은 저-비등물을 포함하는 붕소-풍부 상부 스트림으로 분리된다.
상기 제3 컬럼으로부터의 DCS와 같은 저-비등물 및 TCS를 포함하는 상부 스트림은 바람직하게 불활성 기체를 공급하면서 제4 컬럼 내로 들어가고, 붕소-풍부 DCS를 포함하는 상기 제4 컬럼으로부터 상부 스트림이 배출되고, 상기 제4 컬럼으로부터 분리 컬럼으로 바닥 스트림이 다시 공급되고, 오프가스를 포함하는 이차 스트림이 상기 제4 컬럼으로부터 폐기된다.
상기 제4 컬럼은 바람직하게 상승된 압력에서 작동된다.
바람직하게, DCS와 같은 저-비등물 및 TCS를 포함하는 상기 제3 컬럼으로부터의 상부 스트림이 제4 컬럼으로 공급되기 전에 액화된다.
필수 단계들은 야금 실리콘의 염화수소 첨가 반응에 의한 클로로실란, 바람직하게 TCS의 생산, 상기 클로로실란의 증류 정제, 및 클로로실란 혼합물로부터 고도로 붕소-오염된 DCS 및 STC 분획의 제거이다.
따라서, 비교적 고-비등 붕소 불순물들이 STC 서브스트림 내에 집중되고, 저-비등 붕소 화합물들은 DCS 서브스트림 내에 집중된다.
이와 같이 하여 정제된 트리클로로실란은 매우 낮은 붕소 함량을 가진다.
정제된 트리클로로실란이 사용을 위하여 다결정 실리콘 증착을 위한 반응기로 배출되기 전에, 트리클로로실란 내 도판트 함량을 측정한다.
증착을 위하여 사용되는 TCS는 다음 조건을 충족시켜야 한다:
상기 TCS는 최대 20 ppta 붕소, 최대 90 ppta 인, 20 ppta 미만의 비소, 및 1 ppta 미만의 알루미늄을 함유한다.
상기 TCS는 바람직하게 1-20 ppta의 붕소를 함유한다.
상기 TCS는 바람직하게 1-90 ppta의 인을 함유한다
상기 TCS는 바람직하게 1-20 ppta의 비소를 함유한다
상기 TCS는 바람직하게 0.01 내지 1 ppta의 알루미늄을 함유한다.
TCS 내 도판 농도는, 상기 TCS를 실리콘 성분으로 사용하여, 작은 Siemenes 시험 반응기 내에 시험 증착에 의하여 간접적으로 결정된다. 상기 증착되는 폴리실리콘은 다결정 실리콘으로부터 FZ 및 로드 조각 제거에 의한 단일 결정의 성장에 의하여 추가로 프로세싱된다. HF/HNO3를 이용한 에칭 단계 후, 광 발광에 의하여 도판트 농도를 측정한다. 상기 TCS가 상기 조건들은 충족시킴을 보증하기 위하여, 시험 증착에 의한 분석 중에 증류 공정에 의하여 정제된 TCS를 탱크 내로 도입할 수 있으며, 상기 탱크는 측정 결과가 얻어진 후 다결정 실리콘의 증착을 위해서만 허용될 뿐이다.
트리클로로실란의 100% 모니터링은 생산된 다결정 실리콘의 균일한 품질의 보증을 허용한다.
b) 트리클로로실란 내 도판트의 모니터링을 위한 시험 증착
시험 증착은 분석될 TCS를 사용하여 다결정 실리콘 증착을 포함한다.
이를 위하여, 전극에 의하여 전원이 공급되고 전류의 직접 통과에 의하여 가열되는 필라멘트 로드가 사용된다. TCS 및 수소의 도입을 통하여, 다결정 실리콘이 필라멘트 로드 상에 증착된다.
폴리실리콘이 증착 과정 중에 오염되지 않는 것이 중요하다. 이러한 방시긍로만, 시험 증착은 사용되는 TCS의 순도에 대한 정확한 결론을 허용한다
이를 위하여, 상기 필라멘트 로드에 전원 공급을 위한 전극이 정렬되는 반응기의 일단이 실리콘으로 덮힌다.
이는 바람직하게 소정의 및 매우 낮은 도판트 함량을 가지는 실리콘이다.
이는 바람직하게 다음과 같은 도판트 농도를 가지는 실리콘이다:
붕소 최대 10 ppta 및 인 최대 20 ppta.
상기 실리콘은 바람직하게 최대 20 ppta의 알루미늄 및 최대 20 ppta의 비소를 부가적으로 함유한다.
증착 후, 다결정 실리콘 로드를 반응기로부터 제거한다. 폴리실리콘 로드의 코어 샘플을 사용하여 영역 인상에 의하여 단일 결정을 수득한다. 이러한 단일 결정, 또는 그로부터 제거되는 로드 조각은 연이어 분순물, 특히 도판트 오염에 대하여 분석된다.
HF/HNO3를 이용하는 에칭 단계 후, 광 발광에 의하여 도판트 농도를 측정한다.
도판트에 대한 검출 한계는 약 1 ppta이다.
c) 다결정 실리콘의 증착
시험 증착 후 TCS 내 도판트 농도 측정이 TCS가 붕소, 인, 비소 및 알루미늄 함량에 대한 상기 조건을 충족시킨다면, 이는 본 발명의 다결정 실리콘 증착을 위하여 사용될 수 있다
상기 증착은 전형적인 Siemens 공정으로 실행된다.
상기 Siemens 반응기는 반응 기체 (TCS 및 수소)의 반응기로의 공급을 위한 유입 라인 및 증착 과정에 형성되는 오프가스의 제거를 위한 배출 라인을 포함한다.
실리콘 로드를 실온으로 냉각시키는 것을 포함하는 증착 완료 후, 상기 반응기를 개방하고 실리콘 로드를 반응기로부터 제거한다.
상기 반응기 개방시부터 및 실리콘 로드의 제거 중에, 불활성 기체를 유입 및 배출 라인을 통하여 상기 반응기 내로 플러싱한다. 사용되는 불활성 기체는 질소 또는 아르곤과 같은 영족 기체일 수 있다.
상기 불활성 기체 플러시는 미국 특허 제 7,927,571 호에 상세히 기재되어 있으며, 상기 문헌은 본원에 참조로 완전히 포함된다.
이는 낮은 인 수준뿐 아니라, 상기 공정 내로 습기가 도입될 수 없음을 보증한다. 이는 부식 또는 금속의 다결정 실리콘 내로 도입을 방지한다.
실시예
연이어 붕소 및 인 함량에 대하여 분석하기 위하여, TCS를 시험 반응기 내에 사용하였다.
상기 증류를 통과한 9 TCS 배치를 분석하였다.
도판트 (B, P)를 다결정 물질로부터 얻어지는 FZ 단일 결정 상에서 SEMI MF 1398에 따라 광 발광에 의하여 분석하였다 (SEMI MF 1723).
표 1은 결과 값을 ppta로 나타낸다.
P B
#1 19.4 3.7
#2 19.1 3.0
#3 19.4 3.3
#4 21.1 3.7
#5 19.2 3.9
#6 19.2 3.4
#7 19.3 3.5
#8 19.1 3.0
#9 19.8 2.8
샘플 #4를 제외하고, 모든 TCS 배치는 TCS 내 붕소 함량이 20 ppta를 초과하지 않아야 한다는 조건을 충족시킨다.
이를 본 발명의 다결정 실리콘의 증착을 위하여 사용할 수 있다.
도판트, 금속 및 수명을 이러한 TCS를 이용하여 얻어진 다결정 실리콘의 5 배치 상에서 측정하였다.
금속 함량을 SEMI PV10-1110에 따라 다결정 물질로부터 얻어진 샘플 상에서 INAA에 의하여 분석하였다.
표 2는 결과 값을 pptw로 나타낸다.
원소 #1 #2 #3 #4 #5
Na 729 936 934 899 855
Fe 74 58 98 98 44
Cu 247 149 131 41 41
Ni 15 8.1 12.9 17 7.5
Cr 9.41 3.1 1.6 1.6 0.89
Zn 17.15 3.8 7.6 5.7 3.4
또한, 상기 다결정 실리콘의 도판트를 측정하였다.
표 3는 결과 값을 ppta로 나타낸다.
원소 #1 #2 #3 #4 #5
P 13 14 15 16 19
B 6 5 5 6 6
As 3 6 6 4 6
Al 0.02 0.05 0.1 0.2 0.08
수명을 측정하기 위하여, 19 mm 직경의 로드 형상 샘플을 상기 다결정 실리콘으로부터 드릴시키고, ASTM Std. F1723-96에 따라 FZ 법에 의하여 단일결정 로드로 인상하였다. 결과 형성되는 단일 결정은 19 mm의 로드 두께를 가졌다.
전하 캐리어 수명을 단일 결정 상에서 측정하였다.
SMI PV9-0611에 따라 무접촉 공정을 사용하였으며, 광 여기 후 시간 경과에 따라 변화하는 전도성을 유도 방법에 의하여 결정하였다
표 4는 결과 값을 μs로 나타낸다.
측정 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
수명 2568 2601 2577 2653 2808 3593 4056 2581 2683 2946

Claims (11)

1-10 ppta의 붕소,
1-20 ppta의 인,
1-10 ppta의 비소, 및
0.01-1 ppta의 알루미늄
의 도판트 농도를 가지고,
2000 μs 내지 4500 μs의 전하 캐리어 수명을 가지는,
트리클로로실란으로부터 실리콘 필라멘트 로드 상에 증착된 다결정 실리콘.
제1항에 있어서,
1-10 ppta의 인 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항에 있어서,
1-5 ppta의 붕소 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항에 있어서,
1-5 ppta의 비소 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항에 있어서,
총 1400 pptw 미만의 Fe, Cu, Ni, Cr, Zn 및 Na 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
10-100 pptw의 Fe 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
10-250 pptw의 Cu 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
1-20 pptw의 Ni 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
0.1-10 pptw의 Cr 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
1-20 pptw의 Zn 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
10-1000 pptw의 Na 벌크 농도를 가지는 다결정 실리콘.
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