KR101432503B1 - 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents

포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 Download PDF

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Abstract

포토레지스트 패턴의 신뢰성을 향상시킨 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법이 개시된다. 포토레지스트 조성물은 바인더 수지, 광산발생제, 서로 다른 4개의 모노머들을 포함하는 아크릴 수지 및 여분의 용매를 포함한다. 이에 따라, 포토레지스트 패턴의 노광 마진 및 내열성을 향상시킴으로써, 포토레지스트 패턴의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Figure R1020080017354
포토레지스트 조성물, 4매 공정, 초점, 포커스, 초점심도, DOF, 아크릴

Description

포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법{PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 어레이 기판을 제조하는데 사용될 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시패널은 각 화소 영역을 구동하기 위한 스위칭 소자로 박막 트랜지스터가 형성된 어레이 기판과, 상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 개재되어 형성된 액정층을 포함한다. 상기 액정표시패널은 상기 액정층에 전압을 인가하여 광의 투과율을 제어하는 방식으로 화상을 표시한다.
상기 어레이 기판은 포토레지스트 조성물을 이용한 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통하여 형성된다. 최근에는 공정의 단순화를 위하여 4장의 마스크를 이용하여 상기 어레이 기판을 제조하는 4매 공정을 이용하고 있다.
한편, 상기 포토리소그래피 공정에서 이용되는 노광장치의 광학계의 초점은 상기 광학계와 기판 사이의 거리에 의존하므로, 일정하게 관리하고 유지하는 것이 매우 중요하다. 상기 광학계와 기판 사이의 거리가 변동되면 상기 광학계가 상기 기판에 조사하는 광량(광에너지)을 변동시키게 되고, 사용자가 특정하는 광량과 다른 값의 광량이 상기 기판에 가해짐으로써 사용자가 원하는 정상적인 포토레지스트 패턴을 형성할 수 없다.
기판의 올려놓는 스테이지의 제작 정밀도나 기판 이동시의 진동, 노광장치의 광학계 제작의 오차 등의 물리적인 요인들로 인해 포토레지스트 패턴의 패터닝 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다. 특히, 기판의 사이즈가 대형화되면서 포토레지스트 패턴의 패터닝 신뢰성의 저하는 더욱 커지고 있는 실정이다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 포토레지스트 패턴의 노광 마진 및 내열성을 향상시킨 포토레지스트 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는데 있다.
이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 포토레지스트 조성물은 바인더 수지, 광산발생제, 하기의 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지 및 여분의 용매를 포함한다.
Figure 112008014103304-pat00001
(상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, a, b, d 및 e 각각은 0.01 내지 0.99이며, a, b, d 및 e의 총합은 1이다)
상기 포토레지스트 조성물은 하기의 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함할 수 있다.
<화학식 2>
Figure 112008014103304-pat00002
(상기 R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 메틸기를 나타낸다)
상기 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지는 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 20 중량 퍼센트를 차지할 수 있다.
상기 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물은 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 10 중량 퍼센트를 차지할 수 있다.
상기 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지의 중량평균분자량은 대략 5000 내지 30000일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 어레이 기판의 제조 방법은 게이트 라인 및 게이트 전극이 형성된 베이스 기판 위에 게이트 절연막, 액티브층 및 데이터 금속층을 차례로 형성하는 단계, 상기 데이터 금속층 위에 바인더 수지, 광산발생제, 상기의 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지 및 여분의 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 제1 두께로 형성된 소스 전극/배선부 및 드레인 전극부와 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 형성된 채널 형성부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 데이터 금속층 및 액티브 층을 식각하여 데이터 라인 및 채널부를 형성하는 단계, 상기 채널 형성부를 제거하여 상기 데이터 금속층의 일부를 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 데이터 금속층 및 상기 액티브층을 식각하여 소스 전극, 드레인 전극 및 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 포토레지스트 조성물은 상기 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함할 수 있다.
이와 같은 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법에 따르면, 아크릴 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용함으로써 노광장치의 광학계와 포토레지스트 패턴이 형성되는 기판 사이의 거리가 변경되어 상기 광학계의 초점이 변동되어도 상기 포토레지스트 패턴이 정상적으로 형성될 수 있는 범위가 넓어질 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트 패턴의 노광 마진을 향상시킬 수 있다.
또한, 포토레지스트 패턴의 내열성을 향상시킬 수 있고, 특히 4매 공정을 통해 제조하는 박막 트랜지스터의 제조 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 포토레지스트 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막) 또는 패턴들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막) 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막) 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
포토레지스트 조성물
본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 바인더 수지, 광산발생제, 하기의 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지 및 여분의 용매를 포함한다.
상기 바인더 수지는 알카리 가용성이고, 예를 들어, 페놀계 화합물과 알데하이드계 화합물을 산성촉매의 존재 하에서 반응시켜 얻을 수 있다. 상기 바인더 수지는 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 50 중량 퍼센트를 차지할 수 있다.
상기 페놀계 화합물로는 페놀, 오르토크레졸, 메타크레졸, 파라크레졸, 2,3-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 2,3,6-트리메틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 4-t-부틸페놀, 2-메틸레졸시놀, 4-메틸레졸시놀, 5-메틸레졸시놀, 4-t-부틸카테콜, 2-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-프로필페놀, 3-프로필페놀, 4-프로필페놀. 2-이소프로필페놀, 2-메톡시-5-메틸페놀, 2-t-부틸-5-메틸페놀, 티몰, 이소티몰 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로, 또는 혼합되어 사용될 수 있으며, 포토레지스트의 감도제어를 고려하였을 때, 메타크레졸과 파라크레졸을 병용하여 사용될 수 있다. 이 때, 메타크레졸과 파라크레졸의 중량비는 약 80:20 내지 약 20:80일 수 있으며, 바람직하게는 약 70:30 내지 약 50:50일 수 있다.
상기 알데하이드계 화합물로는 포름알데하이드, 포르말린, 파라포름알데하이드, 트리옥산, 아세트알데하이드, 프로필알데하이드, 벤즈알데하이드, 페닐아세트알데하이드, α-페닐프로필알데하이드, β-페닐프로필알데하이드, o-하이드록시벤즈알데하이드, m-하이드록시벤즈알데하이드, p-하이드록시벤즈알데하이드, o-클로로벤즈알데하이드, m-클로로벤즈알데하이드, p-클로로벤즈알데하이드, o-메틸벤즈 알데하이드, m-메틸벤즈알데하이드, p-메틸벤즈알데하이드, p-에틸벤즈알데하이드, p-n-부틸벤즈알데하이드, 테레프탈산알데하이드 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 바인더 수지가 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 중량 퍼센트 미만인 경우, 포토레지스트 조성물의 점도가 너무 낮아 원하는 두께를 갖는 포토레지스트 패턴이 형성되지 않는 문제점이 있고, 상기 바인더 수지가 상기 포토레지스트 조성물의 대략 50 중량 퍼센트 초과인 경우, 포토레지스트 조성물의 점도가 너무 높아져 기판 상에 포토레지스트 조성물을 코팅하기 어려운 문제점이 있다. 따라서, 상기 바인더 수지는 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 50 중량 퍼센트를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 광산발생제는 노광에 의해 브뢴스테드 산 또는 루이스 산을 발생한다. 예를 들어, 상기 광산발생제는 오늄염, 할로겐화 유기화합물, 퀴논디아지드 화합물, 비스(설포닐)디아조메탄계 화합물, 설폰 화합물, 유기산에스테르 화합물, 유기산아미드 화합물, 유기산이미드 화합물 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 오늄염으로는 디아조늄염, 암모늄염, 디페닐요오드늄트리플레이트 등의 요오드늄염, 트리페닐설포늄트리플레이트 등의 설포늄염, 포스포늄염, 아르소늄염, 옥소늄염 등을 예로 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 할로겐화 유기화합물로는 할로겐함유 옥사디아졸계 화합물, 할로겐함유 트리아진계 화합물, 할로겐 함유 아세트페논계 화합물, 할로겐함유 벤조페논계 화합물, 할로겐함유 설폭사이드계 화합물, 할로겐함유 설폰계 화합물, 할로겐함유 티아졸계 화합물, 할로겐 함유 옥사졸계 화합물, 할로겐함유 트리아졸계 화합물, 할로겐 함유 2-피론계 화합물, 기타 할로겐 함유 헤테로환상 화합물, 할로겐함유 지방족 탄화수소 화합물, 할로겐함유 방향족 탄화수소 화합물, 설페닐할라이드 화합물 등을 예로 들 수 있다.
구체적으로, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리스(2,3-디브로모프로필)포스페이트, 트리스(2,3-디브로모-3-클로로프로필)포스페이트, 테트라브로모클로로부탄, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-S-트리아진, 헥사클로로벤젠, 헥사브로모벤젠, 헥사브로모시클로도데칸, 헥사브로모시클로도데센, 헥사브로모비페닐, 알릴트리브로모페닐에테르, 테트라클로로비스페놀 A , 테트라브로모비스페놀 A, 테트라클로로비스페놀 A 의 비스(클로로에틸)에테르, 테트라클로로비스페놀 S, 테트라브로모비스페놀 S, 테트라클로로비스페놀 A의 비스(2,3-디클로로프로필)에테르, 테트라브로모비스페놀 A의 비스(2,3-디브로모프로필)에테르, 테트라클로로비스페놀 S의 비스(클로로에틸)에테르, 테트라브로모비스페놀 S의 비스(브로모에틸)에테르, 비스페놀 S의 비스(2,3-디클로로프로필)에테르, 비스페놀 S의 비스(2,3-디브로모프로필)에테르, 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트, 2,2-비스(4-하이드록시-3,5-디브로모페닐)프로판, 2,2-비스(4-(2-하이드록시에톡시)-3,5-디브로모페닐)프로판, 디클로로디페닐트리클로로에탄, 펜타클로로페놀, 2,4,6-트리클로로페닐-4-니트로페닐에테르, 2,4-디클로로페닐에테르, 3'- 메톡시-4'-니트로페닐에테르, 2,4-디클로로페녹시아세트산, 4,5,6,7-테트라클로로프탈리드, 1,1-비스(4-클로로페닐)에탄올, 1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄올, 2,4,4',5-테트라클로로디페닐설파이드, 2,4,4'5-테트라클로로디페닐설폰 등을 예로 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
퀴논디아지드 화합물의 예로는, 1,2-벤조퀴논디아지드-4-설폰산에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산에스테르와 같은 퀴논디아지드 유도체의 설폰산에스테르; 1,2-벤조퀴논-2-디아지드-4-설폰산클로라이드, 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설폰산클로라이드, 1,2-나프토퀴논-디아지드-5-설폰산클로라이드, 1,2-나프토퀴논-1-디아지드-6-설폰산클로라이드, 1,2-벤조퀴논-1-디아지드-5-설폰산클로라이드 등의 퀴논디아지드 유도체의 설폰산클로라이드 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
비스(설포닐)디아조메탄계 화합물로는, 미치환, 대칭적 또는 비대칭적으로 치환된 알킬기, 알케닐기, 아프알킬기, 방향족기, 또는 헤테로환상기를 갖는 α,α'-비스(설포닐)디아조메탄을 예로 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
설폰 화합물로는, 미치환, 대칭적 또는 비대칭적으로 치환된 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기, 방향족기, 또는 헤테로환상기를 갖는 설폰 화합물, 디설폰 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
유기산에스테르로는, 카르복실산에스테르, 설폰산에스테르, 인산에스테르 등을 들 수 있고, 유기산아미드로는, 카르복실산아미드, 설폰산아미드, 인산아미드 등을 들 수 있고, 유기산이미드로는 , 카르복실산이미드, 설폰산이미드, 인산이미드 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
이 외에, 상기 광산발생제로는 시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 디시클로헥실(2-옥소시클로헥실)설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 2-옥소시클로헥실(2-노르보르닐)설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 2-시클로헥실설포닐시클로헥사논, 디메틸(2-옥소시클로헥실)설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐요오드늄 트리플루오로메탄설포네이트, N-하이드록시숙시이미딜트리플루오로메탄설포네이트, 페닐파라톨루엔설포네이트, 미치환, 대칭적 또는 비대칭적으로 치환된 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기, 방향족기, 또는 헤테로환상기를 갖는 α-카르보닐-α-설포닐디아조메탄 등을 예로 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 광산발생제의 함량이 대략 1 중량 퍼센트 미만인 경우, 노광에 의해 생성되는 산의 양이 부족하여 선명한 포토레지스트 패턴이 형성되지 않으며, 상기 광산발생제의 함량이 대략 20 중량 퍼센트 초과인 경우, 산이 과다하게 생성되어 패턴의 가장자리가 둥글게 형성되거나 포토레지스트 패턴이 현상 공정에서 손실될 수 있다. 따라서, 상기 광산발생제는 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 20 중량 퍼센트인 것이 바람직하다.
하기의 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지는 서로 다른 4개의 모노머들을 공중합하여 제조할 수 있다.
Figure 112008014103304-pat00003
상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다. 예를 들어, 상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 부틸기 및 프로필기 중 어느 하나일 수 있다.
상기 a, b, d 및 e 각각은 0.01 내지 0.99이며, a, b, d 및 e의 총합은 1이다.
상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지의 함량이 대략 1 중량 퍼센트 미만인 경우, 포토레지스트 조성물의 노광 마진 및 내열성 향상에 기여하는 바가 없고, 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지의 함량이 대략 20 중량 퍼센트를 초과하는 경우에는 포토레지스트 조성물의 내열성은 향상될 수 있는 반면 포토레지스트 패턴과 기판 사이의 접착력이 저하되고, 잔막 형성이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지는 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 20 중량 퍼센트인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지의 중량평균분자량은 대략 5000 내지 30000일 수 있다. 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지의 중량평균분자량이 대략 5000 미만인 경우에는, 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지가 상기 포토레지스트 패턴의 노광 마진 및 내열성에 기여하는 효과가 거의 없고, 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지의 중량평균분자량이 대략 30000 초과인 경우에는 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지가 용매에 용해되기 어렵다. 바람직하게는, 상기 화학식 1을 포함하는 아크릴계 수지의 중량평균분자량은 대략 16000일 수 있다.
상기 용매로는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르 아세테이트류; 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜류; 프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜 에틸에테르, 프로필렌글리콜 프로필에테르, 프로필렌글리콜 부틸에테르 등의 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜 메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜 부틸에테르프로피오네이트의 프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-하이드록시-4-메 틸-2-펜타논 등의 케톤류; 및 초산 메틸, 초산 에틸, 초산 프로필, 초산 부틸, 2-하이드록시 프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시초산 메틸, 하이드록시초산 에틸, 하이드록시초산 부틸, 유산 메틸, 유산 에틸, 유산 프로필, 유산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시초산 메틸, 메톡시초산 에틸, 메톡시초산 프로필, 메톡시초산 부틸, 에톡시초산 메틸, 에톡시초산 에틸, 에톡시초산 프로필, 에톡시초산 부틸, 프로폭시초산 메틸, 프로폭시초산에틸, 프로폭시초산 프로필, 프로폭시초산 부틸, 부톡시초산 메틸, 부톡시초산 에틸, 부톡시초산 프로필, 부톡시초산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등의 에스테르류 등을 들 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 하기의 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함할 수 있다.
<화학식 2>
Figure 112008014103304-pat00004
상기 R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 메틸기를 나타낸다.
상기 포토레지스트 조성물이 상기 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함함으로써 본원발명의 포토레지스트 조성물의 노광 마진 및 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물이 대략 1 중량 퍼센트 미만인 경우, 포토레지스트 조성물의 노광 마진 및 내열성 향상에 기여하는 바가 없고, 상기 화학식 2를 포함하는 하이드록시 페놀 유도체 화합물의 함량이 대략 20 중량 퍼센트를 초과하는 경우에는 상기 바인더 수지 및 상기 화학식 1로 나타내어지는 아크릴계 수지의 함량이 상대적으로 줄어들어 포토레지스트 조성물의 노광 마진 및 패턴 형상 제어가 어려운 문제점이 있다. 따라서, 상기 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물은 상기 포토레지스트 조성물의 대략 1 내지 10 중량 퍼센트인 것이 바람직하다.
또한, 상기 포토레지스트 조성물은 접착 증진제, 계면 활성제, 산 확산 억제 제, 염료 등과 같은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 상기 포토레지스트 조성물의 대략 0 내지 5 중량 퍼센트를 차지할 수 있다.
상기 접착 증진제는 기판과 포토레지스트 패턴의 접착성을 향상시키기 위한 것으로, 예를 들어, 카르복실기, 메타크릴기, 이소시아네이트기, 에폭시기등의 반응성 치환기를 갖는 실란커플링제 등이 사용될 수 있다. 구체적 예로는 γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시 시클로 헥실에틸트리메톡시실란 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
상기 계면 활성제는 포토레지스트 조성물의 도포성이나 현상성을 향상시키기 위한 것으로, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, F171, F172, F173(상품명; 대일본잉크사), FC430, FC431(상품명; 수미또모트리엠사), KP341(상품명; 신월화학공업사) 등을 들 수 있다.
상기 산 확산 억제제는 빛을 받지 않은 영역으로 산이 확산되는 것을 방지한다. 상기 산 확산 억제제로는, 예를 들어, 수산화암모늄 및 감광성 염기 등이 사용될 수 있다. 구체적으로, 테트라부틸암모늄 하이드록시드, 트리메틸설포늄 하이드록시드, 트리페닐설포늄 하이드록시드 등이 있다.
상기 가교제는 상기 광산발생제에 의해 발생된 산에 의해 활성화되어 상기 바인더 수지와 결합하여 상기 바인더 수지를 가교화 한다.
상기 가교제는, 예를 들어, 알콕시메틸화 요소 수지, 알콕시메틸화 멜라민 수지, 알콕시메틸화 우론 수지, 알콕시메틸화 글리콜우릴 수지 등의 알콕시메틸화 아미노 수지, 알킬에테르화 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 알킬에테르화 벤조구아나민 수지, 우레아 수지, 알킬에테르화 우레아 수지, 우레탄-포름알데하이드 수지, 레졸형 페놀포름알데하이드 수지, 알켈에테르화 레졸형 페놀포름알데하이드 수지, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있으며, 구체적으로, 메톡시메틸화 아미노 수지, 에톡시메틸화 아미노 수지, n-부톡시메틸화 아미노 수지 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 포토레지스트 조성물의 해상도를 고려하였을 때, 바람직하게 헥사메톡시메틸멜라민과 같은 메톡시메틸화 아미노 수지가 사용될 수 있다.
상기 가교제의 함량이 과도하게 적으면, 가교반응이 충분히 진행되지 않아 포토레지스트 패턴의 잔막율이 저하되거나, 변형이 발생할 수 있으며, 가교제의 함량이 과도하게 많으면, 해상도가 저하되거나 기판과의 접착성이 저하될 수 있다.
상기 염료는 예를 들어, 피라졸아조계 염료, 아닐리노아조계 염료, 아릴아조계 염료, 트리페닐메탄계 염료, 안트라퀴논계 염료, 안스라피리돈계 염료, 벤질리덴계 염료, 옥소놀계 염료, 피라졸트리아졸아조계 염료, 피리돈아조계 염료, 시아닌계 염료, 페니티아딘계 염료, 피롤피라졸아조메틴계 염료, 크산텐계 염료, 프탈로시아닌계 염료, 벤조피란계 염료, 인디고계 염료 등이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 광학계의 초점 심도를 향상시킬 수 있다. 상기 초점 심도의 향상은 상기 광학계와 상기 포토레지스트 패턴이 형성되는 기판 사이의 거리가 변경됨으로써 상기 광학계의 초점이 변동되어도 상기 포토레지스트 패턴이 정상적으로 형성될 수 있는 범위가 넓어짐을 의미한다. 따라서, 노광장치의 기판의 올려놓는 스테이지의 제작 정밀도나 기판 이동시의 진동, 노광장치의 광학계 제작의 오차 등의 물리적인 요인들에 의해 변동되는 광학계의 초점이 포토레지스트 패턴을 형성에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.
이에 따라, 포토레지스트 패턴의 노광 마진을 향상시킬 수 있다. 또한, 포토레지스트 패턴의 내열성을 향상시킬 수 있고, 특히 4마스크 공정에 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 기판의 제조방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
어레이 기판의 제조 방법
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 어레이 기판을 나타낸 평면도이며, 도 2 내지 도 8은 도 1에 도시된 어레이 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 여기서, 도 2 내지 도 8은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 경우의 단면도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 베이스 기판(110) 상에 게이트 금속층을 형성한 후, 제1 노광 마스크(미도시)를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 패턴(120)을 형성한다.
게이트 패턴(120)은 게이트 배선(122) 및 게이트 배선(122)과 연결된 게이트 전극(124)을 포함한다. 게이트 배선(122)은 일 방향으로 연장되고, 상기 일 방향과 다른 방향으로 복수개가 평행하게 배열된다. 게이트 전극(124)은 게이트 배선(122)과 연결되며, 각 화소(P)에 형성되는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 단자를 구성한다.
베이스 기판(110)은 투명성 절연 기판, 예를 들어, 유리 기판으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 금속층은 예를 들어, 스퍼터링 방법을 통해 베이스 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 게이트 패턴(120)의 패터닝은 예를 들어, 습식 식각 공정을 통해 진행될 수 있다. 상기 게이트 금속층은 예를 들어, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 네오디뮴(Nd), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 단일 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 금속층은 물리적 성질이 다른 2개 이상의 금속층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 패턴(120)은 저저항 배선을 위하여, 알루미늄(Al)과 몰리브덴(Mo)이 적층된 Al/Mo 2층막 구조로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 게이트 패턴(120)이 형성된 베이스 기판(110) 상에 게이트 절연막(130) 및 액티브층(140)을 순차적으로 형성한다. 게이트 절연막(130) 및 액티브층(140)은 예를 들어, 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방법을 통해 형성할 수 있다.
게이트 절연막(130)은 게이트 패턴(120)을 보호하고 절연시키기 위한 절연막으로서, 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)으로 형성된다. 게이트 절연막(130)은 예를 들어, 약 4500Å의 두께로 형성할 수 있다.
액티브층(140)은 반도체층(142) 및 오믹 콘택층(144)을 포함한다. 예를 들어, 반도체층(142)은 비정질 실리콘(amorphous Silicon : 이하, a-Si)으로 형성되며, 오믹 콘택층(144)은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘(이하, n+ a- Si)으로 형성된다.
이어서, 액티브층(140) 상에 소스 금속층(150)을 형성한다. 소스 금속층(150)은 저저항 배선의 형성을 위하여 Mo/Al/Mo 3층막 구조로 형성될 수 있으며, 다른 방법으로, 소스 금속층(150)은 몰리브덴 또는 알루미늄 등을 포함하는 단일막일 수 있다.
도 4를 참조하면, 소스 금속층(150) 상에 포토레지스트(photo resist) 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성한 후, 슬릿(slit) 마스크 또는 하프톤(half tone) 마스크 등의 제2 노광 마스크(미도시)를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 포토레지스트막을 패터닝하여 제1 포토레지스트 패턴(160)을 형성한다.
상기 포토레지스트 조성물은 바인더 수지, 광산발생제, 하기의 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지 및 여분의 용매를 포함한다.
<화학식 1>
Figure 112008014103304-pat00005
(상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, a, b, d 및 e 각각은 0.01 내지 0.99이며, a, b, d 및 e의 총합은 1이다)
상기 포토레지스트 조성물은 위에서 설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물과 실질적으로 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
제1 포토레지스트 패턴(160)은 제1 두께로 형성된 소스 전극/배선부 및 드레인 전극부와 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 채널 형성 영역(CR)에 형성된 채널 형성부를 포함한다. 제1 포토레지스트 패턴(160)의 상기 채널 형성부는 상기 제2 노광 마스크의 슬릿부 또는 반투광부에 의해 부분적으로 노광되는 부분이다. 소스 금속층(150)은 패터닝되어 이후에 상기 소스 전극/배선부에 의해 소스 전극, 소스 배선을 형성하고, 상기 드레인 전극부에 의해 드레인 전극을 형성한다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(160)을 식각 방지막으로 이용하여 소스 금속층(150)을 식각한다. 이와 같은 소스 금속층(150)의 식각 공정은 예를 들어, 습식 식각 공정으로 진행될 수 있다.
제1 포토레지스트 패턴(160)을 이용한 습식 식각 공정을 통해 소스 금속층(150)의 식각이 완료되면, 소스 배선(155)과 소스/드레인 금속패턴(156)만이 남게 된다. 소스 배선(155)은 예를 들어, 상기 일 방향과 다른 방향으로 연장되고, 상기 일 방향으로 복수개가 병렬로 배치된다. 소스 금속층(150)의 식각은 습식 식각 공정에 의해 이루어지므로, 실제로는 소스 배선(155)과 소스/드레인 금속패턴(156)의 가장자리는 제1 포토레지스트 패턴(160)의 가장자리와 일치하지 않고 언 더 컷(Under cut)을 형성할 수 있다.
이어서, 제1 포토레지스트 패턴(160)을 식각 방지막으로 이용하여 액티브층(140)을 식각한다. 이때, 액티브층(140)의 식각 공정은 예를 들어, 건식 식각 공정으로 진행될 수 있다. 상기 액티브층(140)이 식각된 후 남겨진 반도체층(142)은 박막트랜지스터의 채널부에 해당한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(160)의 상기 채널 형성부를 제거하여 채널 형성 영역(CR)이 개구된 제2 포토레지스트 패턴(162)을 형성한다. 이에 따라, 채널 형성 영역(CR)에 대응되는 소스/드레인 금속패턴(156)이 외부로 노출된다.
한편, 액티브층(140)의 식각 공정은 제2 포토레지스트 패턴(162)의 형성 후에 진행될 수 있다.
다음 도 1 및 도 7을 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(162)을 식각 방지막으로 이용하여 채널 형성 영역(CR)을 통해 노출된 소스/드레인 금속 패턴(156)을 식각하여 소스 전극(157) 및 드레인 전극(158)을 형성한다. 상기 식각은, 예를 들어, 습식 식각 공정을 통해 이루어질 수 있다.
소스 전극(157)은 소스 배선(155)과 연결되어 박막트랜지스터(TFT)의 소스 단자를 구성한다. 드레인 전극(158)은 소스 전극(157)과 이격되어 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 단자를 구성한다.
이후, 제2 포토레지스트 패턴(162)을 식각 방지막으로 이용하여 채널 형성 영역(CR)의 오믹 콘택층을 식각하여 채널부(146) 위에 서로 이격된 한 쌍의 오믹 콘택 패턴(148)을 형성한다. 다음으로, 소스 배선(155), 소스 전극(157) 및 드레인 전극(158) 상에 존재하는 제2 포토레지스트 패턴(162)을 제거한다. 예를 들어, 제2 포토레지스트 패턴(162)은 스트립 용액을 이용한 스트립 공정을 통해 제거된다.
다음 도 1 및 도 8을 참조하면, 박막트랜지스터(TFT)가 형성된 베이스 기판(110) 상에 보호막(170)을 형성한다. 보호막(170)은 박막트랜지스터(TFT) 및 소스 배선(155)을 보호하고 절연시키기 위한 절연막으로서, 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)으로 형성되며, CVD 공정을 통해 약 500Å ~ 2000Å의 두께로 형성된다.
이후, 제3 노광 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 보호막(170)을 패터닝하여 드레인 전극(158)의 일부를 노출시키는 콘택홀(172)을 형성한다.
콘택홀(172)이 형성된 보호막(170)상에 투명성 도전막을 형성한 후, 제4 노광 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 투명성 도전막을 패터닝하여 각 화소(P) 내에 화소 전극(180)을 형성한다. 화소 전극(180)은 보호막(170)에 형성된 콘택홀(172)을 통해 드레인 전극(158)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(180)은 예를 들어, 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO)로 형성된다.
도시되지는 않았으나, 화소 전극(180)을 형성하기 전에 보호막(170) 상에 평탄화를 위한 유기 절연막을 더 형성할 수 있다.
이하에서는 구체적인 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 대하여 설명하기로 한다.
포토레지스트 조성물의 제조
실시예 1
하기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지 대략 2 중량 퍼센트, 바인더 수지로서 m-크레졸 및 p-크레졸을 약 50:50의 중량비로 혼합한 페놀 혼합물을 포름 알데하이드와 반응시켜 얻어진 중량평균분자량 약 8000의 노볼락 수지 대략 8 중량 퍼센트, 하기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지 대략 2 중량 퍼센트, 광산발생제로서 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산에스테르 대략 5 중량 퍼센트, 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트 대략 83 중량 퍼센트를 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
<화학식 3>
Figure 112008014103304-pat00006
실시예 2
바인더 수지로서 m-크레졸 및 p-크레졸을 약 50:50의 중량비로 혼합한 페놀 혼합물을 포름 알데하이드와 반응시켜 얻어진 중량평균분자량 약 8000의 노볼락 수지 대략 8 중량 퍼센트, 하기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지 대략 2 중량 퍼센트, 하기 화학식 4로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 2 중량 퍼센트, 광산발생제로서 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산에스테르 대략 5 중량 퍼센트, 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트 대략 83 중량 퍼센트를 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
<화학식 4>
Figure 112008014103304-pat00007
비교예 1
바인더 수지로서 m-크레졸 및 p-크레졸을 약 50:50의 중량비로 혼합한 페놀 혼합물을 포름 알데하이드와 반응시켜 얻어진 중량평균분자량 약 8000의 노볼락 수지 대략 10 중량 퍼센트, 광산발생제로서 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산에스테르 대략 5 중량 퍼센트, 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트 대략 85 중량 퍼센트를 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
포토레지스트 패턴의 특성 평가
실시예 1, 2 및 비교예 1의 포토레지스트 조성물들을 각각 기판 상에 도포하 여 포토레지스트막을 형성하고, 이를 자외선 및 마스크를 이용하여 노광장치의 광학계의 초점을 변화시키면서 노광하였다.
노광된 포토레지스트막을 알카리성 수용액으로 현상한 후, 하드 베이크 하여 전자 현미경으로 포토레지스트 패턴의 형상을 관찰하였다. 상기 실험으로부터 얻어진 결과를 하기의 표 1 및 표 2에 나타내었다.
표 1
Figure 112008014103304-pat00008
표 2
Figure 112008014103304-pat00009
상기 표 1에서, 상기 초점심도(Depth of Focus, DOF)는 노광장치의 광학계의 초점이 변동되어도 상기 광학계가 기판에 조사하는 광량에 의해 정상적인 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 범위를 의미한다.
표 1을 참조하면, 상기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지를 포함하는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 실시예 1의 초점심도는 대략 20㎛이고, 실시예 2의 초점심도는 대략 25㎛이다. 반면, 상기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지를 포함하지 않는 종래의 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 실험예 1의 초점 심도는 대략 15㎛이다.
따라서, 본 발명에 따르면, 기존에 비해 상기 초점심도가 향상된다. 즉, 상기 노광장치의 광학계의 초점이 변동되어도 상기 광학계가 기판에 조사하는 광량에 의해 정상적인 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 범위가 넓어짐으로써 노광장치의 기판의 올려놓는 스테이지의 제작 정밀도나 기판 이동시의 진동, 노광장치의 광학계 제작의 오차 등의 물리적인 요인들에 의해 변동되는 광학계의 초점이 포토레지스트 패턴을 형성에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.
표 2를 참조하면, 상기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지를 포함하는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 실시예 1의 포토레지스트 패턴이 붕괴되는 온도가 상기 화학식 3으로 나타내어지는 아크릴 수지를 포함하지 않는 종래의 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 실험예 1의 포토레지스트 패턴이 붕괴되는 온도보다 높은 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 1의 포토레지스트 패턴의 내열성이 실험예 1의 포토레지스트 패턴의 내열성보다 향상됨을 알 수 있다. 또한, 상기 화학식 4로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함하는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 실시예 2의 포토레지스트 패턴이 붕괴되는 온도가 실시예 1의 포토레지스트 패턴이 붕괴되는 온도보다 상승된 것을 알 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이 다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 어레이 기판을 나타낸 평면도이다.
도 2 내지 도 8은 도 1에 도시된 어레이 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
160 : 제1 포토레지스트 패턴 162 : 제2 포토레지스트 패턴
CR : 채널 형성 영역 157 : 소스 전극
158 : 드레인 전극

Claims (10)

  1. 바인더 수지;
    광산발생제;
    하기의 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지; 및
    여분의 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112008014103304-pat00010
    (상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, a, b, d 및 e 각각은 0.01 내지 0.99이며, a, b, d 및 e의 총합은 1이다)
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지는 전체 포토레지스트 조성물에 대하여, 1 내지 20 중량 퍼센트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 바인더 수지는 전체 포토레지스트 조성물에 대하여, 1 내지 50 중량 퍼센트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 상기 광산 발생제는 전체 포토레지스트 조성물에 대하여, 1 내지 20 중량 퍼센트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 하기의 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
    <화학식 2>
    Figure 112008014103304-pat00011
    (상기 R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 메틸기를 나타낸다)
  6. 제5항에 있어서, 상기 하이드록시 페놀 유도체 화합물은 전체 포토레지스트 조성물에 대하여, 1 내지 10중량 퍼센트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지의 중량평균분자량은 5000 내지 30000인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 염료, 접착 증진제, 계면 활성제 및 산 확산 억제제로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  9. 베이스 기판 위에 게이트 라인 및 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극이 형성된 베이스 기판 상에 게이트 절연막, 액티브층 및 데이터 금속층을 차례로 형성하는 단계;
    상기 데이터 금속층 위에 바인더 수지, 광산발생제, 하기의 화학식 1로 나타내어지는 아크릴 수지 및 여분의 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 제1 두께로 형성된 소스 전극/배선부 및 드레인 전극부와 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 형성된 채널 형성부를 포함하는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 데이터 금속층 및 액티브 층을 식각하여 데이터 라인 및 채널부를 형성하는 단계;
    상기 채널 형성부를 제거하여 상기 데이터 금속층의 일부를 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 데이터 금속층 및 상기 액티브층을 식각하여 소스 전극, 드레인 전극 및 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조방법.
    <화학식 1>
    Figure 112008014103304-pat00012
    (상기 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, a, b, d 및 e 각각은 0.01 내지 0.99이며, a, b, d 및 e의 총합은 1이다)
  10. 제9항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은
    하기의 화학식 2로 나타내어지는 하이드록시 페놀 유도체 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
    <화학식 2>
    Figure 112008014103304-pat00013
    (상기 R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 메틸기를 나타낸다)
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