KR101413216B1 - 클린 히터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 클린 히터에 관한 것이고, 구체적으로 반도체, 평판 디스플레이 또는 솔라 셀에 공급되는 화학 용액을 정해진 온도로 높여 유지될 수 있도록 하는 클린 히터에 관한 것이다. 클린 히터(10)는 외부로부터 유입되는 공급 용액이 통과하는 공동(cavity)(11); 공동(11)의 내부에서 공급 용액의 온도가 제어되도록 하는 전자기파의 발생을 위하여 공동(11)의 주위에 배치된 적어도 하나의 마그네트론(12); 마그네트론(12)으로부터 발생된 전자기파를 유도하도록 설치되는 도파관(13); 공동(11)의 주위 벽을 따라 설치되는 송풍 도관(14); 송풍 도관(14)으로 공기를 순환시키기 위한 송풍기(15); 및 공급 용액의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 장치(16)를 포함한다.

Description

클린 히터{Clean Heater}
본 발명은 클린 히터에 관한 것이고, 구체적으로 반도체, 평판 디스플레이 또는 솔라 셀에 공급되는 화학 용액을 정해진 온도로 높여 유지될 수 있도록 하는 클린 히터에 관한 것이다.
반도체의 웨이퍼, 평판 디스플레이 또는 솔라 셀은 화학 용액에 의하여 세척이 될 필요가 있고 세척 용액은 욕조(bath)에 준비가 되어 순환되면서 관련 장비로 공급이 될 수 있다. 그리고 욕조에 저장된 세척 용액은 항온으로 유지될 필요가 있다.
클린 히터와 관련된 선행기술로 실용신안공개번호 제1998-0068004호 ‘반도체 제조용 케미컬 공급장치’가 있다. 상기 선행기술은 케미컬이 다량으로 담긴 메인 탱크와, 그 메인 탱크로부터 케미컬을 공급받아 소정 작업이 이루어지는 베스와, 그 베스로부터 케미컬을 펌핑하는 순환 펌프와, 그 순환 펌프에 의해 펌핑이 된 케미컬의 유동량을 조절하는 댐퍼와, 그 댐퍼를 통과한 케미컬을 교환하는 열 교환을 시키는 쿨링 자켓과, 그 쿨링 자켓에 의해 적정온도로 안정된 케미컬의 오염 물질을 걸러 다시 베스로 유도하는 필터와, 상기 클링 자켓으로 적정 온도의 냉각수를 공급하기 위한 열교환기 및 항온기로 구성되는 반도체 제조용 케미컬 공급 장치에 대하여 개시하고 있다. 상기 선행기술은 메인 탱크와 베스 사이에 메인 탱크와 연통되는 예비 탱크가 배관되고, 예비 탱크는 예비 펌프와 배관되며, 예비 펌프는 별도의 열교환기 및 항온기에 의해 적정 온도를 유지하도록 제어되는 예비 쿨링 자켓과 배관되고, 예비 쿨링 자켓은 예비 필터와 배관되며, 예비 필터의 출구는 예비 탱크의 내조와 연통되는 한편 베스와 필터 사이의 배관에 연통되도록 하여 베스의 세정 작업 과정에서 메인 탱크로부터 케미컬을 공급받아 케미컬을 미리 적정 온도로 열 교환을 시키는 것을 특징으로 한다.
클린 히터와 관련된 다른 선행기술로 특허공개번호 제2005-0091447호 ‘냉각된 순환 액체로 작업 유체를 냉각하여 제습하는 제습기를 구비한 반도체 제장비용 국소 항온 항습 장치’가 있다. 상기 선행기술은 냉각 코일을 통과하는 순환 액체를 일정한 온도로 냉각하는 냉각부와, 냉각된 순환 액체가 통과하는 복수의 통로의 외부를 작업 유체가 통과되도록 하여 작업 유체로부터 습기를 제거하는 열교환부와, 상기 열교환부의 복수의 통로와 냉각부의 냉각 코일을 순환 액체가 순환하도록 연결하는 순환 배관과, 상기 순환 배관에 연결되어 순환 액체를 순환시키기 위한 동력을 제공하는 펌프를 포함하는 국소 항온 항습 장치에 대하여 개시하고 있다.
선행기술에 따르면 유체의 가열 또는 냉각을 위하여 열 교환 방식이 적용되거나 열전 소자 방식이 적용된다. 열 교환 방식은 설비가 복잡하고 열전 소자 방식은 별도로 열의 전달을 위한 소재가 사용되어야 한다는 단점을 가진다. 다른 한편으로 열 교환 방식 또는 열전 소자 방식은 효율이 낮고 온도의 제어를 위한 시간 소요가 크다는 문제점을 가진다.
본 발명은 선행기술이 가진 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
본 발명의 목적은 마그네트론이 설치된 공동에서 공급 용액의 온도 제어가 이루어지도록 하는 클린 히터를 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 클린 히터는 외부로부터 유입되는 공급 용액이 통과하는 공동(cavity); 공동의 내부에서 공급 용액의 온도가 제어되도록 하는 전자기파의 발생을 위하여 공동의 주위에 배치된 적어도 하나의 마그네트론; 마그네트론으로부터 발생된 전자기파를 유도하도록 설치되는 도파관; 공동의 주위 벽을 따라 설치되는 송풍 도관; 송풍 도관으로 공기를 순환시키기 위한 송풍기; 및 공급 용액의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 장치를 포함한다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 도파관은 공동의 천정 면 및 바닥 면에 설치된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 공급 용액을 이송시키는 유체 도관을 유입 및 유출시키는 입구 및 출구를 더 포함하고 그리고 입구 및 출구는 전자기파의 누설을 방지하기 위하여 공동의 주위 벽으로부터 외부로 돌출된 구조로 형성된다.
본 발명에 따른 클린 히터는 마이크로파와 같은 전자파의 열 현상을 이용하여 화학 용액의 온도를 제어하는 것에 의하여 요구되는 온도 범위에 이르는 시간이 짧으면서 열효율이 높아질 수 있도록 한다는 이점을 가진다. 또한 장치가 간단하면서 외부 환경에 미치는 영향이 작다는 이점을 가진다. 추가로 본 발명에 따른 히터는 설치가 용이하면서 유지 및 보수에 따른 비용이 감소될 수 있도록 한다는 이점을 가진다.
도 1a 및 도 1b는 서로 다른 각도에서 관찰된 본 발명에 따른 클린 히터의 실시 예에 대한 내부 사시도를 각각 도시한 것이다.
도 1c 및 도 1d는 서로 다른 각도에서 관찰된 본 발명에 따른 클린 히터의 실시 예에 대한 외관 형태를 각각 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 클린 히터가 항온 욕조에 연결된 실시 예를 개략적으로 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1a 및 도 1b는 서로 다른 각도에서 관찰된 본 발명에 따른 클린 히터의 실시 예에 대한 내부 사시도를 각각 도시한 것이다.
도 1a 및 1b를 참조하면, 클린 히터(10)는 외부로부터 유입되는 공급 용액이 통과하는 공동(cavity)(11); 공동(11)의 내부에서 공급 용액의 온도가 제어되도록 하는 전자기파의 발생을 위하여 공동(11)의 주위에 배치된 적어도 하나의 마그네트론(12); 마그네트론(12)으로부터 발생된 전자기파를 유도하도록 설치되는 도파관(13); 공동(11)의 주위 벽을 따라 설치되는 송풍 도관(14); 송풍 도관(14)을 통하여 공기를 순환시키기 위한 송풍기(15); 및 공급 용액의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 장치(16)를 포함한다.
본 발명에 따른 클린 히터(10)는 예를 들어 반도체 관련 제품, 디스플레이 관련 제품 또는 태양 전지 셀과 같은 분야에서 욕조(bath)에 용액을 저장하여 정해진 온도로 상승시켜 유지하고 필요에 따라 관련 장치에 공급하기 위하여 적용될 수 있다. 일반적으로 공급 용액은 예를 들어 SC-1(Standard Cleaning-1) 용액과 같은 화학 용액이 될 수 있지만 이에 제한되지 않고 용액의 사용 용도에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
공동(cavity)(11)은 육면체 형상의 빈 공간이 될 수 있고 예를 들어 마이크로파와 같은 전자파의 흡수 및 열 변환에 의하여 온도 조절이 이루어지는 공간에 해당된다. 공동(11) 내부로 용액의 유동을 위한 유체 도관(T1, T2)이 배치될 수 있고 예를 들어 유체 도관(T1, T2)은 공동(11)의 한쪽 면으로 유입이 되고 다시 동일한 면 또는 다른 면으로 유출이 될 수 있다. 공동(11)의 내부에서 유체 도관(T1, T2)을 통하여 흐르는 용액이 정해진 온도로 가열될 수 있다. 공동(11)은 일정한 부피를 가지면서 내부에 유체 도관(T1, T2)이 배치될 수 있는 적절한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어 유체 도관(T1, T2)은 도 1b에 도시된 것처럼, 공동(11)의 내부에서 꼬인 형태로 배치될 수 있다.
공동(11)의 내부 벽은 전자파 또는 마이크로파의 반사율이 높은 임의의 재질로 만들어질 수 있고 예를 들어 탄소섬유 또는 에폭시 섬유와 같은 소재로 만들어질 수 있다. 다른 한편으로 공동(11)의 내부 벽은 전자파 또는 마이크로파에 대한 높은 반사 특성을 가진 소재로 코팅이 될 수 있다. 이에 비하여 유체 도관(T1, T2)은 내화학성을 가지면서 이와 동시에 전자파 흡수 특성을 가진 산화인듐 증착 유전체 시트, 카본 입자 혼입 고무, 발포 우레탄 또는 발포 스티로폼과 같은 소재의 외피를 가질 수 있다.
공동(11)에 고주파 또는 마이크로파를 발생시켜 유체 도관(T1, T2)을 흐르는 용액을 가열하기 위하여 마그네트론(12)이 설치가 될 수 있다. 마그네트론(11)은 적어도 하나가 설치될 수 있고 마그네트론(11)에서 발생된 고주파 또는 마이크로파는 도파관(13)을 통하여 공동(11) 내부로 유도될 수 있다. 도 1a 또는 도 1b에 도시된 것처럼, 마그네트론(12)은 공동(11)의 둘레 면에 적어도 하나가 설치될 수 있고 그리고 도파관(13)이 마찬가지로 천정 면, 측면 벽 또는 바닥 면에 설치될 수 있다. 마그네트론(12)은 예를 들어 300 MHz 내지 30 GHz의 주파수를 가진 파를 발생시킬 수 있고 본 발명에 따른 클린 히터(10)에 적용되는 마그네트론(12)은 예를 들어 0.5 내지 5 GHz의 주파수를 발생시킬 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 도파관(13)은 예를 들어 중공의 금속관과 같은 구조를 가질 수 있고 마그네트론(12)에서 발생된 마이크로파의 전송을 위한 전송로에 해당되면서 사각형 또는 원형의 단면을 가질 수 있다.
도 1b에 도시된 것처럼, 도파관(13)은 공동(11)의 천정 면 또는 바닥 면에 설치될 수 있고 도파관(13)은 통하여 유도된 마이크로파는 유체 도관(T1, T2)으로 전달되어 열을 발생시킬 수 있다. 일반적으로 마이크로파는 물에 흡수되는 성질을 가지므로 예를 들어 유체 도관(T1, T2)은 내화학성을 가지는 열경화성 수지 조성물로 만들어질 수 있고 그리고 공동(11)의 내부는 금속면 또는 금속 코팅 면으로 만들어질 수 있다. 도파관(13)이 천정 면 또는 바닥 면에 설치되고 이에 따라 마이크로파가 천정 면 또는 바닥 면으로부터 유체 도관(T1, T2)으로 전달되도록 하는 것은 공동(11) 내에서 유체 도관(T1, T2)의 배치가 용이하도록 하면서 가열 효율이 높아질 수 있도록 하다는 이점을 가진다. 구체적으로 공동(11) 내부에 유체 도관(T1, T2)이 꼬인 나선 형태로 배치되도록 하고 그리고 천정 면 또는 바닥 면으로부터 마이크로파를 유체 도관(T1, T2)으로 유도되도록 할 수 있다.
공동(11)의 외부 둘레 면을 따라 송풍 도관(14)이 설치될 수 있다. 송풍 도관(14)은 마그네트론(12)으로부터 발생되는 열을 외부로 배출하기 위한 것으로 송풍 도관(14)의 관로 내부에 마그네트론(12)의 본체가 설치될 수 있다. 대안으로 도 1b에 도시된 것처럼 송풍 도관(14)은 공동(11)의 둘레 벽을 따라 배열될 수 있고 마그네트론(12)에서 열이 발생되는 부분이 송풍 도관(14)과 접촉이 되도록 할 수 있다. 송풍 도관(14)은 동공(11)의 외부 벽면을 따라 연결된 형태로 만들어질 수 있고 송풍 도관(14)의 외부 면이 마그네트론(12)의 열 발생 부분과 접촉이 되도록 만들어질 수 있다. 다른 한편으로 도 1b에 도시된 것처럼, 송풍 도관(14)의 한쪽 면이 동공의 내부 벽과 면 접촉을 하도록 만들어질 수 있다. 송풍 도관(14)의 한쪽에 송풍기(15)가 설치될 수 있고 송풍기(15)에 의하여 마그네트론(12) 또는 공동(11)의 벽면에 발생된 열이 송풍 도관(14)을 통하여 외부로 배출될 수 있다.
다양한 구조를 가지는 송풍 도관(14) 또는 송풍기(15)가 본 발명에 따른 클린 히터(10)에 설치될 수 있고 본 발명은 송풍 도관(14) 또는 송풍기(15)의 구조에 의하여 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 클린 히터(10)의 내부에 온도 제어 장치(16)가 설치될 수 있고 그리고 마그네트론(12)에서 발생되는 전압을 제어하기 위하여 변압기(17)가 설치될 수 있다. 클린 히터(10)는 수동 또는 자동으로 작동될 수 있고 예를 들어 마이크로프로세서를 포함하는 제어 장치(도시되지 않음) 및 입력 스위치와 같은 작동 장치를 가질 수 있다. 온도가 미리 설정되어 입력될 수 있고 그리고 일정 주기로 온도 제어 장치(16)에 의하여 내부 온도가 측정될 수 있다. 그리고 측정된 온도는 제어 장치로 전달될 수 있고 그에 따라 마그네트론의 작동 여부가 결정되거나 또는 작동 시간이 결정될 수 있다. 다른 한편으로 유체 도관(T1, T2)을 따라 흐르는 용액의 특성에 따라 마그네트론(12)의 전력이 변압기(17)를 통하여 제어될 수 있다.
클린 히터(10)의 작동 및 자동 제어와 관련된 다양한 장치가 설치될 수 있고 본 발명은 그에 의하여 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 클린 히터(10)는 전체적으로 육면체 형상을 가질 수 있으며 베이스(B)에 의하여 지지될 수 있다. 그리고 위에서 설명된 각각의 장치는 둘레 벽(W)의 내부에 설치될 수 있고 둘레 벽(W)에 팬(F)이 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 클린 히터(10)의 외부 구조가 아래에서 설명이 된다.
도 1c 및 도 1d는 서로 다른 각도에서 관찰된 본 발명에 따른 클린 히터의 실시 예에 대한 외관 형태를 각각 도시한 것이다.
도 1c를 참조하면, 사각형 단면을 가지는 도파관(13)은 둘레 벽(W)을 따라 높이 방향으로 설치될 수 있다. 도파관(13)은 또한 공동의 바닥 면에 동일 또는 유사한 구조로 설치될 수 있다. 도파관(13)의 설치 구조는 마그네트론의 설치 구조에 따라 결정될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
베이스 또는 둘레 벽(W)에 환기 홀(19a, 19b)이 형성될 수 있고 그리고 클린 히터(10)의 내부와 외부 사이의 공기 순환을 위한 팬(F)이 설치될 수 있다. 환기 홀(19a, 19b) 또는 팬(F)의 설치 위치 또는 구조에 의하여 본 발명은 제한되지 않는다.
도 1c에 도시된 것처럼, 유체 도관을 클린 히터(10)의 내부로 유입시키고 그리고 다시 외부로 유출시키기 위한 입구(18a) 및 출구(18b)가 적절한 위치에 형성될 수 있다. 입구(18a) 및 출구(18b)는 공동의 주위 벽 또는 벽으로부터 돌출된 구조로 만들어질 수 있다. 또한 입구(18a) 및 출구(18b)는 일정한 두께를 가지는 중공 형상으로 돌출되어 유체 도관이 삽입이 되는 방식으로 만들어질 수 있다. 이와 같은 입구(18a) 및 출구(18b)의 돌출된 구조는 마이크로파의 외부 누설을 방지하기 위한 것이다. 또한 유체 도관의 직경에 대응되는 입구(18a) 및 출구(18b)를 통하여 유체 도관을 클린 히터(10)의 내부로 유입 및 유출시키는 것은 공급 도관의 온도 제어가 용이하도록 한다. 또한 도 1d를 참조하면, 전력 케이블을 내부로 유입시키기 위한 케이블 홀(P)이 벽면에 형성될 수 있다. 케이블 홀(P)은 입구(18a) 또는 출구(18b)와 동일 또는 유사한 구조로 만들어질 수 있다.
둘레 벽(W)에 환풍구(H)가 형성될 수 있다. 다른 한편으로 온도 제어 장치(16)는 외부에서 측정이 가능한 형태로 설치될 수 있다. 이와 같이 마그네트론을 포함하는 장치가 외부로부터 밀폐되도록 하는 것은 장치의 안정성과 온도 제어의 효율성을 위한 것이다. 구체적으로 마그네트론과 관련된 장치에 접촉되는 것을 방지하고, 마이크로파가 외부로 누설이 되는 것을 방지하면서 공동이 외부로부터 이격되어 위치되는 것에 의하여 외부로부터 열전달이 제한되도록 한다는 이점을 가진다.
다양한 형태의 밀폐 구조가 본 발명에 따른 클린 히터(10)에 적용될 수 있고 본 발명은 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 장치는 반도체 관련 장치, 디스플레이 관련 장치 또는 솔라 셀 관련 장치에서 물 또는 화학 용액의 공급을 위한 항온 욕조에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 클린 히터가 항온 욕조에 연결된 구조를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 클린 히터(10)는 공급 욕조(20)로부터 분기되는 유체 도관의 중간 부분에 연결될 수 있다. 유체 도관의 적절한 위치에 펌프 또는 밸브가 설치될 수 있다. 공급 욕조(20)로부터 넘치는 공급 용액은 보조 욕조(21a, 21b)에 채워질 수 있고 그리고 유체 도관은 보조 욕조(21a, 21b)로부터 장치로 연결될 수 있다. 보조 욕조(21a, 21b)와 장비 사이 또는 공급 욕조(20)와 보조 욕조(21a, 21b) 사이를 연결하는 유체 도관은 본 발명에 따른 클린 히터(10)를 통과하도록 만들어질 수 있다. 이와 같은 본 발명에 따른 클린 히터(10)는 기존 설비에 추가되는 방식으로 간단하게 설치될 수 있다는 이점을 가진다. 추가로 본 발명에 따른 클린 히터(10)는 전열로 또는 가소로 방식에 비하여 효율이 크고, 정해진 온도 범위에 이르도록 하는 승온 시간이 짧고, 온도의 제어가 간단하고 그리고 주변 환경에 미치는 영향이 작다는 이점을 가진다.
본 발명에 따른 클린 히터는 마이크로파와 같은 전자파의 열 현상을 이용하여 화학 용액의 온도를 제어하는 것에 의하여 요구되는 온도 범위에 이르는 시간이 짧으면서 열효율이 높아질 수 있도록 한다는 이점을 가진다. 또한 장치가 간단하면서 외부 환경에 미치는 영향이 작다는 이점을 가진다. 추가로 본 발명에 따른 히터는 설치가 용이하면서 유지 및 보수에 따른 비용이 감소될 수 있도록 한다는 이점을 가진다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11: 공동 12: 마그네트론
13: 도파관 14: 송풍 도관
15: 송풍기 16: 온도 제어 장치
17: 트랜스포머 18a: 입구
18b: 출구

Claims (3)

  1. 외부로부터 유입되는 공급 용액이 통과하는 공동(cavity)(11);
    공동(11)의 내부에서 공급 용액의 온도가 제어되도록 하는 전자기파의 발생을 위하여 공동(11)의 주위에 배치된 적어도 하나의 마그네트론(12);
    마그네트론(12)으로부터 발생된 전자기파를 유도하도록 설치되는 도파관(13);
    공동(11)의 주위 벽을 따라 설치되는 송풍 도관(14);
    송풍 도관(14)으로 공기를 순환시키기 위한 송풍기(15);
    공급 용액의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 장치(16); 및
    공급 용액을 이송시키는 유체 도관(T1, T2)을 유입 및 유출시키는 입구(18a) 및 출구(18b)를 포함하고,
    상기입구(18a) 및 출구(18)는 마이크로파의 누설을 방지하기 위하여 공동(11)의 주위 벽으로부터 외부로 돌출된 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 클린 히터.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 도파관(13)은 공동(11)의 천정 면 및 바닥 면에 설치되는 것을 특징으로 하는 클린 히터.
  3. 삭제
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JP2006147219A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Purearth Inc マイクロ波照射装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020094715A (ko) * 2001-06-13 2002-12-18 삼성전자 주식회사 웨이퍼 가장자리 노광 시스템
JP2006147219A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Purearth Inc マイクロ波照射装置

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