KR101412502B1 - 광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법 - Google Patents

광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기는 기판, 기판상에 형성되는 버퍼 층, 버퍼 층상에 형성되는 제1 반도체 층, 제1 반도체 층상에 형성되는 제2 반도체 층, 및 제2 반도체 층상에 형성되어 바이어스 전압이 인가되는 컨택 전극을 포함하되, 제1 반도체 층 및 제2 반도체 층은, 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 것을 특징으로 한다.

Description

광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법{Photodetector and Fabricating Method Thereof}
본 발명은 광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예컨대 미사일 감지와 같은 군사용이나 화재 감지용으로 사용할 때 감지의 정확성을 향상시키기 위하여 이중(dual) 파장대역에서 자외선 광 검출을 가능하게 한 광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법에 관한 것이다.
질화물 기반 자외선 광 검출기는 미사일 연기 검출, UV 천문학, 화염 경고 센서, UV 소스 캘리브레이션(calibration) 및 오존층 모니터 등과 같은 응용 분야에서 집중적으로 연구되어 왔다. 그 중에서 MSM(Metal-Semiconductor-Metal)형 자외선 포토다이오드는 쇼트키 장벽형 포토다이오드의 특징을 갖고, 바이어스에 의존하는 저 잡음 및 이득(gain)에 특징적인 이점을 갖는다. 게다가, 2개의 맞물림(interdigitated) 쇼트키 금속 전극으로 구성된 MSM UV 포토다이오드는 단순한 제조 공정의 이점이 있다. AlGaN 합금의 조성비(alloy composition)이 바뀌게 되면, AlGaN 합금 조성비의 변경에 따라 그것의 밴드갭과 컷-오프(cut-off) 파장은 200~365㎚의 더 깊은 UV 영역에서 제어될 수 있다.
그런데, 일반적인 AlGaN 광 검출기는 Al 비율에 따라 검출하는 파장을 다르게 할 수 있지만, 이는 하나의 파장 대역에 대해서만 반응한다. 그 결과, 광 검출 소자의 개수는 여전히 줄이지 못하게 되어, 가령 소형화 등의 추구에 문제가 있다.
본 발명의 실시예는 예컨대 미사일 감지와 같은 군사용이나 화재 감지용으로 사용할 때 감지의 정확성을 향상시키기 위하여 이중 파장대역에서 자외선 광 검출을 가능하게 한 광 검출기 및 광 검출기의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광 검출기는 기판, 상기 기판상에 형성되는 버퍼 층, 상기 버퍼 층상에 형성되는 제1 반도체 층, 상기 제1 반도체 층상에 형성되는 제2 반도체 층, 및 상기 제2 반도체 층상에 형성되어 바이어스 전압이 인가되는 컨택 전극을 포함하되, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은, 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지(detect)하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은, 자외선에 대한 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 질화물계의 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 반도체 층은 GaN을 포함하여 장파장의 자외선을 감지하고, 상기 제2 반도체 층은 AlGaN을 포함하여 단파장의 자외선을 감지하는 것을 특징으로 한다.
상기 컨택 전극은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 상기 컨택 전극에 인가되는 바이어스 전압에 대하여 서로 다른 크기의 광 전류를 생성하는 것을 특징으로 한다.
상기 바이어스 전압의 크기가 조정될 때, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 광 전류 크기는 각각 변동하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판상에 버퍼 층을 형성하는 단계, 상기 버퍼 층상에 제1 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 층상에 제2 반도체 층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 반도체 층상에 바이어스 전압을 인가하기 위한 컨택 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은, 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하도록 형성하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은, 자외선에 대한 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 질화물계의 물질로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 반도체 층은 장파장의 자외선을 감지하기 위한 GaN을 포함하고, 상기 제2 반도체 층은 단파장의 자외선을 감지하기 위한 AlGaN을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 컨택 전극은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 상기 컨택 전극에 인가되는 바이어스 전압에 대하여 서로 다른 크기의 광 전류를 생성하는 것을 특징으로 한다.
상기 바이어스 전압의 크기가 조정될 때, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 광 전류 크기는 각각 변동하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 하나의 광 검출 소자로 가령 다른 파장의 두 가지 자외선을 검출하는 것이 가능할 수 있으며, 공정상 식각이나 도핑 과정 없이 한 번의 금속 증착으로 자외선 검출기 제작이 가능할 수 있게 된다. 이를 통해 제조 비용을 감소시킬 수 있을 것이다.
또한 하나의 소자로 두 개 이상의 자외선 대역에 대해 자외선 검출이 가능하기 때문에 그만큼 광 검출 소자의 개수를 줄일 수 있다. 이를 통해 가령, 미사일 같은 군사용이나 화재 감지용에 사용되는 자외선 광 검출기의 소형화에 부합할 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기의 제조 과정을 나타내는 도면,
도 2a 및 도 2b는 도 1d에 나타낸 광 검출기의 2개의 광 전류 경로를 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기의 단면도 및 에너지 밴드 구조를 나타내는 도면,
도 4는 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 I-V 특성을 나타내는 도면,
도 5는 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 스펙트럼 특성을 나타내는 도면,
도 6은 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 컨택 전극의 종류별 Fowler-Nordeim 도표, 그리고
도 7은 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 컨택 전극의 종류별 Poole-Frankel 도표이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기의 제조 과정을 나타내는 도면이다.
도 1a를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기는, 먼저 기판(110) 상에 버퍼 층(131), 제1 반도체 층(132) 및 제2 반도체 층(133)을 순차적으로 에피택셜 성장하여 에피층(130)을 형성한다.
여기서, 기판(110)은 예컨대 사파이어 기판을 포함할 수 있고, 에피층(130)은 (0001) 사파이어 기판상에서 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Depostion) 방식에 의해 성장될 수 있다. 또한 버퍼 층(131)은 산화막 또는 질화막 등의 절연층이 될 수 있다. 제1 반도체 층(132)은 가령 질화물계의 GaN으로서 3㎛ 두께로 성장되고, 제2 반도체 층(133)은 가령 AlGaN으로서 30nm의 두께로 성장될 수 있다. 이때 제2 반도체 층(133)의 Al 성분은 27% 정도가 바람직하다.
본 발명의 실시예는 이와 같이 제1 반도체 층(132)을 GaN으로 형성함으로써 장파장의 UV를 감지할 수 있는 감지 영역을 형성하게 되고, 또한 제2 반도체 층(133)을 AlGaN으로 형성함으로써 단파장의 UV를 감지할 수 있는 감지 영역을 형성하게 된다. 물론 본 발명의 실시예에서는 UV로 설명하였지만, 그것에 특별히 한정하려는 것은 아니며, 2개의 반도체 층이 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 감지할 수 있다면 어떠한 형태이어도 무관하다. 다시 말해, 물질을 변경함으로써 2개의 반도체 층이 적외선 또는 가시광과 같이 동종의 광에 대하여 2개의 파장대의 광을 감지하는 것도 얼마든지 가능할 수 있을 것이다.
이어, 쇼트키 전극을 형성하기 위하여 E-beam 증착기를 이용해 도 1b에서와 같이 제2 반도체층(133) 상에 금속층(150)을 증착한다. 이때, 금속층(150)의 두께는 50nm 이내의 범위에서 증착할 수 있다. 물론 이러한 두께는 광 흡수 효율을 위해 고려된다고 볼 수도 있다. 또한 금속층(150)은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나를 사용할 수 있지만, 본 발명의 실시예에서는 그러한 것에 특별히 한정하지는 않을 것이다.
또한 금속층(150)의 상부면에 리소그래피(lithography), 더 정확하게는 포토리소그래피 공정을 수행하여, 도 1c에서와 같은 PR 패턴(160)을 형성한다. 구체적으로 금속층(150)의 쇼트키 전극 영역을 정의(definition)하기 위한 감광제(Photo Resist, 이하 PR), 가령 양성 PR AZ 1512 또는 AZ 5214 등을 도포하고, 소프트 베이킹을 수행할 수 있다. 소프트 베이킹 이후에는 자외선에 노출시키고, 하드 베이킹을 수행할 수 있다. 이어 하드 베이킹 이후에 다시 자외선에 노출시키고, 쇼트키 전극 영역이 형성되는 부분에만 PR 패턴(160)을 남겨두게 된다.
그리고, 도 1c의 PR 패턴(160)에 의해 덮혀 있는 영역 이외의 금속층(150)을 식각함으로써 도 1d에서와 같은 컨택 전극(151, 152)을 형성하게 된다.
이의 과정에서, 컨택 전극(151, 152) 상의 PR 패턴(160)은 아세톤(acetone), 메탄올(metheanol) 또는 SPM(Scanning Plasma Method)에 의해 제거함으로써 제2 반도체층(133) 상에 컨택 전극(151, 152)만 남기게 된다. 이와 같이 남겨진 2개의 컨택 전극(151, 152)들은 서로 맞물린 형태로서 쇼트키 전극을 형성하게 된다.
도 2a 및 도 2b는 도 1(d)에 나타낸 광 검출기의 2개의 광 전류 경로를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 광 검출기는, 가령 MSM 광 검출기로서, 반도체에 쇼트키 접합 역할을 하는 금속을 증착시켜, 전압을 가했을 때 반도체와 금속 간의 공핍층(depletion) 영역에서 빛을 흡수하여 광 전류를 생성하는 원리로 빛을 감지한다.
MSM 광 검출기의 경우 활성 영역의 금속 패턴 모양이 마치 손가락을 깍지 낀것과 같은 맞물린 구조(interdigitated)를 형성하며, 이와 같은 형태로 양극 및 음극이 형성된다. 이런 구조로 제조되는 이유는 균일한 전기장 내에서 전자 및 정공을 효과적으로 흡수하기 위해서이다.
양극과 음극의 간격은 좁으면 좁을수록 양극과 음극에 도달하는 전자 및 정공의 시간이 짧아질 수 있으나, 간격 값에 비해 전극 폭의 크기가 크면 광을 흡수하는 데 비효율적인 면이 있어, 양자 효율이 감소하게 된다. 전극 사이의 간격이 작으면 작을수록 문제되는 점은 리소그래피 공정 후 금속 증착을 한 다음 리프트 오프(lift off) 공정 시 패턴 이외의 금속이 잘 벗겨져 나가지 않을 수도 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기는 컨택 전극(151, 152)들의 사이 간격을 10㎛로 설계하고, 컨택 전극(151, 152)의 폭과 길이는 각각 10㎛ 및 200㎛로 제조하였다.
MSM 광 검출기의 경우 대칭적인 구조 때문에 순방향 바이어스(forward bias) 및 역방향 바이어스(reversebias)의 어느 쪽이든 광 검출기로써 사용할 수 있다. 암 전류(dark current)일 때 항복전압이 걸리기 전까지는 전류가 낮지만 광신호가 도달하게 되면 광전류에 의해 전체 전류가 증가하게 된다.
그 결과, 본 발명의 실시예에 따른 MSM 광 검출기의 경우에는 전압 조건을 변화시켰을 때 광전류의 크기에 따라 검출하는 자외선 파장을 알 수 있다. 예컨대 GaN를 이용한 도 1d의 제1 반도체 층(132)과 AlGaN를 이용한 제2 반도체 층(133)에서 흡수하는 자외선의 파장 대역이 상이하다. 즉, GaN에서는 장파장의 자외선을 감지할 수 있다면, AlGaN는 단파장의 자외선을 감지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 광 검출기의 단면도 및 에너지 밴드 구조를 나타내는 도면이다.
도 3의 (a)를 도 1d와 함께 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 광 검출기는 가령 MSM-AlGaN/GaN 이중 윈도우 UV 다이오드로서, 기판(110) 상의 버퍼층(131), GaN을 포함하는 제1 반도체 층(132), AlGaN을 포함하는 제2 반도체 층(133) 및 Ni, Al 또는 Ti을 포함하는 컨택 전극(151, 152)을 포함한다.
여기서, 버퍼층(131), 제1 반도체 층(132) 및 제2 반도체 층(133)은 에피층(130)을 이룰 수 있는데, 각각의 구성요소에 대한 자세한 내용은 위의 제조 방법에서 이미 살펴보았으므로 더 이상의 설명은 생략하도록 한다.
도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 도시된 광 검출기, 즉 쇼트키 타입 MSM 구조의 광 검출기에 대한 에너지 밴드 다이어그램을 나타내고 있다.
계속해서, 이하에서는 본 발명의 실시예에서 제안한 광 검출기에 대한 실험 및 결과를 살펴보도록 한다.
도 4는 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 I-V 특성을 나타내는 도면이고, 도 5는 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 스펙트럼 특성을 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5는 MSM AlGaN/GaN 광 다이오드의 전형적인 특성(typical properities)을 나타내는 것으로서, 도 4는 Ti-AlGaN/GaN MSM 광 다이오드의 I-V 특징을, 그리고 도 5는 각각의 스펙트럼을 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따라 2개의 파장대로서 MSM-AlGaN/GaN UV 광 다이오드를 위한 금속이 적합한지를 평가하기 위하여, 증착된 Al, Ni 또는 Ti의 I-V 특성을 측정하였다.
도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 3 종류의 전극을 사용한 소자들의 암 전류가 1V의 바이어스 전압에서 200㎁, 20V에서 1㎂ 미만이었으나, 컨택 금속을 위해 현저히(significantly) 다르지는 않았다. 또한 2V 아래(below 2V)에서 조명(illuminated light)의 파장에 따른 전류 변화가 의미 있음을 관찰할 수 있었다. 다른 한편, 5V 위(above 5V)에서 그 암 전류는 300㎚, 360㎚, 400㎚ 및 암 상태의 파장에서 각각 구별되는 레벨들(distinctive levels)을 보여주었다.
도 6은 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 컨택 전극의 종류별 Fowler-Nordeim 도표(plot)이다.
도 6의 (a) 내지 (c)는 서로 다른 UV 파장의 조명 하에 또는 암 조건에서 Ni, Al 및 Ti로 각각 제조된 3가지 유형의 다이오드들에 대한 ln(I/V2) 대 I/V를 나타내는 Fowler-Nordeim 도표이다. 도표를 살펴보면, 2V 아래에서 365㎚ 파장의 UV 조명에 의한 GaN 층의 광 생성 전자들은 전도대를 지나 AlGaN/GaN 간에 오프셋 되는 것이 차단되었다. 다른 한편, 2V 이상(over 2V)에서 그 생성 전자들은 AlGaN 장벽을 효과적으로 뚫고 지날 수 있었다. 도 6의 도표들은 전류 메커니즘이 2V와 5V 사이의 FN 터널링인 것을 증명하고 있다. 3가지 유형의 광 다이오드들 모두 다른 파장의 그것들과 비교해 저 전압 영역에서 300nm가 ln(I/V2)의 편차를 보여 주었는데, 그것은 AlGaN 영역에서 생성된 EHP에 의한 애노드의 직접형 전자 전도, 그리고 캐소드의 홀 전도에 기인한다고 볼 수 있다. 따라서, 입사 조명(incident illumination)으로부터 UV 파장대가 더 짧은 것임을 확인하는 것은 유용한 방법이 될 것이다.
도 7은 도 3의 (a)에 나타낸 광 검출기의 컨택 전극의 종류별 Poole-Frankel 도표이다.
도 7의 (a) 내지 (c)는 다른 UV 파장들의 조명 하에 또는 암 조건에서, Ni, Al 및 Ti로 제조된 다이오드들을 각각 나타내는 도표로서, 낮은 전압 영역, 가령 1V 아래에서 Poole-Frankel 도표에서의 300㎚와 다른 파장 간에 중요한 차이가 있고, 이러한 것은 UV에 대한 다른 전류 메커니즘에 직접적으로 관련된다는 것을 또한 관찰할 수 있었다. ln(I/V) 값은 입사 광의 파장을 구별하는 데 유용하다. 비록 ln(I/V) 레벨의 차이가 2V 아래(under 2V)에서 300㎚와 다른 파장 간에 중요하지 않다 하더라도, 300㎚와 가시 파장의 차이는 5V 위(over 5V)에서 도 7의 도표에 의해 확인될 수 있었다.
결론적으로 본 발명의 실시예에서는 3가지의 쇼트키 전극을 사용하는 MSM 유형 AlGaN/GaN 이중 윈도우 UV 광 다이오드를 제조하였고, 그 광 다이오드들은 낮은 전압 영역에서 Fowler-Nordeim 및 Poole-Frankel 도표 모두 300㎚ 및 다른 파장 사이에서 현저하게 다른 전류 값을 보여주었다. UV 파장은 높고 낮은 바이어스 전압 모두에서 전류 메커니즘에 의해 선택적으로 검출될 수 있었다. ln(I/V) 레벨들은 낮은 바이어스 및 높은 바이어스에서 각각 구분되었다.
한편 본 발명의 실시예에서는 장파장과 단파장의 자외선을 검출하기 위한 2개의 반도체 층을 예로 들어 설명하였지만, 버퍼층을 생략하여 구성할 수 있는 것은 논외로 하더라도, 본 발명의 다른 실시예로서 3개 이상의 반도체 층을 형성하여 다양한 파장대의 자외선을 감지하도록 형성할 수 있을 것이다. 나아가 적외선과 자외선 또는 자외선과 가시광과 같이 서로 다른 종류, 즉 이종의 광에 대하여도 동시에 감지하는 것도 가능할 수 있을 것이다. 예컨대, 제1 반도체 층이 특정 바이어스 전압에 대하여 적외선을 검출하였다면 제2 반도체 층은 동일 크기의 바이어스 전압에 대하여 자외선을 검출할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명의 실시예는 2개 이상의 파장대의 광을 동시에 검출할 수만 있다면, 어떠한 형태이어도 무관하다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
110 : 기판 130 : 에피층
131 ; 버퍼층 132 : 제1 반도체 층
133 : 제2 반도체 층 150 : 금속층
151, 152: 컨택 전극

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판상에 형성되는 버퍼 층;
    상기 버퍼 층상에 형성되는 제1 반도체 층;
    상기 제1 반도체 층상에 형성되는 제2 반도체 층; 및
    상기 제2 반도체 층상에 형성되어 바이어스 전압이 인가되는 컨택 전극;을 포함하며,
    상기 컨택 전극은,
    쇼트키 전극을 형성하는 복수의 컨택 전극을 포함하며,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,
    상기 복수의 컨택 전극에 인가되는 전압 조건에 따라 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지(detect)하는 것을 특징으로 하는 광 검출기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,
    자외선에 대한 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 질화물계의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 검출기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층은 GaN을 포함하여 장파장의 자외선을 감지하고,
    상기 제2 반도체 층은 AlGaN을 포함하여 단파장의 자외선을 감지하는 것을 특징으로 하는 광 검출기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 컨택 전극은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 상기 컨택 전극에 인가되는 바이어스 전압에 대하여 서로 다른 크기의 광 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 바이어스 전압의 크기가 조정될 때, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 광 전류 크기는 각각 변동하는 것을 특징으로 하는 광 검출기.
  7. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판상에 버퍼 층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼 층상에 제1 반도체 층을 형성하는 단계;
    상기 제1 반도체 층상에 제2 반도체 층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 반도체 층상에 바이어스 전압을 인가하기 위한 컨택 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 컨택 전극은
    쇼트키 전극을 형성하는 복수의 컨택 전극을 포함하며,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,
    상기 복수의 컨택 전극에 인가되는 전압 조건에 따라 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지(detect)하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,
    자외선에 대한 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 질화물계의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층은 장파장의 자외선을 감지하기 위한 GaN을 포함하고,
    상기 제2 반도체 층은 단파장의 자외선을 감지하기 위한 AlGaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 컨택 전극은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 상기 컨택 전극에 인가되는 바이어스 전압에 대하여 서로 다른 크기의 광 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 바이어스 전압의 크기가 조정될 때, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 광 전류 크기는 각각 변동하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법.
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