KR101406385B1 - Ｌｅｄ 반도체 몸체 및 ｌｅｄ 반도체 몸체의 이용 - Google Patents

Ｌｅｄ 반도체 몸체 및 ｌｅｄ 반도체 몸체의 이용 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적어도 하나의 제1 복사 생성 활성층(31) 및 적어도 하나의 제2 복사 생성 활성층(32)을 포함하는 LED 반도체 몸체(1)를 기술하며, 이 때 상기 LED 반도체 몸체(1)는 광 결정(6)을 포함한다. 또한, 본 발명은 상기와 같은 LED 반도체 몸체(1)의 이용도 기술한다.
LED, 광결정, 휘도 향상, 터널 접합, 수직 전도

Description

ＬＥＤ 반도체 몸체 및 ＬＥＤ 반도체 몸체의 이용{LED SEMICONDUCTOR BODY AND USE OF AN LED SEMICONDUCTOR BODY}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2006 046 037.5의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 여기서 참조로 수용된다.
본 발명은 LED 반도체 몸체 및 LED 반도체 몸체의 이용에 관한 것이다.
프로젝션 응용물을 위해서는 고 휘도의 복사원이 필요하다. 따라서, 시야각(viewing angle)은 30°보다 작거나 같은 것이 필요한데, 일반적으로 광학 체계에서 개구수(numerical aperture)는 0.5 보다 작거나 같아서, 상기 시야각내에서의 복사만 이용될 수 있다.
박막 발광 다이오드 칩의 기본 원리는 I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63(16), 1993. 10. 18, 2174-2176에 기재되어 있다. 박막 발광 다이오드 칩은 거의 람베르시안 표면 이미터(lambertian surface emitter)에 가깝다. 박막 발광 다이오드 칩은 복사 특성 때문에 프로젝션 응용물에 적합하나, 종래의 발광 다이오드 칩은 대부분 하나의 활성층을 가진 층 구조를 포함하여, 상기 발광 다이오드 칩의 복사량이 전류 밀도에 의해 한정된다. 활성층의 전류 밀도는 최대 전류 밀도를 초과하지 않아야 하는데, 그렇지 않으면 과도한 시효 효과가 LED 반도체 몸체 의 수명을 부정적으로 단축시킬 위험이 있기 때문이다.
본 발명의 과제는 휘도가 향상된 LED 반도체 몸체를 제공하는 것이다.
상기 과제는 특허 청구 범위 1항에 따른 LED 반도체 몸체를 통해 해결된다.
본 발명의 과제는 휘도가 향상된 LED 반도체 몸체를 이용하는 것이다.
상기 과제는 특허 청구 범위 31항 및 32항에 따른 이용을 통해 해결된다.
본 발명의 유리한 발전예들 및 형성예들은 종속 청구항들의 주제이다.
본 발명에 따른 LED 반도체 몸체는 적어도 하나의 제1 복사 생성 활성층 및 적어도 하나의 제2 복사 생성 활성층을 포함하고, 광 결정(photonic crystal)을 더 포함한다.
상기에서, 활성층은 복사 생성 pn-접합으로 이해할 수 있다. 상기 pn-접합은 가장 간단한 경우 상호 간에 직접 접해있는 p-형 및 n-형 반도체층을 이용하여 형성될 수 있다. 바람직하게는, p-형 및 n-형 활성층 사이에 고유의 복사 생성층이 형성되며, 상기 고유 복사 생성층은 가령 도핑되거나 도핑되지 않은 양자층의 형태를 가진다. 양자층은 단일 양자 우물 구조(single quantum well, SQW) 또는 다중 양자 우물 구조(multiple quantum well, MQW) 또는 양자선이나 양자점 구조로서 형성될 수 있다.
종래의 LED 반도체 몸체에서는, 반도체 몸체의 반도체 물질과 예를 들면 공기와 같은 주변 매질 간의 굴절률 차가 상대적으로 커서 특정한 임계각부터 전반사가 발생할 수 있는데, 이는 아웃-커플링(out-coupling)되는 복사 비율이 현저히 낮아지도록 한다.
바람직하게는, 전반사에 의해 야기된 복사 손실은 광 결정을 이용하여 감소될 수 있다.
반도체 몸체로부터 오는 광선은, 굴절률(n1)을 가지며 광학적으로 더 조밀한 반도체 물질과 굴절률(n2)를 가지며 예를 들면 공기와 같이 광학적으로 더 소밀한 매질 사이의 경계면에 전반사의 임계각(
Figure 112009025422097-pct00001
)과 같거나 큰 각도로 입사될 때, 상기 계면에서 전반사되며, 이는 다음과 같다.
Figure 112009025422097-pct00002
여기서, 상기 각도는 광선의 입사점에서 경계면의 법선과 관련한다.
바람직하게는, LED 반도체 몸체를 위해 구비된 광 결정으로 인해, 임계각(
Figure 112009025422097-pct00003
)과 같거나 큰 각도로 상기 광 결정에 입사되는 복사의 부분이 편향되되, 상기 복사 부분이 상기 임계각(
Figure 112009025422097-pct00004
)보다 작은 각도로 복사 아웃-커플링면에 입사되어 아웃-커플링될 수 있도록 편향될 수 있다.
또한, 광 결정을 이용하면, 본래의 시야각은 좁아질 수 있다.
바람직하게는, 광 결정은 제1 굴절률을 가진 복수개의 제1 영역들 및 제2 굴절률을 가진 복수개의 제2 영역들을 포함한다. 더욱 바람직하게는, 상기 영역들은 규칙적으로 배열된다. 상기 규칙적 배열는, 1차원, 2차원 또는 3차원 격자에 상응할 수 있다. 특히, 본 발명의 틀에서 광 결정은 2차원 격자의 구조를 포함할 수 있다. 이 때 2개의 인접한 제1 영역들 내지 2개의 인접한 제2 영역들 사이의 간격은 격자 상수에 상응한다. 광 결정은, 상기 격자 상수가 반도체 몸체로부터 생성된 복사의 파장에 맞춰질 때 최상의 효과를 가진다. 바람직하게는, 2개의 인접한 제1 영역들 내지 2개의 인접한 제2 영역들 사이의 간격은 LED 반도체 몸체로부터 생성된 복사의 파장에 대략적으로 상응한다. 더욱 바람직하게는, 상기 간격은 10-9 m와 10-6 m 사이이다.
바람직한 변형예에서, 제2 영역들은 결합되어 있다. 즉, 각각 2개의 제2 영역들은 특히 하나 이상의 접촉점 예를 들면 접촉면을 가진다. 이 때, 접촉점 내지 접촉면은 물리적 요소를 의미하는 것이 아니며, 광 결정의 가상 분할에 의해 동일하게 구성된 "결정셀들(crystal cells)"로 도출된다.
전형적으로, 광 결정은 유전체 물질을 포함한다. 본 발명에 따르면, 제1 영역들은 상기 LED 반도체 몸체의 반도체층에서 매우 바람직하게는 충전된 또는 충전되지 않은 함몰부들이다. 제1 영역들은 주기적으로 배열된 함몰부들로서 반도체층에 삽입될 수 있다. 대안적으로, 제1 영역들은 격자형으로 배열될 수 있으며, 이 때 상기 영역들은 섬형(insular)으로 형성되고, 예를 들면 그와 이어진 함몰부와 같은 적합한 사이 공간에 의해 서로간에 분리된다. 제2 가능성은 제1 가능성의 역(inversion)으로서 상기 영역들 및 함몰부들이 서로 뒤바뀌어 있다. 두 경우에서, 바람직하게는, 함몰부들 내지 사이 공간들은 예를 들면 유전체 또는 다른 반도체 물질과 같은 충전재로 채워질 수 있고, 상기 충전재의 굴절률은 제1 영역의 굴절률과 다르다. 특히, 제1 영역들의 폭 및/또는 깊이는 100 nm과 500 nm 사이이다.
바람직한 형성예에 따르면, 제1 및 제2 활성층은 수직 방향에서 포개어져 배열된다. 바람직하게는, 활성층들이 서로 포개어져 배열되는 LED 반도체 몸체에서는, 서두에 언급한 방식의 종래 LED 반도체 몸체에 비해 2개 이상의 활성층들이 동시에 복사 생성을 위해 사용되며, 따라서 전체적으로 생성된 복사량 내지 휘도는 유리하게도 증가된다. 휘도는 반도체 몸체의 방출면과 입체각 당 광학적 성능이다.
바람직하게는, 제1 및 제2 활성층은 동일한 파장의 복사를 생성한다. 이러한 점은, 특히, 이하에 기재되는 바와 같이 활성층들로부터 생성된 복사의 반사를 위해 구비되는 반사층과 조합하는 것이 유리하다. 왜냐하면 서로 다른 파장의 복사를 생성하는 활성층들과 달리, 반사된 복사가 각각 다른 활성층에 의해 흡수되는 일이 방출된 총 복사에 부정적 영향을 미치지 않기 때문이다.
또한, 제1 및 제2 활성층은 반도체 몸체에 모놀리식으로 집적될 수 있다. 따라서, 제1 층 스택을 제2 층 스택과 예를 들면 본딩을 이용하여 결합시키는 제조 단계는 생략된다.
LED 반도체 몸체는 지지 요소상에 배열되는 것이 적합하다. 이를 위해 바람직하게는, 전기 전도성 지지 요소가 사용된다. 이러한 점은, 수직 전도성 소자의 형성을 용이하게 하며, 상기 소자에서 전류는 실질적으로 수직 방향으로 흐른다. 상기와 같은 소자는 LED 반도체 몸체내에서 비교적 균일한 전류 분포를 포함한다는 특징이 있다. 적합하게는, 상기 LED 반도체 몸체와 반대 방향에 있는 전도성 지지 요소의 측에는 접촉을 위한 후측 접촉부가 배열된다.
바람직하게는, 지지 요소는 LED 반도체 몸체를 위한 성장 기판과 다르다. 더욱 바람직하게는, 성장 기판은 반도체 몸체로부터 제거된다. 반도체 몸체는 특히 박막 반도체 몸체이다.
박막 반도체 몸체는 특히 이하의 특징적 특성들 중 적어도 하나의 특성으로 특징지워진다:
- 복사 생성 에피택시 층 시퀀스에서 지지 요소를 향한 제1 주요면에 반사층이 도포되거나 형성되고, 상기 반사층은 에피택시 층 시퀀스로부터 생성되는 전자기 복사의 적어도 일부를 상기 에피택시 층 시퀀스에 재반사하고;
- 에피택시 층 시퀀스의 두께는 20 ㎛ 이하의 범위, 특히 10 ㎛의 범위를 가지고; 그리고
- 에피택시 층 시퀀스는 적어도 하나의 면을 가진 적어도 하나의 반도체층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 면은 혼합 구조를 포함하며, 상기 혼합 구조는 이상적인 경우 에피택시얼한 에피택시 층 시퀀스에서 광이 거의 에르고딕(ergodic)으로 분포하도록 하는데, 즉 가능한한 에르고딕 확률적 산란 거동을 포함한다.
박막 발광 다이오드칩의 기본 원리는 예를 들면 I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63(16), 1993.10.18, 2174-2176에 기재되며, 이의 개시 내용은 여기서 참조로 수용된다.
박막 발광 다이오드 칩은 거의 람베르시안 표면 이미터에 가까우며, 특히 투광기(floodlight)- 및 프로젝션 응용물에 적합하다.
박막 반도체 몸체로서 형성되는 LED 반도체 몸체에서, 발광면 당 아웃-커플링되는 복사의 세기는 특히 좁은 시야각내에서 유리하게도 증가된다.
성장 기판의 제거는 물질 체계에 따라 기계적, 열적 또는 레이저 제거방법을 이용하여 수행될 수 있다. 박막 반도체 몸체는 순 방향 전압(forward voltage)이 낮고 복사 생성 시 효율이 높다는 특징을 가진다. 또한, 박막 반도체 몸체는 지지 요소의 선택과 관련하여 에피택시를 위해 필요한 경계 조건(boundary condition)에 한정되지 않으므로, 상기 지지 요소는 예를 들면 상기 지지 요소의 열전도성 또는 비용과 관련하여 최적화될 수 있다.
바람직한 형성예에 따르면, LED 반도체 몸체와 지지 요소 사이에는 LED 반도체 몸체에서 생성된 복사를 광 결정 방향으로 반사시키기 위한 반사층이 배열된다. 이를 통해 바람직하게는, 휘도가 더욱 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 LED 반도체 몸체에서, 반사층은 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 반사층은 Au, Al, Zn, Ag 중 적어도 하나의 물질을 포함한다. 반사층은 금속층 또는 금속층과 TCO(transparent conductive oxide)-층과의 결합물로서 형성될 수 있고, 이 때 TCO-층은 예를 들면 산화 인듐, 산화 주석, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 산화 아연을 포함할 수 있다. 또한, 반사층은 금속층과 구조화된층의 결합물로서 형성될 수도 있고, 이 때 상기 구조화된 층은 특히 전기 절연 물질 및 개구부들을 포함하며, 상기 전기 절연 물질은 예를 들면 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물이고, 상기 개구부들은 바람직하게는 금속층의 물질로 채워져있다. 따라서, 언급된 변형예들에서, 반사층은 충분한 전기 전도성을 가지므로, 전류는 상기 반사층을 통과하여 흐를 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광 결정은 지지 요소와 반대 방향에 있는 LED 반도체 몸체의 측에 배열된다. 광 결정은 광학적 기능 외에 전기적 기능도 가질 수 있으며, 전류 확산에 기여하는 특성을 가질 수 있다.
대안적 실시예에 따르면, 광 결정은 반사층과 LED 반도체 몸체 사이에 배열된다. 이러한 경우에도, 광 결정은 LED 반도체 몸체에서의 전기적 특성을 개선하는 데 기여할 수 있다.
LED 반도체 몸체의 바람직한 형성예에서, 제1 및 제2 활성층 사이에 터널 접합이 형성된다. 터널 접합은 제1 활성층과 제2 활성층을 전기적으로 결합시키는 역할을 한다. 예를 들면, 상기와 같은 터널 접합은 고도핑된 제1 도전형층 및 고도핑된 제2 도전형층을 이용하여 형성될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 제1 및 제2 활성층은 동일한 방향으로 배열되어, 상기 활성층의 pn-접합들이 pn-pn- 내지 np-np-구조를 형성하고, 이 때 상기 pn-접합들은 상기 접합들 사이에 놓인 터널 접합을 이용하여 전기적으로 직렬로 연결된다. 본 발명의 틀에서, 그와 유사한 방식으로 3개 또는 그 이상의 활성층들이 LED 반도체 몸체에서 수직으로 포개어져 배열될 수 있고, 상기 활성층들은 상기에 상응하는 방식으로 2개의 인접한 활성층들 사이에 형성된 각 터널 접합에 의해 결합된다.
대안적 변형예에서, 제1 및 제2 활성층의 pn-접합들은 상호 간에 반대 방향으로 형성되어, pn-np- 내지 np-pn-구조가 생성된다. 여기서, 활성층들은 병렬로 연결될 수 있다.
LED 반도체 몸체, 바람직하게는 2개의 활성층들 중 하나의 활성층 또는 2개의 활성층들은 인화물계 화합물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 화합물 반도체 물질은 특히 AlnGamIn1-n-mP 조성을 가지며, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1이다.
대안적으로, LED 반도체 몸체, 바람직하게는 2개의 활성층들 중 하나의 활성층 또는 2개의 활성층들은 비화물계 화합물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 화합물 반도체 물질은 특히 AlnGamIn1-n-mAs 조성을 가지며, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1이다.
다른 가능성에 상응하여, LED 반도체 몸체, 바람직하게는 2개의 활성층들 중 하나의 활성층 또는 2개의 활성층들은 질화물계 화합물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 화합물 반도체 물질은 특히 AlnGamIn1-n-mN 조성을 가지며, 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1이다.
바람직하게는, LED 반도체 몸체는 수직 방향으로 복사를 방출한다.
본 발명에 따른 LED 반도체 몸체에서, 시야각(α)은 30°보다 작거나 같게 얻어질 수 있다. 상기와 같은 좁은 시야각을 가진 LED 반도체 몸체는 특히 프로젝션 응용물을 위해 적합하다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 LED 반도체 몸체는 복사 방출 소자의 복사원으로서 사용될 수 있다. 복사 방출 소자 뿐만아니라 LED 반도체 몸체도 프로젝션 응용물을 위해 매우 적합하다.
본 발명의 다른 특징들, 장점들 및 적합성들은 도면과 관련하여 이하에 기재되는 실시예로 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 LED 반도체 몸체의 실시예를 개략적 단면도로 도시한다.
도면에 도시된 LED 반도체 몸체(1)는 3개의 복사 생성 활성층들(31, 32, 33)을 포함하고, 상기 활성층들은 수직 방향 즉 활성층들(31, 32, 33)의 주 연장 방향에 대해 수직인 방향에서 포개어져 배열된다. 활성층들(31, 32, 33)은 각각 층 스택(I, II, III)에 속한다. 층 스택들(I, II, III)은 각각 제1 도전형의 층(21, 22, 23) 및 제2 도전형의 층(41, 42, 43)을 포함한다. 전형적으로, 활성층들(31, 32, 33)은 제1 도전형의 층(21, 22, 23)과 제2 도전형의 층(41, 42, 43) 사이에 각각 배열된다.
층 스택(I 및 II) 및 층 스택(II 및 III)은 터널 접합(5)을 이용하여 서로 결합된다. 예를 들면, 터널 접합(5)은 고도핑된 제1 도전형 층 및 고도핑된 제2 도전형 층을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 구동 시 전기적 접합 저항이 낮은 효율적 터널 접합이 형성될 수 있다.
3개 활성층들(31, 32, 33)을 LED 반도체 몸체(1)에 배열함으로써, 바람직하게는 전체적으로 생성되는 복사량이 증가한다. 단일의 활성층만 포함한 LED 반도체 몸체에 비해, 상기 LED 반도체 몸체(1)의 치수는 근소하게만 변경되고, 특히 LED 반도체 몸체(1)의 발광면은 활성층들의 수와 무관하므로, 바람직하게는 휘도가 가능한한 향상된다.
반도체 몸체(1)는 지지 요소(9)상에 도포된다. 바람직하게는, 지지 요소(9)와 반도체 몸체(1) 사이에 반사층(8)이 배열된다. 더욱 바람직하게는, 반사층(8) 뿐만아니라 지지 요소(9)도 전기 전도성이다. 더욱이, 지지 요소(9)는 반도체 몸체(1)와 반대 방향인 측에서 후측 접촉부(11)를 구비한다. 이에 상응하여, 지지 요소(9)와 대향하는 LED 반도체 몸체(1)의 측에는 전면측 접촉부(10)가 형성된다. 따라서, 수직 전도성의 소자가 형성되며, 상기 소자는 LED 반도체 몸체내에서 비교적 균일한 전류 분포를 포함한다는 특징이 있다.
LED 반도체 몸체(1)는 별도의 성장 기판상에 성장된 후, 예를 들면 솔더링, 본딩 또는 접착을 이용하여 지지 요소(9)상에 실장되며, 이 때 바람직하게는 상기 성장 기판은 LED 반도체 몸체로부터 분리된다. 반사층(8)은 예를 들면 브래그 거울(bragg-mirror), 금속층 또는 금속층과 TCO-층의 결합물로서 형성될 수 있고, 이 때 상기 TCO-층은 예를 들면 인듐 주석 산화물- 또는 산화 아연을 포함할 수 있다. 또한, 반사층(8)은 금속층과 구조화된 층의 결합물로서 형성될 수 있고, 이 때 특히 상기 구조화된 층은 예를 들면 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물과 같은 전기 절연성 물질을 포함하며, 특히 바람직하게는 금속층의 물질로 채워지는 개구부들을 포함한다. 따라서, 지지 요소(9)의 방향으로 방출되는 복사 비율은 복사 아웃-커플링측의 방향으로 반사될 수 있다.
LED 반도체 몸체(1)는 복사 아웃-커플링측에서 복사 수율 내지 휘도를 향상시키기 위해 광 결정(6)을 포함한다. 광 결정(6)은 제1 굴절률을 가진 제1 영역들(6a) 및 제2 굴절률을 가진 제2 영역들(6b)을 포함한다. 바람직하게는, 제2 영역들(6b)이 반도체 몸체(1)를 위해 사용된 반도체 물질로 구성되는 반면, 상기 영역들(6a)은 제2 도전형의 층(43) 다음에 배열된 반도체층에 함몰부들로서 삽입된다. 함몰부들은 충전되지 않거나, 공기로 충전되어 있을 수 있다. 또는, 상기 함몰부들은 반도체 물질과 다른 굴절률을 가진 충전재로 채워질 수도 있다. 상기 실시예에서, 제2 영역들(6b)은 결합되어 있다. 또한, 제1 영역들(6a)은 제2 영역들(6b)에 의해 둘러싸여있다. 제1 영역들(6a)은 원통형으로 형성된다. 그러나, 본 발명은 이러한 형태에 확정되지 않는다. 제1 영역들(6a)은 반도체층에서 규칙적으로 배열되며, 이러한 배열에 의해 2차원 격자가 형성된다.
본 발명은 실시예의 기재에 한정되지 않는다. 오히려, 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 이러한 점은 특히 특허 청구 범위에서의 특징들의 각 조합을 포함하는데, 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예들에 제공되지 않더라도 그러하다.

Claims (32)

  1. LED 반도체 몸체(1)에 있어서,
    적어도 하나의 복사 생성용 제1 활성층(31) 및 적어도 하나의 복사 생성용 제2 활성층(32)을 포함하고,
    상기 LED 반도체 몸체(1)는 광 결정(photonic crystal)(6)을 포함하고,
    상기 LED 반도체 몸체(1)는 지지 요소(9) 상에 배열되고,
    상기 LED 반도체 몸체(1)와 상기 지지 요소(9) 사이에는 상기 LED 반도체 몸체(1)로부터 생성된 복사를 상기 광 결정(6)의 방향으로 반사시키기 위한 반사층(8)이 배열되며,
    상기 광 결정(6)은 상기 반사층(8)과 상기 LED 반도체 몸체(1) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 결정(6)은 제1 굴절률을 가진 복수 개의 제1 영역들(6a) 및 제2 굴절률을 가진 복수 개의 제2 영역들(6b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 및 제2 영역들(6a, 6b)은 규칙적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 및 제2 영역들(6a, 6b)은 1차원, 2차원 또는 3차원 격자를 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  5. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 영역들(6b)은 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  6. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 영역들(6a)은 상기 제2 영역들(6b)에 의해 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  7. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 영역들(6a)은 상기 LED 반도체 몸체(1)의 반도체층에서 충전되거나 충전되지 않은 함몰부(depression)들인 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 영역들(6a)의 폭 및 두께 중 적어도 하나는 100 nm와 500 nm 사이인 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  9. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 활성층(31) 및 제2 활성층(32)은 동일한 파장의 복사를 생성하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  10. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 활성층(31) 및 제2 활성층(32)은 수직 방향으로 포개어져(one above the other) 배열되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  11. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 활성층(31) 및 제2 활성층(32)은 상기 반도체 몸체(1)에 모놀리식으로(monolithically) 집적되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  12. 삭제
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지 요소(9)는 전기 전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지 요소(9)는 상기 LED 반도체 몸체(1)를 위한 성장 기판과는 상이한 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 성장 기판은 상기 반도체 몸체(1)로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  16. 삭제
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사층(8)은 Au, Al, Zn, Ag 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사층(8)은 TCO를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사층(8)은 전기 전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사층(8)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 활성층(31)과 제2 활성층(32) 사이에 터널 접합(5)이 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 터널 접합(5)은 고도핑된(highly doped) 제1 도전형층 및 고도핑된 제2 도전형층을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  25. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)는 AlnGamIn1-n-mP(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1), AlnGamIn1-n-mAs(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1), 또는 AlnGamIn1-n-mN(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1) 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  26. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2개의 활성층들(31, 32) 중 하나의 활성층은 AlnGamIn1-n-mP(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1), AlnGamIn1-n-mAs(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1), 또는 AlnGamIn1-n-mN(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1) 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  27. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2개의 활성층들(31, 32) 모두는 AlnGamIn1-n-mP(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1), AlnGamIn1-n-mAs(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1), 또는 AlnGamIn1-n-mN(이 때, 0≤n≤1, 0≤m≤1, n+m≤1) 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  28. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 몸체(1)는 수직 방향으로 복사를 방출하는 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  29. 청구항 28에 있어서,
    시야각(viewing angle)(α)은 30°보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  30. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 LED 반도체 몸체(1)는 박막 반도체 몸체인 것을 특징으로 하는 LED 반도체 몸체(1).
  31. 복사 방출 소자를 위해 이용될 수 있는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 LED 반도체 몸체(1).
  32. 프로젝션 응용물(application)을 위해 이용될 수 있는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 LED 반도체 몸체(1).
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