KR101397358B1 - 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치 - Google Patents
유기 전계 발광 소자 및 조명 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101397358B1 KR101397358B1 KR1020110090323A KR20110090323A KR101397358B1 KR 101397358 B1 KR101397358 B1 KR 101397358B1 KR 1020110090323 A KR1020110090323 A KR 1020110090323A KR 20110090323 A KR20110090323 A KR 20110090323A KR 101397358 B1 KR101397358 B1 KR 101397358B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- refractive index
- layer
- transparent
- visible light
- transparent substrate
- Prior art date
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 318
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Abstract
일 실시형태에 따르면, 유기 전계 발광 소자는 투명 전극과, 금속 전극과, 유기 발광층과, 중간층을 포함한다. 상기 투명 전극은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 금속 전극은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 유기 발광층은, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 제공되며 가시 광선의 파장 성분을 포함하는 광을 방출하도록 구성된다. 상기 중간층은, 상기 유기 발광층과 상기 금속 전극 사이에서 상기 금속 전극 및 상기 유기 발광층에 접촉하며 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 중간층의 두께는 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만이다. 상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율은, 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율보다 높다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 일본특허출원 제2011-049900(2011년 3월 8일 출원)에 기초한 것으로, 그에 대한 우선권을 주장하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로서 원용된다.
본원에 개시된 실시형태는 일반적으로 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 음극과 양극 사이에 유기 박막을 포함한다. 이들 전극에 전압을 인가하고, 이에 따라 유기 박막은 음극으로부터 주입된 전자와 양극으로부터 주입된 정공을 받아들인다. 이에 의해 전자와 정공이 재결합하고, 재결합에 따라 생성된 여기자가 방사 비활성화(radiative deactivation)되어 장치에 이용되는 발광을 일으킨다.
유기 전계 발광 소자에 있어서, 발광층으로부터 나온 광을 높은 효율로 추출하는 것이 요구되고 있다.
일반적으로, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 유기 전계 발광 소자는 투명 전극과, 금속 전극과, 유기 발광층과, 중간층을 포함한다. 상기 투명 전극은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 금속 전극은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 유기 발광층은, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 제공되며 가시 광선의 파장 성분을 포함하는 광을 방출하도록 구성된다. 상기 중간층은, 상기 유기 발광층과 상기 금속 전극 사이에서 상기 금속 전극 및 상기 유기 발광층에 접촉하며 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 중간층의 두께는 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만이다. 상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율은, 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율보다 높다.
일반적으로, 본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 조명 장치는 유기 전계 발광 소자와 전원을 포함한다. 상기 유기 전계 발광 소자는 투명 전극과, 금속 전극과, 유기 발광층과, 중간층을 포함한다. 상기 투명 전극은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 금속 전극은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 유기 발광층은, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 제공되며 가시 광선의 파장 성분을 포함하는 광을 방출하도록 구성된다. 상기 중간층은, 상기 유기 발광층과 상기 금속 전극 사이에서 상기 금속 전극 및 상기 유기 발광층에 접촉하며 가시 광선에 대하여 투과성이다. 상기 전원은, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극에 접속되며, 상기 유기 발광층에 흐르는 전류를 공급하도록 구성된다. 상기 중간층의 두께는 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만이다. 상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율은, 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율보다 높다.
도 1a 내지 도 1c는 일 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 모식도.
도 2는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 모식도.
도 3은 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 4는 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 5는 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 6a 및 도 6b는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 7a 및 도 7b는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 8a 내지 도 8c는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 9a 내지 도 9e는 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 모식적인 단면도.
도 10은 실시형태에 따른 조명 장치를 나타내는 모식적인 사시도.
도 2는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 모식도.
도 3은 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 4는 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 5는 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 6a 및 도 6b는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 7a 및 도 7b는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 8a 내지 도 8c는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프.
도 9a 내지 도 9e는 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 모식적인 단면도.
도 10은 실시형태에 따른 조명 장치를 나타내는 모식적인 사시도.
이하, 여러 가지 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
또한, 도면은 모식적 또는 개념적인 것이며, 각 부분의 두께와 폭 사이의 관계, 부분간의 크기의 비율 등은, 반드시 실제의 값과 동일하다고는 할 수 없다. 또한, 동일한 부분에 대한 것이더라도, 도면 중에서 치수나 비율이 다르게 나타내어질 수도 있다.
또한, 본원 명세서와 각 도면에 있어서, 이전에 언급한 도면에서 설명하였거나 도시한 요소와 동일한 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 상세한 설명은 적절히 생략한다.
(제1 실시형태)
도 1a 내지 도 1c는, 일 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 모식도이다.
도 1a는 사시도이다. 도 1b는 도 1a의 A1-A2 선을 따라 취한 단면도이다. 도 1c는 유기 전계 발광 소자의 일부의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이며, 도 1a의 A1-A2 선을 따라 취한 단면도에 상당한다.
도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같이, 유기 전계 발광 소자(110)는 투명 전극(10)과, 금속 전극(20)과, 유기 발광층(30)과, 중간층(40)을 포함한다.
투명 전극(10)은 가시 광선에 대하여 투과성이다. 금속 전극(20)은 가시 광선에 대하여 반사성이다. 유기 발광층(30)은 투명 전극(10)과 금속 전극(20) 사이에 제공된다. 유기 발광층(30)은 가시 광선의 파장 성분을 포함하는 광을 방출한다. 중간층(40)은, 유기 발광층(30)과 금속 전극(20) 사이에 있어서, 금속 전극(20) 및 유기 발광층(30)에 접촉한다. 중간층(40)은 가시 광선에 대하여 투광성이다.
여기에서, 금속 전극(20)으로부터 투명 전극(10)을 향하는 방향을 Z축 방향(제1 방향)으로 한다. Z축을 제1 축이라고 한다. Z축에 대하여 수직인 1개의 방향을 X축(제2 축)으로 한다. Z축과 X축에 대하여 수직인 축을 Y축(제3 축)으로 한다.
이 예에서, 유기 전계 발광 소자(110)는 투명 기판(50)을 더 포함한다. 투명 기판(50)과 유기 발광층(30) 사이에 투명 전극(10)이 배치된다. 투명 기판(50)은 가시 광선에 대하여 투광성이다.
예를 들면, 투명 기판(50) 위에 투명 전극(10)이 제공된다. 투명 전극(10) 위에 유기 발광층(30)이 제공된다. 유기 발광층(30) 위에 중간층(40)이 제공된다. 중간층(40) 위에 금속 전극(20)이 제공된다.
도 1c에 나타낸 바와 같이, 유기 전계 발광 소자(110)는 투명 전극측 기능층(31)을 더 포함할 수 있다. 투명 전극측 기능층(31)은, 유기 발광층(30)과 투명 전극(10) 사이에 제공된다. 유기 발광층(30)과 투명 전극측 기능층(31)은, 유기층(35)에 포함된다. 투명 전극측 기능층(31)은 필요시 제공된다.
유기 발광층(30)은, 예를 들면 Alq3, F8BT 및 PPV 등의 재료로 이루어질 수 있다. 유기 발광층(30)은, 호스트 재료와, 이 호스트 재료에 첨가되는 불순물을 포함하는 혼합 재료로 이루어질 수 있다. 호스트 재료는, 예를 들면 CBP, BCP, TPD, PVK 및 PPT 등으로 이루어질 수 있다. 불순물 재료는, 예를 들면 Flrpic, Ir(ppy)3 및 Flr6 등으로 이루어질 수 있다.
투명 전극측 기능층(31)은, 예를 들면 정공 주입층으로서 기능한다. 이 경우, 투명 전극측 기능층(31)은, 예를 들면 PEDPOT:PPS, CuPc 및 MoO3 등으로 이루어질 수 있다.
투명 전극측 기능층(31)은, 예를 들면 정공 수송층으로서 기능한다. 이 경우, 투명 전극측 기능층(31)은, 예를 들면 α-NPD, TAPC, m-MTDATA, TPD 및 TCTA 등으로 이루어진다.
투명 전극측 기능층(31)은, 정공 주입층으로서 기능하는 층과, 정공 수송층으로서 기능하는 층으로 이루어지는 적층 구조를 가져도 된다.
중간층(40)은, 예를 들면 전자 수송층으로서 기능하는 층을 포함할 수 있다. 전자 수송층으로서 기능하는 층은, 예를 들면 Alq3, BAlq, POPy2, Bphen 및 3TPYMB 등으로 이루어질 수 있다.
중간층(40)은, 예를 들면 전자 수송층으로서 기능하는 층과, 그 층과 금속 전극(20) 사이에 제공된 전자 주입층으로 이루어지는 적층 구조를 가져도 된다. 전자 주입층은 전자 주입 특성을 향상시키기 위한 층이다. 전자 수송층의 두께는, 예를 들면 1 ㎚ 정도이다.
투명 기판(50)은, 예를 들면 유리 기판이다.
투명 전극(10)은, In, Sn, Zn 및 Ti로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물을 포함한다. 투명 전극(10)은, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)막이다. 투명 전극(10)은, 예를 들면 양극으로서 기능한다.
금속 전극(20)은, 예를 들면 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 금속 전극(20)은, Mg:Ag(마그네슘과 은의 합금)으로 이루어져도 된다. 예를 들면, 금속 전극(20)은 알루미늄 막으로 이루어질 수 있다. 금속 전극(20)이 알루미늄 막으로 이루어지면, 특히 생산성 및 가격 면에서 유리해진다. 금속 전극(20)은, 예를 들면 음극으로서 기능한다.
중간층(40)은, 예를 들면 유기층이다. 그러나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않으며, 중간층(40)은 무기층이어도 된다. 또한 중간층(40)은, 유기 재료와 무기 재료의 혼합 재료로 이루어져도 된다.
중간층(40)을 유기층(35) 위에 형성하는 경우에는, 중간층(40)의 형성 조건은, 유기층(35)을 열화시키지 않는 조건으로 설정된다. 중간층(40)이 유기 재료로 이루어지는 경우에는, 중간층(40)의 형성 조건(예를 들면, 온도)을 마일드한 조건으로 하기 쉽다. 이 때문에, 중간층(40)은 유기 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
유기 전계 발광 소자(110)에 있어서는, 유기 발광층(30)으로부터 방출된 광은, 투명 전극(10)측(투명 기판(50)측)으로부터 추출된다.
본 실시형태에 있어서, 중간층(40)의 두께(두께 tm)는 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만이다. 유기 발광층(30)의 가시 광선에 대한 굴절율(n1)은, 중간층(40)의 굴절율(n2)보다 높다.
이에 따라 광 추출 효율(아웃커플링(outcoupling) 효율)이 높은 유기 전계 발광 소자가 얻어진다.
이하, 유기 전계 발광 소자(110)의 특성에 대해서, 비교예와 비교하여 설명한다.
도 2는 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 모식도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 일반적으로, 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기 발광층(30) 내에서 발생한 광(광원(33))의 행방은, 기본적으로 4개의 성분으로 분류된다. 즉, 유기 전계 발광 소자에 있어서, 광은, 외부 모드 성분 L1과, 기판 모드 성분 L2와, 박막층 모드 성분 L3과, 금속에 의한 손실 성분 L4로 나눌 수 있다. 이하에서는, "금속에 의한 손실 성분 L4"을, 단지 "손실 성분 L4"로 칭하기로 한다.
외부 모드 성분 L1은, 유기 전계 발광 소자의 외부로 추출할 수 있는 성분이다. 기판 모드 성분은, 투명 기판(50)에는 도달하지만, 투명 기판(50)으로부터 나올 수 없는 성분이다. 박막층 모드 성분 L3은, 광이, 유기 발광층(30), 중간층(40) 및 투명 전극(10)의 적어도 어느 하나의 박막층 내에 가둬지는 모드에 대응한다. 손실 성분 L4는, 금속 전극(20)에 의한 손실을 갖는 성분이다.
도 3은 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 광 에너지의 분배율 RL의 시뮬레이션 결과의 예를 나타내고 있다. 도 3의 가로축은 중간층(40)의 두께 tm를 나타낸다. 세로축은 분배율 RL을 나타낸다.
이 시뮬레이션에서는, 이하의 구성을 갖는 유기 EL 소자를 모델로 했다. 이 모델에 있어서는, 굴절율을 n이라고 하면, n=1.5의 유리 기판(투명 기판(50)) 위에, n=1.8 상당의 ITO막(두께=100 ㎚), n=1.6 상당의 정공 주입층(두께=60 ㎚), n=1.8 상당의 발광층(30)(두께=80 ㎚), n=1.8 상당의 중간층(40)(전자 수송층)(두께=tm ㎚), 및 Al의 금속 전극(두께=150 ㎚)이, 이 순서대로 적층되어 있다. 여기에서, "상당"이란, 각각의 재료에 있어서의 굴절율의 파장 분산을 포함하는 굴절율의 사용을 의미하며, 상기에 있어서의 굴절율 n의 값은 개략적인 값이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 외부 모드 성분 L1, 기판 모드 성분 L2, 박막층 모드 성분 L3 및 손실 성분 L4는, 중간층(40)의 두께 tm에 따라 변화한다.
금속 전극(20)에 의한 손실 성분 L4 가운데서, 금속 전극(20)의 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감하는 구성이 생각된다. 이 구성에 있어서는, 종래, 유기 발광층(30)과 금속 전극(20) 사이의 거리가 200 ㎚ 이상으로 설정된다. 즉, 음극에서의 손실(플라즈몬 손실)은, 발광 위치와 음극 사이의 거리가 200 ㎚ 이상이 되면 무시할 수 있는 것으로 여겨지고 있다. 예를 들면, 유기 전계 발광 소자에 있어서의 전자 수송층의 두께를 200 ㎚ 이상으로 함으로써, 유기 발광층(30)과 금속 전극(20) 사이의 거리가 200 ㎚ 이상으로 설정된다. 유기 발광층(30)과 금속 전극(20) 사이의 거리는, 예를 들면 중간층(40)의 두께 tm에 상당한다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 전자 수송층의 두께(도 3에서는, 중간층(40)의 두께 tm에 상당한다)가 200 ㎚ 이상으로 두터운 영역에 있어서, 손실 성분 L4가 작아진다.
그렇지만, 전자 수송층의 두께를 두텁게 설정하면, 전자 수송층에서 큰 전압 강하가 일어난다. 그 결과, 이 구성에 있어서는, 유기 전계 발광 소자의 구동 전압이 상승한다. 즉, 이 구성에 의해, 유기 전계 발광 소자의 외부 양자 효율이 향상되지만, 전력 효율이 저하된다. 그러므로, 이 구성에 있어서는, 실용적인 성능을 얻기가 곤란하다. 이때, 이 전압 강하를 억제하기 위해서, 전자 수송층에 알카라인 금속 등을 도핑함으로써 전자 수송층에 있어서의 전하 수송 능력을 향상시키는 방법이 있다. 이에 따라 구동 전압의 상승을 억제하고, 전력 효율의 저하가 어느 정도 회복된다고 생각된다. 그렇지만, 알카라인 금속 등의 도핑은, 생산성이나 비용적인 측면에서 실제적으로는 채용하기 어렵다.
또한, 전자 수송층을 두텁게 하는 것은, 재료 사용량의 증대 및 제조의 택트 타임(tact time)의 증대와 연결된다. 즉, 이러한 문제점의 측면에서도 생산성이 저하된다.
이에 대하여, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자(110)에 있어서는, 중간층(40)의 두께 tm(유기 발광층(30)과 금속 전극(20) 사이의 거리)을 200 ㎚ 이하로 설정하고, 상기 전압 강하에 기인하는 전력 효율의 저하를 억제한다. 그리고, 높은 생산성을 유지한다.
본 실시형태에 있어서는, 중간층(40)의 두께 tm(유기 발광층(30)과 금속 전극(20) 사이의 거리)을 200 ㎚ 이하로 설정했을 때에 있어서도, 손실 성분 L4의 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감할 수 있는 구성이 채용된다. 즉, 유기 발광층(30)의 가시 광선에 대한 굴절율(n1)은, 중간층(40)의 가시 광선에 대한 굴절율(n2)보다 높게 설정된다. 이에 따라 전압 강하가 발생하지 않고, 높은 생산성을 유지하면서, 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감할 수 있다.
본 실시형태에 있어서 표면 플라즈몬에 의한 손실이 저감되는 것은, 정성적으로, 표면 플라즈몬에 의해 생기는 비전파 광(non-traveling light)이 유기 전계 발광 소자의 광원(33)으로서 기능하는 쌍극자를 유도 방출시키는 것과 관련되어 있다.
예를 들면, 중간층(40)의 굴절율이, 광원(33)인 쌍극자를 포함하는 유기 발광층(30)의 굴절율보다 높은 비교예의 경우에는, 표면 플라즈몬에 의해 생성된 비전파 광이, 중간층(40)을 투과한 후에도 유기 발광층(30)에 있어서도 또한 비전파 광인채로 유지된다. 그 결과, 쌍극자가, 표면 플라즈몬에 의한 비전파 광에 의해 유도된다. 이에 따라 유기 전계 발광 소자에 있어서, 이용할 수 없는 광 방사가 일어난다고 생각된다.
이에 대하여, 중간층(40)의 굴절율이 유기 발광층(30)의 굴절율보다 작을 경우에는, 표면 플라즈몬에 의해 생성된 비전파 광은, 중간층(40)을 투과한 후 전파 광이 되어 유기 발광층(30)으로 입사한다. 이에 따라 쌍극자는 전파 광에 유도된다. 이에 따라 유기 전계 발광 소자에 있어서 이용할 수 있는 광의 방사를 얻을 수 있는 것으로 생각된다.
이와 같이, 일반적으로 전자 수송층의 두께를 200 ㎚ 이상으로 두텁게 설정함으로써 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감하고 있었던 것에 대해, 본 실시형태는, 중간층(40)의 두께 tm을 200 ㎚ 이하로 설정해도, 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감할 수 있는 구성을 구체적으로 제시하고 있다. 이에 따라 높은 아웃커플링 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 얻을 수 있다.
보다 구체적으로는, 금속 전극(20)의 복소 유전율εM, 유기 발광층(30)의 가시 광선에 대한 굴절율 n1, 및 중간층(40)의 가시 광선에 대한 굴절율 n2은, 다음 수학식의 관계를 충족시킨다.
[수학식 1]
n2·Re[{εM/((n2)2+εM)}1/2]<n1
여기서, A1={εM/((n2)2+εM)}1/2이라고 하면, Re[{εM/((n2)2+εM)}1/2], 즉, Re[A1]은 A1의 실수 부분이다.
수학식 1이 충족시켜짐으로써 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감할 수 있다.
예를 들면, 금속 전극(20)이 알루미늄으로 이루어지고, 파장이 520 ㎚인 경우를 상정한다. 이때, 금속 전극(20)의 굴절율 nAl의 대략의 값은, 이하의 값이다.
nAl=0.698+i*5.68
여기서, i는 허수 단위이다. 금속 전극(20)의 복소 유전율 εM은, 이하가 된다.
복소 유전율 εM=(nAl)2=-31.8+i*7.93
중간층(40)의 굴절율 n2이 1.8일 경우,
Re[A1]=1.05가 된다.
즉, 이 조건에 있어서, 수학식 1은 다음과 같다.
n2·1.05<n1
즉, 유기 발광층(30)의 굴절율(n1)은, 중간층(40)의 굴절율(n2)의 1.05배 이상으로 설정된다.
도 4는 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프이다.
즉, 도 4는 Re[A1]의 값의 시뮬레이션 결과를 나타내고 있다. 도 4의 가로축은 파장을 나타낸다. 세로축은 Re[A1]을 나타낸다. 이 도면에는, 금속 전극(20)이 알루미늄(Al)으로 이루어지는 경우와, 은(Ag)으로 이루어지는 경우가 나타내어져 있다. 알루미늄일 경우의 금속 전극(20)의 굴절율 nAl은, 이미 기재한 바와 같이, nAl=0.698+i*5.68이다. 한편, 금속 전극(20)이 은일 경우의 굴절율 nAg은 nAg=0.130+i*3.10이다. 이 시뮬레이션에서, 중간층(40)의 굴절율 n2로서는, 중간층(40)에 대해 Alq3을 사용하였을 경우에 상당하는 값을 채용했다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 금속 전극(20)으로서 Al을 채용했을 경우에는, 가시 광선의 파장 범위에 있어서, Re[A1]은 1.02 이상이고 또한 1.20 이하 정도의 값이다. 한편, 금속 전극(20)으로서 Ag을 채용했을 경우에는, 가시 광선의 파장 범위에 있어서, Re[A1]은 1.05 이상이고 또한 2.25 이하 정도의 값이다. 이와 같이, 금속 전극(20)으로서 사용하는 재료에 따라, Re[A1]의 값은 변화한다.
그러므로, 예를 들면, 금속 전극(20)으로서 사용하는 재료에 근거해서 변화되는 Re[A1]의 값을 고려하여, 유기 발광층의 굴절율(n1)과 중간층(40)의 굴절율(n2) 사이의 관계가 적절하게 설정된다.
도 5는 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 유기 발광층(30)으로부터 방출되는 광의 파장 특성의 일례를 나타내고 있다. 가로축은 파장을 나타낸다. 세로축은 광 강도 IL(임의의 단위)를 나타낸다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 유기 발광층(30)으로부터 방출되는 광은, 제1 파장의 제1 피크 P1과, 제1 파장과는 다른 제2 파장의 제2 피크 P2를 갖는다. 제1 파장은, 예를 들면 약 600 ㎚이며, 제2 파장은, 예를 들면 약 510 ㎚이다. 유기 발광층(30)으로부터 방출되는 광은, 제1 파장 및 제2 파장과는 다른 제3 파장의 제3 피크 P3를 더 가질 수 있다. 제3 파장은, 예를 들면 약 450 ㎚이다. 예를 들어, 제1 파장의 광, 제2 파장의 광 및 제3 파장의 광은 가시적이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 유기 발광층(30)은 "백색광"을 발광한다. 여기서, "백색광"은 실질적으로 백색이며, 예를 들면 적색계, 황색계, 녹색계, 청색계 및 보라색계 등의 백색의 광도 포함한다. 유기 발광층(30)으로부터 방출되는 광은 복수의 피크를 가질 수 있다. 그리고, 이 복수의 피크의 각각에 있어서, 유기 발광층(30)의 굴절율이, 중간층(40)의 굴절율보다 높게 설정된다.
즉, 본 실시형태에 있어서는, 유기 발광층(30)의 제1 파장에서의 굴절율은, 중간층(40)의 제1 파장에서의 굴절율보다 높다. 그리고, 유기 발광층(30)의 제2 파장에서의 굴절율은, 중간층(40)의 제2 파장에서의 굴절율보다 높다. 또한, 유기 발광층(30)의 제3 파장에서의 굴절율은, 중간층(40)의 제3 파장에서의 굴절율보다 높다.
예를 들면, 금속층(20)의 복소 유전율 εM, 유기 발광층(30)의 제1 파장에서의 굴절율 n1a, 및 중간층(40)의 제1 파장에서의 굴절율 n2a는,
[수학식 2]
n2a·Re[{εM/((n2a)2+εM)}1/2]<n1a
의 관계를 충족시킨다.
그리고, 금속층(20)의 복소 유전율 εM, 유기 발광층(30)의 제2 파장에서의 굴절율 n1b, 및 중간층(40)의 제2 파장에서의 굴절율 n2b은,
[수학식 3]
n2b·Re[{εM/((n2b)2+εM)}1/2]<n1b
의 관계를 충족시킨다.
또한, 금속층(20)의 복소 유전율 εM, 유기 발광층(30)의 제3 파장에서의 굴절율 n1c, 및 중간층(40)의 제3 파장에서의 굴절율 n2c은,
[수학식 4]
n2c·Re[{εM/((n2c)2+εM)}1/2]< n1c
의 관계를 충족시킨다.
따라서, 유기 발광층(30)으로부터 방출되는 광이 복수의 피크를 가질 때도, 각각의 피크에 있어서, 표면 플라즈몬에 의한 손실을 저감할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는, 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프이다.
즉, 도 6a는 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자(110a)에 대응하며, 도 6b는 비교예의 유기 전계 발광 소자(119a)에 대응한다. 이들 시뮬레이션에서는, 투명 기판(50)이 제공되고, 유기 발광층(30)이 투명 전극(10)에 접촉하는(투명 전극측 기능층(31)이 제공되지 않고 있다) 구성의 모델이 채용되었다.
이 시뮬레이션에서는, 투명 기판(50)의 굴절율을 1.9(1.9+i*0.001)로 했다. 유기 발광층(30)의 굴절율 n1을 1.9로 했다. 금속 전극(20)의 굴절율을 0.698+i*5.68로 했다. 이값은, 알루미늄의 값에 대응한다. 그리고, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자(110a)에 있어서는, 중간층(40)의 굴절율 n2을 1.73으로 했다. 이 조건은 상기 수학식 1∼수학식 4를 충족시킨다.
한편, 비교예의 유기 전계 발광 소자(119a)에서는, 중간층(40)의 굴절율 n2을 1.9로 했다. 즉, 비교예에서는, 유기 발광층(30)의 굴절율 n1이, 중간층(40)의 굴절율 n2과 같다. 그리고, 중간층(40)의 두께 tm을 변경하여, 광 에너지의 분배율 RL을 구했다. 이들 도면에서는, 금속 전극(20)에 의해 흡수되는 손실 성분 L4이 나타내어져 있다.
도 6b에 나타낸 바와 같이, 비교예의 유기 전계 발광 소자(119a)에 있어서는, 중간층(40)의 두께 tm이 200 ㎚ 미만인 영역에 있어서는, 손실 성분 L4가 급격하게 커진다.
이에 대하여, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자(110a)에서는, 중간층(40)의 두께 tm이 200 ㎚ 미만인 영역에 있어서도, 손실 성분 L4은 비교적 작은 값을 유지하고 있다. 유기 전계 발광 소자(110a)에 있어서는, 중간층(40)의 두께 tm이 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만인 영역에서, 비교예에 있어서의 손실 성분 L4보다 작은 손실 성분 L4가 얻어진다.
도 7a 및 도 7b는, 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프이다.
즉, 도 7a는 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자(110b)에 대응하고, 도 7b는 비교예의 유기 전계 발광 소자(119b)에 대응한다. 이하에서는, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 조건과 다른 조건에 관해서 설명한다.
이 시뮬레이션에서는, 유기 발광층(30)의 굴절율 n1을 1.8로 했다. 그리고, 유기 전계 발광 소자(110b)에 있어서는, 중간층(40)의 굴절율 n2을 1.65로 했다. 이 조건은 상기 수학식 1∼수학식 4를 충족시킨다. 한편, 비교예의 유기 전계 발광 소자(119b)에 있어서는, 중간층(40)의 굴절율 n2을 1.8로 했다.
도 7b에 나타낸 바와 같이, 이 경우도, 비교예의 유기 전계 발광 소자(119b)에서는, 중간층(40)의 두께 tm이 200 ㎚ 미만인 영역에서, 손실 성분 L4가 급격하게 커진다.
이에 대하여, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자(110b)에서는, 중간층(40)의 두께 tm이 200 ㎚ 미만인 영역에 있어서도, 손실 성분 L4는 비교적 작은 값을 유지하고 있다. 유기 전계 발광 소자(110a)에 있어서는, 중간층(40)의 두께 tm이 50 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만인 영역에서, 비교예에 있어서의 손실 성분 L4보다 작은 손실 성분 L4가 얻어진다.
도 6a∼도 7b에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 구성에 따르면, 예를 들어, 중간층(40)의 두께 tm이 100 ㎚일 때, 비교예에 있어서의 200 ㎚일 때의 효율에 상당하는 효율이 얻어진다. 또한 중간층(40)의 두께 tm이 60 ㎚ 이상이고 또한 100 ㎚ 미만인 영역에서는, 두께 tm이 200 ㎚일 때의 효율에는 미치지 못하지만, 본 실시형태의 구성에 있어서의 효율은, 비교예의 효율에 비해 10% 이상 향상된다.
도 8a∼도 8c는, 유기 전계 발광 소자의 특성을 나타내는 그래프이다.
이들 도면은, 유기 전계 발광 소자의 중간층(40)의 굴절율 n2과 중간층(40)의 두께 tm를 변경하는 시뮬레이션에 의해 얻어진 광 에너지의 분배율의 결과를 나타내고 있다. 이들 시뮬레이션에서는, 투명 기판(50)(굴절율=1.8)/투명 전극(굴절율 1.8)/유기 발광층(30)(굴절율 n1)/중간층(40)(굴절율 n2, 두께 tm)/금속 전극(20)의 구성이 모델로서 채용되었다.
도 8a 및 도 8b에 있어서는, 금속 전극(20)의 굴절율은 0.698+i*5.68(알루미늄에 상당한다)이며, 도 8c에 있어서는, 금속 전극(20)의 굴절율 n2은 0.130+i*3.10(은에 상당한다)이다. 도 8a에서는 유기 발광층(30)의 굴절율 n1은 1.9이고, 도 8b 및 도 8c에서는 유기 발광층(30)의 굴절율 n1은 1.8이다. 또한, 이 시뮬레이션에서는, 단순화를 위해, 굴절율의 파장 분산은 고려하지 않고, 굴절율은 일정하게 유지하였다.
도 8a에 나타낸 바와 같이, 금속 전극(20)이 알루미늄으로 이루어지고, 유기 발광층(30)은 굴절율 n1이 1.9인 재료로 이루어진 경우에는, 중간층(40)의 굴절율 n2이 약 1.8 이하인 경우에 양호한 특성을 특히 얻을 수 있다. 예를 들면, 굴절율 n2이 약 1.8 이하인 경우에, 수학식 1이 만족된다.
도 8b에 나타낸 바와 같이, 금속 전극(20)이 알루미늄으로 이루어지고, 유기 발광층(30)은 굴절율 n1이 1.8인 재료로 이루어진 경우에는, 중간층(40)의 굴절율 n2이 약 1.7 이하인 경우에 양호한 특성을 특히 얻을 수 있다. 예를 들면, 굴절율 n2이 약 1.71 이하인 경우에, 수학식 1이 만족된다.
도 8c에 나타낸 바와 같이, 금속 전극(20)이 은으로 이루어지고, 유기 발광층(30)은 굴절율 n1이 1.8인 재료로 이루어진 경우에는, 중간층(40)의 굴절율 n2이 약 1.6 이하인 경우에 양호한 특성을 특히 얻을 수 있다. 예를 들면, 굴절율 n2이 약 1.55 이하인 경우에, 수학식 1이 만족된다.
이와 같이, 예를 들어, 금속 전극(20)의 굴절율에 따라(즉, 금속 전극(20)의 재료에 따라), 유기 발광층(30)의 굴절율과 중간층(40)의 굴절율 사이의 관계가 적절히 설정된다.
또한, 금속 전극이 은으로 이루어진 경우, 중간층(40)의 적절한 굴절율은 금속 전극이 알루미늄으로 이루어진 경우보다 낮다. 이것은, 은에 있어서의 Re[A1]의 값이 알루미늄에 있어서의 Re[A1]의 값보다 크기 때문이다.
본 실시형태에서는, 가격 측면에서 특히 실용성이 높은 알루미늄을 금속 전극(20)으로서 채용했을 때에, 상기의 조건을 채용함으로써 특히 높은 아웃커플링 효율을 얻을 수 있다.
본 실시형태에서, 유기 발광층(30)의 가시 광선에 대한 굴절율 n1은 1.8 이상이고 또한 2.2 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 적절한 발광 특성과 안정적인 신뢰성을 갖는 실용적인 유기 발광층(30)을 얻을 수 있다.
이때, 중간층(40)의 가시 광선에 대한 굴절율 n2은 1.5 이상이고 또한 1.8 이하인 것이 바람직하다. 그러면, 굴절율 n1>굴절율 n2의 조건이 만족된다. 따라서, 높은 아웃커플링 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자가 얻어진다.
도 9a∼도 9e는, 본 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자의 구성을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 9a에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자(111a)는 투명 전극(10), 금속 전극(20), 유기 발광층(30) 및 중간층(40)에 더해서, 투명 기판(50)과 광학층(68)을 더 포함한다.
투명 기판(50)은 가시 광선에 대하여 투광성이다. 투명 전극(10)은 투명 기판(50)과 유기 발광층(30) 사이에 배치된다.
광학층(68)은 투명 기판(50)과 투명 전극(10) 사이에 제공된다. 광학층(68)은 고굴절율층(60)을 포함한다. 고굴절율층(60)은 투명 기판(50) 및 투명 전극(10)에 접촉한다. 고굴절율층(60)은, 투명 기판(50)의 굴절율보다 높은 굴절율을 갖는다. 고굴절율층(60)의 굴절율은, 투명 전극(10)의 굴절율 및 유기 발광층(30)의 굴절율과 대략 같은 것이 바람직하다. 예를 들면, 고굴절율층(60)의 굴절율과 투명 전극(10)의 굴절율 사이의 차이, 및 고굴절율층(60)의 굴절율과 유기 발광층(30)의 굴절율 사이의 차이는, 고굴절율층(60)의 굴절율과 투명 기판(50)의 굴절율 사이의 차보다 작다. 또한, 고굴절율층(60)은 가시 광선에 대하여 투광성이다.
이 예에서는, 투명 기판(50)의 표면(고굴절율층(60)과는 반대측의 면)에 요철이 제공된다. 이 요철은, 예를 들면 렌즈 형상, 홈 형상, 각뿔 형상 및 각뿔의 절두체 등 형상에 있어 다양하다. 요철은 광 LL의 진행 방향을 변화시킨다.
이 예에서, 광학층(68)은 고굴절율층(60)과 인접하는 저굴절율층(60a)을 더 포함하고 있다. 저굴절율층(60a)의 굴절율은, 고굴절율층(60)의 굴절율보다 낮다. 저굴절율층(60a)의 굴절율은, 예를 들어, 투명 기판(50)의 굴절율과 대략 같다. 또한 저굴절율층(60a)은, 예를 들어, 공기층(공기를 내포하는 입자를 포함한다)이어도 된다. 따라서, 광학층(68)에서 광의 진행 방향이 변화된다. 구체적으로는, 고굴절율층(60)과 저굴절율층(60a) 사이의 계면에서 광의 진행 방향이 변화된다.
따라서, 유기 발광층(30)으로부터 방출된 광 LL은, 투명 기판(50)으로 입사하기가 쉬워진다. 즉, 예를 들면, 박막층 모드 성분 L3을 감소시킬 수 있다. 그리고, 광 LL을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.
도 9b에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자(111b)에서는, 투명 기판(50)과 투명 전극(10) 사이의 광학층(68)으로서, 산란성의 고굴절율층(61)이 채용된다. 고굴절율층(61)의 굴절율은, 투명 기판(50)의 굴절율보다 높다. 고굴절율층(61)의 굴절율은, 투명 전극(10)의 굴절율 및 유기 발광층(30)의 굴절율과 대략 같은 것이 바람직하다. 이 경우도, 광학층(68)(산란성의 고굴절율층(61))에 의해 광의 진행 방향이 변화된다.
도 9c에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자(111c)에서는, 광학층(68)(고굴절율층(60))과 투명 기판(50) 사이의 계면이 요철을 갖는다. 이 예에서는, 광학층(68)(고굴절율층(60))과 투명 기판(50) 사이의 계면으로 입사하는 광의 진행 방향이 변화된다.
도 9d에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자(111d)에서는, 투명 기판(50)으로서, 굴절율이 비교적 높은 재료가 채용된다. 투명 기판(50)의 굴절율은, 예를 들어, 1.6 이상이고 또한 2.1 이하 정도이다. 투명 기판(50)의 굴절율은, 투명 전극(10)의 굴절율 및 유기 발광층(30)의 굴절율과 대략 같은 것이 바람직하다. 그리고, 투명 기판(50)의 표면에 요철이 제공된다.
도 9e에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다른 유기 전계 발광 소자(111e)에 있어서도, 투명 기판(50)으로서, 굴절율이 비교적 높은 재료가 채용된다. 그리고, 투명 기판(50)의 표면(고굴절율층(60)과는 반대측의 면)에, 고굴절율층(65)이 제공된다. 고굴절율층(65)의 굴절율은, 투명 기판(50)의 굴절율과 대략 동등하다. 고굴절율층(65)은 산란층으로서 기능한다.
상기 유기 전계 발광 소자(111b∼111e)에 있어서도, 유기 발광층(30)으로부터 방출된 광 LL이, 투명 기판(50)에 입사하기 쉬워져서, 효율적으로 광이 외부로 추출된다.
본 실시형태에서는, 금속 전극(20)에 의해 흡수되는 손실 성분 L4를 저감할 수 있다. 그러므로, 박막층 모드 성분 L3을 더욱 저감함으로써 특히 높은 아웃커플링 효율이 얻어진다.
고굴절율층(60)을 이용함으로써, 예를 들면, 투명 기판(50)의 선택 범위가 넓어진다. 이에 따라 높은 생산성을 가지며 저렴한 기판을 투명 기판(50)으로서 쓸 수 있어, 실용성이 높다.
본 실시형태에 따르면, 중간층(40)의 두께를 종래와 같이 200 ㎚ 이상으로 설정할 필요없이, 200 ㎚ 미만의 두께로 실용적인 표면 플라즈몬 손실의 저감을 달성할 수 있다. 따라서, 재료의 사용량이나 제조의 택트 타임을 낮추고, 저가격이며 발광 효율이 높고 전력 효율이 높은 소자가 실현된다.
본 실시형태에 따른 유기 전계 발광 소자는, 예를 들어, 조명 장치나 디스플레이 등에 채용할 수 있는 평면 광원(조명 장치의 일종) 등에 응용할 수 있다.
도 10은 본 실시형태에 따른 조명 장치를 나타내는 모식적인 사시도이다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 조명 장치(130)는, 유기 전계 발광 소자와 전원(120)을 포함한다. 유기 전계 발광 소자는, 본 실시형태에 따른 임의의 소자로 이루어질 수 있다. 이 도면에서는, 유기 전계 발광 소자(110)를 사용하는 경우가 예시되어 있다.
이미 설명한 바와 같이, 유기 전계 발광 소자(110)는 투명 전극(10), 금속 전극(20), 유기 발광층(30) 및 중간층(40)을 포함한다. 전원(120)은, 투명 전극(10)과 금속 전극(20)에 접속된다. 전원(120)은, 유기 발광층(30)에 흐르는 전류를 공급한다.
이 경우도, 중간층(40)의 두께 tm은 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만으로 설정되며, 유기 발광층(30)의 가시 광선에 대한 굴절율 n1은, 중간층(40)의 가시 광선에 대한 굴절율 n2보다 높게 설정된다. 예를 들면, 상기 수학식 1∼수학식 4가 충족된다. 따라서, 아웃커플링 효율이 높은 유기 전계 발광 소자를 채용한 조명 장치를 제공할 수 있다.
본 실시형태에 따르면, 아웃커플링 효율이 높은 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치가 제공된다.
또한, 본원 명세서에서, "수직" 및 "평행"은, 엄밀한 수직 및 엄밀한 평행뿐만 아니라, 예를 들면 제조 공정에 있어서의 편차 등을 포함하는 것이다. 실질적으로 수직 및 실질적으로 평행이면 된다.
이상, 구체적인 예를 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시형태에 관하여 설명했다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 이들 구체적인 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 전계 발광 소자에 포함되는 투명 전극, 금속 전극, 유기 발광층, 중간층, 투명 기판 및 고굴절율층 등의 각 요소의 구체적인 구성을, 당업자가 공지의 기술로부터 적절하게 선택하여 본 발명을 마찬가지로 실시할 수 있다. 이러한 실시는 동일한 효과를 얻는 것이 가능한 한 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 각 구체적인 예의 임의의 2개 이상의 요소를 기술적으로 가능한 범위에서 조합시킬 수 있으며, 이것도 본 발명의 요지를 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 본 발명의 실시형태로서 상기한 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치를 기초로 하여, 당업자가 적절하게 설계 변경해서 실시할 수 있는 모든 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치도, 본 발명의 요지를 포함하는 한 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명의 사상의 범주 내에서, 당업자라면 각종의 변경예 및 수정예에 상도할 수 있는 것이며, 그러한 변경예 및 수정예에 관해서도 본 발명의 범위에 속하는 것이라고 이해된다.
본 발명의 소정의 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않고 있다. 실제, 본원 명세서에서 설명한 이들 신규 실시형태는, 그 밖의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 각종의 생략, 치환 및 변경을 행할 수 있다. 첨부하는 특허청구범위 및 그 균등물은, 본 발명의 범위 및 사상 내에 있는 그러한 형태들을 포함하려 의도하는 것이다.
Claims (32)
- 유기 전계 발광 소자로서,
가시 광선에 대하여 투과성의 투명 전극과,
가시 광선에 대하여 반사성의 금속 전극과,
상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 제공되며 각각 상이한 가시 광선의 파장 성분에 해당하는 2개의 피크를 포함하는 백색광을 방출하도록 구성되는 유기 발광층과,
상기 유기 발광층과 상기 금속 전극 사이에서 상기 금속 전극 및 상기 유기 발광층에 접촉하며 가시 광선에 대하여 투과성의 중간층을 포함하고,
상기 중간층의 두께는 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만이며,
상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율은, 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율보다 높고,
상기 2개의 피크 각각에 해당하는 상이한 파장 각각에 대하여, 상기 유기 발광층의 굴절율이 상기 중간층의 굴절율보다 높은,
유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
제1 표면 및 제2 표면을 갖고 가시 광선에 대하여 투광성인 투명 기판을 추가로 포함하고,
상기 투명 전극은 상기 투명 기판 및 상기 금속 전극 사이에 배치되고,
상기 제1 표면은 투명 전극에 접하고, 상기 제2 표면은 상기 제1 표면의 반대측에 존재하며, 상기 제2 표면은 광의 진행 방향을 변화시키는 요철을 포함하는 것인, 소자. - 제1항에 있어서,
상기 유기 발광층으로부터 방출된 상기 백색광은, 가시 광선의 제3 파장에 해당하는 제3 피크를 더 포함하고(여기서, 상기 제3 파장은 상기 2개의 피크 각각에 해당하는 상이한 파장과는 다른 것임),
상기 유기 발광층의 상기 제3 파장에서의 굴절율은, 상기 중간층의 상기 제3 파장에서의 굴절율보다 높은, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 금속 전극의 복소 유전율 εM, 상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율 n1, 및 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율 n2은,
n2·Re[{εM/((n2)2+εM)}1/2]<n1
(여기서, Re[{εM/((n2)2+εM)}1/2]은 {εM/((n2)2+εM)}1/2의 실수 부분임)의 관계를 충족시키는, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 금속 전극의 복소 유전율 εM, 상기 유기 발광층의 상기 상이한 파장 중 하나인 제1 파장에서의 굴절율 n1a, 및 상기 중간층의 상기 제1 파장에서의 굴절율 n2a는,
n2a·Re[{εM/((n2a)2+εM)}1/2]<n1a
의 관계를 충족시키고,
상기 복소 유전율 εM, 상기 유기 발광층의 상기 상이한 파장 중 다른 하나인 제2 파장에서의 굴절율 n1b, 및 상기 중간층의 상기 제2 파장에서의 굴절율 n2b은,
n2b·Re[{εM/((n2b)2+εM)}1/2]<n1b
(여기서, Re[{εM/((n2a)2+εM)}1/2]은 {εM/((n2a)2+εM)}1/2의 실수 부분이고, Re[{εM/((n2b)2+εM)}1/2]은 {εM/((n2b)2+εM)}1/2의 실수 부분임)의 관계를 충족시키는, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 금속 전극은 알루미늄 및 은 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율 n1은 1.8 이상이고 또한 2.2 이하이며,
상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율 n2은 1.5 이상이고 또한 1.8 미만인, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은 유기물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은 전자 수송층으로서 기능하는 층을 포함하는, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 투명 전극은 In, Sn, Zn 및 Ti로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물을 포함하는, 유기 전계 발광 소자. - 제1항에 있어서,
가시 광선에 대하여 투과성의 투명 기판으로서, 상기 투명 전극은 상기 투명 기판과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 투명 기판과,
상기 투명 기판과 상기 투명 전극 사이에 제공된 광학층을 더 포함하고,
상기 광학층은, 상기 투명 기판 및 상기 투명 전극에 접촉하는 고굴절율층 - 상기 고굴절율층은 상기 투명 기판의 굴절율보다 높은 굴절율을 가지며 가시 광선에 대하여 투과성임 - 을 포함하고,
상기 광학층으로 입사하는 광의 진행 방향이 변화하거나, 또는 상기 광학층과 상기 투명 기판 사이의 계면으로 입사하는 광의 진행 방향이 변화하는, 유기 전계 발광 소자. - 제11항에 있어서,
상기 투명 전극의 표면은 상기 광의 진행 방향을 변화시키는 요철을 갖는, 유기 전계 발광 소자. - 조명 장치로서,
가시 광선에 대하여 투과성의 투명 전극과, 가시 광선에 대하여 반사성의 금속 전극과, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 제공되며 가시 광선의 제1 파장 성분에 해당하는 제1 피크 및 가시 광선의 제2 파장 성분에 해당하는 제2 피크(여기서, 제1 파장 성분과 제2 파장 성분은 상이함)를 포함하는 백색광을 방출하도록 구성되는 유기 발광층과, 상기 유기 발광층과 상기 금속 전극 사이에서 상기 금속 전극 및 상기 유기 발광층에 접촉하며 가시 광선에 대하여 투과성의 중간층을 포함하는 유기 전계 발광 소자와,
상기 투명 전극과 상기 금속 전극에 접속되며, 상기 유기 발광층에 흐르는 전류를 공급하도록 구성되는 전원을 포함하고, 여기서
상기 중간층의 두께는 60 ㎚ 이상이고 또한 200 ㎚ 미만이며,
상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율은, 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율보다 높고,
상기 유기 발광층의 상기 제1 파장 성분에서의 굴절율은, 상기 중간층의 상기 제1 파장에서의 굴절율보다 높고,
상기 유기 발광층의 상기 제2 파장 성분에서의 굴절율은, 상기 중간층의 상기 제2 파장에서의 굴절율보다 높은, 조명 장치. - 제13항에 있어서,
제1 표면 및 제2 표면을 갖고 가시 광선에 대하여 투광성인 투명 기판을 추가로 포함하고,
상기 투명 전극은 상기 투명 기판 및 상기 금속 전극 사이에 배치되고,
상기 제1 표면은 투명 전극에 접하고, 상기 제2 표면은 상기 제1 표면의 반대측에 존재하며, 상기 제2 표면은 광의 진행 방향을 변화시키는 요철을 포함하는 것인, 장치. - 제13항에 있어서,
상기 금속 전극의 복소 유전율 εM, 상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율 n1, 및 상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율 n2은,
n2·Re[{εM/((n2)2+εM)}1/2]<n1
(여기서, Re[{εM/((n2)2+εM)}1/2]은 {εM/((n2)2+εM)}1/2의 실수 부분임)의 관계를 충족시키는, 조명 장치. - 제13항에 있어서,
상기 금속 전극의 복소 유전율 εM, 상기 유기 발광층의 상기 제1 파장에서의 굴절율 n1a, 및 상기 중간층의 상기 제1 파장 성분에서의 굴절율 n2a는,
n2a·Re[{εM/((n2a)2+εM)}1/2]<n1a
의 관계를 충족시키고,
상기 복소 유전율 εM, 상기 유기 발광층의 상기 제2 파장에서의 굴절율 n1b, 및 상기 중간층의 상기 제2 파장 성분에서의 굴절율 n2b은,
n2b·Re[{εM/((n2b)2+εM)}1/2]<n1b
(여기서, Re[{εM/((n2a)2+εM)}1/2]은 {εM/((n2a)2+εM)}1/2의 실수 부분이고, Re[{εM/((n2b)2+εM)}1/2]은 {εM/((n2b)2+εM)}1/2의 실수 부분임)의 관계를 충족시키는, 조명 장치. - 제13항에 있어서,
상기 금속 전극은 알루미늄 및 은 중 적어도 하나를 포함하는, 조명 장치. - 제13항에 있어서,
상기 유기 발광층의 가시 광선에 대한 굴절율 n1은 1.8 이상이고 또한 2.2 이하이며,
상기 중간층의 가시 광선에 대한 굴절율 n2은 1.5 이상이고 또한 1.8 미만인, 조명 장치. - 제13항에 있어서,
상기 중간층은 유기물을 포함하는, 조명 장치. - 제13항에 있어서,
상기 투명 전극은 In, Sn, Zn 및 Ti로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물을 포함하는, 조명 장치. - 제2항에 있어서,
상기 투명 기판과 상기 투명 전극 사이에 제공된 광학층을 더 포함하고,
여기서, 상기 광학층은, 상기 투명 기판 및 상기 투명 전극에 물리적으로 접촉하는 고굴절율층 - 상기 고굴절율층은 상기 투명 기판의 굴절율보다 높은 굴절율을 가지며 가시 광선에 대하여 투과성임 - 을 포함하고,
상기 광학층으로 입사하는 광의 진행 방향이 변화하거나, 또는 상기 광학층과 상기 투명 기판 사이의 계면으로 입사하는 광의 진행 방향이 변화하는, 소자. - 제21항에 있어서,
상기 광학층이 상기 고굴절율층에 인접하는 저굴절율층을 더 포함하고,
상기 저굴절율층의 굴절율은 상기 고굴절율층의 굴절율보다 낮은 것인, 소자. - 제1항에 있어서,
광을 산란시키는 산란층을 더 포함하고,
상기 투명 전극은 상기 산란층과 상기 금속 전극 사이에 배치되는 것인, 소자. - 제23항에 있어서,
가시 광선에 대하여 투광성인 투명 기판을 추가로 포함하고,
여기서, 상기 투명 기판은 상기 산란층과 상기 투명 전극 사이에 배치되는 것인, 소자. - 제23항에 있어서,
가시 광선에 대하여 투광성인 투명 기판을 추가로 포함하고,
여기서, 상기 산란층은 상기 투명 기판과 상기 투명 전극 사이에 배치되는 것인, 소자. - 제1항에 있어서,
가시 광선에 대하여 투광성인 투명 기판(여기서, 상기 투명 전극은 상기 투명 기판과 상기 금속 전극 사이에 배치됨), 및
상기 투명 기판과 상기 투명 전극 사이에 제공된 광학층을 더 포함하고,
여기서, 상기 광학층은, 상기 투명 기판 및 상기 투명 전극에 물리적으로 접촉하는 고굴절율층 - 상기 고굴절율층은 상기 투명 기판의 굴절율보다 높은 굴절율을 가지며 가시 광선에 대하여 투과성임 - 을 포함하는 것인, 소자. - 제26항에 있어서,
상기 광학층은 상기 광학층으로 입사하는 광의 진행 방향을 변화시키는 것인, 소자. - 제27항에 있어서,
상기 광학층이 상기 고굴절율층에 인접하는 저굴절율층을 더 포함하고,
상기 저굴절율층의 굴절율은 상기 고굴절율층의 굴절율보다 낮은 것인, 소자. - 제26항에 있어서,
상기 고굴절율층은 광을 산란시키는 것인, 소자. - 제26항에 있어서,
상기 광학층이 상기 투명 기판에 물리적으로 접촉하고,
상기 광학층과 상기 투명 기판 사이의 계면이 요철을 갖고,
상기 광학층과 상기 투명 기판 사이의 계면으로 입사하는 광의 진행 방향이 변화하는 것인, 소자. - 제13항에 있어서,
광을 산란시키는 산란층을 더 포함하고,
상기 투명 전극은 상기 산란층과 상기 금속 전극 사이에 배치되는 것인, 장치. - 제13항에 있어서,
가시 광선에 대하여 투광성인 투명 기판(여기서, 상기 투명 전극은 상기 투명 기판과 상기 금속 전극 사이에 배치됨), 및
상기 투명 기판과 상기 투명 전극 사이에 제공된 광학층을 더 포함하고,
여기서, 상기 광학층은, 상기 투명 기판 및 상기 투명 전극에 물리적으로 접촉하는 고굴절율층 - 상기 고굴절율층은 상기 투명 기판의 굴절율보다 높은 굴절율을 가지며 가시 광선에 대하여 투과성임 - 을 포함하는 것인, 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011049900A JP2012186107A (ja) | 2011-03-08 | 2011-03-08 | 有機電界発光素子及び照明装置 |
| JPJP-P-2011-049900 | 2011-03-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120102482A KR20120102482A (ko) | 2012-09-18 |
| KR101397358B1 true KR101397358B1 (ko) | 2014-05-19 |
Family
ID=44534149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110090323A KR101397358B1 (ko) | 2011-03-08 | 2011-09-06 | 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8698390B2 (ko) |
| EP (1) | EP2498580A1 (ko) |
| JP (1) | JP2012186107A (ko) |
| KR (1) | KR101397358B1 (ko) |
| CN (1) | CN102683610B (ko) |
| TW (1) | TW201238109A (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101084263B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| WO2013179339A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 株式会社 日立製作所 | 有機発光素子、光源装置およびそれらの製造方法 |
| JP5684206B2 (ja) | 2012-09-14 | 2015-03-11 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子 |
| JP2014078499A (ja) | 2012-09-20 | 2014-05-01 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子および発光装置 |
| JP5758366B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子および発光装置 |
| KR20150046203A (ko) * | 2012-09-24 | 2015-04-29 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 소자와 발광 디바이스 |
| JP5723344B2 (ja) | 2012-09-25 | 2015-05-27 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子および発光装置 |
| JP6287848B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2018-03-07 | コニカミノルタ株式会社 | 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置 |
| WO2014069565A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 昭和電工株式会社 | 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置 |
| JP2014102958A (ja) | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 表示装置及び表示システム |
| WO2014084220A1 (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 昭和電工株式会社 | 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置 |
| WO2014084358A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 昭和電工株式会社 | 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置 |
| WO2014084308A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 昭和電工株式会社 | 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置 |
| TWI595682B (zh) * | 2013-02-08 | 2017-08-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
| US9865836B2 (en) | 2013-11-11 | 2018-01-09 | Konica Minolta Laboratory U.S.A., Inc. | Broadband light emitting device with grating-structured electrode |
| CN104638078B (zh) * | 2015-03-05 | 2017-05-10 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
| JP6387566B2 (ja) * | 2015-07-09 | 2018-09-12 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子 |
| JP6151845B1 (ja) * | 2016-12-27 | 2017-06-21 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、照明装置、ディスプレイ装置 |
| JP2020053672A (ja) * | 2018-09-20 | 2020-04-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07240277A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20060054919A (ko) * | 2004-11-17 | 2006-05-23 | 에스케이씨 주식회사 | 거울 기능을 갖는 유기 발광 다이오드 표시 소자 |
| US20070063641A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-22 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| JP2007141736A (ja) | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0864182B1 (en) * | 1995-11-28 | 2003-08-13 | International Business Machines Corporation | Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices |
| JP4630300B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2011-02-09 | 出光興産株式会社 | 白色系有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP1611775B1 (en) * | 2003-03-26 | 2020-05-13 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | Electroluminescent device with improved light decoupling |
| CN100495761C (zh) * | 2004-06-03 | 2009-06-03 | 清华大学 | 一种有机电致白光器件及其制备方法 |
| JP4534875B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2010-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光素子の製造方法、電子デバイスおよび電子機器 |
| JP2007242927A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2008021872A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| TWI373987B (en) * | 2007-03-07 | 2012-10-01 | Sony Corp | Organic electroluminescent device and display device |
| US9508957B2 (en) * | 2007-03-30 | 2016-11-29 | The Regents Of The University Of Michigan | OLED with improved light outcoupling |
| JP5515237B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
| JP5390850B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-01-15 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP5347662B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2013-11-20 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
| US20110187264A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Fujifilm Corporation | Light emitting device |
| JP2011257651A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Canon Inc | 発光基板および該発光基板を備えた画像表示装置 |
-
2011
- 2011-03-08 JP JP2011049900A patent/JP2012186107A/ja active Pending
- 2011-09-02 US US13/224,971 patent/US8698390B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 CN CN201110261528.0A patent/CN102683610B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 KR KR1020110090323A patent/KR101397358B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-09-06 EP EP11180179A patent/EP2498580A1/en not_active Withdrawn
- 2011-09-07 TW TW100132258A patent/TW201238109A/zh unknown
-
2014
- 2014-02-13 US US14/179,729 patent/US8810128B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07240277A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20060054919A (ko) * | 2004-11-17 | 2006-05-23 | 에스케이씨 주식회사 | 거울 기능을 갖는 유기 발광 다이오드 표시 소자 |
| US20070063641A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-22 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| JP2007141736A (ja) | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120229020A1 (en) | 2012-09-13 |
| US8810128B2 (en) | 2014-08-19 |
| CN102683610B (zh) | 2015-08-12 |
| JP2012186107A (ja) | 2012-09-27 |
| CN102683610A (zh) | 2012-09-19 |
| TW201238109A (en) | 2012-09-16 |
| US20140159568A1 (en) | 2014-06-12 |
| KR20120102482A (ko) | 2012-09-18 |
| US8698390B2 (en) | 2014-04-15 |
| EP2498580A1 (en) | 2012-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101397358B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치 | |
| TWI527211B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
| TWI513076B (zh) | 有機發光二極體元件 | |
| JP5840372B2 (ja) | 高効率ハイブリッド発光ダイオード | |
| EP2439806B1 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| KR101273767B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| US20140014896A1 (en) | Light emitting diode device using charge accumulation and method of manufacturing the same | |
| TWI488350B (zh) | 有機電致發光元件 | |
| US9508957B2 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| TWI584462B (zh) | Organic electroluminescent elements and organic electroluminescent panels | |
| KR102113606B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2007035579A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 | |
| KR20130006937A (ko) | 유기 발광 소자 | |
| US20140175387A1 (en) | Organic light emitting diode | |
| WO2012128089A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR102037819B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US9425432B2 (en) | Organic electroluminescent element and light emitting device with optical path control layer | |
| CN105826478A (zh) | 发光元件 | |
| CN111564566A (zh) | 有机电致发光器件及阵列基板 | |
| KR20160084282A (ko) | 탠덤형 유기발광소자 | |
| KR102081122B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP5662991B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR102351701B1 (ko) | Qd-oled 소자 및 그 제조 방법 | |
| US20230042189A1 (en) | Integrated oled lighting for automobile applications | |
| TW201316583A (zh) | 白光有機發光二極體構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |