KR101396271B1 - Wafer cleaning method - Google Patents

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    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture

Abstract

개시되어 있는 것은, 금속계 웨이퍼 또는 실리콘 웨이퍼(1)의 세정방법으로서, 웨이퍼 표면을 개질하는 전처리공정과, 개질된 상기 웨이퍼 표면에 방수성 보호막(10)을 형성하기 위한 방수성 보호막 형성제를 함유하는 방수성 보호막 형성용 약액을 상기 웨이퍼(1)의 적어도 오목부(4)에 유지하고 상기 오목부 표면에 방수성 보호막(10)을 형성하는 방수성 보호막 형성공정을 포함하고, 상기 방수성 보호막 형성제가 R1 aＳｉＸ4-a로 나타내지는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법이다. 이 방법에 의하여 패턴 붕괴를 유발하기 쉬운 세정공정을 개선할 수 있다.Discloses a cleaning method of a metal-based wafer or a silicon wafer (1), which comprises a pretreatment step of modifying a wafer surface and a waterproofing film forming agent for forming a waterproof protective film (10) on the surface of the modified wafer Forming a waterproof protective film (10) on at least a concave portion (4) of the wafer (1) by holding a chemical liquid for forming a protective film on the surface of the concave portion, wherein the waterproof protective film forming agent is R 1 a SiX 4-a . ≪ / RTI > This method can improve the cleaning process that easily causes pattern collapse.

Description

웨이퍼의 세정방법{WAFER CLEANING METHOD}WAFER CLEANING METHOD [0002]

본 발명은, 반도체 디바이스(半導體device) 제조 등에 있어서의 기판(웨이퍼)의 세정기술(洗淨技術)에 관한 것이다. 특히, 요철 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 세정할 때에 요철 패턴의 붕괴(collapse)를 방지하는 것에 성공하는 세정방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning technique (cleaning technique) of a substrate (wafer) in the manufacture of a semiconductor device or the like. More particularly, the present invention relates to a cleaning method that is successful in preventing collapse of the concavo-convex pattern when cleaning a wafer surface having a concavo-convex pattern formed thereon.

반도체 칩의 제조에서는, 성막(成膜), 리소그래피(lithography)나 에칭(etching) 등을 거쳐 실리콘 웨이퍼 표면에 미세한 요철 패턴이 형성되고, 그 후에 웨이퍼 표면을 청정(淸淨)하게 하기 위해서, 물(순수(純水))이나 유기용매(有機溶媒)를 사용하여 세정이 이루어진다. 소자(素子)는 미세화되는 방향으로 가고, 요철 패턴의 간격은 점점 좁아져 가고 있다. 이 때문에 순수을 사용하여 세정하고, 물을 웨이퍼 표면으로부터 건조시킬 때에 기액계면(氣液界面)이 패턴을 통과할 때에 모세관현상(毛細管現象)에 의하여 요철 패턴이 붕괴된다고 하는 문제가 발생하기 쉬워져 가고 있다. 이 문제는, 특히 요철의 패턴 간격이 보다 좁아진, 예를 들면 라인 앤 스페이스(line-and-space) 형상의 패턴의 웨이퍼의 경우, 선폭(線幅)(오목부의 폭)이 20ｎｍ대, 10ｎｍ대 세대(世代)의 반도체 칩에 있어서 보다 현저하게 되어 가고 있다.In the manufacture of a semiconductor chip, a fine irregular pattern is formed on the surface of a silicon wafer through film formation, lithography, etching, or the like. After that, in order to clean the surface of the wafer, (Pure water) or an organic solvent (organic solvent). The element goes in a direction in which the element is made finer, and the interval between the concave and convex patterns gradually becomes smaller. For this reason, when cleaning is performed using pure water and water is dried from the surface of the wafer, a problem that the concave / convex pattern collapses due to the capillary phenomenon (capillary phenomenon) when the gas-liquid interface (the liquid interface) have. This problem is particularly problematic in the case of a wafer having a line-and-space pattern in which the pattern interval of the irregularities becomes narrower, for example, the line width (width of the concave portion) Has become more prominent in the semiconductor chips of the generation (generation).

특허문헌1, 특허문헌6에는, 패턴 붕괴를 억제하는 방법으로서 기액계면이 요철 패턴을 통과하기 전에 세정액을 물로부터 2-프로판올로 치환하는 기술이 개시되어 있다. 그러나 대응할 수 있는 패턴의 애스펙트비(aspect-ratio)가 5이하인 등, 한계가 있다고 말해지고 있다.Patent Document 1 and Patent Document 6 disclose a technique for suppressing pattern collapse by replacing the cleaning liquid with water from 2-propanol before the vapor-liquid interface passes through the uneven pattern. However, it is said that there is a limit such that the aspect ratio of the pattern that can cope is 5 or less.

또한 특허문헌2에는, 패턴 붕괴를 억제하는 방법으로서, 레지스트 패턴(resist pattern)을 대상으로 하는 기술이 개시되어 있다. 이 방법은 모세관력(毛細管力)을 극한까지 내림으로써 패턴 붕괴를 억제하는 방법이다. 그러나 이 개시된 기술은 레지스트 패턴을 대상으로 하고 있어, 레지스트 자체를 개질(改質)하는 것이고, 또한 최종적으로 레지스트와 함께 제거가 가능하기 때문에, 건조 후의 처리제의 제거방법을 상정할 필요가 없어 본 목적으로는 적용할 수 없다.Patent Document 2 discloses a technique for a resist pattern as a method for suppressing pattern collapse. This method is a method of suppressing pattern collapse by lowering the capillary force (capillary force) to the limit. However, since the disclosed technique targets a resist pattern, the resist itself is modified, and finally, the resist can be removed together with the resist. Therefore, it is not necessary to assume a method of removing the treating agent after drying, It can not be applied to.

또 특허문헌3에는, 실리콘을 포함하는 막에 의하여 요철형상 패턴을 형성한 웨이퍼 표면을 산화(酸化) 등에 의하여 표면 개질하고, 상기 표면에 수용성 계면활성제(水溶性界面活性劑) 또는 실란 커플링제(Silane coupling agent)를 사용하여 방수성 보호막을 형성하고 모세관력을 감소시켜서 패턴의 도괴(倒壞)를 방지하는 세정방법이 개시되어 있다.Patent Document 3 discloses a method of surface-modifying a wafer surface on which a concavoconvex pattern is formed by a film containing silicon by oxidation (oxidation) or the like, and then adding a water-soluble surfactant (water-soluble surfactant) or a silane coupling agent A silane coupling agent is used to form a waterproof protective film and reduce the capillary force to prevent the pattern from falling.

또한 특허문헌4, 5에는, N,N-디메틸아미노트리메틸실란을 비롯한 시릴화제(silyl化劑) 및 용제(溶劑)를 포함하는 처리액을 사용하여 소수화(疏水化) 처리를 함으로써, 패턴 붕괴를 방지하는 기술이 개시되어 있다.
In Patent Documents 4 and 5, hydrophobic treatment is carried out using a treatment liquid containing a silylating agent and a solvent including N, N-dimethylaminotrimethylsilane to cause pattern collapse Is disclosed.

일본국 공개특허 특개2008-198958호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-198958 일본국 공개특허 특개평5-299336호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-299336 일본국 특허 제4403202호Japanese Patent No. 4403202 일본국 공개특허 특개2010-129932Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-129932 국제공개 제10/47196호 팸플릿International Publication No. 10/47196 pamphlet 일본국 공개특허 특개2003-45843호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-45843

본 발명은, 반도체 디바이스 제조 등에 있어서, 특히 미세(微細)하고 애스펙트비가 높은 회로 패턴화된 디바이스의 제조 수율의 향상을 목적으로 한 기판(웨이퍼)의 세정기술에 관한 것으로서, 특히, 표면에 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼의 요철 패턴 붕괴를 유발하기 쉬운 세정공정을 개선하는 것에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning technique of a substrate (wafer) for the purpose of improving the production yield of a circuit patterned device having a fine and high aspect ratio in the production of semiconductor devices and the like, The present invention relates to an improvement of a cleaning process that is liable to cause a concavo-convex pattern collapse of a wafer including the wafer.

지금까지, 상기 웨이퍼로서는 표면에 실리콘 원소를 구비하는 웨이퍼가 일반적으로 사용되어 왔지만, 패턴의 다양화에 따라 티탄(titanium), 질화티탄(窒化titanium), 텅스텐(tungsten), 알루미늄(aluminium), 구리(銅), 주석(朱錫), 질화탄탈(窒化tantalum) 및 루테늄(ruthenium)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속계의 물질을 표면에 구비하는 웨이퍼가 사용되기 시작하고 있다.As the wafer, a wafer having a silicon element on its surface has been generally used as the wafer. However, as the pattern is diversified, titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, Wafers having at least one kind of metal-based material selected from the group consisting of copper, tin, tantalum nitride, and ruthenium have been used.

반도체 칩의 제조시에는, 웨이퍼 표면은 요철 패턴을 구비하는 면이 된다. 요철 패턴의 표면을 방수화(防水化) 함으로써 패턴 붕괴를 방지하고자 하는 경우에 있어서, 요철 패턴 표면에 방수성 보호막을 형성하기 위해서는, 요철 패턴 표면이나 웨이퍼 표면에 존재하는 수산기(水酸基) 등의 반응 활성점(反應活性点)과, 보호막을 형성하는 화합물을 결합시킬 필요가 있다.At the time of manufacturing a semiconductor chip, the wafer surface is a surface having a concavo-convex pattern. In order to prevent the pattern collapse by waterproofing the surface of the concavo-convex pattern, in order to form the waterproof protective film on the surface of the concavo-convex pattern, the reaction active points such as hydroxyl groups (hydroxyl groups) (Reaction active point) and a compound forming a protective film.

표면에 요철 패턴을 구비하고, 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 실리콘 원소를 포함하는 웨이퍼(이후, 간단하게 「웨이퍼」라고 기재하는 경우가 있다)의 세정시에 있어서, 웨이퍼의 요철 패턴부의 모세관력을 감소시키는 방수성의 보호막(이후, 간단하게 「보호막」이라고도 기재한다)은, 실란 커플링제 등의 규소화합물이 웨이퍼 표면에 유입된 수산기(OH기) 등과 반응함으로써 형성된다.The capillary force of the concavo-convex pattern portion of the wafer at the time of cleaning the wafer having the concavo-convex pattern on its surface and at least a part of the concavo-convex pattern including the silicon element (hereinafter simply referred to as " wafer " (Hereinafter, simply referred to as a " protective film ") is formed by reacting with a hydroxyl group (OH group) or the like introduced into the surface of a wafer, such as a silane coupling agent.

이와 같이 실리콘 원소를 포함하는 요철 패턴에 보호막을 형성하기 위해서는, 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점을 형성하고, 보호막을 형성하는 화합물과 그 반응 활성점을 반응시킬 필요가 있다. 실리콘 원소를 포함하는 요철 패턴에 있어서는, 요철 패턴을 구성하는 재료의 종류 에 따라 수산기 등의 형성 용이성이 다른 것이나, 수산기 등을 형성할 때에 행하는 물 등에 의한 표면처리의 조건에 의하여, 단위면적당의 수산기 등의 양에 차이가 발생하는 경우가 있다.In order to form a protective film on the concavo-convex pattern including the silicon element, it is necessary to form reactive active sites such as hydroxyl groups on the surface of the concavo-convex pattern and react the compound forming the protective film with the reaction active site. In the concavo-convex pattern including the silicon element, depending on the kind of the material constituting the concavo-convex pattern, the degree of easiness of formation such as hydroxyl groups is different, and depending on the condition of the surface treatment with water or the like, And the like may occur in some cases.

또한 상기 금속계의 물질을 표면에 구비하는 웨이퍼와 같이, 표면에 반응 활성점, 예를 들면 실라놀기(silanol group)가 충분하게 존재하지 않는 물질을 포함하는 웨이퍼의 경우, 특허문헌3 내지 5에 기재된 어느 것의 처리액 및 처리방법을 사용해도 패턴의 도괴를 방지하는 방수성 보호막을 형성할 수 없기 때문에, 패턴의 도괴를 방지할 수 없다고 하는 문제가 있다.Also, in the case of a wafer including a material having a metal-based substance on its surface, such as a wafer in which a reactive active site, for example, a silanol group is not sufficiently present on the surface, is disclosed in Patent Documents 3 to 5 There is a problem in that it is not possible to prevent the pattern from becoming clogged because it is impossible to form a waterproof protective film for preventing the pattern from being used even if the treating solution and the treating method are used.

본 발명은, 표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서, 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈, 루테늄 및 실리콘 원소를 포함하는 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼의 오목부 표면에 방수성 보호막(이후, 간단하게 「보호막」이라고 기재하는 경우가 있다)을 형성하고, 상기 오목부에 유지된 액체와 상기 오목부 표면의 상호작용을 감소시킴으로써, 패턴 붕괴를 유발하기 쉬운 세정공정을 개선하는 상기 웨이퍼의 세정방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention relates to a wafer having a concavo-convex pattern formed on its surface, wherein at least a part of the concave surface of the concavo-convex pattern is a material containing titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, ruthenium, (Hereinafter, simply referred to as a " protective film ") is formed on the surface of the concave portion of the wafer including at least one kind of material selected from the group consisting of the above- It is an object of the present invention to provide a cleaning method of the wafer which improves the cleaning process that easily causes pattern collapse by reducing the interaction of the sub-surfaces.

또한 본 발명은, 요철 패턴의 붕괴를 방지하는 것에 성공적인 웨이퍼의 세정방법에 관한 것으로서, 요철 패턴의 표면에 수산기 등이 유입되기 쉬운 웨이퍼는 물론, 요철 패턴의 표면에 수산기 등이 유입되기 어려운 웨이퍼이더라도 경제적이고 또한 효율적으로 웨이퍼를 세정하는 것이 가능한 세정방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
The present invention also relates to a wafer cleaning method capable of preventing collapse of a concavo-convex pattern, and more particularly, to a wafer which is susceptible to introduction of a hydroxyl group onto the surface of the concavo-convex pattern, It is an object of the present invention to provide a cleaning method capable of cleaning a wafer economically and efficiently.

패턴 붕괴는, 웨이퍼의 건조시에 기액계면이 패턴을 통과할 때에 발생한다. 이것은, 패턴의 애스펙트비가 높은 부분과 낮은 부분의 사이에 있어서, 잔액 높이의 차이가 생기고 그것에 의하여 패턴에 작용하는 모세관력에 차이가 발생하는 것이 원인이라고 하고 있다. 한편, 「붕괴」라고 하는 표기는 「도괴」라고 하는 경우가 있다.The pattern collapse occurs when the vapor-liquid interface passes through the pattern during drying of the wafer. This is caused by a difference in balance height between a portion having a high aspect ratio of the pattern and a portion having a low aspect ratio, which causes a difference in the capillary force acting on the pattern. On the other hand, the notation " collapse " may be called " collapse ".

이 때문에 모세관력을 작게 하면, 잔액 높이의 차이에 의한 모세관력의 차이가 감소하여 패턴 붕괴가 해소된다고 기대할 수 있다. 모세관력의 크기는 이하에 나타내는 식으로 구해지는 Ｐ의 절대값이며, 이 식에서 γ 또는 ｃｏｓθ를 작게 하면 모세관력을 감소시킬수 있다고 기대된다.Therefore, if the capillary force is reduced, it is expected that the difference in capillary force due to the difference in the height of the balance decreases and pattern collapse is solved. The magnitude of the capillary force is an absolute value of P obtained by the following expression, and it is expected that the capillary force can be reduced by reducing? Or cos? In this equation.

P = 2×γ×ｃｏｓθ/ＳP = 2 x? X cos? / S

(식 중, γ는 오목부에 유지되어 있는 액체의 표면장력, θ는 오목부 표면과 오목부에 유지되어 있는 액체가 이루는 접촉각, S는 오목부의 폭이다.)(Where? Is the surface tension of the liquid held in the recess,? Is the contact angle between the surface of the recess and the liquid held in the recess, and S is the width of the recess).

본 발명에서는, 상기 과제를 극복하기 위해서, 방수성 보호막이 형성되는 요철 패턴의 표면의 전처리방법 및 방수성 보호막의 재료에 착안하였다. 즉 상기 웨이퍼 표면(구체적으로는, 예를 들면 요철 패턴의 오목부 표면)을 개질하는 전처리공정(前處理工程)(예를 들면 산화처리 함으로써 반응 활성점을 형성하는 공정)의 후에, 소수성(疏水性)이 강한 소수기(疏水基)를 가지는 방수성 보호막 형성제에 의하여 상기 오목부 표면에 방수성 보호막을 형성함으로써 오목부 표면에 방수성을 부여하는 것이다.In order to overcome the above problems, the present invention has focused on a method of pretreatment of the surface of the concavo-convex pattern in which the waterproof protective film is formed and a material of the waterproof protective film. (A step of forming a reactive active site by, for example, oxidation treatment) for modifying the surface of the wafer (concretely, for example, the concavity of the concavo-convex pattern) The waterproof protective film forming agent having a strong hydrophobic group imparts a waterproof protective film to the surface of the concave portion to impart waterproofness to the surface of the concave portion.

본 발명에 있어서의 소수기로는, 무치환(無置換)의 탄화수소기 또는 탄화수소기 중의 수소원소의 일부가 할로겐원소에 의하여 치환된 탄화수소기를 가리킨다. 소수기의 소수성은 상기 탄화수소기 중의 탄소수가 많을수록 강해진다. 또한 탄화수소기 중의 수소원소의 일부가 할로겐원소에 의하여 치환된 탄화수소기의 경우, 소수기의 소수성이 강하게 되는 경우가 있다. 특히, 치환되는 할로겐원소가 불소원소이면 소수기의 소수성이 강해지고, 치환되는 불소원소수가 많을수록 소수기의 소수성이 강해진다.The hydrophobic group in the present invention refers to a hydrocarbon group in which a part of hydrogen atoms in an unsubstituted (unsubstituted) hydrocarbon group or a hydrocarbon group is substituted with a halogen element. The hydrophobicity of the hydrophobic group becomes stronger as the number of carbon atoms in the hydrocarbon group is larger. In the case where a part of the hydrogen element in the hydrocarbon group is a hydrocarbon group substituted by a halogen element, hydrophobicity of the hydrophobic group may become strong. Particularly, when the halogen element to be substituted is a fluorine element, the hydrophobicity of the hydrophobic group becomes strong, and the hydrophobic property of the hydrophobic group becomes stronger as the number of substituted fluorine elements increases.

본 발명자들은 예의 검토를 하여, 전처리(예를 들면 산화처리) 및 방수성 보호막 형성제로서 특정한 소수기를 구비하는 규소화합물을 함유하는 방수성 보호막 형성용 약액에 의한 표면처리를 조합시킴으로써, 당해 웨이퍼의 요철 패턴 표면상에 양호한 방수성을 발생시키는 보호막을 형성하여, 효율적으로 세정을 할 수 있는 것을 찾아냈다.The present inventors have conducted intensive studies and have found that by combining the surface treatment with a waterproof protective film forming chemical solution containing a silicon compound having a specific hydrophobic group as a pretreatment (for example, oxidation treatment) and a waterproof protective film forming agent, It has been found that a protective film is formed on the surface to generate good waterproofness, and that cleaning can be performed efficiently.

또한 본 발명에서는, 실리콘 원소를 포함하는 요철 패턴이 형성된 웨이퍼를 세정하는 경제적이고 또한 효율적인 방법에 대하여 검토를 거듭한 결과, 요철 패턴 표면에 적당량의 수산기 등을 형성하기 쉬운 방법을 검토한다고 하는 착상에 이르렀다. 왜냐하면, 요철 패턴 표면에 적당량의 수산기 등을 형성하기 쉬운 방법을 제공할 수 있으면, 방수성의 보호막을 형성하는 화합물종은 요철 패턴 표면에 결합되기 쉬워져 방수성의 보호막을 안정적으로 얻기 쉬워지기 때문이다.Further, in the present invention, an economical and efficient method of cleaning a wafer having a concavo-convex pattern formed thereon containing a silicon element has been investigated. As a result, it has been conceived that an easy method of forming an adequate amount of hydroxyl groups on the surface of the concavo- It came. This is because, if a method capable of easily forming an appropriate amount of hydroxyl groups on the surface of the uneven pattern can be provided, the compound species forming the waterproof protective film tends to bond to the surface of the uneven pattern, and a waterproof protective film can be stably obtained.

본 발명의 제1 및 제2특징에 따르면, 표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈, 루테늄 및 실리콘 원소를 포함하는 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼의 세정방법으로서,According to the first and second features of the present invention, in a wafer having a concavo-convex pattern formed on its surface, at least a part of the concave surface of the concave-convex pattern is formed of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, 1. A cleaning method for a wafer comprising at least one material selected from the group consisting of a material containing a silicon element,

상기 웨이퍼 표면을 개질하는 전처리공정A pretreatment step of modifying the surface of the wafer

개질된 상기 웨이퍼 표면에 방수성 보호막을 형성하기 위한, 방수성 보호막 형성제를 함유하는 방수성 보호막 형성용 약액을, 상기 웨이퍼의 적어도 오목부에 유지시키고, 상기 오목부 표면에 방수성 보호막을 형성하는 방수성 보호막 형성공정A waterproof protective film forming liquid containing a waterproof protective film forming agent for forming a waterproof protective film on the surface of the modified wafer is held on at least a concave portion of the wafer and a waterproof protective film is formed on the surface of the concave portion to form a waterproof protective film fair

을 포함하고, 상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[1]로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제1방법)이 제공된다.(1), characterized in that the waterproof protective film-forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [1].

Figure 112012077082214-pct00001
Figure 112012077082214-pct00001

[식[1] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, X는, 각각 서로 독립하여, 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기(官能基), 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이며, a는 1∼3의 정수이다. 또한 상기 웨이퍼 중, 실리콘 원소를 포함하지 않는 것은 식[1]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이다.]Equation [1], R 1 is, each independently from each other, a hydrocarbon group substituted with a hydrogen or carbon atoms non-substituted or a hydrogen atom in the 1 to 18 as a halogen atom, X is, each independently from each other, and the silicon element A monovalent functional group (functional group) in which the bonding element is nitrogen, at least one group selected from the group consisting of a monovalent functional group in which an element bonding with the silicon element is oxygen and a halogen group, and a is an integer of 1 to 3. It also does not include any of the above wafer, a silicon element, the total carbon number of 6 or more contained in the R 1 in the formula (1).]

본 발명의 제2특징에 따르면, 제1방법은, 표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 실리콘 원소를 포함하는 웨이퍼(이후, 「실리콘 웨이퍼」 또는 간단하게 「웨이퍼」라고 기재하는 경우가 있다)의 세정방법으로서,According to a second aspect of the present invention, there is provided a first method of manufacturing a wafer having a concavo-convex pattern formed on a surface thereof, wherein at least a part of the concave surface of the concavo-convex pattern includes a silicon element (hereinafter referred to as "Quot; wafer " in some cases)

전처리용 약액을 공급함으로써 요철 패턴의 표면을 개질하는 전처리공정,A pretreatment step of modifying the surface of the concavo-convex pattern by supplying a pretreatment liquid,

개질된 요철 패턴의 표면에 방수성 보호막 형성용 약액을 공급함으로써 요철 패턴의 표면에 방수성 보호막을 형성하는 방수성 보호막 형성공정,A waterproof protective film forming step of forming a waterproof protective film on the surface of the uneven pattern by supplying a chemical liquid for forming a waterproof protective film to the surface of the modified uneven pattern,

을 적어도 포함하는 웨이퍼의 세정방법으로,The cleaning method comprising:

상기 전처리공정에서는, 산을 몰농도로 0.001∼5ｍｏｌ/L 포함하고, ｐＨ가 3이하인 전처리용 약액을 사용하여 40도 이상, 전처리용 약액의 비등점 미만의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제2방법)이더라도 좋다.In the pretreatment step, the surface of the concave-convex pattern is modified at a temperature of not lower than the boiling point of the pre-treatment liquid at a temperature of not less than 40 degrees by using a pre-treatment liquid having a pH of 3 or less and containing 0.001 to 5 mol / (A second method).

제2방법은, 상기 전처리용 약액 중에 포함되는 산이 유기산(有機酸)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제3방법)이더라도 좋다.The second method may be a wafer cleaning method (third method) characterized in that the acid contained in the pretreatment liquid is an organic acid.

제1 내지 제3방법 중의 어느 하나는, 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 질화규소 및/또는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제4방법)이더라도 좋다.Any one of the first to third methods may be a wafer cleaning method (fourth method) characterized in that at least a part of the uneven pattern is formed of silicon nitride and / or silicon.

제1방법은, 표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈 및 루테늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼(이후, 「금속계 웨이퍼」 또는 간단하게 「웨이퍼」라고 기재하는 경우가 있다)의 세정방법으로서,The first method is a method for manufacturing a wafer having a concavo-convex pattern on a surface thereof, wherein at least a part of the concave surface of the concavo-convex pattern is at least one selected from the group consisting of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride and ruthenium As a method of cleaning a wafer containing a substance (hereinafter sometimes referred to as a " metal-based wafer " or simply " wafer &

상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[2]로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제5방법)이더라도 좋다.(Fifth method) characterized in that the waterproof protective film-forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [2].

Figure 112012077082214-pct00002
Figure 112012077082214-pct00002

[식[2] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, 식[2]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.][In the formula [2], R 1 is independently a hydrogen or a hydrocarbon group in which an unsubstituted or hydrogen atom of 1 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element, and the number of carbon atoms contained in R 1 of formula [2] X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen and a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is oxygen or a halogen group.

본 발명의 제1특징에 의하면, 제5방법은, 상기 방수성 보호막 형성제가, 하기 일반식[3]으로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제6방법)이더라도 좋다.According to a first aspect of the present invention, the fifth method may be a wafer cleaning method (sixth method) characterized in that the waterproof protective film forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [3].

Figure 112012077082214-pct00003
Figure 112012077082214-pct00003

[식[3] 중, R2는 탄소수가 4∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.]Wherein R 2 is a hydrocarbon group in which an unsubstituted or hydrogen atom having 4 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element and X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, Is a monovalent functional group or a halogen group whose oxygen is oxygen.]

제5 또는 제6방법은, 상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[4]로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제7방법)이더라도 좋다.The fifth or sixth method may be a wafer cleaning method (seventh method) characterized in that the waterproof protective film forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [4].

Figure 112012077082214-pct00004
Figure 112012077082214-pct00004

[식[4] 중, R3은 탄소수가 4∼18이고 적어도 일부의 수소원소가 불소원소에 의하여 치환된 탄화수소기이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.]Wherein R 3 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms and at least a part of the hydrogen element is substituted by a fluorine element and X is a monovalent functional group in which an element bonding with the silicon element is nitrogen, A monovalent functional group or a halogen group whose bonding element is oxygen.]

제1방법, 제5 내지 제7방법 중의 어느 하나는, 상기 전처리공정이 상기 웨이퍼 표면에 산화처리액을 유지하는 것인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제8방법)이더라도 좋다.Any one of the first method and the fifth to seventh methods may be a wafer cleaning method (eighth method) characterized in that the pre-processing step is to hold the oxidation processing liquid on the surface of the wafer.

제8방법은, 상기 전처리공정에 있어서 사용하는 산화처리액이, 오존을 포함하는 처리액, 과산화수소를 포함하는 처리액 및 산을 포함하는 처리액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 처리액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법(제9방법)이더라도 좋다.The eighth method is characterized in that the oxidation-treatment liquid used in the pre-treatment step is at least one treatment liquid selected from the group consisting of a treatment solution containing ozone, a treatment solution containing hydrogen peroxide and a treatment solution containing an acid (Ninth method) of the present invention.

상기의 제1방법 및 제5 내지 제9방법은 본 발명의 제1특징에 관계되고, 상기한 제1 내지 제4방법은 본 발명의 제2특징에 관계된다.The first method and the fifth to ninth methods relate to the first aspect of the present invention, and the first to fourth methods described above relate to the second aspect of the present invention.

본 발명에 있어서, 방수성 보호막이라는 것은, 웨이퍼 표면에 형성되는 것에 의하여 상기 웨이퍼 표면의 습윤성(wettability)을 낮게 하는 막, 즉 방수성을 부여하는 막이다. 본 발명에 있어서 방수성이라는 것은, 물품 표면의 표면 에너지를 감소시켜서 물이나 그 밖의 액체와 상기 물품 표면과의 사이(계면)에서 상호작용, 예를 들면 수소결합, 분자간 힘 등을 감소시키는 의미이다. 특히 물에 대하여 상호작용을 감소시키는 효과가 크지만, 물과 물 이외의 액체의 혼합액이나, 물 이외의 액체에 대하여도 상호작용을 감소시키는 효과를 구비한다. 상기 상호작용의 감소에 의하여 물품 표면에 대한 액체의 접촉각을 크게 할 수 있다.In the present invention, the waterproof protective film is a film that lowers the wettability of the wafer surface formed on the wafer surface, that is, a film that imparts waterproofness. In the present invention, water resistance means reduction of surface energy of the surface of an article to reduce interaction (e.g., hydrogen bonding, intermolecular force, etc.) between water or other liquid and the surface of the article (interface). The effect of decreasing the interaction with water is great, but it has an effect of reducing the interaction with liquids other than water and liquids other than water, and liquids other than water. By reducing the interaction, the contact angle of the liquid to the surface of the article can be increased.

이하에, 본 발명의 제2특징에 대하여 서술한다. 간략화를 위해서 제2특징이라고 기재하는 것을 생략하는 경우도 있다. 본 발명의 웨이퍼의 세정방법에 있어서는, 산과 상기 산을 용해하기 위한 용매를 포함하는 액체인 전처리용 약액 중의 상기 산에 의하여 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점을 형성할 수 있다. 요철 패턴의 표면에 방수성의 보호막을 형성할 때에 사용하는 보호막 형성용 약액에는, 실란 커플링제 등 보호막을 형성하는 화합물과 상기 화합물을 용해하기 위한 용매가 포함된다. 상기 전처리에 의하여 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점이 많이 존재하게 되면, 보호막 형성용 약액에 포함되는, 보호막을 형성하는 화합물과 반응 활성점이 반응하기 쉬워진다. 그 결과, 요철 패턴의 표면에 방수성의 보호막을 안정적으로 형성할 수 있다.Hereinafter, the second aspect of the present invention will be described. For simplification, the description of the second characteristic may be omitted. In the cleaning method of a wafer of the present invention, a reaction active site such as a hydroxyl group can be formed on the surface of the uneven pattern by the acid in the pretreatment liquid, which is a liquid containing a solvent for dissolving the acid and the acid. The protective film forming liquid used when forming the waterproof protective film on the surface of the uneven pattern includes a compound forming a protective film such as a silane coupling agent and a solvent for dissolving the compound. If a large amount of reaction active sites such as hydroxyl groups are present on the surface of the concavo-convex pattern by the pretreatment, the reaction active site easily reacts with the compound forming the protective film contained in the protective film forming chemical liquid. As a result, a waterproof protective film can be stably formed on the surface of the uneven pattern.

본 발명의 제2특징에 의한 웨이퍼의 세정방법에 있어서는, 전처리용 약액 중의 산의 몰농도(이하, 「산농도」라고도 기재한다)는 0.001∼5ｍｏｌ/L이다. 전처리용 약액 중의 산의 몰농도가 0.001ｍｏｌ/Ｌ 미만이면, 요철 패턴의 표면을 개질하는 효과, 즉 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점을 형성하는 효과가 충분히 얻어지지 않는다. 또 전처리용 약액 중의 산의 몰농도가 5ｍｏｌ/L 초과이면, 산의 농도가 지나치게 높아지기 때문에, 전처리공정을 하기 전에 미리 전처리용 약액으로부터 금속불순물 등을 이온 교환법에 의하여 제거하고 정제하는 것이 곤란하게 된다.In the wafer cleaning method according to the second aspect of the present invention, the molar concentration of the acid in the pretreatment liquid (hereinafter also referred to as " acid concentration ") is 0.001 to 5 mol / L. When the molar concentration of the acid in the pretreatment chemical solution is less than 0.001 mol / L, the effect of modifying the surface of the concavo-convex pattern, that is, the effect of forming reactive active sites such as hydroxyl groups on the surface of the concave- When the molar concentration of the acid in the pretreatment liquid is more than 5 mol / L, the concentration of the acid becomes excessively high, so it is difficult to remove metal impurities and the like from the pretreatment liquid by the ion exchange method and perform purification before the pretreatment step .

본 발명의 제2특징에 의한 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 상기 전처리용 약액의 ｐＨ는 3이하이다. 전처리용 약액의 ｐＨ가 3초과이면, 전처리용 약액의 산성이 약해지기 때문에, 요철 패턴의 표면을 개질하는 효과, 즉 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점을 형성하는 효과가 약해진다.In the cleaning method of the wafer according to the second aspect of the present invention, the pH of the pretreatment liquid is 3 or less. If the pH of the chemical liquid for pretreatment is more than 3, the acidity of the chemical liquid for pretreatment becomes weak, so that the effect of modifying the surface of the uneven pattern, that is, the effect of forming reactive active points such as hydroxyl groups on the surface of the uneven pattern is weakened.

본 발명의 제2특징에 있어서, 전처리용 약액은 온도를 높게 하면 보다 단시간에 요철 패턴의 표면을 개질하기 쉬워진다. 한편 전처리용 약액의 비등점 이상의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질하면, 전처리용 약액의 급격한 증발에 따라 기액계면이 패턴을 통과하는 것에 가까운 상태가 되어서 패턴이 도괴하는 등의 악영향이 발생할 가능성이 있다. 이상으로부터, 본 발명의 제2특징에 의한 웨이퍼의 세정방법에 있어서는, 40도 이상, 전처리용 약액의 비등점 미만의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질한다. 상기 오목부 표면에 보다 우수한 방수성을 부여할 수 있기 때문에, 상기 전처리용 약액에 의한 웨이퍼의 표면개질은, 65도 이상, 전처리용 약액의 비등점 미만의 온도에서 이루어지는 것이 바람직하다.In the second aspect of the present invention, when the temperature of the pretreatment liquid is raised, the surface of the concavo-convex pattern can be easily modified in a shorter time. On the other hand, if the surface of the uneven pattern is modified at a temperature equal to or higher than the boiling point of the pretreatment liquid, there is a possibility that the vapor-liquid interface becomes close to the state of passing through the pattern due to the rapid evaporation of the chemical liquid for pretreatment. From the above, in the cleaning method of the wafer according to the second aspect of the present invention, the surface of the concavo-convex pattern is modified at a temperature of not lower than the boiling point of the pretreatment liquid at not less than 40 degrees. It is preferable that the surface modification of the wafer by the pretreatment liquid is performed at a temperature of not less than 65 degrees and lower than the boiling point of the pretreatment liquid.

본 발명의 제2특징에 의한 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 요철 패턴의 표면에 보호막이 형성되기까지는, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 액체가 유지된 상태가 지속되어 있는 것이 바람직하다.In the cleaning method of the wafer according to the second aspect of the present invention, it is preferable that the state in which the liquid is retained at least on the concave portion surface of the concavo-convex pattern continues until the protective film is formed on the surface of the concavo-convex pattern.

본 발명의 제2특징에 의한 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 상기 전처리용 약액 중에 포함되는 산은 유기산인 것은 바람직하다. 유기산은, 주로 탄소원소, 수소원소 및 산소원소로 이루어지고, 반도체의 제조공정에서 꺼려하는 원소를 포함하고 있지 않기 때문에 바람직하다. 또한 유기산은, 무기산에 비하여 유기용매에 녹기 쉽고 금속과 반응하기 어렵다고 하는 특성을 구비하고 있기 때문에 바람직하다.In the wafer cleaning method according to the second aspect of the present invention, it is preferable that the acid contained in the pretreatment liquid is an organic acid. The organic acid is mainly composed of a carbon element, a hydrogen element, and an oxygen element, and is preferable because it does not contain elements that are reluctant to the semiconductor manufacturing process. Further, the organic acid is preferable because it has the characteristics that it is more soluble in an organic solvent than a mineral acid and hardly reacts with a metal.

본 발명의 제2특징에 의한 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 상기 요철 패턴의 적어도 일부는, 질화규소 및/또는 실리콘으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 요철 패턴이 질화규소나 실리콘으로 형성되어 있을 경우, 요철 패턴의 표면이 개질되어 있지 않으면 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점이 적다. 그 때문에 질화규소나 실리콘으로 형성된 요철 패턴에 보호막 형성용 약액을 공급해도 요철 패턴의 표면에 방수성의 보호막이 형성되기 어려워진다. 그러나 산을 포함하는 전처리용 약액에 의하여 요철 패턴의 표면을 개질 함으로써, 요철 패턴이 질화규소나 실리콘으로 형성되어 있는 경우더라도 충분한 방수성을 구비하는 보호막을 요철 패턴의 표면에 형성할 수 있다.
In the wafer cleaning method according to the second aspect of the present invention, it is preferable that at least a part of the uneven pattern is formed of silicon nitride and / or silicon. When the concavo-convex pattern is formed of silicon nitride or silicon, the surface of the concavo-convex pattern is less reactive active sites such as hydroxyl groups if the surface of the concavo-convex pattern is not modified. Therefore, even if a chemical liquid for forming a protective film is supplied to the concavo-convex pattern formed of silicon nitride or silicon, it is difficult to form a waterproof protective film on the surface of the concavo-convex pattern. However, by modifying the surface of the concavo-convex pattern by the chemical liquid for pretreatment containing an acid, a protective film having sufficient waterproofness can be formed on the surface of the concavo-convex pattern even when the concavo-convex pattern is formed of silicon nitride or silicon.

본 발명의 웨이퍼의 세정방법(제1방법)을 이용함으로써, 표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈, 루테늄 및 실리콘 원소를 포함하는 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼의 세정과정에 있어서, 요철 패턴에 작용하는 모세관력을 저하시키고, 나아가서는 패턴 붕괴 방지 효과를 나타낸다. 상기 세정방법을 사용하면, 표면에 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼의 제조방법 중의 세정공정이, 스루풋(throughput)이 저하하지 않고 개선된다. 따라서 본 발명의 세정방법을 사용하여 이루어지는, 표면에 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼의 제조방법은 생산성이 높아진다.By using the wafer cleaning method (first method) of the present invention, at least the concave portion surface of the concavo-convex pattern of the wafer having the concavo-convex pattern formed on the surface thereof is partially removed from the surface of the concave portion by using titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, , Ruthenium, and a silicon-containing material, the capillary force acting on the concave-convex pattern is lowered, and further, the effect of preventing pattern collapse is exhibited. When the cleaning method is used, the cleaning process in the manufacturing method of the wafer having the concavo-convex pattern on the surface is improved without lowering the throughput. Therefore, the method of manufacturing a wafer having a concavo-convex pattern on its surface using the cleaning method of the present invention increases the productivity.

본 발명의 세정방법은, 금후 점점 높아진다고 예상되는 예를 들면 7이상의 애스펙트비를 구비하는 요철 패턴에도 대응 가능하고, 보다 고밀도화된 반도체 디바이스 생산의 비용절감을 가능하게 한다. 또한 종래의 장치로부터 큰 변경이 없이 대응할 수 있고, 그 결과, 각종 반도체 디바이스의 제조에 적용할 수 있게 된다.The cleaning method of the present invention can cope with a concavo-convex pattern having an aspect ratio of 7 or more, which is expected to become higher in the future, and it is possible to reduce the cost of production of a semiconductor device with higher density. Further, it is possible to cope with the present invention without major change from the conventional device, and as a result, it can be applied to the manufacture of various semiconductor devices.

본 발명의 웨이퍼의 세정방법(제2방법)에서는, 세정과정에 있어서 요철 패턴의 표면에 형성되는 보호막이 안정되게 방수성을 나타낼 수 있다. 그 때문에 요철 패턴의 붕괴를 방지하면서 웨이퍼를 안정적으로 세정할 수 있다.In the wafer cleaning method (second method) of the present invention, the protective film formed on the surface of the concavo-convex pattern in the cleaning process can stably exhibit waterproof property. Therefore, the wafer can be stably cleaned while preventing the uneven pattern from collapsing.

또한 공업적으로 웨이퍼를 세정하는 경우, 생산 로트(生産lot) 별로 웨이퍼종이 다른 경우가 있다. 이 경우에 생산 로트에 따른 세정 조건, 즉 요철 패턴 표면에 적당량의 수산기 등을 형성하고 방수성 보호막을 형성하는 조건을 적용시킬 필요가 발생한다. 그러나 본 발명의 제2특징을 적용함으로써 웨이퍼종 별로의 세정조건의 변경을 적게 할 수 있다.
Also, when cleaning wafers industrially, the wafer paper may be different for each production lot (production lot). In this case, there is a need to apply a cleaning condition according to the production lot, that is, a condition for forming a proper amount of hydroxyl group or the like on the surface of the relief pattern and forming a waterproof protective film. However, by applying the second feature of the present invention, it is possible to reduce the change in the cleaning condition for each wafer type.

도1은, 표면이 요철 패턴(2)을 구비하는 면이 된 웨이퍼(1)의 개략적인 평면도이다.
도2는, 도1 중의 ａ-a’단면의 일부를 나타낸 것이다.
도3은, 오목부(4)가 보호막 형성용 약액(8)을 유지한 상태의 모식도를 나타내고 있다.
도4는, 보호막이 형성된 오목부(4)에 액체가 유지된 상태의 모식도를 나타내는 도면이다.Fig. 1 is a schematic plan view of a wafer 1 whose surface is a surface having an uneven pattern 2. Fig.
Fig. 2 shows a part of a cross section taken along the line a-a 'in Fig.
Fig. 3 is a schematic view showing a state in which the concave portion 4 holds the chemical liquid 8 for forming a protective film.
4 is a schematic view showing a state in which the liquid is held in the concave portion 4 in which the protective film is formed.

본 발명의 웨이퍼의 세정방법(제1방법)을 실시하기 전에, 일반적으로는 다음에 드는 전공정(前工程)을 거치는 것이 많다.Before carrying out the cleaning method (first method) of the wafer of the present invention, in general, it goes through all the following steps.

웨이퍼 표면을 미세한 요철 패턴을 구비하는 면으로 하는 패턴 형성공정,A pattern forming step of making the surface of the wafer a surface having a fine uneven pattern,

전처리세정액을 사용하여 웨이퍼 표면을 세정하는 전세정공정(前洗淨工程)(Pre-washing step) for cleaning the surface of the wafer by using a pretreatment cleaning liquid,

또, 전세정공정은 경우에 따라서는 생략되는 경우도 있다.In some cases, the charring and fixing process may be omitted.

상기 패턴 형성공정에 있어서, 웨이퍼 표면에 미세한 패턴을 형성할 수 있는 것이면 그 방법은 한정되지 않지만, 일반적 방법으로서는, 상기 웨이퍼 표면에 레지스트를 도포한 뒤, 레지스트 마스크를 통하여 레지스트에 노광(露光)하고, 노광된 레지스트 또는 노광되지 않은 레지스트를 에칭 제거함으로써 원하는 요철 패턴을 구비하는 레지스트를 제작한다. 또한 레지스트에 패턴을 구비하는 몰드를 가압하는 것으로도 요철 패턴을 구비하는 레지스트를 얻을 수 있다. 다음에 웨이퍼를 에칭한다. 이때에 레지스트 패턴의 오목한 부분이 선택적으로 에칭된다. 마지막으로 레지스트를 박리하면 미세한 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼가 얻어진다.The method is not limited as long as it can form a fine pattern on the surface of the wafer in the pattern forming step. As a general method, a resist is applied to the surface of the wafer, exposed to a resist through a resist mask , The exposed resist or the unexposed resist is removed by etching to prepare a resist having a desired concave-convex pattern. Also, by pressing a mold having a pattern on a resist, a resist having an uneven pattern can be obtained. Next, the wafer is etched. At this time, concave portions of the resist pattern are selectively etched. Finally, when the resist is peeled off, a wafer having a fine irregular pattern is obtained.

상기 웨이퍼로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 및/또는 실리카(ＳｉＯ2)를 포함하는 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼, 실리콘카바이드 웨이퍼(silicon carbide wafer), 사파이어 웨이퍼(Sapphire wafer), 각종 화합물 반도체 웨이퍼, 플라스틱 웨이퍼 등의 표면을 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈 및 루테늄의 금속계의 물질 및 실리콘 원소를 포함하는 물질의 층으로 피복(被覆)한 것 또는 웨이퍼 상에 다층막(多層膜)을 형성하고 그 중의 적어도 1층이 상기 물질의 층인 것 등을 들 수 있고, 상기한 요철 패턴 형성공정은 상기 물질의 층을 포함하는 층에 있어서 이루어진다. 또한 상기 요철 패턴을 형성했을 때에 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 상기 물질로 이루어지는 것도 포함된다. 또한 웨이퍼 상에 요철 패턴을 형성하고 그 요철 패턴의 표면에 상기 물질의 층을 형성한 것도 포함한다.The wafer may be a wafer composed of a plurality of components including a silicon wafer, silicon and / or silica (SiO 2 ), a silicon carbide wafer, a sapphire wafer, various compound semiconductor wafers, The surface of which is coated with a layer of a material including a metallic material such as titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride and ruthenium and a silicon element, or a multilayer film And at least one of the layers is a layer of the material, and the step of forming the concavo-convex pattern is performed in a layer including the layer of the material. Also, at least a part of the concavo-convex pattern when the concave-convex pattern is formed includes the material. And a step of forming a concave-convex pattern on the wafer and forming a layer of the material on the surface of the concave-convex pattern.

또한 상기 물질을 포함하는 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼에 대하여도 상기 물질의 표면에 상기 보호막을 형성할 수 있다. 상기 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼로서는, 상기 물질이 웨이퍼 표면에 형성된 것 또는 요철 패턴을 형성했을 때에 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 상기 물질로 이루어지는 것도 포함된다. 또, 본 발명의 약액으로 보호막을 형성할 수 있는 것은, 상기 요철 패턴 중의 적어도 상기 물질부분의 표면이다.Also, the protective film may be formed on the surface of the material for a wafer composed of a plurality of components including the above-mentioned material. The wafer composed of the plurality of components also includes the material formed on the surface of the wafer or at least a part of the irregular pattern when the irregular pattern is formed. It is the surface of at least the material portion of the uneven pattern that can form the protective film with the chemical liquid of the present invention.

상기 전세정공정에 있어서 사용하는 세정액의 예로서는, 물, 유기용매, 물과 유기용매의 혼합액, 및 그들에 과산화수소, 오존, 산, 알칼리 중 적어도 1종이 혼합된 혼합액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 들 수 있다. 또한 상기한 세정액 중에서 복수 종류의 세정액을 순차적으로 치환하여 세정을 하여도 좋다.Examples of the cleaning liquid to be used in the above-mentioned process include a water, an organic solvent, a mixture of water and an organic solvent, and a mixture of at least one of hydrogen peroxide, ozone, acid, . Further, a plurality of types of cleaning liquids may be sequentially replaced in the cleaning liquid.

상기 전세정공정에 있어서, 레지스트를 제거하고 웨이퍼 표면의 파티클 등을 제거한 후에 건조 등에 의하여 상기 세정액을 제거할 때에, 오목부의 폭이 작고 볼록부의 애스펙트비가 크면 패턴 붕괴가 발생하기 쉬워진다. 상기 요철 패턴은, 도1 및 도2에 나타내는 바와 같이 정의된다. 도1은, 표면이 요철 패턴(2)을 구비하는 면이 된 웨이퍼(1)의 개략적인 평면도를 나타내고, 도2는, 도1 중의 ａ-a’단면의 일부를 나타낸 것이다. 오목부의 폭(5)은, 도2에 나타나 있는 바와 같이 볼록부(3)과 볼록부(3)의 간격으로 나타내지고, 볼록부의 애스펙트비는, 볼록부의 높이(6)를 볼록부의 폭(7)으로 나눈 것으로 나타내진다. 세정공정에서의 패턴 붕괴는, 오목부의 폭이 70ｎｍ 이하, 특히는 45ｎｍ 이하, 애스펙트비가 4이상, 특히는 6이상일 때에 발생하기 쉬워진다.When the resist is removed and particles or the like on the surface of the wafer is removed and then the cleaning liquid is removed by drying or the like, the pattern collapse tends to occur when the width of the concave portion is small and the aspect ratio of the convex portion is large. The concavo-convex pattern is defined as shown in Fig. 1 and Fig. Fig. 1 shows a schematic plan view of a wafer 1 whose surface is a surface having an uneven pattern 2, and Fig. 2 shows a part of a section a-a 'in Fig. The width 5 of the concave portion is represented by the distance between the convex portion 3 and the convex portion 3 as shown in Fig. 2 and the aspect ratio of the convex portion is set such that the height 6 of the convex portion is equal to the width 7 ). The pattern collapse in the cleaning process tends to occur when the width of the concave portion is 70 nm or less, particularly 45 nm or less, and the aspect ratio is 4 or more, particularly 6 or more.

이하에, 본 발명의 제1특징(상기의 제1방법 및 제5 내지 제9방법)을 상세하게 설명한다. 이하의 기재에 있어서 간략화를 위하여 제1특징이라고 기재하는 것을 생략하는 것도 있다.Hereinafter, the first feature of the present invention (the first method and the fifth to ninth methods) will be described in detail. For the sake of simplicity, the description of the first characteristic may be omitted in the following description.

본 발명의 웨이퍼의 세정방법(제1방법)은,A cleaning method (first method) of a wafer of the present invention is a cleaning method

웨이퍼 표면을 개질하는 전처리공정(예를 들면 산화처리공정)A pretreatment step (for example, an oxidation treatment step) for modifying the wafer surface,

상기 웨이퍼 표면에 방수성 보호막을 형성하기 위한 방수성 보호막 형성제를 함유하는 방수성 보호막 형성용 약액을 상기 웨이퍼의 적어도 오목부에 유지시키고, 상기 오목부 표면에 방수성 보호막을 형성하는 방수성 보호막 형성공정을 구비한다.And a waterproof protective film forming step of holding a waterproof protective film forming chemical liquid containing a waterproof protective film forming agent for forming a waterproof protective film on the surface of the wafer in at least a recessed portion of the wafer and forming a waterproof protective film on the surface of the recessed portion .

산화처리공정에서는, 웨이퍼 표면을 산화시킨다. 본 발명의 세정방법에서는, 표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈, 루테늄 및 실리콘 원소를 포함하는 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼를 대상으로 하고 있어, 상기 웨이퍼 표면 중 적어도 상기 물질로 이루어지는 부분을 산화시키게 된다. 이 산화에 의하여 상기 물질 표면에 수산기가 형성되고, 뒤의 공정인 방수성 보호막 형성공정에 있어서 사용하는 방수성 보호막 형성용 약액과 상기 수산기를 반응시키는 것이 가능하게 된다.In the oxidation treatment step, the wafer surface is oxidized. In the cleaning method of the present invention, in a wafer having a concavo-convex pattern formed on its surface, at least a part of the concave surface of the concavo-convex pattern includes at least one of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, ruthenium, And at least one material selected from the group consisting of a material selected from the group consisting of at least one of the materials. By this oxidation, a hydroxyl group is formed on the surface of the material, and it becomes possible to react the chemical for forming a waterproof protective film used in the waterproof protective film forming step, which will be described later, and the hydroxyl group.

본 발명의 웨이퍼의 세정방법에 있어서 패턴 붕괴를 발생시키지 않고 효율적으로 세정하기 위해서는, 상기 산화처리공정부터 방수성 보호막 형성공정을 웨이퍼의 적어도 오목부에 항상 액체가 유지된 상태에서 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 전세정공정을 실시하는 경우에는, 전세정공정부터 방수성 보호막 형성공정을 웨이퍼의 적어도 오목부에 항상 액체가 유지된 상태에서 하는 것이 바람직하다. 또한 방수성 보호막 형성공정 후에 웨이퍼의 오목부에 유지된 방수성 보호막 형성용 약액을 그 밖의 액체로 치환하는 경우에도, 상기와 마찬가지로 웨이퍼의 적어도 오목부에 항상 액체가 유지된 상태에서 하는 것이 바람직하다. 또 본 발명에 있어서, 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부에 상기 산화처리액, 상기 약액이나 그 밖의 액체를 유지할 수 있는 것이면, 상기 웨이퍼의 세정 방식은 특별하게 한정되지 않는다. 웨이퍼의 세정 방식으로서는, 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하여 회전시키면서 회전중심 부근에 액체를 공급하여 웨이퍼를 1매씩 세정하는 스핀 세정(spin洗淨)으로 대표되는 매엽방식(枚葉方式)이나, 세정조(洗淨槽) 내에서 복수 매의 웨이퍼를 침지(浸漬)시켜 세정하는 배치방식(batch方式)을 들 수 있다. 또, 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부에 상기 산화처리액, 상기 약액이나 그 밖의 액체를 공급할 때의 상기 약액이나 세정액의 형태로서는, 상기 오목부에 유지되었을 때에 액체가 되는 것이면 특별하게 한정되지 않고 예를 들면, 액체, 증기(蒸氣) 등이 있다.In order to efficiently clean the wafer without deteriorating the pattern collapse in the wafer cleaning method of the present invention, it is preferable that the oxidation protection process, the waterproof protective film formation process, and the liquid are always maintained in at least the concave portions of the wafer. Further, in the case of performing the above-described process, it is preferable that the process of forming the waterproof protective film from the pre-deposition process is performed while keeping the liquid at least in the concave portion of the wafer. Further, even when the waterproof protective film forming chemical liquid retained in the concave portion of the wafer is replaced with another liquid after the waterproof protective film forming step, it is preferable that the liquid is always kept in at least the concave portion of the wafer as in the above case. Further, in the present invention, the cleaning method of the wafer is not particularly limited as far as it can hold the oxidizing solution, the chemical liquid and other liquids in at least concave portions of the concave-convex pattern of the wafer. As a cleaning method of the wafer, there is a wafer-type (sheet-like) method typified by a spin cleaning method in which the wafer is rotated almost horizontally while supplying liquid to the vicinity of the rotation center to clean the wafer one by one, (Batch method) in which a plurality of wafers are immersed and cleaned in a washing tank. The shape of the chemical liquid or the cleaning liquid when supplying the oxidizing liquid, the chemical liquid or other liquid to at least the concave portion of the concavo-convex pattern of the wafer is not particularly limited as long as it becomes liquid when held in the concave portion For example, liquid, vapor (steam) and the like.

상기 산화처리공정에 있어서 웨이퍼 표면의 산화는, 웨이퍼 표면이 산화되면 특별하게 한정되지 않지만, 웨이퍼 표면에 산화처리액을 유지하는 방법에 의한 것이 바람직하다. 웨이퍼 표면에 산화처리액을 유지하는 방법은, 매엽방식이면 웨이퍼를 회전시키면서 회전중심 부근에 액체를 공급하여 뿌려서 흘리는 방법 등을 들 수 있고, 배치방식이면 산화처리액 중에 침지시키는 방법 등을 들 수 있다. 또한 상기 산화처리액으로서, 오존을 포함하는 처리액, 과산화수소를 포함하는 처리액 및 산을 포함하는 처리액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 처리액을 사용하면, 이들의 산화처리액은 강력한 산화제(酸化劑)이기 때문에 웨이퍼의 표면의 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈, 루테늄 및 실리콘 원소를 포함하는 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 적합하게 산화시키는 것이 가능하다.Oxidation of the surface of the wafer in the oxidation treatment step is not particularly limited as long as the surface of the wafer is oxidized. However, it is preferable that the oxidation treatment liquid is held on the surface of the wafer. The method of holding the oxidation processing liquid on the wafer surface includes a method in which the liquid is supplied and sprinkled around the rotation center while rotating the wafer while the wafers are being rotated in a wobbled manner, have. When at least one treatment liquid selected from the group consisting of a treatment liquid containing ozone, a treatment liquid containing hydrogen peroxide, and a treatment liquid containing an acid is used as the oxidation treatment liquid, The at least one material selected from the group consisting of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, ruthenium and silicon elements on the surface of the wafer is suitably oxidized It is possible.

상기 산화처리공정은, 상온의 산화처리액을 사용하여 해도 좋고, 30∼200도로 가온(加溫)된 산화처리액을 사용하여 해도 좋다. 일반적으로 금속이나 질화물은 보다 고온에서 산화되기 쉬운 경향이 있어 산화처리액을 30∼200도로 가온하여 처리하는 것이 바람직하다. 100도 이상의 산화처리액을 사용하여 처리를 할 경우, 대부분이 물로 이루어지는 산화처리액이면 상기 처리액이 비등(沸騰)하기 때문에 상압(常壓)에서는 온도를 올릴 수 없게 된다. 그 때문에 100도 이상의 산화처리액을 사용하여 처리를 하는 경우에는 물과 다른 용매를 사용하는 것이 바람직하다.The oxidation treatment step may be an oxidizing treatment solution at room temperature or an oxidation treatment solution heated at 30 to 200 degrees. In general, metals or nitrides tend to be oxidized at higher temperatures, and it is preferable to heat the oxidation treatment solution at 30 to 200 degrees. When the treatment is carried out using an oxidation treatment liquid having a temperature of 100 DEG C or higher, the temperature of the treatment liquid can not be raised at atmospheric pressure because the treatment liquid boils when the treatment liquid is an oxidation treatment liquid composed mostly of water. Therefore, when the treatment is carried out using an oxidation treatment liquid having a temperature of 100 DEG C or higher, it is preferable to use water and another solvent.

다음에 방수성 보호막 형성공정에 대하여 설명한다. 상기 산화처리공정으로부터 방수성 보호막 형성공정으로의 이행은, 산화처리공정에 있어서 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부에 유지되어 있었던 산화처리액으로부터 방수성 보호막 형성용 약액으로 치환됨으로써 이루어진다. 이 산화처리액으로부터 방수성 보호막 형성용 약액으로의 치환에 있어서는, 직접 치환되어도 좋고, 다른 세정액Ａ(이후, 간단하게 「세정액A」라고 기재하는 경우가 있다)로 한 차례이상 치환된 후에 방수성 보호막 형성용 약액으로 치환되어도 좋다. 상기 세정액A의 바람직한 예로서는, 물, 유기용매, 물과 유기용매의 혼합물 또는 그들에 산, 알칼리, 계면활성제 중 적어도 1종 이상이 혼합된 것 등을 들 수 있다. 또한 상기 세정액A의 바람직한 예의 하나인 유기용매의 예로서는, 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매(halogen元素 含有溶媒), 술폭시드계 용매(sulfoxide系 溶媒), 알코올류, 다가(多價) 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등을 들 수 있다.Next, the waterproof protective film forming process will be described. The transition from the oxidation treatment step to the waterproof protective film formation step is carried out by replacing the waterproof protective film forming chemical liquid from the oxidation treatment liquid held in at least the concave portion of the concavo-convex pattern of the wafer in the oxidation treatment step. The replacement of the oxidation-treatment liquid with the water-proof protective film-forming chemical liquid may be directly carried out, or may be replaced with another cleaning liquid A (hereinafter simply referred to as "cleaning liquid A" Or may be substituted with a drug solution. Preferable examples of the cleaning liquid A include water, an organic solvent, a mixture of water and an organic solvent, or a mixture of at least one of an acid, an alkali and a surfactant. Examples of the organic solvent which is one of preferred examples of the cleaning liquid A include hydrocarbon solvents such as hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen element-containing solvents (halogen element-containing solvents), sulfoxide- A derivative of a polyvalent alcohol, and a nitrogen element-containing solvent.

상기 방수성 보호막 형성공정에 있어서 방수성 보호막의 형성은, 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부에 방수성 보호막 형성용 약액을 유지함으로써 이루어진다. 도3은, 오목부(4)가 방수성 보호막 형성용 약액(8)을 유지한 상태의 모식도를 나타내고 있다. 도3의 모식도의 웨이퍼는, 도1의 ａ-a’단면의 일부를 나타내는 것이다. 이 방수성 보호막 형성공정시에 방수성 보호막 형성용 약액이 요철 패턴(2)이 형성된 웨이퍼(1)에 제공된다. 이때에 방수성 보호막 형성용 약액은 도3에 나타나 있는 바와 같이 적어도 오목부(4)에 유지된 상태가 되고, 오목부(4)의 표면이 방수화된다. 또 본 발명의 보호막은, 반드시 연속적으로 형성되어 있지 않아도 좋고 또한 반드시 균일하게 형성되어 있지 않아도 좋지만, 보다 우수한 방수성을 부여할 수 있기 위해서 연속적으로 또한 균일하게 형성되어 있는 것이 더 바람직하다.The formation of the waterproof protective film in the waterproof protective film forming step is carried out by holding the waterproof protective film forming chemical liquid in at least the concave portions of the concavo-convex pattern of the wafer. Fig. 3 shows a schematic diagram of a state in which the recess 4 holds the chemical liquid 8 for forming a waterproof protective film. The wafer of the schematic view of Fig. 3 shows a part of a cross section along the line a-a 'in Fig. In this waterproof protective film forming step, a chemical liquid for forming a waterproof protective film is provided on the wafer 1 on which the concavo-convex pattern 2 is formed. At this time, as shown in FIG. 3, the chemical for forming the waterproof protective film is kept at least in the concave portion 4, and the surface of the concave portion 4 is waterproofed. In addition, the protective film of the present invention may or may not necessarily be formed continuously, but it is more preferable that the protective film is formed continuously and uniformly in order to impart better waterproofness.

또한 방수성 보호막 형성공정에서는 약액의 온도를 높게 하면 보다 단시간에 상기 보호막을 형성하기 쉽지만, 방수성 보호막 형성용 약액의 비등이나 증발 등에 의하여 상기 약액의 안정성이 손상될 우려가 있기 때문에, 상기 약액은 10∼160도로 유지되는 것이 바람직하고, 특히는 15∼120도가 바람직하다.In addition, when the temperature of the chemical solution is raised in the waterproofing protective film forming step, the protective film is easily formed in a shorter time. However, since the stability of the chemical solution may be impaired by boiling or evaporation of the chemical for forming the waterproof protective film, It is preferably maintained at 160 degrees, particularly preferably 15 to 120 degrees.

계속하여 방수성 보호막 형성공정에 있어서 사용하는 방수성 보호막 형성용 약액에 대하여 설명한다. 상기 약액은, 하기 일반식[1]로 표현되는 방수성 보호막 형성제를 함유한다. 이것은 상기한 제1방법에 대응한다.Next, the chemical liquid for forming a waterproof protective film used in the waterproof protective film forming step will be described. The chemical liquid contains a waterproof protective film forming agent represented by the following general formula [1]. This corresponds to the first method described above.

Figure 112012077082214-pct00005
Figure 112012077082214-pct00005

[식[1] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, 금속계 웨이퍼의 경우, 식[1]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이며, X는, 각각 서로 독립하여, 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이며, a는 정수 1∼3이다.]R 1 in the formula [1] is a hydrocarbon group in which hydrogen or an unsubstituted or hydrogen atom having 1 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element, and R 1 in the formula [1] 1 is 6 or more, X is a group selected from the group consisting of a monovalent functional group in which the element bonding with the silicon element is nitrogen, a monovalent functional group in which the element bonding with the silicon element is oxygen, and a halogen group And a is an integer of 1 to 3.]

예를 들면 규소 표면을 산화처리하여 얻어지는 산화규소 표면에는 반응 활성점인 수산기가 풍부하게 존재하지만, 일반적으로 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈 및 루테늄 표면에 대하여 상기 산화처리를 하여, 각각 산화티탄, 산화텅스텐, 산화알루미늄, 산화구리, 산화주석, 산화탄탈 및 산화루테늄 표면으로 하여도, 산화규소 표면에 비하면 수산기량이 적다. 이 적은 수산기에 대하여 종래의 실란 커플링제를 반응시켜도 표면에 충분한 방수성을 부여하는 것은 곤란하다. 그러나 소수성기가 보다 강한 소수성을 구비하는 기이면 충분한 방수성을 부여하는 것이 가능하다. R1의 합계 탄소수가 많으면 즉 R1은 보다 강한 소수성을 구비하는 소수성기인 것을 의미하고, 또 R1은 수소원소의 일부 또는 전부가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이더라도 좋다. 특히, R1의 합계 탄소수가 6이상이 되는, 소수성이 강한 소수성기를 구비하는 방수성 보호막 형성제이면, 상기 웨이퍼 표면에 존재하는 수산기가 적어도 충분하게 방수성능이 발현되는 보호막을 형성할 수 있다. 식[1]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이라는 것은, 식[1]에 R1로서 1개∼3개 포함되는 소수성기의 모든 탄소의 수의 합계가 6이상이라고 하는 것을 가리킨다.For example, the surface of the silicon oxide obtained by oxidizing the surface of silicon is abundant in hydroxyl groups, which are reaction active sites. In general, the surface of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride, , The amount of hydroxyl groups is smaller than that of the surface of silicon oxide even when titanium oxide, tungsten oxide, aluminum oxide, copper oxide, tin oxide, tantalum oxide, and ruthenium oxide surfaces are used. It is difficult to impart sufficient waterproofness to the surface even when a conventional silane coupling agent is reacted with such a low hydroxyl group. However, if the hydrophobic group is a group having stronger hydrophobicity, it is possible to impart sufficient water resistance. The total carbon number of R 1 that is large means that the hydrophobic group having a strong hydrophobicity than R 1 is and R 1 may also be part or all of the hydrogen element, even if the hydrocarbon group substituted with a halogen atom. Particularly, when the waterproof protective film forming agent having a hydrophobic group having a total hydrophobic group in which the total number of carbon atoms of R < 1 > is not less than 6, a protective film can be formed in which the hydroxyl groups present on the surface of the wafer are at least sufficiently exhibiting waterproof performance. The fact that the total number of carbon atoms contained in R 1 in the formula [1] is 6 or more means that the total number of carbon atoms in the hydrophobic group containing 1 to 3 R 1 in formula [1] is 6 or more.

또한 일반식[1]의 Ｘ로 표현되는, 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기는, 탄소, 수소, 붕소, 질소, 인, 산소, 유황, 규소, 게르마늄, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등으로 구성되는 관능기이면 좋고, 예를 들면 -ＮＳｉ(ＣＨ3)3기, -ＮＳｉ(ＣＨ3)2C4H9기, -ＮＳｉ(ＣＨ3)2C8H17기, -N(ＣＨ3)2기, -N(C2H5)2기, -N(C3H7)2기, -N(ＣＨ3)(C2H5)기, -ＮＨ(C2H5)기, -ＮＣＯ기, 이미다졸기, 아세트아미드기 등을 들 수 있다.The monovalent functional group represented by X in the general formula [1] wherein the element bonding to the silicon element is nitrogen is at least one element selected from the group consisting of carbon, hydrogen, boron, nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, silicon, germanium, fluorine, If the functional group may be composed of iodine and the like, for example -NSi (CH 3) 3 group, -NSi (CH 3) 2 C 4 H 9 group, -NSi (CH 3) 2 C 8 H 17 group, -N ( CH 3) 2 groups, -N (C 2 H 5) 2 groups, -N (C 3 H 7) 2 groups, -N (CH 3) (C 2 H 5) groups, -NH (C 2 H 5) An -NCO group, an imidazole group, and an acetamide group.

또한 일반식[1]의 Ｘ로 표현되는, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기는, 탄소, 수소, 붕소, 질소, 인, 산소, 유황, 규소, 게르마늄, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등으로 구성되는 관능기이면 좋고, 예를 들면 -ＯＣＨ3기, -ＯＣ2H5기, -ＯＣ3H7기, -ＯＣＯＣＨ3기, -ＯＣＯＣＦ3기 등을 들 수 있다.The monovalent functional group represented by X in the general formula [1] wherein the element bonding to the silicon element is oxygen is at least one element selected from the group consisting of carbon, hydrogen, boron, nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, silicon, germanium, fluorine, If the functional group may be composed of iodine and the like, for example, a group -OCH 3, -OC 2 H 5 group, -OC 3 H 7 group, -OCOCH 3 group, -OCOCF 3, and so on.

또한 일반식[1]의 Ｘ로 표현되는 할로겐기로서는 -F기, -Ｃｌ기, -Ｂｒ기, -I기 등을 들 수 있다.The halogen group represented by X in the general formula [1] includes a -F group, -Cl group, -Br group, -I group, and the like.

상기 일반식[1]의 Ｘ로 표현되는 기는, 상기 웨이퍼 표면의 수산기와 반응하여 상기 규소화합물 중의 규소원소와 상기 웨이퍼 표면의 사이에 결합을 형성함으로써 보호막을 형성할 수 있다.The group represented by X in the general formula [1] can form a protective film by reacting with the hydroxyl group on the surface of the wafer to form a bond between the silicon element in the silicon compound and the surface of the wafer.

일반식[1]로 표현되는 규소화합물로서는, 예를 들면 C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C5H11(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C6H13(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C7H15(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C8H17(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C9H19(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C10H21(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C11H23(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C12H25(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C13H27(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C14H29(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C15H31(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C16H33(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C17H35(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C18H37(ＣＨ3)ＨＳｉＣｌ, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ, (C2H5)3ＳｉＣｌ, C3H7(C2H5)2ＳｉＣｌ, C4H9(C2H5)2ＳｉＣｌ, C5H11(C2H5)2ＳｉＣｌ, C6H13(C2H5)2ＳｉＣｌ, C7H15(C2H5)2ＳｉＣｌ, C8H17(C2H5)2ＳｉＣｌ, C9H19(C2H5)2ＳｉＣｌ, C10H21(C2H5)2ＳｉＣｌ, C11H23(C2H5)2ＳｉＣｌ, C12H25(C2H5)2ＳｉＣｌ, C13H27(C2H5)2ＳｉＣｌ, C14H29(C2H5)2ＳｉＣｌ, C15H31(C2H5)2ＳｉＣｌ, C16H33(C2H5)2ＳｉＣｌ, C17H35(C2H5)2ＳｉＣｌ, C18H37(C2H5)2ＳｉＣｌ, (C4H9)3ＳｉＣｌ, C5H11(C4H9)2ＳｉＣｌ, C6H13(C4H9)2ＳｉＣｌ, C7H15(C4H9)2ＳｉＣｌ, C8H17(C4H9)2ＳｉＣｌ, C9H19(C4H9)2ＳｉＣｌ, C10H21(C4H9)2ＳｉＣｌ, C11H23(C4H9)2ＳｉＣｌ, C12H25(C4H9)2ＳｉＣｌ, C13H27(C4H9)2ＳｉＣｌ, C14H29(C4H9)2ＳｉＣｌ, C15H31(C4H9)2ＳｉＣｌ, C16H33(C4H9)2ＳｉＣｌ, C17H35(C4H9)2ＳｉＣｌ, C18H37(C4H9)2ＳｉＣｌ, ＣＦ3C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C2F5C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C3F7C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C4F9C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C5F11C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C6F13C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C7F15C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C8F17C2H4(C4H9)2ＳｉＣｌ, C5H11(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C6H13(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C7H15(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C8H17(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C9H19(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C10H21(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C11H23(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C12H25(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C13H27(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C14H29(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C15H31(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C16H33(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C17H35(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C18H37(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C3F7C2H4(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C4F9C2H4(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C5F11C2H4(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C6F13C2H4(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C7F15C2H4(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C8F17C2H4(ＣＨ3)ＳｉＣｌ2, C6H13ＳｉＣｌ3, C7H15ＳｉＣｌ3, C8H17ＳｉＣｌ3, C9H19ＳｉＣｌ3, C10H21ＳｉＣｌ3, C11H23ＳｉＣｌ3, C12H25ＳｉＣｌ3, C13H27ＳｉＣｌ3, C14H29ＳｉＣｌ3, C15H31ＳｉＣｌ3, C16H33ＳｉＣｌ3, C17H35ＳｉＣｌ3, C18H37ＳｉＣｌ3, C4F9C2H4ＳｉＣｌ3, C5F11C2H4ＳｉＣｌ3, C6F13C2H4ＳｉＣｌ3, C7F15C2H4ＳｉＣｌ3, C8F17C2H4ＳｉＣｌ3 등의 클로로실란계 화합물을 들 수 있다.As the silicon compound represented by the general formula (1), for example, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiCl, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiCl, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiCl, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiCl , C 8 H 17 (CH 3) 2 SiCl, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiCl, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiCl, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiCl, C1 2 H 25 ( CH 3) 2 SiCl, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiCl, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiCl, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiCl, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiCl, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiCl, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiCl, C 5 H 11 (CH 3) HSiCl, C 6 H 13 (CH 3) HSiCl, C 7 H 15 (CH 3) HSiCl, C 8 H 17 (CH 3) HSiCl, C 9 H 19 (CH 3) HSiCl, C 10 H 21 (CH 3) HSiCl, C 11 H 23 (CH 3) HSiCl, C 12 H 25 (CH 3) HSiCl, C 13 H 27 (CH 3) HSiCl, C 14 H 29 (CH 3) HSi l, C 15 H 31 (CH 3) HSiCl, C 16 H 33 (CH 3) HSiCl, C 17 H 35 (CH 3) HSiCl, C 18 H 37 (CH 3) HSiCl, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiCl, (C 2 H 5) 3 SiCl, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 6 H 13 ( C 2 H 5) 2 SiCl, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 14 H 29 (C 2 H 5 ) 2 SiCl, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 Si l, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiCl, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiCl, (C 4 H 9) 3 SiCl, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 13 H 27 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiCl, CF 3 C 2 H 4 (C 4 H 9) 2 SiCl, C 2 F 5 C 2 H 4 (C 4 H 9) 2 SiCl , C 3 F 7 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 4 F 9 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 5 F 11 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl 4, C 6 F 13 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 7 F 15 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 8 F 17 C 2 H 4 (C 4 H 9 ) 2 SiCl, C 5 H 11 ( CH 3) SiC 2, C 6 H 13 (CH 3) SiCl 2, C 7 H 15 (CH 3) SiCl 2, C 8 H 17 (CH 3) SiCl 2, C 9 H 19 (CH 3) SiCl 2, C 10 H 21 (CH 3) SiCl 2, C 11 H 23 (CH 3) SiCl 2, C 12 H 25 (CH 3) SiCl 2, C 13 H 27 (CH 3) SiCl 2, C 14 H 29 (CH 3) SiCl 2 , C 15 H 31 (CH 3 ) SiCl 2, C 16 H 33 (CH 3) SiCl 2, C 17 H 35 (CH 3) SiCl 2, C 18 H 37 (CH 3) SiCl 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) SiCl 2 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3 ) SiCl 2 , C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3 ) SiCl 2 , C 6 F 13 C 2 H 4 3) SiCl 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) SiCl 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) SiCl 2, C 6 H 13 SiCl 3, C 7 H 15 SiCl 3, C 8 H 17 SiCl 3 , C 9 H 19 SiCl 3 , C 10 H 21 SiCl 3 , C 11 H 23 SiCl 3 , C 12 H 25 SiCl 3 , C 13 H 27 SiCl 3 , C 14 H 29 SiCl 3 , C 15 H 31 SiCl 3 , C 16 H 33 SiCl 3 , C 17 H 35 SiCl 3 , C 18 H 37 SiCl 3 , C 4 F 9 C 2 H 4 SiCl 3 , C 5 F 11 C 2 H 4 SiCl 3 , C 6 F 13 C 2 H 4 SiCl 3 , C 7 F 15 C 2 H 4 SiCl 3 , and C 8 F 17 C 2 H 4 SiCl 3 .

또한, 예를 들면 C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C5H11(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C6H13(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C7H15(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C8H17(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C9H19(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C10H21(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C11H23(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C12H25(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C13H27(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C14H29(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C15H31(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C16H33(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C17H35(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C18H37(ＣＨ3)ＨＳｉＯＣＨ3, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣＨ3, (C2H5)3ＳｉＯＣＨ3, C3H7(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C4H9(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C5H11(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C6H13(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C7H15(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C8H17(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C9H19(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C10H21(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C11H23(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C12H25(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C13H27(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C14H29(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C15H31(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C16H33(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C17H35(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, C18H37(C2H5)2ＳｉＯＣＨ3, (C4H9)3ＳｉＯＣＨ3, C5H11(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C6H13(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C7H15(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C8H17(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C9H19(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C10H21(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C11H23(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C12H25(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C13H27(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C14H29(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C15H31(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C16H33(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C17H35(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C18H37(C4H9)2ＳｉＯＣＨ3, C5H11(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C6H13(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C7H15(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C8H17(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C9H19(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C10H21(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C11H23(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C12H25(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C13H27(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C14H29(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C15H31(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C16H33(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C17H35(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C18H37(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C3F7C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C4F9C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C5F11C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C6F13C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C7F15C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C8F17C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣＨ3)2, C6H13Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C7H15Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C8H17Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C9H19Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C10H21Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C11H23Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C12H25Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C13H27Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C14H29Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C15H31Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C16H33Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C17H35Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C18H37Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C4F9C2H4Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C5F11C2H4Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C6F13C2H4Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C7F15C2H4Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C8F17C2H4Ｓｉ(ＯＣＨ3)3, C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＯＣ2H5, (C2H5)3ＳｉＯＣ2H5, C3H7(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C4H9(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C5H11(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C6H13(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C7H15(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C8H17(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C9H19(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C10H21(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C11H23(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C12H25(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C13H27(C2H5)22ＳｉＯＣ2H5, C14H29(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C15H31(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C16H33(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C17H35(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, C18H37(C2H5)2ＳｉＯＣ2H5, (C4H9)3ＳｉＯＣ2H5, C5H11(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C6H13(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C7H15(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C8H17(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C9H19(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C10H21(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C11H23(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C12H25(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C13H27(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C14H29(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C15H31(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C16H33(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C17H35(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C18H37(C4H9)2ＳｉＯＣ2H5, C5H11(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C6H13(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C7H15(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C8H17(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C9H19(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C10H21(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C11H23(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C12H25(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C13H27(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C14H29(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C15H31(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C16H33(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C17H35(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C18H37(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C3F7C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C4F9C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C5F11C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C6F13C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C7F15C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C8F17C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＯＣ2H5)2, C6H13Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C7H15Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C8H17Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C9H19Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C10H21Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C11H23Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C12H25Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C13H27Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C14H29Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C15H31Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C16H33Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C17H35Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C18H37Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C4F9C2H4Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C5F11C2H4Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C6F13C2H4Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C7F15C2H4Ｓｉ(ＯＣ2H5)3, C8F17C2H4Ｓｉ(ＯＣ2H5)3 등의 알콕시실란계 화합물을 들 수 있다.Also, for example, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 8 H 17 ( CH 3) 2 SiOCH 3, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiOCH 3 , C 12 H 25 (CH 3 ) 2 SiOCH 3, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 5 H 11 (CH 3) HSiOCH 3, C 6 H 13 (CH 3) HSiOCH 3, C 7 H 15 (CH 3) HSiOCH 3, C 8 H 17 (CH 3) HSiOCH 3, C 9 H 19 (CH 3) HSiOCH 3, C 10 H 21 (CH 3) HSiOCH 3 , C 11 H 23 (CH 3 ) HSiOCH 3, C 12 H 25 (CH 3) SiOCH 3, C 13 H 27 ( CH 3) HSiOCH 3, C 14 H 29 (CH 3) HSiOCH 3, C 15 H 31 (CH 3) HSiOCH 3, C 16 H 33 (CH 3) HSiOCH 3, C 17 H 35 (CH 3) HSiOCH 3, C 18 H 37 (CH 3) HSiOCH 3, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiOCH 3 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiOCH 3, C 7 F 15 C 2 H 4 ( CH 3) 2 SiOCH 3, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiOCH 3, (C 2 H 5) 3 SiOCH 3, C 3 H 7 (C 2 H 5 ) 2 SiOCH 3, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiOC H 3, C 11 H 23 ( C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 14 H 29 ( C 2 H 5) 2 SiOCH 3 , C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3 , C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiOCH 3, (C 4 H 9) 3 SiOCH 3, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 7 H 15 ( C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 10 H 21 ( C 4 H 9) 2 SiOCH 3 , C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3 , C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiOCH 3, C 17 H 35 (C 4 H 9 ) 2 SiOCH 3 , C 18 H 37 (C 4 H 9 ) 2 SiOCH 3 , C 5 H 11 (CH 3 ) Si (OCH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) Si (OCH 3 ) 2, C 9 H 19 ( CH 3) Si (OCH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) Si ( OCH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3 ) Si (OCH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) Si (OCH 3 ) 2 , C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) Si (OCH 3 ) 2 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3 ) Si (OCH 3 ) 2 , C 5 F 11 C 2 H 4 CH 3) Si (OCH 3) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si (OCH 3) 2, C 6 H 13 Si (OCH 3) 3, C 7 H 15 Si (OCH 3) 3, C 8 H 17 Si ( OCH 3) 3, C 9 H 19 Si (OCH 3) 3, C 10 H 21 Si (OCH 3) 3, C 11 H 23 Si (OCH 3) 3, C 12 H 25 Si (OCH 3) 3, C 13 H 27 Si (OCH 3) 3, C 14 H 29 Si (OCH 3) 3, C 15 H 31 Si (OCH 3) 3, C 16 H 33 Si (OCH 3) 3 , C 17 H 35 Si (OCH 3) 3, C 18 H 37 Si (OCH 3) 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, C 5 F 11 C 2 H 4 Si (OCH 3 ) 3, C 6 F 13 C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, C 7 F 15 C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, C 8 F 17 C 2 H 4 Si (OCH 3) 3, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 11 H 23 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 12 H 25 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 13 H 27 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiOC 2 H 5 , C 17 H 35 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 18 H 37 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 8 F 17 C 2 H 4 3) 2 SiOC 2 H 5, (C 2 H 5) 3 SiOC 2 H 5, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiOC 2 H 5, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiOC 2 H 5 , C 5 H 11 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 6 H 13 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 7 H 15 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 8 H 17 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 9 H 19 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 10 H 21 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 11 H 23 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 12 H 25 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 13 H 27 (C 2 H 5 ) 2 2 SiOC 2 H 5 , C 14 H 29 (C 2 H 5 ) 2 SiOC 2 H 5, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiOC 2 H 5, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiOC 2 H 5, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiOC 2 H 5, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiOC 2 H 5, (C 4 H 9) 3 SiOC 2 H 5, C 5 H 11 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 6 H 13 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 7 H 15 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 8 H 17 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 9 H 19 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 10 H 21 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 11 H 23 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 2 O 5 , C 12 H 25 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 13 H 27 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 14 H 29 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 15 H 31 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 16 H 33 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 17 H 35 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 18 H 37 (C 4 H 9 ) 2 SiOC 2 H 5 , C 5 H 11 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 6 H 13 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 7 H 15 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2 , C 8 H 17 (CH 3 ) Si (OC 2 H 5) 2, C 9 H 19 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 10 H 21 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 11 H 23 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 12 H 25 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 13 H 27 (CH 3) Si (OC 2 H 5 ) 2, C 14 H 29 ( CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 15 H 31 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 16 H 33 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 17 H 35 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 18 H 37 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2 , C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si (OC 2 H 5) 2, C 6 H 13 Si (OC 2 H 5) 3, C 7 H 15 Si (OC 2 H 5) 3, C 8 H 17 Si (OC 2 H 5) 3, C 9 H 19 Si (OC 2 H 5) 3, C 10 H 21 Si ( OC 2 H 5) 3, C 11 H 23 Si (OC 2 H 5) 3, C 12 H 25 Si (OC 2 H 5) 3, C 13 H 27 Si (OC 2 H 5) 3, C 14 H 29 Si (OC 2 H 5) 3 , C 15 H 31 Si (OC 2 H 5) 3, C 16 H 33 Si (OC 2 H 5) 3, C 17 H 35 Si (OC 2 H 5) 3, C 18 H 37 Si (OC 2 H 5 ) 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si (OC 2 H 5) 3, C 5 F 11 C 2 H 4 Si (OC 2 H 5) 3, C 6 F 13 C 2 H 4 Si (OC 2 H 5) 3, C 7 F 15 C 2 H 4 Si (OC 2 H 5) 3, C 8 F 17 C 2 H 4 Si (OC 2 H 5) based alkoxysilane, such as 3 Compounds.

또한, 예를 들면 C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＣＯ, (C2H5)3ＳｉＮＣＯ, C3H7(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C4H9(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C5H11(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C6H13(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C7H15(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C8H17(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C9H19(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C10H21(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C11H23(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C12H25(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C13H27(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C14H29(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C15H31(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C16H33(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C17H35(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, C18H37(C2H5)2ＳｉＮＣＯ, (C4H9)3ＳｉＮＣＯ, C5H11(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C6H13(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C7H15(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C8H17(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C9H19(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C10H21(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C11H23(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C12H25(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C13H27(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C14H29(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C15H31(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C16H33(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C17H35(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C18H37(C4H9)2ＳｉＮＣＯ, C5H11(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C6H13(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C7H15(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C8H17(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C9H19(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C10H21(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C11H23(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C12H25(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C13H27(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C14H29(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C15H31(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C16H33(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C17H35(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C18H37(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C3F7C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C4F9C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C5F11C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C6F13C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C7F15C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C8F17C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ(ＮＣＯ)2, C6H13Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C7H15Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C8H17Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C9H19Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C10H21Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C11H23Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C12H25Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C13H27Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C14H29Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C15H31Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C16H33Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C17H35Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C18H37Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C4F9C2H4Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C5F11C2H4Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C6F13C2H4Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C7F15C2H4Ｓｉ(ＮＣＯ)3, C8F17C2H4Ｓｉ(ＮＣＯ)3 등의 이소시아네이트실란계 화합물을 들 수 있다.Also, for example, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiNCO, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiNCO, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiNCO, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiNCO, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiNCO, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiNCO, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiNCO, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiNCO, C 12 H 25 (CH 3 ) 2 SiNCO, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiNCO, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiNCO, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiNCO, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiNCO, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiNCO , C 18 H 37 (CH 3) 2 SiNCO, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNCO, (C 2 H 5) 3 SiNCO, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiNCO , C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiNCO, C 18 H 37 (C 2 H 5 ) 2 SiNCO, (C 4 H 9) 3 SiNCO, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 11 H 23 (C 4 H 9 ) 2 SiNCO, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 Si CO, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 17 H 35 (C 4 H 9 ) 2 SiNCO, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiNCO, C 5 H 11 (CH 3) Si (NCO) 2, C 6 H 13 (CH 3) Si (NCO) 2, C 7 H 15 ( CH 3) Si (NCO) 2 , C 8 H 17 (CH 3) Si (NCO) 2, C 9 H 19 (CH 3) Si (NCO) 2, C 10 H 21 (CH 3) Si (NCO) 2 , C 11 H 23 (CH 3 ) Si (NCO) 2, C 12 H 25 (CH 3) Si (NCO) 2, C 13 H 27 (CH 3) Si (NCO) 2, C 14 H 29 (CH 3 ) Si (NCO) 2, C 15 H 31 (CH 3) Si (NCO) 2, C 16 H 33 (CH 3) Si (NCO) 2, C 17 H 35 (CH 3) Si (NCO) 2, C 18 H 37 (CH 3) Si (NCO) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3 ) Si (NCO) 2 , C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3 ) Si (NCO) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si (NCO) 2, C 6 H 13 Si (NCO) 3, C 7 H 15 Si (NCO) 3, C 8 H 17 Si (NCO) 3, C 9 H 19 Si (NCO) 3, C 10 H 21 Si (NCO) 3, C 11 H 23 Si (NCO) 3, C 12 H 25 Si (NCO) 3, C 13 H 27 Si (NCO) 3, C 14 H 29 Si (NCO) 3, C 15 H 31 Si (NCO) 3, C 16 H 33 Si (NCO) 3, C 17 H 35 Si (NCO) 3, C 18 H 37 Si (NCO) 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si (NCO) 3, C 5 F 11 C 2 H 4 Si (NCO) 3, C 6 F 13 And isocyanate silane compounds such as C 2 H 4 Si (NCO) 3 , C 7 F 15 C 2 H 4 Si (NCO) 3 and C 8 F 17 C 2 H 4 Si (NCO) 3 .

또한, 예를 들면 C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮＨ2, [C4H9(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C5H11(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C6H13(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C7H15(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C8H17(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C9H19(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C10H21(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C11H23(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C12H25(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C13H27(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C14H29(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C15H31(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C16H33(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C17H35(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C18H37(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C2F5C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C3F7C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C4F9C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C5F11C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C6F13C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C7F15C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C8F17C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]2ＮＨ, [(C2H5)3Ｓｉ]2ＮＨ, [C3H7(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C4H9(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C5H11(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C6H13(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C7H15(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C8H17(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C9H19(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C10H21(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C11H23(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C12H25(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C13H27(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C14H29(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C15H31(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C16H33(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C17H35(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C18H37(C2H5)2Ｓｉ]2ＮＨ, [C4H9(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C5H11(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C6H13(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C7H15(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C8H17(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C9H19(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C10H21(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C11H23(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C12H25(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C13H27(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C14H29(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C15H31(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C16H33(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C17H35(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C18H37(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C2F5C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C3F7C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C4F9C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C5F11C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C6F13C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C7F15C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, [C8F17C2H4(ＣＨ3)2Ｓｉ]3N, C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C5H11(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C6H13(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C7H15(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C8H17(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C9H19(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C10H21(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C11H23(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C12H25(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C13H27(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C14H29(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C15H31(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C16H33(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C17H35(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C18H37(ＣＨ3)ＨＳｉＮ(ＣＨ3)2, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, (C2H5)3ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C3H7(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C4H9(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C5H11(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C6H13(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C7H15(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C8H17(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C9H19(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C10H21(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C11H23(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C12H25(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C13H27(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C14H29(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C15H31(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C16H33(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C17H35(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C18H37(C2H5)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, (C4H9)3ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C5H11(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C6H13(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C7H15(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C8H17(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C9H19(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C10H21(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C11H23(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C12H25(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C13H27(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C14H29(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C15H31(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C16H33(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C17H35(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C18H37(C4H9)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2, C5H11(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C6H13(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C7H15(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C8H17(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C9H19(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C10H21(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C11H23(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C12H25(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C13H27(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C14H29(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C15H31(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C16H33(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C17H35(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C18H37(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C3F7C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C4F9C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C5F11C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C6F13C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C7F15C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C8F17C2H4(ＣＨ3)Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]2, C6H13Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C7H15Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C8H17Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C9H19Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C10H21Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C11H23Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C12H25Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C13H27Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C14H29Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C15H31Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C16H33Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C17H35Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C18H37Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C4F9C2H4Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C5F11C2H4Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C6F13C2H4Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C7F15C2H4Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C8F17C2H4Ｓｉ[N(ＣＨ3)2]3, C4H9(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C5H11(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C6H13(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C7H15(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C9H19(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C10H21(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C11H23(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C12H25(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C13H27(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C14H29(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C15H31(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C16H33(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C17H35(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C18H37(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C2F5C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C3F7C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C4F9C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C5F11C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C6F13C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C7F15C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, C8F17C2H4(ＣＨ3)2ＳｉＮ(C2H5)2, (C2H5)3ＳｉＮ(C2H5)2, C3H7(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C4H9(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C5H11(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C6H13(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C7H15(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C8H17(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C9H19(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C10H21(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C11H23(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C12H25(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C13H27(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C14H29(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C15H31(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C16H33(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C17H35(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, C18H37(C2H5)2ＳｉＮ(C2H5)2, (C4H9)3ＳｉＮ(C2H5)2, C5H11(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C6H13(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C7H15(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C8H17(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C9H19(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C10H21(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C11H23(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C12H25(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C13H27(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C14H29(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C15H31(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C16H33(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C17H35(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2, C18H37(C4H9)2ＳｉＮ(C2H5)2 등의 아미노실란계 화합물을 들 수 있다.Also, for example, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiNH 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiNH 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiNH 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiNH 2, C 8 H 17 ( CH 3) 2 SiNH 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiNH 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiNH 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiNH 2 , C 12 H 25 (CH 3 ) 2 SiNH 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiNH 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiNH 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiNH 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiNH 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiNH 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiNH 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2 , C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 6 F 13 C 2 H 4 ( CH 3) 2 SiNH 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiNH 2, [C 4 H 9 (CH 3) 2 Si ] 2 N , [C 5 H 11 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 6 H 13 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 7 H 15 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 8 H 17 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 9 H 19 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 10 H 21 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 11 H 23 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 12 H 25 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 13 H 27 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 14 H 29 (CH 3) 2 Si] 2 NH , [C 15 H 31 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 16 H 33 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 17 H 35 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 18 H 37 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [ C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 2 NH, [(C 2 H 5 ) 3 Si] 2 NH, [C 3 H 7 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 6 H 13 (C 2 H 5 ) 2 Si] 2 NH, [ C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH , [C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 15 H 31 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 18 H 37 ( C 2 H 5) 2 Si] 2 NH, [C 4 H 9 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 5 H 11 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 6 H 13 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 7 H 15 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 8 H 17 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 9 H 19 (CH 3) 2 Si] 3 N , [C 10 H 21 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 11 H 23 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 12 H 25 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 13 H 27 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 14 H 29 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 15 H 31 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 16 H 33 (CH 3) 2 Si] 3 N , [C 17 H 35 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 18 H 37 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 Si] 3 N, [ C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, [C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 Si] 3 N, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 6 H 13 ( CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (CH 3) HSiN ( CH 3) 2, C 10 H 21 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 16 H 33 ( CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (CH 3) HSiN (CH 3) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 3 F 7 C 2 H 4 ( H 3) 2 SiN (CH 3 ) 2, C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2 , C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 ( CH 3) 2 SiN (CH 3 ) 2, (C 2 H 5) 3 SiN (CH 3) 2, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3 ) 2, C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2 , C 10 H 21 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiN ( CH 3) 2, C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (C 2 H 5 ) 2 SiN (CH 3) 2 , C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 Si (CH 3) 2, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiN (CH 3) 2, (C 4 H 9) 3 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 10 H 21 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 15 H 31 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 16 H 33 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiN (CH 3) 2, C 5 H 11 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 6 H 13 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 7 H 15 (CH 3) Si [N ( CH 3) 2] 2, C 8 H 17 (CH 3) Si [N (CH 3 ) 2] 2, C 9 H 19 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 10 H 21 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 11 H 23 (CH 3 ) Si [N (CH 3) 2] 2, C 12 H 25 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 13 H 27 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 14 H 29 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 15 H 31 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 16 H 33 (CH 3) Si [N ( CH 3) 2] 2, C 17 H 35 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 18 H 37 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) Si [N (CH 3 ) 2 ] 2 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3 ) Si [N (CH 3 ) 2 ] 2 , C 5 F 11 C 2 H 4 CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) Si [N (CH 3) 2] 2, C 6 H 13 Si [N (CH 3) 2] 3, C 7 H 15 Si [N (CH 3 ) 2] 3, C 8 H 17 Si [N (CH 3) 2] 3, C 9 H 19 Si [N (CH 3) 2] 3, C 10 H 21 Si [N ( CH 3) 2] 3, C 11 H 23 Si [N (CH 3) 2] 3, C 12 H 25 Si [N (CH 3) 2] 3, C 13 H 27 Si [N (CH 3) 2] 3, C 14 H 29 Si [ N (CH 3) 2] 3, C 15 H 31 Si [N (CH 3) 2] 3, C 16 H 33 Si [N (CH 3) 2] 3, C 17 H 35 Si [N (CH 3) 2] 3, C 18 H 37 Si [N (CH 3) 2] 3, C 4 F 9 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 5 F 11 C 2 H 4 Si [N ( CH 3) 2] 3, C 6 F 13 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 7 F 15 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2 ] 3, C 8 F 17 C 2 H 4 Si [N (CH 3) 2] 3, C 4 H 9 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (CH 3) 2 S N (C 2 H 5) 2 , C 14 H 29 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 ( CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 18 H 37 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 2 F 5 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 3 F 7 C 2 H 4 (CH 3 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 4 F 9 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 5 F 11 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 F 13 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 7 F 15 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 F 17 C 2 H 4 (CH 3) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2, (C 2 H 5 ) 3 SiN (C 2 H 5) 2, C 3 H 7 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 4 H 9 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 5 H 11 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (C 2 H 5 ) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 10 H 21 (C 2 H 5 ) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 13 H 27 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 (C 2 H 5 ) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 16 H 33 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 17 H 35 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , C 18 H 37 (C 2 H 5) 2 SiN (C 2 H 5) 2, (C 4 H 9) 3 SiN (C 2 H 5) 2, C 5 H 11 ( C 4 H 9) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 6 H 13 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 7 H 15 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 8 H 17 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 9 H 19 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 10 H 21 ( C 4 H 9) 2 SiN ( C 2 H 5) 2, C 11 H 23 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 12 H 25 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 13 H 27 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 14 H 29 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 15 H 31 ( C 4 H 9 ) 2 SiN (C 2 H 5 ) 2 , C 16 H 33 (C 4 H 9 ) 2 Si N (C 2 H 5) 2 , C 17 H 35 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2, C 18 H 37 (C 4 H 9) 2 SiN (C 2 H 5) 2 , etc. Aminosilane-based compounds.

또한 일반식[1]의 ａ는 1∼3의 정수이면 좋지만, a가 1 또는 2일 경우에 상기 약액을 장기보존하면, 수분의 혼입 등에 의하여 상기 규소화합물끼리의 중합반응이 일어나기 쉬워 상기 웨이퍼 표면에 방수성 보호막을 안정적으로 형성하기 어려운 경향이 있다. 이것을 고려하면 일반식[1]의 ａ가 3인 경우, 즉 하기 일반식[2]로 표현되는 규소화합물이 바람직하다. 이것은 상기한 제5방법에 대응한다.In the case where a is 1 or 2, if the chemical solution is stored for a long period of time, the polymerization reaction between the silicon compounds tends to occur due to the incorporation of water, The waterproof protective film tends to be difficult to stably form. Considering this, the case where a in the general formula [1] is 3, that is, the silicon compound represented by the following general formula [2] is preferable. This corresponds to the fifth method described above.

Figure 112012077082214-pct00006
Figure 112012077082214-pct00006

[식[2] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, 식[2]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이며(금속계 웨이퍼의 경우), X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.][In the formula [2], R 1 is independently a hydrogen or a hydrocarbon group in which an unsubstituted or hydrogen atom of 1 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element, and the number of carbon atoms contained in R 1 of formula [2] (In the case of a metal-based wafer), X is a monovalent functional group whose element bonding to the silicon element is nitrogen, or a monovalent functional group or halogen group whose oxygen atom is bonded to the silicon element.

또한 상기의 일반식[1]의 ａ가 3인 규소화합물 중, 1개의 Ｒ1이 탄소수가 4∼18의 무치환 탄화수소기 혹은 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, 2개의 Ｒ1이 모두 메틸기로 이루어지는 것, 즉 하기 일반식[3]으로 나타내지는 규소화합물은, 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응성이 높으므로 바람직하다(상기한 제6방법에 대응한다). 이것은, 웨이퍼 표면의 수산기와 상기 규소화합물의 Ｘ로 나타내지는 기와의 반응에 있어서 소수성기에 의한 입체장애가 반응성에 큰 영향을 끼치기 때문이며, 규소원소에 결합하는 알킬 사슬 중에서 가장 긴 1개를 제외한 나머지 두 개는 짧은 편이 바람직하기 때문이다.In the silicon compound represented by the general formula [1] wherein a is 3, one R 1 is an unsubstituted hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms or a hydrocarbon group substituted with a halogen element, and two R 1 s are all methyl groups , That is, the silicon compound represented by the following general formula [3] is preferable because it has high reactivity with the hydroxyl group on the surface of the wafer (corresponding to the sixth method described above). This is because the steric hindrance caused by the hydrophobic group greatly affects the reactivity in the reaction between the hydroxyl group on the surface of the wafer and the group represented by X of the silicon compound and the remaining two alkyl groups bonded to the silicon element Is preferably short.

Figure 112012077082214-pct00007
Figure 112012077082214-pct00007

[식[3] 중, R2는 탄소수가 4∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.]Wherein R 2 is a hydrocarbon group in which an unsubstituted or hydrogen atom having 4 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element and X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, Is a monovalent functional group or a halogen group whose oxygen is oxygen.]

또한 일반식[1]로 표현되는 규소화합물 중, 1개의 Ｒ1이 탄소수가 4∼18이고 적어도 일부의 수소원소가 불소원소에 의하여 치환한 탄화수소기이며, 2개의 Ｒ1이 모두 메틸기로 이루어지는 것, 즉 하기 일반식[4]로 표현되는 규소화합물이면, 웨이퍼 표면에 보다 우수한 방수성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다. 상기와 같은, 적어도 일부의 수소원소가 불소원소에 의하여 치환한 탄화수소기는 특히 소수성이 강한 소수기이기 때문에, 그 결과, 얻어지는 보호막에 보다 우수한 방수성을 부여할 수 있다. 이것은 상기한 제7방법에 대응한다.In the silicon compounds represented by the general formula [1], one R 1 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms, at least a part of hydrogen atoms being substituted by a fluorine atom, and two R 1 s are all methyl groups , That is, the silicon compound represented by the following general formula [4], is preferable since it can give better waterproofness to the wafer surface. Since the hydrocarbon group in which at least a part of the hydrogen element is substituted by the fluorine element as described above is a hydrophobic group having a particularly high hydrophobicity, as a result, it is possible to impart the waterproof property to the obtained protective film. This corresponds to the seventh method described above.

Figure 112012077082214-pct00008
Figure 112012077082214-pct00008

[식[4] 중, R3은 탄소수가 4∼18이고 적어도 일부의 수소원소가 불소원소로 치환된 탄화수소기이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.]Wherein R 3 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms and at least a part of the hydrogen element is substituted with a fluorine element and X is a monovalent functional group whose element bonding with the silicon element is nitrogen, Is a monovalent functional group or a halogen group whose oxygen is oxygen.]

방수성 보호막 형성제는 방수성 보호막 형성용 약액에 적어도 함유되어 있으면 좋고, 각종 유기용매 등을 사용하여 희석할 수 있다. 상기 유기용매는 상기 방수성 보호막 형성제를 용해하는 것이면 좋고, 예를 들면 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등이 적합하게 사용된다. 희석하는 용매로서 물을 사용했을 경우, 물에 의하여 상기 규소화합물의 Ｘ로 나타내지는 기가 가수분해 하여 실라놀기(Ｓｉ-ＯＨ)가 되고, 발생한 실라놀기끼리가 축합반응 함으로써 상기 규소화합물끼리가 결합하여 2량체(dimer)가 생성된다. 이 2량체는 웨이퍼 표면의 수산기와의 반응성이 낮으므로 웨이퍼 표면을 충분하게 방수화할 수 없거나 또는 방수화에 요하는 시간이 길어지는 것 때문에, 물을 용매로서 사용하는 것은 바람직하지 못하다.The waterproofing film forming agent may be contained in the waterproofing protective film forming solution at a minimum, and may be diluted with various organic solvents. The organic solvent is not particularly limited as long as it dissolves the waterproof protective film forming agent. Examples of the organic solvent include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen element-containing solvents, sulfoxide-based solvents, alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, Solvents and the like are suitably used. When water is used as the diluting solvent, the group represented by X of the silicon compound is hydrolyzed by water to form a silanol group (Si-OH), and the generated silanol groups undergo condensation reaction, whereby the silicon compounds are bonded to each other A dimer is generated. Since the dimer has low reactivity with the hydroxyl group on the surface of the wafer, it is not preferable to use water as a solvent because the surface of the wafer can not be sufficiently waterproofed or the time required for waterproofing becomes long.

또한 상기 규소화합물은 프로톤성 용매와 반응하기 쉽기 때문에, 상기 유기용매로서 비프로톤성 용매를 사용하면 단시간에 웨이퍼 표면에 방수성이 발현되기 쉬워지므로 특히 바람직하다. 또 비프로톤성 용매는, 비프로톤성 극성용매와 비프로톤성 비극성용매의 양방이다. 이러한 비프로톤성 용매로서는, 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 수산기를 가지지 않는 다가 알코올의 유도체, N-H결합을 가지지 않는 질소원소 함유용매를 들 수 있다. 상기 탄화수소류의 예로서는, 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세토아세트산에틸 등이 있고, 상기 에테르류의 예로서는, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는, 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤 등이 있고, 상기 할로겐원소 함유용매의 예로서는, 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라H(니혼제온제(製)) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린ＡＥ-3000(아사히글라스제), Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7100, Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7200, Ｎｏｖｅｃ7300, Ｎｏｖｅｃ7600(모두 3Ｍ제) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 술폭시드계 용매의 예로서는 디메틸술폭시드 등이 있고, 상기 수산기를 가지지 않는 다가 알코올 유도체의 예로서는, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등이 있고, N-H결합을 가지지 않는 질소원소 함유용매의 예로서는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 트리에틸아민, 피리딘 등이 있다.Further, since the silicon compound is easily reacted with the protonic solvent, the use of an aprotic solvent as the organic solvent is particularly preferable because the waterproof property is easily expressed on the surface of the wafer in a short time. The aprotic solvent is both aprotic polar solvent and aprotic nonpolar solvent. Examples of such aprotic solvents include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, derivatives of polyhydric alcohols having no hydroxyl groups, and nitrogen-containing solvents having no NH bond . Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and ethyl acetoacetate. Examples of the ethers include di Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone and methyl butyl ketone, and the halogen element-containing Examples of the solvent include perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane and hexafluorobenzene, 1,1,1,3,3-pentafluoro Butane, octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane, and Ziorora H (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) Methyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluoroisobutyl ether, Asahikreen AE-3000 (manufactured by Asahi Glass), Novec HFE-7100, Novec HFE-7200, Novec7300, and Novec7600 (all manufactured by 3M), chlorocarbons such as tetrachloromethane and the like, hydrochlorofluorocarbons such as chloroform, dichlorofluoromethane and the like, chlorofluorocarbons such as dichlorodifluoromethane, 1,1- Dichloro-2,2,3,3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro-3,3,3-trifluoro Perfluoroethers, perfluoropolyethers, and the like. Examples of the sulfoxide-based solvents include, but are not limited to, dichloromethane, chloroform, Dimethyl sulfoxide etc. Examples of the polyhydric alcohol derivative having no hydroxyl group include diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate and the like. Examples of the nitrogen element-containing solvent having no NH bond include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, triethylamine and pyridine.

또한 상기 유기용매로 불연성(不燃性)의 것을 사용하면 방수성 보호막 형성용 약액이 불연성이 되거나 또는 인화점이 높아져, 상기 방수성 보호막 형성용 약액의 위험성이 저하하므로 바람직하다. 할로겐원소 함유용매는 불연성의 것이 많아, 불연성 할로겐원소 함유용매는 불연성 유기용매로서 적합하게 사용할 수 있다.When the organic solvent is nonflammable, the chemical for forming the waterproof protective film may be incombustible or may have a high flash point, thereby reducing the risk of the chemical for forming the waterproof protective film. The halogen-containing solvent is often non-flammable, and the non-flammable halogen-containing solvent can be suitably used as the non-flammable organic solvent.

유기용매에는 미량의 수분이면 존재해도 좋다. 다만 이 수분이 용매에 대량으로 포함되면 규소화합물은 상기 수분에 의하여 가수분해 하여 반응성이 저하하는 경우가 있다. 이 때문에 용매 중의 수분량은 낮게 하는 것이 바람직하며, 상기 수분량은, 상기 규소화합물과 혼합했을 때에 상기 규소화합물의 1몰배(mol倍) 미만으로 하는 것이 바람직하고, 0.5몰배 미만으로 하는 것이 특히 바람직하다.The organic solvent may be present in a minute amount of water. However, when this water is contained in a large amount in a solvent, the silicon compound may be hydrolyzed by the above-mentioned moisture to lower the reactivity. Therefore, the amount of water in the solvent is preferably lowered, and the amount of water is preferably less than 1 mole (mol times), more preferably less than 0.5 mole, of the silicon compound when mixed with the silicon compound.

상기 방수성 보호막 형성용 약액은, 상기 약액의 총량 100질량％ 중에 상기 방수성 보호막 형성제가 0.1∼50질량％ 함유되어 있으면 바람직하고, 보다 적합한 방수성 보호막 형성제의 함유량은 상기 약액의 총량 100질량％에 대하여 0.3∼20질량％이다. 방수성 보호막 형성제가 0.1질량％ 미만에서는 방수성 부여 효과가 불충분하게 되는 경향이 있고, 50질량％보다 많을 경우에는 세정 후에 방수성 보호막 형성제 유래의 성분이 웨이퍼 표면에 불순물로서 잔류할 염려가 있기 때문에 바람직하지 못하다. 또 방수성 보호막 형성제의 사용량이 늘어나기 때문에 비용적인 관점에서 보아도 바람직하지 못하다.It is preferable that the above waterproof protective film forming agent solution contains 0.1 to 50% by mass of the waterproofing protective film forming agent in 100% by mass of the total amount of the chemical solution, and more preferably, the content of the waterproofing film forming agent is 100% 0.3 to 20% by mass. If the waterproofing film forming agent is less than 0.1% by mass, the waterproofing effect tends to become insufficient. If the waterproofing film forming agent is more than 50% by mass, the components derived from the waterproofing protective film forming agent may remain as impurities on the surface of the wafer after cleaning. Can not do it. Also, since the use amount of the waterproof protective film forming agent is increased, it is not preferable from the viewpoint of cost.

상기 약액에는 상기 규소화합물과 웨이퍼 표면의 수산기의 반응을 촉진시키기 위해서 촉매가 첨가되어도 좋다. 이러한 촉매로서, 트리플루오로아세트산, 무수트리플루오로아세트산, 펜타플루오로프로피온산, 무수펜타플루오로프로피온산, 트리플루오로메탄술폰산, 무수트리플루오로메탄술폰산, 황산, 염화수소 등의 물을 포함하지 않는 산, 암모니아, 알킬아민 등의 염기, 피리딘, 디메틸포름아미드 등의 비프로톤성 함질소 용매, 황화암모늄, 아세트산칼륨, 메틸히드록시아민염산염 등의 염, 및 주석, 알루미늄, 티탄 등의 금속착물이나 금속염이 적합하게 사용된다. 특히 촉매효과를 고려하면, 트리플루오로아세트산, 트리플루오로아세트산무수물, 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로메탄술폰산무수물, 황산, 염화수소 등의 산이 바람직하고, 당해 산은 수분을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 또한 상기 촉매는 반응에 의하여 방수성 보호막의 일부를 형성하는 것이어도 좋다.A catalyst may be added to the chemical solution to promote the reaction between the silicon compound and the hydroxyl group on the surface of the wafer. Examples of such catalysts include acids that do not contain water such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, pentafluoropropionic acid, pentafluoropropionic anhydride, trifluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic anhydride, sulfuric acid, , Amphoteric nitrogen-containing solvents such as ammonia and alkylamine, aprotic nitrogen-containing solvents such as pyridine and dimethylformamide, salts such as ammonium sulfide, potassium acetate and methylhydroxyamine hydrochloride, and metal complexes and metal salts such as tin, aluminum and titanium Is suitably used. Particularly, considering the catalytic effect, an acid such as trifluoroacetic acid, trifluoroacetic acid anhydride, trifluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic anhydride, sulfuric acid or hydrogen chloride is preferable, and the acid preferably does not contain water . Further, the catalyst may form a part of the waterproof protective film by the reaction.

특히, 일반식[1] 나타내지는 규소화합물의 소수성기 R1의 탄소수가 많아지면 입체장애 때문에 웨이퍼 표면의 수산기에 대한 상기 규소화합물의 반응성이 저하하는 경우가 있다. 이 경우에는 물을 포함하지 않는 산을 촉매로서 첨가함으로써 웨이퍼 표면의 수산기와 상기 규소화합물의 반응이 촉진되어, 상기와 같은 소수성기의 입체장애에 의한 반응성의 저하를 보완해 주는 경우가 있다.In particular, when the number of carbon atoms of the hydrophobic group R 1 of the silicon compound represented by the general formula [1] is increased, the reactivity of the silicon compound with respect to the hydroxyl group on the surface of the wafer may be lowered due to steric hindrance. In this case, an acid not containing water is added as a catalyst to accelerate the reaction between the hydroxyl group on the wafer surface and the silicon compound, which may compensate for the lowering of the reactivity due to the steric hindrance of the hydrophobic group.

상기 촉매의 첨가량은 상기 규소화합물의 총량 100질량％에 대하여 0.01∼100질량％가 바람직하다. 첨가량이 적어지면 촉매효과가 저하하므로 바람직하지 못하다. 또한 과잉으로 첨가해도 촉매효과는 향상하지 않고, 규소화합물보다도 많게 하면 반대로 촉매효과가 저하하는 경우도 있다. 또한 불순물로서 웨이퍼 표면에 잔류할 염려도 있다. 이 때문에 상기 촉매첨가량은 0.01∼100질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1∼50질량％, 더 바람직하게는 0.2∼20질량％이다.The addition amount of the catalyst is preferably 0.01 to 100 mass% with respect to 100 mass% of the total amount of the silicon compound. When the addition amount is decreased, the catalytic effect is lowered, which is not preferable. In addition, the catalytic effect is not improved even when added in excess, and when the amount is larger than that of the silicon compound, the catalytic effect may be lowered in some cases. There is also a concern that the impurities may remain on the surface of the wafer. Therefore, the added amount of the catalyst is preferably from 0.01 to 100 mass%, more preferably from 0.1 to 50 mass%, and still more preferably from 0.2 to 20 mass%.

방수성 보호막 형성제에 의하여 방수화된 오목부(4)에 액체(9)가 유지되었을 경우의 모식도를 도4에 나타낸다. 도4의 모식도의 웨이퍼는, 도1의 ａ-a’단면의 일부를 나타내는 것이다. 오목부(4)의 표면에는 방수성 보호막 형성제에 의하여 방수성 보호막(10)이 형성되어 있다. 이때에 오목부(4)에 유지되어 있는 액체(9)는, 상기 약액, 상기 약액으로부터 다른 세정액Ｂ (이후, 간단하게 「세정액B」라고 기재하는 경우가 있다)로 치환된 후의 액체(세정액B)이어도 좋고, 치환 도중의 액체(약액과 세정액의 혼합액)이더라도 좋다. 상기 방수성 보호막(10)은 액체(9)가 오목부(4)로부터 제거될 때에도 웨이퍼 표면에 유지되어 있다.Fig. 4 shows a schematic diagram when the liquid 9 is held in the concave portion 4 which is water-proofed by the waterproofing film forming agent. The wafer of the schematic view of Fig. 4 shows a part of a cross section along the line a-a 'in Fig. The waterproof protective film 10 is formed on the surface of the concave portion 4 by a waterproof protective film forming agent. At this time, the liquid 9 held in the recessed portion 4 is transferred to the liquid (cleaning liquid B) after the chemical liquid and the chemical liquid are replaced with another cleaning liquid B (hereinafter simply referred to as " cleaning liquid B " Or may be a liquid (liquid mixture of a chemical liquid and a cleaning liquid) during the substitution. The waterproof protective film 10 is held on the surface of the wafer even when the liquid 9 is removed from the concavity 4.

상기 세정액B의 바람직한 예로서는, 물, 유기용매, 물과 유기용매의 혼합물 또는 그들에 산, 알칼리, 계면활성제 중 적어도 1종 이상이 혼합된 것 등을 들 수 있다. 또한 상기 세정액B의 바람직한 예의 하나인 유기용매의 예로서는, 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등을 들 수 있다.Preferable examples of the cleaning liquid B include water, an organic solvent, a mixture of water and an organic solvent, or a mixture of at least one of an acid, an alkali and a surfactant. Examples of the organic solvent which is one of preferred examples of the cleaning liquid B include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, nitrogen- .

상기 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼의 오목부에 액체가 유지되면 상기 오목부에 모세관력이 작용한다. 이 모세관력의 크기는, 전술한 바와 같이이하에 나타내는 식으로 구해지는 Ｐ의 절대값이다.When a liquid is held in the concave portion of the wafer having the concave-convex pattern, a capillary force acts on the concave portion. The magnitude of this capillary force is the absolute value of P, which is obtained by the following equation as described above.

P = 2 × γ × ｃｏｓθ / ＳP = 2 x? X cos? / S

(식 중, γ는 오목부에 유지되어 있는 액체의 표면장력, θ는 오목부 표면과 오목부에 유지되어 있는 액체가 이루는 접촉각, S는 오목부의 폭이다.)(Where? Is the surface tension of the liquid held in the recess,? Is the contact angle between the surface of the recess and the liquid held in the recess, and S is the width of the recess).

도4의 오목부(4)와 같이 오목부 표면에 방수성 보호막이 존재하면, θ가 증대되어 P의 절대값이 감소된다. 패턴 붕괴의 억제의 관점으로부터 P의 절대값은 작을수록 바람직하고, 제거되는 액체와의 접촉각을 90도 부근으로 조정하여 모세관력을 끝없이 0.0ＭＮ/m2에 가깝게 하는 것이 이상적이다.When the waterproof protective film exists on the surface of the concave portion as in the concave portion 4 in Fig. 4,? Increases and the absolute value of P decreases. From the viewpoint of suppressing the pattern collapse, the smaller the absolute value of P is, the better, and it is ideal to adjust the contact angle with the liquid to be removed to about 90 degrees to make the capillary force close to 0.0 MN / m 2 endlessly.

도4와 같이 오목부 표면에 보호막(10)이 형성되었을 때, 상기 표면에 물이 유지되었다고 가정했을 때의 접촉각은 50∼130도이면 패턴 붕괴가 발생하기 어렵기 때문에 바람직하다. 접촉각은 90도에 가까울수록 상기 오목부에 작용하는 모세관력이 작아져 패턴 붕괴가 발생하기 더 어려워지기 때문에 70∼110도가 특히 바람직하다. 또한 예를 들면 선폭(오목부의 폭)이 45ｎｍ의 라인 앤 스페이스(line-and-space) 형상의 패턴의 웨이퍼의 경우에 모세관력이 2.1ＭＮ/m2 이하이면, 패턴 붕괴가 발생하기 어렵기 때문에 바람직하다. 또한 상기 모세관력이 작아지면 패턴 붕괴는 발생하기 더 어려워지기 때문에 상기 모세관력은 1.1ＭＮ/m2 이하가 특히 바람직하다. 또 세정액과의 접촉각을 90도 부근으로 조정하여 모세관력을 끝없이 0.0ＭＮ/m2에 가깝게 하는 것이 이상적이다.As shown in FIG. 4, when the protective film 10 is formed on the surface of the concave portion, it is preferable that the contact angle is 50 to 130 degrees, assuming that water is retained on the surface, since pattern collapse hardly occurs. The closer the contact angle is to 90 degrees, the smaller the capillary force acting on the concave portion becomes, and it becomes more difficult for the pattern collapse to occur. Therefore, 70 to 110 degrees is particularly preferable. In the case of a wafer having a line-and-space pattern having a line width (width of recess) of 45 nm, for example, when the capillary force is 2.1 MN / m 2 or less, pattern collapse is unlikely to occur desirable. Also, since the pattern collapse becomes more difficult to occur when the capillary force is reduced, the capillary force is particularly preferably 1.1 MN / m 2 or less. It is also ideal to adjust the contact angle with the cleaning liquid to about 90 degrees to make the capillary force close to 0.0MN / m 2 endlessly.

계속하여 본 발명의 웨이퍼의 세정방법(제1방법)으로 세정된 후의 상기 웨이퍼의 오목부에 유지된 액체의 제거방법을 설명한다. 이 설명은 본 발명의 제1 및 제2특징에 공통되는 것이다. 또 오목부에 유지되어 있는 액체는 상기 약액, 세정액B 또는 약액과 세정액의 혼합액이다. 상기 액체를 제거하는 방법으로서, 자연건조, 에어건조, N2가스 건조, 스핀건조법, ＩＰＡ(2-프로판올) 증기건조, 마란고니 건조(marangoni 乾燥), 가열건조, 온풍건조, 진공건조 등의 주지의 건조 방법에 의하여 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 액체를 효율적으로 제거하기 위해서 유지된 액체를 배액(排液)하여 제거한 후에 남은 액체를 건조시키더라도 좋다.Next, a method of removing the liquid held in the concave portion of the wafer after cleaning by the cleaning method (first method) of the wafer of the present invention will be described. This description is common to the first and second aspects of the present invention. The liquid retained in the concave portion is the above-mentioned chemical liquid, the cleaning liquid B, or a mixture of the chemical liquid and the cleaning liquid. Examples of the method for removing the liquid include known methods such as natural drying, air drying, N 2 gas drying, spin drying, IPA (2-propanol) steam drying, marangoni drying, hot drying, hot air drying, It is preferable to use a drying method of drying. Further, in order to efficiently remove the liquid, the retained liquid may be drained and removed, and then the remaining liquid may be dried.

마지막으로, 상기의 액체를 제거한 후의 웨이퍼 표면으로부터 방수성 보호막을 제거하는 방법을 설명한다. 이 설명도 본 발명의 제1 및 제2특징에 공통되는 것이다. 상기 방수성 보호막을 제거하는 경우, 상기 보호막 중의 Ｃ-C결합, C-F결합을 절단하는 것이 효과적이다. 그 방법으로서는, 상기 결합을 절단할 수 있는 것이면 특별하게 한정되지 않지만, 예를 들면 웨이퍼 표면을 광조사(光照射)하는 것, 웨이퍼를 가열하는 것, 웨이퍼를 오존 폭로(ozone曝露)하는 것, 웨이퍼 표면에 플라즈마 조사하는 것, 웨이퍼 표면에 코로나 방전(corona放電)하는 것 등을 들 수 있다.Finally, a method for removing the waterproof protective film from the surface of the wafer after removing the liquid is described. This explanation is also common to the first and second aspects of the present invention. In the case of removing the waterproof protective film, it is effective to cut the C-C bond and the C-F bond in the protective film. The method is not particularly limited as long as it can cut the bond. For example, the wafer is irradiated with light, the wafer is heated, the wafer is exposed to ozone, Plasma irradiation on the wafer surface, corona discharge on the wafer surface, and the like.

광조사에 의하여 상기 보호막을 제거하는 경우, 상기 보호막 중의 Ｃ-C결합, C-F결합의 결합에너지인 83ｋｃａｌ/ｍｏｌ, 116ｋｃａｌ/ｍｏｌ에 상당하는 에너지인 340ｎｍ, 240ｎｍ보다 짧은 파장을 포함하는 자외선을 조사하는 것이 바람직하다. 이 광원(光源)으로서는, 메탈할라이드램프(metal halide lamp), 저압수은램프(低壓水銀lamp), 고압수은램프(高壓水銀lamp), 엑시머램프(excimer lamp), 카본 아크(carbon arc) 등이 사용된다.When the protective film is removed by light irradiation, an ultraviolet ray having a wavelength of 340 nm, which is an energy equivalent to 116 kcal / mol, which is the binding energy of C-C bond and CF bond, which is 83 kcal / mol, . As the light source, a metal halide lamp, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an excimer lamp, and a carbon arc are used. do.

또한 광조사로 상기 보호막을 제거하는 경우, 자외선으로 상기 보호막의 구성성분을 분해함과 동시에 오존을 발생시켜 상기 오존에 의하여 상기 보호막의 구성성분을 산화 휘발시키면 처리시간이 짧아지므로 특히 바람직하다. 이 광원으로서, 저압수은램프나 엑시머램프 등이 적합하게 사용된다. 또한 광조사하면서 웨이퍼를 가열하더라도 좋다.In addition, when the protective film is removed by light irradiation, it is particularly preferable to decompose the constituent components of the protective film with ultraviolet rays to generate ozone, and to oxidize the constituent components of the protective film by the ozone, thereby shortening the processing time. As this light source, a low-pressure mercury lamp or an excimer lamp is preferably used. The wafer may be heated while irradiating light.

웨이퍼를 가열하는 경우, 400∼700도, 바람직하게는 500∼700도로 웨이퍼를 가열한다. 이 가열 시간은, 1∼60분간, 바람직하게는 10∼30분간 유지하는 것이 바람직하다. 또한 당해 공정에서는, 오존 폭로, 플라즈마 조사, 코로나 방전 등을 병용하더라도 좋다. 또한 웨이퍼를 가열하면서 광조사를 하여도 좋다.When the wafer is heated, the wafer is heated at 400 to 700 degrees, preferably 500 to 700 degrees. The heating time is preferably maintained for 1 to 60 minutes, preferably 10 to 30 minutes. In this process, ozone exposure, plasma irradiation, corona discharge, or the like may be used in combination. The wafer may be irradiated with light while being heated.

가열에 의하여 상기 보호막을 제거하는 방법은, 웨이퍼를 열원에 접촉시키는 방법, 열처리로(熱處理爐) 등의 가열된 분위기에 웨이퍼를 두는 방법 등이 있다. 또 가열된 분위기에 웨이퍼를 두는 방법은, 복수 매의 웨이퍼를 처리하는 경우에도 웨이퍼 표면에 상기 보호막을 제거하기 위한 에너지를 균질하게 부여하기 쉽기 때문에, 조작이 간편하고 처리가 단시간에 끝나 처리 능력이 높다고 하는 공업적으로 유리한 방법이다.The method of removing the protective film by heating includes a method of bringing the wafer into contact with a heat source, a method of placing the wafer in a heated atmosphere such as a heat treatment furnace, and the like. Further, the method of placing the wafer in a heated atmosphere is easy to apply energy uniformly to the surface of the wafer to remove the protective film even when a plurality of wafers are processed, so that the operation is simple, the processing is short, It is industrially advantageous to say that it is high.

웨이퍼를 오존 폭로하는 경우, 저압수은등 등에 의한 자외선조사나 고전압에 의한 저온방전 등으로 발생시킨 오존을 웨이퍼 표면에 제공하여도 좋다. 웨이퍼를 오존 폭로하면서 광조사하여도 좋고, 가열하더라도 좋다.When the wafer is exposed to ozone, ozone generated by ultraviolet irradiation by a low-pressure mercury lamp or the like or low temperature discharge by a high voltage may be provided on the wafer surface. The wafer may be irradiated with light while exposing it to ozone, or may be heated.

상기의 광조사, 가열, 오존 폭로, 플라즈마 조사, 코로나 방전을 조합시킴으로써 효율적으로 웨이퍼 표면의 보호막을 제거할 수 있다.By combining the above light irradiation, heating, ozone exposure, plasma irradiation, and corona discharge, the protective film on the wafer surface can be efficiently removed.

이하에, 본 발명의 제2특징(상기의 제1 내지 제4방법)을 상세하게 설명한다. 이하의 기재에 있어서 간략화를 위해서 제2특징이라고 기재하는 것을 생략하는 경우도 있다. 또한 제1특징에 관한 상세한 설명과 중복하는 설명에 관해서는 생략하는 경우도 있다.Hereinafter, the second feature of the present invention (first to fourth methods) will be described in detail. For the sake of simplicity, the description of the second characteristic may be omitted in the following description. The description overlapping with the detailed description of the first feature may be omitted.

본 발명의 제2특징의 실시예에 관한 웨이퍼의 적합한 세정방법은,A suitable cleaning method for a wafer according to an embodiment of the second aspect of the present invention,

(공정1)표면에 요철 패턴을 구비하고, 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 실리콘 원소를 포함하는 웨이퍼의 표면(이하, 「요철 패턴의 표면」이라고도 기재한다)에 액체를 제공하고, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 액체를 유지하는 공정,(Step 1) Providing a liquid on a surface of a wafer (hereinafter also referred to as " surface of a concavo-convex pattern ") having a concavo-convex pattern on its surface and at least a part of the concavo-convex pattern including a silicon element, A step of holding the liquid on the concave surface,

(공정2)상기 액체를 방수성 보호막 형성용 약액(이하, 「보호막 형성용 약액」이라고도 기재한다)으로 치환하고, 상기 약액을 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 유지하는 공정,(Step 2) A step of replacing the liquid with a chemical for forming a waterproof protective film (hereinafter also referred to as " protective film forming chemical liquid ") and holding the chemical liquid on at least the concave surface of the concave-

(공정3)요철 패턴의 표면으로부터 액체를 제거하는 공정 및(Step 3) A step of removing the liquid from the surface of the concavo-convex pattern and

(공정4)방수성 보호막(이하, 「보호막」이라고도 기재한다)을 제거하는 공정(Step 4) Step of removing a waterproof protective film (hereinafter also referred to as a " protective film ")

을 구비한다.Respectively.

(공정1)에 있어서의 액체로서는, 적어도 전처리용 약액을 사용한다. 전처리용 약액 이외에, 수계용액(水系溶液)으로 이루어지는 수계 세정액, 및 전처리용 약액과 수계 세정액과는 다른 세정액A의 적어도 1개를 사용하더라도 좋다. 복수의 액체를 사용하는 경우, 전처리용 약액과, 수계 세정액 및 세정액A의 적어도 1개를 조합시켜서 사용해도 좋고, 전처리용 약액과, 수계 세정액 및 세정액A의 적어도 1개를 포함하는 혼합액을 사용하더라도 좋다. (공정1)에서는, 예를 들면 웨이퍼 표면의 세정과 요철 패턴 표면의 개질을 겸하여 전처리용 약액만을 사용하더라도 좋다. 또한 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계 세정액을 유지한 후에, 수계 세정액을 세정액A로 치환하고, 또 세정액A를 전처리용 약액으로 치환하더라도 좋다. 또한 전처리용 약액이 수계 세정액과 치환가능한 경우에는, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계 세정액을 유지한 후에 수계 세정액을 전처리용 약액으로 치환하더라도 좋다.At least the pretreatment liquid is used as the liquid in (Step 1). In addition to the pretreatment liquid, at least one of the aqueous cleaning solution consisting of an aqueous solution (aqueous solution) and the cleaning liquid A different from the pretreatment liquid and the aqueous cleaning solution may be used. When a plurality of liquids are used, at least one of the pretreatment liquid, the aqueous cleaning liquid and the cleaning liquid A may be used in combination, or even if a mixed liquid containing at least one of the pretreatment liquid, the aqueous cleaning liquid and the cleaning liquid A is used good. (Process 1), for example, only the pretreatment liquid may be used in combination with cleaning of the wafer surface and modification of the surface of the concavo-convex pattern. Also, after holding the aqueous cleaning solution on at least the concave surface of the concavo-convex pattern, the aqueous cleaning solution may be replaced with the cleaning solution A, and the cleaning solution A may be replaced with the pretreatment solution. When the pretreatment chemical solution can be replaced with the aqueous cleaning solution, the aqueous cleaning solution may be replaced with the pretreatment solution after holding the aqueous cleaning solution on at least the concave surface of the uneven pattern.

(공정2)의 후에 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 유지된 보호막 형성용 약액을 상기 보호막 형성용 약액과는 다른 세정액B로 치환한 후에 (공정3)으로 가도 좋다. 또한 상기 세정액B로의 치환을 거치고, 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계용액으로 이루어지는 수계 세정액을 유지한 후에 (공정3)으로 가도 좋다. 또한 상기 보호막 형성용 약액이 수계 세정액과 치환가능한 경우에는, 상기 세정액B에 의한 치환을 생략하더라도 괜찮다.(Step 2), the protective film forming liquid retained on the concave portion surface of the concavo-convex pattern may be replaced with the cleaning liquid B different from the liquid for forming the protective film (Step 3). After the replacement with the cleaning liquid B, the aqueous cleaning solution consisting of an aqueous solution may be held on at least the concave surface of the concavo-convex pattern (Step 3). When the chemical for forming the protective film is replaceable with the aqueous cleaning solution, the replacement with the cleaning solution B may be omitted.

본 발명에 있어서, 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 상기 약액(전처리용 약액 또는 보호막 형성용 약액)이나 세정액을 공급할 때의 상기 약액이나 세정액의 형태로서는, 상기 오목부 표면에 유지되었을 때에 액체가 되는 것이면 특별하게 한정되지 않고 예를 들면 액체, 증기 등이 있다. 또 후술하는 바와 같이, 전처리공정에서는 전처리용 약액을 사용하여 비등점 미만의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질한다. 그 때문에 전처리공정에 있어서, 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 전처리용 약액을 공급할 때의 상기 약액의 형태는 액체이다.In the present invention, as the form of the chemical liquid or the cleaning liquid when supplying the chemical liquid (the chemical liquid for pre-treatment or the chemical liquid for forming the protective film) or the cleaning liquid to at least the concave surface of the concavo-convex pattern of the wafer, Is not particularly limited, and examples thereof include liquid, vapor, and the like. As described later, in the pretreatment step, the surface of the concavo-convex pattern is modified at a temperature lower than the boiling point by using the chemical liquid for pretreatment. Therefore, in the pre-treatment step, when the chemical liquid for pretreatment is supplied to at least the concave surface of the concavo-convex pattern of the wafer, the chemical liquid is in the form of liquid.

본 발명에 있어서, 웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 상기 약액(전처리용 약액 또는 보호막 형성용 약액)이나 세정액을 유지할 수 있는 것이면, 상기 웨이퍼의 세정 방식은 특별하게 한정되지 않는다. 웨이퍼의 세정 방식으로서는, 웨이퍼를 거의 수평으로 유지하여 회전시키면서 회전중심 부근에 액체를 공급하여 웨이퍼를 1매씩 세정하는 스핀 세정에 대표되는 매엽방식이나, 세정조 내에서 복수 매의 웨이퍼를 침지시켜 세정하는 배치방식을 들 수 있다.In the present invention, the cleaning method of the wafer is not particularly limited as far as it can hold the chemical liquid (the chemical liquid for pretreatment or the chemical liquid for forming the protective film) and the cleaning liquid on at least the concave surface of the concavo-convex pattern of the wafer. Examples of the cleaning method of the wafer include a wiping method typified by spin cleaning in which the wafers are rotated horizontally while rotating the wafers one by one by supplying a liquid in the vicinity of the rotation center while rotating the wafers substantially horizontally, And the like.

공업적으로 웨이퍼를 세정하는 경우, 생산 로트 별로 웨이퍼종이 같은 경우도 있고 생산 로트 별로 웨이퍼종이 다른 경우도 있지만, 본 발명은 어느 쪽의 경우에도 적용할 수 있다.In the case of industrially cleaning wafers, there may be cases such as wafer paper for each production lot and wafer paper for different production lots, but the present invention can be applied to either case.

표면에 요철 패턴을 구비하고 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 실리콘 원소를 포함하는 웨이퍼로서는, 웨이퍼 표면에 실리콘 또는 산화규소, 질화규소 등 실리콘 원소를 포함하는 막이 형성된 것, 또는 상기 요철 패턴을 형성했을 때에 상기 요철 패턴의 표면의 적어도 일부가 실리콘 또는 산화규소, 질화규소 등 실리콘 원소를 포함하는 것이 포함된다. 또 실리콘으로서는 폴리실리콘, 아모르포스실리콘(amorphous silicon)이 포함된다. 또한 실리콘 원소를 포함하는 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼, 실리콘카바이드 웨이퍼 및 당해 웨이퍼 상에 실리콘 원소를 포함하는 각종 막이 형성된 것도 웨이퍼로서 사용할 수 있다. 또한 사파이어 웨이퍼, 각종 화합물 반도체 웨이퍼, 플라스틱 웨이퍼 등 실리콘 원소를 포함하지 않는 웨이퍼 상에 실리콘 원소를 포함하는 각종 막이 형성된 것이어도 좋다.Examples of wafers having a concavo-convex pattern on the surface and at least a part of the concavo-convex pattern including a silicon element include a wafer having a film containing silicon or silicon oxide such as silicon oxide or silicon nitride formed on the wafer surface, At least a part of the surface of the uneven pattern includes silicon or a silicon element such as silicon oxide or silicon nitride. Examples of silicon include polysilicon and amorphous silicon. A wafer composed of a plurality of components including a silicon element, a silicon carbide wafer, and various films including a silicon element on the wafer may be used as a wafer. In addition, various films including a silicon element may be formed on a wafer not including a silicon element such as a sapphire wafer, various compound semiconductor wafers, and plastic wafers.

또한 표면에 요철 패턴을 구비하고 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 실리콘 원소를 포함하는 웨이퍼는, 실리콘, 산화규소 및 질화규소로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼이더라도 좋다. 상기 복수의 성분으로 구성된 웨이퍼로서는, 실리콘, 산화규소 및 질화규소로부터 선택되는 적어도 1개가 웨이퍼 표면에 형성된 것, 또는 요철 패턴을 형성했을 때에 상기 요철 패턴의 적어도 일부가 실리콘, 산화규소 및 질화규소로부터 선택되는 적어도 1개로 이루어지는 것도 포함된다.The wafer having a concavo-convex pattern on its surface and at least a part of the concavo-convex pattern including a silicon element may be a wafer composed of a plurality of components including at least one selected from silicon, silicon oxide and silicon nitride. As the wafer composed of the plurality of components, at least one selected from silicon, silicon oxide and silicon nitride is formed on the surface of the wafer, or when at least a part of the uneven pattern is selected from silicon, silicon oxide and silicon nitride But also includes at least one.

이하, 각 공정에 대하여 설명한다. 우선, 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼 표면(요철 패턴의 표면)에 액체를 제공하고 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 액체를 유지하는 공정(공정1)을 한다.Hereinafter, each process will be described. First, a step of providing a liquid to the wafer surface (surface of the concavo-convex pattern) having the concavo-convex pattern and holding the liquid at least on the concavo-convex pattern surface (step 1) is performed.

여기에서는, 액체로서 전처리용 약액을 사용하는 경우를 설명한다. 이 경우, (공정1)에서는 요철 패턴의 표면에 전처리용 약액을 공급함으로써 요철 패턴의 표면을 개질하는 공정(이하, 「전처리공정」이라고 기재한다)이 이루어진다. 전처리공정에서는, 산을 몰농도로 0.001∼5ｍｏｌ/L 포함하고, ｐＨ가 3이하인 전처리용 약액을 사용하여 40도 이상, 전처리용 약액의 비등점 미만의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질한다. 이것은 상기한 제2방법에 대응한다.Here, the case of using the pretreatment liquid as the liquid will be described. In this case, a step of modifying the surface of the concavo-convex pattern (hereinafter referred to as "pretreatment step") is carried out by supplying the pretreatment liquid to the surface of the concavo-convex pattern in (Step 1). In the pretreatment step, the surface of the concavo-convex pattern is modified at a temperature of not lower than the boiling point of the pretreatment liquid at a temperature of not less than 40 degrees by using a pretreatment liquid having a pH of 3 or less and containing 0.001 to 5 mol / L of an acid in a molar concentration. This corresponds to the second method described above.

요철 패턴의 표면에 전처리용 약액을 공급하면, 전처리용 약액 중의 산에 의하여 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점이 형성된다. 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점이 많이 존재하면, 후술하는 (공정2)에 있어서 보호막 형성용 약액에 포함되는 보호막을 형성하는 화합물과 반응 활성점이 반응하기 쉬워진다. 그 결과, 요철 패턴의 표면에 방수성의 보호막이 형성되기 쉬워진다.When the pretreatment liquid is supplied to the surface of the uneven pattern, reactive active sites such as hydroxyl groups are formed on the surface of the uneven pattern by the acid in the pretreatment liquid. When a large number of reaction active sites such as hydroxyl groups are present on the surface of the concavo-convex pattern, the reaction active site tends to react with the compound forming the protective film contained in the chemical liquid for forming a protective film in (Step 2) described later. As a result, a waterproof protective film is easily formed on the surface of the concavo-convex pattern.

요철 패턴의 표면에 전처리용 약액을 공급하는 것은, 특히 요철 패턴의 적어도 일부가 질화규소 및/또는 실리콘으로 형성되어 있는 경우에 적합하다. 이것은 상기한 제4방법에 대응한다. 요철 패턴이 질화규소나 실리콘으로 형성되어 있는 경우, 전처리용 약액에 의하여 요철 패턴의 표면이 개질되어 있지 않으면 요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응 활성점이 적다. 그 때문에 질화규소나 실리콘으로 형성된 요철 패턴에 보호막 형성용 약액을 공급해도 요철 패턴의 표면에 방수성의 보호막이 형성되기 어려워진다. 그러나 산을 포함하는 전처리용 약액에 의하여 요철 패턴의 표면을 개질함으로써, 요철 패턴이 질화규소나 실리콘으로 형성되어 있는 경우이더라도 충분한 방수성을 구비하는 보호막을 요철 패턴의 표면에 형성할 수 있다.The supplying of the pretreatment liquid to the surface of the concavo-convex pattern is particularly suitable when at least a part of the concavo-convex pattern is formed of silicon nitride and / or silicon. This corresponds to the fourth method described above. In the case where the concavo-convex pattern is formed of silicon nitride or silicon, the surface of the concavo-convex pattern is less reactive active sites such as hydroxyl groups if the surface of the concavo-convex pattern is not modified by the pretreatment liquid. Therefore, even if a chemical liquid for forming a protective film is supplied to the concavo-convex pattern formed of silicon nitride or silicon, it is difficult to form a waterproof protective film on the surface of the concavo-convex pattern. However, by modifying the surface of the concavo-convex pattern by the pretreatment liquid containing the acid, a protective film having sufficient waterproofness can be formed on the surface of the concavo-convex pattern even when the concave-convex pattern is formed of silicon nitride or silicon.

또 질화규소 또는 실리콘으로 형성되는 요철 패턴은, 예를 들면 웨이퍼 표면에 질화규소 또는 실리콘의 막을 성막한 후에 상기 질화규소 또는 실리콘의 막을 에칭 함으로써 형성할 수 있다. 또한 질화규소 또는 실리콘으로 형성되는 요철 패턴은, 웨이퍼 표면에 요철 패턴을 형성한 후에 상기 요철 패턴에 질화규소 또는 실리콘의 막을 성막함으로써도 형성할 수 있다.The concavo-convex pattern formed of silicon nitride or silicon can be formed, for example, by forming a film of silicon nitride or silicon on the surface of a wafer and then etching the film of silicon nitride or silicon. The concavo-convex pattern formed of silicon nitride or silicon can also be formed by forming a concavo-convex pattern on the wafer surface and then forming a film of silicon nitride or silicon on the concave-convex pattern.

전처리공정에서는 40도 이상, 전처리용 약액의 비등점 미만의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질하는데, 요철 패턴의 표면을 개질하는 온도를 조절하는 방법으로서는, 전처리용 약액을 가열하는 방법, 웨이퍼를 가열하는 방법 등을 들 수 있다.In the pretreatment step, the surface of the concavo-convex pattern is modified at a temperature of 40 degrees or more and less than the boiling point of the chemical liquid for pretreatment. Examples of the method for controlling the temperature for modifying the surface of the concave- convex pattern include a method of heating the pretreatment liquid, And the like.

전처리용 약액에 포함되는 산으로서는 유기산(상기의 제3방법에 대응한다)이나 무기산이 있다. 무기산의 예로서는, 염산, 질산, 황산, 인산 등을 들 수 있다. 유기산의 예로서는, 아세트산 및 프로피온산 등의 지방족 모노카르복시산, 말레인산(maleic acid) 및 푸마르산(fumaric acid) 등의 지방족 폴리카르복시산, 안식향산 등의 방향족 모노카르복시산, 프탈산(phthalic acid) 및 테레프탈산(terephthalic acid) 등의 방향족 폴리카르복시산, 메탄술폰산 및 벤젠술폰산 등의 유기술폰산 등을 들 수 있다.As the acid included in the pretreatment liquid, there are organic acids (corresponding to the third method described above) and inorganic acids. Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and the like. Examples of the organic acid include aliphatic monocarboxylic acids such as acetic acid and propionic acid, aliphatic polycarboxylic acids such as maleic acid and fumaric acid, aromatic monocarboxylic acids such as benzoic acid, phthalic acid and terephthalic acid And organic sulfonic acids such as aromatic polycarboxylic acid, methanesulfonic acid and benzenesulfonic acid.

요철 패턴의 표면을 개질하는 효과(요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응활성점을 형성하는 효과)를 발휘하기 위해서, 전처리용 약액 중의 산의 몰농도는 0.001∼5ｍｏｌ/L인 것이 필요하지만, 0.005∼2ｍｏｌ/L인 것이 바람직하다.In order to exhibit the effect of modifying the surface of the uneven pattern (the effect of forming reactive active sites such as hydroxyl groups on the surface of the uneven pattern), the molar concentration of the acid in the pretreatment liquid must be 0.001 to 5 mol / L, To 2 mol / L.

요철 패턴의 표면을 개질하는 효과(요철 패턴의 표면에 수산기 등의 반응활성점을 형성하는 효과)를 발휘하기 위해서, 전처리용 약액의 ｐＨ는 3이하다. 또한 전처리용 약액의 ｐＨ는 0.1이상인 것이 바람직하다. 전처리용 약액의 ｐＨ가 0.1미만이면, 전처리공정을 하기 전에 미리 전처리용 약액을 이온 교환법에 의하여 정제하기 어려워져 정제 비용이 상승할 우려가 발생한다.The pH of the pretreatment liquid is 3 or less in order to exhibit the effect of modifying the surface of the uneven pattern (the effect of forming reactive active sites such as hydroxyl groups on the surface of the uneven pattern). The pH of the pretreatment liquid is preferably 0.1 or more. If the pH of the pretreatment liquid is less than 0.1, it is difficult to purify the pretreatment liquid by the ion exchange method in advance of the pretreatment step, which may raise the purification cost.

전처리용 약액의 ｐＨ는, 전처리용 약액 중의 프로톤 농도를 사용하여이하의 식으로부터 구할 수 있다.The pH of the pretreatment liquid can be determined from the following equation using the proton concentration in the pretreatment liquid.

ｐＨ = -Ｌｏｇ10 [H+]pH = -Log 10 [H +]

식 중에서 Ｌｏｇ10은 10을 밑으로 하는 대수, [H+]는 25도의 전처리용 약액 중의 프로톤 농도를 나타내고 있으며, 프로톤 농도의 단위는 ｍｏｌ/L이다. 또 전처리용 약액은 수용액에 한정되지 않고, 전처리용 약액의 용매로서 유기용매만이 사용되고 있는 경우나 물과 유기용매가 병용되고 있는 경우이더라도, 상기 식에 의하여 구해지는 값을 전처리용 약액의 ｐＨ로 한다. 특히 본 명세서에 있어서는 전처리용 약액의 용매가 물뿐인 경우 또는 물과 유기용매가 혼합되어 이루어지는 경우에 전처리용 약액의 ｐＨ로는, 25도로 한 전처리용 약액을 ｐＨ미터에 의하여 측정한 값을 말하는 것으로 한다.Log 10 represents the logarithm of 10 or less, and [H +] represents the proton concentration in the pretreatment liquid at 25 degrees, and the unit of the proton concentration is mol / L. The pre-treatment liquid is not limited to an aqueous solution. Even when an organic solvent alone is used as the solvent of the pretreatment liquid, or when water and an organic solvent are used in combination, the value obtained by the above formula is adjusted to the pH of the pretreatment liquid do. In the present specification, the pH of the pretreatment liquid is defined as the value measured by a pH meter at 25 ° C when the solvent of the pretreatment liquid is water only or when water and an organic solvent are mixed. .

전처리용 약액은 산과 상기 산을 용해하기 위한 용매를 포함하는 액체인 것이 바람직하다. 용매로서는 물 및 유기용매 등을 들 수 있다. 유기용매의 종류는 특별하게 한정되지 않지만, 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 알코올류, 다가 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등을 들 수 있다. 또한 물 및 유기용매 등의 용매는 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. 예를 들면 물과 유기용매를 조합시켜서 사용해도 좋고, 복수의 유기용매를 조합시켜서 사용해도 좋다.The pretreatment liquid is preferably a liquid containing an acid and a solvent for dissolving the acid. Examples of the solvent include water and an organic solvent. Examples of the organic solvent include, but are not limited to, hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, alcohols, polyhydric alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, . The solvents such as water and organic solvents may be used alone or in combination of two or more. For example, water and an organic solvent may be used in combination or a plurality of organic solvents may be used in combination.

상기 탄화수소류의 예로서는, 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세토아세트산에틸 등이 있고, 상기 에테르류의 예로서는, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는, 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등이 있고, 상기 할로겐원소 함유용매의 예로서는, 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라H(니혼제온제) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린ＡＥ-3000(아사히글라스제), Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7100, Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7200, Ｎｏｖｅｃ7300, Ｎｏｖｅｃ7600(모두 3Ｍ제) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 술폭시드계 용매의 예로서는, 디메틸술폭시드 등이 있고, 알코올류의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등이 있고, 다가 알코올류의 예로서는, 에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올 등이 있고, 상기 다가 알코올의 유도체의 예로서는, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르 등이 있고, 질소원소 함유용매의 예로서는, 포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸아민, 트리에틸아민, 피리딘 등이 있다.Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and ethyl acetoacetate. Examples of the ethers include di Ethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran and dioxane. Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, cyclohexanone, Examples of the halogen element-containing solvent include perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane, and hexafluorobenzene; perfluorocarbons such as 1,1,1, 3,3-pentafluorobutane, octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane, Aurora H (manufactured by Nippon Zeon) Methyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluoroisobutyl ether, Asahikreen AE-3000 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Novec HFE -7100, Novec HFE-7200, Novec7300 and Novec7600 (all manufactured by 3M), chlorocarbons such as tetrachloromethane, hydrochlorofluorocarbons such as chloroform, chlorofluorocarbons such as dichlorodifluoromethane, 1,1-dichloro-2,2,3,3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro- Perfluoroether, perfluoropolyether and the like, such as 3-trifluoropropene and 1,2-dichloro-3,3,3-trifluoropropene, and the sulfoxide As an example of a solvent , And dimethylsulfoxide. Examples of the alcohols include methanol, ethanol, propanol, and butanol. Examples of the polyhydric alcohols include ethylene glycol and 1,3-propanediol. Examples of the derivatives of the polyhydric alcohol include , Diethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol mono Butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol diacetate, triethylene glycol N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N, N-dimethylacetamide. -Methyl-2-pyrrolidone, diethylamine, triethylamine, pyridine, and the like.

전처리용 약액에 의한 개질 효과를 고려하면 전처리공정의 온도는 높은 편이 바람직하다. 그 때문에 용매의 비등점은 높은 편이 바람직하고, 전처리용 약액의 용매로서 물과 유기용매의 혼합용매를 사용하는 경우 또는 유기용매를 사용하는 경우, 유기용매의 비등점은 100도를 넘는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이들을 고려하면, 용매로서 다가 알코올류나 다가 알코올류의 유도체를 사용하는 것이 바람직하다.Considering the effect of reforming by the pretreatment liquid, the temperature of the pretreatment step is preferably high. Therefore, the boiling point of the solvent is preferably high, and in the case of using a mixed solvent of water and an organic solvent as the solvent of the pretreatment liquid, or in the case of using an organic solvent, it is preferable to use an organic solvent having a boiling point exceeding 100 degrees Do. Taking these into consideration, it is preferable to use polyhydric alcohols or derivatives of polyhydric alcohols as the solvent.

전처리용 약액에서는 상기 전처리용 약액의 비등점 미만의 온도에 있어서 기포가 발생하지 않는 것이 바람직하다. 전처리용 약액에 기포가 발생하면 전처리용 약액의 취급성이 곤란해진다고 하는 문제가 발생한다. 이들을 고려하면, 전처리용 약액은 용매로서 오존(O3), 과산화수소(H2O2) 등의 산화제를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 전처리용 약액에 산화제가 포함되어 있을 경우, 전처리용 약액의 온도가 높아지면 산화제가 분해하여 산소가 발생하기 때문이다.In the pretreatment liquid, it is preferable that no bubbles are generated at a temperature lower than the boiling point of the pretreatment liquid. When bubbles are generated in the pretreatment liquid, there arises a problem that handling property of the liquid for pretreatment becomes difficult. Taking these into consideration, it is preferable that the pretreatment liquid does not contain an oxidizing agent such as ozone (O 3 ) or hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) as a solvent. When the oxidizing agent is contained in the pretreatment liquid, the oxidizing agent decomposes and oxygen is generated when the temperature of the pretreatment liquid increases.

이상을 고려하면 전처리용 약액의 용매는, 산화제를 포함하지 않고, 물만, 유기용매만 또는 물과 유기용매만으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한 전처리용 약액의 용매가 물과 유기용매만으로 이루어질 경우, 물과 유기용매의 비(물/유기용매)는 질량비로 물/유기용매 = 10/90 ∼ 90/10인 것이 바람직하고, 20/80 ∼ 60/40인 것이 더 바람직하다.In consideration of the above, it is preferable that the solvent of the pre-treatment liquid does not contain an oxidizing agent but consists only of water, only an organic solvent, or only water and an organic solvent. When the solvent of the pretreatment liquid is solely composed of water and an organic solvent, the ratio of water to organic solvent (water / organic solvent) is preferably 10/90 to 90/10, more preferably 20/80 To 60/40.

전처리용 약액의 조제방법에 있어서 산 및 그 용액 중 적어도 1개를 정제하는 것이 바람직하다.It is preferable to purify at least one of the acid and the solution thereof in the method for preparing the pretreatment liquid.

상기 정제는, 몰레큘러시브(Molecular sieve) 등의 흡착제나 증류 등에 의한 수분농도의 조정, 이온교환 수지나 증류 등에 의한 Ｎａ, Ｍｇ, K, Ｃａ, Ｍｎ, Ｆｅ 및 Ｃｕ의 각 원소의 금속불순물의 제거 및 필터 여과에 의한 파티클 등의 오염물질의 제거 중 적어도 1개의 제거수단을 사용하여 이루어지는 것이다. 전처리용 약액의 활성이나 웨이퍼의 청정도를 고려하여, 수분농도를 조정하고 또한 금속불순물을 제거하며 또 오염물질을 제거하는 것이 바람직하고, 제거하는 순서는 묻지 않는다.The purification is carried out by adjusting the moisture concentration by an adsorbent such as a molecular sieve or distillation or by adding a metal impurity of each element of Na, Mg, K, Ca, Mn, Fe and Cu by ion exchange resin or distillation And removal of contaminants such as particles by filter filtration. It is preferable to adjust the moisture concentration, remove metal impurities and remove contaminants in consideration of the activity of the pretreatment liquid and the cleanliness of the wafer, and the order of removal is not required.

상기한 바와 같이 (공정1)에 있어서는, 요철 패턴 표면에 수계 세정액을 제공하고, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계 세정액을 유지한 후에 수계 세정액을 세정액A로 치환하고, 또한 세정액A를 전처리용 약액으로 치환하더라도 좋다. 또한 전처리용 약액이 수계 세정액과 치환가능한 경우에는, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계 세정액을 유지한 후에 수계 세정액을 전처리용 약액으로 치환하더라도 좋다.As described above, in (Step 1), the aqueous cleaning solution is provided on the surface of the uneven pattern, the aqueous cleaning solution is retained on at least the recessed surface of the uneven pattern, the cleaning solution A is replaced with the cleaning solution A, It may be replaced with a chemical liquid. When the pretreatment chemical solution can be replaced with the aqueous cleaning solution, the aqueous cleaning solution may be replaced with the pretreatment solution after holding the aqueous cleaning solution on at least the concave surface of the uneven pattern.

수계 세정액 또는 세정액A를 전처리용 약액으로 치환하는 경우, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계 세정액 또는 세정액A가 유지된 상태에서 상기 세정액을 상기 전처리용 약액으로 치환해 가는 것이 바람직하다.When the aqueous cleaning solution or the cleaning solution A is replaced with the pretreatment solution, it is preferable to replace the cleaning solution with the pretreatment solution in a state in which the aqueous cleaning solution or the cleaning solution A is held on at least the concave surface of the uneven pattern.

또한 (공정1)의 뒤, (공정2) 앞에, 전처리용 약액과는 다른 세정액을 요철 패턴 표면에 제공해도 좋다. 전처리용 약액과는 다른 세정액으로서는 수계 세정액이나 세정액A를 들 수 있다. 이 경우에 요철 패턴의 표면에 보호막이 형성될 때까지는, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 액체가 유지된 상태가 지속되어 있는 것이 바람직하다.Further, after (Process 1), a cleaning liquid different from the pretreatment liquid may be provided on the surface of the concave-convex pattern before (Process 2). Examples of the cleaning liquid different from the chemical liquid for the pretreatment include an aqueous cleaning liquid and a cleaning liquid A. In this case, until the protective film is formed on the surface of the concavo-convex pattern, it is preferable that at least the concave surface of the concavo-convex pattern is kept in a state in which the liquid is held.

수계 세정액의 예로서는, 물 또는 물에 유기용매, 산, 알칼리 중 적어도 1종이 혼합된 물을 주성분(예를 들면 물의 함유율이 50질량％ 이상)으로 하는 것을 들 수 있다. 이들 중에서는 물이 바람직하다.Examples of the aqueous cleaning liquid include those in which water or water is mixed with at least one of an organic solvent, an acid, and an alkali as a main component (for example, a water content of 50 mass% or more). Of these, water is preferred.

세정액A의 바람직한 예로서는, 후술하는 보호막 형성용 약액, 물, 유기용매 또는 그들의 혼합물 또는 그들에 산, 알칼리, 계면활성제, 산화제 중 적어도 1종이 혼합된 것 등을 들 수 있다.Preferable examples of the cleaning liquid A include a liquid for forming a protective film, water, an organic solvent or a mixture thereof, or a mixture of at least one of an acid, an alkali, a surfactant and an oxidizing agent.

또한 상기 세정액A의 바람직한 예의 하나인 유기용매의 예로서는, 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent which is one of preferred examples of the cleaning liquid A include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, nitrogen- .

상기 탄화수소류의 예로서는, 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세토아세트산에틸 등이 있고, 상기 에테르류의 예로서는, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는, 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등이 있고, 상기 할로겐원소 함유용매의 예로서는, 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라H(니혼제온제) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린ＡＥ-3000(아사히글라스제), Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7100, Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7200, Ｎｏｖｅｃ7300, Ｎｏｖｅｃ7600(모두 3Ｍ제) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 술폭시드계 용매의 예로서는, 디메틸술폭시드 등이 있고, 알코올류의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올 등이 있고, 상기 다가 알코올의 유도체의 예로서는, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르 등이 있고, 질소원소 함유용매의 예로서는, 포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸아민, 트리에틸아민, 피리딘 등이 있다.Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and ethyl acetoacetate. Examples of the ethers include di Ethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran and dioxane. Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, cyclohexanone, Examples of the halogen element-containing solvent include perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane, and hexafluorobenzene; perfluorocarbons such as 1,1,1, 3,3-pentafluorobutane, octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane, Aurora H (manufactured by Nippon Zeon) Methyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluoroisobutyl ether, Asahikreen AE-3000 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Novec HFE -7100, Novec HFE-7200, Novec7300 and Novec7600 (all manufactured by 3M), chlorocarbons such as tetrachloromethane, hydrochlorofluorocarbons such as chloroform, chlorofluorocarbons such as dichlorodifluoromethane, 1,1-dichloro-2,2,3,3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro- Perfluoroether, perfluoropolyether and the like, such as 3-trifluoropropene and 1,2-dichloro-3,3,3-trifluoropropene, and the sulfoxide As an example of a solvent , And dimethylsulfoxide. Examples of the alcohols include methanol, ethanol, propanol, butanol, ethylene glycol, and 1,3-propanediol. Examples of the derivatives of the polyhydric alcohol include diethylene glycol monoethyl ether, ethylene Propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol diacetate, triethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diacetate Ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dimethyl ether. Examples of the nitrogen element-containing solvent include formamide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl- Diethylamine, triethylamine, pyridine, and the like.

상기 세정액A에 혼합되는 산으로서는 무기산이나 유기산이 있다. 무기산의 예로서는, 불산(弗酸; Hydrofluoric acid), 버퍼드불산(buffered HF), 황산, 질산, 염산, 인산 등, 유기산의 예로서는, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 아세트산, 트리플루오로아세트산, 펜타플루오로프로피온산 등을 들 수 있다. 상기 세정액A에 혼합되는 알칼리로서는, 암모니아, 콜린(choline) 등을 들 수 있다. 상기 세정액A에 혼합되는 산화제로서는, 오존, 과산화수소 등을 들 수 있다.The acid to be mixed into the cleaning liquid A is an inorganic acid or an organic acid. Examples of the inorganic acid include hydrofluoric acid, buffered HF, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid. Examples of the organic acid include methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p- toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid , Acetic acid, trifluoroacetic acid, pentafluoropropionic acid, and the like. Examples of the alkali to be mixed with the cleaning liquid A include ammonia and choline. Examples of the oxidizing agent to be mixed into the cleaning liquid A include ozone, hydrogen peroxide and the like.

상기 세정액A가 유기용매이면, 상기 보호막 형성용 약액을 물과 접촉 시키지 않고 오목부에 제공할 수 있으므로 바람직하다. 또한 상기 세정액A가 산 수용액을 포함하고 있으면, 후술하는 (공정2)에 있어서 보호막이 단시간에 형성될 수 있으므로 바람직하다.If the cleaning liquid A is an organic solvent, it is preferable that the chemical liquid for forming a protective film can be provided in the concave portion without contacting with water. Further, if the cleaning liquid A contains an aqueous acid solution, it is preferable since the protective film can be formed in a short time in (Step 2) to be described later.

상기 세정액A로서 복수의 세정액을 사용해도 좋다. 예를 들면 상기 산 수용액을 포함하는 세정액과 상기 유기용매의 세정액의 2종류를 사용할 수 있다.As the cleaning liquid A, a plurality of cleaning liquids may be used. For example, two kinds of cleaning liquids including the acid aqueous solution and the organic solvent may be used.

다음에 상기 액체를 보호막 형성용 약액으로 치환하고, 상기 약액을 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 유지하는 공정(공정2)을 한다. 구체적으로는, 개질된 요철 패턴의 표면에 보호막 형성용 약액을 공급함으로써 요철 패턴의 표면에 방수성의 보호막을 형성하는 공정(이하, 「보호막 형성공정 」이라고 기재한다)을 한다.Subsequently, the liquid is replaced with a chemical liquid for forming a protective film, and a step (step 2) of holding the chemical liquid on at least the concave surface of the concavo-convex pattern is carried out. Specifically, a step of forming a waterproof protective film on the surface of the uneven pattern by supplying a chemical liquid for forming a protective film onto the surface of the modified uneven pattern (hereinafter referred to as "protective film forming step") is performed.

보호막 형성공정에 있어서 보호막은, 보호막 형성용 약액에 포함되는 보호막을 형성하는 화합물과, 요철 패턴의 표면에 형성된 수산기 등의 반응 활성점이 반응함으로써, 보호막을 형성하는 화합물이 웨이퍼의 Ｓｉ원소와 화학적으로 결합하는 것에 의하여 형성된다. 보호막 형성공정에 있어서 웨이퍼의 오목부 표면에 방수성의 보호막이 형성되므로, 후술하는 (공정3)에 있어서 웨이퍼의 오목부에서 액체가 제거될 때, 즉 웨이퍼가 건조될 때, 상기 오목부의 모세관력이 작아져 패턴 붕괴가 발생하기 어려워진다.In the protective film forming step, the compound forming the protective film contained in the chemical liquid for forming a protective film reacts with reactive active sites such as the hydroxyl group formed on the surface of the uneven pattern, so that the compound forming the protective film chemically reacts with the Si element of the wafer . A waterproof protective film is formed on the surface of the concave portion of the wafer in the protective film forming step. Therefore, when the liquid is removed from the concave portion of the wafer in Step 3 described later, that is, when the wafer is dried, the capillary force of the concave portion The pattern collapse is less likely to occur.

보호막 형성공정에서는 상기 공정(공정2) 전에 오목부에 유지되어 있는 액체를 보호막 형성용 약액으로 치환하고, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 상기 보호막 형성용 약액이 유지되어 있는 사이에 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 상기 보호막이 형성된다. 보호막 형성공정에 있어서 보호막은, 반드시 연속적으로 형성되어 있지 않아도 좋고, 또한 반드시 균일하게 형성되어 있지 않아도 좋지만, 보다 우수한 방수성을 부여할 수 있기 때문에 연속적으로 또 균일하게 형성되어 있는 것이 더 바람직하다.In the protective film forming step, the liquid retained in the concave portion before the step (Step 2) is replaced with the protective film forming liquid, and while the protective film forming liquid is held on at least the concave surface of the concave- The protective film is formed at least on the surface of the concave portion. In the protective film forming step, the protective film may or may not necessarily be formed continuously, but it is more preferable that the protective film is formed continuously and uniformly since it can impart better waterproofness.

보호막 형성용 약액은 온도를 높게 하면 보다 단시간에 방수성의 보호막을 형성하기 쉬워진다. 균질한 보호막을 형성하기 쉬운 온도는 10도∼보호막 형성용 약액의 비등점 미만이며, 특히 15도∼보호막 형성용 약액의 비등점보다 10도 낮은 온도로 유지되는 것이 바람직하다. 보호막 형성용 약액의 온도는 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 유지되어 있을 때에도 당해 온도로 유지되는 것이 바람직하다.When the temperature of the chemical liquid for forming a protective film is increased, a waterproof protective film can be formed in a shorter time. The temperature at which a homogeneous protective film is likely to be formed is preferably kept at 10 ° C to less than the boiling point of the chemical for forming the protective film, particularly at 15 ° C to 10 ° C lower than the boiling point of the chemical liquid for forming a protective film. It is preferable that the temperature of the chemical liquid for forming the protective film is maintained at the temperature even when it is held at least on the concave surface of the concavo-convex pattern.

또 다른 세정액에 관해서도, 10도 이상, 세정액의 비등점 미만의 온도로 유지하더라도 좋다. 예를 들면 세정액A가 산 수용액을 포함하는, 특히 바람직하게는 산 수용액과 비등점이 100도 이상의 유기용매를 포함하는 용액을 사용하는 경우, 세정액의 온도를 상기 세정액의 비등점 부근으로 높게 하면 상기 보호막이 단시간에 형성되기 쉬워지므로 바람직하다.Another cleaning liquid may be maintained at a temperature of 10 ° C or higher and lower than the boiling point of the cleaning liquid. For example, when the cleaning liquid A contains an aqueous solution of an acid, particularly preferably a solution containing an acidic aqueous solution and an organic solvent having a boiling point of 100 degrees or higher, if the temperature of the cleaning liquid is raised to the vicinity of the boiling point of the cleaning liquid, So that it is easy to form in a short time.

상기 보호막 형성용 약액은, 하기 일반식[1]로 표현되는 방수성 보호막 형성제(이하, 「화합물A」라고도 기재한다)를 함유한다. 이것은 상기한 제1방법에 대응한다.The protective film forming liquid contains a waterproof protective film forming agent represented by the following general formula [1] (hereinafter also referred to as "compound A"). This corresponds to the first method described above.

Figure 112012077082214-pct00009
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[식[1] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, X는, 각각 서로 독립하여, 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이며, a는 정수 1∼3이다.]Equation [1], R 1 is, each independently from each other, a hydrocarbon group substituted with a hydrogen or carbon atoms non-substituted or a hydrogen atom in the 1 to 18 as a halogen atom, X is, each independently from each other, and the silicon element A monovalent functional group in which the bonding element is nitrogen, at least one group selected from the group consisting of a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is oxygen and a halogen group, and a is an integer of 1 to 3.]

화합물A의 예로서는, 헥사메틸디실라잔(ＨＭＤＳ), 트리메틸시릴디에틸아민(ＴＭＳＤＥＡ), 테트라메틸디실라잔, 트리메틸시릴디메틸아민, 옥틸디메틸시릴디메틸아민, 트리메틸시릴이미다졸, 트리메틸클로로실란, 프로필디메틸클로로실란, 옥틸디메틸클로로실란, 디메틸디클로로실란, 메틸트리클로로실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란 등의 실란 커플링제를 들 수 있다.Examples of Compound A include hexamethyldisilazane (HMDS), trimethylsilyldiethylamine (TMSDEA), tetramethyldisilazane, trimethylsilyldimethylamine, octyldimethylsilyldimethylamine, trimethylsilylimidazole, trimethylchlorosilane, Silane coupling agents such as propyldimethylchlorosilane, octyldimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, methyltrichlorosilane, trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane and the like.

보호막 형성용 약액은 촉매로서 산A를 포함해도 좋다. 보호막 형성용 약액 중의 산A는, 상기 화합물A와 웨이퍼의 Ｓｉ원소와의 반응을 촉진시킨다. 상기 산A가 물을 함유하는 것이면, 보호막 형성용 약액 중에 포함되는 물의 증가로 이어져 상기 보호막이 형성되기 어려워진다. 이 때문에 상기 산A는 물의 함유량이 적은 것일수록 바람직하고, 바람직한 물의 함유율은 35질량％ 이하이며, 특히 바람직하게는 10질량％ 이하, 더 바람직하게는 5질량％ 이하이며, 한없이 0질량％에 가까운 것이 이상적이다.The chemical liquid for forming the protective film may contain the acid A as a catalyst. The acid A in the chemical liquid for forming a protective film promotes the reaction of the compound A with the Si element of the wafer. If the acid A contains water, the water contained in the chemical liquid for forming a protective film is increased, and the protective film is hardly formed. Therefore, the content of water is preferably as small as 35% by mass or less, particularly preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and preferably 0% by mass or less It is ideal.

보호막 형성용 약액에 있어서 산A의 농도는, 상기 화합물A의 총량 100질량％에 대하여 0.01∼20질량％인 것이 바람직하다. 첨가량이 적으면 산의 촉매효과가 저하하므로 바람직하지 못하고, 과잉으로 많아도 촉매효과는 향상하지 않고 반대로 웨이퍼 표면을 침식하거나 불순물로서 웨이퍼에 잔류할 염려도 있다. 이 때문에 상기 산A의 농도는, 상기 화합물A의 총량 100질량％에 대하여 0.05∼10질량％인 것이 특히 바람직하다.The concentration of the acid A in the chemical liquid for forming a protective film is preferably 0.01 to 20% by mass relative to 100% by mass of the total amount of the compound A. If the addition amount is too small, the catalytic effect of the acid decreases, which is undesirable. In excess, the catalytic effect is not increased excessively, and on the contrary, the surface of the wafer may be eroded or may remain on the wafer as impurities. Therefore, the concentration of the acid A is particularly preferably 0.05 to 10% by mass based on 100% by mass of the total amount of the compound A.

상기 산A로서는 무기산이나 유기산이 있다. 물의 함유량이 적은 무기산의 예로서는, 할로겐화 수소, 황산, 과염소산, 인산 등이 있고, 유기산의 예로서는, 일부 또는 모든 수소원소가 불소원소 등으로 치환되어 있어도 좋은 알칸술폰산이나 카르복시산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산 등이 있다.The acid A is an inorganic acid or an organic acid. Examples of the inorganic acid having a low content of water include hydrogen halide, sulfuric acid, perchloric acid, phosphoric acid and the like. Examples of the organic acid include alkanesulfonic acid, carboxylic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid .

또한 산A로서는 루이스 산도 사용할 수 있다. 루이스 산의 정의에 대하여는, 예를 들면 「이화학사전(제5판)」에 기재되어 있다. 루이스 산으로서는, 산무수물, 붕소화합물, 규소화합물이 있다. 산무수물의 예로서는, 무수트리플루오로메탄술폰산 등의 무수알칸술폰산 및 무수아세트산, 무수트리플루오로아세트산과 무수펜타플루오로프로피온산 등의 무수카르복시산 등을 들 수 있다. 산무수물에 있어서는, 일부 또는 모든 수소원소가 불소원소 등으로 치환되어 있더라도 좋다. 붕소화합물의 예로서는, 알킬붕산에스테르, 아릴붕산에스테르, 트리스(트리플루오로아세톡시)붕소, 트리알콕시보록신(trialkoxyboroxine), 트리플루오로붕소 등을 들 수 있다. 규소화합물의 예로서는, 클로로실란, 일부 또는 모든 수소원소가 불소원소 등으로 치환되어 있어도 좋은 알킬시릴알킬술포네이트, 일부 또는 모든 수소원소가 불소원소 등으로 치환되어 있어도 좋은 알킬시릴에스테르 등을 들 수 있다. 또 상기 규소화합물이 사용되었을 경우, 상기 규소화합물로 상기 보호막의 적어도 일부가 형성되어도 좋다.As the acid A, Lewis acid can also be used. The definition of Lewis acid is described in, for example, " Physicochemical Dictionary (Fifth Edition) ". Examples of the Lewis acid include acid anhydrides, boron compounds, and silicon compounds. Examples of the acid anhydrides include anhydrous alkanesulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic anhydride and acetic anhydride, and anhydrous carboxylic acids such as trifluoroacetic anhydride and pentafluoropropionic anhydride. In the acid anhydride, some or all hydrogen elements may be substituted by fluorine elements or the like. Examples of the boron compound include alkyl boric acid esters, aryl boric acid esters, tris (trifluoroacetoxy) boron, trialkoxyboroxine, and trifluoroboron. Examples of the silicon compound include chlorosilane, alkylsilylalkylsulfonate in which some or all hydrogen elements may be substituted with fluorine elements, alkylsilyl esters in which some or all hydrogen elements may be substituted with fluorine elements, and the like . When the silicon compound is used, at least a part of the protective film may be formed of the silicon compound.

또한 보호막 형성용 약액에 있어서, 상기 화합물A 및 산A는 용매에 의하여 희석되더라도 좋다. 보호막 형성용 약액의 총량 100질량％에 대하여 화합물A로 산A의 첨가량의 총 합계를 0.01∼100질량％로 하면, 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 균일하게 보호막을 형성하기 쉬워지기 때문에 바람직하다. 0.01질량％ 미만에서는 요철 패턴의 붕괴 방지 효과가 불충분하게 되는 경향이 있다. 더 바람직하게는 0.05∼50질량％이다.Further, in the chemical liquid for forming a protective film, the compound A and the acid A may be diluted with a solvent. When the total amount of the acid A added to the compound A is from 0.01 to 100 mass% based on 100 mass% of the total amount of the chemical liquid for forming a protective film, it is preferable since a protective film can be uniformly formed at least on the concave surface of the concave- . If it is less than 0.01% by mass, the effect of preventing the collapse of the uneven pattern tends to become insufficient. More preferably from 0.05 to 50% by mass.

보호막 형성용 약액에 있어서 희석에 사용되는 용매로서는, 예를 들면 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등의 유기용매가 적합하게 사용된다. 이 중에서도 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 다가 알코올의 유도체 중 OH기를 가지지 않는 것을 사용하면, 상기 요철 패턴 표면에 보호막을 단시간에 형성할 수 있기 때문에 더 바람직하다.Examples of the solvent to be used for the dilution in the chemical liquid for forming a protective film include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, Of organic solvents are suitably used. Among them, use of a solvent having no OH group among hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents and derivatives of polyhydric alcohols can form a protective film on the surface of the relief pattern in a short time More preferable.

상기 탄화수소류의 예로서는, 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세토아세트산에틸 등이 있고, 상기 에테르류의 예로서는, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는, 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등이 있고, 상기 할로겐원소 함유용매의 예로서는, 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라H(니혼제온제) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린ＡＥ-3000(아사히글라스제), Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7100, Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7200, Ｎｏｖｅｃ7300, Ｎｏｖｅｃ7600(모두 3Ｍ제) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 술폭시드계 용매의 예로서는, 디메틸술폭시드 등이 있고, 상기 다가 알코올의 유도체에서 OH기를 가지지 않는 것의 예로서는, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르 등이 있다.Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and ethyl acetoacetate. Examples of the ethers include di Ethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran and dioxane. Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, cyclohexanone, Examples of the halogen element-containing solvent include perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane, and hexafluorobenzene; perfluorocarbons such as 1,1,1, 3,3-pentafluorobutane, octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane, Aurora H (manufactured by Nippon Zeon) Methyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluoroisobutyl ether, Asahikreen AE-3000 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Novec HFE -7100, Novec HFE-7200, Novec7300 and Novec7600 (all manufactured by 3M), chlorocarbons such as tetrachloromethane, hydrochlorofluorocarbons such as chloroform, chlorofluorocarbons such as dichlorodifluoromethane, 1,1-dichloro-2,2,3,3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro- Perfluoroether, perfluoropolyether and the like, such as 3-trifluoropropene and 1,2-dichloro-3,3,3-trifluoropropene, and the sulfoxide As an example of a solvent , And dimethylsulfoxide. Examples of the polyhydric alcohol derivative having no OH group include diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol diacetate, diethylene glycol diacetate, triethylene glycol dimethyl Ether, ethylene glycol diacetate, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether and the like.

또한 상기 유기용매에 불연성의 것을 사용하면, 보호막 형성용 약액이 불연성이 되거나 또는 인화점이 높아져서 상기 약액의 위험성이 저하하므로 바람직하다. 할로겐원소 함유용매는 불연성의 것이 많아 불연성 할로겐원소 함유용매는 불연성 유기용매로서 적합하게 사용할 수 있다.If a nonflammable organic solvent is used, the chemical for forming a protective film may be nonflammable or may have a high flash point to reduce the risk of the chemical liquid. Since the halogen-containing solvent is often nonflammable, the non-flammable halogen-containing solvent can be suitably used as the non-flammable organic solvent.

웨이퍼를 회전시키면서 보호막 형성용 약액을 웨이퍼에 제공할 경우에 상기 유기용매의 비등점이 지나치게 낮으면, 상기 보호막 형성용 약액이 웨이퍼 전면(全面)에 젖어 퍼지기 전에 상기 약액이 건조되기 쉬워져 바람직하지 못하다. 또한 비등점이 지나치게 높으면, 상기 약액의 점성이 지나치게 높아지는 경향이 있어 바람직하지 못하다. 이 때문에 상기 유기용매는 비등점이 70∼220도의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 용매로서는, 비용이나 다른 세정액과의 용해성(치환의 용이성)을 고려하면, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디아세테이트, 시클로헥사논 등이 바람직하다.If the boiling point of the organic solvent is excessively low when the chemical liquid for forming a protective film is supplied to the wafer while rotating the wafer, the chemical liquid tends to be dried before the chemical liquid for forming a protective film is spread over the entire surface of the wafer, which is not preferable . If the boiling point is too high, the viscosity of the chemical liquid tends to become excessively high, which is not preferable. Therefore, the organic solvent preferably has a boiling point of 70 to 220 deg. In consideration of the cost and solubility (ease of substitution) with other cleaning liquids, such solvents include diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene Glycol ethyl methyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diacetate, ethylene glycol diacetate, cyclohexanone and the like are preferable.

보호막 형성용 약액 중의 수분량은 상기 약액 총량에 대하여 5000질량ｐｐｍ 이하인 것이 바람직하다. 수분량이 5000질량ｐｐｍ 초과의 경우, 상기 화합물A 및 산A의 활성이 저하하여 상기 보호막을 단시간에 형성하기 어려워진다. 따라서 보호막 형성용 약액에 포함되는 화합물A, 산A나 보호막 형성용 약액에 포함되는 용매는 물을 많이 포함하지 않는 것이 바람직하다. 또 보호막 형성용 약액 중의 수분량은 10질량ｐｐｍ 이상이어도 좋다.The water content in the protective film forming liquid is preferably 5000 mass ppm or less with respect to the total amount of the liquid chemical. When the water content exceeds 5000 mass ppm, the activity of the compound A and the acid A is lowered, and it becomes difficult to form the protective film in a short time. Therefore, it is preferable that the solvent contained in the compound A, the acid A, and the protective film forming solution contained in the protective film-forming chemical solution does not contain a large amount of water. The water content in the protective film forming liquid may be 10 ppm by mass or more.

보호막 형성용 약액 중에 있어서 액상에서 광산란식 액중입자검출기(光散亂式液中粒子檢出器)에 의한 파티클 측정에서, 0.5μm보다 큰 입자의 수가 상기 약액 1ｍＬ당 100개 이하인 것이 바람직하다. 상기 0.5μm보다 큰 입자의 수가 상기 약액 1ｍＬ당 100개 초과이면, 파티클에 의한 패턴 손상을 유발할 우려가 있어 디바이스의 수율 저하 및 신뢰성의 저하를 야기하는 원인이 되기 때문에 바람직하지 못하다. 또한 0.5μm보다 큰 입자의 수가 상기 약액 1ｍＬ당 100개 이하이면, 상기 보호막을 형성한 후에 용매나 물에 의한 세정을 생략 또는 감소시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 이 때문에 보호막 형성용 약액 중에 0.5μm보다 큰 입자에 있어서 상기 약액 1ｍＬ당의 개수는 적을수록 바람직하지만, 상기 0.5μm보다 큰 입자의 수는 상기 약액 1ｍＬ당 1개 이상이어도 좋다. 또 보호막 형성용 약액 중에 있어서 액상에서의 파티클 측정은, 레이저를 광원으로 한 광산란식 액중입자측정 방식에 있어서 시판되는 측정장치를 이용하여 측정하는 것으로서, 파티클의 입경으로는 ＰＳＬ(폴리스티렌제 라텍스) 표준입자기준의 광산란 상당 지름을 의미한다.It is preferable that the number of particles larger than 0.5 mu m per 100 mL of the above chemical solution is not more than 100 in the particle measurement by the light scattering type liquid immersion detector (light scattering type liquid particle detector) in liquid phase in the protective film forming chemical liquid. If the number of particles larger than 0.5 m is more than 100 per 1 ml of the chemical liquid, there is a possibility of causing pattern damage due to particles, which is a cause of lowering the yield of the device and lowering the reliability, which is not preferable. Further, if the number of particles larger than 0.5 m is not more than 100 per 1 ml of the chemical liquid, washing with solvent or water after formation of the protective film can be omitted or reduced. Therefore, the number of particles per 1 mL of the above chemical solution is preferably as small as 0.5 μm or more in the chemical liquid for forming a protective film, but the number of particles larger than 0.5 μm may be one or more per 1 mL of the above chemical solution. Particle measurement in a liquid phase in a chemical liquid for forming a protective film is carried out using a commercially available measuring device in a light scattering type liquid immersion measuring method using a laser as a light source. The particle size of particles is determined by PSL (polystyrene latex) standard Means the equivalent diameter of light scattering based on the particle.

또한 보호막 형성용 약액 중의 Ｎａ, Ｍｇ, K, Ｃａ, Ｍｎ, Ｆｅ 및 Ｃｕ의 각 원소의 금속불순물 함유량이, 상기 약액 총량에 대하여 각 100질량ｐｐｂ 이하인 것이 바람직하다. 상기의 각 원소의 금속불순물로서는, 금속미립자(金屬微粒子), 이온(ion), 콜로이드(colloid), 착물(錯物), 산화물(酸化物)이나 질화물(窒化物)이라고 하는 형태로 용해, 미용해에 상관없이 약액 중에 존재하는 것 모두가 대상이 된다. 상기 금속불순물 함유량이 상기 약액 총량에 대하여 100질량ｐｐｂ 초과이면, 디바이스의 접합 리크 전류(接合leak電流)가 증대할 우려가 있어 디바이스의 수율의 저하 및 신뢰성의 저하를 야기하는 원인이 되기 때문에 바람직하지 못하다. 또한 상기 금속불순물 함유량이 상기 약액 총량에 대하여 각 100질량ｐｐｂ 이하이면, 상기 보호막을 형성한 후에 용매나 물에 의한 세정을 생략 또는 감소시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 또 상기 금속불순물 함유량은 상기 약액 총량에 대하여 각 0.01질량ｐｐｂ 이상이어도 좋다.It is also preferable that the metal impurity content of each element of Na, Mg, K, Ca, Mn, Fe and Cu in the chemical liquid for forming a protective film is 100 parts by mass ppb or less per 100 parts by mass of the total amount of the chemical liquid. The metal impurities of the above elements may be dissolved or dispersed in the form of metal fine particles, ions, colloids, complexes, oxides or nitrides, Anything that exists in the drug solution regardless of the age is covered. If the content of the metal impurity is more than 100 mass ppb relative to the total amount of the chemical liquid, there is a fear that the junction leak current of the device (junction leak current) may increase, which causes a decrease in the yield of the device and a decrease in reliability. Can not do it. If the content of the metal impurity is 100 parts by mass ppb or less per 100 parts by mass of the total amount of the chemical liquid, cleaning with a solvent or water after formation of the protective film can be omitted or reduced. The content of the metal impurity may be 0.01 ppb or more per each total amount of the chemical liquid.

상기 화합물A로 산A를 혼합하여 함유시키는 보호막 형성용 약액의 조제방법에 있어서, 혼합 전의 화합물A, 산A 및 혼합 후의 혼합액 중 적어도 1개를 정제하는 것이 바람직하다. 또한 보호막 형성용 약액이 용매를 함유하는 경우에는, 상기의 혼합 전의 화합물A 및 산A는 용매를 포함한 용액상태이더라도 좋고, 이 경우에 상기 정제는, 혼합 전의 화합물A 또는 그 용액, 산A 또는 그 용액 및 혼합 후의 혼합액 중 적어도 1개를 대상으로 하는 것이어도 좋다.In the method for preparing a chemical liquid for forming a protective film in which the acid A is mixed with the compound A, it is preferable to purify at least one of the compound A, the acid A and the mixed liquid after mixing. In the case where the chemical liquid for forming the protective film contains a solvent, the compound A and the acid A before mixing may be in a solution state including a solvent. In this case, the purification may be carried out before the compound A or its solution, And at least one of a solution and a mixed solution after mixing may be used.

상기 정제는, 몰레큘러시브 등의 흡착제나 증류 등에 의한 물분자의 제거, 이온교환수지나 증류 등에 의한 Ｎａ, Ｍｇ, K, Ｃａ, Ｍｎ, Ｆｅ 및 Ｃｕ의 각 원소의 금속불순물의 제거 및 필터 여과에 의한 파티클 등의 오염물질의 제거 중 적어도 1개의 제거수단을 사용하여 이루어지는 것이다. 보호막 형성용 약액의 활성이나 웨이퍼의 청정도를 고려하여 물분자를 제거하고 또한 금속불순물을 제거하며 또 오염물질을 제거하는 것이 바람직하고, 제거하는 순서는 묻지 않는다.The purification is carried out by removing metal impurities of respective elements of Na, Mg, K, Ca, Mn, Fe and Cu by the removal of water molecules by an adsorbent such as a molecular sieve or distillation, ion exchange resin or distillation, And at least one removing means for removing contaminants such as particles by filtration. It is preferable to remove water molecules, remove metal impurities and remove contaminants in consideration of the activity of the chemical liquid for forming a protective film and the cleanliness of the wafer, and the order of removal is not required.

상기한 바와 같이 (공정2)의 후에, 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 유지된 보호막 형성용 약액을 상기 약액과는 다른 세정액B로 치환한 후에 (공정3)으로 가도 좋다. 세정액B의 예로서는, 수계용액으로 이루어지는 수계 세정액 또는 유기용매 또는 상기 수계 세정액과 유기용매의 혼합물, 그들에 산, 알칼리, 계면활성제 중 적어도 1종이 혼합된 것 또는 그들에 보호막 형성용 약액에 포함되는 화합물A 및 산A가 상기 약액보다 저농도가 되도록 첨가된 것 등을 들 수 있다.As described above, after (Step 2), the protective film forming liquid retained on the concave portion surface of the concavo-convex pattern may be replaced with the cleaning liquid B different from the chemical liquid (Step 3). Examples of the cleaning liquid B include an aqueous cleaning liquid or an organic solvent composed of an aqueous solution or a mixture of the aqueous cleaning liquid and an organic solvent, a mixture of at least one of acid, alkali and surfactant, or a compound A and the acid A are added so as to be lower in concentration than the chemical liquid.

또한 상기 세정액B의 바람직한 예의 하나인 유기용매의 예로서는, 탄화수소류, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 할로겐원소 함유용매, 술폭시드계 용매, 알코올류, 다가 알코올의 유도체, 질소원소 함유용매 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent which is one of preferred examples of the cleaning liquid B include hydrocarbons, esters, ethers, ketones, halogen-containing solvents, sulfoxide-based solvents, alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, nitrogen- .

상기 탄화수소류의 예로서는, 톨루엔, 벤젠, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄 등이 있고, 상기 에스테르류의 예로서는, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세토아세트산에틸 등이 있고, 상기 에테르류의 예로서는, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등이 있고, 상기 케톤류의 예로서는, 아세톤, 아세틸아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론 등이 있고, 상기 할로겐원소 함유용매의 예로서는, 퍼플루오로옥탄, 퍼플루오로노난, 퍼플루오로시클로펜탄, 퍼플루오로시클로헥산, 헥사플루오로벤젠 등의 퍼플루오로카본, 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 옥타플루오로시클로펜탄, 2,3-디하이드로데카플루오로펜탄, 제오로라H(니혼제온제) 등의 하이드로플루오로카본, 메틸퍼플루오로이소부틸에테르, 메틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로부틸에테르, 에틸퍼플루오로이소부틸에테르, 아사히크린ＡＥ-3000(아사히글라스제), Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7100, Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ-7200, Ｎｏｖｅｃ7300, Ｎｏｖｅｃ7600(모두 3Ｍ제) 등의 하이드로플루오로에테르, 테트라클로로메탄 등의 클로로카본, 클로로포름 등의 하이드로클로로카본, 디클로로디플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본, 1,1-디클로로-2,2,3,3,3-펜타플루오로프로판, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판, 1-클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜, 1,2-디클로로-3,3,3-트리플루오로프로펜 등의 하이드로클로로플루오로카본, 퍼플루오로에테르, 퍼플루오로폴리에테르 등이 있고, 상기 술폭시드계 용매의 예로서는, 디메틸술폭시드 등이 있고, 알코올류의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올 등이 있고, 상기 다가 알코올의 유도체의 예로서는, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디아세테이트, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디아세테이트, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르 등이 있고, 질소원소 함유용매의 예로서는, 포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸아민, 트리에틸아민, 피리딘 등이 있다.Examples of the hydrocarbons include toluene, benzene, xylene, hexane, heptane and octane. Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate and ethyl acetoacetate. Examples of the ethers include di Ethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran and dioxane. Examples of the ketones include acetone, acetyl acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, cyclohexanone, Examples of the halogen element-containing solvent include perfluorocarbons such as perfluorooctane, perfluorononane, perfluorocyclopentane, perfluorocyclohexane, and hexafluorobenzene; perfluorocarbons such as 1,1,1, 3,3-pentafluorobutane, octafluorocyclopentane, 2,3-dihydrodecafluoropentane, Aurora H (manufactured by Nippon Zeon) Methyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluorobutyl ether, ethyl perfluoroisobutyl ether, Asahikreen AE-3000 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Novec HFE -7100, Novec HFE-7200, Novec7300 and Novec7600 (all manufactured by 3M), chlorocarbons such as tetrachloromethane, hydrochlorofluorocarbons such as chloroform, chlorofluorocarbons such as dichlorodifluoromethane, 1,1-dichloro-2,2,3,3,3-pentafluoropropane, 1,3-dichloro-1,1,2,2,3-pentafluoropropane, 1-chloro- Perfluoroether, perfluoropolyether and the like, such as 3-trifluoropropene and 1,2-dichloro-3,3,3-trifluoropropene, and the sulfoxide As an example of a solvent , And dimethylsulfoxide. Examples of the alcohols include methanol, ethanol, propanol, butanol, ethylene glycol, and 1,3-propanediol. Examples of the derivatives of the polyhydric alcohol include diethylene glycol monoethyl ether, ethylene Propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol diacetate, triethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diacetate Ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dimethyl ether. Examples of the nitrogen element-containing solvent include formamide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl- Diethylamine, triethylamine, pyridine, and the like.

상기 세정액B로의 치환을 거치고 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 수계용액으로 이루어지는 수계 세정액을 유지한 후에, (공정3)으로 가도 좋다.After the replacement with the cleaning liquid B, the step (3) may be carried out after holding the aqueous cleaning solution consisting of the aqueous solution at least on the concave surface of the concavo-convex pattern.

상기 세정액B로서 복수의 세정액을 사용해도 좋다.As the cleaning liquid B, a plurality of cleaning liquids may be used.

수계 세정액의 예로서는 물, 또는 물에 유기용매, 산, 알칼리 중 적어도 1종이 혼합된 물을 주성분(예를 들면 물의 함유율이 50질량％ 이상)으로 하는 것을 들 수 있다. 특히 수계 세정액으로 물을 사용하면, 보호막 형성용 약액에 의하여 방수화된 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 있어서 상기 액과의 접촉각θ가 커져서 상기 오목부 표면의 모세관력P가 작아지고, 또한 건조 후에 웨이퍼 표면에 오염이 남기 어려워지므로 바람직하다.Examples of the aqueous cleaning solution include water or water in which water is mixed with at least one of an organic solvent, an acid and an alkali as a main component (for example, a water content of 50 mass% or more). In particular, when water is used as the aqueous cleaning solution, the contact angle? Between the liquid and the liquid increases at least on the surface of the concave portion of the concavo-convex pattern which is water-repellent by the chemical for forming the protective film, so that the capillary force P on the concave surface becomes small, So that contamination on the surface is hardly left.

상기 요철 패턴 표면으로부터 액체가 제거될 때에, 상기 표면에 유지되어 있는 액체는 보호막 형성용 약액, 세정액B, 수계 세정액 및 그들의 혼합액이어도 좋다. 또 상기 약액을 포함하는 혼합액은, 상기 약액을 세정액B로 치환하는 도중의 상태의 액이어도 좋고, 미리 상기 약액을 상기 약액과는 다른 세정액에 혼합하여 얻은 혼합액이어도 좋다. 또한 상기 요철 패턴 표면으로부터 액체가 일단 제거된 후에, 상기 요철 패턴 표면에 세정액B, 수계 세정액 및 그들의 혼합액으로부터 선택되는 적어도 1개를 유지시키고, 그 후에 건조하더라도 좋다.The liquid retained on the surface when the liquid is removed from the surface of the relief pattern may be a protective film forming chemical liquid, a cleaning liquid B, an aqueous cleaning liquid, and a mixture thereof. The mixed liquid containing the chemical liquid may be a liquid in the middle of replacing the chemical liquid with the cleaning liquid B or a mixed liquid obtained by mixing the chemical liquid with a cleaning liquid different from the chemical liquid in advance. Further, after the liquid is once removed from the surface of the concavo-convex pattern, at least one selected from the cleaning liquid B, the aqueous cleaning liquid and the mixture thereof may be held on the surface of the concavo-convex pattern, and then dried.

웨이퍼의 요철 패턴의 적어도 오목부 표면에 보호막 형성용 약액에 의하여 상기 보호막(10)이 형성되었을 때, 상기 표면에 물이 유지되었다고 가정했을 때의 접촉각이 60∼120도이면 패턴 붕괴가 발생하기 어렵기 때문에 바람직하다. 또한 접촉각은 90도에 가까울수록 상기 오목부 표면의 모세관력이 작아져 패턴 붕괴가 발생하기 더 어려워지기 때문에, 70∼110도가 특히 바람직하다. 또한 모세관력은 2.1ＭＮ/m2 이하인 것이 바람직하다. 상기 모세관력이 2.1ＭＮ/m2 이하이면 패턴 붕괴가 발생하기 어렵기 때문에 바람직하다. 또한 상기 모세관력이 작아지면 패턴 붕괴는 발생하기 더 어려워지기 때문에, 상기 모세관력은 1.6ＭＮ/m2 이하가 특히 바람직하고, 1.1ＭＮ/m2 이하가 더 바람직하다. 또 액체와의 접촉각을 90도 부근으로 조정하여 모세관력을 끝없이 0.0ＭＮ/m2에 가깝게 하는 것이 이상적이다.When the protective film 10 is formed on at least the concave surface of the concavo-convex pattern of the wafer by the chemical liquid for forming a protective film, if the contact angle is 60 to 120 degrees when water is assumed to be retained on the surface, pattern collapse is unlikely to occur . Further, the closer the contact angle is to 90 degrees, the smaller the capillary force of the surface of the concave portion becomes, and it becomes more difficult for the pattern collapse to occur. Therefore, 70 to 110 degrees is particularly preferable. The capillary force is preferably 2.1 MN / m 2 or less. When the capillary force is 2.1 MN / m 2 or less, pattern collapse is unlikely to occur, which is preferable. In addition, the capillary power becomes smaller pattern collapse because it more difficult to occur, the capillary force is more preferably 1.6MN / m 2 or less is especially preferred, and less than 1.1MN / m 2 (a) It is also ideal to adjust the contact angle with the liquid to about 90 degrees to make the capillary force close to 0.0MN / m 2 endlessly.

본 발명의 제2특징에 있어서, 요철 패턴 표면으로부터 액체를 제거하는 공정(공정3) 및 보호막을 제거하는 공정(공정4)에 관한 상세한 설명은 제1특징에 있어서의 것과 같으므로 생략한다.In the second aspect of the present invention, the detailed description of the step (step 3) of removing the liquid from the surface of the uneven pattern and the step (step 4) of removing the protective film are the same as those in the first aspect, and will be omitted.

실시예Example

본 발명의 제1 및 제2특징을 예증하는 실시예 및 그들과 대조를 이루는 비교예에 있어서의 평가를 이하와 같이 하였다.Examples for illustrating the first and second aspects of the present invention and evaluation for the comparative example in which the first and second features of the present invention are contrasted with each other are as follows.

웨이퍼의 표면을 요철 패턴을 구비하는 면으로 하는 것, 요철 패턴의 적어도 오목부에 유지된 세정액을 다른 세정액으로 치환하는 것은 다른 문헌 등에서 다양한 검토가 이루어져 이미 확립된 기술이므로, 본 발명에서는 상기 보호막 형성용 약액의 평가를 중심으로 하였다. 또한 하기의 식Since the surface of the wafer is made of a surface having a concavo-convex pattern and that the cleaning liquid held in at least the concave portion of the concavo-convex pattern is replaced with another cleaning liquid has been variously studied in other documents and the like, And the evaluation of the drug solution. In addition,

P = 2 × γ × ｃｏｓθ / ＳP = 2 x? X cos? / S

(식 중, γ는 오목부에 유지되어 있는 액체의 표면장력, θ는 오목부 표면과 오목부에 유지되어 있는 액체가 이루는 접촉각, S는 오목부의 폭이다.)(Where? Is the surface tension of the liquid held in the recess,? Is the contact angle between the surface of the recess and the liquid held in the recess, and S is the width of the recess).

으로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이 패턴 붕괴는, 세정액의 웨이퍼 표면에의 접촉각, 즉 액적(液滴)의 접촉각과 세정액의 표면장력에 크게 의존한다. 요철 패턴의 오목부에 유지된 세정액의 경우에 액적의 접촉각과, 패턴 붕괴와 등가(等價)인 것으로서 생각하여도 좋은 상기 오목부 표면의 모세관력과는 상관성이 있으므로, 상기 식과 보호막의 액적의 접촉각의 평가로부터 모세관력을 도출해 내도 좋다. 또 실시예에 있어서 상기 세정액으로서 물을 사용하였다. 상기한 식으로부터 접촉각이 90도에 가까울수록 상기 오목부에 작용하는 모세관력이 작아져 패턴 붕괴가 발생하기 어려워지기 때문에, 상기 보호막 표면에 물이 유지되었다고 가정했을 때의 접촉각은 60∼120도가 바람직하고, 70∼110도가 특히 바람직하다.The pattern collapse greatly depends on the contact angle of the cleaning liquid to the wafer surface, that is, the contact angle of the droplet (droplet) and the surface tension of the cleaning liquid. In the case of the cleaning liquid held in the concave portion of the concavo-convex pattern, the contact angle of the liquid droplet is correlated with the capillary force of the concave surface which may be considered to be equivalent to the pattern collapse. From the evaluation of the contact angle, the capillary force may be derived. In the examples, water was used as the cleaning liquid. From the above equations, the closer the contact angle is to 90 degrees, the smaller the capillary force acting on the concave portion becomes, and the pattern collapse hardly occurs. Therefore, the contact angle is preferably 60 to 120 degrees And particularly preferably from 70 to 110 degrees.

그러나 표면에 미세한 요철 패턴을 구비하는 웨이퍼의 경우, 상기 요철 패턴 표면에 형성된 상기 보호막(10) 자체의 접촉각을 정확하게 평가할 수 없다.However, in the case of a wafer having a fine uneven pattern on its surface, the contact angle of the protective film 10 formed on the surface of the uneven pattern can not be accurately evaluated.

물방울의 접촉각 평가는, ＪＩＳ R 3257 「기판 글라스 표면의 습윤성 시험방법」에도 있듯이, 샘플(기재) 표면에 수 μl의 물방울을 적하하고 물방울과 기재표면이 이루는 각도의 측정에 의하여 이루어진다. 그러나 패턴을 구비하는 웨이퍼의 경우에 접촉각이 매우 커지게 된다. 이것은 Ｗｅｎｚｅｌ효과나 Ｃａｓｓｉｅ효과가 발생하기 때문이어서, 접촉각이 기재의 표면형상(러프니스(roughness))에 영향을 주어 겉으로 보기에는 물방울의 접촉각이 증대하기 때문이다.The evaluation of the contact angle of the water droplet is carried out by measuring a drop of a few microliters of water on the surface of the sample (substrate) and measuring the angle between the water droplet and the surface of the substrate, as described in JIS R 3257, "Wettability Test Method of Substrate Glass Surface". However, in the case of a wafer having a pattern, the contact angle becomes very large. This is because the Wenzel effect or the Cassie effect occurs, and the contact angle affects the surface shape (roughness) of the base material, which apparently increases the contact angle of water droplets.

그래서 본 실시예에서는 상기 약액을 표면이 평활(平滑)한 웨이퍼에 제공하여 웨이퍼 표면에 보호막을 형성하고, 상기 보호막을 표면에 요철 패턴(2)이 형성된 웨이퍼(1)의 표면에 형성된 보호막(10)으로 간주하여 여러가지 평가를 하였다. 또 본 발명의 제1특징을 예증하는 실시예에서는, 표면이 평활한 웨이퍼로서, 표면이 평활한 실리콘 웨이퍼 상에 질화티탄층을 구비하는 질화티탄막 부착 웨이퍼(이후, 「ＴｉＮ 웨이퍼」라고 기재하는 경우가 있다)를 사용하였다. 본 발명의 제2특징을 예증하는 실시예에서는, 표면이 평활한 웨이퍼로서, 표면에 열산화막(ＳｉＯ2막)층 또는 질화규소막(ＳｉＮ막)층을 구비하고 표면이 평활한 실리콘 웨이퍼를 사용하였다.Thus, in this embodiment, the chemical liquid is supplied to a wafer having a smooth surface to form a protective film on the surface of the wafer, and the protective film is formed on the surface of the protective film (10) formed on the surface of the wafer (1) ), And various evaluations were made. In the embodiment illustrating the first aspect of the present invention, a wafer having a smooth surface, a wafer with a titanium nitride film having a titanium nitride layer on a smooth silicon wafer (hereinafter referred to as " TiN wafer " ) Were used. In the embodiment illustrating the second aspect of the present invention, a silicon wafer having a smooth surface and having a thermally oxidized film (SiO 2 film) layer or a silicon nitride film (SiN film) layer on its surface was used .

상세를 하기에 기술한다. 이하에서는 본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법, 보호막 형성용 약액의 조제, 그리고 본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가결과를 서술한다.Details are described below. Hereinafter, the evaluation method of the wafer cleaned by the cleaning method of the present invention, the preparation of the chemical solution for forming the protective film, and the evaluation result of the wafer cleaned by the cleaning method of the present invention will be described.

〔본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법〕[Evaluation method of wafers cleaned by the cleaning method of the present invention]

본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법으로서, 이하의 (1)∼(3)의 평가를 하였다.As the evaluation method of the wafer cleaned by the cleaning method of the present invention, the following evaluations (1) to (3) were carried out.

(1)웨이퍼 표면에 형성된 보호막의 접촉각 평가(1) Evaluation of contact angle of protective film formed on wafer surface

보호막이 형성된 웨이퍼 표면상에 순수(純水) 약 2μl를 놓고, 물방울과 웨이퍼 표면이 이루는 각(접촉각)을 접촉각계(接觸角計)(협화계면과학제: ＣＡ-Ｘ형)로 측정하였다. 여기에서는 제1특징의 실시예의 경우에 보호막의 접촉각이 50∼130도의 범위인 것을 합격으로 하고, 제2특징의 실시예의 경우에 그것이 60∼120도의 범위인 것을 합격으로 하였다.About 2 μl of pure water was placed on the surface of the wafer on which the protective film was formed and the angle (contact angle) between the water droplet and the wafer surface was measured with a contact angle meter (CAI-X type). Here, in the case of the embodiment of the first aspect, it is defined that the contact angle of the protective film is in the range of 50 to 130 degrees, and in the case of the second aspect, it is in the range of 60 to 120 degrees.

(2)보호막의 제거성(2) Removability of protective film

이하의 조건으로 저압수은등의 ＵＶ광을 샘플에 1분간 조사하였다. 조사 후에 물방울의 접촉각이 10도 이하가 된 것을, 상기 보호막이 제거되었다고 판단하여 합격으로 하였다.The UV light of a low-pressure mercury lamp was irradiated to the sample for 1 minute under the following conditions. After the irradiation, it was judged that the contact angle of the water droplet became 10 degrees or less, and the protective film was judged to have been removed, and passed.

·램프 : 센특수광원제(製) ＰＬ2003N-10· Lamp: Sen special light source (made by PL2003N-10)

·조도 : 15mW/ｃｍ2(광원으로부터 샘플까지의 거리는 10mm)Illumination: 15 mW / cm 2 (distance from the light source to the sample is 10 mm)

(3)보호막제거 후의 웨이퍼의 표면평활성 평가(3) Evaluation of the surface smoothness of the wafer after removing the protective film

원자간력 전자현미경(세이코-전자제 : ＳＰＩ3700, 2.5μm 사방 스캔)에 의하여 표면 관찰하고, 제1특징의 실시예의 경우, 웨이퍼 세정 전후의 표면의 중심선 평균면 거칠기 : Ｒａ(ｎｍ)의 차이 ΔＲａ(ｎｍ)를 구하였다. 또 Ｒａ는, ＪＩＳ B 0601로 정의되어 있는 중심선 평균 거칠기를 측정면에 대하여 적용하여 3차원으로 확장한 것으로, 「기준면에서 지정면까지의 편차의 절대값을 평균한 값」으로서 다음 식으로 산출하였다.(SPI3700, 2.5 mu m square scan), and in the case of the embodiment of the first aspect, the difference in center line average surface roughness: Ra (nm) of the surface before and after wafer cleaning: (nm). Ra is the three-dimensional extension of the centerline average roughness defined by JIS B 0601 in terms of the measurement plane, and is calculated by the following equation as " averaged absolute value of deviation from the reference plane to the designated plane ".

[수1][Number 1]

Figure 112012077082214-pct00010
Figure 112012077082214-pct00010

여기에서 XL, XR, YB, YT는, 각각 X좌표, Y좌표의 측정 범위를 나타낸다. S0은, 측정면이 이상적으로 평면이라고 했을 때의 면적으로서, (XR - XL) × (YB - YT)의 값으로 하였다. 또한 F(X,Y)는, 측정점(X,Y)에 있어서의 높이, Z0은, 측정면 내의 평균 높이를 나타낸다.Here, X L , X R , Y B , and Y T represent measurement ranges of the X coordinate and the Y coordinate, respectively. S 0 is an area when the measurement surface is assumed to be an ideal plane, and was set to a value of (X R - X L ) × (Y B - Y T ). Further, F (X, Y) represents the height at the measurement point (X, Y), and Z 0 represents the average height in the measurement plane.

보호막 형성 전의 웨이퍼 표면의 Ra값 및 보호막을 제거한 후의 웨이퍼 표면의 Ra값을 측정하고, 양자의 차이(ΔＲａ)가 ±1ｎｍ 이내이면, 세정에 의하여 웨이퍼 표면이 침식되어 있지 않다 및 상기 보호막의 잔사(殘渣)가 웨이퍼 표면에 없다고 하여 합격으로 하였다.The Ra value of the wafer surface before the protective film formation and the Ra value of the wafer surface after the protective film were removed were measured and if the difference (? Ra) between them was within 1 nm, the wafer surface was not eroded by cleaning, Residue) was not found on the surface of the wafer.

제2특징의 실시예의 경우, 보호막을 제거한 후의 웨이퍼의 Ra값이 1ｎｍ 이하이면, 세정에 의하여 웨이퍼 표면이 침식되어 있지 않다 및 상기 보호막의 잔사가 웨이퍼 표면에 없다고 하여 합격으로 하였다.In the case of the embodiment of the second aspect, if the Ra value of the wafer after removal of the protective film is 1 nm or less, it is determined that the wafer surface is not eroded by cleaning and the residue of the protective film is not present on the wafer surface.

이하의 실시예1과 2는 본 발명의 제1특징을 예증하는 것이며, 이하의 비교예1과 2는 그들과 대조를 이루는 것이다.Examples 1 and 2 below illustrate the first feature of the present invention, and Comparative Examples 1 and 2 below are in contrast to those of the first and second examples.

[실시예1][Example 1]

(1)방수성 보호막 형성용 약액의 조제(1) Preparation of chemical solution for forming a waterproof protective film

방수성 보호막 형성제로서 노나플루오로헥실디메틸클로로실란〔C4F9(ＣＨ2)2(ＣＨ3)2ＳｉＣｌ〕; 10g, 유기용매로서 하이드로플루오로에테르(3Ｍ제 ＨＦＥ-7100); 90g을 혼합하고 약 5분간 교반하여, 보호막 형성용 약액의 총량에 대한 보호막 형성제의 농도(이후 「보호막 형성제 농도」라고 기재한다)가 10질량％인 보호막 형성용 약액을 얻었다.Nonafluorohexyldimethylchlorosilane [C 4 F 9 (CH 2 ) 2 (CH 3 ) 2 SiCl] as a waterproof protective film-forming agent; , Hydrofluoroether (3M HFE-7100) as an organic solvent; Were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a chemical liquid for forming a protective film having a concentration of the protective film forming agent (hereinafter referred to as "protective film forming agent concentration") relative to the total amount of the chemical liquid for forming a protective film, of 10% by mass.

(2)ＴｉＮ웨이퍼 전세정(2) TiN wafer chartering

전세정(前洗淨)으로서, 평활한 질화티탄막 부착 웨이퍼(표면에 두께 50ｎｍ의 질화티탄층을 구비하는 실리콘 웨이퍼)를 1질량％의 불산 수용액에 2분간 침지시키고, 다음에 순수에 1분간 침지시켰다.A silicon wafer having a smooth titanium nitride film (a silicon wafer having a surface of a titanium nitride layer with a thickness of 50 nm) was immersed in a 1% by mass aqueous solution of hydrofluoric acid for 2 minutes and then immersed in pure water for 1 minute Lt; / RTI >

(3)ＴｉＮ웨이퍼의 산화처리(3) Oxidation treatment of TiN wafers

물/에틸렌글리콜(이후, 「ＥＧ」라고 기재한다)이 질량비로 20/80으로 혼합된 용매에 농도가 0.1ｍｏｌ/L가 되도록 염산을 혼합하여, 산화처리액을 조제하였다. 액체 온도를 130도로 유지한 상기 산화처리액 중에 상기 「(2)ＴｉＮ웨이퍼 전세정」 후의 ＴｉＮ웨이퍼를 1분간 침지시켜 산화처리를 하였다.Hydrochloric acid was mixed with a solvent in which water / ethylene glycol (hereinafter referred to as " EG ") was mixed at a mass ratio of 20/80 to a concentration of 0.1 mol / L to prepare an oxidation treatment liquid. The TiN wafer after the above "(2) TiN wafer solidification" was immersed in the oxidation treatment liquid in which the liquid temperature was maintained at 130 degrees for 1 minute to carry out the oxidation treatment.

(4)웨이퍼 표면으로의 방수성 보호막 형성용 약액에 의한 표면처리(4) Waterproofing to the wafer surface Surface treatment with chemical liquid for forming a protective film

「(3)ＴｉＮ웨이퍼의 산화처리」 후의 ＴｉＮ웨이퍼를 2-프로판올(이후, 「ｉＰＡ」라고 기재하는 경우가 있다)에 1분간 침지시키고, 다음에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이후, 「ＰＧＭＥＡ」라고 기재하는 경우가 있다)에 1분간 침지시켰다. 그 후에 방수성 보호막 형성공정으로서, 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 상기 「(1)보호막 형성용 약액의 조제」에서 조제한 보호막 형성용 약액에 20도에서 1분간 침지시켰다. 그 후에 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고 계속하여 순수에 1분간 침지시켰다. 또 상기 전세정 이후의 처리는 ＴｉＮ웨이퍼 표면에 항상 액체가 유지된 상태에서 하였다. 마지막으로, 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 분사하여 ＴｉＮ웨이퍼 표면의 순수를 제거하였다.(3) Treatment of TiN wafers After the TiN wafers were immersed in 2-propanol (hereinafter sometimes referred to as "iPA") for 1 minute, propylene glycol monomethyl ether acetate (hereinafter referred to as "PGMEA" ) Was immersed for 1 minute. Thereafter, as the waterproof protective film forming step, the TiN wafers were immersed in the protective film forming chemical liquid prepared in "(1) Preparation of chemical liquid for forming protective film" at 20 degrees for 1 minute. Thereafter, the TiN wafer was immersed in iPA for 1 minute and then immersed in pure water for 1 minute. Further, the above-mentioned treatment after the above-mentioned charring treatment was carried out in a state in which the liquid was always kept on the surface of the TiN wafer. Finally, the TiN wafer was taken out of pure water, and air was sprayed to remove pure water from the surface of the TiN wafer.

얻어진 ＴｉＮ웨이퍼를 상기 「본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가하였더니, 방수성 보호막 형성 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 보호막 형성 후의 접촉각은 96도가 되어, 우수한 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사에 의한 웨이퍼의 ΔRa값은 ±0.5ｎｍ 이내이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.The obtained TiN wafers were evaluated in accordance with the above-described " Method for evaluating wafers cleaned by the cleaning method of the present invention ", and the initial contact angle before formation of the waterproof protective film was less than 10 deg. Waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Also, it was confirmed that the value of? Ra of the wafer by UV irradiation was within ± 0.5 nm, the wafer was not eroded at the time of cleaning, and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

[실시예2][Example 2]

방수성 보호막 형성제로서 옥틸디메틸디메틸아미노실란〔C8H17(ＣＨ3)2ＳｉＮ(ＣＨ3)2〕; 5g, 유기용매로서 ＰＧＭＥＡ; 94.82g, 촉매로서 무수트리플루오로아세트산〔(ＣＦ3CO)2O〕; 0.18g을 혼합하고 약 5분간 교반하여, 보호막 형성제 농도가 5질량％인 보호막 형성용 약액을 얻었다.Octyldimethyldimethylaminosilane [C 8 H 17 (CH 3 ) 2 SiN (CH 3 ) 2 ] as a waterproof protective film-forming agent; , PGMEA as an organic solvent; 94.82 g of anhydrous trifluoroacetic acid [(CF 3 CO) 2 O] as a catalyst; And the mixture was stirred for about 5 minutes to obtain a chemical liquid for forming a protective film having a protective film forming agent concentration of 5 mass%.

실시예1과 마찬가지로, 「(2)ＴｉＮ웨이퍼의 전세정」 및 「(3)ＴｉＮ웨이퍼의 산화처리」를 한 ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고, 계속하여 ＰＧＭＥＡ에 1분간 침지시킨 후, 방수성 보호막 형성공정으로서 상기에서 조정(調整)한 보호막 형성용 약액에 45도에서 1시간 침지시켰다. 그 후에 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고, 계속하여 순수에 1분간 침지시켰다. 또 상기 전세정 이후의 처리는 ＴｉＮ웨이퍼 표면에 항상 액체가 유지된 상태에서 하였다. 마지막으로, 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 분사하여 상기 ＴｉＮ웨이퍼 표면의 순수를 제거하였다.Similarly to Example 1, a TiN wafer having been subjected to "(2) pre-conditioning of TiN wafers" and "(3) oxidation treatment of TiN wafers" was immersed in iPA for 1 minute and then immersed in PGMEA for 1 minute, As the protective film forming step, the protective film-forming chemical liquid adjusted (adjusted) was immersed at 45 degrees for 1 hour. Thereafter, the TiN wafer was immersed in iPA for 1 minute, and then immersed in pure water for 1 minute. Further, the above-mentioned treatment after the above-mentioned charring treatment was carried out in a state in which the liquid was always kept on the surface of the TiN wafer. Finally, the TiN wafer was taken out from pure water and air was sprayed to remove pure water from the surface of the TiN wafer.

얻어진 ＴｉＮ웨이퍼를 상기 「본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가하였더니, 방수성 보호막 형성 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 보호막 형성 후의 접촉각은 71도가 되어, 우수한 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사에 의한 웨이퍼의 ΔRa값은 ±0.5ｎｍ 이내이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.The obtained TiN wafers were evaluated according to the above-described "evaluation method of wafers cleaned by the cleaning method of the present invention". When the initial contact angle before formation of the waterproof protective film was less than 10 degrees, the contact angle after formation of the protective film was 71 degrees Waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Also, it was confirmed that the value of? Ra of the wafer by UV irradiation was within ± 0.5 nm, the wafer was not eroded at the time of cleaning, and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

[비교예1][Comparative Example 1]

방수성 보호막 형성제로서 N,N-디메틸아미노트리메틸실란〔(ＣＨ3)3ＳｉＮ(ＣＨ3)2〕; 5g, 유기용매로서 ＰＧＭＥＡ; 95g을 혼합하고 약 5분간 교반하여, 보호막 형성제 농도가 5질량％인 보호막 형성용 약액을 얻었다. 실시예1과 마찬가지로, 「(2)ＴｉＮ웨이퍼의 전세정」 및 「(3)ＴｉＮ웨이퍼의 산화처리」를 한 ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고, 계속하여 ＰＧＭＥＡ에 1분간 침지시킨 후, 방수성 보호막 형성공정으로서 상기에서 조정한 보호막 형성용 약액에 20도에서 1시간 침지시켰다. 그 후에 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고, 계속하여 순수에 1분간 침지시켰다. 또 상기 전세정 이후의 처리는 ＴｉＮ웨이퍼 표면에 항상 액체가 유지된 상태에서 하였다. 마지막으로, 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 분사하여 상기 ＴｉＮ웨이퍼 표면의 순수를 제거하였다.N, N-dimethylaminotrimethylsilane [(CH 3 ) 3 SiN (CH 3 ) 2 ] as a waterproof protective film-forming agent; , PGMEA as an organic solvent; Were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a chemical liquid for forming a protective film having a protective film forming agent concentration of 5 mass%. Similarly to Example 1, a TiN wafer having been subjected to "(2) pre-conditioning of TiN wafers" and "(3) oxidation treatment of TiN wafers" was immersed in iPA for 1 minute and then immersed in PGMEA for 1 minute, As the protective film forming step, the protective film forming liquid prepared as described above was immersed in the chemical liquid at 20 DEG C for 1 hour. Thereafter, the TiN wafer was immersed in iPA for 1 minute, and then immersed in pure water for 1 minute. Further, the above-mentioned treatment after the above-mentioned charring treatment was carried out in a state in which the liquid was always kept on the surface of the TiN wafer. Finally, the TiN wafer was taken out from pure water, and air was sprayed to remove pure water from the surface of the TiN wafer.

얻어진 ＴｉＮ웨이퍼를 상기 「본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가하였더니, 방수성 보호막 형성 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 보호막 형성 후의 접촉각도 23도로, 충분한 방수성을 부여할 수 없었다.The obtained TiN wafers were evaluated by the method described in the above-mentioned "Method of evaluating wafers cleaned by the cleaning method of the present invention". The initial contact angle before formation of the waterproof protective film was less than 10 degrees. The contact angle after formation of the protective film was 23 degrees, Could not be given.

[비교예2][Comparative Example 2]

방수성 보호막 형성제로서 N,N-디메틸아미노트리메틸실란〔(ＣＨ3)3ＳｉＮ(ＣＨ3)2〕; 5g, 유기용매로서 ＰＧＭＥＡ; 95g을 혼합하고 약 5분간 교반하여, 보호막 형성제 농도가 5질량％인 보호막 형성용 약액을 얻었다. 실시예1과 마찬가지로, 「(2)ＴｉＮ웨이퍼의 전세정」을 한 후에 「(3)ＴｉＮ웨이퍼의 산화처리」를 하지 않고, ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고, 계속하여 ＰＧＭＥＡ에 1분간 침지시킨 후, 방수성 보호막 형성공정으로서 상기에서 조정한 보호막 형성용 약액에 20도에서 1시간 침지시켰다. 그 후에 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 ｉＰＡ에 1분간 침지시키고, 계속하여 순수에 1분간 침지시켰다. 또 상기 전세정 이후의 처리는 ＴｉＮ웨이퍼 표면에 항상 액체가 유지된 상태에서 하였다. 마지막으로, 상기 ＴｉＮ웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 분사하여 상기 ＴｉＮ웨이퍼 표면의 순수를 제거하였다.N, N-dimethylaminotrimethylsilane [(CH 3 ) 3 SiN (CH 3 ) 2 ] as a waterproof protective film-forming agent; , PGMEA as an organic solvent; Were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a chemical liquid for forming a protective film having a protective film forming agent concentration of 5 mass%. The TiN wafer was immersed in iPA for 1 minute and then immersed in PGMEA for 1 minute without performing " (3) TiN wafer oxidation treatment " after " (2) And then immersed in the protective film forming liquid prepared as above in the waterproof protective film forming step at 20 DEG C for 1 hour. Thereafter, the TiN wafer was immersed in iPA for 1 minute, and then immersed in pure water for 1 minute. Further, the above-mentioned treatment after the above-mentioned charring treatment was carried out in a state in which the liquid was always kept on the surface of the TiN wafer. Finally, the TiN wafer was taken out from pure water, and air was sprayed to remove pure water from the surface of the TiN wafer.

얻어진 ＴｉＮ웨이퍼를 상기 「본 발명의 세정방법으로 세정된 웨이퍼의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가하였더니, 방수성 보호막 형성 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 보호막 형성 후의 접촉각도 18도로, 충분한 방수성을 부여할 수 없었다.The obtained TiN wafers were evaluated by the method described in the above-mentioned "evaluation method of wafers cleaned by the cleaning method of the present invention". The initial contact angle before formation of the waterproof protective film was less than 10 degrees, the contact angle after formation of the protective film was 18 degrees, Could not be given.

이하의 실시예1∼18은, 본 발명의 제2특징을 예증하는 것이고, 이하의 비교예1∼6은 그들과 대조를 이루는 것이다.The following Examples 1 to 18 exemplify the second feature of the present invention, and the following Comparative Examples 1 to 6 contrast with them.

[실시예1][Example 1]

(1)보호막 형성용 약액의 조제(1) Preparation of a chemical solution for forming a protective film

화합물A로서 헥사메틸디실라잔(ＨＭＤＳ); 3g, 산A로서 트리플루오로아세트산(ＴＦＡ); 0.1g, 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(ＰＧＭＥＡ); 96.9g을 혼합하고 약 5분 교반하여 보호막 형성용 약액을 얻었다.Hexamethyldisilazane (HMDS) as Compound A; 3 g, trifluoroacetic acid (TFA) as acid A; , Propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent; Were mixed and stirred for about 5 minutes to obtain a chemical solution for forming a protective film.

(2)웨이퍼의 세정(2) Cleaning of wafers

평활한 ＳｉＯ2막 부착 실리콘 웨이퍼(표면에 두께 1μm의 열산화막층을 구비하는 실리콘 웨이퍼, 이하에 간단하게 「ＳｉＯ2막」이라고 기재하는 경우가 있다)를 1질량％의 불산 수용액에 2분 침지시키고, 다음에 순수에 1분, 2-프로판올에 1분 침지시켰다. 또한 ＬＰ-ＣＶＤ로 제작한 평활한 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼(표면에 두께 50ｎｍ의 질화규소막을 구비하는 실리콘 웨이퍼, 이하 간단하게 「ＳｉＮ막」이라고 기재하는 경우가 있다)를 1질량％의 불산 수용액에 2분 침지시키고, 다음에 순수에 1분, 28질량％ 암모니아수 : 30질량％ 과산화수소수 : 물을 1 : 1 : 5의 부피비로 혼합한 세정액에 1분, 순수에 1분 침지시켰다.A silicon wafer with a smooth SiO 2 film (a silicon wafer having a thermally oxidized film layer having a thickness of 1 μm on its surface, hereinafter sometimes simply referred to as "SiO 2 film") may be immersed in a 1% And then immersed in pure water for 1 minute and in 2-propanol for 1 minute. Further, a silicon wafer with a smooth SiN film (a silicon wafer having a silicon nitride film with a thickness of 50 nm and hereinafter simply referred to as " SiN film ") made by LP-CVD was immersed in a 1 mass% Minute, and then immersed in pure water for 1 minute, in a cleaning liquid mixed with 28% by mass aqueous ammonia: 30% by mass aqueous hydrogen peroxide: water in a volume ratio of 1: 1: 5 for 1 minute and pure water for 1 minute.

(3)전처리(3) Pretreatment

전처리용 약액으로서 1ｍｏｌ/L 염산(표1 중, ＨＣｌ로 기재)수용액(실측 ｐＨ는 0.1)을 미리 이온교환법 및 필터여과로 정제한 것을 사용하여, 핫플레이트(hot plate)에서 액체 온도가 60도가 되도록 가열하였다. 그 후에 상기 세정을 한 ＳｉＯ2막 부착 실리콘 웨이퍼 및 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼를 각각 전처리용 약액에 1분 침지시켜서 전처리를 하였다. 그 후에 각 웨이퍼를 순수에 1분 침지시켰다. 또 전처리용 약액의 ｐＨ는, 전처리용 약액을 25도 항온조에 1시간 방치한 후에 ｐＨ미터(아즈원사제, 라콤테스터ｐＨ계 ｐＨ1100)를 사용하여 측정하였다.An aqueous solution of 1 mol / L hydrochloric acid (as indicated by HCl in Table 1) (actual pH of 0.1) was purified by ion exchange and filter filtration in advance as a pretreatment liquid, and a liquid temperature of 60 DEG C Lt; / RTI > Thereafter, the cleaned silicon wafer with the SiO 2 film and the silicon wafer with the SiN film were each immersed in the pretreatment liquid for 1 minute to perform the pretreatment. Thereafter, each wafer was immersed in pure water for one minute. The pH of the pretreatment liquid was measured by using a pH meter (Rocom Tester pH system, pH 1100, manufactured by Ajinomoto Co., Ltd.) after leaving the pretreatment liquid in a 25 ° C thermostat for 1 hour.

(4)웨이퍼 표면으로의 보호막 형성용 약액에 의한 표면처리(4) Surface treatment with a chemical liquid for forming a protective film on the wafer surface

전처리를 한 ＳｉＯ2막 부착 실리콘 웨이퍼 및 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼를 각각 2-프로판올에 1분 침지시킨 후, 상기 「(1)보호막 형성용 약액의 조제」에서 조제한 보호막 형성용 약액에 20도에서 1분 침지시켰다. 그 후에 각 웨이퍼를 2-프로판올에 1분 침지시키고 다음에 순수에 1분 침지시켰다. 마지막으로, 각 웨이퍼를 순수로부터 꺼내 에어를 분사하여 표면의 순수를 제거하였다.The pretreated silicon wafer with the SiO 2 film and the silicon wafer with the SiN film were each immersed in 2-propanol for 1 minute and then immersed in the protective film forming chemical liquid prepared in the above "(1) Preparation of a chemical for forming a protective film" Min. Each wafer was then immersed in 2-propanol for 1 minute and then in pure water for 1 minute. Finally, each wafer was taken out of pure water and sprayed with air to remove pure water from the surface.

얻어진 각 웨이퍼를 상기 「웨이퍼의 평가방법」에 기재한 요령으로 평가하였다. 이하, ＳｉＯ2막 부착 실리콘 웨이퍼에 대하여 언급하는 경우에는 간단하게 「ＳｉＯ2막」이라고 기재하고, ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼에 대하여 언급하는 경우에는 간단하게 「ＳｉＮ막」이라고 기재한다. 평가결과는 표1에 나타나 있는 바와 같이, ＳｉＯ2막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 88도가 되어 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사 후의 웨이퍼의 Ra값은 0.5ｎｍ 미만이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.Each of the obtained wafers was evaluated according to the method described in the " evaluation method of wafers ". [0099] In case of the substrate is simply referred to as "SiO 2 film" is referred with respect to the SiO 2 film attached to the silicon wafer, reference may be made to the SiN film attached to the silicon wafer will be briefly described as "SiN film". As shown in Table 1, in the SiO 2 film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, and the contact angle after the surface treatment was 88 degrees, showing waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Further, the Ra value of the wafer after UV irradiation was less than 0.5 nm, and it was confirmed that the wafer was not eroded at the time of cleaning and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

또한 ＳｉＮ막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 69도가 되어 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사 후의 웨이퍼의 Ra값은 0.5ｎｍ 미만이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.In the SiN film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, and the contact angle after the surface treatment was 69 degrees, showing waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Further, the Ra value of the wafer after UV irradiation was less than 0.5 nm, and it was confirmed that the wafer was not eroded at the time of cleaning and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

이와 같이 60도로 가열한 1ｍｏｌ/L 염산 수용액에 의하여 전처리를 하면, 웨이퍼 표면에 수산기가 많은 ＳｉＯ2막 부착 실리콘 웨이퍼, 웨이퍼 표면에 수산기가 적은 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼의 어느 쪽에 대하여도 양호한 방수성 부여 효과가 얻어지고, 효율적으로 세정을 할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
When the pretreatment was carried out with a 1 mol / L hydrochloric acid aqueous solution heated to 60 ° C as described above, it was confirmed that the silicon wafer with a SiO 2 film having a large number of hydroxyl groups on the wafer surface and the silicon wafer with a SiN film with a small number of hydroxyl groups on the wafer surface And it was confirmed that cleaning can be performed efficiently.

Figure 112012077082214-pct00011
Figure 112012077082214-pct00011

[실시예2∼18]  [Examples 2 to 18]

실시예1에서 사용한 전처리용 약액의 산, 산 농도, 용매, ｐＨ, 온도나 보호막 형성용 약액의 표면처리의 온도, 시간 등의 조건을 적정하게 변경하여 웨이퍼의 표면처리를 하고, 또한 그 평가를 하였다. 결과를 표1에 나타낸다.The conditions such as the acid, the acid concentration, the solvent, the pH and the temperature of the pretreatment liquid used in Example 1, the surface treatment temperature of the chemical liquid for forming the protective film, and the time were appropriately changed to perform the surface treatment of the wafer, Respectively. The results are shown in Table 1.

표 1중에서, ＨＮＯ3은 질산, ＣＨ3ＣＯＯＨ는 아세트산, ＨＯＯＣＣＨＣＨＣＯＯＨ는 말레인산을 의미하고, 물/ＥＧ = 60/40은 물/에틸렌글리콜이 60/40의 질량비로 혼합된 용매를 의미하고, 물/ＥＧ = 20/80은 물/에틸렌글리콜이 20/80의 질량비로 혼합된 용매를 의미하며, ＨＭＤＳ/ＴＦＡ/ＰＧＭＥＡ는 실시예1과 동일한 조성비의 보호막 형성용 약액을 의미한다.In Table 1, HNO 3 means nitric acid, CH 3 COOH means acetic acid, HOOCCHCHCOOH means maleic acid, water / EG = 60/40 means a solvent in which water / ethylene glycol is mixed at a mass ratio of 60/40, EG = 20/80 means a solvent in which water / ethylene glycol is mixed at a mass ratio of 20/80, and HMDS / TFA / PGMEA means a chemical for forming a protective film having the same composition ratio as in Example 1. [

[비교예1][Comparative Example 1]

전처리를 하지 않은 이외에는 전부 실시예1과 동일하게 하였다. 평가결과를 표1에 나타낸다. ＳｉＯ2막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 91도가 되어 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사 후의 웨이퍼의 Ra값은 0.5ｎｍ 미만이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.Except that the pretreatment was not carried out. The evaluation results are shown in Table 1. In the SiO 2 film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, and the contact angle after the surface treatment was 91 degrees, showing waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Further, the Ra value of the wafer after UV irradiation was less than 0.5 nm, and it was confirmed that the wafer was not eroded at the time of cleaning and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

한편 ＳｉＮ막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 47도가 되어 방수성 부여 효과가 충분하지 않았다.On the other hand, in the SiN film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, the contact angle after the surface treatment was 47 degrees, and the waterproofing effect was not sufficient.

비교예1의 평가결과로부터, 전처리를 하지 않는 경우에 표면에 존재하는 수산기 등의 반응 활성점의 양이 거의 변화되지 않기 때문에, 원래 웨이퍼 표면에 수산기가 적은 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼에서는 방수성의 보호막이 충분히 형성되지 않는다고 생각된다.From the evaluation results of Comparative Example 1, the amount of reaction active sites such as hydroxyl groups present on the surface hardly changes when the pretreatment is not carried out. Therefore, in the case of a silicon wafer having a SiN film with a small number of hydroxyl groups on the original wafer surface, It is considered that it is not formed sufficiently.

[비교예2][Comparative Example 2]

전처리용 약액으로서 0.0005ｍｏｌ/L 염산 수용액(실측 ｐＨ는 3.5)을 사용한 이외에는 전부 실시예1과 동일하게 하였다. 평가결과를 표1에 나타낸다. ＳｉＯ2막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 88도가 되어 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사 후의 웨이퍼의 Ra값은 0.5ｎｍ 미만이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.The same procedures as in Example 1 were followed except that 0.0005 mol / L hydrochloric acid aqueous solution (actual pH was 3.5) was used as the pretreatment liquid. The evaluation results are shown in Table 1. In the SiO 2 film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, and the contact angle after the surface treatment was 88 degrees, showing waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Further, the Ra value of the wafer after UV irradiation was less than 0.5 nm, and it was confirmed that the wafer was not eroded at the time of cleaning and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

한편 ＳｉＮ막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 59도가 되어 방수성 부여 효과가 충분하지 않았다.On the other hand, in the SiN film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 deg., The contact angle after the surface treatment was 59 deg.

[비교예3][Comparative Example 3]

전처리용 약액으로서 0.01ｍｏｌ/L 아세트산 수용액(실측 ｐＨ는 3.6)을 사용한 이외에는 전부 실시예1과 동일하게 하였다. 평가결과를 표1에 나타낸다. ＳｉＯ2막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 89도가 되어 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사 후의 웨이퍼의 Ra값은 0.5ｎｍ 미만이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.The same procedures as in Example 1 were followed except that 0.01 mol / L acetic acid aqueous solution (actual pH was 3.6) was used as the pretreatment liquid. The evaluation results are shown in Table 1. In the SiO 2 film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, and the contact angle after the surface treatment was 89 degrees, showing waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Further, the Ra value of the wafer after UV irradiation was less than 0.5 nm, and it was confirmed that the wafer was not eroded at the time of cleaning and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

한편 ＳｉＮ막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 58도가 되어 방수성 부여 효과가 충분하지 않았다.On the other hand, in the SiN film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 deg., The contact angle after the surface treatment was 58 deg.

비교예2 및 3의 평가결과로부터, 전처리용 약액 중의 산 농도가 지나치게 낮을 경우 또는 전처리용 약액의 ｐＨ의 값이 지나치게 클 경우에 웨이퍼 표면을 개질하는 효과가 약해지기 때문에, 원래 웨이퍼 표면에 수산기가 적은 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼에서는 방수성의 보호막이 충분히 형성되지 않는다고 생각된다.From the evaluation results of Comparative Examples 2 and 3, when the acid concentration in the pretreatment liquid is excessively low or when the pH value of the pretreatment liquid is too high, the effect of modifying the surface of the wafer is weakened. It is considered that a waterproof protective film is not sufficiently formed in a silicon wafer with a small SiN film.

[비교예4][Comparative Example 4]

전처리용 약액으로서 7ｍｏｌ/L 염산 수용액(실측 ｐＨ는 0.0)을 사용하였다. 그러나 전처리용 약액의 산 농도가 지나치게 높기 때문에 이온교환법에 의한 상기 전처리용 약액의 정제를 할 수 없었다.A 7 mol / L hydrochloric acid aqueous solution (actual pH = 0.0) was used as the pretreatment liquid. However, since the acid concentration of the pretreatment liquid is excessively high, it is impossible to purify the pretreatment liquid by the ion exchange method.

[비교예5][Comparative Example 5]

1ｍｏｌ/L 염산 수용액; 90g, 30% 과산화수소(이하, H2O2라고 기재)수용액; 10g을 혼합하고 5분 교반하여, 전처리용 약액(실측 ｐＨ는 0.0)으로 하였다. 전처리용 약액 중의 염산농도는 0.9ｍｏｌ/L, 용매의 조성은 물/H2O2 = 97/3(질량비)이다. 전처리용 약액을 핫 플레이트에서 액체 온도가 90도가 되도록 가열하였더니 기포가 발생하였다. 이것은 과산화수소가 분해하여 산소가 발생한 것이라고 생각된다. 상기 기포의 발생에 의하여 전처리를 할 수 없었다.1 mol / L hydrochloric acid aqueous solution; 90 g, 30% aqueous hydrogen peroxide (hereinafter referred to as H 2 O 2 ) aqueous solution; Were mixed and stirred for 5 minutes to prepare a pretreatment liquid (actual pH was 0.0). The concentration of hydrochloric acid in the pretreatment chemical liquid is 0.9 mol / L, and the composition of the solvent is water / H 2 O 2 = 97/3 (mass ratio). The pretreatment liquid was heated on a hot plate so that the liquid temperature was 90 degrees, and bubbles were generated. It is considered that hydrogen peroxide decomposes and oxygen is generated. The preprocess could not be performed due to the generation of the bubbles.

[비교예6][Comparative Example 6]

전처리용 약액을 30도로 한 이외에는 전부 실시예1과 동일하게 하였다. 평가결과를 표1에 나타낸다. ＳｉＯ2막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 87도가 되어 방수성 부여 효과를 나타냈다. 또한 ＵＶ조사 후의 접촉각은 10도 미만이며 보호막은 제거할 수 있었다. 또 ＵＶ조사 후의 웨이퍼의 Ra값은 0.5ｎｍ 미만이며, 세정시에 웨이퍼는 침식되지 않고, 또한 ＵＶ조사 후에 보호막의 잔사는 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.Except that the pretreatment chemical solution was 30 degrees. The evaluation results are shown in Table 1. In the SiO 2 film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 degrees, and the contact angle after the surface treatment was 87 degrees, showing waterproofing effect. Also, the contact angle after UV irradiation was less than 10 degrees, and the protective film could be removed. Further, the Ra value of the wafer after UV irradiation was less than 0.5 nm, and it was confirmed that the wafer was not eroded at the time of cleaning and no residue of the protective film remained after UV irradiation.

한편 ＳｉＮ막에서는, 표면처리 전의 초기 접촉각이 10도 미만이었던 것이 표면처리 후의 접촉각은 51도가 되어 방수성 부여 효과가 충분하지 않았다.On the other hand, in the SiN film, the initial contact angle before the surface treatment was less than 10 deg., The contact angle after the surface treatment was 51 deg.

비교예6의 평가결과로부터, 전처리용 약액의 온도가 지나치게 낮을 경우에 웨이퍼 표면을 개질하는 효과가 약해지기 때문에, 원래 웨이퍼 표면에 수산기가 적은 ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼에서는 방수성의 보호막이 충분히 형성되지 않는다고 생각된다.From the evaluation results of Comparative Example 6, the effect of modifying the surface of the wafer is weakened when the temperature of the pretreatment liquid is excessively low, so that a waterproof protective film is not sufficiently formed in a silicon wafer having an SiN film with a small number of hydroxyl groups on the original wafer surface I think.

본 실시예에서는 웨이퍼 표면에 수산기가 적은 웨이퍼으로서, ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 그러나 폴리실리콘 등의 실리콘막 부착 실리콘 웨이퍼를 사용했을 경우에 있어서도, ＳｉＮ막 부착 실리콘 웨이퍼를 사용했을 경우로 같은 결과가 얻어진다고 상정된다.
In this embodiment, a silicon wafer with a SiN film was used as a wafer having a small number of hydroxyl groups on the wafer surface. However, even when a silicon wafer with a silicon film such as polysilicon is used, it is assumed that the same result is obtained when a silicon wafer with a SiN film is used.

1 웨이퍼
2 웨이퍼 표면의 요철 패턴
3 패턴의 볼록부
4 패턴의 오목부
5 오목부의 폭
6 볼록부의 높이
7 볼록부의 폭
8 오목부(4)에 유지된 방수성 보호막 형성용 약액
9 오목부(4)에 유지된 액체
10 방수성 보호막1 wafer
2 irregular pattern of the wafer surface
3 patterns of convex portions
4 pattern concave
5 Width of recess
6 Height of convex
7 Width of convex part
8 A waterproof protective film forming chemical liquid
9 The liquid held in the concave portion 4
10 Waterproof Shield

Claims (11)

표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄(titanium), 질화티탄(窒化titanium), 텅스텐(tungsten), 알루미늄(aluminium), 구리(銅), 주석(朱錫), 질화탄탈(窒化tantalum), 루테늄(ruthenium) 및 실리콘 원소(silicon 元素)를 포함하는 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼의 세정방법으로서,
상기 웨이퍼 표면을 개질(改質)하는 전처리공정(前處理工程),
개질된 상기 웨이퍼 표면에 방수성 보호막(防水性保護膜)을 형성하기 위한 방수성 보호막 형성제를 함유하는 방수성 보호막 형성용 약액을 상기 웨이퍼의 적어도 오목부에 유지시켜, 상기 오목부 표면에 방수성 보호막을 형성하는 방수성 보호막 형성공정
을 포함하고, 상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[1]로 표현되는 규소화합물인
것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
Figure 112012077082214-pct00012

(식[1] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환(無置換) 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, X는, 각각 서로 독립하여, 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기(官能基), 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 및 할로겐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 기이며, a는 1∼3의 정수이다. 또한 상기 웨이퍼 중, 실리콘 원소를 포함하지 않는 것은 식[1]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이다.)
Wherein at least a part of a concave surface of the concavo-convex pattern of the wafer having a concavo-convex pattern on its surface is made of a material selected from the group consisting of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, Tin), tantalum nitride (tantalum nitride), ruthenium, and a silicon element (silicon element), the cleaning method comprising the steps of:
A pretreatment process (pre-treatment process) for modifying (reforming) the wafer surface,
A waterproof protective film forming chemical liquid containing a waterproof protective film forming agent for forming a waterproof protective film (waterproof protective film) on the surface of the modified wafer is held on at least a concave portion of the wafer to form a waterproof protective film on the surface of the concave portion Waterproof protective film forming process
, Wherein the waterproof protective film forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [1]
And cleaning the wafer.
Figure 112012077082214-pct00012

(Formula [1], R 1 is, each independently from each other, a hydrocarbon group substituted with hydrogen or unsubstituted carbon atoms of 1~18 (無置換) or a halogen element, a hydrogen atom, X is, each independently from each other , A monovalent functional group (functional group) having an element which bonds with the silicon element is nitrogen, a monovalent functional group whose element is bonded with a silicon element and a halogen group, and a is at least one group selected from the group consisting of is an integer. It also does not include of the wafer, the silicon element is the sum of the carbon number of 6 or more contained in the R 1 in the formula (1).)
제1항에 있어서,
표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 실리콘 원소를 포함하는 웨이퍼의 세정방법으로서,
전처리용 약액을 공급함으로써 요철 패턴의 표면을 개질하는 전처리공정,
개질된 요철 패턴의 표면에 방수성 보호막 형성용 약액을 공급함으로써 요철 패턴의 표면에 방수성 보호막을 형성하는 방수성 보호막 형성공정
을 적어도 포함하는 웨이퍼의 세정방법으로,
상기 전처리공정에서는, 산(酸)을 몰농도로 0.001∼5ｍｏｌ/L 포함하고 ｐＨ가 3이하인 전처리용 약액을 사용하여, 40도 이상이고 전처리용 약액의 비등점(沸騰點) 미만의 온도에서 요철 패턴의 표면을 개질하는
것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
The method according to claim 1,
A method of cleaning a wafer, wherein at least a part of a concave portion of the concavo-convex pattern includes a silicon element in a wafer having a concave-
A pretreatment step of modifying the surface of the concavo-convex pattern by supplying a pretreatment liquid,
A waterproof protective film forming step of forming a waterproof protective film on the surface of the uneven pattern by supplying a chemical liquid for forming a waterproof protective film to the surface of the modified uneven pattern
The cleaning method comprising:
In the pretreatment step, a pretreatment liquid containing 0.001 to 5 mol / L of an acid in a molar concentration and having a pH of 3 or less is used to form a concavo-convex pattern at a temperature of 40 DEG C or higher and lower than the boiling point of the pretreatment liquid. Modifying the surface of
And cleaning the wafer.
제2항에 있어서,
상기 전처리용 약액 중에 포함되는 산이 유기산(有機酸)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the acid contained in the pretreatment liquid is an organic acid.
제1항 내지 제3항 중의 어느 하나의 항에 있어서,
상기 요철 패턴의 적어도 일부가, 질화규소(窒化硅素) 및/또는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein at least a part of the uneven pattern is formed of silicon nitride and / or silicon.
제1항에 있어서,
표면에 요철 패턴이 형성된 웨이퍼에 있어서 상기 요철 패턴의 적어도 오목부 표면의 일부가 티탄, 질화티탄, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 주석, 질화탄탈 및 루테늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 물질을 포함하는 웨이퍼의 세정방법으로서,
상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[2]로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
Figure 112012077082214-pct00013

(식[2] 중, R1은, 각각 서로 독립하여, 수소 또는 탄소수가 1∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, 식[2]의 Ｒ1 중에 포함되는 탄소수의 합계가 6이상이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.)
The method according to claim 1,
At least a part of the concave surface of the concavo-convex pattern in the wafer having the concavo-convex pattern on its surface contains at least one kind of material selected from the group consisting of titanium, titanium nitride, tungsten, aluminum, copper, tin, tantalum nitride and ruthenium The cleaning method comprising:
Wherein the waterproof protective film-forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [2].
Figure 112012077082214-pct00013

(In the formula [2], R 1 represents a hydrogen or a hydrocarbon group in which an unsubstituted or hydrogen atom of 1 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element, and the number of carbon atoms contained in R 1 of formula [2] X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, and a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is oxygen or a halogen group.
제5항에 있어서,
상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[3]으로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
Figure 112012077082214-pct00014

(식[3] 중, R2는 탄소수가 4∼18의 무치환 혹은 수소원소가 할로겐원소로 치환된 탄화수소기이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.)
6. The method of claim 5,
Wherein the waterproof protective film-forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [3].
Figure 112012077082214-pct00014

(In the formula [3], R 2 is a hydrocarbon group in which an unsubstituted or hydrogen atom having 4 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen element, and X is a monovalent functional group in which an element bonding to the silicon element is nitrogen, Is a monovalent functional group or a halogen group whose element is oxygen.)
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 방수성 보호막 형성제가 하기 일반식[4]로 표현되는 규소화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
Figure 112012077082214-pct00015

(식[4] 중, R3은 탄소수가 4∼18이고 적어도 일부의 수소원소가 불소원소로 치환된 탄화수소기이며, X는 규소원소와 결합하는 원소가 질소인 1가의 관능기, 규소원소와 결합하는 원소가 산소인 1가의 관능기 또는 할로겐기이다.)
The method according to claim 5 or 6,
Wherein the waterproof protective film forming agent is a silicon compound represented by the following general formula [4].
Figure 112012077082214-pct00015

(In the formula [4], R 3 is a hydrocarbon group having 4 to 18 carbon atoms and at least a part of the hydrogen element is substituted with a fluorine element, and X is a monovalent functional group whose element bonding with the silicon element is nitrogen, Is a monovalent functional group or a halogen group whose element is oxygen.)
제1항, 제5항, 제6항 중의 어느 하나의 항에 있어서,
상기 전처리공정이 상기 웨이퍼 표면에 산화처리액(酸化處理液)을 유지하는 것인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
 The method according to any one of claims 1, 5, and 6 ,
Wherein the pretreatment step holds an oxidation treatment liquid (oxidation treatment liquid) on the surface of the wafer.
제7항에 있어서,
상기 전처리공정이 상기 웨이퍼 표면에 산화처리액(酸化處理液)을 유지하는 것인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법
 8. The method of claim 7 ,
Wherein the pretreatment step comprises holding the oxidation treatment liquid (oxidation treatment liquid) on the surface of the wafer
제8항에 있어서,
상기 전처리공정에 있어서 사용하는 산화처리액이, 오존을 포함하는 처리액, 과산화수소를 포함하는 처리액 및 산을 포함하는 처리액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 처리액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the oxidation treatment solution used in the pre-treatment step is at least one treatment solution selected from the group consisting of a treatment solution containing ozone, a treatment solution containing hydrogen peroxide and a treatment solution containing an acid Cleaning method.
제9항에 있어서,
상기 전처리공정에 있어서 사용하는 산화처리액이, 오존을 포함하는 처리액, 과산화수소를 포함하는 처리액 및 산을 포함하는 처리액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 처리액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정방법. 10. The method of claim 9 ,
Wherein the oxidation treatment solution used in the pre-treatment step is at least one treatment solution selected from the group consisting of a treatment solution containing ozone, a treatment solution containing hydrogen peroxide and a treatment solution containing an acid Cleaning method.
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