KR101392955B1 - 발진 신호를 생성하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터-판독가능 매체, 그리고 이를 이용한 디바이스들 - Google Patents

발진 신호를 생성하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터-판독가능 매체, 그리고 이를 이용한 디바이스들 Download PDF

Info

Publication number
KR101392955B1
KR101392955B1 KR1020117030407A KR20117030407A KR101392955B1 KR 101392955 B1 KR101392955 B1 KR 101392955B1 KR 1020117030407 A KR1020117030407 A KR 1020117030407A KR 20117030407 A KR20117030407 A KR 20117030407A KR 101392955 B1 KR101392955 B1 KR 101392955B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
steady
oscillation signal
generating
crystal
negative
Prior art date
Application number
KR1020117030407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120024801A (ko
Inventor
조지 에이. 가르시아
토드 모이어
Original Assignee
퀄컴 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 퀄컴 인코포레이티드 filed Critical 퀄컴 인코포레이티드
Publication of KR20120024801A publication Critical patent/KR20120024801A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101392955B1 publication Critical patent/KR101392955B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/0002—Types of oscillators
    • H03B2200/0012—Pierce oscillator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/69—Spread spectrum techniques
    • H04B2001/6908—Spread spectrum techniques using time hopping

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

네거티브(negative)-저항 회로, 크리스탈, 및 발진 신호를 생성할 시에 상기 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진을 변경하기 위한 컴포넌트를 포함하는 발진 신호를 생성하기 위한 장치에 관한 것이다. 상기 컴포넌트는 포지티브-리액턴스 회로, 하나 이상의 유도성 엘리먼트들 또는 상기 크리스탈에 연결되는 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 상기 장치는 크리스탈에 연결되는 가변 커패시터와 같은 발진 신호의 주파수를 조정하기 위한 주파수-튜닝 컴포넌트를 더 포함할 수 있다. 상기 네거티브-저항 회로는 디지털 인버터 회로, 인버팅 아날로그 증폭기 또는 자기-조절 회로를 포함할 수 있다. 상기 장치는 정상-상태 전류를 네거티브-저항 회로에 공급하기 위한 정동작 전류원, 및 정의된 정상-상태 조건에 도달하게 상기 발진 신호를 더 신속하게 처리하기 위해서 스타트 업 동안에만 승압 전류를 상기 전류-저항 회로에 공급하기 위한 스타트 업 전류원을 더 포함할 수 있다.

Description

발진 신호를 생성하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터-판독가능 매체, 그리고 이를 이용한 디바이스들 {APPARATUS, METHOD AND COMPUTER-READABLE MEDIUM FOR GENERATING AN OSCILLATING SIGNAL, AND DEVICES USING THE SAME}
본 개시물은 일반적으로 통신 시스템들에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 발진기의 전력 소비를 감소시키기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
많은 통신 시스템들에서, 발진기는 다른 신호들 및/또는 클럭들이 생성되는 기준 발진 신호를 생성하는 데에 사용된다. 예를 들어, 기준 발진 신호는 디지털 및 아날로그 회로를 구동하기 위한 하나 이상의 클럭들을 생성하는 데에 사용될 수 있다. 추가적으로, 기준 발진 신호는 무선 주파수(RF), 중간 주파수(IF) 또는 다른 신호들을 더 낮은 또는 기저대역 주파수들로 하향변환하기 위한, 그리고/또는 기저대역 신호들을 IF, RF 또는 다른 더 높은 주파수들로 상향변환하기 위한 로컬 발진기(LO)에서 사용될 수 있다.
이들 통신 시스템들 중 많은 시스템들은 셀룰러 전화들, 개인용 디지털 보조기(PDA)들, 핸드헬드 디바이스들 및 다른 휴대용 통신 디바이스들과 같은 휴대용 시스템들이다. 이들 휴대용 통신 시스템들은 전형적으로 다양한 의도된 동작들을 수행하기 위해서, 배터리와 같은 제한된 전력 소스에 의존한다. 제한된 전력 소스는 전형적으로 휴대용 디바이스에 의해 인출(drawn)되는 전력량에 의존하는 연속적인 사용 수명을 갖는다. 일반적으로 연속적인 사용 수명을 가능한 한 많이 연장하는 것이 바람직하다. 따라서, 휴대용 통신 시스템들은 점점 적은 전력을 소비하도록 더 빈번하게 설계된다.
발진기들에 대하여, 이들 전력 소비는 일반적으로 생성되는 발진 신호의 주파수 튜닝 범위에 의존한다. 예를 들어, 발진기가 매우 고가이고 정밀한 크리스탈(Xtal)을 사용하여 설계되는 경우, 주파수 튜닝 범위는 클 필요가 없다. 결과적으로, 발진기의 전력 소비가 상대적으로 낮게 유지될 수 있다. 한편, 발진기가 고가이지 않고 그다지 정밀하지 않은 Xtal을 사용하여 설계되는 경우, 주파수 튜닝 범위는 일반적으로 발진 신호의 주파수가 사양 내에서 유지됨을 보장하기 위해서 더 커질 필요가 있다. 공교롭게도, 발진기의 전력 소비는 일반적으로 더 넓은 주파수 튜닝 범위에 따라 더 커진다. 이것은 다음의 예를 참조하여 보다 양호하게 설명된다.
도 1a는 발진 신호를 생성하기 위한 종래의 장치(100)의 블록/개략도를 도시한다. 종래의 장치(100)는 전형적으로 네거티브(negative)-저항 회로(102) 및 네거티브-저항 회로와 피드백 구성에서 연결되는 공진기를 포함한다. 이 예에서, 공진기는 Xtal(104) 및 관련 기술에서 전형적으로 피어스(Pierce) 커패시터들로 지칭되는 한 쌍의 가변 커패시터들(CP)을 포함한다. 가변 커패시터들(CP)은 장치(100)에 의해 생성되는 발진 신호의 주파수의 외부적 튜닝을 제공하도록 서빙한다.
도 1b는 종래의 장치(100)의 공진기의 임피던스 대 주파수의 그래프를 도시한다. 예를 들어, 종래의 발진기(100)의 피어스 커패시터들(CP)이 제거되는 경우, 발진 신호의 주파수는 실질적으로 Xtal(104)에 의해 지시된다. 이러한 경우, 발진 신호의 주파수는 그래프에서 표시되는 바와 같이, Xtal(104)의 병렬 공진으로 실질적으로 떨어진다. 병렬 공진에서, 네거티브-저항 회로(102)에 의해 인출되는 전력은 공진기의 임피던스가 실질적으로 최대화되기 때문에 실질적으로 최소화된다.
Xtal(104)이 로트 간(from lot-to-lot) 매우 정밀한 경우, Xtal에 대한 병렬 공진은 로트 간 크게 변화하지 않는다. 병렬 공진의 공차(tolerance)가 발진기(100)의 주파수 편이 사양 내에 있는 경우, 피어스 커패시터들(CP)이 요구될 필요가 없으며, 발진기는 전력 효율적인 방식으로 동작될 수 있다. 그러나, 이러한 정밀한 Xtal(104)은 전형적으로 매우 고가이다. 따라서, 발진기(100)의 비용을 감소시키기 위해서, 덜 정밀하고 저가인 Xtal(104)이 사용될 수 있다. 이것은 로트 간 Xtal(104)의 병렬 공진이 발진기(100)의 주파수 편이 사양보다 더 많이 변하는 불리한 결과를 가질 수 있다. 이러한 경우, 주파수 튜닝이 필요할 수 있으며, 이로써 하나 이상의 가변 커패시터들(CP)의 사용이 지시(mandate)된다.
발진기(100)의 공진기에 커패시턴스(CP)를 부가하는 효과들은 발진 신호의 주파수를 감소시키는 것이다. 이것은 그래프 내의 발진기 튜닝가능한 범위에 의해 표시되는 바와 같이, Xtal(104)의 병렬 공진과 연관된 임피던스로부터 Xtal의 직렬 공진과 연관된 임피던스로 공진기의 임피던스를 낮추는 결과를 갖는다. 공진기의 임피던스가 Xtal(104)의 직렬 공진에 더 가깝게 이동할 때, 네거티브-저항 회로(102)는 더 많은 전력을 소비한다.
전력 소비는 Xtal(104)의 병렬 공진과 직렬 공진 간의 풀어빌러티(pullability) 또는 주파수 차와 관련된다. 발진 신호의 정해진 주파수에 대하여, 풀어빌러티가 더 클 경우 발진기(100)의 전력 소비는 더 적다. 또는, 반대로, 발진 신호의 정해진 주파수에 대하여, 풀어빌러티가 더 적은 경우 발진기(100)의 전력 소비는 더 크다. 따라서, 발진기(100)를 더 전력 효율적인 방식으로 동작시키기 위해서 발진기(100)의 풀어빌러티를 증가시킬 필요가 있다.
본 개시물의 양상은 네거티브(negative)-저항 회로, 크리스탈, 및 발진 신호를 생성할 시에 상기 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진을 변경하도록 적응되는 컴포넌트를 포함하는 발진 신호를 생성하기 위한 장치에 관련된다. 또 다른 양상에서, 상기 컴포넌트는 포지티브-리액턴스(positive-reactance) 회로를 포함한다. 또 다른 양상에서, 상기 컴포넌트는 하나 이상의 유도성(inductive) 엘리먼트들을 포함한다. 또 다른 양상에서, 상기 컴포넌트는 상기 크리스탈의 양 측들에 각각 연결되는 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 포함한다.
본 개시물의 또 다른 양상에서, 발진 신호를 생성하기 위한 장치는 상기 발진 신호의 주파수를 조정하기 위한 주파수-튜닝 컴포넌트를 더 포함한다. 또 다른 양상에서, 상기 주파수-튜닝 컴포넌트는 정의된 주파수의 ± 10 ppm(parts-per-million) 내에 있도록 상기 발진 신호의 주파수를 조정하도록 적응된다. 또 다른 양상에서, 상기 주파수-튜닝 컴포넌트는 상기 크리스탈에 연결되는 하나 이상의 가변 용량성(capacitive) 엘리먼트들을 포함한다.
본 개시물의 또 다른 양상에서, 상기 네거티브-저항 회로는 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전류를 소비하도록 구성된다. 또 다른 양상에서, 상기 네거티브-저항 회로는 상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전력을 소비하도록 구성된다. 또 다른 양상에서, 상기 네거티브-저항 회로는 디지털 인버터 회로, 인버팅(inverting) 아날로그 증폭기 또는 자기-조절(self-regulating) 회로를 포함한다. 또 다른 양상에서, 발진 신호를 생성하기 위한 장치는 실질적으로 정상-상태(steady-state) 전류를 네거티브-저항 회로에 공급하도록 적응되는 정동작 전류원(quiescent current source), 및 콜드 스타트(cold start)로부터 사전 정의된 정상-상태 조건에 도달하게 상기 발진 신호를 더 신속하게 처리(expedite)하기 위해서 상기 발진 신호의 개시 동안에만 승압(boost) 전류를 상기 네거티브-저항 회로에 공급하도록 적응되는 스타트-업(start up) 전류원을 포함한다.
본 개시물의 다른 양상들, 이점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 함께 고려될 때 본 개시물의 다음의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1a는 발진 신호를 생성하기 위한 종래 장치의 블록/개략도를 도시한다.
도 1b는 발진 신호를 생성하기 위한 종래 장치의 공진기의 임피던스 대 주파수의 그래프를 도시한다.
도 2a는 본 개시물의 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 예시적인 장치의 블록/개략도를 도시한다.
도 2b는 본 개시물의 또 다른 양상에 따른 예시적인 장치의 공진기의 임피던스 대 주파수 응답(실선) 및 종래 장치의 대응하는 응답(파선)의 그래프를 도시한다.
도 2c는 본 개시물의 또 다른 양상에 따른 예시적인 장치의 공진기의 임계 트랜스컨덕턴스(critical transconductance)(gmcrit) 대 피어스 커패시턴스(CP) 응답(실선) 및 종래 장치의 공진기의 대응하는 응답(파선)의 그래프를 도시한다.
도 2d는 본 개시물의 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 예시적인 장치의 블록/개략도를 도시한다.
도 3a는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치의 블록/개략도를 도시한다.
도 3b는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치의 블록/개략도를 도시한다.
도 4a는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치의 개략도를 도시한다.
도 4b는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치의 개략도를 도시한다.
도 4c는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치의 개략도를 도시한다.
도 4d는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치의 블록/개략도를 도시한다.
도 5는 본 개시물의 또 다른 양상에 따른 예시적인 통신 시스템의 블록도를 도시한다.
도 6a-d는 본 개시물의 또 다른 양상에 따른 다양한 펄스 변조 기법들의 타이밍도들을 도시한다.
도 7은 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 다양한 채널들을 통해 서로 통신하는 다양한 통신 디바이스들의 블록도를 도시한다.
본 개시물의 다양한 양상들은 아래에서 설명된다. 여기에서의 교시내용들이 폭 넓고 다양한 형태들로 구현될 수 있다는 것과, 여기에서 기재되는 임의의 특정 구조, 함수 또는 이 둘 모두는 단지 대표적이라는 것이 명확하다. 여기에서의 교시내용들에 기초하여, 당업자는 여기에서 기재되는 양상이 임의의 다른 양상들과 관계없이 구현될 수 있다는 것과, 이러한 양상들 중 2개 이상이 다양한 방식들로 결합될 수 있다는 것을 인식하여야 한다. 예를 들어, 여기에서 설명되는 임의의 수의 양상들을 사용하여 장치가 구현될 수 있거나, 방법이 실시될 수 있다. 추가적으로, 여기에서 설명되는 양상들 중 하나 이상과 더불어 또는 이외에, 다른 구조, 기능, 또는 구조 및 기능을 사용하여 이러한 장치가 구현될 수 있거나, 이러한 방법이 실시될 수 있다.
도 2a는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(200)의 블록/개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(200)는 Xtal의 병렬 공진에 크게 영향을 미치지 않고 Xtal의 직렬 공진을 낮추기 위한 컴포넌트를 포함한다. 이것은 Xtal의 병렬 공진과 직렬 공진 간의 풀어빌러티 범위 또는 주파수 차를 증가시키는 효과를 갖는다. 그리고, 이것은 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(200)의 전력 소비를 감소시키는 궁극적인 효과를 갖는다.
특히, 장치(200)는 네거티브-저항 회로(202), Xtal(204) 및 발진 신호를 생성할 시에 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(204)의 직렬 공진을 변경하도록 적응된 컴포넌트(206)를 포함한다. Xtal(204) 및 컴포넌트(206)는 공진기를 형성하기 위해서 서로 전기적으로 연결된다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 피드백 방식으로 네거티브-저항 회로(202)에 전기적으로 연결된다. 이 예에서, 아래에서 추가적으로 설명되는 바와 같이, 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(200)의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(204)의 직렬 공진을 변경하는 것은 컴포넌트(206)이다.
도 2b는 예시적인 장치(200)의 공진기의 임피던스 대 주파수 응답(실선) 및 종래 장치(100)의 대응하는 응답(파선)의 그래프를 도시한다. 앞서 논의된 바와 같이, 컴포넌트(206)의 부가는 Xtal(204)의 직렬 공진을 낮추는 효과를 갖지만, Xtal의 병렬 공진에 크게 영향을 미치지 않는다. 따라서, 그래프에서 나타내는 바와 같이, 장치(200)의 Xtal(204)의 "새로운(new) 직렬 공진"은 종래 장치(100)의 Xtal(104)의 "이전의(old) 직렬 공진"보다 실질적으로 더 적다. 이에 반해, 그래프에 나타내는 바와 같이, 장치(200)의 Xtal(204)의 "새로운 병렬 공진"은 종래 장치(100)의 Xtal(104)의 "이전의 병렬 공진"과 실질적으로 동일하다.
따라서, 컴포넌트(206)를 부가함으로써, 장치(200)와 연관된 "새로운 풀어빌러티"는 종래 장치(100)와 연관된 "이전의 풀어빌러티"보다 실질적으로 더 크다. 결과적으로, 그래프에서 표시되는 바와 같이 발진기 튜닝가능한 범위에 걸쳐, 장치(200)의 공진기의 네트 임피던스(net impedance)는 장치(100)의 공진기의 네트 임피던스보다 더 크다. 전력 소비가 공진기의 임피던스와 반비례로(inversely) 관련되기 때문에, 장치(200)는 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대하여 종래 장치(100)보다 더 적은 전력을 소비한다. 그래프가 도시하는 바와 같이, 발진 신호의 주파수가 직렬 공진에 가깝게 튜닝됨에 따라 전력 소비 절약이 향상된다.
도 2c는 예시적인 장치(200)의 공진기의 임계 트랜스컨덕턴스(gmcrit) 대 피어스 커패시턴스(CP) 응답(실선) 및 종래 장치(100)의 공진기의 대응하는 응답(파선)의 그래프를 도시한다. 임계 트랜스컨덕턴스(gmcrit)는 실질적으로 발진 신호를 생성하기 위해서 장치에 대하여 요구되는 네거티브-저항 회로의 최소 트랜스컨덕턴스이다. 임계 트랜스컨덕턴스(gmcrit)는 장치의 전력 소비와 직접(비-반비례로) 관계된다.
그래프가 도시하는 바와 같이, 장치(200)에 대한 gmcrit 대 CP 응답은 종래 장치(100)에 대한 대응하는 응답보다 실질적으로 더 낮다. 따라서, 하나 이상의 피어스 커패시터들의 정해진 커패시턴스(CP)에 대하여, 장치(200)는 종래 장치(100)보다 실질적으로 더 적은 전력을 소비한다. 추가적으로, 장치(200)에 대한 gmcrit 대 CP 응답의 슬로프는 종래 장치(100)에 대한 대응하는 응답의 슬로프보다 실질적으로 더 적다. 따라서, 정해진 발진 주파수 튜닝 범위를 달성하기 위해서, 종래 장치(100)에 비해, 더 낮은 범위의 피어스 커패시턴스 CP 변동이 장치(200)를 통해 달성된다. 하기에서는 여기에서 설명되는 바와 같이 이러한 개념들의 몇몇 예시적인 다른 구현들을 설명한다.
도 2d는 본 개시물의 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 예시적인 장치(250)의 블록/개략도를 도시한다. 일반적으로, 장치(250)는 네거티브-저항을 생성하기 위한 모듈(252), Xtal(254) 및 Xtal(254)의 직렬 공진을 변경하기 위한 모듈(256)을 포함한다. 더 구체적으로, 모듈(256)은 Xtal의 병렬 공진에 크게 영향을 미치지 않고, Xtal의 직렬 공진을 낮춘다. 이것은 Xtal의 병렬 공진과 직렬 공진 간의 풀어빌러티 범위 또는 주파수 차를 증가시키는 효과를 갖는다. 그리고, 이것은 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(250)의 전력 소비를 감소시키는 궁극적인 효과를 갖는다.
도 3a는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(300)의 블록/개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(300)는 발진 신호를 생성할 시에 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위한 목적으로 Xtal의 직렬 공진을 변경하도록 적응되는 컴포넌트로서 유도성(inductive) 엘리먼트를 사용한다.
특히, 장치(300)는 네거티브-저항 회로(302), Xtal(304), 가변 커패시터(CP) 및 유도성 엘리먼트(L)(예를 들어, 인덕터)를 포함한다. Xtal(304)은 유도성 엘리먼트(L)와 직렬로 전기적으로 연결되고, 가변 커패시터(CP)는 유도성 엘리먼트(L)와 접지(ground) 사이에 전기적으로 연결된다. 이들 엘리먼트들(Xtal, L 및 CP) 모두는 총체적으로 공진기를 형성한다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 피드백 방식으로 네거티브-저항 회로(302)에 전기적으로 연결된다. 이 예에서, 앞서 논의된 바와 같이, 유도성 엘리먼트(L)는 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(300)의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(304)의 직렬 공진을 변경한다.
도 3b는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(350)의 블록/개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(350)는 발진 신호를 생성할 시에 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위한 목적으로 Xtal의 직렬 공진을 변경하기 위한 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 사용한다.
특히, 장치(300)는 네거티브-저항 회로(352), Xtal(354), 한 쌍의 가변 커패시터들(CP), 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)(예를 들어, 하나 이상의 인덕터들)을 포함한다. 유도성 엘리먼트들(L/2)은 Xtal(354)의 양측들에 각각 연결되고, 가변 커패시터들(CP)은 유도성 엘리먼트들(L/2)과 접지 사이에 각각 전기적으로 연결된다. 이들 엘리먼트들(Xtal, L/2 및 CP) 모두는 총체적으로 공진기를 형성한다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 피드백 방식으로 네거티브-저항 회로(352)에 전기적으로 연결된다. 이 예에서, 앞서 논의된 바와 같이, 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)은 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(350)의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(354)의 직렬 공진을 변경한다.
도 4a는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(400)의 개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(400)는 디지털 인버터 회로의 형태의 네거티브-저항 회로를 포함하며, 발진 신호를 생성할 시에 디지털 인버터 회로의 전력 소비를 감소시키기 위한 목적으로 Xtal의 직렬 공진을 변경하기 위한 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 추가적으로 사용한다.
특히, 장치(400)는 디지털 인버터 회로(402), Xtal(404), 한 쌍의 가변 커패시턴스들(CP) 및 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)(예를 들어, 하나 이상의 인덕터들)을 포함한다. 유도성 엘리먼트들(L/2)은 Xtal(404)의 양 측들에 각각 연결되고, 가변 커패시터들(CP)은 유도성 엘리먼트들(L/2)과 접지 사이에 각각 전기적으로 연결된다. 이들 엘리먼트들(Xtal, L/2, CP) 모두는 총체적으로 공진기를 형성한다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 피드백 방식으로 디지털 인버터 회로(402)에 전기적으로 연결된다. 이 예에서, 앞서 논의된 바와 같이, 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)은 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(400)의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(404)의 직렬 공진을 변경한다.
도 4b는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(420)의 개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(420)는 인버팅(inverting) 아날로그 증폭기의 형태의 네거티브-저항 회로를 포함하며, 발진 신호를 생성할 시에 인버팅 아날로그 증폭기의 전력 소비를 감소시키기 위한 목적으로 Xtal의 직렬 공진을 변경하기 위한 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 추가적으로 사용한다.
특히, 장치(420)는 인버팅 아날로그 증폭기(422), Xtal(404), 한 쌍의 가변 커패시터들(CP) 및 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)(예를 들어, 하나 이상의 인덕터들)을 포함한다. 유도성 엘리먼트들(L/2)은 Xtal(404)의 양 측들에 각각 연결되고, 가변 커패시터들(CP)은 유도성 엘리먼트들(L/2)과 접지 사이에 각각 전기적으로 연결된다. 이들 엘리먼트들(Xtal, L/2, CP) 모두는 총체적으로 공진기를 형성한다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 인버팅 아날로그 증폭기(422)의 출력 및 반전(inverting) 입력에 전기적으로 연결된다. 증폭기(422)의 넌-인버팅(non-inverting) 입력은 접지에 접속될 수 있다. 증폭기(422)는 포지티브(positive)(+V) 및 네거티브(negative)(-V) 전력 공급 전압으로부터 전력을 수신할 수 있다. 이 예에서, 앞서 논의된 바와 같이, 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)은 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(420)의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(404)의 직렬 공진을 변경한다.
도 4c는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(440)의 개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(440)는 자기-조절(self-regulating) 회로의 형태의 네거티브-저항 회로를 포함하며, 발진 신호를 생성할 시에 자기-조절 회로의 전력 소비를 감소시키기 위한 목적으로 Xtal의 직렬 공진을 변경하기 위한 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 추가적으로 사용한다.
특히, 장치(440)는 Xtal(404), 한 쌍의 가변 커패시터들(CP) 및 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)(예를 들어, 하나 이상의 인덕터들)을 포함한다. 유도성 엘리먼트들(L/2)은 Xtal(404)의 양 측들에 각각 연결되고, 가변 커패시터들(CP)은 유도성 엘리먼트들(L/2)과 접지 사이에 각각 전기적으로 연결된다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 피드백 구성으로 자기-조절 회로에 전기적으로 연결된다.
결국, 자기-조절 회로는 능동 디바이스(M)(예를 들어, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)), 저항기(R), 전류 미러(current mirror)(442) 및 저역 통과 필터(LPF)(446)를 포함한다. 전류 미러(442)는 전력 공급용 레일(Vdd)과 능동 디바이스(M)의 드레인 사이에 전기적으로 연결된다. 저항기(R)는 네거티브 전력 공급용 레일(Vss)에 접속되는 소스를 갖는 능동 디바이스(M)의 드레인과 게이트 사이에 전기적으로 연결된다. LPF(446)는 능동 디바이스(M)의 게이트와 전류 미러(M) 사이에 전기적으로 연결된다. 자기-조절 회로는 능동 디바이스(M)의 게이트에서 발진 신호의 진폭에 응답하여 능동 디바이스(M)에 공급되는 전류를 조절한다.
더 구체적으로, 공진기는 능동 디바이스(M)의 드레인과 게이트 사이에 연결된다. 이 예에서, 앞서 논의된 바와 같이, 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)은 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(440)의 전력 소비를 감소시키기 위해서, Xtal(404)의 직렬 공진을 변경한다. 장치(440)는 발진 신호가 생성되고 있는지의 여부를 표시하는 신호를 생성하도록 적응되는 발진 검출기(448)를 더 포함한다. 추가적으로, 장치(440)는 발진 신호를 증폭시키도록 적응되는 증폭기(450)를 포함한다.
도 4d는 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 발진 신호를 생성하기 위한 또 다른 예시적인 장치(460)의 블록/개략도를 도시한다. 요컨대, 장치(460)는 발진 신호의 지속되는 생성을 위해서 실질적으로 정상-상태(steady-state) 전류를 네거티브-저항 회로에 공급하도록 적응되는 정동작 전력원(quiescent power source) 및 발진 신호가 정의된 정상-상태 조건에 도달하게 더 신속하게 처리(expedite)하기 위해서 스타트 업(start up) 동안에만 승압 전류를 공급하기 위한 스타트-업 승압 전력원을 포함한다. 추가적으로, 장치(460)는 발진 신호를 생성할 시에 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위한 목적으로 Xtal의 직렬 공진을 변경하기 위한 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 포함한다.
특히, 장치(460)는 정동작 전력원(466), 스타트-업 승압 전력원(468), 네거티브-저항 회로(464), Xtal(404), 한 쌍의 가변 커패시터들(CP) 및 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)(예를 들어, 하나 이상의 인덕터들)을 포함한다. 유도성 엘리먼트들(L/2)은 Xtal(404)의 양 측들에 각각 연결되고, 가변 커패시터들(CP)은 유도성 엘리먼트들(L/2)과 접지 사이에 각각 전기적으로 연결된다. 이들 엘리먼트들(Xtal, L/2 및 CP) 모두는 총체적으로 공진기를 형성한다. 결국, 공진기는 발진 신호를 개시하고 생성하기 위해서 피드백 구성으로 네거티브-저항 회로(464)에 전기적으로 연결된다. 이 예에서, 앞서 논의된 바와 같이, 한 쌍의 유도성 엘리먼트들(L/2)은 공진기의 풀어빌러티를 증가시키고, 이에 따라 발진 신호의 정해진 주파수 또는 주파수 범위에 대한 장치(460)의 전력 소비를 감소시키기 위해서 Xtal(404)의 직렬 공진을 변경한다.
정동작 전력원(466)은 실질적으로 정상-상태 전류(I1)를 네거티브-저항 회로(464)에 공급하도록 적응되어, 네거티브-저항 회로(464)가 발진 신호를 지속적으로 생성한다. 스타트-업 승압 전력원(468)은 콜드 스타트(cold start)로부터 정의된 정상-상태 조건에 도달하게 발진 신호를 더 신속하게 처리하기 위해서 스타트 업 동안에만 승압 전류(I2)를 공급하도록 적응된다. 정상-상태 조건은 정의된 진폭 안정도 및/또는 정의된 주파수 안정도일 수 있다.
도 5는 본 개시물의 또 다른 양상에 따른 예시적인 통신 디바이스(500)의 블록 다이어그램을 도시한다. 통신 디바이스(500)는 기준 발진기로서 앞서 논의된 장치들 중 임의의 장치를 사용하는 통신 디바이스의 일 예시적인 구현일 수 있다. 특히, 통신 디바이스(500)는 안테나(502), Tx/Rx 격리 디바이스(504), 저잡음 증폭기(LNA)(506), 하향변환기 및/또는 복조기(508), 수신기 기저대역 프로세싱 모듈(510), 위상 고정 루프(PLL) 및/또는 전압 제어 발진기(VCO)(512), 기준 발진기(514), 송신기 기저대역 프로세싱 모듈(516), 상향변환기 및/또는 변조기(518) 및 전력 증폭기(PA)(520)를 포함한다.
소스 통신 디바이스와 같이, 목적지 통신 디바이스로 송신될 데이터는 송신기 기저대역 프로세싱 모듈(516)로 전송된다. 송신기 기저대역 프로세싱 모듈(516)은 송출(outgoing) 기저대역 신호를 생성하기 위해서 송신 데이터를 프로세싱한다. 기준 발진기(514)의 사용과 함께 PLL 및/또는 VCO(512) 에 의해 생성되는 신호 또는 로컬 발진기를 사용하는 상향변환기 및/또는 변조기(518)는 RF 신호를 생성하기 위해서 송출 기저대역 신호를 프로세싱한다. PA(520)는 RF 신호를 증폭시켜, 무선 매체로의 송신을 위해서 이를 Tx/Rx 격리 디바이스(504)를 통해 안테나(502)로 제공한다. 송신 데이터는 센서, 마이크로프로세서, 마이크로제어기, RISC 프로세서, 키보드, 마우스 또는 트랙볼(track ball)과 같은 포인팅 디바이스, 마이크로폰과 같은 트랜스듀서(transducer)를 포함하는, 헤드셋과 같은, 오디오 디바이스, 의료 디바이스, 슈(shoe), 데이터를 생성하는 로봇식 또는 기계식 디바이스, 터치식(touch-sensitive) 디스플레이와 같은 사용자 인터페이스 등에 의해 생성될 수 있다. 기준 발진기(514)는 디지털 및/또는 아날로그 회로를 구동하기 위한 클럭 소스와 같은 다른 타입들의 애플리케이션에서 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
목적지 통신 디바이스와 같이, 데이터를 전달하는 RF 신호는 안테나(502)에 의해 픽업(pick up)되고, Tx/Rx 격리 디바이스(504)를 통해 LNA(506)에 적용된다. LNA(506)는 수신된 RF 신호를 증폭시킨다. 기준 발진기(514)의 사용과 함께 PLL 및/또는 VCO(512)에 의해 생성되는 신호 또는 로컬 발진기를 사용하는 하향변환기 및/또는 복조기(508)는 인입(incoming) 기저대역 신호를 생성하기 위해서 수신된 RF 신호를 프로세싱한다. 수신기 기저대역 프로세싱(510)은 수신된 데이터를 생성하기 위해서 인입 기저대역 신호를 프로세싱한다. 이후, 데이터 프로세서(미도시됨)는 수신된 데이터에 기초하여, 하나 이상의 정의된 동작들을 수행할 수 있다. 예를 들어, 데이터 프로세서는 마이크로프로세서, 마이크로제어기, 축소 명령 세트 컴퓨터(RISC: reduced instruction set computer) 프로세서, 디스플레이, 스피커들과 같은 트랜스듀서를 포함하는, 헤드셋과 같은, 오디오 디바이스, 의료 디바이스, 슈, 시계(watch), 데이터에 응답하는 로봇식 또는 기계식 디바이스, 디스플레이와 같은 사용자 인터페이스, 하나 이상의 발광 다이오드(LED)들 등을 포함할 수 있다.
도 6a는 여기에서 설명되는 통신 시스템들, 디바이스들 및 장치들 중 임의의 것에서 사용될 수 있는 펄스 변조의 일례로서 상이한 펄스 반복 주파수들(PRF)로 정의된 상이한 채널들(채널들 1 및 2)을 도시한다. 구체적으로, 채널 1에 대한 펄스들은 펄스-투-펄스 지연 기간(602)에 대응하는 펄스 반복 주파수(PRF)를 갖는다. 반대로, 채널 2에 대한 펄스들은 펄스-투-펄스 지연 기간(604)에 대응하는 펄스 반복 주파수(PRF)를 갖는다. 따라서, 이 기법은 2개의 채널들 간에 상대적으로 낮은 펄스 충돌 확률을 갖는 의사-직교 채널들을 정의하는 데에 사용될 수 있다. 특히, 낮은 펄스 충돌 확률은 펄스들에 대한 낮은 듀티 사이클의 사용을 통해 달성될 수 있다. 예를 들어, 펄스 반복 주파수들(PRF)의 적절한 선택을 통해, 정해진 채널에 대한 실질적으로 모든 펄스들은 임의의 다른 채널에 대한 펄스들과 상이한 시간들에서 송신될 수 있다.
정해진 채널에 대하여 정의된 펄스 반복 주파수(PRF)는 상기 채널에 의해 지원되는 데이터 레이트 또는 레이트들에 의존할 수 있다. 예를 들어, 매우 낮은 데이터 레이트들(예컨대, 대략 초당 수 킬로비트들 또는 Kbps)을 지원하는 채널은 대응하는 낮은 펄스 반복 주파수(PRF)를 사용할 수 있다. 반대로, 상대적으로 높은 데이터 레이트들(예컨대, 대략 초당 수 메가비트들 또는 Mbps)을 지원하는 채널은 대응하게 더 높은 펄스 반복 주파수(PRF)를 사용할 수 있다.
도 6b는 여기에서 설명되는 통신 시스템들 중 임의의 시스템에서 사용될 수 있는 변조의 일례로서 상이한 펄스 위치들 또는 오프셋들로 정의된 상이한 채널들(채널들 1 및 2)을 도시한다. 채널 1에 대한 펄스들은 (예를 들어, 정해진 시점(미도시됨)에 대하여) 제 1 펄스 오프셋에 따라 라인(606)에 의해 표현되는 바와 같은 시점에서 생성된다. 반대로, 채널 2에 대한 펄스들은 제 2 펄스 오프셋에 따라 라인(608)에 의해 표현되는 바와 같은 시점에서 생성된다. (화살표들(610)에 의해 표현되는 바와 같은) 펄스들 간의 펄스 오프셋 차가 주어지면, 이 기법은 2개의 채널들 사이에서의 펄스 충돌들의 확률을 감소시키는 데에 사용될 수 있다. (예를 들어, 여기에서 논의되는 바와 같이) 채널들에 대하여 정의된 임의의 다른 시그널링 파라미터들 및 디바이스들 간의 타이밍의 정확도(예를 들어, 상대적 클럭 드리프트)에 의존하여, 상이한 펄스 오프셋들의 사용은 직교 또는 의사-직교 채널들을 제공하는 데에 사용될 수 있다.
도 6c는 여기에서 설명되는 통신 시스템들의 임의의 시스템에서 사용될 수 있는 상이한 타이밍 호핑 시퀀스 변조로 정의된 상이한 채널들(채널들 1 및 2)을 도시한다. 예를 들어, 채널 1에 대한 펄스들(612)은 하나의 시간 호핑 시퀀스에 따른 시간들에서 생성될 수 있는 반면, 채널 2에 대한 펄스들(614)은 또 다른 시간 호핑 시퀀스에 따른 시간들에서 생성될 수 있다. 사용되는 특정 시퀀스들 및 디바이스들 간의 타이밍의 정확도에 의존하여, 이 기법은 직교 또는 의사-직교 채널들을 제공하는 데에 사용될 수 있다. 예를 들어, 시간 호핑 펄스 위치들은 이웃 채널들로부터의 반복 펄스 충돌들의 가능성을 감소시키기 위해서 주기적이지 않을 수 있다.
도 6d는 여기에서 설명되는 통신 시스템들 중 임의의 시스템에서 사용될 수 있는 펄스 변조의 일례로서 상이한 시간 슬롯들로 정의된 상이한 채널들을 도시한다. 채널 L1에 대한 펄스들은 특정 시간 인스턴스들에서 생성된다. 유사하게, 채널 L2에 대한 펄스들은 다른 시간 인스턴스들에서 생성된다. 동일한 방식으로, 채널 L3에 대한 펄스는 여전히 다른 시간 인스턴스들에서 생성된다. 일반적으로, 상이한 채널들에 관한 시간 인스턴스들은 다양한 채널들 사이의 간섭을 감소시키거나 제거하기 위해서 동시에 발생하지 않거나 직교할 수 있다.
다른 기법들이 펄스 변조 방식들에 따라 채널들을 정의하는 데에 사용될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 예를 들어, 채널은 상이한 확산 의사-랜덤 번호 시퀀스들, 또는 소정의 다른 적합한 파라미터 또는 파라미터들에 기초하여 정의될 수 있다. 더욱이, 채널은 2개 이상의 파라미터들의 조합에 기초하여 정의될 수 있다.
도 7은 본 개시물의 또 다른 양상에 따라 다양한 채널들을 통해 서로 통신하는 다양한 초-광대역(UWB) 통신 디바이스들의 블록도를 도시한다. 예를 들어, UWB 디바이스 1(702)은 2개의 동시발생(concurrent) UWB 채널들 1 및 2를 통해 UWB 디바이스 2(704)와 통신 중이다. UWB 디바이스(702)는 단일 채널 3을 통해 UWB 디바이스 3(706)과 통신 중이다. 그리고, 결국, UWB 디바이스 3(706)은 단일 채널 4를 통해 UWB 디바이스 4(708)와 통신 중이다. 다른 구성들이 가능하다. 통신 디바이스들은 많은 상이한 애플리케이션들에 대하여 사용될 수 있으며, 예를 들어, 헤드셋, 마이크로폰, 생체인식 센서, 심박계(heart rate monitor), 보수계(pedometer), EKG 디바이스, 시계, 슈, 원격 제어, 스위치, 타이어 공기압 모니터 또는 다른 통신 디바이스들에서 구현될 수 있다. 의료 디바이스는 스마트 밴드-에이드(smart band-aid), 센서들, 생체 신호 모니터(vital sign monitor)들 및 다른 것들을 포함할 수 있다. 여기에서 설명되는 통신 디바이스들은 예를 들어, 자동적, 신체적(athletic) 그리고 생리적(의료적) 응답들을 센싱하기 위한 임의의 타입의 센싱 애플리케이션에서 사용될 수 있다.
본 개시물의 상기 양상들 중 임의의 양상은 많은 상이한 디바이스들에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 논의되는 바와 같은 의료 애플리케이션들에 추가로, 본 개시물의 양상들은 건강 및 신체단련(fitness) 애플리케이션들에 적용될 수 있다. 추가적으로, 본 개시물의 양상들은 상이한 타입들의 애플리케이션들에 대한 슈들(shoes)에서 구현될 수 있다. 여기에서 설명되는 바와 같이 본 개시물의 임의의 양상을 통합할 수 있는 다른 많은 애플리케이션들이 존재한다.
본 개시물의 다양한 양상들이 상기에서 설명되었다. 여기에서의 교시내용들은 폭 넓고 다양한 형태들로 구현될 수 있다는 것과, 여기에서 기재되는 임의의 특정 구조, 기능 또는 이 둘이 단지 대표적이라는 것이 인식되어야 한다. 여기에서의 교시내용들에 기초하여, 당업자는 여기에서 기재되는 양상이 임의의 다른 양상들과 관계없이 구현될 수 있다는 것과, 이러한 양상들 중 2개 이상이 다양한 방식들로 결합될 수 있다는 것을 인식하여야 한다. 예를 들어, 여기에서 설명되는 임의의 수의 양상들을 사용하여 장치가 구현될 수 있거나, 방법이 실시될 수 있다. 추가적으로, 여기에서 설명되는 양상들 중 하나 이상과 더불어 또는 이외에, 다른 구조, 기능, 또는 구조 및 기능을 사용하여 이러한 장치가 구현될 수 있거나, 이러한 방법이 실시될 수 있다. 상기 개념들 중 일부의 일례로서, 일부 양상들에서, 동시발생 채널들은 펄스 반복 주파수들에 기초하여 설정될 수 있다. 일부 양상들에서, 동시발생 채널들은 펄스 위치 또는 오프셋들에 기초하여 설정될 수 있다. 일부 양상들에서, 동시발생 채널들은 시간 호핑 시퀀스들에 기초하여 설정될 수 있다. 일부 양상들에서, 동시발생 채널들은 펄스 반복 주파수들, 펄스 위치들 또는 오프셋들 및 시간 호핑 시퀀스들에 기초하여 설정될 수 있다.
당업자들은 정보 및 신호들이 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 사용하여 표현될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 설명의 전반에 걸쳐 참조될 수 있는 데이터, 명령들, 지령들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장 또는 자기 입자들, 광 필드들 또는 광입자들 또는 이들의 임의의 조합으로 표현될 수 있다.
당업자들은 여기에서 기재된 양상들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 프로세서들, 수단, 회로들 및 알고리즘 단계들이 전자 하드웨어(예를 들어, 소스 코딩 또는 소정의 다른 기법을 사용하여 설계될 수 있는 디지털 구현, 아날로그 구현 또는 이 둘의 조합), (여기에서 편의상 "소프트웨어" 또는 "소프트웨어 모듈"로 지칭될 수 있는) 명령들을 통합하는 다양한 형태들의 프로그램 또는 설계 코드, 또는 이 둘의 조합들로서 구현될 수 있다는 것을 추가적으로 이해할 것이다. 하드웨어 및 소프트웨어의 이러한 상호교환가능성을 명백하게 예시하기 위해서, 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 모듈들, 회로들 및 단계들이 일반적으로 그들의 기능에 관하여 상기에서 설명되었다. 이러한 기능이 하드웨어로서 구현되는지 또는 이러한 기능이 소프트웨어로서 구현되는지는 전체 시스템 상에 부과되는 특정 애플리케이션 및 설계 제약들에 의존한다. 당업자들은 각각의 특정 애플리케이션에 대하여 가지각색의 방식들로 설명된 기능을 구현할 수 있지만, 이러한 구현 결정들은 본 개시물의 범위를 벗어나는 것으로 해석되어서는 안된다.
여기에서 기재된 양상들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 및 회로들이 집적 회로("IC"), 액세스 단말, 또는 액세스 포인트 내에서 구현되거나 이들에 의해 수행될 수 있다. IC는 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 주문형 집적 회로(ASIC), 필드 프로그램가능한 게이트 어레이(FPGA) 또는 다른 프로그램가능한 로직 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 전기적 컴포넌트들, 광학 컴포넌트들, 기계적 컴포넌트 또는 여기에서 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있으며, IC 내부에, IC 외부에 또는 이 둘 모두에 상주하는 코드들 또는 명령들을 실행할 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수 있지만, 대안적으로, 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 제어기, 마이크로제어기, 또는 상태 머신일 수 있다. 프로세서는 또한 예를 들어, DSP 및 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 이러한 임의의 다른 구성과 같은 컴퓨팅 디바이스들의 조합으로서 구현될 수 있다.
임의의 기재된 프로세스의 단계들의 임의의 특정 순서 또는 계층이 샘플 방식의 일례라는 것이 이해된다. 설계 선호도들에 기초하여, 본 개시물의 범위 내에 유지되는 동안 프로세스들의 단계들의 특정 순서 또는 계층이 재배열될 수 있다는 것이 이해된다. 첨부한 방법 청구항들은 샘플 순서로 다양한 단계들의 엘리먼트들을 제시하며, 제시된 특정 순서 또는 계층으로 제한되는 것으로 의미되지는 않는다.
여기에서 기재된 양상들과 관련하여 설명된 알고리즘 또는 방법의 단계들은 하드웨어로 직접 구현되거나, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로 구현되거나, 또는 이 둘의 조합으로 구현될 수 있다. (예를 들어, 실행가능한 명령들 및 관련 데이터를 포함하는) 소프트웨어 모듈 및 다른 데이터는 RAM 메모리, 플래시 메모리, ROM 메모리, EPROM 메모리, EEPROM 메모리, 레지스터들, 하드디스크, 휴대용 디스크, CD-ROM, 또는 당해 기술에서 공지된 컴퓨터-판독가능 저장 매체의 임의의 다른 형태와 같은 데이터 메모리에 상주할 수 있다. 샘플 저장 매체는 예를 들어, (여기에서 편의상, "프로세서"로서 지칭될 수 있는) 컴퓨터/프로세서와 같은 머신에 연결될 수 있고, 이러한 프로세서는 저장 매체로부터 정보(예를 들어, 코드)를 판독하고, 저장 매체에 정보를 기록할 수 있다. 샘플 저장 매체는 프로세서에 통합될 수 있다. 프로세서 및 저장매체는 ASIC에 상주할 수 있다. ASIC는 사용자 장비에 상주할 수 있다. 대안적으로, 프로세서 및 저장 매체는 사용자 장비에 다른 컴포넌트들로서 상주할 수 있다. 더욱이, 일부 양상들에서, 임의의 적합한 컴퓨터-프로그램 물건은 본 개시물의 양상들 중 하나 이상과 관련된 코드들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 매체를 포함할 수 있다. 일부 양상들에서, 컴퓨터 프로그램 물건은 패키지물(packaging material)들을 포함할 수 있다.
본 발명은 다양한 양상들에 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 추가적인 변경들이 가능하다는 것이 이해될 것이다. 본 출원은, 일반적으로 본 발명의 원리들을 따르고, 본 발명이 속하는 기술 내에서 공지되고 관습적인 실시의 범위 내에 있는 것처럼, 본 개시물로부터의 이러한 벗어남들을 포함하는 본 발명의 임의의 변화들, 사용들 또는 적응을 커버하는 것으로 의도된다.

Claims (37)

  1. 정상-상태(steady-state) 발진 신호를 생성하기 위한 장치로서,
    네거티브(negative)-저항 회로;
    크리스탈;
    상기 정상-상태 발진 신호를 생성할 시에 상기 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하도록 적응되는 컴포넌트; 및
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 설정하도록 적응되는 주파수-튜닝 컴포넌트를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 포지티브-리액턴스(positive-reactance) 회로를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 하나 이상의 유도성 엘리먼트(inductive element)들을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 상기 크리스탈의 양 측들 상에 각각 연결되는 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 주파수-튜닝 컴포넌트는 정의된 주파수의
    Figure 112013056052770-pct00001
    내에 있도록 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하도록 적응되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 주파수-튜닝 컴포넌트는 상기 크리스탈에 연결되는 하나 이상의 가변 용량성(capacitive) 엘리먼트들을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항 회로는 상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진(given) 커패시턴스에 대하여 더 적은 전류를 소비하도록 구성되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항 회로는 상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전력을 소비하도록 구성되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항 회로는 디지털 인버터 회로, 인버팅(inverting) 아날로그 증폭기 또는 자기-조절(self-regulating) 회로를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    정상-상태 전류를 상기 네거티브-저항 회로에 공급하도록 적응되는 정동작 전류원(quiescent current source); 및
    정상-상태 조건에 도달하게 상기 발진 신호를 가속(speed up)시키기 위해서 상기 발진 신호의 개시 동안에만 승압(boost) 전류를 상기 네거티브-저항 회로에 공급하도록 적응되는 스타트-업(start-up) 승압 전류원을 더 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  12. 정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법으로서,
    네거티브-저항 및 크리스탈을 사용하여 상기 정상-상태 발진 신호를 생성하는 단계;
    상기 정상-상태 발진 신호를 생성하는 데에 사용되는 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하는 단계; 및
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하는 단계를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하는 단계는 상기 크리스탈에 포지티브-리액턴스를 부가하는 단계를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하는 단계는 상기 크리스탈에 하나 이상의 유도성 엘리먼트를 연결시키는 단계를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하는 단계는 상기 크리스탈의 양 측들 상에 각각 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 연결시키는 단계를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  16. 삭제
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하는 단계는 정의된 주파수의
    Figure 112013056052770-pct00002
    내에 있도록 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하는 단계를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하는 단계는 상기 크리스탈에 연결되는 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들을 조정하는 단계를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전류를 소비하도록 상기 네거티브-저항을 구성시키는 단계를 더 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전력을 소비하도록 상기 네거티브-저항을 구성시키는 단계를 더 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  21. 제 12 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항은 디지털 인버터 회로, 인버팅(inverting) 아날로그 증폭기 또는 자기-조절(self-regulating) 회로를 사용함으로써 생성되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  22. 제 12 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항을 생성하기 위해서 정상-상태(steady-state) 전류를 공급하는 단계; 및
    정상-상태 조건에 도달하게 상기 발진 신호를 가속시키기 위하여 상기 발진 신호를 개시하기 위해서만 스타트-업 승압 전류를 공급하는 단계를 더 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 방법.
  23. 정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치로서,
    네거티브-저항을 생성하기 위한 수단;
    정의된 주파수로 정상-상태 발진 신호 사이클링을 생성하기 위해서 크리스탈을 상기 네거티브-저항을 생성하기 위한 수단에 연결시키기 위한 수단;
    상기 정상-상태 발진 신호를 생성하는 데에 사용되는 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하기 위한 수단; 및
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 설정하기 위한 수단을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 직렬 공진 주파수를 변경하기 위한 수단은 포지티브-리액턴스 회로를 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 직렬 공진 주파수를 변경하기 위한 수단은 상기 크리스탈에 연결되는 하나 이상의 유도성 엘리먼트들을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 직렬 공진 주파수를 변경하기 위한 수단은 상기 크리스탈의 양 측들 상에 각각 연결되는 한 쌍의 유도성 엘리먼트들을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  27. 삭제
  28. 제 23 항에 있어서,
    상기 주파수를 설정하기 위한 수단은 정의된 주파수의
    Figure 112013056052770-pct00003
    내에 있도록 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하도록 적응되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  29. 제 23 항에 있어서,
    상기 주파수를 설정하기 위한 수단은 상기 크리스탈에 연결되는 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들을 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항을 생성하기 위한 수단은 상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전류를 소비하도록 구성되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  31. 제 29 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항을 생성하기 위한 수단은 상기 하나 이상의 가변 용량성 엘리먼트들의 정해진 커패시턴스에 대하여 더 적은 전력을 소비하도록 구성되는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  32. 제 23 항에 있어서,
    상기 네거티브-저항을 생성하기 위한 수단은 디지털 인버터 회로, 인버팅 아날로그 증폭기 또는 자기-조절 회로를 사용함으로써 상기 네거티브-저항을 생성하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  33. 제 23 항에 있어서,
    정상-상태 전류를 상기 네거티브-저항을 생성하기 위한 수단에 공급하기 위한 수단; 및
    정상-상태 조건에 도달하게 상기 발진 신호를 가속시키기 위해서 상기 발진 신호의 개시 동안에만 스타트-업 승압 전류를 상기 네거티브-저항을 생성하기 위한 수단에 공급하기 위한 수단을 더 포함하는,
    정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 장치.
  34. 정상-상태 발진 신호를 생성하기 위한 컴퓨터-판독가능 매체로서,
    크리스탈에 연결되는 네거티브-저항을 사용하여 상기 정상-상태 발진 신호를 생성하고;
    상기 네거티브-저항을 생성하는 데에 사용되는 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하고; 그리고
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 조정하도록 실행가능한 명령들을 포함하는,
    컴퓨터-판독가능 매체.
  35. 헤드셋으로서,
    네거티브-저항 회로;
    크리스탈;
    정상-상태 발진 신호를 생성할 시에 상기 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하도록 적응되는 컴포넌트;
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 설정하도록 적응되는 주파수-튜닝 컴포넌트;
    오디오 데이터를 생성하도록 적응되는 트랜스듀서(transducer); 및
    상기 정상-상태 발진 신호를 사용하여 상기 오디오 데이터를 송신하도록 적응되는 송신기를 포함하는,
    헤드셋.
  36. 시계로서,
    네거티브-저항 회로;
    크리스탈;
    정상-상태 발진 신호를 생성할 시에 상기 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하도록 적응되는 컴포넌트;
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 설정하도록 적응되는 주파수-튜닝 컴포넌트;
    상기 정상-상태 발진 신호를 사용하여 데이터를 수신하도록 적응되는 수신기; 및
    상기 수신된 데이터에 기초하여 표시를 생성하도록 적응되는 사용자 인터페이스를 포함하는,
    시계.
  37. 센싱 디바이스로서,
    네거티브-저항 회로;
    크리스탈;
    정상-상태 발진 신호를 생성할 시에 상기 네거티브-저항 회로의 전력 소비를 감소시키기 위해서 상기 크리스탈의 직렬 공진 주파수를 변경하도록 적응되는 컴포넌트;
    상기 크리스탈의 상기 직렬 공진 주파수와 병렬 공진 주파수 사이에서 상기 정상-상태 발진 신호의 주파수를 설정하도록 적응되는 주파수-튜닝 컴포넌트;
    센싱된 데이터를 생성하도록 적응되는 센서; 및
    상기 정상-상태 발진 신호를 사용하여 센싱된 데이터를 송신하도록 적응되는 송신기를 포함하는,
    센싱 디바이스.
KR1020117030407A 2009-05-18 2010-05-05 발진 신호를 생성하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터-판독가능 매체, 그리고 이를 이용한 디바이스들 KR101392955B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/467,894 2009-05-18
US12/467,894 US8072278B2 (en) 2009-05-18 2009-05-18 System and method for reducing power consumption of an oscillator
PCT/US2010/033681 WO2010135084A2 (en) 2009-05-18 2010-05-05 System and method for reducing power consumption of an oscillator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120024801A KR20120024801A (ko) 2012-03-14
KR101392955B1 true KR101392955B1 (ko) 2014-05-09

Family

ID=42262677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117030407A KR101392955B1 (ko) 2009-05-18 2010-05-05 발진 신호를 생성하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터-판독가능 매체, 그리고 이를 이용한 디바이스들

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8072278B2 (ko)
EP (1) EP2433357B1 (ko)
JP (2) JP2012527826A (ko)
KR (1) KR101392955B1 (ko)
CN (1) CN102428642B (ko)
TW (1) TW201130221A (ko)
WO (1) WO2010135084A2 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101415319B1 (ko) * 2012-08-21 2014-07-08 한국과학기술원 무선 송신기 및 무선 송신기를 포함하는 통신 장치
JP2014096631A (ja) * 2012-11-07 2014-05-22 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 自励発振回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050059375A1 (en) * 2003-07-24 2005-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage controlled oscillator, frequency synthesizer and communication apparatus

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1591524B2 (de) 1966-08-09 1971-09-23 Societa Italiana Telecommunicazioni Siemens S.P.A., Mailand (Italien) Frequenzmodulator
JPS4979658A (ko) * 1972-12-07 1974-08-01
JPS5467471A (en) 1977-11-09 1979-05-30 Seiko Instr & Electronics Ltd Electronic watch with receiver
JPS5574223A (en) * 1978-11-30 1980-06-04 Tdk Corp Trimming unit
JPS5810903A (ja) * 1981-07-11 1983-01-21 Tdk Corp 圧電振動子の駆動回路
JPS59196610A (ja) * 1983-04-21 1984-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波発振器
JPH01290303A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Fujitsu Ltd オーバートーン水晶発振回路
US4956618A (en) * 1989-04-07 1990-09-11 Vlsi Technology, Inc. Start-up circuit for low power MOS crystal oscillator
JPH04132721U (ja) * 1991-05-31 1992-12-09 キンセキ株式会社 圧電発振回路
JPH0568110U (ja) * 1992-02-17 1993-09-10 横河電機株式会社 周波数可変発振回路
JPH0654308U (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 日本ビクター株式会社 周波数変調回路
JPH07154143A (ja) * 1993-11-26 1995-06-16 Nec Corp 発振回路
JPH1075119A (ja) * 1996-08-29 1998-03-17 Mitsumi Electric Co Ltd 発振器
JPH11308050A (ja) 1998-04-20 1999-11-05 Toyo Commun Equip Co Ltd 電圧制御圧電発振器
JP2001016039A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Kinseki Ltd 可変周波数発振回路
US6909334B2 (en) * 2001-03-08 2005-06-21 Rf Monolithics, Inc. Low phase noise, wide tune range saw oscillators and methods of operating the same
US6861917B2 (en) * 2003-05-22 2005-03-01 Intel Corporation Oscillator system with switched-capacitor network and method for generating a precision time reference
JP2005159386A (ja) * 2003-11-07 2005-06-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd オーバトーン用の水晶発振器
US7307486B2 (en) * 2004-03-22 2007-12-11 Mobius Microsystems, Inc. Low-latency start-up for a monolithic clock generator and timing/frequency reference
JP2006197143A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 電圧制御水晶発振器
US7599670B2 (en) * 2005-07-21 2009-10-06 Microsoft Corporation Dynamic bias for receiver controlled by radio link quality
US20070089513A1 (en) 2005-09-30 2007-04-26 Rosenau Steven A Resonator based transmitters for capacitive sensors
JP4494387B2 (ja) * 2006-10-30 2010-06-30 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP2008177981A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 発振器
US7592878B2 (en) * 2007-04-05 2009-09-22 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for generating oscillating signals
JP5023282B2 (ja) * 2007-04-10 2012-09-12 英彰 高島 圧電発振器
US8446976B2 (en) * 2007-09-21 2013-05-21 Qualcomm Incorporated Signal generator with adjustable phase

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050059375A1 (en) * 2003-07-24 2005-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage controlled oscillator, frequency synthesizer and communication apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014064295A (ja) 2014-04-10
KR20120024801A (ko) 2012-03-14
EP2433357A2 (en) 2012-03-28
JP5996510B2 (ja) 2016-09-21
JP2012527826A (ja) 2012-11-08
US8072278B2 (en) 2011-12-06
WO2010135084A3 (en) 2011-03-17
CN102428642A (zh) 2012-04-25
TW201130221A (en) 2011-09-01
WO2010135084A2 (en) 2010-11-25
EP2433357B1 (en) 2015-09-30
US20100289587A1 (en) 2010-11-18
CN102428642B (zh) 2015-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8188802B2 (en) System and method for efficiently generating an oscillating signal
KR102196172B1 (ko) 자동 간섭 방지 웨이크업 수신기
KR101157317B1 (ko) 발진기 및 발진 개시 방법
Bae et al. A low-energy crystal-less double-FSK sensor node transceiver for wireless body-area network
US9515606B2 (en) Oscillator and radio communication device
US7498871B2 (en) Spectrum spreaders including tunable filters and related devices and methods
US8319562B2 (en) System and method for amplifying a signal using multiple amplification stages sharing a common bias current
Ali et al. One Mbps 1 nJ/b 3.5–4 GHz fully integrated FM-UWB transmitter for WBAN applications
EP1396942A3 (en) Multiband transmitting and receiving apparatus
EP3047619B1 (en) Wake-up receiver with automatic interference rejection
KR101392955B1 (ko) 발진 신호를 생성하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터-판독가능 매체, 그리고 이를 이용한 디바이스들
US8811919B2 (en) System and method for generating a defined pulse
Lee et al. Narrowband transmitters: Ultralow-power design
JP2014232941A (ja) 高周波信号用駆動回路、高周波信号用駆動回路の駆動方法及び高周波信号受信器
Bae et al. A low energy crystal-less double-FSK transceiver for wireless body-area-network
EP2274659A1 (en) System and method of using residual voltage from a prior operation to establish a bias voltage for a subsequent operation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180329

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190327

Year of fee payment: 6