KR101382004B1 - 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계 - Google Patents

주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저간섭성 간섭계에 관한 것으로서, 기존의 할로겐 램프나 LED에 비해 공간 가간섭성이 좋으면서 가격이 저렴한 레이저 다이오드를 광원으로 이용하되, 레이저 다이오드에 주입되는 전류를 변조하여 주파수 변조를 일으키고 광검출기의 상대적으로 느린 응답특성을 이용하여 시간 평균 간섭신호를 획득함으로써 일반적인 저간섭성 간섭계의 간섭신호와 유사한 신호를 얻을 수 있는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계에 관한 것이다.

Description

주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계{Low coherence interferometry using a frequency-modulated laser diode}
본 발명은 저간섭성 간섭계에 관한 것으로서, 기존의 할로겐 램프나 LED에 비해 공간 가간섭성이 좋으면서 가격이 저렴한 레이저 다이오드를 광원으로 이용하되, 레이저 다이오드에 주입되는 전류를 변조하여 주파수 변조를 일으키고 광검출기의 상대적으로 느린 응답특성을 이용하여 시간 평균 간섭신호를 획득함으로써 일반적인 저간섭성 간섭계의 간섭신호와 유사한 신호를 얻을 수 있는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계에 관한 것이다.
넓은 선폭의 광원을 사용하는 저간섭성 간섭계(low coherence interferometry, LCI)는 길이, 온도, 굴절률, 분산과 같은 물리량의 절대값을 측정하는 도구로서 학술적·산업적으로 널리 사용되고 있다.
한편, 레이저 다이오드(LD)는 저가이고 소형이면서도 상대적으로 고출력이 가능하기 때문에 연구분야에서 산업분야로까지 확장될 수 있는 가용성을 가지고 있고, 이 때문에 광 계측학(optical metrology)에서 매우 유용한 광원으로 사용된다.
그러나, 레이저 다이오드는 다른 레이저에 비해 일반적으로 시간적 간섭성(temporal coherence)이 열후하고, 보편적인 캔 타입의 레이저 다이오드는 빔 형상이 원형이 아니기 때문에, 몇몇 진보된 레이저 다이오드, 예를 들어 외부 공진기 레이저 다이오드(external cavity laser diode, ECLD)나 분산형 피드백 레이저 다이오드(distributed feedback laser diode, DFB LD), 또는 수직공동 표면발광 레이저(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL)로서 성공적으로 적용된 경우 외에는 저간섭성 간섭계의 광원으로서는 적절치 못하다.
그렇지만, 다른 한편으로는 레이저 다이오드는 텅스텐-할로겐 램프와 LED와 같은 광대역 광원에 비할 때, 입력되는 종축 레이저 모드(longitudinal laser mode)가 좁은 선폭을 가질지라도 발진 매질(lasing medium)의 광대역으로 인해 저간섭성 간섭계에 사용될 수 있다는 가능성도 가진다.
예를 들면, K. Wada et al.(K. Wada, K. Hirata, M. Yoshida, K. Kawai, K. Yoshioka, T. Matsuyama, H. Horinaka and Y.Cho, "A gain-switched laser diode as a low-coherence light source," Opt. Comm. 228, 49-54, 2003)이나 Y. Bitou et al.(Y. Bitou and N. Ueki, "High-precision, low-coherence Fizeau interferometer using a pulsed laser diode for measurement of transparent plates," Meas. Sci. Technol. 21, 077001, 2010)는 펨토초 펄스 레이저를 적용하여 저간섭성 간섭계를 구현한 바 있다.
그렇지만, 아직까지는 레이저 다이오드 그 자체를 그대로 저간섭성 간섭계의 광원으로서 사용하는 기술은 소개되어 있지 않으며, 여러 특별한 부가장치를 설치하는 등의 노력을 기울여야만 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계를 구현할 수 있다는 한계가 있다.
위와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 특별한 부가장치를 설치하는 등의 노력 없이도 상용화된 레이저 다이오드를 그대로 저간섭성 간섭계의 광원으로서 적용할 수 있는 새로운 기술을 제공하는 것에 그 목적이 있다.
본 발명의 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계는, 레이저 다이오드(LD)를 광원으로 사용하고, 상기 레이저 다이오드(LD)로부터 조사된 레이저 광을 빔 스플리터(BS)에 의해 직교하는 두 방향으로 분기시켜 각각 거울(M1, M2)에 조사하고, 상기 거울(M1, M2)로부터 반사된 레이저 광을 상기 빔 스플리터(BS)에서 하나로 합쳐 간섭시킨 후 이 간섭신호를 광검출기(PD)에서 취득하는 마이켈슨 타입의 간섭계로서, 상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류를 변조시켜 레이저 광의 주파수를 변조시키고, 상기 광검출기(PD)에서 취득되는 간섭신호를 시간 적분하여 상기 간섭신호의 상관지도를 구하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 광검출기(PD)의 반응시간은 상기 레이저 다이오드(LD)의 변조된 주파수보다 충분히 느린 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류는 함수 발생기(function generator)에 의해 변조되는데, 특히 상기 함수 발생기는 상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류를 정현파 함수로 변조하면 상기 광검출기(PD)에서 취득되는 간섭신호는 하기의 식에 의해 시간적분되는 것을 특징으로 한다.
Figure 112013029092291-pat00001
(여기서, 가시도는 일정한 것으로 가정되었고, I0는 공칭 강도, Im은 변조 강도, fm은 변조 주파수를 나타내며, ν0 및 νm은 각각 공칭 광 주파수(nominal optical frequency) 및 전류 변조에 의한 변조 광 주파수(modulated optical frequency)를 나타냄)
그리고, 본 발명의 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계는 상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류의 변조도를 조절하여 상기 간섭신호의 가간섭 거리를 조절하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계는 광원으로 사용되는 레이저 다이오드가 종래의 텅스텐-할로겐 램프나 LED와 같은 백색광원에 비해 가용 광출력이 매우 높기 때문에 셔터 스피드가 빨라 노출시간이 짧은 고속 저간섭성 간섭계까지도 구현하는 것이 가능하다는 이점을 가지며, 이는 특히 높은 스루풋이 요구되는 산업계의 요구에 부합된다.
또한, 본 발명의 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계는 서브 샘플링 기법을 적용하여 스캔 간격을 매우 증가시키더라도 유용한 간섭신호를 취득하는 것이 가능하기 때문에 중간 규모(meso-scale)의 대상물을 측정할 경우 스캔 타임을 줄이는 것이 가능하다.
아울러 본 발명의 저간섭성 간섭계는 램프나 LED와 같은 백색광원에 비해 공간 가간섭성이 우수한 레이저 다이오드를 사용하기 때문에 동일 출력일 경우라도 가용 광출력이 더욱 높으며, 고출력 레이저 다이오드의 가격이 상대적으로 저렴하기 때문에 가격 경쟁력도 높다는 장점을 가진다.
도 1은 본 발명에 따른 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계의 전체적인 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 식(1) 및 식(3) 각각에 대해 광경로차(ΔZ)의 변화에 따른 간섭신호의 양상을 모사한 결과를 도시한 그래프.
도 3은 스캔 거리의 확장에 따른 시간 적분 간섭신호를 도시한 그래프.
도 4는 본 발명에 따른 저간섭성 간섭계의 유효성을 실증하기 위한 실험 결과를 도시한 그래프.
도 5는 도 4의 실험장치에서 중심파장이 다른 2종류의 레이저 다이오드로 변경하여 실험한 결과를 도시한 그래프.
이하, 본 발명에 따른 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계(10)의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지 않고 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계(10)(이하, 간략히 "저간섭성 간섭계"라 함)의 전체적인 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 저간섭성 간섭계(10)는 마이켈슨 타입 간섭계의 구조를 가지며, 광원으로서는 일반적인 레이저 다이오드(LD)가 적용된다.
레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류는 함수 발생기(function generator)에 의해 변조되고, 이에 따라 레이저 다이오드(LD)에서 출력되는 레이저는 주파수가 변조된다.
위와 같이 주파수가 변조되어 출력된 레이저는 단일모드 광섬유(SMF)를 거쳐 시준렌즈(CL)로 입사되고, 시준된 레이저 광은 빔 스플리터(BS)에 의해 직교하는 두 방향으로 분기되어 각각의 거울(M1, M2)에 조사된다. 이 두 줄기의 빛 중의 하나(도 1에서 M1에 조사된 빛)는 기준광이며, 다른 하나(도 1에서 M2에 조사된 빛)는 측정광이다. 즉, 기준이 되는 거울(M1)로의 경로가 기준 암(arm)이 되고, 스캔되는 거울(M2)로의 경로가 측정 암이 되는 것이다.
두 개의 거울(M1, M2)에서 각각 반사된 빛은 다시 빔 스플리터(BS)에서 만나 하나의 빛으로 합쳐지는데, 이때 스캔되는 거울(M2)에서 반사된 측정광이 기준광에 대한 관계에서 생성된 광경로차에 따라 상호 간섭을 일으키고, 최종적으로 간섭신호의 상관지도(correlogram)가 광검출기(PD)에서 취득된다.
여기서, 광검출기(PD)에서 감지되는 강도(intensity, I)는 두 암(arm) 사이의 광경로차(ΔZ)에 대해 아래의 식(1)로 표현된다.
Figure 112013029092291-pat00002
...............식(1)
상기 식(1)에서, I(t) 및 γ(t)는 각각 전류 변조에 의한 시간 가변 공칭 강도 및 시간 가변 공칭 가시도 함수(visibility function)이고, k(t)는 시간 가변 파수를 의미한다. 여기서 k(t)는 2πν(t)/c로 나타나며, 이때 ν(t)는 변조된 광 주파수, c는 매질에서의 광속을 의미한다.
식(1)에 나타난 것처럼, 주파수 변조에 따라 간섭(interference)에 관한 항이 시간 가변으로 표현되는 것은 물론 상(phase)에 관한 항 역시 변하게 되었다는 것을 알 수 있다.
만일 변조 주파수에 비해 광검출기(PD)의 반응시간이 충분히 느리고, 어떤 시각(t0)에서부터 노출시간(Δt) 동안 식(1)을 시간 적분하면, 총 강도(IT)는 아래의 식(2)로 나타난다.
Figure 112013029092291-pat00003
..........식(2)
식(1)은 각 순간의 단색성 간섭(monochromatic interference)을 나타내는 것이고, 식(2)는 모든 단색성 간섭을 시간 적분한 것으로서 이는 저간섭 간섭으로 그 결과가 나타난다. 이러한 경우, 스펙트럼 대역폭은 전류 변조의 진폭에 의해 결정되는 주파수 변조도와 동일하다.
그리고, 식(2)를 좀더 살펴보면, 전류 변조에 의한 시간 가변 공칭 강도 I(t) 역시 전류 변조에 따라 변조되는데, 이는 동작영역 안에서는 레이저 다이오드(LD)의 강도가 주입전류에 비례하기 때문이다.
만일 단순화를 위해 식(2)에서의 가시도가 일정하고, 주입전류를 정현파 함수(sinusoidal function)로 변조한다면, 상기 식(2)는 아래의 식(3)으로 변형된다.
Figure 112013029092291-pat00004
.........식(3)
여기서, I0는 공칭 강도, Im은 변조 강도, fm은 변조 주파수를 나타내며, ν0 및 νm은 각각 공칭 광 주파수(nominal optical frequency) 및 전류 변조에 의한 변조 광 주파수(modulated optical frequency)를 나타낸다.
그리고, 본 발명에서의 레이저 다이오드(LD)의 주파수 변조는 기존의 주파수 변조 기법에서 수행되는 수 ㎓ 대역에서 이루어지는 것이 아니며, 베이스밴드나 중간 대역의 수 ㎑∼수 ㎒ 대역의 낮은 주파수 대역에서 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 본 발명의 주파수 변조된 레이저 다이오드(LD)는 저간섭성 광원으로서의 역할을 할 수 있으며, 또한 전자회로 설계 구성에 있어 비용을 절감할 수 있게 된다.
식(1) 및 식(3) 각각에 대해 광경로차(ΔZ)를 변화시켜 감에 따라 간섭신호가 어떻게 나타나는지를 모사한 결과를 그래프로 나타내면 도 2와 같다.
도 2(a)는 식(1)에 대한 결과이고, 도 2(b)는 시간 적분을 포함하는 식(3)에 대한 결과인데, 여기서, 도 2에 도시된 모사 결과는 ν0 및 νm를 각각 306 ㎔(λ=980㎚)와 5 ㎔로 설정하고, fm은 80 ㎑, 광검출기(PD)의 적분 시간은 0.1㎳로 설정한 것이다.
도 2(b)에 도시된 바와 같이, 식(3)에 의해 시간 적분된 간섭신호는 도 2(a)의 단색성 간섭신호와 상반되게 덮개함수(enveloope function) 및 변조함수를 포함하고 있으며, 이는 통상적인 저간섭성 간섭계(LCI)의 상관지도와 유사한 양상을 나타내는 것이다.
더욱이, 도 2(b)에 도시된 간섭신호의 위상정점(envelope peak)은 두 암 사이의 광경로차(ΔZ)가 영(零)이 되는 지점에 위치하고 있으며, 이는 주파수 변조된 레이저 다이오드가 시간 적분 과정의 도움에 의해 성공적으로 저간섭성 간섭계(LCI)의 광원으로 적용될 수 있음을 의미하는 것이다.
그리고, 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 간섭신호의 가간섭 거리는 주파수 변조의 폭 변동을 일으키는 전류 변조의 변조도(modulation depth)에 좌우된다. 따라서, 간섭신호의 가간섭 거리는 전류 변조의 변조도가 증가할수록 짧아지게 된다. 도 2의 결과로 도시된 모사실험에서의 가간섭 거리는 반치폭(FWHM)으로 약 12 ㎛를 나타냈다.
한편, 저간섭성 간섭계(LCI)의 상관지도는 전체 영역(envelope)에 있어서 단 하나의 위상정점이 광경로차(ΔZ)가 영(零)이 되는 지점에 존재하는 것이 이상적이다. 그러나, 본 발명의 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계(10)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 스캔 거리가 ±250 ㎛로 확장됨에 따라 몇 개의 위상정점이 출현하며, 이는 광경로차(ΔZ)가 영(零)이 되는 지점을 기준으로 대칭을 이루고 있다. 이는 식(3)에서 주파수 변조가 정현파 함수로 변조되었기 때문에 나타나는 결과이다.
이와 같이 본 발명의 저간섭성 간섭계(10)는 수 개의 위상정점이 간섭신호에 나타나기 때문에 필름 구조의 조사나 광간섭 단층 영상기(optical coherence tomography, OCT)와 같은 단층촬영에는 적용될 수 없지만, 간섭신호에서 가장 강한 주 위상정점이 광경로차(ΔZ)가 영(零)이 되는 지점에 존재하는 위상정점이기 때문에 표면 프로파일을 측정하는데에는 여전히 유용하다. 따라서, 산업분야에서 단차나 범프의 높이를 측정하는 것과 같은 형상측정(topographic measurement)에 있어서는 본 발명의 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계(10)를 얼마든지 적용할 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 저간섭성 간섭계(10)의 유효성을 실증하기 위한 실험을 진행하였으며, 그 결과를 도 4에 도시하였다.
레이저 다이오드(LD)는 상용화된 레이저 다이오드(L638P040@Thorlabs)를 사용하였으며, 그 중심파장은 638 ㎚이다.
출력된 레이저는 단일모드 광섬유(SMF)로 커플링 되었으며, 레이저는 콘트롤러(MCLS1@Thorlabs) 안에 내장된 열전 냉각기(thermoelectric cooler)를 이용해 열적으로 안정화시켰다.
저간섭성 간섭계(10)의 전체적인 구조는 도 1에 도시된 마이켈슨 타입 간섭계로 구성되었으며, 측정용 거울(M2)은 마이크로 스테핑 구동되는 스테이지(KXG06030-G@Suruga Seiki)를 이용해 기계적으로 스캔되었다. 전체 스캔 거리는 30 ㎜이며, 스캔 간격은 50 ㎚로 설정하였다.
실제 실험으로 들어가서는, 변조 주파수는 80 ㎑(주기 12.5 ㎲)로 설정함으로써 적분 시간인 50 ㎳보다 충분히 작게 하였으며, 전류 변조도는 2 V로 하였다.
그 결과로서, 도 4(a)는 주파수 변조를 하지 않았을 때의 간섭신호이고, 도 4(b)는 주파수 변조 및 시간 적분이 적용된 간섭신호를 도시한 것이다.
단일 종축 모드를 가진 레이저 다이오드라면 스캔 거리에 따라 도 2(a)와 같은 단순 정현파 간섭신호가 취득될 것으로 기대되지만, 실제에 있어서는 도 4(a)와 같이 수 개의 위상정점이 반복되는 복잡한 간섭신호가 얻어졌다. 이는 실제에 있어서 실험에 사용된 레이저 다이오드가 다중 종축 모드로 작동하였기 때문이다.
그렇지만, 본 실험에서 레이저 다이오드가 다중 종축 모드로 작동하였다고 하더라도 여전히 저간섭성 간섭계(LCI)로 사용되기 곤란한 것은 비슷한 진폭을 가진 수 개의 위상정점이 나타나기 때문이다.
참고로, 도 4(a)에 표시된 두 위상정점 사이의 거리 3.4 ㎜는 실험에 사용된 레이저 다이오드 공극의 광학거리인 1.7 ㎜의 2 배에 해당하는 거리로서, 진폭이 비슷한 수 개의 위상정점이 반복되는 것이 실험에 사용된 레이저 다이오드와 관련이 있음을 보여주는 것이다.
반면 동일한 레이저 다이오드를 사용하더라도 주파수 변조 및 시간 적분을 적용하면 도 4(b)와 같은 통상적인 저간섭성 간섭계(LCI)의 상관지도와 유사한 간섭신호를 취득하는 것이 가능하다. 도 4(b)에 따르면, 주파수 변조 및 시간 적분을 적용해도 수 개의 위상정점이 나타나기는 하지만, 광경로차(ΔZ)가 영(零)인 주 위상정점의 강도가 확연히 가장 강하기 때문에 저간섭성 간섭계(LCI)로서 적용할 수 있는 것이다. 본 실험에서의 주 위상정점의 반치폭(FWHM)은 약 200 ㎛이며, 그 위치는 15.7356 ㎜로 나타났다.
동일한 실험장치에서 레이저 다이오드를 상용화된 다른 레이저 다이오드로 교체하여 반복 실험함으로써 좀더 정확한 검증을 수행하였으며, 교체된 2 종류의 레이저 다이오드는 그 중심 파장이 각각 808 ㎚ 및 908 ㎚이다. 또한, 측정시간을 줄이기 위한 서브 샘플링 기법을 적용하기 위해 나이키스트(Nyquist) 샘플링 한계로 결정된 2 ㎛의 훨씬 증가된 스캔 간격을 적용하였다.
이와 같은 실험결과는 전술한 도 4의 실험결과와 유사하게 나타났는데, 도 5(a) 및 도 5(b)는 각각 중심 파장이 각각 808 ㎚인 레이저 다이오드를 적용하였을 경우에 주파수 변조를 하지 않았을 때의 간섭신호와 주파수 변조 및 시간 적분이 적용된 간섭신호를 나타낸 것이며, 도 5(c) 및 도 5(d)는 중심 파장이 908 ㎚인 레이저 다이오드를 적용한 경우이다.
도 5(b) 및 도 5(d)에 도시된 것처럼, 레이저 다이오드를 변경하더라도 여전히 본래의 간섭신호{도 5(a) 및 도 5(c)}에 비해 주 위상정점의 강도가 확연히 가장 강하게 나타나고 있으며, 따라서 본 발명의 저간섭성 간섭계(10)가 생성하는 반치폭이 수백 마이크로미터인 저간섭성 간섭신호를 이용해 거리나 표면 프로파일 측정에 적용할 수 있음을 명확히 확인할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다.
10: 저간섭성 간섭계
LD: 레이저 다이오드 SMF: 단일모드 광섬유
CL: 시준렌즈 BS: 빔 스플리터
M1, M2: 거울 PD: 광검출기

Claims (5)

  1. 레이저 다이오드(LD)를 광원으로 사용하고, 상기 레이저 다이오드(LD)로부터 조사된 레이저 광을 빔 스플리터(BS)에 의해 직교하는 두 방향으로 분기시켜 각각 거울(M1, M2)에 조사하고, 상기 거울(M1, M2)로부터 반사된 레이저 광을 상기 빔 스플리터(BS)에서 하나로 합쳐 간섭시킨 후 이 간섭신호를 광검출기(PD)에서 취득하는 마이켈슨 타입의 간섭계로서,
    상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류를 변조시켜 레이저 광의 주파수를 변조시키고, 상기 광검출기(PD)에서 취득되는 간섭신호를 시간 적분하여 상기 간섭신호의 상관지도를 구하는 것을 특징으로 하는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광검출기(PD)의 반응시간은 상기 레이저 다이오드(LD)의 변조된 주파수보다 느린 것을 특징으로 하는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류는 함수 발생기(function generator)에 의해 변조되는 것을 특징으로 하는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 함수 발생기는 상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류를 정현파 함수로 변조하고, 상기 광검출기(PD)에서 취득되는 간섭신호는 하기의 식에 의해 시간적분되는 것을 특징으로 하는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계.
    Figure 112013029092291-pat00005

    (여기서, 가시도는 일정한 것으로 가정되었고, I0는 공칭 강도, Im은 변조 강도, fm은 변조 주파수를 나타내며, ν0 및 νm은 각각 공칭 광 주파수(nominal optical frequency) 및 전류 변조에 의한 변조 광 주파수(modulated optical frequency)를 나타냄)
  5. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 다이오드(LD)에 주입되는 전류의 변조도를 조절하여 상기 간섭신호의 가간섭 거리를 조절하는 것을 특징으로 하는 주파수 변조 레이저 다이오드를 이용한 저간섭성 간섭계.
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