KR101376030B1 - 이미지 센서의 ｕｖ 방사 회복 - Google Patents

이미지 센서의 ｕｖ 방사 회복 Download PDF

Info

Publication number
KR101376030B1
KR101376030B1 KR1020120083728A KR20120083728A KR101376030B1 KR 101376030 B1 KR101376030 B1 KR 101376030B1 KR 1020120083728 A KR1020120083728 A KR 1020120083728A KR 20120083728 A KR20120083728 A KR 20120083728A KR 101376030 B1 KR101376030 B1 KR 101376030B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric layer
radiation
dielectric
substrate
image sensor
Prior art date
Application number
KR1020120083728A
Other languages
English (en)
Inventor
청-렌 선
시우-코 장지안
천-정 장
통-헤르 쉐르
Original Assignee
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 filed Critical 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Application granted granted Critical
Publication of KR101376030B1 publication Critical patent/KR101376030B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

실시예의 방법은 이미지 센서 기판의 제1 면 상에 유전체 층을 형성하고, 유전체 층을 자외선(UV) 방사에 노출시키는 것을 포함한다. 이미지 센서 기판은 포토 다이오드를 포함한다. 실시예의 구조는 기판 및 전하리스 유전체를 포함한다. 기판은 포토 다이오드를 포함한다. 전하리스 유전체 층은 기판의 제1 면 상에 있고, 전하리스 유전체 층의 총 전하는 전하리스 유전체 층 양단에 0.2V보다 작은 평균 전압 강하를 일으킨다.

Description

이미지 센서의 ＵＶ 방사 회복{UV RADIATION RECOVERY OF IMAGE SENSOR}
본 발명은 반도체 분야에 관한 것이다.
본 출원은 2012년 1월 31일 출원되고 발명의 명칭이 "Dark Current Reduction by Dielectric UV Light Recovery of CMOS Image Sensor"인 미국 가출원 번호 제61/592,955호의 우선권을 주장하며, 이 출원은 그 전체가 참조에 의해 여기에 포함된다.
기술이 발전함에 따라, 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS; complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서에 고유한 특정 이점으로 인해 종래의 CCD(charged-coupled device) 이상으로 인기를 얻고 있다. 특히, CMOS 이미지 센서는 높은 이미지 획득률, 낮은 동작 전압, 낮은 전력 소모, 및 높은 잡음 여유도(noise immunity)를 가질 수 있다. 또한, CMOS 이미지 센서는 로직 및 메모리 디바이스와 동일한 고용적 웨이퍼 공정 라인 상에서 제조될 수 있다. 그 결과, CMOS 이미지 칩은 이미지 센서 그리고 증폭기, A/D 컨버터 등과 같은 모든 필요한 로직을 모두 포함할 수 있다.
CMOS 이미지 센서는 통상적으로 화소화된(pixelated) 금속 산화물 반도체이다. CMOS 이미지 센서는 통상적으로 감광 화소(픽셀)의 어레이를 포함하며, 이들의 각각은 트랜지스터(스위칭 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터), 커패시터, 및 감광 요소(예를 들어, 포토 다이오드(photo-diode))를 포함할 수 있다. CMOS 이미지 센서는 광자를 전자로 전환하기 위해 감광 CMOS 회로를 이용한다. 감광 CMOS 회로는 통상적으로 실리콘 기판에 형성된 포토 다이오드를 포함한다. 포토 다이오드가 광에 노출됨에 따라, 전기 전하가 포토 다이오드에 유도된다. 대상 장면으로부터의 픽셀에 광이 입사될 때 각각의 픽셀은 픽셀에 떨어지는 광의 양에 비례하는 전자를 발생시킬 수 있다. 또한, 전자는 픽셀에서 전압 신호로 전환되고, A/D 컨버터에 의해 디지털 신호로 더 변환된다. 복수의 주변 회로가 디지털 신호를 수신하고 이들을 처리하여 대상 장면의 이미지를 디스플레이할 수 있다.
CMOS 이미지 센서는 기판의 상부에 형성된 유전체 층 및 상호접속 금속 층과 같은 복수의 추가적인 층을 포함할 수 있으며, 상호접속 층은 포토 다이오드를 주변 회로와 연결하는데 사용된다. CMOS 이미지 센서의 추가적인 층을 갖는 면은 일반적으로 전면(front side)으로 지칭되며, 기판을 갖는 면은 후면(back side)라 지칭된다. 광 경로 차이에 따라, CMOS 이미지 센서는 2개의 주요 범주, 즉 전면 조사(FSI; front-side illuminated) 이미지 센서 및 후면 조사(BSI; back-side illuminated) 이미지 센서로 더 나뉘어질 수 있다.
FSI 이미지 센서에서, 대상 장면으로부터 광이 CMOS 이미지 센서의 전면에 입사되고, 유전체 층과 상호접속 층을 통과하며, 최종적으로 포토 다이오드에 떨어진다. BSI 이미지 센서에서는 광이 CMOS 이미지 센서의 후면에 입사된다. 그 결과, 광은 직접 경로를 통해 포토 다이오드에 부딪힐 수 있다.
실시예의 방법은 이미지 센서 기판의 제1 면 상에 유전체 층을 형성하고, 유전체 층을 자외선(UV) 방사에 노출시키는 것을 포함한다. 이미지 센서 기판은 포토 다이오드를 포함한다. 실시예의 구조는 기판 및 전하리스(charge-less) 유전체를 포함한다. 기판은 포토 다이오드를 포함한다. 전하리스 유전체 층은 기판의 제1 면 상에 있고, 전하리스 유전체 층의 총 전하는 전하리스 유전체 층 양단에 0.2V보다 작은 평균 전압 강하를 일으킨다.
본 실시예 및 이의 이점의 보다 완전한 이해를 위해, 이제 첨부 도면과 함께 취한 다음의 설명을 참조한다.
도 1은 실시예에 따른 이미지 센서 기판의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따라 그 위에 형성된 다양한 유전체 층 및 금속화 패턴을 갖는 이미지 센서 기판이다.
도 3은 실시예에 따른 후면 조사 이미지 센서의 형성에서의 도 2의 이미지 센서 기판의 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 전면 조사 이미지 센서를 형성하기 위한 도 2의 이미지 센서 기판의 단면도이다.
도 5는 실시예에 따라 이미지 센서를 형성하는 방법이다.
도 6a 및 도 6b는 실시예에 따라 각각 UV 방사 노출 전후의 콴톡스(Quantox) 측정의 결과이다.
본 실시예를 형성하고 사용하는 것이 아래에 상세하게 설명된다. 그러나, 본 개시는 광범위하게 다양한 구체적 상황에서 구현될 수 있는 수많은 적용가능한 발명의 개념을 제공하는 것임을 알아야 한다. 설명되는 구체적 실시예는 개시된 주제를 형성하고 사용하기 위한 구체적 방식을 단지 예시한 것이며 다른 실시예의 범위를 한정하지 않는다.
실시예는 구체적 상황, 즉 전면 조사 이미지 센서 및 후면 조사 이미지 센서에 관련하여 기재될 것이다. 이미지 센서의 다른 다양한 구성에 다른 실시예가 적용될 수 있다. 이미지 센서를 형성하기 위한 방법이 개시되고, 방법은 특정 순서로 기재되어 있지만, 방법 실시예는 임의의 논리적 순서로 수행될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 이미지 센서 기판(10)의 단면도를 예시한다. 이미지 센서 어레이에서는 복수의 픽셀이 있을 수 있으며, 각각의 픽셀은 실리콘과 같은 반도체 기판에 형성된 포토다이오드를 포함할 수 있다. 실시예에서, 기판(10)은 p 타입 벌크 기판으로부터 성장된 p 타입 에피텍셜 층을 포함할 수 있다. 단순화를 위해, 하나의 픽셀이 다양한 실시예의 세부사항을 명확하게 나타나고자 예시되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 픽셀은 p 타입 도핑된 영역 및 n 타입 도핑된 영역에 의해 형성된 포토 다이오드(12)를 포함한다. p 타입 도핑된 영역은 웨이퍼의 전면으로부터 이온 주입 공정을 사용함으로써 형성될 수 있다. p 타입 도핑된 영역은 붕소와 같은 p 타입 도핑 재료로 도핑된다. n 타입 도핑된 영역은 웨이퍼의 전면으로부터 이온 주입 공정을 사용함으로써 형성될 수 있다. n 타입 도핑된 영역은 인과 같은 n 타입 도핑 재료로 도핑된다.
셀 p 웰(CPW; Cell p-well) 영역(14)이 포토 다이오드(12)의 대향 면에 형성되고, 딥 p 웰(DPW; deep p-well) 영역(16)이 각각의 CPW 영역(14) 아래에 형성된다. CPW 영역(14) 및 DPW 영역(16)은 붕소 등과 같은 p 타입 도핑 재료로 형성된다. CPW 영역(14)은 DPW 영역(16)의 도핑 농도보다 통상적으로 더 큰 도핑 농도를 갖는다.
쉘로우 트렌치 아이솔레이션(STI; shallow trench isolation)을 형성하도록, 예를 들어 트렌치를 에칭하고 HDP-CVD(high density plasma chemical vapor deposition)을 사용하여 산화물과 같은 유전체 재료로 트렌치를 채움으로써, 아이솔레이션(isolation) 영역(18)이 각각의 CPW 영역(14)에 형성된다. 도 1은 단지 이미지 센서 기판(10)의 예일 뿐이며, 다른 실시예에서 포토 다이오드(12)와 함께 트랜지스터에 대한 컴포넌트와 같은 부가의 컴포넌트를 포함할 수 있는 다양한 다른 구성을 고려해볼 수 있다는 것을 유의하여야 한다.
도 2는 그 위에 형성된 다양한 유전체 층 및 금속화 패턴을 갖는 이미지 센서 기판(10)을 예시한다. 레지스트 보호층(RPL; resist protective layer)(20)이 기판(10) 위에 형성된다. RPL(20)은 화학적 기상 증착(CVD; chemical vapor deposition) 등에 의해 증착된 산화물일 수 있다. 받아들일 수 있는 공정에 의해 형성된 다른 재료가 RPL(20)에 대하여 사용될 수 있다. 에칭 정지 층(ESL; etch stop layer)(22)이 RPL(20) 위에 형성된다. ESL(22)은 CVD 등에 의해 증착된 질화물일 수 있지만, 받아들일 수 있는 공정에 의해 형성된 ESL(22)에 대하여 다른 재료가 사용될 수 있다.
층간 유전체(ILD; inter-layer dielectric)(24)가 ESL(22) 위에 형성된다. ILD(24)는 CVD, HDP-CVD, 노 증착(furnace deposition) 등, 또는 이들의 조합에 의해 형성된 실리콘 산화물, BPSG(borophosphosilicate glass) 등, 또는 이들의 조합일 수 있다. 받아들일 수 있는 포토리소그래피 기술을 사용하여 컨택이 ILD(24), ESL(22), 및 RPL(20)을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트가 ILD(24) 상에 스핀온될 수 있고, 광에의 노출을 사용하여 포토레지스트가 패터닝될 수 있다. 층에서의 가능한 상이한 재료들로 인해 다수의 에칭 단계 및 에천트를 포함할 수 있는 에칭 공정은 ILD(24), ESL(22) 및 RPL(20)을 통한 개구를 기판(10)의 특징부로 에칭하는데 패터닝된 포토레지스트를 사용할 수 있다. 포토레지스트를 제거한 후에, 예를 들어 CVD, ALD 등, 또는 이들의 조합을 사용하여, 배리어 층을 갖는 금속과 같은 전도성 재료가 ILD(24) 위에 그리고 개구 안으로 증착될 수 있다. CMP와 같은 연마 및/또는 그라인딩 공정은 과도한 전도성 재료를 제거하고 개구에 컨택을 남길 수 있다.
금속화 패턴(38) 및 비아(40)를 갖는 그 다음의 금속간 유전체(IMD; inter-metal dielectrics)(26, 28, 30 및 32)가 ILD(24) 위에 형성된다. 각각의 IMD(26, 28, 30 및 32)는 CVD, HDP-CVD, 노 증착 등, 또는 이들의 조합에 의해 형성된 실리콘 신화물, BPSG 등, 또는 이들의 조합일 수 있다. 각각의 IMD(26, 28, 30 및 32)에서의 비아(40) 및 금속화 패턴(38)은 예를 들어 다마신(damascene) 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 다마신 공정에서, 예를 들어, 포토레지스트가 IMD에 스핀온될 수 있고, 광에의 노출을 사용하여 포토레지스트가 패터닝될 수 있다. 에칭 공정은 패터닝된 포토레지스트를 사용하여 비아 개구의 시작을 형성하도록 부분적으로 IMD를 통해 에칭할 수 있다. 포토레지스트를 제거한 후에, 또다른 포토레지스트가 IMD에 스핀온되어 패터닝될 수 있다. 에칭 공정은 패터닝된 포토레지스트를 사용하여, 예를 들어 아래의 전도성 특징부로, IMD를 통해 비아 개구를 에칭할 수 있고, IMD에서 금속화 패턴에 대한 리세스를 에칭할 수 있다. 배리어 층을 갖는 금속과 같은 전도성 재료가 예를 들어 CVD, ALD 등, 또는 이들의 조합을 사용하여 IMD 위에 그리고 비아 개구 및 금속화 리세스 안으로 증착될 수 있다. CMP와 같은 연마 및/또는 그라인딩 공정은 과도한 전도성 재료를 제거하고 비아(40) 및 금속화 패턴(38)을 비아 개구 및 리세스에 각각 남길 수 있다. IMD(26, 28, 30 및 32)가 각각의 비아(40) 및 금속화 패턴(38)과 함께 순차적으로 형성된다.
제1 패시베이션(passivation) 층(34)이 상부 IMD(32) 위에 형성되고, 제2 패시베이션 층(36)이 제1 패시베이션 층(34) 위에 형성된다. 패시베이션 층(34 및 36)은 CVD 등에 의해 증착된 실리콘 질화물 등일 수 있다. 명확하게 도시되지 않은 실시예에서 수많은 다른 컴포넌트가 포함될 수 있음을 유의하여야 한다. 예를 들어, 에칭 정지 층은 ILD(24) 및 IMD(26, 28, 30 및 32)의 층들 사이의 다양한 계면 사이에 배치될 수 있다. 또한, 더 많거나 더 적은 수의 IMD가 사용될 수 있다.
실시예에서, ILD(24) 및 IMD(26, 28, 30 및 32)를 형성하는 다양한 단계에서, 유전체 층을 포함하는 구조가 자외선(UV) 방사에 노출된다. 다양한 유전체 층, 컨택, 비아, 및 금속화 패턴이 형성될 때, 전하가 유전체 층에 축적될 수 있다. 전하의 일부는 고정 전하(Qf), 인터페이스 트랩 전하(Qit), 벌크 트랩 전하(Qot), 이동 전하(Qm), 및 표면 전하(Qsurf)를 포함한다. 이들 전하는 예를 들어 이온 주입 단계, RIE(reactive ion etch) 동안과 같은 플라즈마 노출, 포토레지스트 스핀온, 및 기타의 결과로서 축적될 수 있다. 많은 양의 이들 전하가 최종 구조에 남게 되면, 이미지 센서의 픽셀은 완전히 어두운(예를 들어, 0 lux) 환경에서와 같이 광에의 노출이 없이도 활성화되게 될 수 있다. 이러한 일이 발생하는 것을 막도록 돕기 위해, 유전체 층 중의 하나 이상은 하나 이상의 유전체 층을 전기적으로 보다 안정적이 되게 하도록 UV 방사에 노출될 수 있다.
다양한 유전체 층에 축적된 전하는 유전체 층 내의 불포화 결합(dangling bond)으로부터 올 수 있다. 유전체 층을 UV 방사에 노출시킴으로써 UV 방사는 원자 뿐만 아니라 전자에도 영향을 미칠 수 있는 것으로 의심된다. UV 방사를 흡수하는 불포화 결합의 전자들은 자유 전자가 될 수 있다. 그러면 자유 전자는 재조합 또는 여기(excitation)에 의해 보다 안정적인 상태에 있을 수 있다. 반면에, UV 방사는 원자의 전자 전이 에너지를 증가시킬 수 있는 에너지를 제공할 수 있으며, 이는 아마도 보다 안정적인 형태에 있도록 최고준위 점유 분자궤도 또는 최저준위 비점유 분자궤도를 유도할 수 있다. 이는 또한 유전체 내의 베이컨시(vacancy) 수의 감소 또는 증가를 유도할 수 있다.
실시예에서는, 각각의 유전체 층의 형성 후에, 모든 유전체 층의 형성 후에만, 또는 각각의 일부 층 후와 노출 없이 몇몇 층을 형성한 후의 조합으로 UV 방사 노출이 사용되는 것을 고려해본다. 실시예에서는, 공정 중의 임의의 시점에서 다양한 유전체가 UV 방사에 노출되는 것을 고려해본다. 또한, 다양한 유전체 층은 한 번 또는 다수 회 노출될 수 있다. 실시예에 따르면 UV 방사 노출은 광범위한 범위의 UV 파장을 망라하는 광역 스펙트럼(broad spectrum) 노출이다. 실시예에서, UV 방사 노출은, 대략 200 nm 내지 대략 450 nm의 파장 범위, 예를 들어 대략 200 nm 내지 대략 250 nm의 파장 범위를 갖는 UV 방사를 포함한다. 실시예에서, UV 방사 노출은 대략 2 분 내지 대략 2시간, 예를 들어 대략 3분 내지 대략 5분, 그리고 예를 들어 200초일 수 있다. 실시예에서, UV 방사 노출이 일어나는 압력은 약 2 torr 내지 약 15 torr 사이이다. 실시예에서, 기판과 UV 방사 소스 사이의 간격은 대략 200 밀 내지 대략 1000 밀 사이일 수 있고, 예를 들어 UV 노출 챔버 내의 아르곤(Ar) 및/또는 헬륨(He)의 유량은 약 2,000 sccm 내지 약 40,000 sccm 사이일 수 있다. 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일상적인 실험에 의해 다른 공정 파라미터가 용이하게 결정될 수 있다.
실시예에 따르면, 유전체 층은 UV 방사 노출 후에 전하리스(charge-less)가 된다(charge-less). 실시예에서, 전하리스 유전체 층은 0.2V보다 작은 유전체 양단에 걸친 평균 전압 강하를 일으키는 총 전하를 갖는다. 테스트된 실시예에서, UV 방사 노출 전에, 유전체 층은, 3.54V의 최대치와 2.42V의 최소치를 가지고 유전체 층 양단에 3.28V의 평균 전압 강하를 일으키는 총 전하를 갖는다. UV 방사 노출 후에, 유전체 층은 0.189V의 최대치와 0.116V의 최소치를 갖는 0.156V의 평균 전압 강하를 갖는다. 다른 실시예에서, UV 방사 노출 후에, 유전체 층은 0.467V의 최대치와 0.107V의 최소치를 갖는 0.181V의 평균 전압 강하를 갖는다.
도 3은 실시예에 따라 캐리어(41) 상에 플립되어(flipped) 본딩된 후의 도 2의 이미지 센서 기판(10)의 단면도이다. 도 3에서, 이미지 센서 기판(10)은 후면 조사 이미지 센서를 형성하는데 사용된다. IMD(26, 28, 30, 및 32) 및 패시베이션 층(34 및 36)이 도 2에서 형성되면, 이미지 센서 기판(10)이 캐리어(41) 상에 플립되어 본딩되며, 캐리어(41)는 실리콘, 유리 등일 수 있다. 이미지 센서 기판(10)의 전면은 캐리어(41)와 마주한다. 이미지 센서 기판(10)과 캐리어(41) 사이의 본딩을 달성하도록 다양한 본딩 기술이 채용될 수 있다. 실시예에 따르면, 적합한 본딩 기술은 접착제 본딩, 진공 본딩, 양이온 본딩 등을 포함할 수 있다. 캐리어(41)는 박형화(thinning) 공정의 그라인딩 단계로 인한 힘에 저항하도록 충분한 기계적 지지를 제공할 수 있다.
이미지 센서 기판(10)의 후면에 박형화 공정이 적용된다. 실시예에서, 기판은 고농도 도핑된 p 타입 기판이 제거되고 저농도 도핑된 p 타입 에피텍셜 층이 노출될 때까지 박형화된다. 얇은 기판(10)은 더 많은 광이 기판(10)을 통과할 수 있게 해주고 기판(10)에 의해 흡수되지 않고서 기판(10)에 매립된 포토 다이오드(12에 부딪히게 할 수 있다. 박형화 공정은 그라인딩, 연마 및/또는 화학적 에칭과 같은 적합한 기술을 사용함으로써 구현될 수 있다.
얇은 P+ 층(42)이 기판(10)의 후면 상에 형성된다. 얇은 P+ 층(42)은 전자로 전환되는 광자의 수를 증가시키도록 박형화된 기판의 후면 상에 형성될 수 있다. P+ 층(42)을 형성하는데 사용되는 P+ 이온 주입 공정은 결정 결함을 야기할 수 있다. 결정 결함을 보수(repair)하고 주입된 P+ 이온을 활성화시키기 위해, 이미지 센서 기판(10)의 후면에 대해 레이저 어닐링 공정이 수행될 수 있다.
반사 방지 코팅(ARC; anti-reflection coating)(44)이 P+ 층(42) 위에 형성된다. ARC(44)는 CVD 등에 의해 증착되는 실리콘 질화물 등일 수 있다. 컬러 필터 층(46)이 ARC(44) 위에 형성된다. 컬러 필터 층(46)은 특정 파장의 광은 통과시키면서 다른 파장은 반사시킬 수 있도록 사용될 수 있으며, 그리하여 이미지 센서가 포토 다이오드(12)에 의해 수용되고 있는 광의 색상을 결정할 수 있게 해준다. 컬러 필터 층(46)은 적색, 녹색 및 청색 필터와 같이 다양할 수 있다. 시안, 황색, 및 마젠타와 같은 다른 조합도 또한 사용될 수 있다. 컬러 필터 층(46)의 상이한 컬러 수도 또한 다양할 수 있다. 컬러 필터 층(46)은 아크릴과 같은 착색 또는 염색 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리메틸-메타아크릴레이트(PMMA; polymethyl-methacrylate) 또는 PGMS(polyglycidylmethacrylate)는 착색제 또는 염색제가 컬러 필터 층(46)을 형성하는데 추가될 수 있는 적합한 재료이다. 그러나, 다른 재료가 사용될 수도 있다. 컬러 필터 층(46)은 임의의 적합한 방법에 의해 형성될 수 있다.
마이크로렌즈 층(48)이 컬러 필터 층(46) 위에 형성된다. 마이크로렌즈 층(48)은 고투과율 아크릴 폴리머와 같이 패터닝되어 렌즈로 형성될 수 있는 임의의 재료로 형성될 수 있다. 실시예에서, 마이크로렌즈 층(48)은 액상 상태의 재료 및 스핀온 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 이 방법은 실질적으로 평탄한 표면 및 실질적으로 균일한 두께를 갖는 마이크로렌즈 층(48)을 생성함으로써 마이크로렌즈에 보다 양호한 균일도를 제공하는 것으로 밝혀졌다. CVD, PVD 등과 같은 증착 기술과 같은 다른 방법도 또한 사용될 수 있다.
도 4는 실시예에 따라 전면 조사 이미지 센서를 형성하도록 전면에 대해 공정이 이어지는 도 2의 이미지 센서 기판(10)의 단면도이다. ARC(44)가 제2 패시베이션 층(36) 상에 형성된다. ARC(44)는 도 3에 관련하여 앞서 설명한 바와 동일하거나 유사한 공정에 의해 형성된 동일하거나 유사한 재료일 수 있다. 컬러 필터 층(46)이 ARC(44) 위에 형성되고, 마이크로렌즈 층(48)이 컬러 필터 층(46) 위에 형성된다. 컬러 필터 층(46) 및 마이크로렌즈 층(48)은 도 3에 관련하여 앞서 설명한 바와 동일하거나 유사한 공정에 의해 형성된 동일하거나 유사한 재료일 수 있다.
도 5는 실시예에 따라 이미지 센서를 형성하는 방법이다. 단계 60에서, 유전체 층이 이미지 센서 기판 위에 형성된다. 유전체 층은 도 2에 관련하여 설명된 바와 같이 임의의 RPL(20), ESL(22), ILD(24), IMD(26, 28, 30 및 32) 및 패시베이션 층(34 및 36)일 수 있다. 유전체 층은 컨택, 비아 및/또는 금속화 패턴과 같이 그 안에 형성된 컴포넌트를 가질 수 있다. 단계 62에서, 유전체 층은 도 2에 관련하여 설명된 바와 같이 UV 방사에 노출된다. 단계 64에서, 예를 들어, 콴톡스(Quantox) 측정을 사용함으로써 유전체 층의 총 전하가 측정된다. 단계 66에서, 임의의 단계 60, 62, 및 64가 필요에 따라 반복될 수 있다. 예를 들어, 측정된 총 전하가 충분한 범위 내에 있지 않은 경우, 유전체 층은 단계 62에서 다시 UV 방사에 노출될 수 있다. 또한, 추가적인 유전체 층이 형성될 수 있고, 유전체 층은 마지막 형성 공정 후에 집합적으로 또는 각각의 각 형성 공정 직후에 UV 방사에 노출될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 각각 UV 방사 노출 전후의 콴톡스 측정의 결과를 도시한다. 도 6a에서, 이미지 센서 기판 상에 형성된 유전체 층 상의 5 자리(site)에서의 총 전하가 콴톡스에 의해 측정된다. 도시된 바와 같이, UV 방사 노출 전에 상이한 자리들은 콴톡스에 의해 표면 상에 증착된 가지각색의 전하 양을 갖는다. 도 6b에서, UV 방사 노출 후에 상이한 자리들은 보다 균일한 전하 증착(charge deposition)을 갖고 더 적은 양의 증착된 전하를 갖는다.
실시예로는 방법이 있다. 방법은 이미지 센서 기판의 제1 면 상에 유전체 층을 형성하고, 유전체 층을 자외선(UV) 방사에 노출시키는 것을 포함한다. 이미지 센서 기판은 포토 다이오드를 포함한다. 유전체 층을 UV 방사에 노출시키는 동안 유전체 층 위에는 포토레지스트가 없다.
다른 실시예로는, 기판에 포토 다이오드를 형성하고, 기판의 제1 면상에 유전체 구조를 증착하고, 유전체 구조를 광역 스펙트럼 UV 방사에 노출시키는 것을 포함하는 방법이 있다. 광역 스펙트럼 UV 방사는 복수의 파장을 갖는 UV 방사를 갖는다.
부가의 실시예로는 기판 및 전하리스(charge-less) 유전체를 포함하는 구조가 있다. 기판은 포토 다이오드를 포함한다. 전하리스 유전체 층은 기판의 제1 면 상에 있고, 전하리스 유전체의 총 전하는 전하리스 유전체 층 양단에 0.2V 보다 작은 평균 전압 강하를 일으킨다.
본 실시예 및 이의 이점이 상세하게 기재되었지만, 첨부된 청구항에 의해 정의되는 본 개시의 진정한 의미 및 사상에서 벗어나지 않고서 여기에 다양한 변경, 치환 및 대안이 이루어질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한, 본 출원의 범위는 본 명세서에 기재된 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 및 단계의 특정 실시예에 한정하고자 하는 것이 아니다. 당해 기술 분야에서의 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시로부터 용이하게 알 수 있듯이, 여기에 기재된 대응하는 실시예와 실질적으로 동일한 기능을 수행하거나 실질적으로 동일한 결과를 달성하는 현재 존재하거나 추후에 개발될 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 또는 단계가 본 개시에 따라 이용될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항은 이러한 공정, 기계, 제조, 물질 조성물, 수단, 방법 또는 단계를 본 발명의 범위 내에 포함하고자 한다.
10: 이미지 센서 기판
12: 포토 다이오드
14: CPW(Cell p-well) 영역
16: DPW(deep p-well) 영역
18: 아이솔레이션(isolation) 영역
20: 레지스트 보호층(RPL)
22: 에칭 정지 층(ESL)
24: 층간 유전체(ILD)
26, 28, 30, 32: 금속간 유전체(IMD)
38: 금속화 패턴
40: 비아

Claims (10)

  1. 이미지 센서 기판 - 상기 이미지 센서 기판은 포토 다이오드(photo diode)를 포함함 - 의 제1 면(first side) 상에 유전체 층을 형성하는 단계와;
    상기 유전체 층을 자외선(UV; ultraviolet) 방사(radiation)에 노출시키는 단계를 포함하고,
    상기 유전체 층을 상기 UV 방사에 노출시키는 동안 상기 유전체 층 위에는 포토레지스트가 없으며,
    상기 유전체 층과 상기 이미지 센서 기판 사이에 복수의 유전체 층이 있으며, 상기 복수의 유전체 층도 또한 상기 유전체 층을 상기 UV 방사에 노출시키는 동안 상기 UV 방사에 의해 노출되는 것인 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 유전체 층을 상기 UV 방사에 노출시키는 단계는 상기 유전체 층을 상기 UV 방사에 3분 내지 5분 노출시키는 것을 포함하는 것인 방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 UV 방사는 200 nm 내지 250 nm 사이의 파장을 갖는 광역 스펙트럼(broad spectrum) 방사를 포함하는 것인 방법.
  4. 삭제
  5. 기판에 포토 다이오드를 형성하는 단계와;
    상기 기판의 제1 면 상에 유전체 구조를 성막하는 단계와;
    상기 유전체 구조를 광역 스펙트럼 자외선(UV) 방사에 노출시키는 단계를 포함하고,
    상기 광역 스펙트럼 UV 방사는 복수의 파장을 갖는 UV 방사를 갖고,
    상기 유전체 구조는 복수의 유전체 층을 포함하고, 상기 복수의 유전체 층은 상기 유전체 구조를 상기 광역 스펙트럼 UV 방사에 노출시키는 동안 상기 광역 스펙트럼 UV 방사에 의해 노출되는 것인 방법.
  6. 포토 다이오드를 포함하는 기판과;
    상기 기판의 제1 면 상의 전하리스(charge-less) 유전체 층으로서, 상기 전하리스 유전체 층의 총 전하는 상기 전하리스 유전체 층 양단에 0.2V보다 작은 평균 전압 강하를 일으키는 것인 전하리스 유전체 층을 포함하는 구조.
  7. 청구항 6에 있어서, 복수의 전하리스 유전체 층을 더 포함하는 구조.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 전하리스 유전체 층은 층간 유전체 또는 금속간 유전체인 것인 구조.
  9. 청구항 6에 있어서,
    컬러 필터와;
    렌즈를 더 포함하고,
    상기 컬러 필터는 상기 전하리스 유전체 층과 상기 렌즈 사이에 배치되는 것인 구조.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판의 제2 면 - 상기 제2 면은 상기 제1 면의 반대임 - 상의 컬러 필터와;
    상기 컬러 필터 상의 렌즈를 더 포함하는 구조.
KR1020120083728A 2012-01-31 2012-07-31 이미지 센서의 ｕｖ 방사 회복 KR101376030B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261592955P 2012-01-31 2012-01-31
US61/592,955 2012-01-31
US13/476,717 US9112090B2 (en) 2012-01-31 2012-05-21 UV radiation recovery of image sensor
US13/476,717 2012-05-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101376030B1 true KR101376030B1 (ko) 2014-03-19

Family

ID=48869521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120083728A KR101376030B1 (ko) 2012-01-31 2012-07-31 이미지 센서의 ｕｖ 방사 회복

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9112090B2 (ko)
KR (1) KR101376030B1 (ko)
TW (1) TWI541989B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8736006B1 (en) * 2013-03-14 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure for a BSI image sensor device
TWI618232B (zh) * 2013-09-09 2018-03-11 應用材料股份有限公司 工程誘發的可調靜電效應
US9887228B2 (en) * 2014-01-20 2018-02-06 Himax Imaging, Inc. Image sensor with oblique pick up plug and semiconductor structure comprising the same
CN104867952B (zh) * 2015-04-30 2018-08-24 中国电子科技集团公司第四十四研究所 提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法
US9923003B2 (en) 2015-06-30 2018-03-20 Microsoft Technology Licensing, Llc CMOS image sensor with a reduced likelihood of an induced electric field in the epitaxial layer
US10014333B2 (en) * 2015-08-26 2018-07-03 Semiconductor Components Industries, Llc Back-side illuminated pixels with interconnect layers
US10418402B2 (en) * 2017-11-30 2019-09-17 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Near ultraviolet photocell
TWI646678B (zh) * 2017-12-07 2019-01-01 晶相光電股份有限公司 影像感測裝置
CN108666333A (zh) * 2018-05-02 2018-10-16 德淮半导体有限公司 减少背照式图像传感器暗电流的方法
US11901219B2 (en) * 2021-08-19 2024-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming semiconductor device structures

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203968A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Sharp Corp Ｍｏｓトランジスタの製造方法及びｍｏｓトランジスタ
KR20090054239A (ko) * 2007-11-26 2009-05-29 삼성전자주식회사 금속 배선의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서의 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6319809B1 (en) * 2000-07-12 2001-11-20 Taiwan Semiconductor Manfacturing Company Method to reduce via poison in low-k Cu dual damascene by UV-treatment
JP4779320B2 (ja) 2004-08-10 2011-09-28 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US8454750B1 (en) * 2005-04-26 2013-06-04 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US7482265B2 (en) 2006-01-10 2009-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. UV curing of low-k porous dielectrics
US10037905B2 (en) 2009-11-12 2018-07-31 Novellus Systems, Inc. UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing
KR101478189B1 (ko) 2007-11-19 2015-01-02 삼성전자주식회사 이미지 센서의 제조 방법
US7902618B2 (en) 2008-11-17 2011-03-08 Omni Vision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with improved angular response
US8278690B2 (en) * 2010-04-27 2012-10-02 Omnivision Technologies, Inc. Laser anneal for image sensors
JP2012004401A (ja) 2010-06-18 2012-01-05 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
US9123608B2 (en) * 2011-12-09 2015-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside illuminated CMOS image sensor
US9356059B2 (en) * 2011-12-15 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. BSI image sensor chips and methods for forming the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203968A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Sharp Corp Ｍｏｓトランジスタの製造方法及びｍｏｓトランジスタ
KR20090054239A (ko) * 2007-11-26 2009-05-29 삼성전자주식회사 금속 배선의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201332092A (zh) 2013-08-01
TWI541989B (zh) 2016-07-11
US9112090B2 (en) 2015-08-18
US20130193541A1 (en) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10943940B2 (en) Image sensor comprising reflective guide layer and method of forming the same
KR101376030B1 (ko) 이미지 센서의 ｕｖ 방사 회복
US8941204B2 (en) Apparatus and method for reducing cross talk in image sensors
US8629524B2 (en) Apparatus for vertically integrated backside illuminated image sensors
US9190441B2 (en) Image sensor trench isolation with conformal doping
US9786707B2 (en) Image sensor isolation region and method of forming the same
US9548329B2 (en) Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same
US8890273B2 (en) Methods and apparatus for an improved reflectivity optical grid for image sensors
US20130334638A1 (en) Apparatus and Method for Backside Illuminated Image Sensors
TWI476911B (zh) 半導體裝置及其製造方法
KR101420503B1 (ko) 이미지 센서에서 암전류를 줄이기 위한 장치 및 방법
KR20030037295A (ko) 이미지센서 및 그 제조 방법
US9129878B2 (en) Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170307

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190228

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200227

Year of fee payment: 7