KR101372380B1 - Sawing apparatus for semiconductor wafer - Google Patents

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KR101372380B1
KR101372380B1 KR1020120148387A KR20120148387A KR101372380B1 KR 101372380 B1 KR101372380 B1 KR 101372380B1 KR 1020120148387 A KR1020120148387 A KR 1020120148387A KR 20120148387 A KR20120148387 A KR 20120148387A KR 101372380 B1 KR101372380 B1 KR 101372380B1
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손민호
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한미반도체 주식회사
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Abstract

The present invention relates to an apparatus for sawing a semiconductor wafer. Particularly, a cut semiconductor wafer can be cleaned by the friction of a brush and the injection of cleansing water, prevent the distortion of the semiconductor wafer in a cleaning process, use a micro brush, effectively clean the semiconductor wafer of a small size, and reduce an error rate.

Description

반도체 자재 절단장치{Sawing apparatus for semiconductor wafer}Sawing apparatus for semiconductor wafer

본 발명은 반도체 자재 절단장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 절단된 반도체 자재를 브러쉬의 마찰 및 세척수의 토출 유동으로 세정할 수 있으며, 세척 공정에서 반도체 자재의 틀어짐을 방지할 수 있고, 미세 브러쉬의 사용이 가능하고, 작은 사이즈의 반도체 자재를 효과적으로 세정할 수 있으며, 불량률을 줄일 수 있는 반도체 자재 절단장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor material cutting device, and more particularly, the cut semiconductor material can be cleaned by the friction of the brush and the discharge flow of the washing water, it is possible to prevent the distortion of the semiconductor material in the cleaning process, The present invention relates to a semiconductor material cutting device that can be used, can effectively clean a small size semiconductor material, and can reduce a defective rate.

일반적으로 반도체 자재 절단장치는 스트립의 반도체 자재를 개별 단위로 절단하는 기능을 수행한다.In general, a semiconductor material cutting device performs a function of cutting the semiconductor material of the strip into individual units.

도 1은 반도체 자재 절단장치의 요부 구성요소를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing main components of a semiconductor material cutting device.

도 1을 참조하면, 반도체 자재 절단장치(1)는 반도체 자개를 개별 단위로 절단하기 위한 블레이드가 마련된 절단 유니트(10)와 개별 단위로 절단된 반도체 자재(W)를 세척하기 위한 세척 유니트(100) 및 반도체 자재를 이송하기 위한 이송 유니트(20)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor material cutting device 1 includes a cutting unit 10 provided with blades for cutting semiconductor mothers into individual units and a cleaning unit 100 for washing semiconductor materials W cut into individual units. ) And a transfer unit 20 for transferring the semiconductor material.

또한, 상기 반도체 자재 절단장치(1)는 절단 대상 스트립들이 공급되는 온로더(O)와 스트립 픽커(31)와 인렛 레일(32)와 그리퍼(33) 및 핸들러(H)를 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor material cutting device 1 may include an onloader O, a strip picker 31, an inlet rail 32, a gripper 33, and a handler H to which the strips to be cut are supplied.

한편, 절단 유니트(10)를 통해 개별 단위로 절단된 반도체 자재(W)에는 절단 공정에서 발생한 잔여물이 남아있게 되며, 이러한 잔여물을 세척 유니트(100)를 통해 확실히 제거하지 않을 경우 외관 불량 판정으로 인한 불량률이 높아지게 되며, 잔여물에 의한 백화현상이 발생하기도 한다.Meanwhile, residues generated in the cutting process remain in the semiconductor material W cut in individual units through the cutting unit 10, and appearance defects are judged when such residues are not reliably removed through the cleaning unit 100. As a result, the defective rate is increased, and the whitening phenomenon may occur due to the residue.

본 발명은 절단된 반도체 자재를 브러쉬의 마찰 및 세척수의 토출 유동으로 세정할 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor material cutting device capable of cleaning the cut semiconductor material by the friction of the brush and the discharge flow of the washing water.

또한, 본 발명은 세척 공정에서 반도체 자재의 틀어짐을 방지할 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.In addition, the present invention is to solve the problem to provide a semiconductor material cutting device that can prevent the distortion of the semiconductor material in the cleaning process.

또한, 본 발명은 미세 브러쉬의 사용이 가능하고, 작은 사이즈의 반도체 자재를 효과적으로 세정할 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a semiconductor material cutting device capable of using a fine brush and capable of effectively cleaning a semiconductor material of a small size.

또한, 본 발명은 불량률을 줄일 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.In addition, the present invention is to solve the problem to provide a semiconductor material cutting device that can reduce the defective rate.

상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 자재를 절단하기 위한 절단 유니트와 절단된 반도체 자재를 이송시키기 위한 이송 유니트 및 절단된 반도체 자재를 세척시키기 위한 세척 유니트를 포함하는 반도체 자재 절단장치를 제공한다.In order to solve the above problems, according to an aspect of the present invention, a semiconductor comprising a cutting unit for cutting a semiconductor material, a transfer unit for transferring the cut semiconductor material and a cleaning unit for washing the cut semiconductor material Provide material cutting equipment.

여기서 상기 세척 유니트는, 세척수 공급부;와 상기 세척수 공급부와 연결된 복수의 토출홀 및 복수의 브러쉬가 마련된 베이스 부재; 및 상기 토출홀을 통해 브러쉬 측으로 유입되는 세척수를 소정의 수위만큼 저장함과 동시에 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시키기 위한 배리어 부재를 포함한다.The washing unit may include: a washing water supply unit; a base member provided with a plurality of discharge holes and a plurality of brushes connected to the washing water supply unit; And a barrier member for storing the washing water flowing into the brush through the discharge hole by a predetermined level and draining the washing water in a specific direction.

또한, 상기 배리어 부재에는 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시키기 위한 개구부가 마련될 수 있다.In addition, the barrier member may be provided with an opening for draining the washing water in a specific direction.

또한, 상기 세척수 공급부를 통하여 세척수가 베이스 부재와 배리어 부재 사이의 공간으로 유입되면 절단된 반도체 자재는 브러쉬와의 마찰 및 상기 세척수의 배수 유동에 의하여 세척될 수 있다.In addition, when the wash water flows into the space between the base member and the barrier member through the wash water supply unit, the cut semiconductor material may be washed by friction with a brush and drainage flow of the wash water.

또한, 상기 세척수는 상기 개구부를 통과하는 과정에서 유속이 증가할 수 있다.In addition, the washing water may increase the flow rate in the process passing through the opening.

또한, 상기 배리어 부재는 제1 부재와 상기 제1 부재의 양 종단부에서 수직방향으로 각각 연장된 제2 및 제3 부재를 포함하며, 상기 개구부는 상기 제2 부재와 제3 부재 사이 공간에 마련될 수 있다.In addition, the barrier member may include a first member and second and third members extending in the vertical direction at both ends of the first member, respectively, and the opening may be provided in a space between the second member and the third member. Can be.

또한, 상기 제2 부재와 제3 부재 사이에는 하나 이상의 배플 부재가 마련되며, 상기 제2 부재와 배플 부재 사이 및 배플 부재와 제3 부재 사이에 각각 개구부가 마련될 수 있다.In addition, one or more baffle members may be provided between the second member and the third member, and openings may be provided between the second member and the baffle member and between the baffle member and the third member, respectively.

또한, 상기 개구부는 상기 절단 유니트 방향으로 개방될 수 있다.In addition, the opening may be opened in the cutting unit direction.

또한, 상기 브러쉬는 제1 높이를 가지고, 상기 배리어 부재는 이송 유니트와 간섭을 일으키지 않도록 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가질 수 있다.In addition, the brush may have a first height, and the barrier member may have a second height lower than the first height so as not to interfere with the transfer unit.

또한, 상기 배리어 부재에 의하여 세척수는 제2 높이 이상으로 수위가 증가할 수 있다.In addition, the water level may increase by more than a second height wash water by the barrier member.

또한, 절단된 반도체 자재는 상기 브러쉬와 마찰하는 과정에서 1차 세정이 이루어지고, 세척수의 토출 유동에 의하여 2차 세정이 이루어질 수 있다.In addition, the cut semiconductor material may be subjected to primary cleaning in the process of rubbing with the brush, and may be secondaryly cleaned by the discharge flow of the washing water.

또한, 상기 세척수의 수위가 제1 높이 이상으로 증가하는 경우, 절단된 반도체 자재는 브러쉬와의 마찰 없이 상기 세척수의 토출 유동으로만 세정이 이루어질 수 있다.In addition, when the level of the washing water is increased above the first height, the cut semiconductor material may be cleaned only by the discharge flow of the washing water without friction with the brush.

또한, 상기 배리어 부재에 의하여 소정의 수위로 저장된 세척수는 상기 브러쉬가 눕혀지지 않도록 부력을 제공할 수 있다.In addition, the wash water stored at a predetermined level by the barrier member may provide buoyancy to prevent the brush from lying down.

또한, 상기 반도체 자재 절단장치는 상기 반도체 자재(W)와 이격된 상태에서 세정을 수행하기 위한 분사 노즐이 구비된 보조 세척 유니트를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor material cutting device may further include an auxiliary cleaning unit having a spray nozzle for performing cleaning in a state spaced apart from the semiconductor material (W).

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 절단된 반도체 자재를 브러쉬의 마찰 및 세척수의 토출 유동으로 세정할 수 있다.As described above, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, the cut semiconductor material can be cleaned by the friction of the brush and the discharge flow of the washing water.

또한, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 세척 공정에서 반도체 자재의 틀어짐을 방지할 수 있다.In addition, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the distortion of the semiconductor material in the cleaning process.

또한, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 미세 브러쉬의 사용이 가능하고, 작은 사이즈의 반도체 자재를 효과적으로 세정할 수 있다.In addition, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, it is possible to use a fine brush, it is possible to effectively clean a semiconductor material of a small size.

또한, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 세척 공정에서 발생하는 불량률을 줄일 수 있다.In addition, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the defective rate occurring in the cleaning process.

도 1은 반도체 자재 절단장치의 요부 구성요소를 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 분리 사시도.
도 3은 도 2의 각 구성요소가 결합된 상태의 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 단면도.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트의 일 작동상태를 설명하기 위한 단면도들.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 사시도.1 is a plan view showing main components of a semiconductor material cutting device;
Figure 2 is an exploded perspective view showing a cleaning unit associated with one embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a state in which the components of Figure 2 are coupled.
Figure 4 is a plan view showing a cleaning unit associated with one embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a cleaning unit associated with one embodiment of the present invention.
6 to 8 are cross-sectional views for explaining one operating state of the cleaning unit according to an embodiment of the present invention.
9 is a perspective view showing a cleaning unit according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 자재 절단장치를 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다. 첨부된 도면은 본 발명의 예시적인 형태를 도시한 것으로, 이는 본 발명을 상세히 설명하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적인 범위가 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a semiconductor material cutting apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

또한, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응되는 구성요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 하며, 설명의 편의를 위하여 도시된 각 구성 부재의 크기 및 형상은 과장되거나 축소될 수 있다. In addition, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. For convenience of explanation, the size and shape of each constituent member shown may be exaggerated or reduced have.

한편, 제 1 또는 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들이 상기 용어들에 의해 한정되지 않으며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별시키는 목적으로만 사용된다. On the other hand, terms including an ordinal number such as a first or a second may be used to describe various elements, but the constituent elements are not limited by the terms, and the terms may refer to a constituent element from another constituent element It is used only for the purpose of discrimination.

본 발명은 절단된 반도체 자재를 브러쉬의 마찰 및 세척수의 토출 유동으로 세정할 수 있고, 세척 공정에서 반도체 자재의 틀어짐을 방지할 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공한다.The present invention provides a semiconductor material cutting device capable of cleaning the cut semiconductor material by the friction of the brush and the discharge flow of the washing water, and can prevent the distortion of the semiconductor material in the cleaning process.

또한, 본 발명은 미세 브러쉬의 사용이 가능하고, 작은 사이즈의 반도체 자재를 효과적으로 세정할 수 있는 반도체 자재 절단장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a semiconductor material cutting device capable of using a fine brush and effectively cleaning a semiconductor material of a small size.

본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치는 반도체 자재를 절단하기 위한 절단 유니트와 절단된 반도체 자재를 이송시키기 위한 이송 유니트 및 절단된 반도체 자재를 세척시키기 위한 세척 유니트를 포함한다.A semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention includes a cutting unit for cutting a semiconductor material, a transfer unit for transferring the cut semiconductor material, and a cleaning unit for washing the cut semiconductor material.

도 1은 반도체 자재 절단장치의 요부 구성요소를 나타내는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 분리 사시도이며, 도 3은 도 2의 각 구성요소가 결합된 상태의 사시도이다.Figure 1 is a plan view showing the main components of the semiconductor material cutting device, Figure 2 is an exploded perspective view showing a cleaning unit according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view of the combined state of each component of Figure 2 to be.

또한, 도 4는 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 평면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트를 나타내는 단면도이며, 도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예와 관련된 세척 유니트의 일 작동상태를 설명하기 위한 단면도들이다.In addition, Figure 4 is a plan view showing a cleaning unit according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view showing a cleaning unit according to an embodiment of the present invention, Figures 6 to 8 is one embodiment of the present invention Sectional views for explaining one operating state of the cleaning unit associated with.

도 1을 참조하면, 상기 반도체 자재 절단장치(1)는 반도체 자재를 개별 단위로 절단하기 위한 블레이드가 마련된 절단 유니트(10)와 개별 단위로 절단된 반도체 자재(W)를 세척하기 위한 세척 유니트(100) 및 반도체 자재를 이송하기 위한 이송 유니트(20)를 포함한다.Referring to Figure 1, the semiconductor material cutting device 1 is a cutting unit 10 is provided with a blade for cutting the semiconductor material in individual units and a cleaning unit for washing the semiconductor material (W) cut in individual units ( 100) and a transfer unit 20 for transferring the semiconductor material.

상기 세척 유니트(100)는 세척수 공급부(110)와 상기 세척수 공급부(110)와 연결된 복수의 토출홀(122) 및 복수의 브러쉬(140)가 마련된 베이스 부재(120) 및 상기 토출홀(122)을 통해 브러쉬(140) 측으로 유입되는 세척수를 소정의 수위만큼 저장함과 동시에 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시키기 위한 배리어 부재(130)를 포함한다.The cleaning unit 100 may include a base member 120 and a plurality of discharge holes 122 provided with a washing water supply unit 110, a plurality of discharge holes 122 and a plurality of brushes 140 connected to the washing water supply unit 110. And a barrier member 130 for storing the washing water flowing into the brush 140 through a predetermined level and draining the washing water in a specific direction.

상기 세척수 공급부(110)는 세척수를 공급하기 위한 배관을 포함하며, 상기 배관을 통해 상기 베이스 부재(120)로 세척수를 공급한다. 상기 세척수는 물을 포함할 수 있다.The washing water supply unit 110 includes a pipe for supplying the washing water, and supplies the washing water to the base member 120 through the pipe. The wash water may include water.

상기 베이스 부재(120)에는 상기 세척수 공급부(110)가 장착되는 장착홀(121)이 마련되고, 상기 베이스 부재(120)에는 상기 세척수 공급부(110)로부터 공급된 세척수를 상기 브러쉬(140) 측으로 분사하기 위한 토출홀(122)이 마련된다.The base member 120 is provided with a mounting hole 121 in which the washing water supply unit 110 is mounted, and the base member 120 sprays the washing water supplied from the washing water supply unit 110 toward the brush 140. Discharge holes 122 are provided for the purpose.

또한, 상기 베이스 부재(120)에는 상기 세척수 공급부(110)로부터 공급된 세척수를 저장하며 상기 토출홀(122)들과 연결된 소정 체적의 저장부(123)가 마련된다.In addition, the base member 120 is provided with a storage unit 123 having a predetermined volume that stores the washing water supplied from the washing water supply unit 110 and is connected to the discharge holes 122.

따라서 상기 베이스 부재(120)로 세척수가 공급되면 상기 세척수는 상기 저장부(123) 및 상기 토출홀(122)을 거쳐 상기 브러쉬(140) 측으로 공급된다.Therefore, when the wash water is supplied to the base member 120, the wash water is supplied to the brush 140 through the storage unit 123 and the discharge hole 122.

한편, 상기 브러쉬(140)는 상기 베이스 부재(120)의 상부로 소정의 높이만큼 연장되며, 상기 베이스 부재(120)에는 복수의 브러쉬(140)가 격자 형태로 구비될 수 있다. 또한, 상기 토출홀(122)은 인접하는 브러쉬(140)들 사이 공간에 구비될 수 있다.On the other hand, the brush 140 extends to the upper portion of the base member 120 by a predetermined height, the base member 120 may be provided with a plurality of brushes 140 in the form of a grid. In addition, the discharge hole 122 may be provided in a space between adjacent brushes 140.

도 2를 참조하면, 상기 배리어 부재(120)가 마련되지 않는 경우 상기 베이스 부재(120)로 세척수가 공급되면 상기 세척수는 상기 저장부(123) 및 상기 토출홀(122)을 거쳐 상기 브러쉬(140) 측으로 공급됨과 동시에 상기 브러쉬(140)가 마련된 상기 베이스 부재(120)의 일면을 유동하면서 외부로 배출된다.Referring to FIG. 2, when the barrier member 120 is not provided, when the wash water is supplied to the base member 120, the wash water passes through the storage unit 123 and the discharge hole 122 to the brush 140. At the same time as being supplied to the) side and flows on one surface of the base member 120 provided with the brush 140 is discharged to the outside.

상기 베이스 부재(120)가 직육면체 형상을 갖는 경우, 2개의 장변 측과 2개의 단변 측으로 각각 세척수가 배출될 수 있으며, 4개의 서로 다른 방향으로 세척수가 외부로 배출된다.When the base member 120 has a rectangular parallelepiped shape, washing water may be discharged to two long sides and two short sides, respectively, and the washing water may be discharged to four different directions.

즉, 배리어 부재(130)가 마련되지 않는 경우 상기 브러쉬(140) 측으로 공급된 세척수는 반도체 자재(W)를 세척하기 위한 소정의 수위까지 증가하지 못하고 외부로 배출된다.That is, when the barrier member 130 is not provided, the washing water supplied to the brush 140 does not increase to a predetermined level for washing the semiconductor material W and is discharged to the outside.

물론, 세척수의 공급량을 증가시키는 방법을 고려할 수 있으나 세척수의 공급량을 증가시키는 것이 효율적이지 못하고 세척수의 공급량을 증가시키더라도 반도체 자재(W)를 세척하기 위한 소정의 수위까지 증가하지 않을 수 있다.Of course, a method of increasing the supply amount of the washing water may be considered, but it is not efficient to increase the supply amount of the washing water, and even if the supply amount of the washing water is increased, it may not increase to a predetermined level for washing the semiconductor material W.

즉, 상기 베이스 부재(120)는 실제로 세척수가 반도체 자재(W)를 세척에 관여하지 않은 상태에서 외부로 배출되는 비효율적인 구조를 가질 수밖에 없다.That is, the base member 120 may have an inefficient structure in which the washing water is discharged to the outside without actually washing the semiconductor material W.

또한, 반도체 자재(W)의 세정 시 세척수가 관여하지 않게 되면, 정전기가 발생하거나 세정력이 저하되는 문제가 발생한다.In addition, when the washing water is not involved in the cleaning of the semiconductor material W, a problem occurs that static electricity is generated or the cleaning power is lowered.

상기 배리어 부재(130)는 상기 토출홀(122)을 통해 브러쉬(140) 측으로 유입되는 세척수를 소정의 수위만큼 저장할 수 있으며, 이에 따라 상기 세척수가 반도체 자재(W)의 세정에 관여하게 되므로, 정전기를 방지할 수 있고, 세정력이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The barrier member 130 may store the washing water flowing into the brush 140 through the discharge hole 122 by a predetermined level, and thus the washing water is involved in the cleaning of the semiconductor material W. Can be prevented and the cleaning power can be prevented from being lowered.

또한, 상기 배리어 부재(130)는 상기 토출홀(122)을 통해 브러쉬(140) 측으로 유입되는 세척수를 소정의 수위만큼 저장함과 동시에 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시킨다.In addition, the barrier member 130 stores the washing water flowing into the brush 140 through the discharge hole 122 by a predetermined level and drains the washing water in a specific direction.

전술한 바와 같이, 상기 베이스 부재(120)가 직육면체 형상을 갖는 경우, 2개의 장변 측과 2개의 단변 측으로 각각 세척수가 배출될 수 있으며, 4개의 서로 다른 방향으로 세척수가 외부로 배출될 수 있으나, 상기 배리어 부재(130)는 세척수가 배출되는 적어도 2개 이상의 방향을 가로막을 수 있으며, 바람직하게 베이스 부재(120) 상의 3개의 세척수 배수 방향을 가로막을 수 있다.As described above, when the base member 120 has a rectangular parallelepiped shape, washing water may be discharged to two long sides and two short sides, respectively, and the washing water may be discharged to four different directions. The barrier member 130 may block at least two or more directions in which the washing water is discharged, and may preferably block three washing water drainage directions on the base member 120.

일 실시태양으로, 상기 배리어 부재(130)는 제1 부재(131)와 상기 제1 부재(131)의 양 종단부에서 수직방향으로 각각 연장된 제2 및 제3 부재(132, 133)를 포함할 수 있으며, "ㄷ"자 형상을 가질 수 있다.In one embodiment, the barrier member 130 includes a first member 131 and second and third members 132, 133 extending in the vertical direction at both ends of the first member 131, respectively. It may be, and may have a "c" shape.

또한, 상기 배리어 부재(130)는 상기 제2 부재(132)의 종단부에서 제3 부재(133) 측으로 연장된 제 4부재(132a)와 상기 제3 부재(133)의 종단부에서 제2 부재(132) 측으로 연장된 제 5부재(133a)를 포함할 수 있다.In addition, the barrier member 130 may include a fourth member 132a extending from the end of the second member 132 toward the third member 133 and a second member at the end of the third member 133. It may include a fifth member 133a extending to the (132) side.

이와 같이 상기 배리어 부재(130)는 소정의 높이를 가지며, 베이스 부재(120) 상에 특정 방향으로 세척수가 배출되는 것을 방지할 수 있는 다양한 형상을 가질 수 있다.As described above, the barrier member 130 may have a predetermined height and may have various shapes to prevent the washing water from being discharged in a specific direction on the base member 120.

즉, 상기 배리어 부재(130)는 소정의 높이를 가지며, 상기 토출홀(122)을 통해 브러쉬(140) 측으로 유입되는 세척수를 소정의 수위만큼 저장하는 댐 기능을 수행할 수 있다.That is, the barrier member 130 may have a predetermined height and perform a dam function of storing the washing water flowing into the brush 140 through the discharge hole 122 by a predetermined level.

또한, 상기 배리어 부재(130)는 상기 베이스 부재(120)와 일체로 마련될 수도 있고, 별도로 각각 마련되어 별도의 체결수단으로 조립될 수도 있다. 상기 배리어 부재(130)는 상기 베이스 부재(120)가 별도로 각각 마련되는 경우 상기 배리어 부재(130)에는 하나 이상의 체결홀(135)이 마련될 수 있다.In addition, the barrier member 130 may be provided integrally with the base member 120, or may be separately provided and assembled by separate fastening means. The barrier member 130 may be provided with one or more fastening holes 135 in the barrier member 130 when the base members 120 are separately provided.

한편, 상기 배리어 부재(130)에는 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시키기 위한 개구부(134)가 마련될 수 있다.On the other hand, the barrier member 130 may be provided with an opening 134 for draining the washing water in a specific direction.

일 실시태양으로, 상기 베이스 부재(120)가 직육면체 형상을 갖는 경우, 2개의 장변 측과 2개의 단변 측으로 각각 세척수가 배출될 수 있으며, 구체적으로 4개의 서로 다른 방향으로 세척수가 외부로 배출될 수 있으나, 상기 배리어 부재(130)는 상기 개구부(134)를 통하여 4개의 서로 다른 방향 중 어느 한 방향(특정 방향)으로만 세척수를 배수시킬 수 있는 구조를 가질 수 있다. In one embodiment, when the base member 120 has a rectangular parallelepiped shape, washing water may be discharged to each of two long sides and two short sides, and specifically, the washing water may be discharged to four different directions. However, the barrier member 130 may have a structure capable of draining the washing water only in one of four different directions (specific directions) through the opening 134.

이와는 다르게, 상기 배리어 부재(130)는 상기 개구부(134)를 통하여 4개의 서로 다른 방향 중 어느 2개의 방향(특정 방향)으로만 세척수를 배수시킬 수 있는 구조를 가질 수 있으나, 후술한 세척수의 토출 유동(F)을 고려하면 상기 배리어 부재(130)는 상기 개구부(134)를 통하여 4개의 서로 다른 방향 중 어느 한 방향(특정 방향)으로만 세척수를 배수시킬 수 있는 구조를 갖는 것이 바람직하다.Unlike this, the barrier member 130 may have a structure capable of draining the washing water only in any two directions (specific directions) of four different directions through the opening 134, but discharging the washing water described later. Considering the flow F, the barrier member 130 preferably has a structure capable of draining the washing water only in one of four different directions (specific directions) through the opening 134.

이때 상기 개구부(134)는 상기 제2 부재(132)와 제3 부재(133) 사이 공간에 마련될 수 있으며, 보다 구체적으로 상기 개구부(134)는 상기 제4 부재(132a)와 제5 부재(133a) 사이 공간에 마련될 수도 있고, 상기 개구부(134)는 상기 배리어 부재(130)가 틀 형상을 갖는 경우 어느 한 변을 구성하는 부재에 소정의 형상으로 마련될 수도 있다.In this case, the opening 134 may be provided in a space between the second member 132 and the third member 133, and more specifically, the opening 134 may be the fourth member 132a and the fifth member ( The opening 134 may be provided in a space between the 133a and the opening 134 may be provided in a predetermined shape in a member constituting one side when the barrier member 130 has a frame shape.

한편, 도 1을 참조하면, 상기 개구부(134)는 상기 절단 유니트(10) 방향으로 개방될 수 있다. 상기 절단 유니트(10)는 별도의 배수 구조를 갖는다. 따라서 상기 개구부(134)를 상기 절단 유니트(10) 방향으로 개방시킴으로써 기존의 배수 구조를 함께 활용할 수 있는 효과를 발생시킬 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 1, the opening 134 may be opened toward the cutting unit 10. The cutting unit 10 has a separate drainage structure. Accordingly, by opening the opening 134 in the cutting unit 10 direction, an effect of utilizing the existing drainage structure may be generated.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 세척수 공급부(110)를 통하여 세척수가 베이스 부재(120)와 배리어 부재(130) 사이의 공간으로 유입되면 절단된 반도체 자재(W)는 브러쉬(140)와의 마찰 및 상기 세척수의 토출 유동(F)에 의하여 세척될 수 있다.6 and 7, when the wash water flows into the space between the base member 120 and the barrier member 130 through the wash water supply unit 110, the cut semiconductor material W rubs against the brush 140. And it can be washed by the discharge flow (F) of the washing water.

또한, 상기 이송 유니트(20)는 상기 세척 유니트(100)를 향하여 하강 가능하게 마련되고, 하강 높이가 조절될 수 있도록 마련된다. 구체적으로 상기 이송 유니트(20)는 반도체 자재(W)의 저면을 브러쉬(140)에 밀착시키기 위하여 소정 높이로 하강된다. 이때 반도체 자재(W)의 저면이 브러쉬(140)에 밀착된 상태에서 상기 이송 유니트(20)가 전후방향으로 왕복 운동되고, 전술한 세척수가 분사되어 반도체 자재(W)에 묻은 이물질(반도체 자재 절단 시 몰드면에 응착된 미세한 수지 가루 등) 제거할 수 있다.In addition, the transfer unit 20 is provided to be able to descend toward the washing unit 100, it is provided so that the falling height can be adjusted. Specifically, the transfer unit 20 is lowered to a predetermined height in order to bring the bottom surface of the semiconductor material W into close contact with the brush 140. At this time, the transfer unit 20 is reciprocated in the front-rear direction while the bottom surface of the semiconductor material W is in close contact with the brush 140, and the above-mentioned washing water is sprayed to deposit foreign substances on the semiconductor material W (cutting of the semiconductor material). Fine resin powder adhered to the surface of the mold) can be removed.

본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치(1)에 따르면, 절단된 반도체 자재를 브러쉬(140)의 마찰 및 세척수의 토출 유동(F)으로 함께 세정할 수 있으므로 외관 불량 및 백화현상을 방지할 수 있으며, 세정 효과를 극대화할 수 있다. 한편, 상기 백화현상은 세정 시 제거되지 못한 미세한 수지 가루가 건조과정 후에 상기 반도체 자재의 몰드면에 하얀 점처럼 응착되는 현상을 의미한다.According to the semiconductor material cutting device 1 according to an embodiment of the present invention, the cut semiconductor material can be cleaned together with the friction of the brush 140 and the discharge flow F of the washing water, thereby preventing appearance defects and whitening. Can maximize the cleaning effect. Meanwhile, the whitening phenomenon refers to a phenomenon in which fine resin powder, which is not removed during cleaning, adheres to the mold surface of the semiconductor material as a white dot after the drying process.

또한, 상기 세척수는 상기 개구부(134)를 통과하는 과정에서 유속이 증가할 수 있으며, 상기 베이스 부재(120)의 구조상 4개의 서로 다른 방향으로 세척수가 외부로 배출될 수 있으나, 상기 배리어 부재(130)는 상기 개구부(134)를 통하여 4개의 서로 다른 방향 중 어느 한 방향(특정 방향)으로만 세척수를 배수시킬 수 있으므로 상기 개구부(134)를 통과하는 세척수의 유량 또한 증가할 수 있다.In addition, the flow rate of the washing water may increase in the process of passing through the opening 134, and the washing water may be discharged to the outside in four different directions due to the structure of the base member 120, but the barrier member 130 ) May drain the washing water only in one of four different directions (specific directions) through the opening 134, so that the flow rate of the washing water passing through the opening 134 may also increase.

즉, 상기 세척수는 상기 개구부(134)를 통하여 특정 방향을 따라 외부로 배출되는 토출 유동(F)을 가질 수 있으며, 이러한 토출 유동(F)은 배리어 부재(130)가 마련되지 않는 경우에 비하여 유속 및 유량이 증가하게 된다.That is, the washing water may have a discharge flow (F) discharged to the outside in a specific direction through the opening 134, the discharge flow (F) is a flow rate compared to the case where the barrier member 130 is not provided And the flow rate increases.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 브러쉬(140)는 제1 높이(h1)를 가지고, 상기 배리어 부재(130)는 이송 유니트(20)와 간섭을 일으키지 않도록 상기 제1 높이(h1)보다 낮은 제2 높이(h2)를 가질 수 있다. 여기서 상기 브러쉬(140)의 제1 높이(h1)라 함은 상기 베이스 부재(120)를 기준으로 상기 브러쉬(140)가 상기 베이스 부재(120)로부터 연장된 높이를 의미한다.5 and 6, the brush 140 has a first height h1, and the barrier member 130 is lower than the first height h1 so as not to interfere with the transfer unit 20. It may have a second height h2. Here, the first height h1 of the brush 140 refers to the height of the brush 140 extending from the base member 120 with respect to the base member 120.

상기 반도체 자재(W)는 상기 이송 유니트(20)에 흡착된 상태로 상기 이송 유니트(20)에 의하여 이송되며, 세척 공정은 상기 이송 유니트(20)가 상기 반도체 자재(W)를 흡착한 상태에서 상기 브러쉬(140)에 상기 반도체 자재(W)를 문지르는 과정에서 수행되며, 상기 배리어 부재(130)가 상기 브러쉬(140)의 제1 높이(h1) 보다 높은 높이를 갖는 경우 상기 이송 유니트(20)와 간섭이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 브러쉬(140)는 제1 높이(h1)를 가지고, 상기 배리어 부재(130)는 이송 유니트(20)와 간섭을 일으키지 않도록 상기 제1 높이(h1)보다 낮은 제2 높이(h2)를 갖는 것이 바람직하다.The semiconductor material W is transported by the transport unit 20 in a state of being adsorbed by the transport unit 20, and the cleaning process is performed in a state where the transport unit 20 adsorbs the semiconductor material W. The transfer unit 20 is performed when the semiconductor material W is rubbed on the brush 140, and the barrier member 130 has a height higher than the first height h1 of the brush 140. And interference may occur. Accordingly, the brush 140 has a first height h1 and the barrier member 130 has a second height h2 lower than the first height h1 so as not to interfere with the transfer unit 20. It is desirable to have.

도 5와 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 배리어 부재(130)에 의하여 세척수는 제2 높이 이상으로 수위가 증가할 수 있으며, 절단된 반도체 자재(W)는 상기 브러쉬(140)와 마찰하는 과정에서 1차 세정이 이루어지고, 세척수의 토출 유동(F)에 의하여 2차 세정이 이루어질 수 있다.5, 6, and 7, the washing water may increase by more than a second height by the barrier member 130, and the cut semiconductor material W may rub against the brush 140. Primary cleaning may be performed in the process, and secondary cleaning may be performed by the discharge flow F of the washing water.

본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치(1)에 따르면, 절단된 반도체 자재를 브러쉬(140)의 마찰 및 세척수의 토출 유동(F)으로 함께 세정할 수 있으므로 외관 불량 및 백화현상을 방지할 수 있으며, 세정 효과를 극대화할 수 있다.According to the semiconductor material cutting device 1 according to an embodiment of the present invention, the cut semiconductor material can be cleaned together with the friction of the brush 140 and the discharge flow F of the washing water, thereby preventing appearance defects and whitening. Can maximize the cleaning effect.

또한, 상기 세척수의 토출 유동(F)은 반도체 자재(W)의 세정을 수행함과 동시에 브러쉬(140)에 남아있는 잔여물을 외부로 배출시키는 기능을 수행할 수 있다.In addition, the discharge flow F of the washing water may perform a function of cleaning the semiconductor material W and simultaneously discharging the residue remaining in the brush 140 to the outside.

한편, 도 5 및 도 8을 참조하면, 상기 세척수의 수위가 제1 높이(h1) 이상으로 증가하는 경우, 절단된 반도체 자재(W)는 브러쉬(140)와의 마찰 없이 상기 세척수의 토출 유동(F)으로만 세정이 이루어질 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 5 and 8, when the level of the washing water increases above the first height h1, the cut semiconductor material W may discharge the washing water F without friction with the brush 140. Cleaning can be done only with).

특히, 반도체 자재(W)가 매우 작은 크기를 갖는 경우 브러쉬(140)와 마찰하는 과정에서 이송 유니트(20)에 흡착된 위치의 틀어짐이 발생할 수 있으나, 본 발명에서와 같이 브러쉬(140)와의 마찰 없이 상기 세척수의 토출 유동(F)으로만 세정이 이루어지는 경우 작은 사이즈의 반도체 자재를 효과적으로 세정할 수 있다.In particular, if the semiconductor material (W) has a very small size, the position of the position adsorbed on the transfer unit 20 during the friction with the brush 140 may occur, but friction with the brush 140 as in the present invention When the cleaning is performed only by the discharge flow F of the washing water, the semiconductor material of a small size can be effectively cleaned.

전술한 바와 같이, 상기 이송 유니트(20)는 상기 세척 유니트(100)를 향하여 하강 가능하게 마련되고, 하강 높이가 조절될 수 있도록 마련된다. 구체적으로 상기 세척수의 토출 유동(F)으로만 세정이 이루어지는 경우 상기 이송 유니트(20)는 반도체 자재(W)가 브러쉬(140)와 밀착되지 않고 상기 세척수의 토출 유동(F)으로만 세정이 이루어지는 소정 높이까지만 상기 반도체 자재(W)를 하강시킬 수 있다.As described above, the transfer unit 20 is provided to be able to descend toward the washing unit 100, it is provided so that the falling height can be adjusted. Specifically, when the cleaning is performed only by the discharge flow (F) of the washing water, the transfer unit 20 is cleaned only by the discharge flow (F) of the washing water without the semiconductor material (W) is in close contact with the brush 140. The semiconductor material W can be lowered only up to a predetermined height.

또한, 상기 배리어 부재(130)에 의하여 소정의 수위로 저장된 세척수는 상기 브러쉬(140)가 눕혀지지 않도록 부력을 제공할 수 있다. 정밀한 세척 공정을 위하여 상기 브러쉬(140)는 미세 모로 구성되는 것이 바람직하지만, 상기 브러쉬(140)가 미세 모로 구성되는 경우 상기 베이스 부재(120) 상에 직립하지 못하고 눕혀지게 된다.In addition, the wash water stored at a predetermined level by the barrier member 130 may provide buoyancy to prevent the brush 140 from lying down. The brush 140 is preferably composed of a fine hair for a precise washing process, but when the brush 140 is composed of a fine hair, the brush 140 may not stand upright on the base member 120.

상기 브러쉬(140)가 눕혀지는 경우 반도체 자재(W)의 세척이 효율적으로 수행되지 못하게 되는 문제가 발생한다. 그러나, 본 발명에서와 같이 상기 배리어 부재(130)에 의하여 소정의 수위로 저장된 세척수는 상기 브러쉬(140)가 눕혀지지 않도록 부력을 제공하는 경우 상기 브러쉬(140)를 미세 모로 구성하는 것이 가능해 진다.When the brush 140 is laid down, a problem arises in that the cleaning of the semiconductor material W may not be efficiently performed. However, as in the present invention, when the wash water stored at a predetermined level by the barrier member 130 provides buoyancy to prevent the brush 140 from lying down, it becomes possible to configure the brush 140 finely.

구체적으로, 상기 브러쉬(140)의 모가 가늘어질수록 사용에 따라 모가 옆으로 눌려지게 되며, 이에 따라 세정력 저하와 잦은 브러쉬 교체 문제가 발생한다. 또한, 미세모가 적용된 브러쉬의 경우 모와 모 사이사이로 흘러나가는 물의 양이 많아 물이 모의 일정 높이까지 차오를 수 없어 세정 시 세척수가 반도체 자재에 닿지 않는 문제 발생한다. In detail, as the hair of the brush 140 becomes thinner, the hair is pressed to the side according to use, thereby causing a problem of deterioration in cleaning power and frequent brush replacement. In addition, in the case of the brush to which the fine hair is applied, there is a large amount of water flowing between the hair and the hair so that the water cannot rise to a certain height of the hair, and thus the washing water does not touch the semiconductor material during cleaning.

그러나, 본 발명의 일 실시예와 같이 배리어 부재(130)가 구비되면, 저장되는 세척수의 부력뿐만 아니라, 배리어 부재(130)가 미세모의 하단부를 지지하는 역할도 수행함으로써 모가 눕는 현상을 방지하여 세정력이 증대되고, 브러쉬(140) 교체 주기가 늘어나는 효과가 발생한다.However, when the barrier member 130 is provided as in an embodiment of the present invention, the barrier member 130 serves to support the lower end of the fine hair as well as the buoyancy of the washing water to be stored, thereby preventing the hair from lying down and thus cleaning power. This is increased, and the effect of increasing the brush 140 replacement cycle occurs.

또한, 배리어 부재(130)의 개구부를 통한 세척수의 토출유동(F)에 의하여 브러쉬(140)의 모 사이사이 찌꺼기 침전이 방지되며, 따라서 브러쉬 교체 주기 늘어나는 효과가 발생한다.In addition, due to the discharge flow (F) of the washing water through the opening of the barrier member 130, sediment deposition between the hair of the brush 140 is prevented, thereby increasing the brush replacement cycle.

브러쉬(140)에 미세 모를 적용하는 것이 가능하고, 배리어 부재(130)의 댐 기능으로 인하여, 모와 모 사이로 흐르는 양이 줄고 배리어 부재(130)가 외곽으로 흐르는 세척수를 가둬두는 역할을 하기 때문에 공급되는 세척수의 양이 세어나가는 세척수의 양보다 많아서 전술한 바와 같이 세척수의 수위가 제1 높이(h1) 이상으로 차오르는 것이 가능하며, 이에 따라 절단된 반도체 자재(W)는 브러쉬(140)와의 마찰 없이 상기 세척수의 토출 유동(F)으로만 세정이 이루어질 수 있다.It is possible to apply the fine hair to the brush 140, and due to the dam function of the barrier member 130, the amount of flow between the hair and the hair is reduced and the barrier member 130 serves to trap the washing water flowing to the outside is supplied Since the amount of the washing water is greater than the amount of washing water that counts, it is possible to raise the level of the washing water to the first height (h1) or more, as described above, the cut semiconductor material (W) without the friction with the brush 140 Cleaning can only take place with the discharge flow F of the washing water.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예와 관련된 세척 유니트(100)를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing a cleaning unit 100 according to another embodiment of the present invention.

전술한 바와 같이, 상기 배리어 부재(130)는 제1 부재(131)와 상기 제1 부재(131)의 양 종단부에서 수직방향으로 각각 연장된 제2 및 제3 부재(132, 133)를 포함할 수 있으며, "ㄷ"자 형상을 가질 수 있으며, 도 2 내지 도 6을 통하여 설명한 세척 유니트(100)에서는 제2 및 제3 부재(132, 133) 사이에 단일의 개구부(134)가 마련될 수 있다.As described above, the barrier member 130 includes a first member 131 and second and third members 132 and 133 extending in the vertical direction at both ends of the first member 131, respectively. And, it may have a "c" shape, in the cleaning unit 100 described with reference to FIGS. 2 to 6 a single opening 134 is provided between the second and third members (132, 133) Can be.

이와는 다르게, 상기 제2 부재(132)와 제3 부재(133) 사이에는 하나 이상의 배플 부재(150)가 마련될 수 있으며, 상기 제2 부재(132)와 배플 부재(150) 사이 및 배플 부재(150)와 제3 부재(133) 사이에 각각 개구부(134-1 내지 134-3)가 마련될 수 있다. 즉, 상기 개구부(134-1 내지 134-3)는 복수로 구비될 수도 있다.Alternatively, one or more baffle members 150 may be provided between the second member 132 and the third member 133, and between the second member 132 and the baffle member 150 and the baffle member ( Openings 134-1 to 134-3 may be provided between the 150 and the third member 133, respectively. That is, the openings 134-1 to 134-3 may be provided in plural.

한편, 상기 세척 유니트(100)에는 세정력을 높이기 위한 초음파 발생기(도시되지 않음)가 마련될 수 있으며, 상기 초음파 발생기는 베이스 부재(120) 또는 배리어 부재(130)에 마련될 수 있다.On the other hand, the cleaning unit 100 may be provided with an ultrasonic generator (not shown) for increasing the cleaning power, the ultrasonic generator may be provided in the base member 120 or the barrier member 130.

또한, 지금까지는 상기 브러쉬가 마련되어 반도체 자재(W)와 밀착된 상태로 세정하는 세척 유니트만을 설명하였으나, 상기 반도체 자재 절단장치(1)는 상기 반도체 자재(W)와 이격된 상태로 세정하는 보조 세척 유니트(도시되지 않음)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 보조 세척 유니트는 상기 반도체 자재(W)와 이격된 상태에서 상기 반도체 자재(W)의 세척을 수행하며, 세척 유니트(100)를 통과한 반도체 자재(W)의 잔존 이물질을 제거하기 세정액 분사 노즐을 포함할 수 있다. In addition, the cleaning unit for cleaning the semiconductor material W in close contact with the semiconductor material W has been described so far, but the semiconductor material cutting device 1 is an auxiliary cleaning for cleaning in a state spaced apart from the semiconductor material W. It may further comprise a unit (not shown). The auxiliary cleaning unit washes the semiconductor material W while being spaced apart from the semiconductor material W, and removes the remaining foreign matter of the semiconductor material W that has passed through the cleaning unit 100. It may include.

이때 상기 분사 노즐을 통해 세정액이 분사될 수도 있고, 세정액과 공기가 함께 분사될 수도 있다. 여기서 상기 세척 유니트(100)를 제1 세정부로 지칭하고, 상기 보조 세척 유니트를 제2 세정부로 지칭할 수 있다.At this time, the cleaning liquid may be injected through the injection nozzle, or the cleaning liquid and the air may be injected together. Here, the cleaning unit 100 may be referred to as a first cleaning unit, and the auxiliary cleaning unit may be referred to as a second cleaning unit.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 절단된 반도체 자재를 브러쉬의 마찰 및 세척수의 토출 유동으로 세정할 수 있다.As described above, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, the cut semiconductor material can be cleaned by the friction of the brush and the discharge flow of the washing water.

또한, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 세척 공정에서 반도체 자재의 틀어짐을 방지할 수 있다.In addition, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the distortion of the semiconductor material in the cleaning process.

또한, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 미세 브러쉬의 사용이 가능하고, 작은 사이즈의 반도체 자재를 효과적으로 세정할 수 있다.In addition, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, it is possible to use a fine brush, it is possible to effectively clean a semiconductor material of a small size.

또한, 본 발명의 일 실시예와 관련된 반도체 자재 절단장치에 따르면, 세척 공정에서 발생하는 불량률을 줄일 수 있다.In addition, according to the semiconductor material cutting device according to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the defective rate occurring in the cleaning process.

위에서 설명된 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.The foregoing description of the preferred embodiments of the present invention has been presented for purposes of illustration and various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention, And additions should be considered as falling within the scope of the following claims.

1: 반도체 자재 절단장치
10: 절단 유니트
20: 이송 유니트
100: 세척 유니트
110: 세척수 공급부
120: 베이스 부재
130: 배리어 부재
140: 브러쉬
W: 반도체 자재1: semiconductor material cutting device
10: cutting unit
20: transfer unit
100: cleaning unit
110: washing water supply
120: base member
130: barrier member
140: brush
W: semiconductor material

Claims (13)

반도체 자재를 절단하기 위한 절단 유니트와 절단된 반도체 자재를 이송시키기 위한 이송 유니트 및 절단된 반도체 자재를 세척시키기 위한 세척 유니트를 포함하는 반도체 자재 절단장치에 있어서,
상기 세척 유니트는, 세척수 공급부;
상기 세척수 공급부와 연결된 복수의 토출홀 및 복수의 브러쉬가 마련된 베이스 부재; 및
상기 토출홀을 통해 브러쉬 측으로 유입되는 세척수를 소정의 수위만큼 저장함과 동시에 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시키기 위한 배리어 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.A semiconductor material cutting device comprising a cutting unit for cutting a semiconductor material, a transfer unit for transferring the cut semiconductor material, and a cleaning unit for washing the cut semiconductor material,
The washing unit, washing water supply unit;
A base member provided with a plurality of discharge holes and a plurality of brushes connected to the washing water supply unit; And
And a barrier member for storing the washing water flowing into the brush through the discharge hole by a predetermined level and draining the washing water in a specific direction. 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 부재에는 상기 세척수를 특정 방향으로 배수시키기 위한 개구부가 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 1,
And the barrier member is provided with an opening for draining the washing water in a specific direction. 제 2 항에 있어서,
상기 세척수 공급부를 통하여 세척수가 베이스 부재와 배리어 부재 사이의 공간으로 유입되면 절단된 반도체 자재는 브러쉬와의 마찰 및 상기 세척수의 배수 유동에 의하여 세척되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.3. The method of claim 2,
And when the washing water flows into the space between the base member and the barrier member through the washing water supply unit, the cut semiconductor material is washed by friction with a brush and drainage flow of the washing water. 제 2 항에 있어서,
상기 세척수는 상기 개구부를 통과하는 과정에서 유속이 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.3. The method of claim 2,
The washing material is a semiconductor material cutting device, characterized in that the flow rate is increased in the process of passing through the opening. 제 2 항에 있어서,
상기 배리어 부재는 제1 부재와 상기 제1 부재의 양 종단부에서 수직방향으로 각각 연장된 제2 및 제3 부재를 포함하며,
상기 개구부는 상기 제2 부재와 제3 부재 사이 공간에 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.3. The method of claim 2,
The barrier member includes a first member and second and third members extending in the vertical direction at both ends of the first member, respectively.
And the opening is provided in the space between the second member and the third member. 제 5 항에 있어서,
상기 제2 부재와 제3 부재 사이에는 하나 이상의 배플 부재가 마련되며,
상기 제2 부재와 배플 부재 사이 및 배플 부재와 제3 부재 사이에 각각 개구부가 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 5, wherein
At least one baffle member is provided between the second member and the third member,
And an opening portion is provided between the second member and the baffle member and between the baffle member and the third member, respectively. 제 2 항에 있어서,
상기 개구부는 상기 절단 유니트 방향으로 개방된 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.3. The method of claim 2,
And the opening is open toward the cutting unit. 제 1 항에 있어서,
상기 브러쉬는 제1 높이를 가지고,
상기 배리어 부재는 이송 유니트와 간섭을 일으키지 않도록 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 1,
The brush has a first height,
And the barrier member has a second height lower than the first height so as not to interfere with the transfer unit. 제 8 항에 있어서,
상기 배리어 부재에 의하여 세척수는 제2 높이 이상으로 수위가 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 8,
And the washing water is increased by a level above the second height by the barrier member. 제 8 항에 있어서,
절단된 반도체 자재는 상기 브러쉬와 마찰하는 과정에서 1차 세정이 이루어지고, 세척수의 토출 유동에 의하여 2차 세정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 8,
The cut semiconductor material is a semiconductor material cutting device characterized in that the first cleaning is performed in the process of friction with the brush, the second cleaning is performed by the discharge flow of the washing water. 제 8 항에 있어서,
상기 세척수의 수위가 제1 높이 이상으로 증가하는 경우, 절단된 반도체 자재는 브러쉬와의 마찰 없이 상기 세척수의 토출 유동으로만 세정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 8,
And when the water level of the washing water increases above the first height, the cut semiconductor material is cleaned only by the discharge flow of the washing water without friction with the brush. 제 1 항에 있어서,
상기 배리어 부재에 의하여 소정의 수위로 저장된 세척수는 상기 브러쉬가 눕혀지지 않도록 부력을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 1,
And the washing water stored at a predetermined level by the barrier member provides buoyancy to prevent the brush from lying down. 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 자재와 이격된 상태에서 세정을 수행하기 위한 분사 노즐이 구비된 보조 세척 유니트를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 자재 절단장치.The method of claim 1,
And an auxiliary cleaning unit having a spray nozzle for cleaning in a state spaced apart from the semiconductor material.
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