KR101366839B1 - 고온 공정용 트레이 - Google Patents

고온 공정용 트레이 Download PDF

Info

Publication number
KR101366839B1
KR101366839B1 KR1020120033424A KR20120033424A KR101366839B1 KR 101366839 B1 KR101366839 B1 KR 101366839B1 KR 1020120033424 A KR1020120033424 A KR 1020120033424A KR 20120033424 A KR20120033424 A KR 20120033424A KR 101366839 B1 KR101366839 B1 KR 101366839B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
load
tray
high temperature
temperature process
gripping
Prior art date
Application number
KR1020120033424A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130111004A (ko
Inventor
안경준
정성훈
박강일
배정운
백주열
최상대
Original Assignee
(주)에스엔텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에스엔텍 filed Critical (주)에스엔텍
Priority to KR1020120033424A priority Critical patent/KR101366839B1/ko
Publication of KR20130111004A publication Critical patent/KR20130111004A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101366839B1 publication Critical patent/KR101366839B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67379Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers

Abstract

판상의 적재물을 적재하여 고온 공정으로 이동시키는 고온 공정용 트레이에 관한 것으로서, 상기 적재물이 적재되는 적재 영역을 갖는 트레이본체와, 상기 트레이본체에 마련되어 상기 적재물을 유동 가능하게 지지하는 지지수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 고온 공정에서 열변형에 의해 적재물의 파손을 방지할 수 있는 고온 공정용 트레이가 제공된다.

Description

고온 공정용 트레이{Tray for high temperature process}
본 발명은 고온 공정용 트레이에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 트레이에 적재되는 적재물의 지지구조를 개선함으로써, 열변형에 의한 적재물의 파손을 방지할 수 있는 고온 공정용 트레이에 관한 것이다.
반도체나 디스플레이 및 맴스(Mems) 등을 포함한 다양한 산업분야에서 널리 활용되고 있는 고온 스퍼터링(Sputtering) 공정 등과 같은 고온 공정에서는 글래스나 여타 기판 등과 같은 판상의 적재물을 적재하여 진공챔버 등과 같은 고온 공정 내부으로 이동시키는 고온 공정용 트레이가 마련된다.
이러한 고온 공정용 트레이에는 적재물의 임의적인 이탈을 방지하기 위하여 적재물을 고정시키는 클램프들이 마련되는데, 일반적인 종래 고온 공정용 트레이의 클램프는 트레이에 적재된 적재물의 둘레 단부 영역을 견고하게 파지하는 집게 형태나, 적재물의 둘레면을 트레이의 판면에 가압 고정시키는 볼트 형태를 가지고 있었다.
그런데, 이러한 종래의 고온 공정용 트레이에 있어서는, 글래스 등과 같은 적재물이 클램프에 의해 트레이에 견고하게 고정되는 형태로 적재되기 때문에, 고온 공정에서 트레이 또는 적재물의 부피가 열변형에 의해 팽창할 경우, 적재물의 클램핑 부위에 파손이 발생하는 심각한 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 고온 공정에서 열변형에 의해 적재물의 파손을 방지할 수 있는 고온 공정용 트레이를 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라서, 판상의 적재물을 적재하여 고온 공정으로 이동 시키는 고온 공정용 트레이에 있어서, 상기 적재물이 적재되는 적재 영역을 갖는 트레이본체와, 상기 트레이본체에 마련되어 상기 적재물을 유동 가능하게 지지하는 지지수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 공정용 트레이에 의해 달성된다.
여기서, 상기 트레이본체는 수직 상태로 상기 적재물을 적재하며; 상기 지지수단은 상기 트레이본체의 적재 영역 하부에 마련되어 상기 적재물의 하단부를 유동 가능하게 지지하는 하단지지부와, 상기 트레이본체의 적재 영역 양측에 대칭적으로 마련되어 상기 적재물의 양측을 유동 가능하게 지지하는 복수의 클램프를 갖는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 클램프는 상기 트레이본체의 적재 영역 양측 판면에 수직방향으로 소정의 간격을 두고 고정되는 복수의 회동축과; 상기 회동축들에 각각 결합되어 상기 적재물의 양측을 유동 가능하게 파지하거나 파지 상태를 해제하는 클램프본체를 갖는 것이 효과적이다.
또한, 상기 클램프본체는 상기 회동축에 자유 회동 가능하게 결합되는 축결합공을 갖는 회동중심부와, 상기 회동중심부로부터 상기 트레이본체의 적재 영역으로 연장되어 상기 적재물을 유동 가능하게 파지 및 파지 해제하는 파지부와, 상기 회동중심부로부터 상기 파지부의 반대측으로 연장되어 자중에 의해 상기 파지부를 상기 파지 및 파지 해제 위치로 회동시키는 회동력형성부를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
이때, 상기 파지부는 상기 회동중심부로부터 하향 연장된 다음, 연장단부가 상기 트레이본체의 적재 영역 측으로 굴곡되어 있으며, 굴곡단부에는 상기 적재물의 양측 단부가 삽입되는 파지홈이 형성되어 있는 것이 보다 효과적이다.
또한, 상기 회동력형성부는 상기 회동중심부로부터 수평방향으로 연장되며, 상기 파지부의 무게에 비해 무거운 무게를 갖는 것이 바람직하다.
이를 위해, 상기 회동력형성부의 연장 단부에는 무게추가 형성되어 있는 것이 효과적이다.
본 발명에 따르면, 고온 공정에서 열변형에 의해 적재물의 파손을 방지할 수 있는 고온 공정용 트레이가 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 고온 공정용 트레이의 정면도,
도 2는 도 1의 A 영역 사시도,
도 3 및 도 4는 도 1 및 도 2의 클램프 작용을 설명하기 위한 부분 정면도,
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고온 공정용 트레이(1)는 글래스나 여타 기판 등의 판상 적재물(30)이 적재되는 트레이본체(3)와, 트레이본체(3)에 적재된 적재물(30)을 유동 가능하게 지지하는 지지수단(5)을 포함한다.
트레이본체(3)는 적재물(30)의 크기에 따라서 소면적에서 대면적을 갖는 금속판재로 마련될 수 있으며, 판면에는 적재물(30)의 양면에 고온 공정에 노출될 수 있도록 개구부가 형성될 수 있다.
여기서, 개구부는 고온 공정(40)에서 이루어지는 공정 형태에 따라서 생략될 수도 있다. 예컨대, 적재물(30)인 글래스나 기판의 양면에 고온 증착 공정이 이루어진다면 트레이본체(3)에 개구부가 형성되며, 고온 증착 공정에서 글래스나 기판의 일면에만 증착 공정이 이루어진다면 개구부가 형성될 필요가 없다.
이 트레이본체(3)는 그 상하부 영역으로부터 진공챔버 등의 고온 공정(40) 내부를 향해 연장된 이송가이드수단(50)에 의해 고온 공정(40)으로 출입 가능하다. 여기서, 이송가이드수단(50)은 레일 형태의 가이드 및/또는 자력을 이용한 마그네트 가이드 형태 등으로 마련될 수 있다.
지지수단(5)은 트레이본체(3)에 적재되는 적재물(30)의 적어도 하단부를 유동 가능하게 지지하는 하단지지부(10)와, 적재물(30)의 양측을 유동 가능하게 지지하는 복수의 클램프(20)들로 구성될 수 있다.
하단지지부(10)는 트레이본체(3)의 적재영역 하부에 형성되는데, 판상의 적재물(30) 하단부 길이에 대응하면서 적재물(30) 하단부의 두께에 비해 소폭 큰 넓이를 갖는 홈(미도시) 형상을 가질 수 있다. 또는, 하단지지부(10)는 적재물(30) 하단부의 길이 방향 복수 영역을 유동 가능하게 지지하도록 트레이본체(3)의 적재 영역 하부에 소정의 간격을 두고 배치되는 복수의 지지부재(미도시) 및 이 지지부재(미도시) 상단에 형성된 홈(미도시)으로 구성될 수 있다.
클램프(20)들은 트레이본체(3)의 적재 영역 양측에 대칭적으로 마련되어 있다. 양측 클램프(20)들은 각각 수직 방향으로 소정의 간격을 두고 회동 가능하게 설치되어 적재물(30)의 양측을 유동 가능하게 파지하거나 파지 상태를 해제한다.
각 클램프(20)는 후술할 클램프본체(23)의 회동 중심을 형성하는 회동축(21)들과, 회동축(21)에 결합되어 회동에 의해 적재물(30)을 유동 가능하게 파지하거나 파지 상태를 해제하는 클램프본체(23)로 구성될 수 있다.
회동축(21)들은 트레이본체(3)의 적재 영역 양측 판면에 수직방향으로 소정의 간격을 두고 고정되어 있다. 이들 회동축(21)들은 후술할 클램프본체(23)의 축결합공(25)에 상대 회동 가능하게 결합된다.
클램프본체(23)는 회동축(21)에 결합되는 회동중심부(24)와, 회동중심부(24)로부터 트레이본체(3)의 적재 영역으로 연장된 파지부(26)와, 회동중심부(24)로부터 파지부(26) 반대측으로 연장되어 자중에 의해 중력방향으로 회동 작용하는 회동력형성부(28)를 포함한다.
회동중심부(24)에는 회동축(21)에 결합되는 축결합공(25)이 형성되어 있다. 이 축결합공(25)은 회동축(21)의 외경에 비해 큰 내경을 가지고 회동축(21)에 자유 회동 가능하게 결합된다.
파지부(26)는 회동중심부(24)로부터 하향 연장된 다음, 연장단부가 트레이본체(3)의 적재 영역 측으로 굴곡되어 있으며, 굴곡단부에는 적재물(30)의 양측 단부가 삽입되는 파지홈(27)이 형성되어 있다. 클램프본체(23)의 회동에 따라 파지홈(27)에 적재물(30)의 측면이 출입된다.
회동력형성부(28)는 회동중심부(24)로부터 수평방향으로 연장되며, 그 연장 단부에는 회동력형성부(28)의 무게를 파지부(26)의 무게에 비해 무겁게 형성하여 자중에 의해 클램프본체(23)를 파지 해제 방향으로 회동시키는 무게추(29)가 형성되어 있다. 여기서, 회동력형성부(28)의 연장 길이를 길게 하여 그 무게를 파지부(26)의 무게보다 무겁게 할 경우, 무게추(29)는 생략될 수 있다.
한편, 지지수단(5)은 하단지지부(10) 및 클램프(20)와 함께, 적재물(30)의 상단부를 유동 가능하게 지지하는 상단지지부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
이 상단지지부(미도시)는 적재물(30) 상단부 길이에 대응하면서 적재물(30) 상단부의 두께에 비해 소폭 큰 넓이를 가지고 적재물(30)의 상단부를 수용하는 홈(미도시)이 형성된 지지부재(미도시)로 마련되면서, 트레이본체(3)의 적재 영역 상부로부터 적재물(30) 상단으로 승강하도록 마련될 수 있다. 물론, 상단지지부(미도시)는 적재물(30) 상단부를 유동 가능하게 수용할 수 있는 범위에서 홈(미도시) 형태로만 마련될 수도 있다.
물론, 하단지지부(10)와 클램프(20)들에 의해서 적재물(30)의 하단부와 양측이 트레이본체(3)로부터 이탈되지 않기 때문에, 경우에 따라서 상단지지부(미도시)는 생략될 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 고온 공정용 트레이(1)의 이용 과정을 살펴본다. 먼저, 글래스 또는 여타 기판 등의 적재물(30) 하단을 하단지지부(10)에 지지되도록 적재한다. 이때, 양측 클램프본체(23)들은 작업자가 회동력형성부(28)를 상향 가압하여 파지홈(27)이 적재물(30) 양측단부와 이격 위치되도록 한다.
그런 다음, 작업자가 회동력형성부(28)의 상향 가압을 해제하면, 회동력형성부(28)의 무게에 의해 도 2와 같이, 파지부(26)의 파지홈(27)이 적재물(30) 양측 단부를 파지 수용하도록 클램프본체(23)가 자유 회동한다. 이에 의해, 트레이본체(3)의 적재 영역에 적재물(30)이 적재된다.
적재물(30)이 적재된 트레이본체(3)가 진공 챔버 등의 고온 공정(40) 내부로 이동하여 고온 공정(40)이 진행되면서 도 3과 같이 고온 열변형에 의해 적재물(30)이 팽창될 경우, 이 팽창 폭 만큼 클램프본체(23)가 도 4와 같이, 팽창 방향으로 회동된다. 이때, 파지부(26)는 지속적으로 적재물(30)의 양측단부를 파지하는 상태를 유지한다.
한편, 적재물(30)이 적재된 트레이본체(3)가 고온 공정(40)으로부터 배출되면서 저온 열변형에 의해 수축될 경우, 이 수축 폭 만큼 클램프본체(23)가 수축 방향으로 회동된다. 이 경우 역시, 파지부(26)는 지속적으로 적재물(30)의 양측단부를 파지하는 상태를 유지한다.
즉, 자유회동 가능한 클램프본체(23)가 적재물(30)을 유동 가능하게 파지함으로써, 적재물(30)이 열변형에 의해 팽창되거나 수축되더라도 적재물(30)의 파지상태를 그대로 유지할 수 있다. 이에 의해, 열변형에 의한 적재물(30)의 파손을 완벽하게 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 고온 공정용 트레이는 적재물을 유동 가능하게 지지하는 지지수단을 구비함으로써, 고온 공정에서 열변형에 의해 적재물이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
3 : 트레이본체 5 : 지지수단
20 : 클램프 21 : 회동축
23 : 클램프본체 24 : 회동중심부
26 : 파지부 27 : 파지홈
28 : 회동력형성부 30 : 적재물

Claims (7)

  1. 판상의 적재물을 적재하여 고온 공정으로 이동 시키는 고온 공정용 트레이에 있어서,
    상기 적재물이 수직 상태로 적재되는 적재 영역을 갖는 트레이본체;
    상기 트레이본체의 적재 영역 하부에 마련되어 상기 적재물의 하단부를 유동 가능하게 지지하는 하단지지부와, 상기 트레이본체의 적재 영역 양측에 대칭적으로 마련되어 상기 적재물의 양측을 유동 가능하게 지지하는 복수의 클램프를 갖는 지지수단을 포함하되;
    상기 클램프는
    상기 트레이본체의 적재 영역 양측 판면에 수직방향으로 소정의 간격을 두고 고정되는 복수의 회동축과;
    상기 회동축에 자유 회동 가능하게 결합되는 축결합공을 갖는 회동중심부와, 상기 회동중심부로부터 상기 트레이본체의 적재 영역으로 연장되어 상기 적재물을 유동 가능하게 파지 및 파지 해제하는 파지부와, 상기 회동중심부로부터 상기 파지부의 반대측으로 연장되어 자중에 의해 상기 파지부를 상기 파지 및 파지 해제 위치로 회동시키는 회동력형성부를 포함하는 클램프본체;
    를 갖는 것을 특징으로 하는 고온 공정용 트레이.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파지부는
    상기 회동중심부로부터 하향 연장된 다음, 연장단부가 상기 트레이본체의 적재 영역 측으로 굴곡되어 있으며, 굴곡단부에는 상기 적재물의 양측 단부가 삽입되는 파지홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 공정용 트레이.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 회동력형성부는 상기 회동중심부로부터 수평방향으로 연장되며, 상기 파지부의 무게에 비해 무거운 무게를 갖는 것을 특징으로 하는 고온 공정용 트레이.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 회동력형성부의 연장 단부에는 무게추가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 공정용 트레이.
KR1020120033424A 2012-03-30 2012-03-30 고온 공정용 트레이 KR101366839B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120033424A KR101366839B1 (ko) 2012-03-30 2012-03-30 고온 공정용 트레이

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120033424A KR101366839B1 (ko) 2012-03-30 2012-03-30 고온 공정용 트레이

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130111004A KR20130111004A (ko) 2013-10-10
KR101366839B1 true KR101366839B1 (ko) 2014-02-26

Family

ID=49632729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120033424A KR101366839B1 (ko) 2012-03-30 2012-03-30 고온 공정용 트레이

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101366839B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002121663A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nec Kagoshima Ltd スパッタ装置用トレイ
JP2006188747A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Samsung Sdi Co Ltd 基板固定トレイ及びこれを利用した基板整列システム及びその方法
WO2011024853A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002121663A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nec Kagoshima Ltd スパッタ装置用トレイ
JP2006188747A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Samsung Sdi Co Ltd 基板固定トレイ及びこれを利用した基板整列システム及びその方法
WO2011024853A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130111004A (ko) 2013-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2423350B1 (en) Carrier for a substrate and a method for assembling the same
TWI430391B (zh) 低熱質量半導體晶圓支撐
WO2014160685A1 (en) Chaplet, cast molding system, and method
KR101366839B1 (ko) 고온 공정용 트레이
EP2255384B1 (en) Ceramic paddle
JP7312952B2 (ja) 水平基板ボート
US20160276142A1 (en) Substrate carrier for a reduced transmission of thermal energy
KR101150850B1 (ko) 웨이퍼 세정장비용 카세트 지그 및 이를 구비한 카세트 어셈블리
JP6309047B2 (ja) 基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法
CN211988716U (zh) 烧矢量坩埚支架
JP5583516B2 (ja) ワーク積載装置
JP2007266221A (ja) 基板支持部材、基板焼成炉、基板搬送装置および基板処理方法
KR101366840B1 (ko) 고온 공정용 트레이
JP2012047285A5 (ko)
TWI481737B (zh) 承載治具
JP5109725B2 (ja) 縦型熱処理装置用基板保持具の支持構造、縦型熱処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101498357B1 (ko) 불기어의 열처리용 지그
CN216494297U (zh) 压辊取放架
JP5466602B2 (ja) 金属リングの積載方法
JP5877878B2 (ja) ワーク積載装置
JP4884208B2 (ja) 焼鈍ラック
JP2006245470A (ja) 基板収納容器
KR200428259Y1 (ko) 각형 몰드프레임용 행거장치
JP2015103565A (ja) 基板支持構造
KR20070101457A (ko) 웨이퍼 보트

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170207

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171208

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190218

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200128

Year of fee payment: 7