KR101356475B1 - High performance led substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR101356475B1
KR101356475B1 KR1020130032660A KR20130032660A KR101356475B1 KR 101356475 B1 KR101356475 B1 KR 101356475B1 KR 1020130032660 A KR1020130032660 A KR 1020130032660A KR 20130032660 A KR20130032660 A KR 20130032660A KR 101356475 B1 KR101356475 B1 KR 101356475B1
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metal
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insulator
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유세훈
이창우
김준기
방정환
이태영
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한국생산기술연구원
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Abstract

A method of manufacturing a high-performance LED substrate includes: a metal electrode disposing step for disposing a plurality of metal electrodes being separated from each other at constant intervals; a metal electrode plate forming step for forming a metal electrode plate by inserting an insulator between the separated metal electrodes; an insulating layer forming step for forming an insulating layer on a surface of the metal electrode plate; and an LED chip mounting step for mounting an LED chip on one pair of metal electrodes. An LED substrate of the present invention is electrically connected to an LED chip, and includes: one pair of metal electrodes spaced apart from each other; a metal electrode plate including an insulator filling a space between the one pair of metal electrodes; and an insulating layer disposed on the bottom surface of the metal electrode plate to electrically separate the metal electrodes.

Description

고성능 엘이디 기판 및 이의 제조방법{High performance LED substrate and Method of manufacturing the same}High performance LED substrate and method of manufacturing the same

본 발명은 고성능 엘이디 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 엘이디칩과 연결되는 금속 전극을 전기적으로 차단하게 위한 절연층을 수직형 절연체로 변환하여 방열 효율을 증가시킨 고성능 엘이디 기판 및 이의 제조방법에 대한 것이다. The present invention relates to a high-performance LED substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, a high-performance LED substrate and its heat dissipation efficiency is increased by converting an insulating layer for electrically blocking a metal electrode connected to the LED chip into a vertical insulator It is about a manufacturing method.

일반적으로 엘이디칩(LED Chip)은 PN 접합을 가지는 반도체에 전압을 가하면 N형 영역에서는 전자가 P형 영역에서는 정공이 PN접합부로 이동하여 재결합하면서 전자가 가지고 있는 에너지가 빛으로 전환되는 원리를 이용한 반도체 소자이다. In general, an LED chip applies a voltage to a semiconductor having a PN junction, where electrons in the N-type region move holes to the PN junction in the P-type region, where the energy of the electrons is converted into light. It is a semiconductor device.

그리고 엘이디칩의 P형 영역에 전압을 인가하는 p측 전극 및 N형 영역에 전압을 인가하는 n측 전극은 전기적으로 분리된 전극과 결합되어 외부로부터 전압을 공급받는다. The p-side electrode for applying a voltage to the P-type region of the LED chip and the n-side electrode for applying a voltage to the N-type region are coupled to an electrically separated electrode to receive a voltage from the outside.

도1은 종래 기술의 금속기판에 전기적으로 연결된 엘이디칩을 나타내는 도면이다. 도1을 참조하면, 일반적인 엘이디 기판은 방열 성능이 우수한 알루미늄(Al) 기판(1)의 상면에 절연체층(2)을 구비한다. 그리고 절연체층(2)의 상부에 한 쌍의 금속전극(3)을 구비하여 한 쌍의 금속전극(3)을 전기적으로 차단한다. 그리고 한 쌍의 금속전극(3)에 엘이디칩(5)의 n측 전극 및 p측 전극이 접합부(4)에 의하여 전기적으로 연결된다. 1 is a view showing an LED chip electrically connected to a metal substrate of the prior art. Referring to FIG. 1, a general LED substrate includes an insulator layer 2 on an upper surface of an aluminum (Al) substrate 1 having excellent heat dissipation performance. A pair of metal electrodes 3 are provided on the insulator layer 2 to electrically block the pair of metal electrodes 3. The n-side electrode and the p-side electrode of the LED chip 5 are electrically connected to the pair of metal electrodes 3 by the junction portion 4.

결국 엘이디칩(5)에서 발생한 열은 금속전극(3)을 통하여 절연체(2)로 전달되고, 절연체(2)에 전달된 열이 금속기판(1)을 통하여 외부로 방출된다. 그리고 일반적으로 절연을 위한 절연체(4)로 열전도도가 낮은 폴리머를 사용함에 따라 발생한 열이 하부로 배출이 어려운 열병목현상(Thermal bottleneck)이 발생하게 된다. As a result, heat generated from the LED chip 5 is transferred to the insulator 2 through the metal electrode 3, and heat transferred to the insulator 2 is released to the outside through the metal substrate 1. In general, a thermal bottleneck, in which heat generated by a polymer having low thermal conductivity, is difficult to be discharged to a lower part as an insulator 4 for insulation, is generated.

이에 따라 발생한 열이 외부로 배출이 어려워 반영구적인 엘이디칩의 수명을 효과적으로 사용하지 못한다는 문제점이 있었다.
As a result, the heat generated is difficult to discharge to the outside, there is a problem that can not effectively use the life of the semi-permanent LED chip.

대한민국 등록특허공보 제10-1144616호Republic of Korea Patent Publication No. 10-1144616

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속전극 사이에 절연체를 수직형으로 구비한 금속전극 플레이트를 통하여 엘이디칩에서 발생하는 열의 방열효율을 증가시킬 수 있는 엘이디칩 기판 및 엘이디칩 기판의 제조방법을 제공함에 있다. The present invention is to solve the above-mentioned problems, LED chip substrate and LED chip substrate that can increase the heat dissipation efficiency of heat generated in the LED chip through a metal electrode plate having an insulator vertically between the metal electrodes To provide a method of manufacturing.

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 엘이디 기판 제조방법은 금형에 복수 개의 금속 전극를 일정 간격 이격하여 배치하는 금속전극배치단계, 상기 이격된 금속전극 사이에 절연체를 삽입하여 금속전극 플레이트를 형성하는 금속전극 플레이트 형성단계, 상기 금속전극 플레이트의 일면에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계 및 상기 한 쌍의 금속전극에 엘이디칩을 장착하는 엘이디칩 장착단계를 포함한다. The LED substrate manufacturing method of the present invention for solving the above problems is a metal electrode arrangement step of arranging a plurality of metal electrodes in a mold spaced apart, a metal to form a metal electrode plate by inserting an insulator between the spaced metal electrodes. An electrode plate forming step, an insulating layer forming step of forming an insulating layer on one surface of the metal electrode plate and an LED chip mounting step of mounting an LED chip on the pair of metal electrodes.

그리고 금속 전극 플레이트를 복수 개의 금속전극을 포함하는 금속전극 기판부로 분리하는 기판부 분리 단계를 더 포함할 수 있다. And separating the metal electrode plate into a metal electrode substrate part including a plurality of metal electrodes.

그리고 본 발명의 엘이디 기판은 엘이디칩과 전기적으로 연결되고, 일전 간격 이격된 한 쌍의 금속전극 및 상기 금속전극 사이의 이격된 공간을 채우는 절연체를 포함하는 금속전극 플레이트 및 상기 금속전극 플레이트의 하면에 구비되어 상기 금속전극을 전기적으로 분리하는 절연층을 포함한다. In addition, the LED substrate of the present invention is electrically connected to the LED chip, a metal electrode plate including a pair of metal electrodes spaced apart from each other and the insulator to fill the spaced space between the metal electrode and the lower surface of the metal electrode plate It includes an insulating layer provided to electrically separate the metal electrode.

그리고 상기 금속전극과 엘이디칩 사이에는 상기 금속전극과 상기 엘이디칩을 전기적으로 연결하기 위한 접착부를 포함하고, 상기 접착부 사이의 이격된 거리는 상기 금속전극 사이의 이격된 거리보다 크게 형성될 수 있다. In addition, the metal electrode and the LED chip may include an adhesive part for electrically connecting the metal electrode and the LED chip, and the distance between the adhesive parts may be greater than the distance between the metal electrodes.

상기한 구성을 가지는 본 발명의 고성능 엘이디 기판 및 이의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. The high performance LED substrate of the present invention having the above-described configuration and a method of manufacturing the same have the following effects.

첫째, 엘이디칩과 연결되는 금속전극을 전기적으로 분리하기 위한 절연체가 수직형으로 구비된 금속단자 플레이트를 이용하여 엘이디칩에서 발생한 열을 절연체를 거치지 않고 금속단자에서 효과적으로 방열할 수 있다는 장점이 있다. First, by using a metal terminal plate in which an insulator for electrically separating the metal electrode connected to the LED chip is vertically provided, the heat generated from the LED chip can be effectively radiated from the metal terminal without passing through the insulator.

둘째, 금속전극 및 금속전극 간에 충진되는 절연체를 포함하는 금속전극 플레이트를 형성하고, 전극 플레이트에 절연층을 도포하는 공정으로 금속전극을 전기적으로 분리할 수 있어서 종래기술에 비하여 생산공정이 간소하다는 장점이 있다. Second, a metal electrode plate including a metal electrode and an insulator filled between metal electrodes is formed, and the metal electrode can be electrically separated by applying an insulating layer to the electrode plate, so the production process is simpler than the prior art. There is this.

셋째, 간소한 공정으로 생산된 금속전극 플레이트를 수요자에 필요에 따라 다양한 숫자의 엘이디칩이 실장되는 금속전극 기판부로 분리할 수 있다는 장점이 있다. Third, there is an advantage that the metal electrode plate produced by a simple process can be separated into a metal electrode substrate portion in which a variety of LED chips are mounted as needed by the consumer.

본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도1은 종래 기술의 금속기판에 전기적으로 연결된 엘이디칩을 나타내는 도면;
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에 의하여 제작되는 엘이디 기판을 나타내는 도면;
도3은 본 발명의 고성능 엘이디 기판 제조방법의 순서를 개략적으로 나타내는 순서도;
도4은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 복수 개의 금속기판이 금형에 배열된 상태를 나타내는 도면;
도5은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 복수 개의 금속기판 사이에 절연체가 삽입된 상태를 나타내는 도면;
도6은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 절연체를 사출하는 과정을 나타내는 도면;
도7은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 형성된 금속전극 플레이트를 나타내는 도면;
도8은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 형성된 금속전극 플레이트의 후면에 절연층이 형성된 상태를 나타내는 도면;
도9은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에 있어서, 절연층이 형성된 금속전극 플레이트를 복수 개의 금속전극 기판부로 분리하는 과정을 나타내는 단계;
도10은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법의 엘이디칩의 실장을 위하여 솔더 리지스트(SR: Solder Resist)를 도포하는 과정을 나타내는 도면;
도11은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판제조방법에서 엘이디칩을 접합하는 과정을 나타내는 도면.1 is a view showing an LED chip electrically connected to a metal substrate of the prior art;
2 is a view showing an LED substrate manufactured by a high performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
Figure 3 is a flow chart schematically showing the procedure of the high-performance LED substrate manufacturing method of the present invention;
4 is a view showing a state in which a plurality of metal substrates are arranged in a mold in the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
5 is a view showing a state in which an insulator is inserted between a plurality of metal substrates in a high performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
6 is a view showing a process of injecting the insulator in the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
7 is a view showing a metal electrode plate formed in a high performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
8 is a view showing a state in which an insulating layer is formed on the rear surface of the metal electrode plate formed in the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
9 is a method of manufacturing a high performance LED substrate according to an embodiment of the present invention, which illustrates a process of separating a metal electrode plate having an insulating layer into a plurality of metal electrode substrate portions;
10 is a view showing a process of applying a solder resist (SR) for mounting the LED chip of the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention;
11 is a view showing a process of bonding the LED chip in the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same designations and the same reference numerals are used for the same components, and further description thereof will be omitted.

도2는 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에 의하여 제작되는 엘이디 기판을 나타내는 도면이다. 2 is a view showing an LED substrate manufactured by a high performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도2를 참조하면, 본 실시예의 엘이디(LED: Light Emitting Diode) 기판은 엘이디칩(10), 접합부(20), 금속전극(30), 절연체(40) 및 절연층(50)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the LED (Light Emitting Diode) substrate of the present embodiment includes an LED chip 10, a junction 20, a metal electrode 30, an insulator 40, and an insulating layer 50.

엘이디칩(10)은 일반적으로 p측 전극 및 n측 전극이 구비되고, 각 전극을 통하여 전류가 인가됨에 따라 발광을 하게 된다. 그리고 본 실시예에서의 엘이디칩(10)의 p측 전극 및 n측 전극은 접착부(20)를 통하여 금속전극(30)과 전기적으로 연결된다. The LED chip 10 generally includes a p-side electrode and an n-side electrode, and emits light as a current is applied through each electrode. The p-side electrode and the n-side electrode of the LED chip 10 in this embodiment are electrically connected to the metal electrode 30 through the adhesive portion 20.

여기서 접착부(20)는 금속전극(30)과 엘이디칩(10)을 수직형, 수평형 등 엘이디칩(10)의 구조, 금속전극(30)의 배치 등에 따라서 와이어 본딩 방식이 사용될 수 있고, 본 실시예에서는 플립칩 방식으로 엘이디칩(10)과 금속전극(30)을 전기적으로 연결한다. Here, the bonding part 20 may be a wire bonding method according to the structure of the LED chip 10 such as the vertical type and the horizontal type of the metal electrode 30 and the LED chip 10, the metal electrode 30, and the like. In the embodiment, the LED chip 10 and the metal electrode 30 are electrically connected in a flip chip method.

금속전극(30)은 한 쌍이 구비되고, 엘이디칩(50)의 n측 전극 및 p측 전극과 각각 연결된다. 그리고 금속전극(30)의 재질은 방열성을 고려하여 알루미늄(Al) 등이 사용될 수 있고, 본 실시예에서는 구리(Cu)가 사용된다. The metal electrode 30 is provided with a pair, and is connected to the n-side electrode and the p-side electrode of the LED chip 50, respectively. In addition, aluminum (Al) may be used as the material of the metal electrode 30 in consideration of heat dissipation, and copper (Cu) may be used in the present embodiment.

절연체(40)는 방열성은 우수하지만, 전기적으로 도전성을 가지는 한 쌍의 금속전극을 전기적으로 차단하는 역할을 한다. 그리고 절연성이 있는 다양한 종류의 폴리머가 사용될 수 있다. The insulator 40 is excellent in heat dissipation, but serves to electrically block a pair of metal electrodes that are electrically conductive. And various kinds of insulating polymers can be used.

그리고 금속전극(30) 및 절연체(40)의 하부면에는 금속전극(30) 간의 전기적 분리를 위한 절연층(50)이 구비된다. 절연층(50)은 세라믹 등 절연을 위한 다양한 물질로 형성될 수 있다. An insulating layer 50 for electrical separation between the metal electrode 30 is provided on the lower surfaces of the metal electrode 30 and the insulator 40. The insulating layer 50 may be formed of various materials for insulation, such as ceramics.

특히, 본 발명에서의 절연체(40)는 종래기술에 도시된 것과 같이 한 쌍의 금속전극(4)의 하부면에 구비되어 상부의 구비되는 한 쌍의 금속전극을 전기적으로 분리하는 것이 아니고, 한 쌍의 금속전극(30)의 양 측면에 결합된다. In particular, the insulator 40 according to the present invention is provided on the lower surface of the pair of metal electrodes 4 as shown in the prior art, and does not electrically separate the pair of metal electrodes provided at the top. It is coupled to both sides of the pair of metal electrodes 30.

그리고 금속전극(30) 사이의 이격된 거리(d1), 즉 절연체(40)가 채워지는 두께(d1)은 상기 설명한 접합부(20) 사이에 이격된 거리(d2)보다 작게 형성될 수 있다. The distance d1 between the metal electrodes 30, that is, the thickness d1 filling the insulator 40 may be smaller than the distance d2 between the junctions 20 described above.

따라서 종래기술의 엘이디칩을 전기적으로 연결하기 위한 금속단자(4)보다 금속단자(30)를 넓은 단면적으로 형성할 수 있고, 이에 따라 엘이디 기판의 전체 방열효율을 증가시킬 수 있게 된다. Therefore, the metal terminal 30 may be formed in a wider cross-sectional area than the metal terminal 4 for electrically connecting the LED chip of the prior art, thereby increasing the overall heat dissipation efficiency of the LED substrate.

그리고 방열을 위하여 기존의 절연체(2) 하부에 별도의 금속기판을 구비하지 않고도, 금속전극(30) 및 절연체(40)로 판형의 금속전극 플레이트(P)를 형성할 수 있다. 따라서 종래기술의 엘이디칩(5)에서 발생하는 열이 절연체(2)로 인하여 금속기판에 효과적으로 전달되지 않는 열 병목현상(Thermal Bottleneck) 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. In addition, the plate-shaped metal electrode plate P may be formed of the metal electrode 30 and the insulator 40 without having a separate metal substrate under the existing insulator 2 for heat dissipation. Therefore, it is possible to effectively prevent the thermal bottleneck phenomenon in which heat generated from the LED chip 5 of the prior art is not effectively transmitted to the metal substrate due to the insulator 2.

이하, 본 발명의 고성능 엘이디 기판 제조방법에 대하여 설명한다. Hereinafter, the high performance LED substrate manufacturing method of this invention is demonstrated.

도3은 본 발명의 고성능 엘이디 기판 제조방법의 순서를 개략적으로 나타내는 순서도이다. 도3을 참조하면, 본 발명의 고성능 엘이디 기판 제조방법은 금속전극배치단계(S10), 금속전극 플레이트 형성단계(S20), 절연층 형성단계(S30), 기판 분리 단계(S40) 및 엘이디칩 장착단계(S50)을 포함한다. Figure 3 is a flow chart schematically showing the procedure of the high-performance LED substrate manufacturing method of the present invention. Referring to Figure 3, the high-performance LED substrate manufacturing method of the present invention is a metal electrode arrangement step (S10), metal electrode plate forming step (S20), insulating layer forming step (S30), substrate separation step (S40) and LED chip mounting Step S50 is included.

도4은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 복수 개의 금속기판이 금형에 배열된 상태를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing a state in which a plurality of metal substrates are arranged in a mold in the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도4을 참조하면, 금속전극배치단계(S10)에서는 금형(60)에 복수 개의 금속전극(30)을 배치한다. 이 때 복수 개의 금속전극(30)은 일정 간격(d) 이격되어 배치된다. Referring to FIG. 4, in the metal electrode arrangement step S10, a plurality of metal electrodes 30 are disposed on the mold 60. In this case, the plurality of metal electrodes 30 are spaced apart from each other by a predetermined interval d.

이 때 금속전극(30)은 다양한 구조 및 방법에 따라 금속기판에 고정될 수 있고, 각 금속전극(30) 간 이격된 공간에 후술하는 절연체(40)가 충진되게 된다. In this case, the metal electrode 30 may be fixed to the metal substrate according to various structures and methods, and the insulator 40, which will be described later, is filled in a space spaced between the metal electrodes 30.

도5은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 복수 개의 금속기판 사이에 절연체가 삽입된 상태를 나타내는 도면이다. 도6은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 절연체를 사출하는 과정을 나타내는 도면이다. 도7은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 형성된 금속전극 플레이트를 나타내는 도면이다. 5 is a view illustrating a state in which an insulator is inserted between a plurality of metal substrates in the method of manufacturing a high performance LED substrate according to an embodiment of the present invention. 6 is a view showing a process of injecting an insulator in a high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention. 7 is a view showing a metal electrode plate formed in a high performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도5를 참조하면, 금속전극 플레이트 형성단계(S20)은 이격된 금속전극(30) 사이에 절연체를 삽입한다. 절연체(40)는 스크린 프린팅 방법 등으로 금속전극(30)의 이격된 공간 사이에 충진될 수 있고, 도6와 같이 상부금형(70)으로 배치된 금속전극(30)사이에 밀폐된 공간을 형성하고 주입구(70a)를 통하여 절연체를 사출하는 방법에 의하여도 가능할 것이다. Referring to FIG. 5, the metal electrode plate forming step (S20) inserts an insulator between the spaced metal electrodes 30. The insulator 40 may be filled between spaced spaces of the metal electrode 30 by a screen printing method, and the like, forming a sealed space between the metal electrodes 30 arranged as the upper mold 70 as shown in FIG. 6. And it may be possible by the method of injecting the insulator through the injection hole (70a).

결국, 복수 개의 금속전극(30)의 사이에는 절연체(40)가 충진되고 도7에 도시된 것과 같이 금속전극(30)과 절연체(40)에 의한 금속전극 플레이트(P)가 형성되게 된다. As a result, the insulator 40 is filled between the plurality of metal electrodes 30, and as shown in FIG. 7, the metal electrode plate P formed by the metal electrode 30 and the insulator 40 is formed.

도8은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에서 형성된 금속전극 플레이트의 후면에 절연층이 형성된 상태를 나타내는 도면이다. 8 is a view showing a state in which an insulating layer is formed on the rear surface of the metal electrode plate formed in the high-performance LED substrate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도8을 참조하면, 금속전극(30) 및 절연체(40)로 형성된 금속전극 플레이트(P)의 하면에 금속전극(30) 간의 전기적인 차단을 위한 절연층을 형성한다. 절연층(50)은 질화알루이늄(AlN)을 증착하거나, 산화공정(Oxidation)공정에 의하여 형성될 수 있고, 세라믹 층이 절연층으로 구비될 수도 있다. Referring to FIG. 8, an insulating layer is formed on the lower surface of the metal electrode plate P formed of the metal electrode 30 and the insulator 40 for electrical blocking between the metal electrodes 30. The insulating layer 50 may be formed by depositing aluminum nitride (AlN) or by an oxidation process, and a ceramic layer may be provided as the insulating layer.

결국, 금속전극(30) 간의 측면은 절연체(30)에 의하여 전기적으로 차단되고, 하부면은 절연층(50)에 의하여 차단이 된다.As a result, side surfaces between the metal electrodes 30 are electrically blocked by the insulator 30, and lower surfaces thereof are blocked by the insulating layer 50.

한편, 절연층(50)의 형성은 금속전극 플레이트(P)가 설치되는 조건에 따라 선택적으로 이루어질 수 있다. 즉 각 금속전극(30)이 전기적으로 분리될 수 있는 조건인 경우 절연층(50)의 형성 없이도 금속전극 플레이트(P)를 실장할 수 있을 것이다. Meanwhile, the formation of the insulating layer 50 may be selectively performed according to the condition under which the metal electrode plate P is installed. In other words, when the metal electrodes 30 are electrically separated, the metal electrode plates P may be mounted without forming the insulating layer 50.

도9은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법에 있어서, 절연층이 형성된 금속전극 플레이트를 복수 개의 금속전극 기판부로 분리하는 과정을 나타내는 단계이다. 9 is a diagram illustrating a process of separating a metal electrode plate having an insulating layer into a plurality of metal electrode substrate parts in the method of manufacturing a high performance LED substrate according to an embodiment of the present invention.

도9를 참조하면, 기판부 분리 단계(S40)는 상기의 공정에 따라 절연층(50)의 형성된 금속전극 플레이트(P)를 필요에 따른 크기의 금속전극 기판부(P1)로 슬라이싱(Slicing)을 하게 된다. Referring to FIG. 9, in the separating of the substrate part S40, the metal electrode plate P formed of the insulating layer 50 may be sliced into the metal electrode substrate part P1 having a size required according to the above process. Will be

금속전극 기판부(P1)은 필요에 따라 다양한 크기로 형성될 수 있고, 2개의 금속전극(30)에 하나의 엘이디칩(10)이 실장되므로 짝수로 분리되는 것이 바람직하다. The metal electrode substrate portion P1 may be formed in various sizes as necessary, and one LED chip 10 is mounted on the two metal electrodes 30, so that the metal electrode substrate P1 may be separated evenly.

한편, 본 실시예에서 기판부 분리단계(S40)은 후술하는 엘이디칩 실장단계(S50)의 이전에 실시되지만, 경우에 따라서는 엘이디칩 실장이 된 상태에서 기판부를 분리할 수도 있을 것이다. On the other hand, in the present embodiment, the substrate portion separating step (S40) is performed before the LED chip mounting step (S50) to be described later, in some cases may be separated from the substrate portion in the LED chip mounting state.

도10은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판 제조방법의 엘이디칩의 실장을 위하여 솔더 리지스트(SR: Solder Resist)를 도포하는 과정을 나타내는 도면이고, 도11은 본 발명의 일실시예에 따른 고성능 엘이디 기판제조방법에서 엘이디칩을 접합하는 과정을 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a view illustrating a process of applying solder resist (SR) for mounting an LED chip of a method of manufacturing a high-performance LED substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an embodiment of the present invention. In the high-performance LED substrate manufacturing method according to the drawings showing a process of bonding the LED chip.

도10 및 도11을 참조하면, 본 실시예에서는 일정적인 플립칩 접합 공정에 따라 엘이디칩(10)의 n측전극과 p측전극을 한 쌍의 금속전극(30)에 솔더링하게 된다. 10 and 11, the n-side electrode and the p-side electrode of the LED chip 10 are soldered to the pair of metal electrodes 30 according to a predetermined flip chip bonding process.

결론적으로 본 발명에서는 엘이디칩(10)의 n측전극과 p측전극와 전기적으로 연결되는 한 쌍의 금속전극(30)의 측면 사이에 절연체(40)를 충진하여, 각 금속전극(30)이 절연체(40)에 의하여 전기적으로 분리된 금속전극 플레이트(P)를 형성한 다음, 금속전극 플레이트(P)의 하면에 절연층(50)을 구비한다. 따라서 엘이디칩(10)과 접촉하는 금속전극(30)의 단면적을 종래기술에 비하여 상대적으로 크게 형성할 수 있다. In conclusion, in the present invention, the insulator 40 is filled between the sides of the pair of metal electrodes 30 electrically connected to the n-side electrode and the p-side electrode of the LED chip 10, so that each metal electrode 30 is an insulator. After forming the metal electrode plate P electrically separated by the 40, the insulating layer 50 is provided on the bottom surface of the metal electrode plate P. Therefore, the cross-sectional area of the metal electrode 30 in contact with the LED chip 10 can be formed relatively larger than the prior art.

이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is obvious to them. Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative rather than restrictive, and the present invention is not limited to the above description, but may be modified within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

10: 엘이디칩 20: 접합부
30: 금속전극 40: 절연체
50: 절연층10: LED chip 20: junction
30: metal electrode 40: insulator
50: insulation layer

Claims (6)

금형에 복수 개의 금속 전극를 일정 간격 이격하여 배치하여 상기 금속전극 간에 이격된 공간을 형성하는 금속전극배치단계;
상기 이격된 금속전극 사이의 공간에 절연체를 삽입하여 금속전극 플레이트를 형성하는 금속전극 플레이트 형성단계; 및
상기 한 쌍의 금속전극에 엘이디칩을 장착하는 엘이디칩 장착단계;
를 포함하는 고성능 엘이디 기판 제조방법.A metal electrode arrangement step of forming a plurality of metal electrodes spaced apart from each other by a predetermined interval in a mold to form spaces spaced between the metal electrodes;
A metal electrode plate forming step of forming a metal electrode plate by inserting an insulator into the space between the spaced metal electrodes; And
An LED chip mounting step of mounting an LED chip on the pair of metal electrodes;
High performance LED substrate manufacturing method comprising a. 제1항에 있어서,
상기 금속전극 플레이트의 일면에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계를 더 포함하는 고성능 엘이디 기판 제조방법.The method of claim 1,
The method of claim 1, further comprising an insulating layer forming step of forming an insulating layer on one surface of the metal electrode plate. 제1항에 있어서,
금속 전극 플레이트를 복수 개의 금속전극을 포함하는 금속전극 기판부로 분리하는 기판부 분리 단계를 더 포함하는 고성능 엘이디 기판 제조방법.The method of claim 1,
A method of manufacturing a high performance LED substrate further comprising a substrate portion separating step of separating the metal electrode plate into a metal electrode substrate portion including a plurality of metal electrodes. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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