KR101778140B1 - Semiconductor light emitting device and method of the same - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 불투광성의 금속 기판;으로서, 금속 기판을 전기적으로 분리하는 절연부를 포함하는 금속 기판; 금속 기판 위에 형성된 절연층; 절연층 위에 형성된 회로층; 회로층 위에 위치하는 복수의 반도체 발광소자 칩; 그리고, 복수의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 포함하며, 회로층 및 금속 기판은 길이 방향의 양측 말단부 중 적어도 일측 말단부가 봉지재로부터 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것이다. The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: an opaque metal substrate; a metal substrate including an insulating portion for electrically separating the metal substrate; An insulating layer formed on the metal substrate; A circuit layer formed on the insulating layer; A plurality of semiconductor light-emitting element chips positioned on the circuit layer; And a sealing material covering the plurality of semiconductor light-emitting device chips, wherein at least one end portion of both longitudinal end portions of the circuit layer and the metal substrate is exposed from the sealing material. will be.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전구형 램프에 사용되는 반도체 발광소자와 이의 제조방법에 관한 것이다. The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device used in a bulb type lamp and a method of manufacturing the same.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래, 길이 방향/폭 방향 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다. Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts. Also, in this specification, the directional indication such as upward / downward, up / down, longitudinal / width direction, etc. is based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(11), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(12; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(13; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(14; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(15)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(21)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(12) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(20: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 기판(10) 측이 외부(예; 인쇄회로기판, 서브마운트 등)와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 11, a first semiconductor layer 12 having an n-type GaN layer (for example, n-type GaN layer) 12 having a first conductivity, An active layer 13 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes and a second semiconductor layer 14 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 15 for current diffusion and an electrode 21 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 12 and an electrode 21 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 12 exposed and exposed. Electrodes 20 (e.g., Cr / Ni / Au laminated metal pads) are formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, the substrate 10 functions as a mounting surface when it is electrically connected to the outside (e.g., a printed circuit board, a submount, or the like).

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(12), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(13), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(14)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(22, 23, 24)이 형성되어 있다. 제1 전극막(22)은 Ag 반사막, 제2 전극막(23)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(24)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(12) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(20)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(22, 23, 24) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(12) 위에 형성된 전극(20)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(22, 23, 24)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. 반도체 발광소자 칩의 종류에는 도 1 및 도 2에 도시하지는 않았지만, 수직 칩도 있다.The semiconductor light-emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 12 having a first conductivity, an active layer 13 generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 14 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 14 are deposited in this order on the substrate 10 and an electrode film 22, have. The first electrode film 22 may be an Ag reflective film, the second electrode film 23 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 24 may be an Au bonding layer. An electrode 20 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 12. Here, the electrode film 22, 23, 24 functions as a mounting surface when electrically connected to the outside. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 20 formed on the first semiconductor layer 12 are at a lower height than the electrode films 22, 23, and 24 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10. Although not shown in Figs. 1 and 2, the semiconductor light emitting device chip is also a vertical chip.

도 3은 미국 공개특허공보 제2013-0058080호에 기재된 반도체 발광소자를 사용한 전구형 램프 및 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호 및 용어의 일부를 변경하였다.3 is a view showing an example of a bulb type lamp and a semiconductor light emitting device using the semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent Publication No. 2013-0058080. For ease of explanation, some of the drawing symbols and terms have been changed.

도 3(a)에 기재된 반도체 발광소자를 사용한 전구형 램프(30)는 반도체 발광소자(40), 램프 커버(31), 코어 기둥체(32), 구동기(33) 및 전기 접속기(34)를 포함한다. 코어 기둥체(32)는 프레임(50), 나팔관(51) 및 배기관(52)을 포함한다. 프레임(50)은 지주(53), 전기 출력 인출선(54) 및 금속선(55)을 포함한다. 프레임(50)이 반도체 발광소자(40)를 고정하며, 전기를 공급하는데 사용된다. 도 3(b)에 기재된 반도체 발광소자(40)는 투명 기판(41), 반도체 발광소자 칩(42), 전기 연결선(43) 및 전극 인출선(44)을 포함한다. 전기 인출선(44)을 투명 기판(41)에 고정하기 위한 고정 장치(45)를 포함한다. 도시되지는 않았지만, 반도체 발광소자 칩(42)을 덮는 봉지재를 포함할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(42)은 래터럴 칩이 직렬로 연결되어 있으며, 전기 연결선(43)은 와이어 본딩으로 형성된다.The lamp 30 using the semiconductor light emitting element shown in Fig. 3 (a) includes a semiconductor light emitting element 40, a lamp cover 31, a core column 32, a driver 33, and an electrical connector 34 . The core post 32 includes a frame 50, a fallopian tube 51, and an exhaust pipe 52. The frame 50 includes a column 53, an electrical output lead line 54, and a metal line 55. The frame 50 fixes the semiconductor light emitting element 40 and is used to supply electricity. 3B includes a transparent substrate 41, a semiconductor light emitting device chip 42, an electrical connecting line 43, and an electrode lead-out line 44. The semiconductor light emitting device 40 shown in FIG. And a fixing device 45 for fixing the electric lead-out wire 44 to the transparent substrate 41. Although not shown, it may include an encapsulant that covers the semiconductor light emitting device chip 42. In the semiconductor light emitting device chip 42, the lateral chips are connected in series, and the electrical connection line 43 is formed by wire bonding.

도 4는 미국 공개특허공보 제2014-0369036호에 기재된 전구형 램프에 사용되는 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호 및 용어의 일부를 변경하였다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device used in the bulb type lamp described in U.S. Patent Application Publication No. 2014-0369036. For ease of explanation, some of the drawing symbols and terms have been changed.

반도체 발광소자(60)는 투명 기판(61), 반도체 발광소자 칩(62), 금속 도선(63), 봉지재(64) 및 전극 인출선(65)을 포함한다. 반도체 발광소자 칩(62)은 래터럴 칩이며, 금속 도선(63)은 와이어 본딩으로 형성된다. 반도체 발광소자 칩(62)은 직렬로 연결되어 있다. The semiconductor light emitting device 60 includes a transparent substrate 61, a semiconductor light emitting device chip 62, a metal lead 63, a sealing material 64, and an electrode lead line 65. The semiconductor light-emitting element chip 62 is a lateral chip, and the metal lead 63 is formed by wire bonding. The semiconductor light emitting device chips 62 are connected in series.

종래의 전구형 램프에 사용되는 반도체 발광소자는 투명 기판 위에 실장되어 방열에 어려움이 있었으며, 또한 복수의 반도체 발광소자 칩을 직렬로 연결하기 위해 와이어 본딩을 사용함에 따라 와이어 본딩이 끊어지거나 와이어 본딩 공정의 번거로움이 있었다.The semiconductor light emitting device used in a conventional bulb type lamp is mounted on a transparent substrate and is difficult to radiate heat. In addition, since wire bonding is used to connect a plurality of semiconductor light emitting device chips in series, wire bonding is cut off, There was a hassle of.

본 개시는 금속 기판을 사용함으로써 방열 효과를 향상시키고, 와이어 본딩이 필요없는 전구형 램프에 사용되는 반도체 발광소자를 제공한다.The present disclosure provides a semiconductor light emitting device which improves the heat dissipation effect by using a metal substrate and is used in a bulb type lamp which does not require wire bonding.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 불투광성의 금속 기판;으로서, 금속 기판을 전기적으로 분리하는 절연부를 포함하는 금속 기판; 금속 기판 위에 형성된 절연층; 절연층 위에 형성된 회로층; 회로층 위에 위치하는 복수의 반도체 발광소자 칩; 그리고, 복수의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 포함하며, 회로층 및 금속 기판은 길이 방향의 양측 말단부 중 적어도 일측 말단부가 봉지재로부터 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다. According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: a metal substrate including an insulating portion electrically isolating a metal substrate, the metal substrate being an opaque metal substrate; An insulating layer formed on the metal substrate; A circuit layer formed on the insulating layer; A plurality of semiconductor light-emitting element chips positioned on the circuit layer; And a sealing material covering the plurality of semiconductor light emitting device chips. The circuit layer and the metal substrate are exposed from the sealing material at least one end portion of both longitudinal end portions of the circuit layer and the metal substrate.

본 개시에 따른 다른 하나의 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 불투광성의 금속 기판;으로서, 금속 기판을 전기적으로 분리하는 절연부를 포함하는 금속 기판; 금속 기판 위에 형성된 절연층; 절연층 위에 형성된 회로층; 회로층 위에 위치하는 복수의 반도체 발광소자 칩; 복수의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 금속 기판의 길이 방향 양측 말단부 중 적어도 하나에 위치하는 전기 인출선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: an opaque metal substrate; a metal substrate including an insulating portion for electrically separating the metal substrate; An insulating layer formed on the metal substrate; A circuit layer formed on the insulating layer; A plurality of semiconductor light-emitting element chips positioned on the circuit layer; An encapsulating material covering the plurality of semiconductor light emitting device chips; And a plurality of electrical lead-out lines disposed on at least one of both longitudinal ends of the metal substrate.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 태양에 의하면(According to still another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 제조방법에 있어서, 금속 기판에 폭 방향으로 홀(hole)을 형성하는 단계(S1); 홀이 형성된 금속 기판 위에 도전성 기판을 접착성 절연 물질로 접합하여 절연층을 형성하는 단계(S2);로서, 접착성 절연 물질이 홀을 채우며 절연층을 형성하는 단계(S2); 도전성 기판으로부터 회로층을 형성하는 단계(S3); 회로층 위에 반도체 발광소자 칩을 실장하는 단계(S4); 그리고, 반도체 발광소자 칩을 봉지재로 덮는 단계(S6);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법이 제공된다.According to still another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: forming a hole in a width direction on a metal substrate; (S2) bonding an electrically conductive substrate to a metal substrate having a hole formed thereon with an adhesive insulating material to form an insulating layer (S2), wherein the adhesive insulating material fills the hole and forms an insulating layer (S2); Forming a circuit layer from a conductive substrate (S3); Mounting a semiconductor light emitting device chip on the circuit layer (S4); And a step (S6) of covering the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating material.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 공개특허공보 제2013-0058080호에 기재된 반도체 발광소자를 사용한 전구형 램프 및 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 4는 미국 공개특허공보 제2014-0369036호에 기재된 전구형 램프에 사용되는 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 보여주는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing an example of a bulb type lamp and a semiconductor light emitting device using the semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent Publication No. 2013-0058080,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device used in the bulb type lamp described in U.S. Patent Publication No. 2014-0369036,
5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

5(a)는 도 5(b)의 AA'선을 따라 자른 단면도이며, 도 5(b)는 평면도이다.5 (a) is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. 5 (b), and FIG. 5 (b) is a plan view.

반도체 발광소자(100)는 금속 기판(110), 절연층(120), 회로층(130), 복수의 반도체 발광소자 칩(140), 봉지재(150) 및 전기 인출선(160)을 포함한다. 금속 기판(110)은 예를 들어 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti) 등일 수 있지만, 그 중에서도 열 전도성, 반사율 등을 고려할 때 알루미늄(Al) 기판이 바람직하다. 또한 금속 기판(110)은 절연부(111)를 포함한다. 절연부(111)는 금속 기판(110)의 폭 방향(171)으로 형성되어 금속 기판(110)을 전기적으로 분리한다. 금속 기판(110)은 지지판으로서 일정한 두께가 필요하며, 150um 내지 200umm가 바람직하다. 일정한 두께를 갖기 때문에 금속 기판(110)은 불투광성이다. 절연층(120)은 금속 기판(110) 위에 절연 물질로 형성된다. 예를 들어 절연 물질은 실리콘 수지, 에폭시 수지 등일 수 있다. 회로층(130)은 절연층(120) 위에 도전 물질로 형성된다. 예를 들어 도전 물질은 은(Ag), 구리(Cu) 등일 수 있다. 복수의 반도체 발광소자 칩(140)은 회로층(130) 위에 실장되며, 래터럴 칩, 수직 칩, 플립 칩 등이 될 수 있다. 다만 반도체 발광소자 칩(140)의 전극(141)이 회로층(130)과 와이어 본딩 없이 연결되기 위해 플립 칩이 바람직하다. 도 5에서는 플립 칩이 사용되었다. 도시하지는 않았지만 반도체 발광소자 칩(140)과 회로층(130) 사이는 도전성 접착제가 위치할 수 있다. 또한 복수의 반도체 발광소자 칩(140)은 도 5(b)와 같이 길이방향(170)을 따라 회로층(130) 위에 직렬로 연결된다. 또한 반도체 발광소자(100)는 도 5(b)와 같이 폭 방향(171)은 좁고 길이 방향(170)은 긴 가늘고 긴 형상이다. 봉지재(150)는 반도체 발광소자 칩(140)을 금속 기판(110)에 안정적으로 고정시키며, 반도체 발광소자 칩(140)을 보호한다. 봉지재(150)는 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지 등으로 형성된다. 또한 봉지재(150)는 반도체 발광소자 칩(140)에서 나오는 광의 일부의 파장을 변환시켜 일정한 색을 발광하는 파장 변환재(151)를 포함하여 반도체 발광소자(100)가 백색광을 발광할 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(140)은 청색광을 만들고 파장 변환재(151)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 파장 변환재(151)는 반도체 발광소자 칩(140)에서 나오는 광을 다른 파장의 광으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 전기 인출선(160)은 회로층(130)의 길이 방향 양측 말단부(131)에 연결되면서 동시에 금속 기판(110)의 길이 방향 양측 말단부(112)에도 연결된다. 회로층(130)에 전극 인출선(160)이 연결되어 전기를 반도체 발광소자 칩(140)에 공급하고, 동시에 금속 기판(110)에 전극 인출선(160)이 연결되어 전극 인출선(160)은 안정적으로 고정된다. 전극 인출선(160)이 금속 기판(110)과 연결되어 전기적 쇼트 문제가 발생할 수 있지만, 폭 방향(171)으로 형성된 절연부(111)가 이러한 문제를 해결한다. 전기 인출선(160)이 금속 기판(110)과 직접 연결되어 있기 때문에, 방열에도 효과적이다. 도 5에서는 전기 인출선(160)이 회로층(130) 및 금속 기판(110)의 길이 방향 양측 말단부(131, 112)에 모두 연결되어 있지만, 양측 말단부 중 일측에만 형성될 수도 있다.The semiconductor light emitting device 100 includes a metal substrate 110, an insulating layer 120, a circuit layer 130, a plurality of semiconductor light emitting device chips 140, a sealing material 150, and an electric lead- . The metal substrate 110 may be, for example, aluminum (Al), magnesium (Mg), zinc (Zn), titanium (Ti) or the like, but an aluminum (Al) substrate is preferable in consideration of thermal conductivity and reflectance . The metal substrate 110 also includes an insulating portion 111. The insulating portion 111 is formed in the width direction 171 of the metal substrate 110 to electrically isolate the metal substrate 110. The metal substrate 110 is required to have a constant thickness as a support plate, and is preferably 150 [mu] m to 200 [mu] m. Since the metal substrate 110 has a constant thickness, the metal substrate 110 is opaque. The insulating layer 120 is formed of an insulating material on the metal substrate 110. For example, the insulating material may be a silicone resin, an epoxy resin, or the like. The circuit layer 130 is formed of a conductive material on the insulating layer 120. For example, the conductive material may be silver (Ag), copper (Cu), or the like. The plurality of semiconductor light emitting device chips 140 are mounted on the circuit layer 130, and may be a lateral chip, a vertical chip, a flip chip, or the like. However, a flip chip is preferable because the electrode 141 of the semiconductor light emitting device chip 140 is connected to the circuit layer 130 without wire bonding. In Fig. 5, a flip chip was used. Although not shown, a conductive adhesive may be disposed between the semiconductor light emitting device chip 140 and the circuit layer 130. The plurality of semiconductor light emitting device chips 140 are connected in series on the circuit layer 130 along the longitudinal direction 170 as shown in FIG. 5 (b). 5 (b), the semiconductor light emitting device 100 is narrow in the width direction 171 and elongated in the length direction 170. As shown in FIG. The encapsulant 150 stably fixes the semiconductor light emitting device chip 140 to the metal substrate 110 and protects the semiconductor light emitting device chip 140. The sealing material 150 is formed of, for example, a silicone resin, an epoxy resin, or the like. The encapsulant 150 may include a wavelength conversion material 151 that converts a wavelength of a part of the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 140 to emit a predetermined color so that the semiconductor light emitting device 100 emits white light . For example, the semiconductor light emitting device chip 140 generates blue light, the light generated by exciting the wavelength conversion material 151 is yellow light, and the blue light and the yellow light may be mixed to form white light. The wavelength converting material 151 may be any material as long as it converts light emitted from the semiconductor light emitting device chip 140 into light having a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) , (Sr, Ba, Ca) 2 SiO 4: Eu is preferred to use, and so on). The electric lead wires 160 are connected to longitudinally opposite end portions 131 of the circuit layer 130 and simultaneously to longitudinally opposite end portions 112 of the metal substrate 110. The electrode lead line 160 is connected to the circuit layer 130 to supply electricity to the semiconductor light emitting device chip 140 and at the same time the electrode lead line 160 is connected to the metal substrate 110, Is stably fixed. The electrode leading line 160 may be connected to the metal substrate 110 to cause an electric short problem. However, the insulating portion 111 formed in the width direction 171 solves this problem. Since the electric lead-out wire 160 is directly connected to the metal substrate 110, it is also effective for heat dissipation. 5, although the electric lead wires 160 are connected to both the longitudinal direction end portions 131 and 112 of the circuit layer 130 and the metal substrate 110, they may be formed only on one side of both the end portions.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(200)는 봉지재(250)가 금속 기판(210) 및 복수의 반도체 발광소자 칩(240)을 감싸고 있다. 도 5에 기재된 반도체 발광소자(100)의 경우 금속 기판(210)이 불투광성이기 때문에 반도체 발광소자(100)에서 나오는 광은 모든 방향으로 나가지 않을 수 있다. 즉 반도체 발광소자 칩(140)이 위치하는 방향의 반대 방향으로는 광이 나가지 않을 수 있다. 특히 플립 칩을 사용하는 경우 이러한 문제는 더 심해질 수 있다. 이를 해결하기 위해 도 6에 기재된 반도체 발광소자(200)는 봉지재(250)가 금속 기판(210) 및 복수의 반도체 발광소자 칩(240)을 감싸고 있다. 봉지재(250) 내에서 광이 산란하여 반도체 발광소자 칩(240)이 위치하는 반대 방향으로도 광(260)이 나갈 수 있다. 봉지재(250) 내에서 광이 더 잘 산란할 수 있도록 하기 위해 봉지재(250)는 파장 변환재(251) 이외에 광산란재(252)를 추가로 포함할 수 있다. 도 6에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(200)는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 200 encapsulates the encapsulant 250 on the metal substrate 210 and the plurality of semiconductor light emitting device chips 240. In the case of the semiconductor light emitting device 100 shown in FIG. 5, the light emitted from the semiconductor light emitting device 100 may not go out in all directions because the metal substrate 210 is opaque. That is, in a direction opposite to the direction in which the semiconductor light emitting device chip 140 is located. This problem can be exacerbated especially when flip chips are used. 6, the encapsulant 250 encapsulates the metal substrate 210 and the plurality of semiconductor light-emitting device chips 240. The semiconductor light- Light may be scattered in the sealing material 250 and the light 260 may be emitted in a direction opposite to that in which the semiconductor light emitting device chip 240 is positioned. The encapsulant 250 may further include a light scattering material 252 in addition to the wavelength converting material 251 to allow light to be scattered more easily in the encapsulant 250. Except as described in FIG. 6, the semiconductor light emitting device 200 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 100 described in FIG.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(300)는 금속 기판(310) 및 반도체 발광소자 칩(340)을 감싸고 있는 확산관(360)을 포함한다. 확산관(360)은 도 6에서 금속 기판(210) 및 복수의 반도체 발광소자 칩(240)을 감싸고 있는 봉지재(250)와 동일한 기능을 갖는다. 즉 불투명한 금속 기판(310)을 갖는 반도체 발광소자(300)가 모든 방향으로 광이 나갈 수 있도록 한다. 도 7에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(300)는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 300 includes a diffusion tube 360 surrounding the metal substrate 310 and the semiconductor light emitting device chip 340. The diffusion tube 360 has the same function as the encapsulant 250 surrounding the metal substrate 210 and the plurality of semiconductor light emitting device chips 240 in FIG. That is, the semiconductor light emitting device 300 having the opaque metal substrate 310 can emit light in all directions. Except as described in FIG. 7, the semiconductor light emitting device 300 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 100 described in FIG.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(400)는 금속 기판(410)의 상면(411)과 하면(412) 양쪽 면에 반도체 발광소자 칩(440)을 포함한다. 절연층(420) 및 회로층(430)도 양쪽 면에 형성된다. 봉지재(450)는 금속 기판(410) 및 반도체 발광소자 칩(440)을 감싸고 있다. 금속 기판(400)의 양쪽 면(411, 412)에 반도체 발광소자 칩(440)이 위치하여 반도체 발광소자(400)는 모든 방향으로 광을 나가게 할 수 있다. 도 8에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(400)는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 400 includes a semiconductor light emitting device chip 440 on both the upper surface 411 and the lower surface 412 of the metal substrate 410. An insulating layer 420 and a circuit layer 430 are also formed on both sides. The encapsulant 450 surrounds the metal substrate 410 and the semiconductor light emitting device chip 440. The semiconductor light emitting device chip 440 is positioned on both sides 411 and 412 of the metal substrate 400 so that the semiconductor light emitting device 400 can emit light in all directions. Except as described in FIG. 8, the semiconductor light emitting device 400 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 100 described in FIG.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(500)는 복수의 절연부(511)를 포함하는 금속 기판(510)을 포함한다. 절연부(511)에는 탄성력이 있는 절연 물질이 채워질 수 있다. 또한 절연 물질이 채워지지 않고 공간을 형성할 수도 있다(미도시). 복수의 절연부(511)를 통해 금속 기판(510)이 도 9(b)와 같이 잘 휘어질 수 있다. 도 9에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(500)는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 500 includes a metal substrate 510 including a plurality of insulating portions 511. The insulating portion 511 may be filled with an insulating material having elasticity. In addition, a space may be formed without filling the insulating material (not shown). The metal substrate 510 can be bent well through the plurality of insulating portions 511 as shown in FIG. 9 (b). Except as described in FIG. 9, the semiconductor light emitting device 500 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 100 described in FIG.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다.10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(600)는 회로층(630) 및 금속 기판(610)의 길이 방향 양측 말단부(631, 612)가 봉지재(650)로부터 노출되어 있다. 반도체 발광소자(600)가 전기 인출선을 포함하지 않은 경우, 반도체 발광소자(600)에 전기를 공급하기 위해 도 3에 기재된 전기 출력 인출선 등과 같은 외부 전기선(미도시)이 반도체 발광소자에 연결될 수 있다. 외부 전기선이 전기를 반도체 발광소자(600)에 공급하면서 반도체 발광소자(600)에 안정적으로 고정되기 위해 외부 전기선은 회로층(630)의 길이 방향 말단부(631)에 연결되면서 동시에 금속 기판(610)의 길이 방향 말단부(612)에도 연결되도록 할 필요가 있다. 따라서 외부 전기선(미도시)이 반도체 발광소자(600)의 회로층(630) 및 금속 기판(610)에 동시에 연결되도록 하기 위해 반도체 발광소자(600)는 회로층(630) 및 금속 기판(610)의 길이 방향 양측 말단부(631, 612)가 봉지재(650)로부터 노출된다. 도 10(a)에서는 회로층(630) 및 금속 기판(610)의 길이 방향 양측 말단부(631, 612)가 모두 봉지재(650)로부터 노출되어 있지만, 양측 말단부 중 일측만 노출될 수도 있다. 또한 도 10(b)와 같이 금속 기판(610)과 회로층(630)을 연결하는 전기적 연결(660)을 포함할 수 있다. 전기적 연결(660)은 금속 기판(610)과 회로층(630)의 길이 방향 양측 말단부(612, 631)를 전기적으로 연결한다. 전기적 연결(660)에 의해, 외부 전기선이 봉지재(650)로부터 노출된 금속 기판(610)에만 연결되어도 반도체 발광소자 칩(640)에 전기를 공급할 수 있다. 즉 회로층(630)의 길이 방향 양측 말단부(631)가 봉지재(650)로부터 노출 여부와 관계없이 금속 기판(610)의 길이 방향 양측 말단부(612)만 봉지재(650)로부터 노출되어도 전기를 반도체 발광소자 칩(640)에 공급할 수 있다. 도 10에서는 도 6과 같이 봉지재(650)가 금속 기판(610)을 감싸고 있는 경우에 대해서 설명하고 있지만, 도 5와 같이 봉지재(150)가 반도체 발광소자 칩(140)만을 덮고 있는 경우에도 반도체 발광소자가 전기 인출선을 포함하지 않는 경우에는 적용될 수 있다. 도 10에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(600)는 도 6에 기재된 반도체 발광소자(200)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting element 600 is exposed from the sealing material 650 in both longitudinal end portions 631 and 612 of the circuit layer 630 and the metal substrate 610. When the semiconductor light emitting device 600 does not include an electric lead wire, an external electric wire (not shown) such as an electric power lead-out wire shown in FIG. 3 is connected to the semiconductor light emitting device 600 to supply electricity to the semiconductor light emitting device 600 . The external electric wire is connected to the longitudinal end portion 631 of the circuit layer 630 and is simultaneously connected to the metal substrate 610 in order to stably fix the semiconductor light emitting device 600 to the semiconductor light emitting device 600, It is necessary to be connected to the longitudinal end portion 612 of the end portion 612. [ The semiconductor light emitting device 600 includes a circuit layer 630 and a metal substrate 610 so that an external electric wire (not shown) is simultaneously connected to the circuit layer 630 and the metal substrate 610 of the semiconductor light emitting device 600. [ Side end portions 631 and 612 are exposed from the encapsulant 650. In Fig. 10A, both the longitudinal direction end portions 631 and 612 of the circuit layer 630 and the metal substrate 610 are exposed from the encapsulating material 650, but only one side of the both end portions may be exposed. And may include an electrical connection 660 connecting the metal substrate 610 and the circuit layer 630 as shown in FIG. 10 (b). The electrical connection 660 electrically connects the metal substrate 610 and longitudinally opposite end portions 612 and 631 of the circuit layer 630. The electrical connection 660 can supply electricity to the semiconductor light emitting device chip 640 even when the external electric wire is connected only to the metal substrate 610 exposed from the sealing material 650. That is, even if both the longitudinally opposite end portions 631 of the circuit layer 630 are exposed from the sealing material 650 only in the longitudinal direction opposite end portions 612 of the metal substrate 610 regardless of whether they are exposed or not from the sealing material 650 It can be supplied to the semiconductor light emitting device chip 640. 10 shows a case where the encapsulant 650 surrounds the metal substrate 610 as shown in FIG. 6, but even when the encapsulant 150 covers only the semiconductor light emitting device chip 140 as shown in FIG. 5 The present invention can be applied to a case where the semiconductor light emitting element does not include an electric lead wire. Except as described in FIG. 10, the semiconductor light emitting device 600 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 보여주는 도면이다.11 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저 금속 기판(700)을 준비한다. 이후 금속 기판(700)에 폭 방향으로 홀(Hole : 710)을 형성한다(S1). 홀(710)은 펀칭이나 드릴 등의 방법으로 형성할 수 있다. 이후 홀(710)이 형성된 금속 기판(700) 위에 회로층(740)을 형성하기 위한 도전성 기판(720)을 접착성 절연 물질을 사용하여 접합하여 절연층(730)을 형성한다(S2). 도전성 기판(720)은 구리(Cu) 기판이 바람직하다. 절연층(730)은 접착성 절연 물질로 형성되며, 접합 과정에서 접착성 절연 물질이 홀(710)에 채워져 절연부(711)를 형성한다. 설명을 위해 S1 단계의 평면도에서 AA' 따른 단면도로 S2 단계를 도시하였으며 이후 단계는 단면도로 설명한다. 이후 절연층(730) 위에 접합된 도전성 기판(720)으로부터 에칭 등의 방법을 사용하여 회로층(740)을 형성한다(S3). 이후 회로층(740) 위에 반도체 발광소자 칩(750)을 실장한다(S4). 이후 전기 인출선(760)이 회로층(740) 및 금속 기판(700)에 동시에 연결되도록 형성한다(S5). 이후 봉지재(770)로 덮는다(S6). 이후 길이 방향으로 절단선(780)에 따라 절단하여 전구형 램프에 사용되는 반도체 발광소자를 얻는다(S7). 지지 기판으로 사용되며, 방열 기능을 갖는 금속 기판(700)의 두께는 150 um 이상 200umm 으로 두껍기 때문에, 홀(710)은 에칭 등으로 방법으로는 불가능하다. 펀칭 등의 방법으로 미리 금속 기판(700)에 홀(710)을 형성한 후, 절연층(730)을 형성함으로써, 절연부(711)를 갖는 금속 기판(700)을 용이하게 얻을 수 있다. 전기 인출선(760)이 없는 도 10에 기재된 반도체 발광소자(600)의 경우 S5 단계를 생략하고 S6 단계를 실시한다. 이 경우 S6 단계에서 봉지재가 금속 기판(700) 및 회로층(740)의 길이 방향 말단부를 덮지 않도록 형성한다(미도시).First, a metal substrate 700 is prepared. Thereafter, a hole (hole) 710 is formed in the width direction on the metal substrate 700 (S1). The hole 710 can be formed by a method such as punching or drilling. An insulating layer 730 is formed by bonding an electrically conductive substrate 720 for forming a circuit layer 740 on the metal substrate 700 having the holes 710 formed thereon using an adhesive insulating material. The conductive substrate 720 is preferably a copper (Cu) substrate. The insulating layer 730 is formed of an adhesive insulating material, and the adhesive insulating material is filled in the holes 710 in the bonding process to form the insulating portion 711. For the sake of explanation, step S2 is shown in the sectional view taken along the line AA 'in the plan view of step S1, and the steps thereafter are explained by the sectional view. Thereafter, a circuit layer 740 is formed from a conductive substrate 720 bonded on the insulating layer 730 using a method such as etching (S3). Then, the semiconductor light emitting device chip 750 is mounted on the circuit layer 740 (S4). Then, the electric lead wires 760 are formed so as to be simultaneously connected to the circuit layer 740 and the metal substrate 700 (S5). And then covered with an encapsulant 770 (S6). Thereafter, the semiconductor light emitting device is cut along the cutting line 780 in the longitudinal direction to obtain a semiconductor light emitting device for use in a bulb type lamp (S7). Since the thickness of the metal substrate 700 having a heat dissipating function is thicker than 150 μm and 200 μm, the hole 710 can not be formed by etching or the like. The metal substrate 700 having the insulating portion 711 can be easily obtained by forming the insulating layer 730 after the hole 710 is formed in the metal substrate 700 in advance by a method such as punching. In the case of the semiconductor light emitting device 600 shown in Fig. 10 without the electric lead-out line 760, the step S5 is omitted and the step S6 is carried out. In this case, the sealing material is formed so as not to cover the longitudinal end portions of the metal substrate 700 and the circuit layer 740 in step S6 (not shown).

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 불투광성의 금속 기판;으로서, 금속 기판을 전기적으로 분리하는 절연부를 포함하는 금속 기판; 금속 기판 위에 형성된 절연층; 절연층 위에 형성된 회로층; 회로층 위에 위치하는 복수의 반도체 발광소자 칩; 그리고, 복수의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 포함하며, 회로층 및 금속 기판은 길이 방향의 양측 말단부 중 적어도 일측 말단부가 봉지재로부터 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a metal substrate including an insulating portion for electrically separating a metal substrate, the metal substrate being an opaque metal substrate; An insulating layer formed on the metal substrate; A circuit layer formed on the insulating layer; A plurality of semiconductor light-emitting element chips positioned on the circuit layer; And a sealing material covering the plurality of semiconductor light-emitting device chips. The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein at least one end portion of both longitudinal end portions of the circuit layer and the metal substrate is exposed from the sealing material.

(2) 절연부는 금속 기판의 폭 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to (2), wherein the insulating portion is formed in the width direction of the metal substrate.

(3) 절연부는 복수 개 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein a plurality of insulating portions are formed.

(4) 복수의 반도체 발광소자 칩은 복수의 플립 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the plurality of semiconductor light emitting device chips are a plurality of flip chips.

(5) 복수의 플립 칩이 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting device comprising a plurality of flip chips connected in series.

(6) 봉지재가 금속 기판을 감싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device as described in any one of (1) to (4), wherein the sealing material surrounds the metal substrate.

(7) 회로층과 금속 기판을 전기적으로 연결하는 전기적 연결;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) An electrical connection for electrically connecting the circuit layer and the metal substrate.

(8) 복수의 반도체 발광소자 칩 및 금속 기판을 감싸는 확산관;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) A semiconductor light emitting device, further comprising a plurality of semiconductor light emitting device chips and a diffusion tube surrounding the metal substrate.

(9) 반도체 발광소자에 있어서, 불투광성의 금속 기판;으로서, 금속 기판을 전기적으로 분리하는 절연부를 포함하는 금속 기판; 금속 기판 위에 형성된 절연층; 절연층 위에 형성된 회로층; 회로층 위에 위치하는 복수의 반도체 발광소자 칩; 복수의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고, 금속 기판의 길이 방향 양측 말단부 중 적어도 하나에 위치하는 전기 인출선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) A semiconductor light emitting device comprising: an opaque metal substrate, comprising: a metal substrate including an insulating portion for electrically separating a metal substrate; An insulating layer formed on the metal substrate; A circuit layer formed on the insulating layer; A plurality of semiconductor light-emitting element chips positioned on the circuit layer; An encapsulating material covering the plurality of semiconductor light emitting device chips; And a plurality of electric lead-out lines disposed on at least one of both longitudinal ends of the metal substrate.

(10) 전기 인출선은 회로층 및 금속 기판에 동시에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) The electric lead-out wire is connected to the circuit layer and the metal substrate at the same time.

(11) 반도체 발광소자 제조 방법에 있어서, 금속 기판에 폭 방향으로 홀(hole)을 형성하는 단계(S1); 홀이 형성된 금속 기판 위에 도전성 기판을 접착성 절연 물질로 접합하여 절연층을 형성하는 단계(S2);로서, 접착성 절연 물질이 홀을 채우며 절연층을 형성하는 단계(S2); 도전성 기판으로부터 회로층을 형성하는 단계(S3); 회로층 위에 반도체 발광소자 칩을 실장하는 단계(S4); 그리고, 반도체 발광소자 칩을 봉지재로 덮는 단계(S6);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.(11) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: (S1) forming a hole in a width direction on a metal substrate; (S2) bonding an electrically conductive substrate to a metal substrate having a hole formed thereon with an adhesive insulating material to form an insulating layer (S2), wherein the adhesive insulating material fills the hole and forms an insulating layer (S2); Forming a circuit layer from a conductive substrate (S3); Mounting a semiconductor light emitting device chip on the circuit layer (S4); And a step (S6) of covering the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating material.

(12) 홀은 펀칭으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.(12) the hole is formed by punching.

(13) S4 단계와 S6 단계 사이에 전기 인출선을 형성하는 단계(S5);로서, 전기 인출선이 회로층과 금속 기판에 동시에 연결되게 전기 인출선을 형성하는 단계(S5);를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.(13) forming (S5) an electric lead-out wire between steps S4 and S6, (S5) forming an electric lead-out line so that the electric lead-out wire is simultaneously connected to the circuit layer and the metal substrate; Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(14) S6 단계는 회로층 및 금속 기판의 길이 방향 말단부가 노출되도록 봉지재를 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.(14) In the step (S6), the encapsulation material is covered so that the lengthwise ends of the circuit layer and the metal substrate are exposed.

본 개시에 따른 반도체 발광소자에 따르면, 방열 성능이 우수하며 와이어 본딩이 필요없는 전구용 램프에 사용되는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.According to the semiconductor light emitting device of the present disclosure, a semiconductor light emitting device having excellent heat dissipation performance and being used for a lamp for a lamp that does not require wire bonding can be obtained.

반도체 발광소자 : 40, 60, 100, 200, 300, 400, 500, 600
반도체 발광소자 칩 : 140, 240, 340, 440, 640, 750
금속 기판 : 110, 210, 310, 410, 510, 610, 700
Semiconductor light emitting devices: 40, 60, 100, 200, 300, 400, 500, 600
Semiconductor light emitting device chips: 140, 240, 340, 440, 640, 750
Metal substrates: 110, 210, 310, 410, 510, 610, 700

Claims (15)

반도체 발광소자에 있어서,
불투광성의 금속 기판;으로서, 금속 기판을 전기적으로 분리하는 절연부를 포함하는 금속 기판;
금속 기판 위에 형성된 절연층;
절연층 위에 형성된 회로층;
회로층 위에 위치하는 복수의 반도체 발광소자 칩;
복수의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재; 그리고,
금속 기판의 길이 방향 양측 말단부 중 적어도 하나의 일측에 위치하는 전기 인출선;을 포함하며,
회로층 및 금속 기판은 길이 방향의 양측 말단부 중 적어도 일측 말단부가 봉지재로부터 노출되고,
전기 인출선은 회로층 및 금속 기판에 동시에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
An opaque metal substrate comprising: a metal substrate including an insulating portion for electrically separating a metal substrate;
An insulating layer formed on the metal substrate;
A circuit layer formed on the insulating layer;
A plurality of semiconductor light-emitting element chips positioned on the circuit layer;
An encapsulating material covering the plurality of semiconductor light emitting device chips; And,
And an electric lead wire positioned at one side of at least one of both longitudinal end portions of the metal substrate,
The circuit layer and the metal substrate are exposed from the sealing material at least one end portion of the both end portions in the longitudinal direction,
Wherein the electric lead-out line is connected to the circuit layer and the metal substrate at the same time. 청구항 1에 있어서,
절연부는 금속 기판의 폭 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And the insulating portion is formed in the width direction of the metal substrate. 청구항 2에 있어서,
절연부는 복수 개 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 2,
Wherein a plurality of insulating portions are formed. 청구항 1에 있어서,
복수의 반도체 발광소자 칩은 복수의 플립 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of semiconductor light-emitting device chips are a plurality of flip chips. 청구항 4에 있어서,
복수의 플립 칩이 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 4,
And a plurality of flip chips are connected in series. 청구항 1에 있어서,
봉지재가 금속 기판을 감싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the encapsulating material surrounds the metal substrate. 청구항 1에 있어서,
회로층과 금속 기판을 전기적으로 연결하는 전기적 연결;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And an electrical connection for electrically connecting the circuit layer and the metal substrate. 청구항 1에 있어서,
복수의 반도체 발광소자 칩 및 금속 기판을 감싸는 확산관;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a diffusion tube that surrounds the plurality of semiconductor light emitting device chips and the metal substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 반도체 발광소자 제조 방법에 있어서,
금속 기판에 폭 방향으로 홀(hole)을 형성하는 단계(S1);
홀이 형성된 금속 기판 위에 도전성 기판을 접착성 절연 물질로 접합하여 절연층을 형성하는 단계(S2);로서, 접착성 절연 물질이 홀을 채우며 절연층을 형성하는 단계(S2);
도전성 기판으로부터 회로층을 형성하는 단계(S3);
회로층 위에 반도체 발광소자 칩을 실장하는 단계(S4); 그리고,
반도체 발광소자 칩을 봉지재로 덮는 단계(S6);를 포함하는 것을 특징으로 하고,
S4 단계와 S6 단계 사이에 전기 인출선을 형성하는 단계(S5);로서, 전기 인출선이 회로층과 금속 기판에 동시에 연결되게 전기 인출선을 형성하는 단계(S5);를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Forming a hole in the width direction on the metal substrate (S1);
(S2) bonding an electrically conductive substrate to a metal substrate having a hole formed thereon with an adhesive insulating material to form an insulating layer (S2), wherein the adhesive insulating material fills the hole and forms an insulating layer (S2);
Forming a circuit layer from a conductive substrate (S3);
Mounting a semiconductor light emitting device chip on the circuit layer (S4); And,
(S6) covering the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating material.
(S5) forming an electric lead-out line between steps S4 and S6, and forming (S5) an electric lead-out line so that the electric lead-out wire is simultaneously connected to the circuit layer and the metal substrate Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device. 청구항 12에 있어서,
홀은 펀칭으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.The method of claim 12,
And the hole is formed by punching. 삭제delete 청구항 12에 있어서,
S6 단계는
회로층 및 금속 기판의 길이 방향 말단부가 노출되도록 봉지재를 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조 방법.








The method of claim 12,
Step S6
And the sealing material is covered to expose the longitudinal end portions of the circuit layer and the metal substrate.








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