KR101349527B1 - 탄화규소 분말 제조 방법 - Google Patents

탄화규소 분말 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101349527B1
KR101349527B1 KR1020110139614A KR20110139614A KR101349527B1 KR 101349527 B1 KR101349527 B1 KR 101349527B1 KR 1020110139614 A KR1020110139614 A KR 1020110139614A KR 20110139614 A KR20110139614 A KR 20110139614A KR 101349527 B1 KR101349527 B1 KR 101349527B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon carbide
carbide powder
produce
raw material
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020110139614A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130072067A (ko
Inventor
신동근
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110139614A priority Critical patent/KR101349527B1/ko
Priority to PCT/KR2012/010866 priority patent/WO2013094934A1/en
Priority to US14/368,199 priority patent/US10138127B2/en
Publication of KR20130072067A publication Critical patent/KR20130072067A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101349527B1 publication Critical patent/KR101349527B1/ko
Assigned to (주)에스테크 reassignment (주)에스테크 권리의 전부이전등록 Assignors: 엘지이노텍 주식회사
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/977—Preparation from organic compounds containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/10—Solid density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은, 원료를 성형하여 탄화규소 분말 성형체를 제조하는 단계; 상기 탄화규소 성형체를 분쇄하여 탄화규소 분말 응집체를 제조하는 단계; 및 상기 탄화규소 분말 응집체를 열처리하여 탄화규소 분말을 제조하는 단계를 포함한다.

Description

탄화규소 분말 제조 방법{METHOD OF FABRICATING SILICON CARBIDE POWDER}
실시예는 탄화규소 분말 제조 방법에 관한 것이다.
탄화규소는 최근에 다양한 전자 소자 및 목적을 위한 반도체 재료로서 사용되고 있다. 탄화규소는 특히 물리적 강도 및 화학적 공격에 대한 높은 내성으로 인해 유용하다. 실리콘 카바이드는 또한 방사 경도(radiation hardness), 높은 붕괴 파일드(breakdown filed), 비교적 넓은 밴드갭, 높은 포화 전자 드리프트 속도(saturated electron drift velocity), 높은 조작 온도, 및 스펙트럼의 청색(blue), 보라(violet), 및 자외(ultraviolet) 영역에서의 높은 에너지 양자의 흡수 및 방출을 포함하는 우수한 전자적 성질을 가진다.
일반적으로, 탄화규소 분말을 제조하는 과정은 탄소원과 규소원을 혼합하여 혼합물을 형성한 후, 상기 혼합물을 반응시켜 최종적인 탄화규소 분말을 제조한다. 이때, 상기 탄화규소 분말의 입경을 제어하기 위해서는 상기 반응 온도 즉, 합성 온도가 매우 중요하다.
상기 합성 온도가 1700℃ 이하인 경우에는 상기 탄화규소 분말의 입경은 10㎛ 미만으로 형성되며, 50㎛ 이상의 입경을 가지는 탄화규소 분말을 형성하기 위해서는, 합성 온도가 2000℃ 이상의 고온 합성 공정이 요구된다. 그러나 이러한 고온의 공정은 합성로 내의 부자재들의 손상을 유발할 수 있고, 수율 또한 매우 낮다는 문제점이 있다.
이에 따라, 상기 탄화규소 분말을 합성하여 수십 ㎛ 이상의 탄화규소 분말을 제조시 낮은 온도에서 입성장 시킬 수 있는 탄화규소 분말 제조 방법의 필요성이 요구된다.
실시예는 탄화규소 분말을 가공하여 탄화규소 분말의 입도를 제어할 수 있고, 낮은 온도에서 수십 ㎛ 내지 수백 ㎛의 입도를 가지는 탄화규소 분말 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은, 원료를 성형하여 탄화규소 분말 성형체를 제조하는 단계; 상기 탄화규소 성형체를 분쇄하여 탄화규소 분말 응집체를 제조하는 단계; 및 상기 탄화규소 분말 응집체를 열처리하여 탄화규소 분말을 제조하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은 상기 수 ㎛의 입경을 가지는 탄화규소 분말을 원료로 하여 수십 ㎛ 내지 수백 ㎛ 입경 즉, 다양한 입경을 가지는 탄화규소 분말을 2000℃ 이하의 낮은 온도에서 제조할 수 있다. 이에 따라, 2000℃ 이상의 고온의 공정이 요구되지 않으므로, 합성시 반응로의 손상을 방지할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 수 ㎛의 탄화규소 분말을 원료로 하여 다양한 입경을 가지는 탄화규소 분말을 제조할 수 있으므로, 큰 입도의 탄화규소 분말이 요구되는 반응 소결 및 단결정 성장 등의 탄화규소 소재 분야에서도 사용될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법의 공정 흐름도를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 탄화규소 분말 입자가 서로 결합하여 넥킹하는 과정인 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 3은 실시예에 따른 탄화규소 분말 입자가 서로 결합하여 넥킹하는 과정인 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 4는 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법의 공정을 도시한 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법의 공정 흐름도를 도시한 도면이고, 도 2는 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법의 공정을 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은, 원료를 성형하여 탄화규소 성형체를 제조하는 단계(ST10); 상기 탄화규소 성형체를 분쇄하여 탄화규소 응집체를 제조하는 단계(ST20); 및 상기 탄화규소 응집체를 열처리하여 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST30)를 포함한다.
상기 원료를 성형하여 탄화규소 성형체를 제조하는 단계(ST10)에서는, 상기 원료를 성형 몰드에 투입하여 탄화규소 분말의 성형체를 제조할 수 있다. 상기 원료는 탄화규소 분말을 포함할 수 있다.
상기 원료로 사용되는 탄화규소 분말은 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다.
먼저, 탄소원과 규소원을 혼합하여 혼합물을 형성할 수 있다. 상기 탄소원 및 건식 규소원을 혼합하는 공정은 용매를 이용하는 유무에 따라 건식 혼합 공정 또는 습식 혼합 공정에 의해 혼합할 수 있다.
이어서, 상기 혼합물을 반응시켜 탄화규소 분말을 제조할 수 있다. 좀더 구체적으로, 혼합 분말을 흑연 도가니에서 칙량한 후 고온 반응로, 일례로 흑연로(graphite)에 투입한 후 가열할 수 있다. 상기 실리콘 카바이드가 형성되는 공정은 탄화(carbonization) 공정 및 합성(synthesis) 공정으로 구분될 수 있다.
상기 탄화 공정에서는 상기 유기 탄소 화합물이 탄화되어 탄소가 생성될 수 있다. 이후, 상기 합성 공정이 진행된다. 상기 합성 공정에서는 규소원과 상기 탄소원이 반응하여, 아래의 반응식 1 및 2의 단계에 의하여 반응식 3의 전체 반응식에 의하여 탄화규소 분말이 형성된다.
[반응식 1]
SiO2(s) + C(s) -> SiO(g) + CO(g)
[반응식 2]
SiO(g) + 2C(s) -> SiC(s) + CO(g)
[반응식 3]
SiO2(s) + 3C(s) -> SiC(s) + 2CO(g)
상기와 같은 방법으로 제조된 원료 즉, 탄화규소 분말은 성형 몰드에 투입될 수 있다. 이어서, 상기 성형 몰드를 가압하여, 상기 성형 몰드에 충진되어 있는 탄화규소를 상기 성형 몰드의 형상을 가지는 탄화규소 성형체를 제조할 수 있다. 상기 성형체를 제조하는 방법은 다양한 성형 방법과 압력에 의해 상기 탄화규소 성형체를 제조할 수 있다.
이어서, 상기 탄화규소 성형체를 분쇄하여 탄화규소 응집체를 제조하는 단계(ST20)에서는, 상기 탄화규소 성형체를 파쇄한 후, 분쇄할 수 있다. 바람직하게는, 상기 탄화규소 성형체를 균일한 사이즈로 분쇄할 수 있다.
이어서, 상기 탄화규소 응집체를 열처리하여 탄화규소 분말을 제조하는 단계(ST30)에서는 상기 탄화규소 성형체를 분쇄한 탄화규소 응집체를 열처리하여 원하는 입도의 탄화규소 분말을 제조할 수 있다.
상기 열처리는 1800℃ 내지 2000℃의 온도로 할 수 있다. 바람직하게는 상기 열처리는 1800℃ 내지 1900℃의 온도로 할 수 있다.
일반적으로 탄화규소 분말의 성장을 보면, 주위에 있는 작은 입자들이 소멸 및 병합되는 과정을 거치게 되고, 이때, 입자 간의 경계면이 서로 붙어가는 형상 즉, 넥킹(necking) 현상이 일어난다. 즉, 도 2 및 도 3에 도시되어 있듯이, 탄화규소 입자 간의 경계면이 서로 붙어 하나의 탄화규소 입자로 형성될 수 있다.
이러한 탄화규소 입자 간의 넥킹이 잘 이루어지기 위해서는 탄화규소 입자 간의 계면의 에너지를 크게 하는 것이 중요하며, 상기 계면의 에너지가 클수록 더욱 낮은 온도에서 탄화규소 입자의 소결 및 성장이 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은, 탄화규소 분말의 입자 크기를 제어하기 위해, 수 ㎛, 바람직하게는, 0.3㎛ 내지 5㎛의 입경을 가지는 탄화규소 분말을 원료로 하여 성형체를 제조하고, 상기 성형체를 파쇄한 후 다시 균일한 사이즈로 분쇄하여 응집체를 형성한 후, 상기 응집체를 열처리할 수 있다.
이때, 상기 응집체는 탄화규소 계면을 매우 강하게 압착한 상태이므로 높은 스트레스 에너지를 가지며, 이에 따라, 매우 낮은 열처리를 통해서도 쉽게 입자들이 결합 즉, 넥킹하여 하나의 탄화규소 분말로 형성할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은 상기 수 ㎛의 입경을 가지는 탄화규소 분말을 원료로 하여 수십 ㎛ 내지 수백 ㎛ 입경 즉, 다양한 입경을 가지는 탄화규소 분말을 2000℃ 이하의 낮은 온도에서 제조할 수 있다. 이에 따라, 2000℃ 이상의 고온의 공정이 요구되지 않으므로, 합성시 반응로의 손상을 방지할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 수 ㎛의 탄화규소 분말을 원료로 하여 다양한 입경을 가지는 탄화규소 분말을 제조할 수 있으므로, 큰 입도의 탄화규소 분말이 요구되는 반응 소결 및 단결정 성장 등의 탄화규소 소재 분야에서도 사용될 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 원료를 성형하여 탄화규소 성형체를 제조하는 단계;
    상기 탄화규소 성형체를 분쇄하여 탄화규소 응집체를 제조하는 단계; 및
    상기 탄화규소 응집체를 열처리하여 탄화규소 분말을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 탄화규소 분말은 10㎛ 내지 990㎛의 평균 입경을 가지는 탄화규소 분말 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 원료는 탄화규소를 포함하는 탄화규소 분말 제조 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 원료는 0.3㎛ 내지 5㎛의 평균 입경을 가지는 탄화규소 분말 제조 방법
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리는 1800℃ 내지 2000℃의 온도에서 열처리하는 탄화규소 분말 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리는 1800℃ 내지 1900℃의 온도에서 열처리하는 탄화규소 분말 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 원료를 성형하여 탄화규소 분말 성형체를 제조하는 단계는, 상기 원료를 가압 성형하는 탄화규소 분말 제조 방법.
KR1020110139614A 2011-12-21 2011-12-21 탄화규소 분말 제조 방법 Active KR101349527B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110139614A KR101349527B1 (ko) 2011-12-21 2011-12-21 탄화규소 분말 제조 방법
PCT/KR2012/010866 WO2013094934A1 (en) 2011-12-21 2012-12-13 Method of fabricating silicon carbide powder
US14/368,199 US10138127B2 (en) 2011-12-21 2012-12-13 Method of fabricating silicon carbide powder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110139614A KR101349527B1 (ko) 2011-12-21 2011-12-21 탄화규소 분말 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130072067A KR20130072067A (ko) 2013-07-01
KR101349527B1 true KR101349527B1 (ko) 2014-01-08

Family

ID=48986907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110139614A Active KR101349527B1 (ko) 2011-12-21 2011-12-21 탄화규소 분말 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101349527B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101678624B1 (ko) 2015-09-14 2016-11-23 한국과학기술연구원 초고순도 탄화규소 분말의 제조방법
KR102192815B1 (ko) 2019-03-21 2020-12-18 에스케이씨 주식회사 잉곳의 제조방법, 잉곳 성장용 원료물질 및 이의 제조방법
KR102581526B1 (ko) * 2022-08-22 2023-09-20 주식회사 쎄닉 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 탄화규소 잉곳을 제조하는 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690790A (en) * 1985-07-23 1987-09-01 Stemcor Corporation Silicon nitride/silicon carbide composition and articles thereof
JP2009269797A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 炭化ケイ素粉末の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690790A (en) * 1985-07-23 1987-09-01 Stemcor Corporation Silicon nitride/silicon carbide composition and articles thereof
JP2009269797A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 炭化ケイ素粉末の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130072067A (ko) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140012618A (ko) 탄화 규소 단결정 제조용 탄화 규소 분체 및 그 제조 방법
KR101897020B1 (ko) 탄화규소 분말, 이의 제조 방법, 탄화규소 소결체 및 이의 제조 방법
JP2013001576A (ja) 黒鉛材の製造方法および黒鉛材
KR102212985B1 (ko) 탄화규소 분말 제조방법
KR20130085841A (ko) 탄화규소 분말 및 이의 제조방법
CN105883812A (zh) 一种碳化硅的微波烧结生产工艺
KR101349527B1 (ko) 탄화규소 분말 제조 방법
KR101154808B1 (ko) 탄화 규소 및 이의 제조 방법
KR20230083675A (ko) 등방 흑연 제조용 탄화 블록 제조방법
US10138127B2 (en) Method of fabricating silicon carbide powder
US20130129599A1 (en) Silicon carbide and method for manufacturing the same
KR102508857B1 (ko) 등방 흑연 제조용 탄화 블록 제조방법
KR102346246B1 (ko) 탄화규소 분말 합성 원료
KR20150142245A (ko) 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정
CN104401995A (zh) 一种利用多晶硅块和鳞片石墨制备高纯碳化硅粉的方法
CN104016685A (zh) 一种原位合成碳纳米管改性超高温陶瓷杂化粉体的方法
KR20130024634A (ko) 실리콘 카바이드의 제조방법
JP2015024943A (ja) 黒鉛材料の製造方法
KR102413929B1 (ko) 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정
KR20130020490A (ko) 탄화 규소 및 이의 제조 방법
KR20130122476A (ko) 탄화규소 분말의 제조방법
KR20130000854A (ko) 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법
KR102491236B1 (ko) 탄화규소 분말 및 이의 제조방법
KR102237931B1 (ko) 탄화규소 분말 제조방법
KR20170086982A (ko) 탄화규소 분말, 이의 제조방법 및 탄화규소 단결정

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161207

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171205

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181210

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191209

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 13