KR101327260B1 - 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법 - Google Patents

필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법 Download PDF

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KR101327260B1
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이재홍
이근우
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주식회사 엔에스티
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Abstract

필름형 프로브 블록에서 접촉 범프들 사이에 형성되어 각 접촉 범프를 지지하는 역할을 하는 범프 서포터를 형성할 때, 포토리소그래피 공정을 배제하고, 포토 레지스트의 애싱 및 열처리 공정만으로 범프 서포터를 형성하게 된다. 구체적으로, 기판 상에 신호 라인 및 접촉 범프를 포토리소그래피 공정으로 형성한 후, 접촉 범프의 형성 공정에서 남은 포토 레지스트의 애싱 및 열처리를 통해 범프 서포터를 형성할 수 있다. 혹은, 기판 상에 신호 라인 및 접촉 범프를 포토리소그래피 공정으로 형성하고, 접촉 범프의 형성 공정에서 남은 포토 레지스트를 모두 제거한 상태에서 포토 레지스트를 새로 도포한 후, 이에 대한 애싱 및 경화를 진행하여 범프 서포터를 형성할 수 있다.
이에 따르면, 범프 서포터의 형성에 소요되는 포토리소그래피 공정을 생략하고, 수율 향상, 제조비용의 절감, 공정 시간의 단축을 이룰 수 있다.

Description

필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법{Method for Forming Bump Supporter in Film Type Probe Block}
본 발명은 액정 디스플레이 패널 등을 검사하기 위한 프로브(Probe) 기술에 관한 것으로, 특히 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 프로브 유닛은 액정 디스플레이 패널이나 반도체 소자 등의 피검사체를 제작하고자 할 때, 패키지 이전 단계에서 전기적인 신호를 인가하여 피검사체가 정상적으로 작동하는지 여부를 검사하는 장비이다. 이러한 프로브 유닛은 피검사체의 전극에 전기 신호를 인가하여 주는 탐침 부위인 프로브 블록들을 가지며, 각 프로브 블록에는 여러 개의 금속 탐침들이 배열된다.
이러한 프로브 블록은 탐침 형상에 따라 크게 니들형(Niddle type)과 필름형(Film type)으로 구분된다.
도 1은 종래 필름형 프로브 블록의 탐침 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 필름형 프로브 블록은 베이스 필름(10) 상에 피검사체의 전극들과 1:1로 접촉하기 위한 범프(Bump, 30)들이 나란히 배열되어 있는 구조를 가진다.
신호 라인(20)은 피검사체의 검사 시에 구동칩으로부터 인가되는 전기적 신호를 범프(30)를 통해 접촉된 피검사체의 전극으로 전달한다.
각 범프(30)는 피검사체의 전극에 직접 접촉하는 부분으로, 단면 구조상 신호 라인(20) 위에 형성된다. 범프(30)와 범프(30) 사이에는 범프 서포터(Bump supporter, 40)가 위치한다.
그런데, 신호 라인(20), 범프(30) 및 범프 서포터(40)를 형성하기 위해서는, 3번의 포토리소그래피 공정이 진행되어야 한다.
즉, 3개의 포토 마스크가 필요하고, 각 포토리소그래피 공정마다 매번 얼라인(Align)을 실시하여야 하므로, 공정이 번거롭고, 포토 레지스트, 현상액, 기타 재료에 대한 소모가 많아 제조비용이 상승하는 문제점이 있다.
특히, 필름 위에서 공정을 진행하여야 하는 필름형 프로브 블록의 경우, 필름이 열에 의해 팽창과 수축을 반복하게 되므로, 공정 진행 시 정확한 얼라인이 어려운 문제점이 있다.
공개특허공보 제10-2010-0023875호
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 범프 서포터의 형성에 소요되는 포토리소그래피 공정을 생략하고, 이에 따라 수율 향상, 제조비용의 절감, 공정 시간의 단축을 이룰 수 있는, 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법은, (a) 기판 상에 신호 라인 및 신호 라인 위의 도금막을 형성하는 단계; (b) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하여 범프 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계; (c) 도금막을 씨드층으로 하는 도금 공정을 진행하여 도금막의 범프 영역 상에 접촉 범프를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 애싱 및 경화함으로써, 남은 포토 레지스트를 이용해 접촉 범프들 사이에 위치하는 범프 서포터를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 (a) 단계는, (a1) 상기 기판 상에 신호 라인을 형성하기 위한 금속막을 형성하는 단계; (a2) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 신호 라인을 형성하는 단계; (a3) 도금 공정으로 신호 라인 위에 도금막을 형성하는 단계; 및 (a4) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 (d)에서, 접촉 범프들 사이에 남은 포토 레지스트의 높이가 접촉 범프보다 낮게 형성되도록 애싱 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법은, (a) 기판 상에 신호 라인 및 신호 라인 위의 도금막을 형성하는 단계; (b) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하여 범프 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계; (c) 도금막을 씨드층으로 하는 도금 공정을 진행하여 도금막의 범프 영역 상에 접촉 범프를 형성하는 단계; (d) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 다시 도포하는 단계; (f) 애싱 공정을 통해 접촉 범프 주위의 포토 레지스트를 제거하여 접촉 범프를 노출시키는 단계; 및 (g) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 경화함으로써, 남은 포토 레지스트를 이용해 접촉 범프들 사이에 위치하는 범프 서포터를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 (a) 단계는, (a1) 상기 기판 상에 신호 라인을 형성하기 위한 금속막을 형성하는 단계; (a2) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 신호 라인을 형성하는 단계; (a3) 도금 공정으로 신호 라인 위에 도금막을 형성하는 단계; 및 (a4) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 (f) 및 (g)에서, 상기 기판 상에 남아 경화된 포토 레지스트로 이루어진 범프 서포터는 그 높이가 접촉 범프보다 낮게 형성되어 접촉 범프의 하단을 지지할 수 있다.
본 발명의 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법에 따르면, 범프 서포터의 형성에 소요되는 포토리소그래피 공정을 생략하고, 이에 따라 수율 향상, 제조비용의 절감, 공정 시간의 단축을 이룰 수 있다.
도 1은 종래 필름형 프로브 블록의 탐침 구조를 나타낸 단면도,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도,
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 범프 서포터 형성 방법의 효과를 설명하기 위한 참조도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
최종 구조를 먼저 살펴보면, 필름형 프로브 블록은 도 2c에서와 같이, 텐션(Tension)을 가지는 필름형 기판(100) 상에 접촉 범프(120)들을 일정 간격으로 형성한 구조로서, 접촉 범프(120)와 접촉 범프(120) 사이에는 지지 기능을 위한 범프 서포터(130)가 형성된다.
구체적으로, 기판(100) 상에는 먼저 금속 물질로 이루어진 신호 라인(110)들이 일정 간격으로 배열된다. 신호 라인(110)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 등의 다양한 금속으로 형성할 수 있으며, 그 종류가 한정되지 않는다.
접촉 범프(120)는 단면 구조상 신호 라인(110) 위의 일부 영역에 형성되어, 검사 시에 패널이나 반도체 소자 등의 피검사체의 전극에 실제 접촉하는 부분이다.
도시되지는 않았으나, 일 실시예에서, 평면 구조상 접촉 범프(120)는 신호 라인(110) 위에 형성되어 피검사체의 전극에 접촉하도록 구성된다. 이때, 피검사체의 전극에 안정적으로 접촉하기 위하여, 평면 구조상 하나의 신호 라인(110) 상에 복수 개의 접촉 범프(120)들이 일정 간격을 이루면서 배열될 수 있다.
접촉 범프(120)는 니켈(Ni)이나 니켈합금(Ni-P, Ni-Co, Ni-Fe) 등의 다양한 금속으로 형성할 수 있으며, 그 종류가 한정되지 않는다.
신호 라인(110) 위의 도금막(112)은 접촉 범프(120)를 형성하기 위한 후속 도금 공정에서 씨드층(Seed layer)의 역할을 하는 부분으로서, 신호 라인(110)에 구리(Cu) 등의 금속 물질을 도금하여 형성할 수 있다.
범프 서포터(130)는 접촉 범프(120)가 피검사체의 전극에 접촉할 때, 접촉 범프(120)가 쉽게 부러지거나 떨어져 나가지 않도록 지지해 주는 기능을 한다.
또한, 범프 서포터(130)는 접촉 범프(120)를 지지하면서, 접촉 범프(120)와 접촉 범프(120) 사이를 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.
접촉 범프(120) 및 범프 서포터(130)를 형성하기 위한 필름형 기판(100)의 재료로는 폴리이미드(Polyimide) 등의 절연 물질이 선택될 수 있다.
일 실시예는 두 번의 포토리소그래피 공정을 통해 기판(100) 상에 신호 라인(110)과 접촉 범프(120)를 각각 형성한 후, 접촉 범프(120)의 형성 공정에서 남은 포토 레지스트를 제거하지 않고 애싱(Ashing) 및 열처리를 진행하여 범프 서포터(130)를 형성하는 방식이다.
일 실시예에 따른 범프 서포터(130)의 형성 방법을 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. 설명의 편의상, 신호 라인(110) 및 신호 라인(110) 상의 도금막(112)에는 구리(Cu)를 채용하고, 접촉 범프(120)에는 니켈(Ni)을 채용한 경우를 가정한다.
먼저, 도 2a에 도시된 것처럼, 기판(100) 상에 신호 라인(110) 및 그 위의 도금막(112)을 형성한다.
신호 라인(110)은 제1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 형성할 수 있으며, 신호 라인(110)의 형성 후 후속적으로 도금 공정을 진행하여 신호 라인(110) 위에 도금막(112)을 형성하게 된다.
세부적으로, 기판(100) 상에 신호 라인(110)을 형성하기 위한 구리막을 진공 증착한 후, 제1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 증착된 구리막을 패터닝하는 방식으로 기판(100) 상에 일정 간격으로 배열되는 신호 라인(110)들을 형성할 수 있다. 기판(100)에 증착하는 금속막의 종류는 신호 라인(110)에 채용되는 금속의 종류에 따라 달라질 수 있음은 당연하다.
이 과정에서, 구리막이 증착된 기판(100)의 전면에 포토 레지스트를 도포하고, 신호 라인 영역을 정의하는 제1 마스크를 이용해 도포된 포토 레지스트를 노광 및 현상하여 포토 레지스트 패턴을 형성한다.
그 후속 공정으로 기판(100)에 증착된 구리막을 에칭(Etching)하여 신호 라인(110)을 형성한 후, 이어서 구리 전해도금 공정을 진행하여 신호 라인(110) 위에 도금막(112)을 형성하게 된다. 계속해서, 기판(100) 상의 신호 라인(110)들 사이에 남은 포토 레지스트 패턴을 박리하여 기판(100)으로부터 제거함으로써, 신호 라인(110) 및 도금막(112)의 형성을 완료한다.
다음으로, 신호 라인(110) 및 도금막(112)이 형성되어 있는 기판(100)의 전면에 포토 레지스트를 다시 도포하여 범프 영역이 노출되도록 패터닝한다. 이때, 범프 영역을 정의하는 제2 마스크를 이용해 도포된 포토 레지스트를 노광 및 현상하여 범프 영역을 노출시키도록 포토 레지스트 패턴을 형성하게 된다.
계속해서, 도금막 (112)을 이루는 구리층을 씨드로 하여 접촉 범프(120)를 형성하기 위한 니켈 전해도금 공정을 진행하여, 도 2b에 도시된 것처럼, 도금막(112)의 범프 영역 상에 접촉 범프(120)를 형성하게 된다. 여기서, 도금막(112)을 이루는 구리층이 후속 도금 물질인 니켈의 씨드층으로 기능한다.
이와 같이, 접촉 범프(120)의 형성을 위한 포토리소그래피 및 도금 공정을 진행하고 난 후, 기판(100) 상의 접촉 범프(120)들 사이에는 도 2b에 도시된 것처럼, 현상되지 않은 포토 레지스트 패턴(131)이 남는다.
계속해서, 기판(100) 상에 남은 포토 레지스트 패턴(131)을 이용해 도 2c에 도시된 것처럼, 범프 서포터(130)를 형성한다.
구체적으로, 도 2b의 접촉 범프(120) 형성 이후에 접촉 범프(120)들 사이에 남은 기판(100) 상의 포토 레지스트 패턴(131)을 애싱(Ashing)하고 열처리를 통해 경화하여, 남은 포토 레지스트 패턴(131)으로부터 접촉 범프(120)를 지지하는 범프 서포터(130)를 형성하게 된다.
여기서, 접촉 범프(120)의 형성 후 남은 포토 레지스터를 제거하지 않고 그대로 이용해 범프 서포터(130)를 형성하기 위해, 접촉 범프(120)의 형성 공정에서, 포토 레지스트를 이용한 범프 영역의 패터닝 및 니켈 전해도금을 진행한 후, 남은 포토 레지스트를 박리하지 않고, 남은 포토 레지스트 자체로 애싱 공정을 수행하여 그 높이를 접촉 범프(120)보다 낮게 형성한다.
그 뒤, 열처리를 통해 애싱된 포토 레지스트를 경화시켜 범프 서포터(130)의 형성을 완료할 수 있다.
전술한 바와 같이, 신호 라인(110), 신호 라인(110) 위의 도금막(112) 및 접촉 범프(120)의 재료는 전기적 신호를 전달할 수 있는 모든 종류의 금속 물질로 선택될 수 있다.
이와 같은 일 실시예에 따르면, 범프 서포터(130)를 형성할 때 별도의 포토리소그래피 공정 없이, 접촉 범프(120)의 형성 공정에서 사용되고 남은 포토 레지스트를 박리하여 제거하지 않고 그대로 이용하게 된다.
따라서, 신호 라인(110) 및 접촉 범프(120)의 형성을 위한 두 번의 포토리소그래피 공정이 필요할 뿐, 범프 서포터(130)의 형성을 위한 별도의 포토리소그래피 공정은 불필요하다. 그러므로, 도 1에서 설명한 종래 방식과 비교할 때, 포토리소그래피 공정을 3회에서 2회로 줄일 수 있다.
전술한 일 실시예와 비교하여, 다른 실시예는 기판(100) 상에 신호 라인(110) 및 접촉 범프(120)를 두 번의 포토리소그래피 공정으로 각각 형성하고, 접촉 범프(120)의 형성 공정에서 남은 포토 레지스트를 모두 제거한 상태에서 포토 레지스트를 새로 도포한 후, 이에 대한 애싱 및 경화를 진행하여 범프 서포터(130)를 형성하는 방식이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
전술한 일 실시예의 경우와 마찬가지로, 신호 라인(110) 및 도금막(112)의 금속 물질로는 구리(Cu)를 채용하고, 접촉 범프(120)의 금속 물질로는 니켈(Ni)을 채용한 경우를 가정한다.
먼저, 도 3a와 같이 기판(100) 상에 신호 라인(110)들을 형성하고, 후속 도금 공정으로 신호 라인(110) 위에 도금막(112)을 형성한다.
이를 위해, 필름형 기판(100)에 신호 라인(110)을 형성하기 위한 구리막을 진공 증착한 후, 제1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 기판(100) 상에 일정 간격으로 복수의 신호 라인(110)들을 형성한다.
이 과정에서, 구리막이 증착된 기판(100)의 전면에 포토 레지스트를 도포하고, 신호 라인 영역을 정의하는 제1 마스크를 이용해 도포된 포토 레지스트 및 구리막을 패터닝하여 신호 라인(110)을 형성하게 된다. 패터닝 작업에는 포토 레지스트의 노광, 현상 및 구리막의 에칭 공정이 포함된다.
이어서, 구리 전해도금 공정을 진행하여 신호 라인(110) 위에 도금막(112)을 형성한 후, 기판(100) 상에 남은 포토 레지스트를 제거하여 신호 라인(110) 및 도금막(112)의 형성을 완료한다.
다음으로, 신호 라인(110) 및 도금막(112)이 형성되어 있는 기판(100)의 전면에 포토 레지스트를 다시 도포하여 범프 영역이 노출되도록 패터닝한다. 이때, 범프 영역을 정의하는 제2 마스크를 이용해 도포된 포토 레지스트를 노광 및 현상하여 범프 영역을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하게 된다.
이어서, 도금 공정을 진행하여 노출된 도금막(112)의 범프 영역 상에 접촉 범프(120)를 형성한다. 구체적으로, 도금막(112)을 이루는 구리층을 씨드로 하여 접촉 범프(120)를 형성하기 위한 니켈 전해도금 공정을 진행하여, 신호 라인(110)의 위에 니켈층으로 이루어진 접촉 범프(120)를 형성하게 된다.
니켈 전해도금으로 접촉 범프(120)의 형성을 마친 후에는, 도 3b에 도시된 것처럼, 기판(100)에 남은 포토 레지스트를 박리하여 제거한다.
계속해서, 도 3c에서와 같이, 신호 라인(110), 도금막(112) 및 접촉 범프(120)가 형성되어 있는 기판(100)의 전면에 다시 포토 레지스트(132)를 도포한다.
다음으로, 애싱 공정을 통해 접촉 범프(120)들 주위의 포토 레지스트를 제거하여 각 접촉 범프(120)를 노출시킨다.
계속해서, 접촉 범프(120)들 사이에 남은 기판(100) 상의 포토 레지스트를 경화함으로써, 접촉 범프(120)의 형성 이후 기판(100)에 남은 포토 레지스트를 이용해 접촉 범프(120)들 사이에 위치하여 접촉 범프(120)를 지지하는 범프 서포터(130)를 형성하게 된다.
도 3d는 이러한 과정을 통해 범프 서포터(130)의 형성이 완료된 상태를 도시하고 있다.
포토 레지스트의 애싱 공정 시에 기판(100) 상에 남아 경화된 포토 레지스트로 이루어지는 범프 서포터(130)는, 그 높이를 접촉 범프(120)보다 낮게 형성하여 접촉 범프(120)의 하단을 지지할 수 있도록 구성한다.
이와 같은 다른 실시예에서는, 접촉 범프(120)의 형성을 마치고, 포토 레지스트(132)를 기판(100)의 전면에 새로 도포한 후, 범프 서포터(130)를 형성하기 위한 추가적인 포토리소그래피 공정을 진행하지 않고, 그 상태에서 애싱과 열처리 공정을 진행하게 된다.
따라서, 일 실시예의 경우와 마찬가지로, 범프 서포터(130)를 형성하기 위한 별도의 마스크가 불필요하며, 그로 인해 마스크의 미스 얼라인((Miss Align)이나 얼라인 오차에 따른 수율 저하 등의 문제점을 해결할 수 있다. 또한, 포토리소그래피에 소요되는 현상액이나 기타 재료 등이 소모되지 않으므로, 제조비용을 절감할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 범프 서포터 형성 방법의 효과를 설명하기 위한 참조도이다.
도 4a는 포토리소그래피를 통해 범프 서포터(BS)를 형성한 결과를 보인 것이다.
포토 레지스트를 이용해 범프 서포터(BS)를 형성하기 위해, 포토 레지스트를 패터닝하는 포토리소그래피를 진행하게 되면, 정확한 피치의 패터닝이 어려운 포토 레지스트의 물적 특성, 마스크 미스 얼라인 등의 공정 변수로 인해 도 4a에 같이 불량이 발생할 확률이 80%에 육박할 정도로 매우 높다.
도 4a의 경우, 범프 서포터(BS)가 범프(BM)의 일측에 치우쳐 형성되는 결과가 나타났으므로, 범프(BM)의 다른 일측에서 힘이 가해지면 범프(BM)가 무너지는 현상이 발생하게 된다.
이와 비교하여, 도 4b는 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예와 같이 포토리소그래피 공정 없이 포토 레지스트의 애싱 및 열처리 공정만으로 범프 서포터(130)를 형성한 결과를 보인 것이다.
즉, 포토 레지스트를 이용해 범프 서포터(130)를 형성하되, 범프 서포터(130)의 형성 시에 포토 레지스트를 이용한 포토리소그래피 공정을 배제하므로, 마스크의 미스 얼라인과 같은 문제가 발생하지 않는다.
따라서, 도 4b와 같이 접촉 범프(120)의 주위에 범프 서포터(130)가 고르게 형성되어 접촉 범프(120)의 하단을 안정적으로 지지하며, 접촉 범프(120)가 어느 방향으로 힘을 받더라도 무너지지 않고 안정적인 상태를 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법의 구성은 전술한 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
100: 기판, 110: 신호 라인,
120: 접촉 범프, 130: 범프 서포터

Claims (6)

  1. (a) 기판 상에 신호 라인 및 신호 라인 위의 도금막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하여 범프 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계;
    (c) 도금막을 씨드층으로 하는 도금 공정을 진행하여 도금막의 범프 영역 상에 접촉 범프를 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 애싱 및 경화함으로써, 남은 포토 레지스트를 이용해 접촉 범프들 사이에 위치하는 범프 서포터를 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 (d)에서, 접촉 범프들 사이에 남은 포토 레지스트의 높이가 접촉 범프보다 낮게 형성되도록 애싱 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는,
    (a1) 상기 기판 상에 신호 라인을 형성하기 위한 금속막을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 신호 라인을 형성하는 단계;
    (a3) 도금 공정으로 신호 라인 위에 도금막을 형성하는 단계; 및
    (a4) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법.
  3. 삭제
  4. (a) 기판 상에 신호 라인 및 신호 라인 위의 도금막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하여 범프 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계;
    (c) 도금막을 씨드층으로 하는 도금 공정을 진행하여 도금막의 범프 영역 상에 접촉 범프를 형성하는 단계;
    (d) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 제거하는 단계;
    (e) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 다시 도포하는 단계;
    (f) 애싱 공정을 통해 접촉 범프 주위의 포토 레지스트를 제거하여 접촉 범프를 노출시키는 단계; 및
    (g) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 경화함으로써, 남은 포토 레지스트를 이용해 접촉 범프들 사이에 위치하는 범프 서포터를 형성하는 단계를 포함하는 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 (a) 단계는,
    (a1) 상기 기판 상에 신호 라인을 형성하기 위한 금속막을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 기판의 전면에 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 신호 라인을 형성하는 단계;
    (a3) 도금 공정으로 신호 라인 위에 도금막을 형성하는 단계; 및
    (a4) 상기 기판 상에 남은 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 (f) 및 (g)에서, 상기 기판 상에 남아 경화된 포토 레지스트로 이루어진 범프 서포터는 그 높이가 접촉 범프보다 낮게 형성되어 접촉 범프의 하단을 지지하는 것을 특징으로 하는 필름형 프로브 블록에서의 범프 서포터 형성 방법.
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