KR101323204B1 - 넌-마그네트론 스퍼터링 장치 - Google Patents

넌-마그네트론 스퍼터링 장치 Download PDF

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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements

Abstract

본 발명의 일 실시예는 타겟과 쉴드 간의 비정상적인 아일랜드 성장을 억제할 수 있는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 넌-마그네트론 스퍼터링 장치는 내부에 기판이 배치되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부에 상기 기판에 대향되도록 배치되고, 타겟이 표면에 부착되며 제1 전압이 공급되는 타겟; 상기 타겟의 외측에 배열되고, 상기 타겟에 공급된 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 공급되는 적어도 하나의 쉴드; 및 상기 타겟 및 쉴드에 상기 제1 전압 및 제2 전압을 인가하는 전원 공급부를 포함할 수 있다.

Description

넌-마그네트론 스퍼터링 장치{NON-MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS}
본 발명의 일 실시예는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
평판표시장치(Flat Panel Display device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치(Cathode-ray Tube Display device)를 대체하는 표시 장치로 사용되고 있으며, 대표적인 예로서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device; LCD)와 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting diode Display device; OLED)가 있다.
상기 유기전계발광표시장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(Passive matrix) 방식과 능동 구동(Active matrix) 방식으로 나뉘는데, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하는 회로를 가진다.
상기 박막 트랜지스터는 일반적으로 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 상기 반도체층은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon; poly-si) 또는 비정질 실리콘(amorphous silicon; a-si)으로 형성할 수 있으나, 상기 다결정 실리콘의 전자 이동도가 비정질 실리콘의 그것보다 높아 응답속도가 빨라야 하는 AM-OLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 분야에서는 다결정 실리콘을 주로 적용하고 있다.
상기 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 방법 중 하나로 금속을 이용한 결정화 방법이 있으며, 상기 금속을 이용한 결정화 방법 중 플라즈마를 이용하여 니켈과 같은 결정화 유도 금속으로 형성된 금속 타겟으로부터 기판 상에 결정화 유도 금속을 증착하는 스퍼터링(Sputtering) 공정이 많이 이용되고 있다. 따라서, 이러한 스퍼터링 공정을 통하여 기판 상에 금속 촉매를 증착하고, 상기 금속 촉매를 시드(seed)로 상기 비정질 실리콘을 결정화함으로써, 기판으로 사용하고 있는 유리의 전이 온도(phase transition temperature) 보다 낮은 온도에서 빠른 시간 내에 결정화시킬 수 있게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치의 캐소오드 쉴드에서 발생되는 비정상 박막 성장(abnormal film growth)을 나타내는 사진이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(1)는, 진공 상태의 챔버(2) 내에 있어서, 기판(3)에 대향하는 타겟(5)의 배면(즉, 배킹 플레이트(미도시)) 측에 냉각수 공급라인(6)이 배치되고, 타겟(5)의 외측에는 접지 쉴드(7a, 7b)를 배치하는 구조를 가진다.
상기 챔버(2) 내부에는 아르곤 등과 같은 스퍼터링 가스 및 산소와 같은 반응가스를 포함하고 있다. 상기 접지 쉴드(7a, 7b)는 0V의 전위를 가진다.
상기와 같이 구성된 종래의 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(1)는 스퍼터링 공정시 우선 챔버(2) 내에 포함된 스퍼터링 가스의 양이온이 스터퍼링 될 재료로 이루어진 타겟(5)에 충격을 주면, 스퍼터링된 원자 또는 입자들(이하, 입자들이라 함)이 타겟(5) 면에서 약 45도 전후의 산란각을 가지고 스퍼터링되고, 챔버(2) 내의 압력이 높기 때문에 결과적으로 챔버(2) 내의 모든 방향으로 방출된다. 이때, 타겟(5)의 스퍼터링된 입자들은 타겟(5) 면에 대해 실제적으로 양극으로 작용하는 접지 쉴드(7a, 7b)의 특정 부위에서 집중적으로 전기장에 의한 영향을 받을 수 있다. 결과적으로 타겟(5)과 접지 쉴드(7a, 7b)의 특정 영역 간에는 집중되는 입자들로 인한 빠른 박막 형성으로 비정상적인 아일랜드 성장이 발생되기 때문에, 타겟(5)과 접지 쉴드(7a, 7b) 간에 아크방전이 발생될 수 있다는 문제점이 있었다.
예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 스퍼터링시 타겟으로부터 방출된 입자들(paricles)이 타겟(예를 들면, Ni 타겟)의 외측에 배치된 접지 쉴드(ground shield)의 특정방향으로 방출되어, 타겟과 접지 쉴드 사이에 비정상적인 아일랜드 성장(abnormal island growth)이 나타나게 되므로, 이에 따라 타겟과 접지 쉴드 간에 아크 방전이 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예는 타겟과 쉴드 간의 비정상적인 아일랜드 성장을 억제할 수 있는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 넌-마그네트론 스퍼터링 장치는 내부에 기판이 배치되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부에 상기 기판에 대향되도록 배치되고, 타겟이 표면에 부착되며 제1 전압이 공급되는 타겟; 상기 타겟의 외측에 배열되고, 상기 타겟에 공급된 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 공급되는 적어도 하나의 쉴드; 및 상기 타겟 및 쉴드에 상기 제1 전압 및 제2 전압을 인가하는 전원 공급부를 포함할 수 있다.
상기 타겟과 상기 쉴드는 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 쉴드는 기판 방향 측의 일면이 타겟의 기판 방향 측의 일면과 동일한 높이로 형성되어 동일 평면을 이루거나, 타겟의 기판 방향 측의 일면보다 낮게 되도록 형성될 수 있다.
상기 전원 공급부와 상기 쉴드 사이에는 가변 저항소자가 연결될 수 있다.
상기 제2 전압은 제1 전압과 20% 이상의 전위차가 형성되도록 낮은 전위가 인가되어 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치는 내부에 기판과, 상기 기판을 이송시키는 이송수단이 배치되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부에 상기 기판에 대향되도록 배치되고, 타겟이 표면에 부착되며 제1 전압이 공급되는 타겟; 상기 타겟의 외측에 배열되고, 상기 타겟에 공급된 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 공급되는 적어도 하나의 제1 쉴드; 상기 제1 쉴드의 외측에 배열되고, 접지상태인 적어도 하나의 제2 쉴드; 및 상기 타겟 및 제1 쉴드에 상기 제1 전압 및 제2 전압을 인가하는 전원 공급부를 포함할 수 있다.
상기 타겟과 상기 제1 쉴드는 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 쉴드는 기판 방향 측의 일면이 타겟의 기판 방향 측의 일면과 동일한 높이로 형성되어 동일 평면을 이루거나, 타겟의 기판 방향 측의 일면보다 낮게 되도록 형성될 수 있다.
상기 전원 공급부와 상기 제1 쉴드 사이에는 고정 저항소자 또는 가변 저항소자가 연결될 수 있다.
상기 제2 전압은 제1 전압과 20% 이상의 전위차가 형성되도록 낮은 전위가 인가되어 형성될 수 있다.
상기 제2 쉴드는 상기 진공챔버에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 쉴드는 상기 타겟의 기판 방향 측의 일면보다 높거나 동일하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟의 외측에 타겟에 공급되는 전압보다 작은 전압을 공급받는 쉴드를 형성하여, 타겟과 쉴드 간의 전기장에 의한 쉴드 면 상의 비정상적인 아일랜드 성장을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치는 넌-마그네트론 방식을 적용하여 타겟에서 금속 촉매가 스퍼터링 되는 양이 작으므로 저온 폴리실리콘 결정화 공정에서 금속 촉매 도핑용으로 적용될 수 있다. 즉, 저온 폴리실리콘 결정화 공정은 금속 촉매가 도핑되는 정도를 최소화 시키는 것이 필요하며, 본 발명의 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치가 적합하게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치의 캐소오드 쉴드에서 발생되는 비정상적인 아일랜드 성장을 나타내는 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치의 타겟과 쉴드 및 전압공급부 간의 전압관계를 나타내는 등가회로이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 단면도이다.
본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치의 타겟과 쉴드 및 전압공급부 간의 전압관계를 나타내는 등가회로이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(10)는 진공 챔버(110), 타겟(130), 쉴드(140) 및 전원 공급부(150)를 포함한다.
상기 진공 챔버(110)는 스퍼터링 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 장치이다. 상기 진공 챔버(110)는 상부에 기판(120)이 지지플레이트(121)와 지지바(122)에 의하여 장착되며, 하부에 타겟(130)과 쉴드(140)가 장착되도록 형성된다. 상기 진공 챔버(110)는 내부가 진공 상태가 유지되도록 외부의 진공 배기계(미도시)에 연결되어 있다. 상기 진공 챔버(110)는 전위적으로 접지 상태에 있다. 또한, 상기 진공 챔버(110)는 내부의 소정 공간(즉, 타겟(130)과 기판(120)사이)에 플라즈마를 생성하기 위한 공정 및 반응 가스를 공급하는 가스 유입구(미도시)와, 잔류 가스를 배기시키기 위한 배기구(미도시)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 공정용 가스는 기판(120)의 손상을 방지하기 위하여 낮은 전력에서 플라즈마 생성이 가능한 아르곤(Ar) 가스 등일 수 있다.
상기 타겟(130)은 진공 챔버(110)의 내부에서 기판(120)과 대향되도록 배치된다. 또한, 상기 타겟(130)은 기판(120)에 대하여 평행하게 유지되도록 지지하는 백킹 플레이트(131)를 구비한다. 상기 백킹 플레이트는 후술하는 전원 공급부(150)에 연결되어 전원 공급부(150)로부터 직류전압(즉, 제1 전압)을 공급받는다. 상기 백킹 플레이트(131) 내부에는 냉각수가 흐르는 냉각수 라인(232)이 형성되어 있다. 또한, 상기 타겟(130)은 니켈 등과 같이 금속을 이용한 결정화 방법에 사용되는 결정화 유도 금속, 즉 금속 촉매에 해당된다.
상기 쉴드(140)는 니켈 등과 같은 전기 전도성이 있는 재질로 이루어져, 타겟(130)의 외측에 배열되어 있다. 상기 쉴드(140)는 타겟(130)과 전기적으로 독립(floating)된 상태이다. 상기 쉴드(140)는 전원 공급부(150)에 전기적으로 연결되어 있고, 별도의 전위가 형성되도록 전원 공급부(150)로부터 전압을 공급받는다. 상기 쉴드(140)와 전원 공급부(150) 사이에는 저항소자, 바람직하게는 가변 저항소자가 연결되어 있다. 즉, 상기 쉴드(140)는 전원 공급부(150)로부터 공급된 직류 전압(즉, 제1 전압)이 저항소자에 의하여 강하된 직류 전압(즉, 제2 전압)을 공급받게 된다. 여기서, 상기 저항소자는 쉴드(140)로 공급되는 전압을 강하시키기 위한 고전력 저항소자일 수 있다. 결과적으로, 상기 쉴드(140)는 타겟부(130, 131)에 공급되는 제1 전압보다 작은 제2 전압을 공급받아, 타겟(130)과는 다른 별도의 전위를 형성한다. 상기 제1 전압은 300 V 내지 800V로 설정되며, 제2 전압은 제1 전압보다 작으며 바람직하게는 제1 전압의 20 내지 50%의 범위로 설정된다. 만일 캐소오드 전위(즉, 타겟부(130, 131)의 전위)와 동등한 전위가 쉴드(140)에 인가될 경우에, 쉴드(140) 표면에서도 아르곤 이온에 의한 스퍼터링이 발생될 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위해서는 제2 전압을 제1 전압의 20% 이상의 전위차가 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 전압이 700V인 경우에 제2 전압은 540 V 이하의 전위로 설정될 수 있다.
상기 쉴드(140)는 기판(120) 방향 측의 일면이 타겟(130)의 기판(120) 방향 측의 일면과 동일한 높이로 형성되어 동일 평면을 이루거나, 타겟(130)의 기판(120) 방향 측의 일면보다 낮게 되도록 형성될 수 있다. 즉, 상기 쉴드(140)는 기판(120)과의 거리가 타겟(130)과 기판(120)의 거리와 같거나 멀게 된다. 따라서, 상기 쉴드(140)는 제2전압이 인가되어 스퍼터링 되더라도 쉴드(140)의 물질이 기판(120)에 증착되는 것을 최소화시킬 수 있게 된다.
상기 쉴드(140)는 타겟(130)을 구성하는 물질과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 타겟(130)이 니켈로 구성되는 경우, 상기 쉴드(140)도 니켈로 구성될 수 있다. 따라서, 상기 쉴드(140)에 전압이 인가되는 관계로 쉴드(140)에서 스퍼터링이 발생하더라도, 타겟(130)과 동일한 물질이 기판(120)에 증착되므로 기판(120)이 타겟(130)과 다른 물질로 오염되는 것을 방지하게 된다.
상기 전원 공급부(150)는 진공 챔버(110)의 외부에 설치되어, 진공 챔버(110) 내부의 백킹 플레이트(132)와 쉴드(140)에 동시에 전기적으로 연결되어 각각 제1 전압 및 제2 전압을 공급한다. 따라서, 상기 전원 공급부(150)와 쉴드(140) 사이에는 쉴드(140)에 공급되는 전압을 타겟(130)에 공급되는 전압보다 작게 제어하기 위한 저항소자가 연결될 수 있다. 상기 전원 공급부(150)는 전원공급선(133)를 통하여 타겟(130)과 전기적으로 연결된다. 한편, 상기 전원 공급부(150)는 타겟(130)과 쉴드(140)에 서로 다른 전압을 공급하도록 별도로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(10)는 타겟(130)의 외측에 배치되는 쉴드(140)에 타겟(130)에 공급되는 전압보다 상대적으로 작은 전압이 인가되도록 하여 타겟(130)과 쉴드(140) 간에 최적의 전기장이 형성되도록 할 수 있다. 따라서, 상기 넌-마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟(130)과 쉴드(140) 간의 전기장의 세기를 최소화하여 쉴드(140)에서 비정상적인 박막이 성장되는 것을 억제할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치의 타겟(130)과 쉴드(140) 및 전원 공급부(150) 간의 저항관계를 살펴보면, 타겟(130) 표면과 기판 및 진공용기 사이에서의 저항(R1)은, 전원 공급부(150)와 쉴드(140)간의 저항(R), 타겟(130)과 쉴드(140)간의 저항(RL), 쉴드(140) 표면과 기판 및 진공용기 벽면에서의 저항(RS)의 합(R2)보다 작아야 한다. 바람직하게는 R1<<R2의 관계를 가지게 된다. 이러한 관계를 수식으로 표현하면 아래 [수학식 1]과 [수학식 2]와 같이 표현될 수 있다.
[수학식 1]
1/R21=1/RL+1/R=(RL+R)/RLR
[수학식 2]
R2=R21+RS=RLR/(RL+R)+RS
따라서, 전원 공급부(150)와 쉴드(140) 간의 저항(R)을 가변저항으로 형성하고, 이러한 가변저항을 조정하여 R2의 저항값을 제어할 수 있게 된다. 또한, 전원 공급부(150)와 쉴드(140) 간의 저항(R)은 제1 전압의 크기에 따라 변경될 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 100MΩ 크기에서 가변될 수 있도록 형성된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(20)는 진공 챔버(210), 타겟(230), 제1 쉴드(240), 제2 쉴드(250) 및 전원 공급부(260)를 포함한다. 도 5의 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(20)는 도 3 및 도 4의 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(10)에 대한 변형 실시예에 해당되는 것으로서, 도 5를 구성하는 진공 챔버(210), 타겟(230), 제1 쉴드(240), 및 전원 공급부(260)는 도 3 및 도 4를 구성하는 진공 챔버(110), 타겟(130), 쉴드(140), 및 전원 공급부(150)와 그 구조 및 기능이 동일하므로, 이하에서는 동일한 구성들에 대한 설명은 중복을 피하기 위하여 생략하기로 한다. 다만, 도 5의 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(20)는 진공 챔버(210) 내부에 배치되는 기판(220)을 소정 방향(예를 들면, 도 5의 화살표 방향)으로 이송시키기 위한 이송수단(미도시)이 구비될 수 있다.
상기 제2 쉴드(250)는 제1 쉴드(240)의 외측에 배열되는 접지상태인 쉴드이다. 상기 제2 쉴드(250)는 타겟(230)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 한편, 상기 제2 쉴드(250)는 음의 전하가 걸려있는 타겟(230)의 상대전극으로 작용하여 플라즈마 방전시 양극 역할을 하고, 타겟(230)과 일정한 거리를 유지하여 방전이 발생되도록 유지할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 넌-마그네트론 스퍼터링 장치(20)는 제1 쉴드(240)에 제2 전압을 인가하여 제1 쉴드(240)에서 비정상적인 박막 성장에 중요한 역할을 하는 전기장의 세기를 최소화할 수 있고, 나아가 제1 쉴드(240) 주위에 제2 쉴드(250)를 배열하여 제2 쉴드(250)로 하여금 기준 전위용 접지전위를 형성하도록 함으로써, 이송되는 기판(220)에 타겟(230)으로부터 방출된 입자를 증착할 경우 타겟(230) 면 위에서 달라질 수 있는 전기장의 세기를 일정하게 유지할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 넌-마그네트론 스퍼터링 장치의 캐소오드 구성에 관한 것이며, 타겟과 이의 외측에 배치되는 쉴드에 인가되는 전위에 관한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
10, 20: 넌-마그네트론 스퍼터링 장치 110, 210: 진공 챔버
130, 230: 타겟 140: 쉴드
240: 제1 쉴드 250: 제2 쉴드
150, 260: 전원 공급부

Claims (12)

  1. 내부에 기판이 배치되는 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내부에 상기 기판에 대향되도록 배치되고, 타겟이 표면에 부착되며 제1 전압이 공급되는 타겟;
    상기 타겟의 외측에 배열되고, 상기 타겟에 공급된 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 공급되는 적어도 하나의 쉴드; 및
    상기 타겟 및 쉴드에 상기 제1 전압 및 제2 전압을 인가하는 전원 공급부를 포함하며,
    상기 전원 공급부와 상기 쉴드 사이에는 고정 저항소자 또는 가변 저항소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 타겟과 상기 쉴드는 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 쉴드는 기판 방향 측의 일면이 타겟의 기판 방향 측의 일면과 동일한 높이로 형성되어 동일 평면을 이루거나, 타겟의 기판 방향 측의 일면보다 낮게 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전압은 제1 전압과 20% 이상의 전위차가 형성되도록 낮은 전위가 인가되어 형성되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  6. 내부에 기판과, 상기 기판을 이송시키는 이송수단이 배치되는 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내부에 상기 기판에 대향되도록 배치되고, 타겟이 표면에 부착되며 제1 전압이 공급되는 타겟;
    상기 타겟의 외측에 배열되고, 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압이 공급되는 적어도 하나의 제1 쉴드;
    상기 제1 쉴드의 외측에 배열되고, 접지상태인 적어도 하나의 제2 쉴드; 및
    상기 타겟 및 제1 쉴드에 상기 제1 전압 및 제2 전압을 인가하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 타겟과 상기 제1 쉴드는 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 쉴드는 기판 방향 측의 일면이 타겟의 기판 방향 측의 일면과 동일한 높이로 형성되어 동일 평면을 이루거나, 타겟의 기판 방향 측의 일면보다 낮게 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 전원 공급부와 상기 제1 쉴드 사이에는 고정저항 또는 가변 저항소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제2 전압은 제1 전압과 20% 이상의 전위차가 형성되도록 낮은 전위가 인가되어 형성되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 제2 쉴드는 상기 진공챔버에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 제2 쉴드는 상기 타겟의 기판 방향 측의 일면보다 높거나 동일하게 형성되는 것을 특징으로 것을 특징으로 하는 넌-마그네트론 스퍼터링 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0987835A (ja) * 1995-09-25 1997-03-31 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置、及びスパッタリング方法
KR20090062603A (ko) * 2007-12-13 2009-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 장치를 사용한 평판 표시장치의제조방법
KR20090077071A (ko) * 2007-11-09 2009-07-14 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 ＳｎＯ2계 스퍼터링 타겟

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