KR101321582B1 - Susceptor having a function of self-balancing and deposition equipment using the same - Google Patents

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KR101321582B1 KR1020120009998A KR20120009998A KR101321582B1 KR 101321582 B1 KR101321582 B1 KR 101321582B1 KR 1020120009998 A KR1020120009998 A KR 1020120009998A KR 20120009998 A KR20120009998 A KR 20120009998A KR 101321582 B1 KR101321582 B1 KR 101321582B1
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Abstract

서셉터가 구비된 증착 공정장가 개시된다. 원판 형상을 가지며 복수개의 기판을 지지한 상태로 중심축을 기준으로 회전 가능하도록 형성된 본체 및 상기 본체가 복수개의 기판을 지지한 상태로 회전할 때 편심 질량을 밸런싱 하여 회전시 발생되는 진동을 저감시키는 밸런싱부를 포함한다.
박막의 증착 공정속도를 상승시키고 불량률을 낮추기 위해 본체의 외주면을 따라 편심을 없애고 진동을 억제하는 밸런싱부가 배치된 서셉터를 제공한다. A deposition process field equipped with a susceptor is disclosed. A main body having a disc shape and formed to be rotatable about a central axis while supporting a plurality of substrates, and a balancing to reduce vibration generated during rotation by balancing an eccentric mass when the main body rotates while supporting a plurality of substrates. Contains wealth.
In order to increase the deposition process speed of the thin film and to lower the defect rate, a susceptor having a balancing part arranged to remove eccentricity and suppress vibration along the outer circumferential surface of the main body is provided.

Description

밸런싱 기능을 갖는 서셉터 및 이를 이용하는 증착 공정장비 {Susceptor having a function of self-balancing and deposition equipment using the same}Susceptor having a function of self-balancing and deposition equipment using the same}

본 발명은 밸런싱 기능을 갖는 서셉터에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판에 박막 증착공정을 진행하기 위하여 챔버 내에 배치되는 서셉터가 밸런스를 스스로 유지할 수 있도록 한 증착 공정장비에 관한 것이다.
The present invention relates to a susceptor having a balancing function, and more particularly, to a deposition process equipment for allowing a susceptor disposed in a chamber to maintain a balance by itself in order to perform a thin film deposition process on a substrate.

일반적으로, 박막 증착 공정에서 기판이 대경화 될수록 기판 전표면에 균일한 두께의 박막을 증착하는 것이 어려워진다. 더욱이 하나의 반응 챔버에 여러 개의 기판을 배치시키고 이들 기판에 박막을 증착시키고자 하는 경우, 모든 기판에 동일한 두께의 박막을 형성시키는 것은 매우 어렵다. 이는, 반응 챔버 내에 적층 원료(가스 및 물질)들이 균일하게 분포하지 못하기 때문이다. 즉, 하나의 반응 챔버 내에 여러 개의 기판이 배치되어 박막을 동시에 증착하게 되면 생산수율이 좋아짐에도 불구하고, 기판에 균일하게 증착이 이루어지기 어려워 이를 해결하기 위하여 다양한 연구가 진행되고 있다.In general, the larger the substrate is in the thin film deposition process, the more difficult it is to deposit a thin film of uniform thickness on the entire surface of the substrate. Moreover, when placing several substrates in one reaction chamber and depositing thin films on these substrates, it is very difficult to form thin films of the same thickness on all the substrates. This is because the stacked raw materials (gas and materials) are not uniformly distributed in the reaction chamber. That is, when several substrates are disposed in one reaction chamber and the thin films are deposited at the same time, even though the production yield is improved, it is difficult to uniformly deposit the substrates.

한편, 반도체소자의 고집적화로 말미암아 반도체소자의 크기가 줄어들게 되었으며 이에 따라 반도체소자의 수직구조상의 크기(vertical dimension)도 줄어들게 되었다. 대표적인 것으로, 트랜지스터의 게이트 절연막과 DRAM의 정보기억 장치인 캐퍼시터 유전막 등을 들 수 있다. 이들 박막들을 100Å 내외의 아주 얇은 두께로 성공적으로 형성시키기 위해서 성분 원소의 원료들을 기판에 동시 공급하여 박막을 증착하는 통상의 화학 증착법 대신 원료들을 기판에 교대로 반복 공급하면서 박막을 형성하는 증착 방법이 연구되고 있다. 이는 화학반응에 의해서만 증착이 이루어지므로 표면 요철에 관계없이 균일한 두께의 박막을 성장시킬 수 있고, 증착 두께가 증착 시간에 비례하는 것이 아니라 원료 공급 주기의 수에 비례하기 때문에 형성되는 박막의 두께도 정밀하게 제어할 수 있기 때문이다. 하지만 이 방법을 실제 적용할 경우, 원료들의 공급, 퍼지, 배기 시간 등에 의해 공정 속도가 매우 느려지는 상황이 발생할 수 있다. 따라서, 이와 같은 공정속도를 높여주기 위하여 기판에 원료를 균등하게 배치시킬 수 있는 연구가 진행되고 있다.
On the other hand, the size of the semiconductor device is reduced due to the high integration of the semiconductor device, thereby reducing the vertical dimension of the semiconductor device. Typical examples include a gate insulating film of a transistor and a capacitor dielectric film, which is an information storage device of a DRAM. In order to successfully form these thin films with a very thin thickness of about 100Å, a deposition method in which a thin film is formed by alternately supplying raw materials to the substrate alternately instead of the conventional chemical vapor deposition method in which the raw materials of the elemental elements are simultaneously supplied to the substrate and the thin film is deposited. Is being studied. Since the deposition is performed only by a chemical reaction, it is possible to grow a thin film of uniform thickness irrespective of surface irregularities, and the thickness of the thin film formed because the deposition thickness is not proportional to the deposition time but proportional to the number of raw material supply cycles. This is because precise control is possible. However, when the method is actually applied, the process speed may be very slow due to supply, purge, and exhaust time of raw materials. Therefore, in order to increase the process speed, research is being conducted to evenly arrange the raw materials on the substrate.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 증착 공정속도를 높이면서 웨이퍼 기판에 원료를 균등하게 증착할 수 있도록 회전하면서도 진동이 거의 없는 서셉터가 필요함에 따라 불평형 질량에 의한 진동을 저감시키는 서셉터를 제공함을 목적으로 한다.
The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and the rotational to uniformly deposit the raw material on the wafer substrate while increasing the deposition process speed is required as the susceptor with little vibration is required to the unbalanced mass An object of the present invention is to provide a susceptor that reduces vibration caused by the vibration.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 서셉터는, 원판 형상을 가지며 복수개의 기판을 지지한 상태로 중심축을 기준으로 회전 가능하도록 형성된 본체; 및 상기 본체가 복수개의 기판을 지지한 상태로 회전할 때 편심 질량을 밸런싱 하여 회전시 발생되는 진동을 저감시키는 밸런싱부를 포함하고, 상기 밸런싱부는, 상기 본체의 외주면 둘레에 마련된 링 형상의 케이싱; 및 상기 케이싱 내부에 자유롭게 이동 가능하도록 복수개의 볼을 구비하며, 상기 밸런싱부가 구비하는 볼의 질량과 개수는 아래식에 의해 정해지며,

Figure 112013062878515-pat00030

여기서,
Figure 112013062878515-pat00031
는 볼 질량,
Figure 112013062878515-pat00032
는 볼링 반경(본체 회전축으로부터 볼 중심까지의 거리),
Figure 112013062878515-pat00033
는 볼 위치각도
Figure 112013062878515-pat00034
는 본체의 불평형량,
Figure 112013062878515-pat00035
는 각 기판의 배치 불량에 의한 불평형량 및
Figure 112013062878515-pat00036
는 기판의 개수인 것
을 특징으로 한다.In order to achieve the object as described above, the susceptor according to the present invention, the main body having a disk shape and formed to be rotatable about a central axis while supporting a plurality of substrates; And a balancing part for balancing vibration generated when the main body rotates while supporting the plurality of substrates to reduce vibration generated when the main body rotates, wherein the balancing part comprises: a ring-shaped casing provided around an outer circumferential surface of the main body; And a plurality of balls so as to be freely movable in the casing, and the mass and number of the balls provided in the balancing part are determined by the following equation,
Figure 112013062878515-pat00030

here,
Figure 112013062878515-pat00031
Is the ball mass,
Figure 112013062878515-pat00032
Is the bowling radius (distance from the body rotation axis to the ball center),
Figure 112013062878515-pat00033
Ball position angle
Figure 112013062878515-pat00034
Is the unbalance of the body,
Figure 112013062878515-pat00035
Is the amount of unbalance due to misalignment of each substrate and
Figure 112013062878515-pat00036
Is the number of substrates
.

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본 발명의 다른 형태에 따르면, 전술한 바와 같이 기재된 서셉터를 포함하는 증착 공정 장비가 제공된다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a deposition process equipment comprising a susceptor as described above.

본 발명에 따른 서셉터는, 박막의 증착 공정속도를 상승시키고 불량률을 낮추기 위해서 공정 중에 발생되는 편심을 없애고 진동을 억제하는 서셉터를 제공하는 효과가 있다.
The susceptor according to the present invention has the effect of providing a susceptor that suppresses vibration and suppresses eccentricity generated during the process in order to increase the deposition process speed of the thin film and lower the defective rate.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 서셉터가 구비된 증착공정장치의 단면도.
도 2 는 도 1에 도시된 서셉터의 정면도.
도 3 은 도 2에 도시된 본체 정면도.
도 4 는 도 2에 도시된 밸런싱부의 부분 단면도.
도 5 는 도 4의 밸런싱부의 밸런싱 방법을 나타낸 개념도. 1 is a cross-sectional view of a deposition process apparatus equipped with a susceptor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view of the susceptor shown in FIG. 1. FIG.
3 is a front view of the main body shown in FIG.
4 is a partial cross-sectional view of the balancing part shown in FIG.
5 is a conceptual diagram illustrating a balancing method of the balancing unit of FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면과 연계하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 따른 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 상세한 설명은 생략한다. 들어가기에 앞서, 본 발명을 설명하는데 있어서, 그 실시예가 상이하더라도 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하고, 필요에 따라 그 설명을 생략할 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description according to the related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. Prior to entering, in describing the present invention, even if the embodiments are different, the same reference numerals are used for the same configuration, and the description thereof may be omitted as necessary.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 서셉터가 구비된 증착공정장치의 단면도, 도 2 는 도 1에 도시된 서셉터의 정면도이다.
1 is a cross-sectional view of a deposition process apparatus with a susceptor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a front view of the susceptor shown in FIG.

도면을 참조하여 설명하면, 서셉터(2)는 챔버(100)내에 배치된다. 서셉터(2)는 기판(w)을 고정하는 기판 파지부(12)를 구비하는 본체(10)와 증착 공정 시 본체(10)가 진동하는 것을 방지하는 밸런싱부(20)를 포함한다.
Referring to the drawings, the susceptor 2 is disposed in the chamber 100. The susceptor 2 includes a main body 10 having a substrate holding part 12 for fixing the substrate w and a balancing part 20 for preventing the main body 10 from vibrating during the deposition process.

본체(10)는 챔버(100)의 하단에 배치된다. 본체(10)는 챔버(100)의 상단부에서 공급되는 원료(3:기체 및 물질)가 기판(w) 표면에 증착되도록 챔버(100)의 중앙하단에 배치되는 것이 바람직하다. 본체(10)는 증착공정을 진행할 때 기판(w)의 표면에 원료(3)가 균등하게 증착되도록 회전한다. 본체(10)의 하단부에는 회전을 전달하는 구동축(16)이 배치된다. 본체(10)는 구동축(16)과 연결하기 위하여 별도의 연결부재를 배치할 수도 있다. 구동축(16)은 챔버(100)의 외부에서 회전력을 전달받는 구동장치(30)가 연결된다. 구동장치(30)로서는 예를 들어 모터가 사용된다.
The main body 10 is disposed at the lower end of the chamber 100. The main body 10 is preferably disposed at the lower center of the chamber 100 so that the raw material 3 (gas and material) supplied from the upper end of the chamber 100 is deposited on the surface of the substrate w. The main body 10 rotates to uniformly deposit the raw material 3 on the surface of the substrate w during the deposition process. The lower end of the main body 10 is disposed a drive shaft 16 for transmitting the rotation. The main body 10 may include a separate connecting member to connect with the drive shaft 16. The drive shaft 16 is connected to a drive device 30 that receives a rotational force from the outside of the chamber 100. As the drive device 30, a motor is used, for example.

도 3 은 도 2에 도시된 본체 정면도이다. 도면을 참조하여 설명하면, 본체(10)는 기판 파지부(12)가 삽입되어 고정되도록 개구부(14)가 배치된다. 개구부(14)는 원통형상을 갖는다. 본 실시예에서는 5개의 기판 파지부(12)가 마련되며, 이에 대응하여 5개의 개구부(14)가 형성된다. 개구부(14)는 구동축(16)을 중심으로 일정거리 이격되어 배치되는 것이 좋다. 기판 파지부(12) 또는 개구부(14)의 수량은 공정상 필요에 따라 증감될 수 있으며 이를 한정하기 위함은 아니다.
3 is a front view of the main body shown in FIG. Referring to the drawings, the opening portion 14 is disposed in the main body 10 so that the substrate holding portion 12 is inserted and fixed. The opening 14 has a cylindrical shape. In the present embodiment, five substrate holding portions 12 are provided, and correspondingly, five opening portions 14 are formed. The opening 14 may be disposed to be spaced apart from the driving shaft 16 by a predetermined distance. The quantity of the substrate holding part 12 or the opening part 14 may be increased or decreased as needed in the process, but is not limited thereto.

기판 파지부(12)는 기판(w)을 고정한다. 기판 파지부(12)의 상단 일측은 기판(w)을 고정하고 하단 일측은 본체(10)에 고정한다. 기판 파지부(12)는 챔버(100)의 상단부를 통하여 원료(3)를 공급 받아 증착 공정을 진행할 때 기판(w)을 고정한다. 기판 파지부(12)는 하단부의 일부가 개구부(14)에 삽입되어 고정된다. 기판 파지부(12)는 개구부(14)의 형상에 따라 원형으로 형성되는 게 좋다. 즉, 기판 파지부(12)의 형태는 개구부(14)의 형태에 따라 변경이 가능하다.The substrate holding part 12 fixes the substrate w. The upper end side of the substrate holding part 12 fixes the substrate w and the lower end side is fixed to the main body 10. The substrate holding part 12 receives the raw material 3 through the upper end of the chamber 100 and fixes the substrate w when the deposition process is performed. The substrate holding portion 12 is fixed by inserting a portion of the lower end portion into the opening portion 14. The substrate holding portion 12 may be formed in a circular shape according to the shape of the opening 14. That is, the shape of the substrate holding part 12 can be changed depending on the shape of the opening 14.

기판 파지부(12)가 개구부(14)에 삽입되면 기판 파지부(12)의 표면은 본체(10)의 표면과 일치되도록 형성되는 것이 좋다. 이는, 챔버(100) 내부로 원료(3)가 공급 되면 원료(3)가 본체(10)의 외주부측으로 흘러나갈 수 있도록 하기 위함이다. 기판 파지부(12)는 본체(10)의 회전축을 기준으로 대칭으로 배치되는 게 좋다. 기판 파지부(12)는 본체(10)과 체결시 2개의 지지점(미표시)으로 연결되는 것이 바람직하다. 이는 고유진동수를 낮추는 효과가 있다.
When the substrate holding portion 12 is inserted into the opening 14, the surface of the substrate holding portion 12 may be formed to coincide with the surface of the main body 10. This is to allow the raw material 3 to flow to the outer circumferential side of the main body 10 when the raw material 3 is supplied into the chamber 100. The substrate gripping portion 12 may be disposed symmetrically with respect to the rotation axis of the main body 10. The substrate gripping portion 12 is preferably connected to two support points (not shown) when fastening with the main body 10. This has the effect of lowering the natural frequency.

도 4 는 도 2에 도시된 밸런싱부의 부분 단면도이다. 도면을 참조하여 설명하면, 밸런싱부(20)는 본체(10)의 외주면을 따라 배치되는 케이싱(22)과 본체(10)의 불변형질량에 따라 이동하는 복수개의 볼(24)을 포함한다.
4 is a partial cross-sectional view of the balancing unit shown in FIG. 2. Referring to the drawings, the balancing unit 20 includes a casing 22 disposed along the outer circumferential surface of the main body 10 and a plurality of balls 24 moving in accordance with the invariant mass of the main body 10.

밸런싱부(20)는 본체(10)과 기판 파지부(12)의 제작과정 또는 조립과정 시에 발생되는 불평형질량에 의해 회전시 진동이 발생하는 것을 방지한다. 또한 불평형 질량은 서셉터 상에 배치되는 웨이퍼 기판에 의해서도 발생될 수 있다. 밸런싱부(20)는 증착공정을 진행하기 위하여 서셉터(2)가 회전할 때 이러한 불평형질량에 의하여 발생되는 진동을 방지 내지 저감시킨다. 즉, 밸런싱부(20)는 불평형질량에 의한 편심량에 대하여 반대방향으로 볼(22)을 위치시켜서 동적으로 밸런싱을 수행하여 서셉터(2)가 진동없이 회전하도록 한다.
The balancing unit 20 prevents vibration from occurring due to an unbalanced mass generated during manufacturing or assembling the main body 10 and the substrate holding unit 12. Unbalanced mass can also be generated by the wafer substrate disposed on the susceptor. The balancing unit 20 prevents or reduces vibration generated by such an unbalanced mass when the susceptor 2 rotates to proceed with the deposition process. That is, the balancing unit 20 dynamically balances the balls 22 by positioning the balls 22 in the opposite direction with respect to the eccentricity caused by the unbalanced mass so that the susceptor 2 rotates without vibration.

케이싱(22)은 본체(10)의 외주면을 따라 배치되어 볼(24)의 이탈을 방지한다. 케이싱(22)는 ‘ㄷ’홈 형상으로 형성되는 것이 좋다. 케이싱(22)은 회전에 따른 볼(24)의 마찰을 최대한 줄여주는 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 케이싱(22)는 본체(10)의 표면과 같은 높이로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 챔버(100)의 상단부에서 공급되는 원료(3)의 흐름을 방해하지 않기 위함이다.
The casing 22 is disposed along the outer circumferential surface of the main body 10 to prevent the ball 24 from being separated. The casing 22 is preferably formed in the 'c' groove shape. Casing 22 is preferably used to reduce the friction of the ball 24 according to the rotation as possible. The casing 22 is preferably formed at the same height as the surface of the main body 10. This is to prevent the flow of the raw material 3 supplied from the upper end of the chamber 100.

볼(24)은 본체(10)의 두께 보다 지름이 작은 다수개의 구로 형성된다. 질량 편심량에 대한 볼 질량의 기여도를 높이기 위하여 볼(24)은 본체(10)의 외주면을 따라 배치되는 것이 좋다. 다만 이는, 볼(24)의 위치를 한정하기 위함은 아니며 본체(10)의 균형을 잡을 수 있는 서셉터에서의 어떠한 위치여도 상관없다.
The ball 24 is formed of a plurality of spheres having a diameter smaller than the thickness of the main body 10. In order to increase the contribution of the ball mass to the amount of eccentricity of the ball, the ball 24 may be disposed along the outer circumferential surface of the main body 10. However, this is not intended to limit the position of the ball 24 and may be any position in the susceptor that can balance the main body 10.

도 5 는 도 4의 밸런싱부의 밸런싱 방법을 나타낸 개념도이다.5 is a conceptual diagram illustrating a balancing method of the balancing unit of FIG. 4.

도면을 참조하여 설명하면, 밸런싱부(20)에 구비되는 볼(24)의 질량(

Figure 112012008233069-pat00008
) 및/또는 개수(N)는 수식 1에 의하여 결정될 수 있다. Referring to the drawings, the mass of the ball 24 provided in the balancing unit 20 (
Figure 112012008233069-pat00008
) And / or the number N may be determined by Equation 1.

<수식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112012008233069-pat00009
Figure 112012008233069-pat00009

여기서,

Figure 112012008233069-pat00010
는 볼 질량,
Figure 112012008233069-pat00011
는 볼링 반경(본체 회전축으로부터 볼 중심까지의 거리),
Figure 112012008233069-pat00012
는 볼 위치각도
Figure 112012008233069-pat00013
는 본체의 불평형량,
Figure 112012008233069-pat00014
는 각 기판의 배치 불량에 의한 불평형량 및
Figure 112012008233069-pat00015
는 기판의 개수.here,
Figure 112012008233069-pat00010
Is the ball mass,
Figure 112012008233069-pat00011
Is the bowling radius (distance from the body rotation axis to the ball center),
Figure 112012008233069-pat00012
Ball position angle
Figure 112012008233069-pat00013
Is the unbalance of the body,
Figure 112012008233069-pat00014
Is the amount of unbalance due to misalignment of each substrate and
Figure 112012008233069-pat00015
Is the number of substrates.

본 실시예에서는, 5개의 기판이 서셉터 표면에 배치되므로

Figure 112012008233069-pat00016
는 5가 된다. 본 출원인의 실험에 따르면, 아래 관계를 만족하는 것이 바람직하다.In this embodiment, five substrates are disposed on the susceptor surface.
Figure 112012008233069-pat00016
Becomes 5. According to the applicant's experiment, it is preferable to satisfy the following relationship.

<수식 2>&Quot; (2) &quot;

Figure 112012008233069-pat00017
Figure 112012008233069-pat00017

이하 본 발명의 실시예에 의한 작용을 첨부도면과 연계하여 설명하면 다음과 같다.  Hereinafter, the operation of the embodiment of the present invention will be described in connection with the accompanying drawings.

서셉터(2)는 증착공정을 진행하기 위하여 기판(w)을 지지하면서 회전한다. 이때, 본체(10), 기판 파지부(12), 기판(w)의 불평형질량에 의해 진동이 발생한다. 밸런싱부(20)는 서셉터(2)이 회전을 하면 볼(24)이 불평형질량의 반대 위치로 이동하면 불평형질량에 따른 진동을 방지 내지 저감시킨다. 이때, 케이싱(22)는 볼(24)이 이동하는 통로 역할을 하면서 이탈을 방지한다. The susceptor 2 rotates while supporting the substrate w in order to proceed with the deposition process. At this time, vibration occurs due to an unbalanced mass of the main body 10, the substrate holding part 12, and the substrate w. When the susceptor 2 rotates, the balancing unit 20 prevents or reduces vibration caused by the unbalanced mass when the ball 24 moves to the opposite position of the unbalanced mass. At this time, the casing 22 serves as a passage through which the ball 24 moves and prevents separation.

이상과 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. It is therefore to be understood that the embodiments described above are illustrative and not restrictive in every respect and that the scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing description, And all changes or modifications derived from equivalents thereof should be construed as being included within the scope of the present invention.

1: 증착 공정장비
2: 서셉터
10: 본체
12: 기판 파지부 14: 개구부 16: 구동축
20: 밸런싱부
22: 케이싱 24: 볼
30: 구동장비
100: 챔버
w: 기판 1: Deposition process equipment
2: susceptor
10: Body
12: substrate gripping portion 14 opening 16: drive shaft
20: Balancing part
22: casing 24: ball
30: driving equipment
100: chamber
w: substrate

Claims (4)

원판 형상을 가지며 복수개의 기판을 지지한 상태로 중심축을 기준으로 회전 가능하도록 형성된 본체; 및
상기 본체가 복수개의 기판을 지지한 상태로 회전할 때 편심 질량을 밸런싱 하여 회전시 발생되는 진동을 저감시키는 밸런싱부를 포함하고,
상기 밸런싱부는,
상기 본체의 외주면 둘레에 마련된 링 형상의 케이싱; 및
상기 케이싱 내부에 자유롭게 이동 가능하도록 복수개의 볼
을 구비하며,
상기 밸런싱부가 구비하는 볼의 질량과 개수는 아래식에 의해 정해지며,
Figure 112013062878515-pat00037

여기서,
Figure 112013062878515-pat00038
는 볼 질량,
Figure 112013062878515-pat00039
는 볼링 반경(본체 회전축으로부터 볼 중심까지의 거리),
Figure 112013062878515-pat00040
는 볼 위치각도
Figure 112013062878515-pat00041
는 본체의 불평형량,
Figure 112013062878515-pat00042
는 각 기판의 배치 불량에 의한 불평형량 및
Figure 112013062878515-pat00043
는 기판의 개수인 것
을 특징으로 하는 서셉터.
A main body having a disc shape and formed to be rotatable about a central axis while supporting a plurality of substrates; And
It includes a balancing unit for reducing the vibration generated during the rotation by balancing the eccentric mass when the main body rotates while supporting a plurality of substrates,
The balancing unit includes:
A ring shaped casing provided around an outer circumferential surface of the main body; And
A plurality of balls to be freely movable inside the casing
And,
The mass and number of balls provided in the balancing part are determined by the following equation,
Figure 112013062878515-pat00037

here,
Figure 112013062878515-pat00038
Is the ball mass,
Figure 112013062878515-pat00039
Is the bowling radius (distance from the body rotation axis to the ball center),
Figure 112013062878515-pat00040
Ball position angle
Figure 112013062878515-pat00041
Is the unbalance of the body,
Figure 112013062878515-pat00042
Is the amount of unbalance due to misalignment of each substrate and
Figure 112013062878515-pat00043
Is the number of substrates
Susceptor characterized in that.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 기재된 서셉터를 포함하는 증착 공정 장비.Deposition process equipment comprising the susceptor of claim 1.
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