KR100959725B1 - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 자기부상 원리를 이용하여 웨이퍼를 회전시킴으로써 증착 중 발생되는 이물질을 사전에 방지하여 공정 수율 및 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치를 제공하는 데 있다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and a technical problem to be solved is to chemically improve process yield and reliability of a semiconductor device by preventing a foreign substance generated during deposition by rotating a wafer by using a magnetic levitation principle. To provide a vapor deposition apparatus.

이를 위해 본 발명은 다수의 웨이퍼가 장착된 다수의 돔, 다수의 돔을 고정하기 위해 돔과 대응되는 개수로 서로 이격되어 하부 방향을 향하는 다수의 고정 암을 갖는 지그, 각각의 돔과 각각의 고정 암을 연결하는 베어링과 베어링의 외주를 따라 N극 자성체 및 S극 자성체가 교차되도록 형성된 마그넷 휠을 갖는 휠, 휠의 하부에 고정되도록 배치되며, N극 자성체 및 S극 자성체가 교차되도록 마그넷 휠과 대향하여 형성된 마그넷 플레이트를 포함하는 고정 플레이트 및 지그의 상부 중앙에 형성되어 지그를 회전시키는 회전 샤프트를 포함하여 이루어지는 화학 기상 증착 장치를 개시한다. To this end, the present invention provides a plurality of domes on which a plurality of wafers are mounted, a jig having a plurality of fixing arms that are spaced apart from each other by a number corresponding to the domes for fixing a plurality of domes, and facing downwards, each dome and each fixing A wheel having a magnet wheel formed so that the N pole magnetic body and the S pole magnetic body intersect along the outer circumference of the bearing and the bearing connecting the arm, and are arranged to be fixed to the lower part of the wheel, and the magnet wheel so that the N pole magnetic body and the S pole magnetic body intersect. A chemical vapor deposition apparatus comprising a stationary plate including opposing magnet plates and a rotating shaft formed at an upper center of the jig to rotate the jig.

고정 플레이트, 웨이퍼, 자기부상, 화학 기상 증착, 휠 Fixed Plates, Wafers, Magnetic Levitation, Chemical Vapor Deposition, Wheels

Description

화학 기상 증착 장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Chemical Vapor Deposition Apparatus {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자기부상 원리를 이용하여 웨이퍼를 회전시킴으로써 증착 중 발생되는 이물질을 사전에 방지하여 공정 수율 및 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to chemical vapor deposition which can improve process yield and reliability of a semiconductor device by preventing a foreign substance generated during deposition by rotating a wafer using a magnetic levitation principle. Relates to a device.

화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 방식은 반도체 장치(Semiconductor Device)의 제조 단계 중 웨이퍼(Wafer)에 금속 및 절연막 등의 박막 증착(Deposition)을 위하여 사용되는 방식으로 반도체 장치의 제조 단계에서 많은 비중을 차지하는 부분이다. 이러한, 화학 기상 증착 방식은 웨이퍼에 순도가 높은 박막을 증착할 수 있으며, 여러 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능한 장점이 있다. 또한, 화학 기상 증착 방식은 공정 조건의 제어 범위가 상대적으로 넓기 때문에 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있다. Chemical Vapor Deposition (CVD) is a method used for thin film deposition such as metals and insulating films on wafers during the manufacturing of semiconductor devices. It is a part of the weight. Such a chemical vapor deposition method is capable of depositing a high purity thin film on a wafer, and has the advantage of being able to deposit various kinds of elements and compounds. In addition, the chemical vapor deposition method can easily obtain a thin film of various characteristics because the control range of the process conditions is relatively wide.

종래의 화학 기상 증착 장치는 웨이퍼에 박막을 균일한 두께로 증착하기 위 하여, 박막이 증착되는 동안에 웨이퍼를 회전하도록 한다. 이에 따라, 웨이퍼에 증착되는 원료의 증기가 웨이퍼의 전면에 걸쳐 고르게 증착된다. 웨이퍼는 예를 들어, 돔 형상의 고정 장치에 장착된 후, 상기 돔을 회전 가능한 지그(Jig)에 연결하는 방식을 통해 회전될 수 있다. 이때, 상기 지그는 적어도 일부에 휠(Wheel)이 연결되어 상기 휠이 고정된 플레이트(Plate)에 접촉되어 자동으로 회전하도록 되어 있다. 상기와 같은 화학 기상 증착 장치는 상기 휠과 플레이트가 서로 접촉하면서 발생 가능한 이물질로 인하여 웨이퍼 및 이에 증착되는 박막이 오염됨으로써, 공정 수율 및 반도체 장치의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다. Conventional chemical vapor deposition apparatus allows the wafer to be rotated while the thin film is deposited, in order to deposit the thin film to a uniform thickness on the wafer. As a result, the vapor of the raw material deposited on the wafer is evenly deposited over the entire surface of the wafer. The wafer may be rotated, for example, by mounting it in a dome-shaped fixture and then connecting the dome to a rotatable jig. At this time, the jig is connected to at least a portion of the wheel (Wheel) so that the wheel is in contact with the fixed plate (Plate) is to automatically rotate. In the chemical vapor deposition apparatus as described above, the wafer and the thin film deposited thereon are contaminated due to foreign matters generated when the wheel and the plate come into contact with each other, thereby lowering process yield and reliability of the semiconductor device.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 자기부상 원리를 이용하여 웨이퍼를 회전시킴으로써 증착 중 발생되는 이물질을 사전에 방지하여 공정 수율 및 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치를 제공하기 위함이다.The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention by rotating the wafer by using the magnetic levitation principle to prevent the foreign substances generated during the deposition in advance to improve the process yield and the reliability of the semiconductor device It is to provide a chemical vapor deposition apparatus.

본 발명에 의한 화학 기상 증착 장치는 다수의 웨이퍼가 장착된 다수의 돔, 상기 다수의 돔을 고정하기 위해 상기 돔과 대응되는 개수로 서로 이격되어 하부 방향을 향하는 다수의 고정 암을 갖는 지그, 각각의 상기 돔과 각각의 상기 고정 암을 연결하는 베어링과 상기 베어링의 외주를 따라 N극 자성체 및 S극 자성체가 교차되도록 형성된 마그넷 휠을 갖는 휠, 상기 휠의 하부에 고정되도록 배치되며, N극 자성체 및 S극 자성체가 교차되도록 상기 마그넷 휠과 대향하여 형성된 마그넷 플레이트를 포함하는 고정 플레이트 및 상기 지그의 상부 중앙에 형성되어 상기 지그를 회전시키는 회전 샤프트를 포함하여 이루어질 수 있다. 이때 상기 지그는 상부에 상기 회전 샤프트를 사이에 두고 서로 이격되어 고정된 제 1 및 제 2 고정 샤프트를 포함하고, 상기 지그 및 상기 회전 샤프트는 상기 회전 샤프트 및 상기 제 1 및 제 2 고정 샤프트를 관통하여 고정된 제 3 고정 샤프트에 의해 고정되는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 고정 샤프트는 동일한 높이를 갖으 며 상기 제 3 고정 샤프트의 고정 위치는 상기 제 1 및 제 2 고정 샤프트의 높이 내에서 다양하게 선정될 수 있다. 본 발명에서 상기 휠과 상기 고정 플레이트는 서로 이격되는 것을 특징으로 할 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a plurality of domes on which a plurality of wafers are mounted, and a jig having a plurality of fixing arms facing downward in a direction corresponding to the number of the domes to fix the plurality of domes, respectively. A bearing having a bearing connecting the dome and the fixed arms of each of the dome and a magnet wheel formed so that an N pole magnetic body and an S pole magnetic body intersect along an outer circumference of the bearing; And a fixing plate including a magnet plate formed to face the magnet wheel so that the S-pole magnetic material intersects, and a rotating shaft formed at an upper center of the jig to rotate the jig. The jig includes first and second fixed shafts spaced apart from each other with the rotary shaft interposed therebetween, and the jig and the rotary shaft pass through the rotary shaft and the first and second fixed shafts. It can be characterized by being fixed by a fixed third fixed shaft. In addition, the first and second fixed shafts have the same height, and the fixed position of the third fixed shaft may be variously selected within the height of the first and second fixed shafts. In the present invention, the wheel and the fixing plate may be spaced apart from each other.

본 발명에 의한 화학 기상 증착 장치에 따르면, 휠과 고정 플레이트 각각이 자성체로 이루어진 마그넷 휠과 마그넷 플레이트를 포함함으로써 공정 진행 중 휠이 고정 플레이트로부터 자기부상 회전되어 공정 진행 중 이물질이 발생되는 것이 사전에 방지된다. According to the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, each of the wheel and the fixed plate includes a magnet wheel and a magnet plate made of a magnetic material so that the wheel is rotated by magnetic levitation from the fixed plate during the process to generate foreign substances in advance. Is prevented.

또한, 공정 진행중 이물질 발생이 방지됨으로써 전반적으로 공정 수율 및 반도체 장치의 신뢰성이 보다 향상된다. In addition, since foreign matters are prevented during the process, overall process yield and reliability of the semiconductor device are further improved.

또한 본 발명에 의하면, 지그의 회전을 위한 제 1 및 제 2 고정 샤프트와 회전 샤프트 사이에 제 3 고정 샤프트를 설치하여 휠과 고정 플레이트 사이의 간격 조정을 통해 휠의 자기부상이 보다 용이해지며, 지그가 안정적으로 회전함으로써 공정 효율이 상승된다. In addition, according to the present invention, by installing a third fixed shaft between the first and second fixed shaft and the rotary shaft for the rotation of the jig to facilitate the magnetic levitation of the wheel by adjusting the distance between the wheel and the fixed plate, As the jig rotates stably, the process efficiency is increased.

이하에서 첨부된 도면과 실시예를 참조하여 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대 해서는 유사한 도면 부호를 사용하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 장치에 대해 설명하기로 한다. First, a chemical vapor deposition (CVD) apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치가 개략적으로 도시되어 있다. Referring to FIG. 1, a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is schematically illustrated.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(1)는 크게 하우징(100), 하우징(100) 하부에 형성된 소스 공급부(200) 및 하우징(100) 상부에 형성된 웨이퍼 장착부(300)를 포함하여 이루어 질 수 있다. As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may be formed on the housing 100, the source supply part 200 formed under the housing 100, and the upper part of the housing 100. It may be made including a wafer mounting portion 300.

상기 하우징(100)은 대략 사각 박스 형상으로 이루어진다. 실질적으로 하우징(100)은 공정이 진행되는 동안에 온도 및 압력이 적절하게 유지될 수 있도록 하우징(100) 내부 분위기를 외부 분위기로부터 독립적으로 유지할 수 있도록 돕는다. The housing 100 has a substantially rectangular box shape. Substantially the housing 100 helps to maintain the atmosphere inside the housing 100 independently from the outside atmosphere so that temperature and pressure can be properly maintained during the process.

상기 소스 공급부(200)는 하우징(100)의 하부에 형성되어, 웨이퍼(w)에 박막을 증착하기 위한 소스(source) 가스를 공급한다. 도시하지는 않았으나, 소스 공급부(200)에는 중앙의 일부에 개구부(미도시)가 형성되어, 개구부를 통해 배출된 소스 가스가 상부 방향에 설치된 웨이퍼(w)에 증착된다. 본 발명에서 소스 공급부(200)는 통상적인 화학 기상 증착 장치와 동일하게 설치될 수 있으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 한편, 소스 가스가 공급되는 동안에 웨이퍼(w)는 계속 회전하여 균일한 박막이 증착될 수 있도록 한다. 웨이퍼(w)의 회전은 이하의 웨이퍼 장착부(300)를 통해 이루어진다. The source supply unit 200 is formed under the housing 100 to supply a source gas for depositing a thin film on the wafer w. Although not shown, an opening (not shown) is formed in a portion of the source supply unit 200 so that source gas discharged through the opening is deposited on the wafer w installed in an upper direction. In the present invention, since the source supply unit 200 may be installed in the same manner as a conventional chemical vapor deposition apparatus, a detailed description thereof will be omitted. On the other hand, while the source gas is supplied, the wafer w continues to rotate so that a uniform thin film can be deposited. The rotation of the wafer w is made through the following wafer mounting part 300.

상기 웨이퍼 장착부(300)는 하우징(100)의 상부에 형성될 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 웨이퍼 장착부(300)는 다수의 돔(Dome, 310), 돔(310)을 고정하는 지그(Jig, 320), 돔(310)과 지그(320)를 연결하는 휠(Wheel, 330), 휠(330)의 하부에 배치되는 고정 플레이트(Fixing plate, 340) 및 지그(320)를 회전시키는 회전 샤프트(Rotary Shaft, 350)를 포함하여 이루어질 수 있다. The wafer mounting part 300 may be formed on an upper portion of the housing 100. In more detail, the wafer mounting unit 300 includes a plurality of domes 310, a jig fixing the dome 310, and a wheel connecting the dome 310 and the jig 320. , 330, a fixing plate 340 disposed under the wheel 330, and a rotary shaft 350 for rotating the jig 320.

상기 다수의 돔(310)은 하우징(100)의 대략 상부에 설치된다. 각각의 돔(310)은 바깥 부분이 볼록한 반구 형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 각각의 돔(310)은 서로 안쪽 부분을 마주하도록 대략 방사상으로 설치된다. 예를 들면, 대략 네 개의 돔(310)이 십자형으로 하우징(100)의 상부에 설치될 수 있다. 그러나 본 발명에서 하우징(100) 내부에 설치되는 돔(310)의 개수를 이에 한정하는 것은 아니며, 당업자의 설계에 따라 설치 개수가 변경될 수 있음은 물론이다. 이때, 하나의 돔(310)에는 대략 네 개의 웨이퍼(w)가 장착될 수 있다. 그러나 본 발명에서 돔(310)에 장착되는 웨이퍼(w)의 개수를 한정하는 것은 아니다. 각각의 돔(310)은 웨이퍼(w)를 고정하기 위한 고정 가이드(311)를 포함한다. 고정 가이드(Fixing guide, 311)는 웨이퍼(w)의 직경을 가로지르도록 돔(310)에 고정되어 공정 진행 동안에 웨이퍼(w)가 돔(310) 밖으로 이탈하는 것을 방지한다. 본 발명에 의한 돔(310)은 실질적으로 이하에서 설명될 지그(320)에 설치됨으로써 회전할 수 있게 된다. The plurality of domes 310 are installed at approximately the upper portion of the housing 100. Each dome 310 may have a hemispherical shape in which the outer portion is convex. At this time, each dome 310 is installed in a substantially radial to face the inner portion of each other. For example, approximately four domes 310 may be installed on the top of the housing 100 in a cross shape. However, in the present invention, the number of the dome 310 installed in the housing 100 is not limited thereto, and the number of installation may be changed according to a design of a person skilled in the art. In this case, about four wafers w may be mounted on one dome 310. However, the present invention is not limited to the number of wafers w mounted on the dome 310. Each dome 310 includes a fixing guide 311 for fixing the wafer w. A fixing guide 311 is fixed to the dome 310 to cross the diameter of the wafer w to prevent the wafer w from escaping out of the dome 310 during processing. The dome 310 according to the present invention is substantially rotatable by being installed in the jig 320 to be described below.

상기 지그(320)는 하우징(100)의 대략 상부에 설치된다. 지그(320)는 대략 링 형상의 바디(320b)로부터 하부 방향으로 향하는 다수의 고정 암(Fixing arm, 321)을 포함한다. 다수의 고정 암(321)은 서로 이격되어 바디(320b)로부터 대략 방사상으로 형성된다. 고정 암(321)은 돔(310)의 개수와 대응되는 개수로 형성된다. 즉, 하나의 고정 암(321)은 하나의 돔(310)을 고정하는 역할을 한다. 지그(320)는 고정 암(321) 사이 중 적어도 일부에 형성된 보호 플레이트(322)를 더 포함할 수 있다. 보호 플레이트(322)는 돔(310)에 안쪽 부분에 설치된 웨이퍼(w)의 증착면에 이물질이 형성되는 것을 방지하며, 박막 형성을 위한 소스 가스가 돔(310)의 바깥 부분으로 이탈하는 것을 방지한다. 그러나, 본 발명에서 설치된 보호 플레이트(322)는 당업자의 설계에 의해 제거될 수 있음은 물론이다. 한편, 지그(320)는 바디(320b)의 상부에 설치되는 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323, 324)를 더 포함한다. 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323, 324)는 바디(320b)와 대략 수직으로 이루어지며, 서로 이격되도록 설치된다. 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323, 324)는 실질적으로, 이하에서 설명될 회전 샤프트(350)를 사이에 두도록 설치되어 지그(320)를 회전하도록 한다. The jig 320 is installed at approximately the upper portion of the housing 100. The jig 320 includes a plurality of fixing arms 321 pointing downward from the substantially ring-shaped body 320b. The plurality of stationary arms 321 are spaced apart from one another and are formed substantially radially from the body 320b. The fixing arms 321 are formed in a number corresponding to the number of the domes 310. That is, one fixing arm 321 serves to fix one dome 310. The jig 320 may further include a protection plate 322 formed between at least some of the fixing arms 321. The protection plate 322 prevents foreign substances from being formed on the deposition surface of the wafer w installed in the inner portion of the dome 310, and prevents source gas for thin film formation from escaping to the outer portion of the dome 310. do. However, of course, the protective plate 322 installed in the present invention can be removed by the design of those skilled in the art. Meanwhile, the jig 320 further includes first and second fixed shafts 323 and 324 installed on the body 320b. The first and second fixed shafts 323 and 324 are substantially perpendicular to the body 320b and are spaced apart from each other. The first and second fixed shafts 323, 324 are substantially installed to sandwich the rotary shaft 350, which will be described below, to rotate the jig 320.

상기 휠(330)은 돔(310)과 지그(320)를 연결한다. 본 발명에 따른 휠(330)은 각각의 고정 암(321)과 각각의 돔(310)을 연결하며, 지그(320)가 회전하는 동안에 고정 암(321)을 축으로 하여 돔(310)이 회전될 수 있도록 한다. 휠(330)은 자성을 갖는 자성체를 포함하며, 이하에서 설명될 고정 플레이트(340)로부터 자기부상된다. 이에 대해서는 이하의 다른 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. The wheel 330 connects the dome 310 and the jig 320. The wheel 330 according to the present invention connects each fixed arm 321 and each dome 310, and the dome 310 rotates around the fixed arm 321 while the jig 320 rotates. To be possible. The wheel 330 includes a magnetic material having magnetic properties and is magnetically floated from the fixing plate 340 to be described below. This will be described in more detail with reference to the other drawings below.

상기 고정 플레이트(340)는 하우징(100)의 상부 중앙에 형성된다. 고정 플레이트(340)는 대략 링 형상으로 이루어지며, 하우징(100)의 내벽 둘레에 고정되도록 형성될 수 있다. 실질적으로, 고정 플레이트(340)는 휠(330)의 하부에 고정되도록 배치될 수 있다. 고정 플레이트(340)는 휠(330)과 대향하는 부분에 자성을 갖는 자성체를 포함하도록 이루어진다. 이에 따라, 고정 플레이트(340)는 휠(330)이 자기부상되도록 한다. 이에 대해서는 이하의 다른 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. The fixing plate 340 is formed at the upper center of the housing 100. The fixing plate 340 has a substantially ring shape and may be formed to be fixed around an inner wall of the housing 100. Substantially, the fixing plate 340 may be arranged to be fixed to the lower portion of the wheel 330. The fixing plate 340 is configured to include a magnetic material having magnetism in a portion facing the wheel 330. Accordingly, the fixing plate 340 causes the wheel 330 to magnetically float. This will be described in more detail with reference to the other drawings below.

상기 회전 샤프트(350)는 지그(320)의 상부 중앙에 형성된다. 본 발명에서 회전 샤프트(350)는 하우징(100)의 천정에서 자동으로 회전되도록 설치될 수 있다. 즉, 회전 샤프트(350)는 지그(320)의 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323, 324) 사이에 설치된다. 이를 위해 회전 샤프트(350)는 지그(320)의 바디(230b)와 평행한 절곡부의 일부가 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323, 324) 사이를 통과하도록 이루어진다. 따라서, 회전 샤프트(350)가 회전하면 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323, 324)를 포함하는 지그(320)가 회전하게 된다. The rotating shaft 350 is formed at the upper center of the jig 320. In the present invention, the rotary shaft 350 may be installed to automatically rotate on the ceiling of the housing 100. That is, the rotary shaft 350 is installed between the first and second fixed shafts 323, 324 of the jig 320. To this end, the rotating shaft 350 is configured such that a portion of the bent portion parallel to the body 230b of the jig 320 passes between the first and second fixed shafts 323 and 324. Therefore, when the rotating shaft 350 rotates, the jig 320 including the first and second fixed shafts 323 and 324 rotates.

다음으로 본 발명의 일 실시예에 따른 휠(330)과 고정 플레이트(340)에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Next, the wheel 330 and the fixing plate 340 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 2를 참조하면, 돔(310)이 지그(320)에 고정된 모습을 나타낸 평면도가 도시되어 있다. 또한, 도 3a를 참조하면, 본 발명에 따른 휠(330)을 나타낸 사시도가 도시되어 있고, 도 3b를 참조하면, 본 발명에 따른 고정 플레이트(340)를 나타낸 평면도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 2, a plan view showing the dome 310 fixed to the jig 320 is shown. In addition, referring to Figure 3a, a perspective view showing a wheel 330 according to the present invention is shown, and referring to Figure 3b, a plan view showing a fixing plate 340 according to the present invention is shown.

도 2 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 돔(310)은 휠(330)에 의해 지그(320) 에 고정되며, 휠(330)이 고정 플레이트(340)로부터 자기부상되어 회전함에 따라 지그(320)를 축으로 회전된다. As shown in FIGS. 2 to 3B, the dome 310 is fixed to the jig 320 by the wheel 330, and the jig 320 is rotated as the wheel 330 magnetically floats from the fixing plate 340. Is rotated to the axis.

상기 휠(330)은 돔(310)과 지그(320)를 고정하는 베어링(331) 및 베어링(331)의 외주를 감싸도록 형성된 마그넷 휠(Magnet wheel, 332)을 포함한다. 베어링(331)으로 인하여 웨이퍼(w)가 장착된 돔(310)이 지그(320)의 고정 암(321)을 축으로 회전한다. 마그넷 휠(332)은 베어링(331)의 외주를 따라 N극 자성체(332a)와 S극 자성체(332b)가 교차되도록 형성된다. N극 자성체(332a)와 S극 자성체(332b)는 서로 분리되지 않도록 일체로 형성될 수 있다. 마그넷 휠(332)의 N극 자성체(332a)와 S극 자성체(332b)는 서로 동일한 크기로 형성되며, 본 발명에서 N극 자성체(332a)와 S극 자성체(332b)의 크기를 한정하지는 않는다. 회전 샤프트(도 1의 350 참조)에 의해 지그(320)가 회전하면, 휠(330)은 고정 플레이트(340)와의 사이에서 서로 밀리는 반발력과 서로 끌어당기는 흡인력의 반복 작용으로 인하여 자기부상 회전된다. 이러한 휠(330)에 의해 돔(310)은 고정 암(321)을 축으로 회전하게 된다. 실질적으로 돔(310)이 회전하는 동안에 휠(330)과 고정 플레이트(340)는 서로 접촉되지 않기 때문에 공정 진행 중 접촉을 원인으로 하는 이물질이 미 발생된다. The wheel 330 includes a bearing 331 for fixing the dome 310 and the jig 320 and a magnet wheel 332 formed to surround the outer circumference of the bearing 331. Due to the bearing 331, the dome 310 on which the wafer w is mounted rotates about the fixed arm 321 of the jig 320. The magnet wheel 332 is formed to intersect the N-pole magnetic body 332a and the S-pole magnetic body 332b along the outer circumference of the bearing 331. The N-pole magnetic body 332a and the S-pole magnetic body 332b may be integrally formed so as not to be separated from each other. The N pole magnetic body 332a and the S pole magnetic body 332b of the magnet wheel 332 are formed to have the same size, and the size of the N pole magnetic body 332a and the S pole magnetic body 332b is not limited in the present invention. When the jig 320 is rotated by the rotating shaft (see 350 in FIG. 1), the wheel 330 is rotated magnetically due to the repetitive action of the repulsive force that is pushed with each other between the fixing plate 340 and the suction force that is attracted to each other. The wheel 330 causes the dome 310 to rotate around the fixed arm 321. Since the wheel 330 and the fixing plate 340 are not in contact with each other during the rotation of the dome 310, foreign substances caused by contact during the process are not generated.

상기 고정 플레이트(340)는 하우징(100)의 내벽에 고정되는 바디 플레이트(Body plate, 341) 및 바디 플레이트(341)의 내주에 형성된 마그넷 플레이트(Magnet, plate, 342)를 포함한다. 바디 플레이트(341)는 대략 링 형상으로 이루어지며, 지그(320) 및 지그(320)에 설치된 돔(310)을 지지할 수 있을 정도의 일정 강도를 갖는 스틸(Steel) 부재로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명에서 바디 플레이트(341)의 형상 및 재질을 한정하는 것은 아니다. 마그넷 플레이트(342)는 바디 플레이트(341)의 내주를 따라 N극 자성체(342a)와 S극 자성체(342b)가 서로 교차하도록 형성된다. 즉, 마그넷 플레이트(342)는 마그넷 휠(332)과 대향하여 형성된다. 이때, N극 자성체(342a)와 S극 자성체(342b)는 서로 분리되지 않도록 일체로 형성될 수 있다. N극 자성체(342a)와 S극 자성체(342b)는 서로 동일한 크기로 형성되며, 본 발명에서 N극 자성체(342a)와 S극 자성체(342b)의 크기를 한정하지는 않는다. 고정 플레이트(340)의 마그넷 플레이트(342)는 마그넷 휠(332)에 반발력과 흡인력을 교대로 제공하도록 하여 마그넷 휠(332)이 자기부상 회전되도록 한다. The fixing plate 340 includes a body plate 341 fixed to an inner wall of the housing 100 and a magnet plate 342 formed on an inner circumference of the body plate 341. The body plate 341 may have a substantially ring shape, and may be formed of a steel member having a predetermined strength to support the jig 320 and the dome 310 installed on the jig 320. However, the present invention is not limited to the shape and the material of the body plate 341. The magnet plate 342 is formed so that the N-pole magnetic body 342a and the S-pole magnetic body 342b cross each other along the inner circumference of the body plate 341. That is, the magnet plate 342 is formed to face the magnet wheel 332. In this case, the N-pole magnetic body 342a and the S-pole magnetic body 342b may be integrally formed so as not to be separated from each other. The N-pole magnetic body 342a and the S-pole magnetic body 342b are formed to have the same size, and the present invention does not limit the sizes of the N-pole magnetic body 342a and the S-pole magnetic body 342b. The magnet plate 342 of the fixing plate 340 alternately provides a repulsive force and a suction force to the magnet wheel 332 so that the magnet wheel 332 rotates magnetic levitation.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면 휠(330)과 고정 플레이트(340) 각각이 자성체로 이루어진 마그넷 휠(332)과 마그넷 플레이트(342)를 포함하며 공정 진행 중 이물질이 발생되는 것이 사전에 방지된다. 즉, 마그넷 휠(332)과 마그넷 플레이트(342) 각각이 N극 자성체와 S극 자성체가 교차되도록 형성되어, 마그넷 휠(332)과 마그넷 플레이트(342) 사이에 동일한 극성의 자성체로 인하여 생기는 반발력과 반대 극성의 자성체로 인하여 생기는 흡인력이 교대로 작용하게 된다. 이에 따라, 지그(320)가 회전 샤프트(350)를 따라 회전하는 동안에 고정된 마그넷 플레이트(342)로부터 마그넷 휠(332)이 자기부상 회전하여 돔(310)이 지그(320)의 고정 암(321)을 축으로 회전된다. 실질적으로 돔(310)이 회전하는 동안 돔(310)에 장착된 웨이퍼(w)에 박막이 증착되는데, 이때 휠(330)과 고정 플레이트(340) 간의 마찰이 제거되어 박막 증착이 안정적으로 진행된다. 따라서 전반적으로 공정 수율 및 반도체 장치의 신뢰성이 보다 향상될 수 있다. According to the embodiment of the present invention described above, the wheel 330 and the fixing plate 340 each include a magnet wheel 332 and a magnet plate 342 made of a magnetic material, and prevent foreign substances from occurring during the process. do. That is, the magnet wheel 332 and the magnet plate 342 are each formed so that the N-pole magnetic material and the S-pole magnetic material cross each other, and the repulsive force generated by the magnetic material having the same polarity between the magnet wheel 332 and the magnet plate 342. The magnetic attraction force of the opposite polarity alternately works. Accordingly, the magnet wheel 332 is magnetically rotated from the magnet plate 342 fixed while the jig 320 is rotated along the rotation shaft 350 so that the dome 310 is fixed arm 321 of the jig 320. Is rotated to the axis. While the dome 310 is rotated substantially, a thin film is deposited on the wafer w mounted on the dome 310, whereby friction between the wheel 330 and the fixed plate 340 is removed, thereby stably depositing the thin film. . Therefore, overall process yield and reliability of the semiconductor device can be further improved.

다음으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치에 대해 설명하기로 한다. Next, a chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention will be described.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치 중 제 1 및 제 2 고정 샤프트와 회전 샤프트의 결합 구조를 나타내는 단면도가 도시되어 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 제 1 및 제 2 고정 샤프트와 회전 샤프트의 결합 구조를 제외한 나머지 부분은 도 1 내지 도 3b에서 상술한 화학 기상 증착 장치와 대략 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.4, there is shown a cross-sectional view showing a coupling structure of the first and second fixed shaft and the rotating shaft of the chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention. Chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention except for the coupling structure of the first and second fixed shaft and the rotary shaft is substantially the same as the above-described chemical vapor deposition apparatus described in Figures 1 to 3b, the detailed description is It will be omitted.

도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')와 회전 샤프트(350')가 제 3 고정 샤프트(425)에 의해 기계적으로 결합된다. 제 3 고정 샤프트(425)는 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')와 회전 샤프트(350')를 관통하도록 고정된다. 제 3 고정 샤프트(425)는 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')의 높이 내에서 고정되는 위치를 다양하게 선정할 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')는 서로 동일한 높이를 갖도록 이루어진다. 제 3 고정 샤프트(425)가 고정되는 높이에 따라 휠(도 2의 330 참조)와 고정 플레이트(도 2의 340 참조) 간의 간격이 조정될 수 있다. 휠과 고정 플레이트 간에 이격되는 간격이 넓게 선정될수록 제 3 고정 샤프트(425)는 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')의 높은 부분에 고정된다. 즉, 고정 플레이트는 화학 기상 증착 장치의 하우징(도 1의 100 참조)에 고정되어 있기 때문에 제 3 고정 샤프트(425)로 인해서 지그(320)의 위치를 조정하여 휠과 고정 플레이트의 간격 조정이 가능해진다. 이에 따라, 휠과 고정 플레이트가 접촉되지 않으며, 휠의 자기부상 회전이 보다 용이해진다. 예를 들면, 휠과 고정 플레이트는 3㎜ 내지 5㎜로 이격되도록 선정될 수 있다. 이격 간격이 3㎜ 미만인 경우에는 휠과 고정 플레이트가 공정 진행 중 진동에 의해 서로 접촉될 가능성이 있는 반면에, 5㎜를 초과하는 경우에는 휠의 자기부상 회전을 위하여 보다 자성이 강한 자성체를 이용해야 하므로 공정 비용이 상승될 수 있다. 그러나 본 발명에서 휠과 고정 플레이트의 이격 간격을 이에 한정하는 것은 아니며, 당업자의 설계에 따라 변경될 수 있음은 물론이다. 이와 같이, 본 발명에 따른 제 3 고정 샤프트(425)는 휠과 고정 플레이트의 간격을 조정할 뿐만 아니라 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')와 회전 샤프트(350')가 기계적으로 안정적으로 결합됨으로써 지그(320)가 보다 안정적으로 회전하게 된다. As shown in FIG. 4, in the chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, the first and second fixed shafts 323 ′ and 324 ′ and the rotary shaft 350 ′ are connected to the third fixed shaft 425. By mechanical coupling. The third fixed shaft 425 is fixed to penetrate the first and second fixed shafts 323 ', 324' and the rotating shaft 350 '. The third fixed shaft 425 may select various positions to be fixed within the heights of the first and second fixed shafts 323 'and 324'. At this time, the first and second fixed shafts 323 ', 324' are made to have the same height. The distance between the wheel (see 330 of FIG. 2) and the fixing plate (see 340 of FIG. 2) may be adjusted according to the height at which the third fixed shaft 425 is fixed. As the spacing between the wheel and the fixing plate is wider, the third fixed shaft 425 is fixed to the higher portions of the first and second fixed shafts 323 ', 324'. That is, since the fixing plate is fixed to the housing of the chemical vapor deposition apparatus (see 100 of FIG. 1), the gap between the wheel and the fixing plate can be adjusted by adjusting the position of the jig 320 due to the third fixing shaft 425. Become. As a result, the wheel and the fixing plate do not contact each other, and the magnetic levitation rotation of the wheel becomes easier. For example, the wheel and the fixing plate may be selected to be spaced 3 mm to 5 mm apart. If the separation distance is less than 3 mm, the wheel and the fixed plate may be in contact with each other due to vibration during the process, while if it is larger than 5 mm, a stronger magnetic material should be used to rotate the magnetic levitation of the wheel. As a result, process costs can be increased. However, the present invention is not limited to this, and the distance between the wheel and the fixing plate is not limited thereto. As such, the third fixed shaft 425 according to the present invention not only adjusts the distance between the wheel and the fixed plate, but also makes the first and second fixed shafts 323 'and 324' and the rotating shaft 350 'mechanically stable. By being coupled to the jig 320 is more stable to rotate.

상술한 본 발명의 다른 실시예에 따르면 지그(320)의 회전을 위한 제 1 및 제 2 고정 샤프트(323', 324')와 회전 샤프트(350') 사이에 제 3 고정 샤프트(425)를 설치하여 휠과 고정 플레이트 사이의 간격 조정을 통해 휠의 자기부상이 보다 용이해지며, 지그(320)가 안정적으로 회전함으로써 공정 효율이 상승된다. According to another embodiment of the present invention described above, the third fixed shaft 425 is installed between the first and second fixed shafts 323 ′ and 324 ′ and the rotary shaft 350 ′ for the rotation of the jig 320. By adjusting the gap between the wheel and the fixing plate, the magnetic levitation of the wheel becomes easier, and the jig 320 rotates stably to increase the process efficiency.

본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이 고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.The present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and any person skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. As well as possible, such modifications are intended to fall within the scope of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 돔과 지그의 결합을 나타낸 평면도이다. 2 is a plan view showing a combination of a dome and a jig.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 휠을 나타낸 사시도이다. 3A is a perspective view of a wheel according to an embodiment of the present invention.

도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 플레이트의 평면도이다. 3B is a plan view of a fixing plate according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치 중 제 1 및 제 2 고정 샤프트와 회전 샤프트의 결합 구조를 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating a coupling structure of a first and a second fixed shaft and a rotating shaft of a chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1 : 화학 기상 증착 장치 100 : 하우징1: chemical vapor deposition apparatus 100: housing

200 : 소스 공급부 300 : 웨이퍼 장착부200: source supply part 300: wafer mounting part

310 : 돔 320 : 지그310: dome 320: jig

323 : 제 1 고정 샤프트 324 : 제 2 고정 샤프트323: first fixed shaft 324: second fixed shaft

330 : 휠 340 : 고정 플레이트330: wheel 340: fixed plate

350 : 회전 샤프트 425 : 제 3 고정 샤프트350: rotating shaft 425: third fixed shaft

Claims (4)

다수의 웨이퍼가 장착된 다수의 돔; A plurality of domes on which a plurality of wafers are mounted; 상기 다수의 돔을 고정하기 위해 상기 돔과 대응되는 개수로 서로 이격되어 하부 방향을 향하는 다수의 고정 암을 갖는 지그;A jig having a plurality of fixing arms spaced apart from each other in a number corresponding to the dome to fix the plurality of domes and facing downward; 각각의 상기 돔과 각각의 상기 고정 암을 연결하는 베어링과 상기 베어링의 외주를 따라 N극 자성체 및 S극 자성체가 교차되도록 형성된 마그넷 휠을 갖는 휠;A wheel having a bearing connecting the dome to each of the fixed arms and a magnet wheel formed so that an N pole magnetic body and an S pole magnetic body intersect along an outer circumference of the bearing; 상기 휠의 하부에 고정되도록 배치되며, N극 자성체 및 S극 자성체가 교차되도록 상기 마그넷 휠과 대향하여 형성된 마그넷 플레이트를 포함하는 고정 플레이트; 및A fixing plate disposed to be fixed to the lower part of the wheel, the fixing plate including a magnet plate formed to face the magnet wheel so that the N pole magnetic body and the S pole magnetic body cross each other; And 상기 지그의 상부 중앙에 형성되어 상기 지그를 회전시키는 회전 샤프트를 포함하여 이루어지며,It is formed in the upper center of the jig comprises a rotating shaft for rotating the jig, 상기 지그는 상부에 상기 회전 샤프트를 사이에 두고 서로 이격되어 고정된 제 1 및 제 2 고정 샤프트를 포함하고, The jig includes a first and a second fixed shaft fixed to be spaced apart from each other with the rotary shaft therebetween, 상기 지그 및 상기 회전 샤프트는, The jig and the rotating shaft, 상기 회전 샤프트 및 상기 제 1 및 제 2 고정 샤프트를 관통하여 고정된 제 3 고정 샤프트에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. And a third fixed shaft fixed through the rotating shaft and the first and second fixed shafts. 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 고정 샤프트는 동일한 높이를 갖으며, The first and second fixed shafts have the same height, 상기 제 3 고정 샤프트의 고정 위치는 상기 제 1 및 제 2 고정 샤프트의 높이 내에서 다양하게 선정되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. And a fixed position of the third fixed shaft is variously selected within heights of the first and second fixed shafts. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 휠과 상기 고정 플레이트는 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치. And the wheel and the fixed plate are spaced apart from each other.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194533A (en) * 2000-12-26 2002-07-10 Asahi Techno Glass Corp Vacuum deposition equipment
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194533A (en) * 2000-12-26 2002-07-10 Asahi Techno Glass Corp Vacuum deposition equipment
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