KR101312006B1 - Chamber for high temperature testing of semiconductor devices - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버에 관한 것으로서, 챔버의 대류 형태에서 테스트 소켓을 제어된 고온의 공기를 도킹 플레이트에 분배하고, 비산시켜 소켓 간의 온도 편차를 최소화 하도록 하며, 액화질소와 공기를 혼합하여 냉각하는 방식이 아닌, 공기 냉각 장치인 보텍스 튜브를 이용함으로써, 테스트 환경이 변화되었을 경우, 능동적으로 테스트 환경 온도 제어가 가능하도록 함에 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 테스트 소켓에 국부 가열 및 배기가 가능하도록, 에어히터에 의한 고온의 공기를 토출하는 토출구 및 고온의 공기가 소켓에 비산되도록 각 소켓별로 구비된 분기구가 구비된 국부 가열형 도킹 플레이트; 를 포함한다.
The present invention relates to a chamber for high temperature testing of semiconductor devices, in which the test socket in the convection form of the chamber distributes the controlled hot air to the docking plate and scatters to minimize the temperature deviation between the socket, liquid nitrogen and air By using a vortex tube, which is an air cooling apparatus, rather than mixing and cooling the mixture, the purpose of the test environment is to be actively controlled when the test environment is changed.
In order to achieve the above object, the present invention includes a discharge port for discharging hot air by an air heater and a branching hole provided for each socket so that hot air is scattered to the socket so as to enable local heating and exhaust to the test socket. Localized heated docking plate; .

Description

반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버{CHAMBER FOR HIGH TEMPERATURE TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICES}CHAMBER FOR HIGH TEMPERATURE TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 테스트 시, 히터의 용량 증대 또는 직접 가열 방식이 아닌, 소켓의 국부 가열이 가능하도록 하며, 테스트 보드의 발열 또는 주변 환경의 변화로 테스트를 요구하는 환경온도와 차이가 발생하는 경우, 주변 환경을 가열 또는 냉각 제어할 수 있는 챔버에 관한 기술이다. The present invention relates to a chamber for a high temperature test of a semiconductor device, and more particularly, in the semiconductor test, the heating of the socket, rather than the increase of the capacity of the heater or the direct heating method, to enable local heating of the socket, the heat generation of the test board or the surrounding environment When a difference occurs with the environmental temperature that requires a test, the technology relates to a chamber that can control the heating or cooling of the surrounding environment.

반도체 소자를 고온 및 항온으로 테스트하기 위해서는, 소자의 가열에 따른 히터가 필요하며, 테스트 환경의 변화에 대해 냉각을 위해 냉각장치가 필요하다. In order to test a semiconductor device at a high temperature and a constant temperature, a heater according to the heating of the device is required, and a cooling device is required to cool the change of the test environment.

종래에는, 반도체 소자의 고온 테스트만을 고려하여 히터를 장착하고 소자를 가열하였으나, 환경온도(25℃ 또는 사용자 설정온도)에 대해서는 냉각하는 구조로 설계되어 있지 않아, 테스트 보드의 열화 또는 주변 장치의 열에 의해 환경온도가 변화하였을 경우, 이에 대해 능동적으로 온도를 조절하는 장치의 구비가 없던 것이 일반적이었다. 따라서, 테스트 소켓에서 고온 및 항온으로 테스트하기 위해서는 테스트 소켓의 가열 및 환경 온도 변화에 따른 냉각을 위한 장치가 필요하다. Conventionally, the heater is mounted and the element is heated only in consideration of the high temperature test of the semiconductor element, but it is not designed to cool the environmental temperature (25 ° C. or the user set temperature). When the environmental temperature was changed by this, it was common that there was no provision for the device to actively control the temperature. Therefore, in order to test at a high temperature and a constant temperature in a test socket, the apparatus for heating a test socket and cooling according to the change of environmental temperature is needed.

가장 일반적인 수평 방식(테스트용 보드 자재와 수평을 이루는 방식)의 고온 테스트는 소자와 테스트 소켓에 고온의 환경을 조성하기 위한 소자를 선행 가열하는 프리히터, 이송 중 온도유지를 위한 고온의 셔틀과 테스트 환경인 소켓과 주변 환경을 고온화 하는 고온 챔버를 사용하였다. The most common horizontal method (horizontal to the test board material) is a high temperature test, a preheater that preheats the device to create a high temperature environment in the device and test socket, a high temperature shuttle and test to maintain the temperature during transfer. A high temperature chamber was used to heat the environment, the socket and the surrounding environment.

일부 챔버를 사용하지 않는 방식은, 소자의 고온상태만을 유지하는 방법으로 소자를 진공을 이용하여 흡착하는 흡착 기구 물체에 히터를 장착하여 열을 직접 전달하는 직접 가열하는 방식을 사용한다.The method of not using some chambers uses a method of directly heating heat directly by attaching a heater to an adsorption mechanism object that absorbs the device using a vacuum as a method of maintaining only a high temperature state of the device.

한편, 반도체 소자 테스트용 챔버와 관련해서는, 한국공개특허 10-2010-0022168호(이하, '선행문헌') 외에 다수 출원 및 공개되어 있다.On the other hand, with respect to the chamber for testing a semiconductor device, a number of applications and publications other than Korea Patent Publication No. 10-2010-0022168 (hereinafter referred to as "prior literature") has been disclosed.

선행문헌에 따른 챔버는, 복수개의 히터와 증발기를 이용하여 챔버 내부의 온도를 낮추거나 높임으로써 고온 및 저온의 환경을 조성하기 위한 테스트룸과; 상기 테스트룸에서 가동 시험 중인 반도체 소자에 유선으로 직접 연결되어 실제적인 신뢰성검사를 수행하는 컴퓨터들과 그 컴퓨터를 거치시키는 PC렉이 설치되는 PC룸과; 상기 테스트룸 외부에 복수개로 설치되며 상기 테스트룸 내부에 마련되는 증발기에 연결되어 그 증발기의 열을 외부로 배출시키는 냉동기를 포함하는 냉동장치부와; 상기 테스트룸과 상기 PC룸 사이에 위치하여 상기 테스트룸 내부의 냉기와 열이 테스트룸 외부로 전달되는 것을 막고, 챔버 내로 유입된 반도체 소자와 PC룸의 컴퓨터들을 직접 연결시켜주는 커넥터를 포함하는 단열벽과; 상기 테스트룸에서 검사가 수행될 때 챔버의 내부공간의 기밀을 유지하고, 챔버를 개방 및 폐쇄시키기 위한 도어부와; 상기 테스트룸과 단열벽 사이에 마련되며, 상기 테스트룸에서 검사가 시행될 때 유입된 반도체 소자 수납장치를 안전하게 착탈시키기 위한 착탈장치부와; 상기 착탈장치부 전면에 마련되고, 챔버 내부에 유입된 반도체 소자 수납장치가 상기 테스트룸 내부에 안착되기 위해서 이동되거나 검사종료 후 챔버 외부로 이송될 때 가이드레일로써 제공되며, 수납장치의 용이한 수송을 위한 복수개의 롤러가 구비된 롤러부와; 챔버 외부에 마련되며 사용자로부터 입력값을 받아들임으로써 상기 테스트룸과 PC룸과 냉동장치부와 도어부와 롤러부와 착탈장치부의 동작을 제어하고, 챔버 각부의 상태를 디스플레이장치를 통해서 출력하는 제어장치부를 포함하며, 상기 테스트룸에 히터에 의해서 가열되거나 증발기에 의해서 냉각된 공기를 테스트룸의 각부로 이송시키는 순환 모터와, 상기 순환모터로부터 발생된 공기의 흐름을 효과적으로 테스트룸의 각부로 이송시키기 위한 덕트가 추가적으로 포함되고, 상기 테스트룸의 내부 접합부에 기밀유지 및 단열보강을 위한 수용성 우레탄 폼 단열재와 내열 실리콘이 도포되는 것을 특징으로 한다. The chamber according to the prior document, the test room for creating a high temperature and low temperature environment by lowering or raising the temperature inside the chamber using a plurality of heaters and evaporators; A PC room directly connected to the semiconductor device under test in the test room by wire and performing actual reliability tests, and a PC room on which the PC rack is mounted; A refrigerating device unit installed in plural outside the test room and connected to an evaporator provided in the test room and including a freezer for discharging heat of the evaporator to the outside; Located between the test room and the PC room to prevent the heat and heat inside the test room to be transferred to the outside of the test room, including a connector for directly connecting the semiconductor elements introduced into the chamber and the computers of the PC room The wall; A door part for maintaining the airtightness of the inner space of the chamber and opening and closing the chamber when the test is performed in the test room; A detachment unit provided between the test room and the heat insulation wall to securely detach the semiconductor device storage device introduced when the test room is inspected; It is provided on the front of the detachable unit and provided as a guide rail when the semiconductor element accommodating device introduced into the chamber is moved to settle in the test room or transported to the outside of the chamber after the completion of the inspection. A roller unit provided with a plurality of rollers; A control device provided outside the chamber to control the operation of the test room, the PC room, the freezer unit, the door unit, the roller unit, and the detachable unit by receiving an input value from the user, and outputting the state of each chamber through the display device. And a circulation motor for transferring air heated by a heater or cooled by an evaporator to the respective parts of the test room, and for effectively transferring the flow of air generated from the circulation motor to each part of the test room. The duct is additionally included, and the water-soluble urethane foam insulation and heat-resistant silicon are applied to the inner joint of the test room for airtightness and insulation reinforcement.

선행문헌을 포함하는 챔버 형태의 경우, 고온의 열풍을 방사시키기 위해서는 설정온도가 높아짐에 따라 소비전력이 높은 히터를 사용하여야 한다. 따라서, 반도체 소자를 테스트하기 위해 드는 생산비가 상승하게 된다. In the case of a chamber type including the prior literature, a heater having a high power consumption must be used as the set temperature is increased in order to radiate high temperature hot air. Thus, the production cost for testing the semiconductor device is increased.

구체적으로, 챔버 가열 형태의 경우(일반적으로 간섭을 하는 구조체가 없는 경우) 체적 내에 대류에 의해 고른 열 분포를 이루지만, 반도체 소자 테스트의 경우에는 소자를 이송하여 테스트 소켓에 적재하고 누름의 기능을 하는 기계적인 접촉기 즉, 컨텍터(Contactor) 등에 의해 대류에 간섭을 받게 되며, 컨텍터를 이루는 기구물, 주변 기구물 자체에서 열을 흡수 외부로 방출하기 때문에 테스트 소켓 마다 고른 열 분포를 갖는데 어려움이 있다. 또한, 컨텍터가 소자를 테스트하기 위해 소켓에 접촉하고 있을 때는 소켓에 열풍의 대류가 차단되어 사용자가 요구하는 설정 온도에 변화가 생기게 된다. 또한, 설정온도를 상승시키기 위해서는 보다 많은 열량이 필요하므로 히터의 용량(W)을 적절히 조정하여야 한다. 히터의 용량은 열량에 대해 크기가 비례하므로 챔버의 열풍을 발생시키는 기능을 하는 열풍 공급 쪽의 부피가 증가되므로 장비의 소형화가 어렵게 된다.Specifically, in the case of the chamber heating type (typically when there is no interfering structure), even heat distribution is achieved by convection in the volume, but in the case of semiconductor device testing, the device is transported, loaded into the test socket, and pressed. The mechanical contactor, such as a contactor (Contactor) is interfered by the convection, and because the apparatus constituting the contactor, the peripheral apparatus itself emits heat to absorb outside, it is difficult to have a uniform heat distribution for each test socket. In addition, when the contactor is in contact with the socket to test the device, convection of hot air is blocked in the socket, resulting in a change in the set temperature required by the user. In addition, since a larger amount of heat is required to increase the set temperature, the capacity W of the heater must be appropriately adjusted. Since the capacity of the heater is proportional to the amount of heat, it is difficult to miniaturize the equipment because the volume of the hot air supply side, which functions to generate hot air in the chamber, is increased.

그리고, 소자를 흡착하여 직접 가열 방식의 경우, 테스트 소켓에 따라 히터 및 센서를 장착하여야 하는데 이 경우도 마찬가지로 각각의 소켓에 대해 히터 및 센서 그리고 다수의 컨트롤러를 사용하여야 하기 때문에 장비의 가격 및 유지 보수비용이 증가하게 되며, 챔버와 동일하게 전체적인 소비전력이 높아짐에 따라 챔버와 마찬가지로 생산비가 상승하는 효과가 나타난다.And, in case of direct heating type by absorbing element, heater and sensor should be installed according to test socket. In this case, heater and sensor and multiple controllers should be used for each socket. As the cost increases, as the overall power consumption increases as in the chamber, the production cost increases as in the chamber.

구체적으로, 직접 접촉 가열 방식의 경우, 챔버 방식의 단점인 소켓 간 온도 균일성 문제는 해결이 가능하지만, 반도체 소자를 고온화하기 위해 소자를 진공 흡착하는 각각의 부분에 히터와 센서를 장착하여야 하며, 히터를 제어하기 위해 온도 제어 컨트롤러를 장치하여야 한다. Specifically, in the case of the direct contact heating method, the problem of temperature uniformity between sockets, which is a disadvantage of the chamber method, can be solved, but in order to heat the semiconductor device, a heater and a sensor must be attached to each part of the vacuum suction device. A temperature control controller must be installed to control the heater.

이에 따라, 직접 가열 히터를 내장한 컨텍터의 구조가 복잡해지며, 자체 하중 증가, 전기적인 연결, 열전달 피커 등 고려해야할 사항이 많아지게 된다. 요즘 추세인 테스터 소켓을 증가시켜 단위 시간 당 생산량을 증가시키는 반도체 소자 테스트 방식에서는 직접 가열 방식에 문제점이 있으며, 자체 하중 증가에 따라 인덱스 타임(테스트 종료 후 테스트가 시작되는 시간)이 증가하므로 하중 증가에 따른 구동체의 모터의 용량증가 등의 추가적인 보완책이 필요하다. As a result, the structure of the contactor incorporating the direct heating heater becomes complicated, and there are many things to consider, such as increasing its own load, electrical connection, and heat transfer picker. The semiconductor device test method, which increases the output per unit time by increasing the tester socket, which is a trend in recent years, has a problem in the direct heating method. Further supplementary measures, such as the increase in the capacity of the motor of the drive body according to the need.

한편, 반도체 소자를 항온 테스트를 하기 위해서는 주변 환경에 대해 가열 또는 냉각이 가능한 장치가 필요하다. 종래에는, 챔버의 온도를 낮추기 위해 액화질소를 공기와 혼합하여 냉매로 사용하였다. 액화된 질소를 테스트의 설정온도로 맞추기 위해서는 기타 부속장치가 필요하며, 이를 구성하는 비용의 상승이 필요하다. 또한, 질소는 충전과정을 통해 공급되기 때문에 냉각에 필요한 비용의 발생이 필요하다. Meanwhile, in order to test the semiconductor device at a constant temperature, an apparatus capable of heating or cooling the surrounding environment is required. Conventionally, liquefied nitrogen was mixed with air and used as a refrigerant to lower the temperature of the chamber. Other accessories are needed to bring the liquefied nitrogen to the set temperature of the test and the cost of constructing it is necessary. In addition, since nitrogen is supplied through the filling process, the cost required for cooling is required.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 챔버의 대류 형태에서 테스트 소켓을 제어된 고온의 공기를 도킹 플레이트에 분배하고, 비산시켜 소켓 간의 온도 편차를 최소화하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to distribute a controlled hot air to a docking plate in a convection form of a chamber and to scatter the test socket, thereby minimizing temperature variation between the sockets.

또한, 본 발명은 액화질소와 공기를 혼합하여 냉각하는 방식이 아닌, 공기 냉각 장치인 보텍스 튜브를 이용함으로써, 테스트 환경이 변화되었을 경우, 능동적으로 테스트 환경 온도 제어가 가능하도록 함에도 목적이 있다. In addition, the present invention has an object to use the vortex tube, which is an air cooling device, not to mix and cool liquid nitrogen and air, so that the test environment temperature can be actively controlled when the test environment is changed.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버에 관한 것으로서, 테스트 소켓에 국부 가열 및 배기가 가능하도록, 에어히터에 의한 고온의 공기를 토출하는 토출구 및 고온의 공기가 소켓에 비산되도록 각 소켓별로 구비된 분기구가 구비된 국부 가열형 도킹 플레이트; 를 포함한다.The present invention for achieving the technical problem relates to a chamber for a high temperature test of the semiconductor device, the discharge port for discharging the hot air by the air heater and the hot air socket to enable local heating and exhaust to the test socket A locally heated docking plate having branching holes provided for each socket so as to be scattered thereon; .

또한 상기 에어히터는, 압축공기가 입력되는 압축공기 입력부, T자형 분기부, 배출구를 통해 배출되어 비산된 공기를 재흡기하는 제 2 흡기구, 상기 압축공기 입력부를 통해 입력된 압축공기 및 제 2 흡기구를 통해 흡기된 공기를 가열하는 가열부 및 가열된 공기를 배출시키는 배출구를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the air heater, a compressed air input unit through which compressed air is input, a T-shaped branch, a second intake port for re-suctioning the air discharged through the discharge port, the compressed air and the second intake port input through the compressed air input unit It characterized in that it comprises a heating unit for heating the air sucked through and the outlet for discharging the heated air.

또한 상기 에어히터를 통해 가열된 공기가 배출구를 통해 배출되어, 상기 국부 가열형 도킹 플레이트의 소켓을 국부 가열하며, 국부 가열형 도킹 플레이트의 제 1 흡기구로 흡기된 공기는 되먹임 입력부를 통해 에어히터의 되먹임입력으로 사용되는 것을 특징으로 한다.In addition, the air heated through the air heater is discharged through the outlet, to locally heat the socket of the local heating docking plate, the air intake to the first intake port of the local heating docking plate is the feedback of the air heater through the input unit Characterized in that it is used as a feedback input.

또한 유체의 흐름이 빠른 관로와 T자형 분기부를 이용하여, 1차로 제 2 흡기구의 진공을 형성하게 하고, 제 2 흡기구에서 흡입된 공기와 T자형 분기부로부터 입력되는 공기를 에어히터의 입력으로 사용하여, 2차로 고온의 공기를 국부 가열지점으로 토출, 비산시키고 이를 다시 흡입하는 방식으로 내부적으로 순환시키는 것을 특징으로 한다.In addition, by using a fast flow path and a T-shaped branch, the vacuum of the second inlet is formed first, and the air sucked in the second inlet and the air input from the T-shaped branch are used as inputs of the air heater. As a result, the secondary air is circulated internally by discharging, scattering, and inhaling the hot air at a local heating point.

그리고 보텍스 튜브르 이용하여 압축공기를 냉매로 사용하고, 냉매의 공급량을 제어하여 항온을 유지하는 냉각제어 장치; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. And a cooling control device using compressed air as a refrigerant using a vortex tube, and controlling a supply amount of the refrigerant to maintain a constant temperature; And further comprising:

상기와 같은 본 발명에 따르면, 히터의 용량 증대 또는 직접 가열 방식이 아닌, 국부적인 고온화 방법을 이용함으로써 고온 테스트 시, 소켓 간의 온도 차이를 최소화하고 온도를 균일화 할 수 있으며, 생산비 증가를 최소화 할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention as described above, it is possible to minimize the temperature difference between the socket during the high temperature test, to uniform the temperature, and to minimize the increase in production cost by using a localized high temperature method, rather than increasing the capacity of the heater or direct heating method. It has an effect.

그리고 본 발명에 따르면, 냉매로 사용되는 액화질소 대신 고압의 압축공기만을 이용하여 냉매로 사용함으로써, 액화질소 사용으로 인한 시설 투자비용을 절감할 수 있는 효과도 있다. In addition, according to the present invention, by using only high pressure compressed air instead of liquefied nitrogen to be used as the refrigerant, as a refrigerant, it is also possible to reduce the investment cost of the facility due to the use of liquefied nitrogen.

도 1 은 일반적인 챔버 가열 또는 직접 가열 방식을 보이는 일예시도.
도 2 는 본 발명에 따른 국부 가열형 도킹 플레이트에 관한 구성 및 국부 가열 배치를 보이는 일예시도.
도 3 은 본 발명에 따른 에어히터에 관한 구성 및 흡기와 배기를 보이는 일예시도.
도 4 는 본 발명에 따른 냉각제어 장치에 관한 일예시도.
1 is an exemplary view showing a general chamber heating or direct heating method.
Figure 2 is an exemplary view showing a configuration and a local heating arrangement for a local heating docking plate according to the present invention.
Figure 3 is an exemplary view showing a configuration and intake and exhaust with respect to the air heater according to the present invention.
4 is an exemplary view of a cooling control device according to the present invention.

본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.Specific features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings. It is to be noted that the detailed description of known functions and constructions related to the present invention is omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily blurred.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버에 관하여 도 2 내지 도 4 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A chamber for testing a high temperature of a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4 as follows.

먼저, 도 1 은 일반적인 챔버 가열 또는 직접 가열 방식을 보이는 일예시도이로서, 도시된 바와 같이 테스트 헤드의 테스트 소켓과 컨텍터의 체결을 이루게 해주는 도킹 플레이트(1)를 포함한다. First, FIG. 1 is an exemplary view showing a general chamber heating method or a direct heating method, and includes a docking plate 1 that allows the test socket of the test head and the contactor to be fastened as shown.

도킹 플레이트(1)는 핸들러와 테스트 헤드의 1차적인 물리적인 연결, 반도체 소자의 소켓 내의 안착 및 전기적인 접촉 시 가이드 핀에 의한 위치 보정 및 조정, 컨텍터에 의해 소켓 파손을 방지하기 위한 하드 스톱 기구 배치의 기능을 수행한다. The docking plate 1 has a primary physical connection between the handler and the test head, positioning and adjustment by the guide pins during seating and electrical contact in the socket of the semiconductor device, and a hard stop to prevent socket breakage by the contactor. Perform the function of instrument placement.

일반적인 챔버 가열 방식에서는 컨텍터의 커넥팅 로드(2) 부분과 기타 기구적인 부속품, 반도체 소자가 소켓에 안착되고 일정한 힘으로 누르게 해주는 댐퍼(3) 그리고 도킹 플레이트의 가이드 핀(4) 및 하드 스토퍼(5) 구조에 의해 대류하는 공기 방해되어 도킹 플레이트 하부의 소켓 내에 균일하게 분포되기가 어려운 구조이다. 상기에 열거된 문제에 따라 동시에 테스트하는 소켓의 수가 늘어날수록 온도 편차를 낮추는 것이 어렵게 되며 이와 함께 소켓의 수가 증가함은 챔버의 체적이 비례하여 커짐에 따라 히터(6) 및 송풍기(7)의 용량도 커져야 한다. In a typical chamber heating method, the connecting rod (2) part of the contactor and other mechanical accessories, a damper (3) for seating the semiconductor element in the socket and pressing with constant force, the guide pin (4) of the docking plate and the hard stopper (5) It is a structure that is difficult to uniformly distribute in the socket under the docking plate due to air convection caused by the) structure. According to the problems listed above, it is difficult to reduce the temperature variation as the number of sockets tested at the same time increases, and the increase in the number of sockets increases the capacity of the heater 6 and the blower 7 as the volume of the chamber increases in proportion. Should also be large.

열의 균일한 분포를 해결하기 위해 컨텍터의 댐퍼 하부에 히터를 장착하여 이곳에서 발생된 열을 금속성 흡착장치에 전도시켜 소자를 가열 시키는 직접 가열 방식이 있으나, 최근의 병렬 테스트 방식의 확장에 따른 방식에서는 히터 및 센서 그리고 컨트롤러의 증가로 인해 설비의 가격 증가 및 주변 부분품 등 기존에 설비외적인 신규 투자비용이 상승하는 단점이 있다.
In order to solve the uniform distribution of heat, there is a direct heating method in which a heater is installed at the bottom of the damper of the contactor to conduct the heat generated from this to the metallic adsorption device to heat the device, but according to the recent expansion of the parallel test method. Due to the increase in heaters, sensors, and controllers, there is a drawback that new investment costs outside the facility, such as the increase in the price of equipment and peripheral parts, increase.

본 발명에 따른 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버(이하, '챔버')(100)는 국부 가열형 도킹 플레이트(8) 및 냉각제어 장치(20)를 포함한다. The chamber (hereinafter, referred to as 'chamber') 100 for the high temperature test of the semiconductor device according to the present invention includes a locally heated docking plate 8 and a cooling control device 20.

구체적으로, 국부 가열형 도킹 플레이트(8)는 도 2 에 도시된 바와 같이, 테스트 소켓에 국부 가열 및 배기가 가능하도록, 고온의 공기 이동 관로(9)가 배치되어 있고, 기존의 도킹 플레이트에 결합하는 형태로 제작된다. 이때, 국부 가열형 도킹 플레이트(8)는 반도체 소자의 열원으로서 에어히터(A)를 이용한다. Specifically, as shown in FIG. 2, the locally heated docking plate 8 is provided with a hot air moving conduit 9 so as to enable local heating and exhausting in the test socket, and is coupled to an existing docking plate. It is produced in the form. At this time, the local heating docking plate 8 uses the air heater A as a heat source of the semiconductor element.

또한, 국부 가열형 도킹 플레이트(8)는 에어히터(A)에 의한 고온의 공기를 토출하는 토출구(10) 및 고온의 공기가 국부 가열형 도킹 플레이트(8)의 소켓에 비산되도록 각 소켓별로 구비된 분기구(11)를 포함한다. In addition, the locally heated docking plate 8 is provided for each socket so that the discharge port 10 for discharging the hot air by the air heater A and the hot air are scattered to the socket of the locally heated docking plate 8. Branched openings 11 are included.

한편, 에어히터(A)는 도 3 에 도시된 바와 같이, 압축공기가 입력되는 압축공기 입력부(16), T자형 분기부(14), 배출구(18)를 통해 배출되어 비산된 공기를 재흡기하는 제 2 흡기구(15), 상기 압축공기 입력부(16)를 통해 입력된 압축공기 및 제 2 흡기구(15)를 통해 흡기된 공기를 가열하는 가열부(17), 가열된 공기를 배출시키는 배출구(18)를 포함한다. Meanwhile, as shown in FIG. 3, the air heater A re-intakes the air discharged through the compressed air input unit 16, the T-shaped branch 14, and the discharge port 18 through which compressed air is input. The second intake port 15, the compressed air input through the compressed air input unit 16 and the heating unit 17 for heating the intake air through the second intake port 15, the outlet for discharging the heated air ( 18).

즉, 에어히터(17)를 통해 가열된 공기가 배출구(18)를 통해 배출되어, 국부 가열형 도킹 플레이트(8)의 소켓을 국부 가열하며, 국부 가열형 도킹 플레이트(8)의 제 1 흡기구(12)로 흡기된 공기는 되먹임 입력부(13)를 통해 에어히터(A)의 되먹임입력으로 사용된다. That is, the air heated through the air heater 17 is discharged through the discharge port 18 to locally heat the socket of the locally heated docking plate 8, and the first intake port of the locally heated docking plate 8. The air sucked into 12 is used as a feedback input of the air heater A through the feedback input unit 13.

또한, 상기 압축공기 입력부(16)를 통해 입력된 압축공기는 T자형 분기부(14)를 통하게 된다. 이때, 압축공기는 배출구(18)보다 큰 통로를 지나게 됨에 따라, 관내의 압력이 낮아지며, 제 2 흡기구(15)는 진공상태를 이루게 되며, 제 2 흡기구(15)를 통해 고온의 공기가 재흡기된다. In addition, the compressed air input through the compressed air input unit 16 is through the T-shaped branch (14). At this time, as the compressed air passes through the passage larger than the outlet 18, the pressure in the pipe is lowered, the second inlet 15 is in a vacuum state, and the hot air is re-intaked through the second inlet 15. do.

상술한 바와 같이, 배출구(18)를 통해 배출되어 비산된 공기는 다시 제 2 흡기구(15)를 통해 재흡기되며, 이러한 순환을 거쳐 국부 가열 부분 외에는 고온의 공기가 확산되지 않는다.
As described above, the air discharged and scattered through the discharge port 18 is re-intaked through the second intake port 15 again, and hot air is not diffused except for the local heating portion through this circulation.

한편, 본 발명에서는 테스트 소켓의 온도 균일화를 하는 방법으로 에어히터(A)에서 나오는 고온의 공기를 매니 폴더를 통해 테스트 소켓에 직접 공급하여 국부가열을 하는 방식을 사용한다. On the other hand, the present invention uses a method of localized heating by directly supplying the hot air from the air heater (A) to the test socket through the manifold as a method of uniformizing the temperature of the test socket.

즉, 소켓에 공급되는 고온의 공기는 테스트 소켓에 근방의 토출구(10)에 장착된 센서에 의해 공기의 온도가 측정되며, 이를 되먹임(Feedback)하여 온도 제어기에 의해 설정 온도 대비 오차를 PID 제어 방식으로 제어한다. That is, the temperature of the air is measured by the sensor mounted on the discharge port 10 near the test socket for the high temperature air supplied to the socket. The feedback is fed back to the error of the temperature set by the temperature controller. To control.

설정온도로 제어된 고온의 공기는 소켓에 비산시키기 위해 단열 처리된 열 통로 관로(9)를 통해 이동하고, 소켓의 온도가 균일하게 유지되게 된다. The hot air controlled at the set temperature is moved through the heat-insulated heat passage conduit 9 to fly to the socket, so that the temperature of the socket is kept uniform.

소자가 소켓에서 전기적으로 접촉되어 테스트가 진행되기 위해 컨텍터가 테스트 소켓 위에 하강하면, 고온의 열풍이 연속적으로 공급되므로 소켓 내부에 고온의 와류가 생기게 된다. 따라서, 와류를 배출하는 배출구의 배치가 필요하다. When the contactor descends on the test socket for electrical contact with the device in electrical contact with the socket, high temperature hot air is continuously supplied, creating a hot vortex inside the socket. Therefore, it is necessary to arrange an outlet for discharging the vortex.

이때, 베르누이의 정리를 이용하며, 앞서 상술한 바와 같이 유체의 흐름이 빠른 관로와 T자형 분기부(14)를 이용하여, 1차로 제 2 흡기구(15)의 진공을 형성하게 하고, 제 2 흡기구(15)에서 흡입된 공기와 T자형 분기부(14)로부터 입력되는 공기를 에어히터(A)의 입력으로 사용하여, 2차로 고온의 공기를 국부 가열지점으로 토출, 비산시키고 이를 다시 흡입하는 방식으로 내부적으로 순환시키도록 한다. 또한, 소켓에 비산되는 고온의 공기를 제 2 흡기구(15)를 통해 흡입함으로써 반도체 검사 장치 내부의 환경 온도의 상승을 억제할 수 있다.
At this time, Bernoulli's theorem is used, and as described above, the vacuum of the second intake port 15 is first formed by using the fast-flowing pipe and the T-shaped branch 14, and the second intake port By using the air sucked in the (15) and the air input from the T-shaped branch 14 as the input of the air heater (A), the secondary hot air is discharged and scattered to the local heating point, and scattered again To cycle internally. In addition, an increase in the environmental temperature inside the semiconductor inspection apparatus can be suppressed by sucking the hot air scattered on the socket through the second intake port 15.

도 4 는 본 발명에 따른 냉각제어 장치(20)에 관한 일예시도로서, 도시된 바와 같이, 보텍스(Vortex) 튜브를 이용하여 챔버 내의 공기를 냉각한다. 4 is an exemplary view of a cooling control device 20 according to the present invention. As shown, the air in the chamber is cooled by using a vortex tube.

보텍스 튜브의 원리는 압축공기가 배관을 통해 보텍스 튜브에 공급되면 1차로 와류 회전실(21)에 투입되어, 1,000,000 RPM으로 회전하게 된다. 이 회전공기는 후미의 온기 출구(22) 쪽으로 이동하게 되는데, 일부의 공기는 다시 회송되어 2차 소용돌이를 형성하며, 냉기 출구(23) 쪽으로 나가게 되는데 2차로 생긴 보텍스 흐름에 의해 1차 보텍스의 흐름의 안쪽의 낮은 압력 지역을 통과하면서 열량을 잃고 냉기 토출구 방향으로 토출되게 되어 있다. The principle of the vortex tube is that when compressed air is supplied to the vortex tube through a pipe, it is first introduced into the vortex rotation chamber 21 to rotate at 1,000,000 RPM. This rotating air is moved toward the warmth outlet 22 of the tail, and some air is returned again to form a secondary vortex, and exits to the cold air outlet 23, which flows in the primary vortex by the secondary vortex flow. The heat is lost while passing through the low pressure region inside the heat discharge chamber and discharged toward the cold air discharge port.

이런 운동 속도의 차이로 인해 운동에너지는 감소하게 되고 이에 상실된 에너지는 1차로 보텍스 회전을 한 공기온도 보다 내려가는 특성을 보인다. Due to the difference in the movement speed, the kinetic energy is decreased and the energy lost is lower than the air temperature of the first vortex rotation.

본 발명에서는, 챔버의 냉매 또는 냉기로 일반적으로 사용되는 액화질소나 칠러를 사용하지 않고, 압축공기와 보텍스 튜브만을 사용하기 때문에 유지 관리가 용이하고, 추가적인 재료 구입비용이 발생하지 않는 장점이 있다. In the present invention, since only the compressed air and the vortex tube are used without using liquid nitrogen or chiller which is generally used as the refrigerant or cold of the chamber, maintenance is easy and additional material purchase cost does not occur.

보텍스 튜브의 제어는, 온도제어기와 보텍스 튜브의 입력되는 압축 공기를 On/Off 밸브를 사용하여 제어하게 되고, 챔버 내의 공기를 설정된 값으로 냉각시킬 수 있게 된다. In the control of the vortex tube, the input air of the temperature controller and the vortex tube is controlled by using an on / off valve, and the air in the chamber can be cooled to a set value.

이와 같은 방법은 극저온에 경우는 사용이 제한적일 수 있으나, 반도체 소자의 실온영역 테스트 시 테스트 소켓에 장착된 테스트 헤드의 고온화에 따라 챔버 내에 온도 상승을 억제하고, 실온의 제어된 설정온도에서 반도체 소자를 테스트를 진행할 수 있다. Such a method may be limited in case of cryogenic temperature, but the temperature rise in the chamber is suppressed by the high temperature of the test head mounted on the test socket during the room temperature test of the semiconductor device, and the semiconductor device is controlled at a controlled set temperature of room temperature. You can proceed with the test.

또한, 냉각 제어를 통해 고온 테스트 후 타켓 반도체 소자가 변경될 경우, 챔버의 급속 냉각 냉기 공급(24 참조)이 가능해짐에 따라 테스트 헤드(25) 분리 및 체인지 키트(26)의 교환 등이 빨라져 생산성에 기여할 수 있다.
In addition, when the target semiconductor element is changed after the high temperature test through the cooling control, the rapid cooling cold air supply (see 24) of the chamber becomes possible, so that the test head 25 and the change kit 26 can be quickly replaced. Can contribute to

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be appreciated by those skilled in the art that numerous changes and modifications may be made without departing from the invention. Accordingly, all such appropriate modifications and changes, and equivalents thereof, should be regarded as within the scope of the present invention.

8: 국부 가열형 도킹 플레이트 9: 공기 이동 관로
10: 토출구 11: 분기구
12: 제 1 흡기구 13: 되먹임 입력부
A: 에어히터 14: T자형 분기부
15: 제 2 흡기구 16: 압축공기 입력부
17: 가열부 18: 배출구
20: 냉각제어 장치 21: 와류 회전실
22: 온기 출구 23: 냉기 출구
24: 챔버의 급속 냉각 냉기 공급 25: 테스트 헤드
26: 체인지 키트
8: Locally heated docking plate 9: Air movement line
10: discharge port 11: branch port
12: first intake port 13: feedback input unit
A: Air heater 14: T-shaped branch
15: second intake port 16: compressed air input unit
17: heating part 18: outlet
20: cooling control device 21: vortex rotation chamber
22: warmth outlet 23: cold air outlet
24: rapid cooling cold air supply to the chamber 25: test head
26: change kit

Claims (5)

테스트 소켓에 국부 가열 및 배기가 가능하도록, 고온의 공기이동관로(9)가 배치되고, 에어히터(A)에 의한 고온의 공기를 토출하는 토출구(10) 및 고온의 공기가 소켓에 비산되도록 각 소켓별로 구비된 분기구(11)가 구비된 국부 가열형 도킹 플레이트(8); 를 포함하며,
상기 에어히터(A)를 통해 가열된 공기가 배출구(18)를 통해 배출되어, 상기 국부 가열형 도킹 플레이트(8)의 소켓을 국부 가열하며, 국부 가열형 도킹 플레이트(8)의 제 1 흡기구(12)로 흡기된 공기는 되먹임 입력부(13)를 통해 에어히터(A)의 되먹임입력으로 사용되는 것을 특징으로 하며,
유체의 흐름이 빠른 관로와 T자형 분기부(14)를 이용하여, 1차로 제 2 흡기구(15)의 진공을 형성하게 하고, 제 2 흡기구(15)에서 흡입된 공기와 T자형 분기부(14)로부터 입력되는 공기를 에어히터(A)의 입력으로 사용하여, 2차로 고온의 공기를 국부 가열지점으로 토출, 비산시키고 이를 다시 흡입하는 방식으로 내부적으로 순환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버.
In order to enable local heating and exhaust to the test socket, a hot air moving path 9 is arranged, and the outlet 10 for discharging the hot air by the air heater A and the hot air are scattered in the socket. A locally heated docking plate (8) provided with a branch (11) provided for each socket; Including;
Air heated through the air heater (A) is discharged through the outlet 18 to locally heat the socket of the localized docking plate (8), the first intake port of the localized docking plate (8) ( Air sucked into 12) is used as a feedback input of the air heater (A) through the feedback input unit 13,
By using the fast flow path and the T-shaped branch 14, the vacuum of the second inlet 15 is first formed, and the air sucked in the second inlet 15 and the T-shaped branch 14 The high temperature test of the semiconductor device, characterized in that the air input from the air is used as the input of the air heater A, and the air is circulated internally by discharging, scattering, and inhaling the second hot air to the local heating point. Chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 에어히터(A)는,
압축공기가 입력되는 압축공기 입력부(16), T자형 분기부(14), 배출구(18)를 통해 배출되어 비산된 공기를 재흡기하는 제 2 흡기구(15), 상기 압축공기 입력부(16)를 통해 입력된 압축공기 및 제 2 흡기구(15)를 통해 흡기된 공기를 가열하는 가열부(17) 및 가열된 공기를 배출시키는 배출구(18)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버.
The method of claim 1,
The air heater (A),
Compressed air input unit 16 through which the compressed air is input, the T-shaped branch 14, the second inlet 15 for re-suctioning the air discharged through the discharge port 18, the compressed air input unit 16 For the high temperature test of the semiconductor device, characterized in that it comprises a heating unit 17 for heating the air sucked through the compressed air and the second inlet 15 and the outlet 18 for discharging the heated air input through the chamber.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
보텍스 튜브를 이용하여 압축공기를 냉매로 사용하고, 냉매의 공급량을 제어하여 항온을 유지하는 냉각제어 장치(20); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 고온 테스트를 위한 챔버.
The method of claim 1,
A cooling control device 20 using compressed air as a refrigerant using a vortex tube, and controlling a supply amount of the refrigerant to maintain a constant temperature; Chamber for high temperature test of the semiconductor device further comprises.
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