KR101310763B1 - Chemical Vapor Deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

화학기상증착장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치는, 기판을 반입 또는 반출하기 위한 슬릿이 마련된 하부챔버와 하부챔버의 상부에 결합하는 상부챔버를 구비한 진공챔버; 및 하부챔버와 일체로 마련되며, 기판이 진공챔버 내로 출입할 수 있도록 슬릿을 개방하거나, 진공챔버의 진공이 유지될 수 있도록 슬릿을 폐쇄하는 슬릿밸브 어셈블리를 포함하며, 슬릿밸브 어셈블리는, 하부챔버의 일 측벽을 공용으로 사용하여 마련되는 밸브챔버; 및 밸브챔버 내부에 마련되며, 슬릿을 개폐하는 슬릿밸브를 포함한다.A chemical vapor deposition apparatus is disclosed. Chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, a vacuum chamber having a lower chamber provided with a slit for loading or unloading the substrate and an upper chamber coupled to the upper portion of the lower chamber; And a slit valve assembly provided integrally with the lower chamber, the slit valve assembly opening the slit to allow the substrate to enter and exit the vacuum chamber, or closing the slit so that the vacuum of the vacuum chamber can be maintained. A valve chamber provided by using one sidewall of the valve in common; And a slit valve provided in the valve chamber to open and close the slit.

Description

화학기상증착장치{Chemical Vapor Deposition apparatus}Chemical Vapor Deposition Apparatus

본 발명은, 화학기상증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 진공챔버 내로 기판이 반입 또는 반출되도록 하는 슬릿밸브 어셈블리 구조가 개선된 화학기상증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus with an improved slit valve assembly structure for bringing a substrate into or out of a vacuum chamber.

LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 평판표시소자(FPD, Flat Panel Display)는 여러 가지 공정을 거쳐 제조되는데, 이러한 제조 공정에는 기판에 소정의 박막을 형성시키는 박막증착공정이 포함된다.Flat panel displays (FPDs), such as liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting diodes (OLEDs), are manufactured through a variety of processes. A thin film deposition process for forming a thin film is included.

박막증착공정에 사용되는 장치의 하나인 화학기상증착장치(CVD)는, 진공챔버 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 반응가스를 보내어 그 반응가스의 막을 기판에 성장시키도록 하는 장치이다.Chemical Vapor Deposition (CVD), which is one of the apparatuses used in the thin film deposition process, is a device that sends a reaction gas having a high vapor pressure to a substrate heated in a vacuum chamber and grows the film of the reaction gas on the substrate.

보통 기판에 대한 증착공정이 진행되는 진공챔버의 외벽에는 기판이 취출될 수 있도록 슬릿(slit) 형상의 출입구가 마련되고, 슬릿의 주변에는 슬릿을 개폐할 수 있는 슬릿밸브가 배치된다.Usually, a slit-shaped entrance and exit is provided on the outer wall of the vacuum chamber in which the deposition process is performed on the substrate, and a slit valve that opens and closes the slit is disposed around the slit.

종래의 슬릿밸브는 별도로 챔버형태로 제작되어 필요 시 진공챔버 외벽에 조립하여 사용되어 왔다.The conventional slit valve has been manufactured in a separate chamber form and assembled on the outer wall of the vacuum chamber if necessary.

그런데 이와 같이 슬릿밸브가 별도로 제작되어 진공챔버 외벽에 조립되면, 슬릿밸브가 조립되는 진공챔버 외벽과 슬릿밸브가 수용되는 밸브챔버의 외벽 사이에 데드 스페이스(dead space)가 크게 발생하게 된다.However, when the slit valve is manufactured separately and assembled to the outer wall of the vacuum chamber, a dead space is greatly generated between the outer wall of the vacuum chamber in which the slit valve is assembled and the outer wall of the valve chamber in which the slit valve is accommodated.

이로 인해 슬릿밸브 주위에서 공정결과의 교란 현상이 발생할 가능성이 커지게 되며, 불필요한 데드 스페이스로 인한 장비 전체의 풋프린트(footprint)가 증가하는 현상이 발생하게 된다.This increases the possibility of disturbance of the process result around the slit valve, and increases the footprint of the entire equipment due to unnecessary dead space.

[특허문헌 1] KR 10-2011-0063794 A 2011년 06월 14일[Patent Document 1] KR 10-2011-0063794 A June 14, 2011

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 종래기술에서 슬릿밸브가 조립되는 진공챔버의 외벽과 슬릿밸브가 수용되는 밸브챔버의 외벽 사이에 발생하는 데드 스페이스(dead space)를 감소시킬 수 있는 슬릿밸브 어셈블리를 구비한 화학기상증착장치를 제공하는 것이다.Accordingly, a technical problem of the present invention is to provide a slit valve assembly capable of reducing dead space generated between the outer wall of the vacuum chamber in which the slit valve is assembled and the outer wall of the valve chamber in which the slit valve is accommodated. It is to provide a chemical vapor deposition apparatus having a.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 반입 또는 반출하기 위한 슬릿이 마련된 하부챔버와 상기 하부챔버의 상부에 결합하는 상부챔버를 구비한 진공챔버; 및상기 하부챔버와 일체로 마련되며, 상기 기판이 상기 진공챔버 내로 출입할 수 있도록 상기 슬릿을 개방하거나, 상기 진공챔버의 진공이 유지될 수 있도록 상기 슬릿을 폐쇄하는 슬릿밸브 어셈블리를 포함하며, 상기 슬릿밸브 어셈블리는, 상기 하부챔버의 일 측벽을 공용으로 사용하여 마련되는 밸브챔버; 및 상기 밸브챔버 내부에 마련되며, 상기 슬릿을 개폐하는 슬릿밸브를 포함하는 화학기상증착장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the vacuum chamber having a lower chamber provided with a slit for loading or unloading the substrate and the upper chamber coupled to the upper portion of the lower chamber; And a slit valve assembly provided integrally with the lower chamber, the slit valve assembly opening the slit to allow the substrate to enter and exit the vacuum chamber, or closing the slit to maintain the vacuum of the vacuum chamber. The slit valve assembly includes: a valve chamber provided by using one side wall of the lower chamber in common; And a slit valve provided inside the valve chamber and opening and closing the slit.

상기 밸브챔버는, 상기 슬릿이 형성되는 상기 진공챔버의 일 측벽과 상기 밸브챔버의 일 측벽으로 공용되는 공용벽체; 및 상기 공용벽체와 이격되어 마련되며, 상기 슬릿과 연통되어 상기 기판이 출입하는 게이트가 형성된 밸브벽체를 포함할 수 있다.The valve chamber may include a common wall shared by one sidewall of the vacuum chamber in which the slit is formed and one sidewall of the valve chamber; And a valve wall spaced apart from the common wall and in communication with the slit to form a gate through which the substrate enters and exits.

상기 밸브챔버는, 상기 슬릿이 형성되는 상기 진공챔버의 외벽을 공용하는 공용벽체; 및 상기 공용벽체와 이격되어 마련되며, 상기 슬릿과 연통되어 상기 기판이 출입하는 게이트가 형성된 밸브벽체를 포함할 수 있다.The valve chamber may include a common wall for sharing an outer wall of the vacuum chamber in which the slit is formed; And a valve wall spaced apart from the common wall and in communication with the slit to form a gate through which the substrate enters and exits.

상기 밸브챔버는, 상기 공용벽체와 상기 밸브벽체의 상부에 탈착 가능하게 결합하여 밀폐된 공간을 형성하는 밸브커버를 더 포함할 수 있다.The valve chamber may further include a valve cover which is detachably coupled to the common wall and the upper portion of the valve wall to form a closed space.

상기 밸브커버는 상기 상부챔버의 하중에 의한 상기 공용벽체의 처짐을 방지할 수 있도록 상기 상부챔버의 하중에 의한 상기 공용벽체에 가해지는 굽힘 모멘트를 상쇄할 수 있는 중량물로 마련될 수 있다.The valve cover may be provided as a heavy material capable of offsetting the bending moment applied to the shared wall by the load of the upper chamber so as to prevent sagging of the shared wall by the load of the upper chamber.

상기 밸브벽체와 상기 공용벽체 사이에 체결되어 상기 상부챔버에 의한 상기 공용벽체의 처짐을 방지하는 처짐방지 볼트를 더 포함할 수 있다.It may further include a deflection prevention bolt fastened between the valve wall and the common wall to prevent the common wall from sagging by the upper chamber.

상기 밸브커버와 상기 공용벽체 사이에 결합하여 상기 상부챔버에 의한 상기 공용벽체의 처짐을 방지하는 처짐방지 볼트를 더 포함할 수 있다.It may further include a deflection prevention bolt coupled between the valve cover and the common wall to prevent the common wall from sagging by the upper chamber.

상기 밸브커버의 하부에 결합되어 상기 밸브챔버 내부의 잔류 가스가 고형화되지 않도록 상기 밸브챔버의 내부를 일정 온도로 유지하는 히터를 더 포함할 수 있다.The heater may further include a heater coupled to a lower portion of the valve cover to maintain the inside of the valve chamber at a predetermined temperature so that residual gas inside the valve chamber is not solidified.

상기 슬릿밸브는, 상기 슬릿 및 상기 게이트에 밀착되어 상기 슬릿 및 상기 게이트를 폐쇄하는 한 쌍의 밸브 블레이드; 상기 한 쌍의 밸브 블레이드를 각각 상기 슬릿 및 상기 게이트를 향하여 이동시키는 가압실린더; 및 상기 가압실린더를 지지하며, 상기 밸브 블레이드를 상기 슬릿 및 상기 게이트를 폐쇄할 수 있는 위치로 상승시키거나, 상기 슬릿밸브를 하강시켜 상기 슬릿 및 상기 게이트를 개방시키는 승하강실린더를 포함할 수 있다.The slit valve includes a pair of valve blades in close contact with the slit and the gate to close the slit and the gate; A pressurizing cylinder for moving the pair of valve blades toward the slit and the gate, respectively; And a lifting cylinder for supporting the pressure cylinder and raising the valve blade to a position where the slit and the gate can be closed, or by lowering the slit valve to open the slit and the gate. .

상기 밸브 블레이드에는 상기 슬릿의 폐쇄 시 상기 진공챔버의 기밀을 유지하기 위한 오링이 결합될 수 있다.The valve blade may be coupled to the O-ring for maintaining the airtightness of the vacuum chamber when the slit is closed.

상기 슬릿밸브 어셈블리 내부의 청정도를 유지하기 위한 퍼지모듈을 더 포함할 수 있다.A purge module may be further included to maintain cleanliness of the slit valve assembly.

상기 퍼지모듈은, 상기 밸브챔버 내부를 진공상태로 유지하는 진공밸브라인; 상기 밸브챔버 내부에 세척용 질소가스르 공급하는 퍼지가스 공급라인; 및 상기 퍼지가스 공급라인에 의해 공급된 질소가스를 배출하는 퍼지가스 배출라인을 포함할 수 있다.The purge module includes a vacuum valve line for maintaining the inside of the valve chamber in a vacuum state; A purge gas supply line for supplying nitrogen gas for cleaning into the valve chamber; And it may include a purge gas discharge line for discharging the nitrogen gas supplied by the purge gas supply line.

본 발명의 실시예들은, 진공챔버와 일체로 제작됨으로써, 종래기술에서 슬릿밸브가 조립되는 진공챔버 외벽과 슬릿밸브가 수용되는 밸브챔버의 외벽 사이에 발생되는 데드 스페이스(dead space)를 줄여 장비 전체의 풋프린트(footprint)를 감소시킬 수 있는 슬릿밸브 어셈블리를 구비한 화학기상증착장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present invention are manufactured integrally with the vacuum chamber, thereby reducing the dead space generated between the outer wall of the vacuum chamber in which the slit valve is assembled and the outer wall of the valve chamber in which the slit valve is accommodated in the prior art. It is possible to provide a chemical vapor deposition apparatus having a slit valve assembly that can reduce the footprint of the apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화확기상증착장치의 개략적인 구조도이다.
도 2는 도 1의 슬릿밸브 어셈블리의 확대 구조도이다.
도 3은 처짐방지볼트의 다른 실시예를 나타낸 슬릿밸브 어셈블리의 확대 구조도이다.
도 4는 슬릿밸브 어셈블리의 청정도를 유지하는 퍼지모듈의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged structural diagram of the slit valve assembly of FIG. 1.
Figure 3 is an enlarged structural diagram of a slit valve assembly showing another embodiment of the deflection prevention bolt.
Figure 4 is a schematic structural diagram of a purge module to maintain the cleanliness of the slit valve assembly.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부도면 및 첨부도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 구조도이다.1 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상증착장치(1)는, 기판(G)을 반입 또는 반출하기 위한 슬릿(21)이 마련된 진공챔버(10, 20)와, 진공챔버(10, 20)와 일체로 마련되어 기판(G)이 출입하는 슬릿밸브 어셈블리(60)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment includes a vacuum chamber 10 and 20 provided with slits 21 for carrying in or taking out a substrate G, and a vacuum chamber ( It is provided with a slit valve assembly 60 provided integrally with the 10, 20, the substrate (G).

진공챔버(10, 20)는 크게 상부챔버(10)와 하부챔버(20)로 마련된다. 상부챔버(10)와 하부챔버(20)가 한 몸체를 이루어 그 내부의 증착공간(S)에서 증착 공정이 진행될 때는 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 증착공간(S)은 외부와 차폐된다.The vacuum chambers 10 and 20 are largely provided with the upper chamber 10 and the lower chamber 20. The upper chamber 10 and the lower chamber 20 form a body, and when the deposition process is performed in the deposition space S therein, the deposition space S is externally maintained so that the deposition space S can be maintained in a vacuum atmosphere. And are shielded.

상부챔버(10)의 내부에는 횡 방향을 따라 전극(40)이 마련되어 있다. 전극(40)은, 하부챔버(20)를 향한 전면에 배치되는 가스분배판(45)과, 가스분배판(45)과의 버퍼공간(B)을 사이에 두고 가스분배판(45)의 배후에 배치되는 후방플레이트(41)를 구비한다.The electrode 40 is provided in the upper chamber 10 along the transverse direction. The electrode 40 includes a gas distribution plate 45 disposed on the front surface of the lower chamber 20, The rear plate 41 is provided behind the gas distribution plate 45 with the buffer space B between the gas distribution plate 45 interposed therebetween.

가스분배판(45)에는, 진공챔버(10, 20) 내에 형성되는 증착공간(S)으로 증착 공정을 위한 플라즈마 상태의 가스(gas)를 분배하는 다수의 오리피스(미도시)가 그 두께방향을 따라 형성되어 있다.In the gas distribution plate 45, a plurality of orifices (not shown) for distributing the gas in the plasma state for the deposition process into the deposition spaces S formed in the vacuum chambers 10 and 20 have their thickness directions. It is formed along.

가스분배판(45)과 후방플레이트(41) 사이에는 현가지지부재(43)가 마련되어 있다. 현가지지부재(43)는 버퍼공간(B) 내의 증착물질이 외부로 누출되지 않도록 버퍼공간(B)을 차폐할 뿐만 아니라 가스분배판(45)을 후방플레이트(41)에 대해 현가 지지한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(43)는 증착 공정 시 대략 200℃ 정도로 가열된 가스분배판(45)이 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상하는 역할도 겸한다.A suspension support member 43 is provided between the gas distribution plate 45 and the rear plate 41. The suspension supporting member 43 not only shields the buffer space B so that the deposition material in the buffer space B does not leak to the outside, but also suspends the gas distribution plate 45 with respect to the rear plate 41. In addition, the suspension supporting member 43 also serves to compensate for the thermal expansion of the gas distribution plate 45 heated to about 200 ° C. in at least one of X, Y, and Z axis directions during the deposition process.

후방플레이트(41)와 상부챔버(10) 사이에는 후방플레이트(41)가 상부챔버(10)의 외벽에 직접 접촉되어 통전되지 않도록 절연체(17)가 마련되어 있다. 절연체(17)는 테프론 등으로 제작될 수 있다. 후방플레이트(41)의 주변에는 상부챔버(10)에 대해 후방플레이트(41)를 지지하는 플레이트지지부(미도시)가 더 구비되어 있다.An insulator 17 is provided between the rear plate 41 and the upper chamber 10 so that the rear plate 41 is not in direct contact with the outer wall of the upper chamber 10 and is energized. The insulator 17 may be made of Teflon or the like. At the periphery of the rear plate 41, a plate support part (not shown) for supporting the rear plate 41 with respect to the upper chamber 10 is further provided.

상부챔버(10)의 상단에는 상판부(13)가 마련되어 있는데, 상판부(13)는 상부챔버(10)의 상부를 덮는 역할을 할 뿐만 아니라 지지 플레이트(미도시)가 지지 및 결합되는 부분이 된다. An upper plate portion 13 is provided at an upper end of the upper chamber 10, and the upper plate portion 13 not only serves to cover the upper portion of the upper chamber 10 but also becomes a portion to which a support plate (not shown) is supported and coupled.

지지 플레이트(미도시)에는, 그 상부에 공정 가스(gas)를 공급시키기 위한 가스공급부(15)와, 상부챔버(10) 내에 결합되어 있는 후방플레이트(41)와 연결라인(11)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 고주파 전원부(12)와, 가스공급부(15)와 가스유입관(미도시)이 연결되도록 가스공급부(15) 및 고주파 전원부(12) 사이에 마련되어 가스공급부(15)로부터 유입되는 공정 가스(gas)의 이동 경로가 되는 가스이동관(미도시)과, 가스이동관(미도시) 및 그 주변 영역을 차폐하는 차폐박스(미도시) 등이 장착되어 있다.The support plate (not shown) is electrically connected by a gas supply unit 15 for supplying a process gas thereon, a rear plate 41 and a connection line 11 coupled to the upper chamber 10. A process provided between the gas supply unit 15 and the high frequency power supply unit 12 so that the high frequency power supply unit 12 and the gas supply unit 15 and the gas inlet pipe (not shown) connected to each other are introduced from the gas supply unit 15. A gas moving tube (not shown), which serves as a gas path, and a gas box (not shown) and a shielding box (not shown) that shields a peripheral area thereof are mounted.

이러한 구성에 의해 가스공급부(15)로부터 공급되는 공정 가스(gas)가 가스유입관(미도시)을 통해 버퍼공간(B)으로 공급될 수 있고, 후방플레이트(41)가 고주파 전원부(12)에 의해 공급되는 고주파 전력에 의해 전극을 띠게 됨으로써 버퍼공간(B)으로 유입된 공정 가스(gas)를 플라즈마화 할 수 있다.By this configuration, process gas supplied from the gas supply unit 15 can be supplied to the buffer space B through a gas inlet pipe (not shown), and the rear plate 41 is supplied to the high frequency power supply unit 12. By applying the electrode by the high frequency power supplied by the process gas (gas) introduced into the buffer space (B) can be plasma.

하부챔버(20)에 대해서 살펴보면, 하부챔버(20)는, 실질적으로 기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 부분으로서, 전술한 증착공간(S)이 하부챔버(20) 내에 형성된다. Referring to the lower chamber 20, the lower chamber 20 is a portion in which the deposition process for the substrate G is substantially performed, and the above-described deposition space S is formed in the lower chamber 20.

도시하지는 않았지만, 하부챔버(20) 내의 바닥면 영역에는 증착공간(S)에 존재하는 공정 가스(gas)를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(미도시)이 마련되어 있다.Although not shown, a gas diffusion plate (not shown) is provided in the bottom region of the lower chamber 20 to diffuse the process gas present in the deposition space S back into the deposition space S. FIG.

하부챔버(20) 내부에는 기판(G)이 로딩(Loading)되는 서셉터(30)와, 서셉터(30)의 하부에서 서셉터(30)를 지지하는 서셉터지지대(33)가 마련된다.The susceptor 30, in which the substrate G is loaded, and the susceptor support 33 supporting the susceptor 30 below the susceptor 30 are provided in the lower chamber 20.

서셉터(30)는 하부챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 횡 방향으로 배치되어 로딩(loading)되는 기판(G)을 지지한다. 보통은 증착 대상물인 기판(G)의 면적보다 큰 구조물로 형성되며, 서셉터(30)의 상면은 기판(G)이 정밀하게 수평 상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반(Surface plate)으로 제조된다.The susceptor 30 supports the substrate G which is disposed in the transverse direction in the deposition space S in the lower chamber 20 and is loaded. It is usually formed of a structure larger than the area of the substrate G, which is a deposition target, and the upper surface of the susceptor 30 is made of almost a surface plate so that the substrate G can be loaded in a precise horizontal state.

서셉터(30)의 상면으로 기판(G)이 얹혀지면서 로딩되거나 취출되기 위해 서셉터(30)에는 로딩되거나 취출되는 기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하는 복수의 리프트 핀(31, Lift Pin)이 더 구비되어 있다. 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)를 관통하도록 서셉터(30)에 설치되어 있다.In order to load or withdraw the substrate G on the upper surface of the susceptor 30, the susceptor 30 has a plurality of lift pins 31 to stably support the lower surface of the substrate G loaded or taken out. ) Is further provided. The lift pins 31 are installed in the susceptor 30 so as to pass through the susceptor 30.

이러한 리프트 핀(31)들은 서셉터(30)가 하강할 때, 그 하단이 하부챔버(20)의 바닥면에 가압되어 상단이 서셉터(30)의 상단으로 돌출된다. 리프트 핀(31)의 돌출된 상단은 기판(G)을 상부로 들어올리게 되고 따라서 기판(G)은 서셉터(30)로부터 이격되게 된다.When the susceptor 30 descends, the lift pins 31 are pressed to the bottom surface of the lower chamber 20 so that the upper end protrudes to the upper end of the susceptor 30. The protruding upper end of the lift pin 31 lifts the substrate G upwards and thus the substrate G is spaced apart from the susceptor 30.

반대로, 서셉터(30)가 부상하면, 리프트 핀(31)이 서셉터(30)의 상면에 대해 하방으로 이동하여 기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착된다. 즉, 리프트 핀(31)들은 로봇아암(미도시)이 서셉터(30)에 로딩된 기판(G)을 파지할 수 있도록 기판(G)과 서셉터(30) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다. On the contrary, when the susceptor 30 floats, the lift pin 31 moves downward with respect to the upper surface of the susceptor 30 so that the substrate G is in close contact with the upper surface of the susceptor 30. That is, the lift pins 31 serve to form a space between the substrate G and the susceptor 30 so that the robot arm (not shown) can grip the substrate G loaded on the susceptor 30. To serve.

이러한 서셉터(30)에는, 그 상단이 서셉터(30)의 배면 중앙 영역에 고정되고 하단이 하부챔버(20)를 통해 하방으로 노출되어 서셉터(30)를 승강 가능하게 지지하는 컬럼(32)이 더 결합되어 있다. In the susceptor 30, an upper end thereof is fixed to the rear center region of the susceptor 30, and a lower end thereof is exposed downward through the lower chamber 20 to support the susceptor 30 in a liftable manner. ) Is more combined.

한편, 서셉터(30)는 무겁고 사이즈가 크게 되면 이에 의하여 처짐 등이 발생될 수 있는데, 이는 서셉터(30)의 상면에 로딩되는 기판(G)의 처짐 등으로 연계될 수 있다. 이에 본 실시예에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 컬럼(32)의 상부 영역에는 서셉터 지지부(33)가 마련되어 서셉터(30)를 안정적으로 떠받치고 있다. 그러나 본 발명의 권리범위는 이에 제한되지 않으며 서셉터(30)에 처짐이 없는 경우라면 서셉터 지지부(33)는 생략될 수 있다.On the other hand, if the susceptor 30 is heavy and large in size, sagging may occur by this, which may be linked to sagging of the substrate G loaded on the upper surface of the susceptor 30. In this embodiment, as shown in FIG. 1, a susceptor support 33 is provided in the upper region of the column 32 to stably support the susceptor 30. However, the scope of the present invention is not limited thereto and the susceptor support 33 may be omitted if the susceptor 30 has no deflection.

서셉터(30)는 하부챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 기판(G)이 로딩될 때는 하부챔버(20) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착되고 증착 공정이 진행될 때에는 기판(G)이 가스분배판(30)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(30)에 결합된 컬럼(32)에는 서셉터(30)를 승강시키는 승강 모듈(50)이 더 마련되어 있다.The susceptor 30 moves up and down in the deposition space S in the lower chamber 20. That is, when the substrate G is loaded, the substrate G is disposed in the bottom region of the lower chamber 20. When the substrate G is in close contact with the upper surface of the susceptor 30, and the deposition process is performed, the substrate G is gas. It floats to be adjacent to the distribution plate 30. To this end, the elevating module 50 for elevating the susceptor 30 is further provided in the column 32 coupled to the susceptor 30.

승강 모듈(50)에 의해 서셉터(30)가 승강하는 과정에서 컬럼(32)과 하부챔버(20) 사이에 공간이 발생되면 안된다. 따라서 컬럼(32)이 통과하는 하부챔버(20)의 해당 영역에는 컬럼(32)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(51)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(51)은 서셉터(30)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(30)가 부상할 때 압착된다.In the process of elevating the susceptor 30 by the elevating module 50, a space should not be generated between the column 32 and the lower chamber 20. Therefore, the bellows pipe 51 is provided in the area | region of the lower chamber 20 through which the column 32 passes, so that the exterior of the column 32 may be wrapped. The bellows pipe 51 is expanded when the susceptor 30 descends and is compressed when the susceptor 30 rises.

하부챔버(20)의 외벽에는 소정의 작업 로봇(미도시)에 의해 기판(G)이 증착공간(S) 내외로 출입할 수 있도록 슬릿(21)이 형성되어 있다. 이러한 슬릿(21)은 그 주변에 결합된 슬릿밸브 어셈블리(60)에 의해 선택적으로 개폐된다.On the outer wall of the lower chamber 20, a slit 21 is formed to allow the substrate G to enter and exit the deposition space S by a predetermined working robot (not shown). This slit 21 is selectively opened and closed by the slit valve assembly 60 coupled to the periphery.

전술한 바와 같이 종래에 슬릿밸브를 수용하는 밸브챔버는 별도로 제작되어 필요 시 진공챔버의 외벽에 결합시켜 사용되고 있다. 이 경우 밸브챔버의 외벽과 진공챔버의 외벽이 결합되는 부위에 데드 스페이스(dead space)가 발생하게 되어 장비 전체의 풋프린트(footprint)가 증가하게 된다.As described above, the valve chamber for accommodating the slit valve is conventionally manufactured and used by being coupled to the outer wall of the vacuum chamber if necessary. In this case, a dead space is generated at a portion where the outer wall of the valve chamber and the outer wall of the vacuum chamber are coupled, thereby increasing the footprint of the entire apparatus.

본 실시예의 화학기상증착장치(1)는 슬릿밸브 어셈블리(60)를 진공챔버(10, 20)와 일체화함으로써 데드 스페이스의 발생을 감소시킬 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus 1 of this embodiment can reduce the occurrence of dead space by integrating the slit valve assembly 60 with the vacuum chambers 10 and 20.

도 2는 도 1의 슬릿밸브 어셈블리의 확대 구조도이다.FIG. 2 is an enlarged structural diagram of the slit valve assembly of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 본 실시예의 슬릿밸브 어셈블리(60)는 하부챔버(20)와 일체로 형성되는 밸브챔버(61)와, 밸브챔버(61) 내부에 마련되는 슬릿밸브(62)와, 밸브챔버(61)를 덮는 밸브커버(63)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the slit valve assembly 60 of the present embodiment includes a valve chamber 61 integrally formed with the lower chamber 20, a slit valve 62 provided inside the valve chamber 61, and a valve. And a valve cover 63 covering the chamber 61.

밸브챔버(61)는 하부챔버(20)의 슬릿(21)이 형성된 외벽을 공용벽체(61a)로 사용하여 하부챔버(20)와 일체로 마련된다. 즉, 공용벽체(61a)는 하부챔버(20)와 밸브챔버(61)의 내부공간을 구분하는 것으로 하부챔버(20)의 외벽인 동시에 밸브챔버(61)의 외벽이 되는 것이다.The valve chamber 61 is provided integrally with the lower chamber 20 using the outer wall on which the slit 21 of the lower chamber 20 is formed as the common wall 61a. That is, the common wall 61a distinguishes the inner space of the lower chamber 20 and the valve chamber 61 and serves as an outer wall of the lower chamber 20 and an outer wall of the valve chamber 61.

이와 같이 종래와 달리 하부챔버(20)의 일측 외벽을 밸브챔버(61)의 일측 외벽으로 공용함으로써 별도로 밸브챔버를 제작하여 하부챔버(20)에 결합하던 방식에 비하여 하부챔버(20)와 슬릿밸브 어셈블리(60) 사이의 데드 스페이스를 현저히 줄일 수 있다.As such, unlike the conventional method, one side wall of the lower chamber 20 is shared with one side wall of the valve chamber 61, so that the valve chamber is separately manufactured and coupled to the lower chamber 20, thereby lowering the chamber 20 and the slit valve. Dead space between assemblies 60 can be significantly reduced.

밸브챔버(61)는 공용벽체(61a)와 일정거리 이격되어 마련되는 밸브벽체(61b)를 포함한다. 밸브벽체(61b)에는 공용벽체(61a)에 형성된 슬릿(21)과 같은 높이로 형성된 게이트(61c)가 마련된다. 슬릿밸브 어셈블리(60)가 개방상태가 되어 게이트(61c)와 슬릿(21)이 연통되면, 기판(G)이 진공챔버(10, 20)내로 반입되거나 반출될 수 있다.The valve chamber 61 includes a valve wall 61b spaced apart from the common wall 61a by a predetermined distance. The valve wall 61b is provided with a gate 61c formed at the same height as the slit 21 formed in the common wall 61a. When the slit valve assembly 60 is in an open state and the gate 61c and the slit 21 communicate with each other, the substrate G may be carried into or out of the vacuum chambers 10 and 20.

한편, 슬릿밸브(62)는 슬릿(21) 및 게이트(61c)에 밀착되어 이를 폐쇄하는 한 쌍의 밸브 블레이드(62a, 62b)와, 한 쌍의 밸브 블레이드(62a, 62b)를 각각 슬릿(21) 및 게이트(61c)를 향하여 이동시키는 가압실린더(62c)와, 가압 실린더(62c)를 지지하고 승하강시키는 승하강 실린더(62d)를 포함한다.On the other hand, the slit valve 62 is a pair of valve blades (62a, 62b) in close contact with the slit (21) and the gate (61c) and closes the slit (21), respectively. ) And a pressure cylinder 62c for moving toward the gate 61c, and a lifting cylinder 62d for supporting and lowering the pressure cylinder 62c.

한 쌍의 밸브 블레이드(62a, 62b)는 슬릿(21)과 게이트(61c)를 완전히 폐쇄할 수 있는 크기로 마련되며, 슬릿(21)을 폐쇄하는 밸브 블레이드(62b)에는 진공챔버(10, 20)의 진공이 깨지지 않도록 오링이 추가로 결합될 수 있다.The pair of valve blades 62a and 62b is provided to be sized to completely close the slit 21 and the gate 61c, and the vacuum chambers 10 and 20 are provided in the valve blade 62b to close the slit 21. The O-rings can be further coupled so that the vacuum of) is not broken.

가압 실린더(62c)는 한 쌍의 밸브 블레이드(62a, 62b)를 수평방향으로 이동시키며, 밸브 블레이드(62a, 62b)가 슬릿(21) 및 게이트(61c)를 완전히 폐쇄할 수 있도록 가압한다. 가압 실린더(62c)의 구동은 유압 또는 공압에 의해 이루어질 수 있다.The pressurizing cylinder 62c moves the pair of valve blades 62a and 62b in the horizontal direction and pressurizes the valve blades 62a and 62b to completely close the slit 21 and the gate 61c. The driving of the pressurizing cylinder 62c may be made by hydraulic or pneumatic pressure.

승하강 실린더(62d)는 가압 실린더(62c)에 연결되며, 슬릿(21) 및 게이트(61c)의 폐쇄가 필요할 때에는 밸브 블레이드(62a, 62b)가 슬릿(21) 및 게이트(61c)의 중심축에 위치할 때까지 가압 실린더(62c)를 상승시키고, 슬릿(21) 및 게이트(61c)의 개방이 필요할 때에는 가압 실린더(62c)를 하강시킨다. 승하강 실린더(62d) 또한 유압 또는 공압에 의해 작동하는 실린더로 마련될 수 있다.The elevating cylinder 62d is connected to the pressurizing cylinder 62c, and when the slit 21 and the gate 61c need to be closed, the valve blades 62a and 62b are the central axes of the slit 21 and the gate 61c. The pressurizing cylinder 62c is raised until it is located at, and when the slit 21 and the gate 61c are opened, the pressurizing cylinder 62c is lowered. The elevating cylinder 62d may also be provided as a cylinder operated by hydraulic pressure or pneumatic pressure.

밸브챔버(61)의 상부에는 밸브커버(63)가 마련된다. 밸브커버(63)는 슬릿밸브(62)의 유지관리 시 밸브챔버(61)를 개방할 수 있도록 공용벽체(61a)와 밸브벽체(61b)에 탈착 가능하게 결합한다.The valve cover 63 is provided at an upper portion of the valve chamber 61. The valve cover 63 is detachably coupled to the common wall 61a and the valve wall 61b so as to open the valve chamber 61 during maintenance of the slit valve 62.

밸브커버(63)의 일측이 결합하는 공용벽체(61a)에는 상부챔버(10)의 일측이 함께 결합된다. 상부챔버(10)는 전술한 바와 같이 전극(40)을 비롯한 각종 증착관련 장치가 설치되므로 상대적으로 큰 하중이 공용벽체(61a)에 가해지게 된다.One side of the upper chamber 10 is coupled to the common wall 61a to which one side of the valve cover 63 is coupled. As described above, the upper chamber 10 is provided with various deposition-related apparatus including the electrode 40, so that a relatively large load is applied to the common wall 61 a.

특히, 상부챔버(10)가 공용벽체(61a)의 일측에만 결합하게 되므로 공용벽체(61a)는 상부챔버(10)에 의한 편심 하중이 작용하게 되어 처짐이 심화될 수 있다.In particular, since the upper chamber 10 is coupled to only one side of the common wall 61a, the common wall 61a may be subjected to an eccentric load by the upper chamber 10, which may cause sagging.

본 실시예의 밸브커버(63)는 이를 방지하기 위해 상부챔버(10) 하중에 의해 공용벽체(61a)에 가해지는 굽힘 모멘트를 상쇄할 수 있는 중량물로 마련된다. 즉, 공용벽체(61a)의 중심축을 중심으로 상부챔버(10)에 의한 시계방향으로의 굽힘 모멘트와 밸브커버(63)에 의한 반시계 방향으로의 굽힘 모멘트가 서로 상쇄될 수 있도록 하여 공용벽체(61a)의 처짐을 최소화하는 것이다.In order to prevent this, the valve cover 63 of the present embodiment is provided with a heavy material capable of offsetting the bending moment applied to the common wall 61a by the load of the upper chamber 10. That is, the bending moment in the clockwise direction by the upper chamber 10 and the bending moment in the counterclockwise direction by the valve cover 63 may be canceled with respect to the central axis of the common wall 61a. 61a) is to minimize the deflection.

한편, 밸브커버(63)에는 내측에는 히터(64)가 결합된다. 히터(64)는 밸브챔버(61) 내부공간의 온도를 높여주는 역할을 하는 것이다.On the other hand, the heater 64 is coupled to the valve cover 63 inside. The heater 64 serves to increase the temperature of the internal space of the valve chamber 61.

본 실시예의 밸브챔버(61)는 하부챔버(20)와 일체로 마련되어 있어, 진공챔버(10, 20) 내의 공정가스가 밸브챔버(61) 내로 유입될 수 있다. 이때 밸브챔버(61) 내의 온도가 하강하면 일부 가스가 고형화되어 파티클이 발생할 수 있게 된다.The valve chamber 61 of the present embodiment is provided integrally with the lower chamber 20, so that the process gas in the vacuum chambers 10 and 20 may be introduced into the valve chamber 61. At this time, if the temperature in the valve chamber 61 is lowered, some of the gas is solidified to generate particles.

이러한 현상을 방지하기 위해 밸브챔버(61)의 내부를 히터(64)를 이용하여 일정한 온도로 유지시켜 주면 잔류가스 고형화에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다.In order to prevent this phenomenon, by maintaining the inside of the valve chamber 61 at a constant temperature using the heater 64, it is possible to prevent the generation of particles due to the solidification of the residual gas.

다만, 이러한 히터(64)이 작용에 의해 상부챔버(10)가 결합하는 공용벽체(61a)의 처짐이 더욱 심화될 수 있다. 특히, 히터(64)가 설치되는 밸브커버(63)와 공용벽체(61a)의 열팽창 계수가 서로 다르게 되므로 히터(64)에 의해 가열되는 경우 열변형에 의한 공용벽체(61a)의 처짐이 발생할 수 있다.However, the deflection of the common wall 61a to which the upper chamber 10 is coupled may be further deepened by the action of the heater 64. In particular, since the coefficient of thermal expansion of the valve cover 63 and the common wall 61a in which the heater 64 is installed is different from each other, the heating wall 61a may sag when heated by the heater 64. have.

이를 방지하기 위해 본 실시예에서는, 처짐방지용 볼트(65a)가 공용벽체(61a)와 밸브벽체(61b) 사이에 체결된다. In order to prevent this, in this embodiment, the deflection preventing bolt 65a is fastened between the common wall 61a and the valve wall 61b.

처짐방지용 볼트(65a)는 공용벽체(61a)와 밸브벽체(61b)를 연결함으로써 상부챔버(10)에 의한 하중 및 열변형에 의한 공용벽체(61a)의 처짐을 방지할 수 있다. 이와 같이 처짐방지용 볼트(65a)를 추가하는 경우에는 밸브커버(63)의 중량을 도 2에서 도시한 실시예에 비하여 작게 할 수 있다.The deflection prevention bolt 65a connects the common wall 61a and the valve wall 61b to prevent the deflection of the common wall 61a due to the load and heat deformation by the upper chamber 10. When the deflection preventing bolt 65a is added in this way, the weight of the valve cover 63 can be made smaller than in the embodiment shown in FIG.

도 3은 처짐방지볼트의 다른 실시예를 나타낸 슬릿밸브 어셈블리의 확대 구조도이다.Figure 3 is an enlarged structural diagram of a slit valve assembly showing another embodiment of the deflection prevention bolt.

처짐방지용 볼트(65b)는 밸브커버(63)를 수직방향으로 관통하여 공용벽체(61a)에 체결된다. The deflection preventing bolt 65b penetrates the valve cover 63 in the vertical direction and is fastened to the common wall 61a.

본 실시예에 의하면 처짐방지용 볼트(65b)는 공용벽체(61a)의 처짐을 방지할 뿐만 아니라 밸브커버(63)과 밸브챔버(61)의 결합력을 증가시키는 역할을 동시에 할 수 있다.According to this embodiment, the deflection preventing bolt 65b may not only prevent the deflection of the common wall 61a but also increase the coupling force between the valve cover 63 and the valve chamber 61.

도 4는 슬릿밸브 어셈블리의 청정도를 유지하는 퍼지모듈의 개략적인 구조도이다.Figure 4 is a schematic structural diagram of a purge module to maintain the cleanliness of the slit valve assembly.

본 실시예의 퍼지모듈(70)은 밸브챔버(61)에 존재하는 파티클을 제거하여 파티클이 진공챔버(10, 20) 내부로 유입되지 않도록 하는 것으로, 밸브챔버(61) 내부를 진공상태로 유지하는 진공펌프라인(71)과, 밸브챔버(61) 내부에 세척용 질소가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인(72a)과, 퍼지가스 공급라인(72a)에 의해 공급된 질소가스를 배출하는 퍼지가스 배출라인(72b)을 포함한다.The purge module 70 of the present embodiment removes particles present in the valve chamber 61 so that particles do not flow into the vacuum chambers 10 and 20, thereby maintaining the inside of the valve chamber 61 in a vacuum state. The purge gas discharge which discharges the nitrogen gas supplied by the vacuum pump line 71, the purge gas supply line 72a which supplies the nitrogen gas for washing in the valve chamber 61, and the purge gas supply line 72a. Line 72b.

밸브챔버(61)의 세정은 먼저, 슬릿밸브(62)가 슬릿(21) 및 게이트(61c)를 폐쇄한 상태에서 진공펌프라인(71)을 통해서 밸브챔버(61)에 존재하는 공기 및 잔류가스를 배출시킴으로써 이루어진다. 이때 히터(64)를 가동하여 잔류가스가 고형화되지 않고 진공펌프라인(71)을 통해 배출되도록 할 수 있다.To clean the valve chamber 61, air and residual gas present in the valve chamber 61 through the vacuum pump line 71 in a state where the slit valve 62 closes the slit 21 and the gate 61c. By discharging it. In this case, the heater 64 may be operated to discharge the residual gas through the vacuum pump line 71 without solidifying.

진공펌프라인(71)을 통해 밸브챔버(61) 내부의 가스가 배출되면, 질소가스가 퍼지가스 공급라인(72a)을 통해서 밸브챔버(61) 내로 유입된다. 이와 동시에 질소가스는 퍼지가스 배출라인(72b)을 통해서 밸브챔버(61)로부터 배출된다.  When the gas inside the valve chamber 61 is discharged through the vacuum pump line 71, nitrogen gas flows into the valve chamber 61 through the purge gas supply line 72a. At the same time, nitrogen gas is discharged from the valve chamber 61 through the purge gas discharge line 72b.

질소가스의 유입 및 방출에 의해서 밸브챔버(61) 내부의 잔류가스 및 파티클이 질소가스와 함께 배출된다.Residual gas and particles in the valve chamber 61 are discharged together with the nitrogen gas by the introduction and discharge of the nitrogen gas.

질소가스의 퍼지 순환이 끝나면 다시 진공펌프라인(71)을 통해 밸브챔버(61)의 잔류 질소가스를 방출시킬 수 있다. After the purge circulation of nitrogen gas is completed, the residual nitrogen gas in the valve chamber 61 may be discharged through the vacuum pump line 71 again.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예들에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

1: 화학기상증착장치 10: 상부챔버
20: 하부챔버 30: 서셉터
40: 전극 50: 승강모듈
60: 슬릿밸브 어셈블리 61: 밸브챔버
62: 슬릿밸브 63: 밸브커버
64: 히터 65a, 65b: 처짐방지용 볼트
70: 퍼지모듈 71: 진공펌프라인
72a: 퍼지가스 공급라인 72b: 퍼지가스 배출라인1: chemical vapor deposition apparatus 10: upper chamber
20: lower chamber 30: susceptor
40: electrode 50: elevating module
60: slit valve assembly 61: valve chamber
62: slit valve 63: valve cover
64: heater 65a, 65b: sag prevention bolt
70: purge module 71: vacuum pump line
72a: purge gas supply line 72b: purge gas discharge line

Claims (11)

기판을 반입 또는 반출하기 위한 슬릿이 마련된 하부챔버와 상기 하부챔버의 상부에 결합하는 상부챔버를 구비한 진공챔버; 및
상기 하부챔버와 일체로 마련되며, 상기 기판이 상기 진공챔버 내로 출입할 수 있도록 상기 슬릿을 개방하거나, 상기 진공챔버의 진공이 유지될 수 있도록 상기 슬릿을 폐쇄하는 슬릿밸브 어셈블리를 포함하며,
상기 슬릿밸브 어셈블리는,
상기 하부챔버의 일 측벽을 공용으로 사용하여 마련되는 밸브챔버; 및
상기 밸브챔버 내부에 마련되며, 상기 슬릿을 개폐하는 슬릿밸브를 포함하며,
상기 밸브챔버는,
상기 슬릿이 형성되는 상기 하부챔버의 일 측벽과 상기 밸브챔버의 일 측벽으로 공용되는 공용벽체;
상기 공용벽체와 이격되어 마련되며, 상기 슬릿과 연통되어 상기 기판이 출입하는 게이트가 형성된 밸브벽체; 및
상기 공용벽체와 상기 밸브벽체의 상부에 탈착 가능하게 결합하여 밀폐된 공간을 형성하는 밸브커버를 포함하는 화학기상증착장치.A vacuum chamber having a lower chamber provided with slits for carrying in or carrying out a substrate and an upper chamber coupled to an upper portion of the lower chamber; And
A slit valve assembly provided integrally with the lower chamber, the slit valve assembly opening the slit to allow the substrate to enter and exit the vacuum chamber, or closing the slit to maintain the vacuum of the vacuum chamber,
The slit valve assembly,
A valve chamber provided by using one side wall of the lower chamber in common; And
Is provided inside the valve chamber, and includes a slit valve for opening and closing the slit,
The valve chamber,
A common wall shared by one side wall of the lower chamber in which the slit is formed and one side wall of the valve chamber;
A valve wall spaced apart from the common wall, the valve wall communicating with the slit and having a gate through which the substrate enters and exits; And
And a valve cover detachably coupled to an upper portion of the common wall and the valve wall to form a closed space. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 밸브커버는 상기 상부챔버의 하중에 의한 상기 공용벽체의 처짐을 방지할 수 있도록 상기 상부챔버의 하중에 의한 상기 공용벽체에 가해지는 굽힘 모멘트를 상쇄할 수 있는 중량물로 마련되는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
The valve cover is a chemical vapor deposition apparatus provided with a weight that can offset the bending moment applied to the common wall by the load of the upper chamber so as to prevent sagging of the common wall by the load of the upper chamber. 제1항에 있어서,
상기 밸브벽체와 상기 공용벽체 사이에 체결되어 상기 상부챔버에 의한 상기 공용벽체의 처짐을 방지하는 처짐방지 볼트를 더 포함하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
And a sag preventing bolt fastened between the valve wall and the common wall to prevent sagging of the common wall by the upper chamber. 제1항에 있어서,
상기 밸브커버와 상기 공용벽체 사이에 결합하여 상기 상부챔버에 의한 상기 공용벽체의 처짐을 방지하는 처짐방지 볼트를 더 포함하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
And a sag preventing bolt coupled between the valve cover and the common wall to prevent sagging of the common wall by the upper chamber. 제1항에 있어서,
상기 밸브커버의 하부에 결합되어 상기 밸브챔버 내부의 잔류 가스가 고형화되지 않도록 상기 밸브챔버의 내부를 일정 온도로 유지하는 히터를 더 포함하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
And a heater coupled to a lower portion of the valve cover to maintain the inside of the valve chamber at a predetermined temperature so that residual gas in the valve chamber is not solidified. 제1항에 있어서,
상기 슬릿밸브는,
상기 슬릿 및 상기 게이트에 밀착되어 상기 슬릿 및 상기 게이트를 폐쇄하는 한 쌍의 밸브 블레이드;
상기 한 쌍의 밸브 블레이드를 각각 상기 슬릿 및 상기 게이트를 향하여 이동시키는 가압실린더; 및
상기 가압실린더를 지지하며, 상기 밸브 블레이드를 상기 슬릿 및 상기 게이트를 폐쇄할 수 있는 위치로 상승시키거나, 상기 슬릿밸브를 하강시켜 상기 슬릿 및 상기 게이트를 개방시키는 승하강실린더를 포함하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
The slit valve,
A pair of valve blades in close contact with the slit and the gate to close the slit and the gate;
A pressurizing cylinder for moving the pair of valve blades toward the slit and the gate, respectively; And
Chemical vapor deposition including a lifting cylinder for supporting the pressure cylinder, raising the valve blade to a position capable of closing the slit and the gate, or lowering the slit valve to open the slit and the gate. Device. 제8항에 있어서,
상기 밸브 블레이드에는 상기 슬릿의 폐쇄 시 상기 진공챔버의 기밀을 유지하기 위한 오링이 결합되는 화학기상증착장치.9. The method of claim 8,
Chemical vapor deposition apparatus coupled to the valve blade O-ring for maintaining the airtightness of the vacuum chamber when the slit closed. 제1항에 있어서,
상기 밸브챔버에 연결되어, 상기 밸브챔버 내부의 청정도를 유지하기 위한 퍼지모듈을 더 포함하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
And a purge module connected to the valve chamber to maintain cleanliness in the valve chamber. 제10항에 있어서,
상기 퍼지모듈은,
상기 밸브챔버에 연결되어, 상기 밸브챔버 내부를 진공상태로 유지하는 진공밸브라인;
상기 밸브챔버에 연결되어, 상기 밸브챔버 내부에 세척용 질소가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인; 및
상기 밸브챔버에 연결되어, 상기 퍼지가스 공급라인에 의해 공급된 상기 질소가스를 배출하는 퍼지가스 배출라인을 포함하는 화학기상증착장치.The method of claim 10,
The purge module,
A vacuum valve line connected to the valve chamber to maintain the inside of the valve chamber in a vacuum state;
A purge gas supply line connected to the valve chamber and supplying a nitrogen gas for washing in the valve chamber; And
And a purge gas discharge line connected to the valve chamber to discharge the nitrogen gas supplied by the purge gas supply line.
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