KR101299087B1 - 동축 프로브 - Google Patents

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Abstract

내구성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 동축 프로브를 개시한다. 개시된 동축 프로브는, 테스트 디바이스에 접촉 가능한 상부 콘택트와, 상기 테스트 디바이스를 테스트하기 위한 테스터에 접촉 가능한 하부 콘택트와, 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트가 서로 멀어지도록 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트 중 적어도 하나를 탄성바이어스 시키는 내부탄성부재를 포함하는 내부도체와; 상기 내부도체를 둘러싸는 외부도체와; 상기 내부도체와 상기 외부도체 사이에 배치된 유전체와; 상기 테스트 디바이스 및 상기 테스터 중 적어도 어느 하나를 상기 외부도체로부터 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키도록 상기 외부도체 외주면에 삽입된 적어도 하나의 외부탄성부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

동축 프로브{COAXIAL PROBE}
본 발명은 동축 프로브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 내구성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 동축 프로브에 관한 것이다.
반도체 칩 또는 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스는 양품여부를 판별하기 위한 소정의 테스트 과정을 거치게 된다.
반도체 디바이스가 고주파환경에서 사용되는 경우, 고주파 테스트를 거치게 된다. 고주파 테스트 시, 테스터로부터 출력되는 고주파신호를 반도체 디바이스에 인가하기 위해 반도체 디바이스의 각각의 전극패드에 대응하는 위치에 복수의 동축 프로브가 배치된다.
이러한 동축 프로브는 다수의 반복적인 테스트에도 견딜 수 있는 내구성 및 반도체 디바이스와 테스터 간을 안정적으로 연결하는 능력이 요구된다.
또한, 고집적화되는 반도체 디바이스에 대응하여 초소형화되는 동축 프로브의 생산성 및 조립성을 높이기 위한 노력이 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 내구성을 향상시킬 수 있는 동축 프로브를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 생산성을 향상시킬 수 있는 동축 프로브를 제공하는 것이다.
상기한 목적은, 본 발명의 실시 예에 따라, 동축 프로브에 있어서, 반도체 디바이스에 접촉 가능한 상부 콘택트와, 상기 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 테스터에 접촉 가능한 하부 콘택트와, 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트가 서로 멀어지도록 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트 중 적어도 하나를 탄성바이어스 시키는 내부탄성부재를 포함하는 내부도체와; 상기 내부도체를 둘러싸는 외부도체와; 상기 내부도체와 상기 외부도체 사이에 배치된 유전체와; 상기 반도체 디바이스 및 상기 테스터 중 적어도 어느 하나를 상기 외부도체로부터 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키도록 상기 외부도체 외주면에 삽입된 적어도 하나의 외부탄성부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 프로브에 의해서 달성될 수 있다.
여기서, 상기 내부탄성부재는, 상기 상부 콘택트를 상기 반도체 디바이스를 향해 탄성바이어스 시키는 제1내부탄성부재와; 상기 하부 콘택트를 상기 테스터를 향해 탄성바이어스 시키는 제2내부탄성부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 내부도체는, 상기 상부 콘택트 및 상기 제1내부탄성부재를 수용하는 제1배럴과; 상기 하부 콘택트 및 상기 제2내부탄성부재를 수용하며 상기 제1배럴과 전기적으로 연결된 제2배럴을 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 외부도체는 적어도 상기 유전체의 일부분을 둘러싸며, 상기 외부탄성부재는 상기 외부도체의 양단에 각각 배치될 수 있다.
상기한 목적은, 본 발명의 다른 실시 예에 따라, 동축 프로브에 있어서, 반도체 디바이스에 접촉 가능한 상부 콘택트와, 상기 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 테스터에 접촉 가능한 하부 콘택트와, 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트가 서로 멀어지도록 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트 중 적어도 하나를 탄성바이어스 시키는 내부탄성부재를 포함하는 내부도체와; 상기 반도체 디바이스 및 상기 테스터를 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키고 상기 내부도체를 둘러싸며 접지되는 전도성탄성부재와; 상기 내부도체와 상기 전도성탄성부재 사이에 배치된 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 프로브에 의해서 달성될 수 있다.
여기서, 상기 내부탄성부재는, 상기 상부 콘택트를 상기 반도체 디바이스를 향해 탄성바이어스 시키는 제1내부탄성부재와; 상기 하부 콘택트를 상기 테스터를 향해 탄성바이어스 시키는 제2내부탄성부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 내부도체는, 상기 상부 콘택트 및 상기 제1내부탄성부재를 수용하는 제1배럴과; 상기 하부 콘택트 및 상기 제2내부탄성부재를 수용하며 상기 제1배럴과 전기적으로 연결된 제2배럴을 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 구성된 동축 프로브에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 반도체 디바이스가 하향 가압되는 경우 반도체 디바이스로부터 가해지는 충격을 완충하기 위해 내부탄성부재 외에도 외부탄성부재 또는 전도성탄성부재를 추가적으로 배치함으로써 완충력을 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 충격하중이 반복되더라도 충분한 완충력을 제공함으로써 동축 프로브의 수명 및 내구성을 향상시킬 수 있다. 특히, 반도체 디바이스의 고집적화에 의한 영향으로 동축 프로브의 사이즈가 작아짐에 따라 내부도체 자체의 탄성력만으로는 충분치 못하므로 외부탄성부재 또는 전도성탄성부재를 부가함으로써 수명을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
둘째, 내부도체-유전체-외부도체-외부탄성부재 또는 내부도체-유전체-전도성탄성부재를 준비하여 차례대로 조립하기만 하면 동축 프로브를 생산할 수 있으므로 조립성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1실시 예에 따른 동축 프로브의 개략 종단면도,
도 2는, 본 발명의 제2실시 예에 따른 동축 프로브의 개략 종단면도,
도 3은, 본 발명의 제3실시 예에 따른 동축 프로브의 개략 종단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 동축 프로브를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 제1실시 예에 따른 동축 프로브(100a)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 테스터(tester, T)로부터 출력된 고주파전기 신호를 반도체 디바이스(D)로 전달하기 위한 내부도체(110a)와; 신호 간섭을 줄이기 위해 상기 내부도체(110a)를 둘러싸는 외부도체(120); 상기 내부도체(110a)와 상기 외부도체(120) 간을 절연시켜 주기 위한 유전체(130); 및 상기 반도체 디바이스(D) 및 상기 테스터(T) 중 적어도 어느 하나를 상기 외부도체(120)로부터 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키는 외부탄성부재(140, 150)를 포함한다.
상기 내부도체(110a)는 반도체 디바이스(D)의 패드(D1)에 접촉 가능한 상부 콘택트(111)와, 상기 반도체 디바이스(D)를 테스트 하기 위한 테스터(T)의 신호단자(T1)에 접촉 가능한 하부 콘택트(113)와, 상기 상부 콘택트(111) 및 상기 하부 콘택트(113)가 서로 멀어지도록 상기 상부 콘택트(111) 및 상기 하부 콘택트(113) 중 적어도 하나를 탄성바이어스 시키는 내부탄성부재(115)를 포함한다.
상기 상부 콘택트(111)는 상기 반도체 디바이스(D)의 패드(D1)에 접촉하는 팁부(111a)와; 상기 팁부(111a)로부터 상기 하부 콘택트(113) 방향으로 연장된 몸체부(111b)와; 상기 몸체부(111b)로부터 상기 하부 콘택트(113) 방향으로 연장되어 상기 내부탄성부재(115)의 일단과 연결되는 탄성부재연결부(111c)를 포함한다.
상기 팁부(111a)는 상기 반도체 디바이스(D)의 패키지형태에 따라 패드(D1)가 리드(lead) 또는 패드 또는 솔더볼의 형태를 가지는 경우 상기 패드(D1)의 형상에 대응하여 적절하게 변경될 수 있다. 가령, 상기 패드(D1)가 리드(lead)이거나 도면에 도시된 바와 같이 패드 형상이 경우에는 A자 형상으로 상단부의 중심점이 뾰족한 형태로 마련될 수 있다. 만약, 상기 패드(D1)가 솔더볼 형상인 경우 도 1에 도시된 바와 같이, 크라운 형상으로 마련될 수도 있다. 물론, 이러한 팁부의 형상은 선택사항이므로 다른 형태로 변경 가능하다.
여기서, 상기 몸체부(111b)는 상기 팁부(111a)보다 그 직경이 크게 마련되어 상기 유전체(130)에 걸림결합될 수 있으며, 이를 위해 상기 유전체(130)의 일단부에는 이탈방지부(131)가 마련될 수 있다. 이때, 상기 이탈방지부(131)는 상기 유전체(130)에서 연장되는 돌기 형태이거나, 이탈방지를 위한 별도의 부재가 결합될 수 있다. 이에 의해, 상기 상부 콘택트(111)의 팁부(111a)가 반도체 디바이스(D)를 향해 외부로 노출된 상태에서 상기 상부 콘택트(111)가 상기 동축 프로브(100a)로부터 이탈되지 않을 수 있다.
상기 하부 콘택트(113)는 테스터(T)의 고주파 테스트 신호가 출력되는 신호단자(T1)에 접촉하는 팁부(113a)와; 상기 팁부(113a)로부터 상기 상부 콘택트(111) 방향으로 연장된 몸체부(113b)와; 상기 몸체부(113b)로부터 상기 상부 콘택트(111) 방향으로 연장되어 상기 내부탄성부재(115)의 타단과 연결되는 탄성부재연결부(113c)를 포함한다.
상기 팁부(113a)는 상기 테스터(T)의 신호단자(T1)의 형상에 대응하여 적절하게 변경될 수 있다. 도면에서는 상기 팁부(113a)의 형상이 크라운 형상으로 도시되어 있으나, 필요에 따라서 A자형상이나 그 외 다른 형상으로 변경될 수도 있다.
여기서, 상기 몸체부(113b)는 상기 팁부(113a)보다 그 직경이 크게 마련되어 상기 유전체(130)에 걸림결합될 수 있으며, 이를 위해 상기 유전체(130)의 타단부에는 이탈방지부(132)가 마련될 수 있다. 이때, 상기 이탈방지부(132)는 상기 유전체(130)에서 연장되는 돌기 형태이거나, 이탈방지를 위한 별도의 부재가 결합될 수 있다. 이에 의해, 상기 하부 콘택트(111)의 팁부(113a)가 테스터(T)를 향해 외부로 노출된 상태에서 상기 하부 콘택트(111)가 상기 동축 프로브(100a)로부터 이탈되지 않을 수 있다.
상기 내부탄성부재(115)는 코일스프링으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 내부탄성부재(115)는 판스프링 또는 도전성 러버로 마련될 수도 있다. 이외에도, 상기 상부 콘택트(111)와 상기 하부 콘택트(113)가 서로 이격되도록 탄성바이어스를 인가할 수 있는 한, 다양한 형상 및 재질의 것으로 대체될 수 있다.
여기서, 상기 내부탄성부재(115)는, 상기 하부 콘택트(113)의 전기적 신호롤 상기 상부 콘택트(111)로 전달하도록 도전성 재질로 마련될 수 있다. 가령, 상기 내부탄성부재(115)는 Al, Cu, Be, Ni 등의 도전성 금속의 단일금속 또는 그 합금으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 내부탄성부재(115)는 실리콘 러버와 같은 절연성 재질의 몸체 내부에 도전성 금속 알갱이들이 전기신호를 전달 가능하게 배열된 도전성 러버로 마련될 수도 있다.
상기 내부탄성부재(115)는, 후술할 배럴이 상기 상부 및 하부 콘택트(111, 113)의 신호전달을 할 수 있는 경우, 절연성 재질(가령, 절연성 러버 또는 절연성 재질로 코팅된 금속 스프링 등)로 마련될 수도 있다. 물론, 상기 배럴이 도전성 재질로 마련된 경우라도 상기 내부탄성부재(115)도 도전성 재질로 마련하여, 신호전달경로를 병렬적으로 형성할 수도 있다.
그리고, 도시하고 있지는 않으나, 상기 내부도체(110a)는 상기 상부 및 하부 콘택트(111, 113) 및 상기 내부탄성부재(115)를 수용하는 배럴(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 배럴은 상기 상부 콘택트(111)의 상향 이탈을 방지하기 위한 상부 걸림부(미도시) 및 상기 하부 콘택트(111)의 하향 이탈을 방지하기 위한 하부 걸림부(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 상부 및 하부 걸림부는 상기 상부 및 하부 콘택트(111, 113)의 형상에 대응하여 반경 방향으로 절곡된 형태로 마련될 수 있다.
또한, 상기 배럴이 상기 유전체(130)를 통과하여 이탈되는 것을 방지하기 위해, 상기 배럴은 그 외주면에 형성된 걸림턱(미도시)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 배럴의 상기 상부 및 하부 걸림부가 상기 유전체(130)의 이탈방지부(131)에 걸림 결합되어 이탈이 방지될 수 있는 경우, 상기 걸림턱은 생략될 수도 있다.
상기 배럴은 도전성 금속 재질로 마련될 수 있다. 상기 배럴은 Cu, Al, Be, Ni의 단일금속 또는 그 들의 합금으로 마련될 수 있다. 일례로서, 상기 배럴은 BeCu(베릴륨 구리)로 제조될 수 있다. 상기 배럴의 외주면에는 Au, Ag, Ni, Cu, Al 등의 전도성 금속의 도금층이 형성될 수도 있다.
상기 외부도체(120)는 상기 테스터(T)의 접지단자(T2)에 접속될 수 있다. 이에 의해, 외부도체(120)가 접지되므로 상기 내부도체(110a) 상의 고주파 전기신호를 차폐하여 주위의 고주파 신호에 의한 신호간섭을 최소화 할 수 있다.
여기서, 상기 외부도체(120)는 접지단자(T2)에 직접 접촉하지 않고 상기 동축 프로브(100a)가 수용되는 금속블록(미도시)과 같은 접지매체에 직접 또는 간접적으로 접촉될 수도 있다. 경우에 따라서는, 접지와어어와 같은 접지매체에 직접 또는 간접적으로 접촉될 수도 있다. 다시 말하면, 상기 외부도체(120)는 접지신호가 통전될 수 있는 한 다양한 형태로 접촉매체에 접촉되도록 마련될 수 있다.
상기 외부도체(120)는 외부도체 몸체(121)와; 상기 외부도체 몸체(121)에 형성된, 상기 외부탄성부재(140, 150)를 지지하기 위한 외부탄성부재 지지부(122, 123)를 포함한다.
상기 외부탄성부재 지지부(122, 123)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 외부도체 몸체(121)로부터 반경방향으로 확장된 걸림턱일 수 있다.
상기 외부탄성부재(140, 150)는 상기 외부도체 몸체(121)의 일단 및 타단에 각각 삽입되며, 각각 상기 외부탄성부재 지지부(122, 123)에 걸림 결합된다.
상기 외부도체(120)는 상기 테스터(T)의 상기 접지단자(T2)에 접촉되는 접지단자 접촉부(125)를 더 포함할 수 있다.
상기 외부탄성부재(140, 150)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 외부도체(120)의 외주면 양단에 각각 배치될 수 있다. 필요에 따라서, 상기 외부탄성부재(140, 150) 중 어느 하나만 상기 외부도체(120)의 외주면 일단에 배치될 수도 있다.
상기 외부탄성부재(140)는, 상기 외부도체(120)의 외부탄성부재 지지부(122)에 지지되는 지지부(145)와; 상기 지지부(145)로부터 상기 반도체 디바이스(D)를 향해 연장된 연장부(143)와; 상기 반도체 디바이스(D)를 접촉 가압 가능한 접촉부(141)를 포함한다.
상기 지지부(145)는, 상기 외부탄성부재(140)의 상향 이탈이 방지되도록, 상기 외부도체(120)의 외주면을 압착할 수 있다. 상기 지지부(145)는 상대적으로 탄성코일이 밀한 영역이고, 상기 연장부(143)는 상대적으로 탄성코일이 소한 영역, 상기 접촉부(141)는 다시 상대적으로 밀한 영역으로 마련될 수 있다. 즉, 상기 지지부(145), 연장부(143) 및 접촉부(141)는 탄성코일이 각각 밀한 영역, 소한 영역, 밀한 영역일 수 있다.
상기 외부탄성부재(150)는, 상기 외부도체(120)의 상기 외부탄성부재 지지부(123)에 지지되는 지지부(155)와; 상기 지지부(155)로부터 상기 테스터(T)를 향해 연장된 연장부(153)와; 상기 테스터(T)에 접촉 가압 가능한 접촉부(151)를 포함한다.
상기 지지부(155)는, 상기 외부탄성부재(150)의 하향 이탈이 방지되도록, 상기 외부도체(120)의 외주면을 압착할 수 있다. 상기 지지부(155)는 상대적으로 탄성코일이 밀한 영역이고, 상기 연장부(153)는 상대적으로 탄성코일이 소한 영역, 상기 접촉부(151)는 다시 상대적으로 밀한 영역으로 마련될 수 있다. 즉, 상기 지지부(155), 연장부(153) 및 접촉부(151)는 탄성코일이 각각 밀한 영역, 소한 영역, 밀한 영역일 수 있다.
본 발명의 제2실시 예에 따른 동축 프로브(100b)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 내부도체(110b); 외부도체(120); 유전체(130); 적어도 하나의 외부탄성부재(140, 150)를 포함한다.
상기 내부도체(110b)는 상부 콘택트(111)와 제1내부탄성부재(115a)를 수용하는 제1배럴(117); 하부 콘택트(113)와 제2내부탄성부재(115b)를 수용하며 상기 제1배럴(117)과 전기적으로 연결된 제2배럴(118)을 포함한다.
상기 제1내부탄성부재(115a)는 상기 상부 콘택트(111)를 상기 반도체 디바이스(도 1의 D)를 향해 탄성바이어스 시킨다.
상기 제2내부탄성부재(115b)는 상기 하부 콘택트(113)를 상기 테스터(도 1의 T)를 향해 탄성바이어스 시킨다.
상기 제1배럴(117) 및 상기 제2배럴(118)은 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 전기적으로 접촉되는 접촉부(117a, 118a)를 포함한다.
상기 외부도체(120) 및 상기 외부탄성부재(140, 150)는 상술한 제1실시 예의 그것들(120, 140, 150)과 동일하다.
제1실시 예의 내부도체(110a)에 포함된 내부탄성부재(115) 및 상기 내부도체(110a)에 더 포함될 수 있는 배럴(미도시)는 각각 단일체(원피스, one-piece)인데 반해, 본 제2실시 예의 경우, 배럴(117, 118) 및 내부탄성부재(115a, 115b)가 상대적으로 짧은 길이의 2개로 마련된다. 이에 의해, 제조원가를 절감할 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 길이가 상대적으로 짧은 배럴(117, 118) 및 탄성부재(115a, 115b)의 경우 그에 대응하여 제조원가가 낮아지기 때문에 동일한 전기적 특성 및 효과를 얻으면서도 제조비용을 절감할 수 있다.
상술한 동축 프로브(100b)의 제조방법을 간략히 설명하면, 먼저 내부도체(110b), 외부도체(120), 유전체(130) 및 외부탄성부재(140, 150)를 준비한다.
상기 내부도체(110b)는, 제1배럴(117) 내에 제1내부탄성부재(115a)와 상부 콘택트(111)를 차례로 삽입한 후, 상기 제1배럴(117)의 양단을 내측으로 절곡하여 상부 걸림부(117b)를 형성함으로써, 조립될 수 있다. 마찬가지로 제2배럴(118) 내에도 제2내부탄성부재(115b)와 하부 콘택트(113)를 차례로 삽입한 후, 상기 제2배럴(118)의 양단을 내측으로 절곡하여 하부 걸림부(118b)를 형성함으로써, 조립될 수 있다.
다음으로, 상기 유전체(130)에 형성된 수용공을 통해 상기 상부 콘택트(111) 또는 상기 하부 콘택트(113)의 팁부(111a, 113a)가 삽입되도록, 준비된 상기 내부도체(110b)를 상기 유전체(130) 내부에 삽입한다.
이때, 상기 수용공을 통해 삽입된 내부도체(110b)의 팁부(111a, 113a)가 상기 유전체(130)의 내부에서 노출되도록, 상기 내부도체(110b)를 삽입한다.
상기 삽입된 내부도체(110b)는, 상기 제1,2배럴(117,118)이 상기 유전체(130)에 걸림 결합됨으로써, 상기 내부도체(110b)를 삽입하는 삽입방향으로 외부 이탈되지 않는다.
다음으로, 상기 유전체(130)를 상기 외부도체(120) 내부에 삽입한다.
여기서, 상기 유전체(130)를 상기 외부도체(120)에 먼저 삽입된 후, 상기 내부도체(110b)를 상기 유전체(130) 내부에 삽입하여도 무방하다.
다음으로, 상기 외부탄성부재(140, 150)를 상기 외부도체(120)의 양단 외주면에 각각 삽입한다.
이로써, 상기 내부도체(110b)와 상기 외부도체(120) 사이에 유전체(130)가 형성된 동축 프로브(100b)를 간단하게 조립할 수 있다.
단품 상태로, 내부도체(110b), 외부도체(120), 유전체(130), 외부탄성부재(140, 150)를 준비한 후 조립만 하면 상기 동축 프로브(100b)가 제조될 수 있으므로 생산성이 월등히 향상될 수 있다.
한편, 본 발명의 제3실시 예에 따른 동축 프로브(100c)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 내부도체(110b); 유전체(130); 적어도 하나의 전도성탄성부재(160)를 포함한다.
상기 내부도체(110b) 및 상기 유전체(130)는 상술한 제2실시 예의 그것들(110b, 130)과 동일하다.
본 제3실시 예에서는, 제1,2실시 예의 구성 요소인 외부도체(120)와 외부탄성부재(140, 150)를 대체하여 상기 전도성탄성부재(160)가 상기 유전체(130)의 외주면에 삽입된다.
상기 전도성탄성부재(160)는 반도체 디바이스(D) 및 테스터(T)를 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키고 상기 내부도체(110b)를 둘러싸며 접지된다.
여기서, 상기 전도성탄성부재(160)는 상기 유전체(130)에 지지되는 지지부(163); 및 상기 반도체 디바이스(D)를 접촉 가압 가능한 접촉부(161)를 포함한다.
상기 지지부(163)는, 상기 전도성탄성부재(160)의 이탈이 방지되도록, 상기 유전체(130)의 외주면을 압착할 수 있다. 상기 지지부(163)는 상대적으로 탄성코일이 소한 영역이고, 상기 접촉부(161)는 상대적으로 탄성코일이 밀한 영역으로 마련될 수 있다.
상기 접속부(161)는 상기 테스터(T)의 접지단자(T2)에 접속된다. 이에 의해, 상기 내부도체(110b) 상의 고주파 전기신호를 차폐하여 주위의 고주파 신호에 의한 신호간섭을 최소화할 수 있다.
여기서, 상기 접속부(161)는 접지단자(T2)에 직접 접촉하지 않고 상기 동축 프로브(100c)가 수용되는 금속블록(미도시)와 같은 접지매체에 직접 또는 간접적으로 접촉될 수도 있다. 경우에 따라서는, 접지와어어와 같은 접지매체에 직접 또는 간접적으로 접촉될 수도 있다. 다시 말하면, 상기 전도성탄성부재(160)의 접지신호가 통전될 수 있는 한 다양한 형태로 접촉매체에 접촉되도록 마련될 수 있다.
상기 전도성탄성부재(160)는 코일 스프링으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 전도성탄성부재(160)는 판스프링 또는 도전성 러버로 마련될 수도 있다. 이외에도, 탄성바이어스의 인가 및 접지 가능할 수 있는 한, 다양한 형상 및 재질의 것으로 대체될 수 있다.
상기 전도성탄성부재(160)는 Al, Cu, Be, Ni 등의 도전성 금속의 단일금속 또는 그 합금으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 전도성탄성부재(160)는 실리콘 러버와 같은 절연성 재질의 몸체 내부에 도전성 금속 알갱이들이 전기신호를 전달 가능하게 배열된 도전성 러버로 마련될 수도 있다.
도시하고 있지는 않으나, 상기 유전체(130)는, 제1,2실시 예의 외부도체(120)와 동일하거나 유사한 형태의, 유전체 몸체(미도시)와; 상기 유전체 몸체에 형성된, 상기 전도성탄성부재(160)를 지지하기 위한 전도성탄성부재 지지부(미도시)를 포함한다.
상기 전도성탄성부재 지지부는 제1,2실시 예의 외부탄성부재 지지부(122, 123)와 같이, 상기 유전체 몸체(130)로부터 반경방향으로 확장된 걸림턱일 수 있다.
이에 의해, 상기 전도성탄성부재(160)는 복수개로 구비되어 제1,2실시 예의 외부탄성부재(140, 150)와 같이, 상기 유전체(130)의 외주면 양단에 각각 배치될 수 있다. 필요에 따라서, 어느 하나의 전도성탄성부재만 상기 유전체(130)의 외주면 일단에 배치될 수도 있다.
따라서, 본 제3실시 예의 동축 프로브(100c)는, 상기 전도성탄성부재(160)가 제1,2실시 예의 외부도체(120)와 외부탄성부재(140, 150)를 한 번에 대체할 수 있으므로 동축 프로브(100c)의 조립성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
전술한 내용은 후술할 발명의 청구범위를 더욱 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 상술하였다. 상술한 실시 예들은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상의 범위에서 다양한 수정 및 변경이 가능할 것이다. 이러한 다양한 수정 및 변경 또한 본 발명의 기술적 사상의 범위 내라면 하기에서 기술되는 본 발명의 청구범위에 속한다 할 것이다.
100a, 100b, 100c: 동축 프로브
110a, 110b: 내부도체 111: 상부 콘택트
113: 하부 콘택트 115, 115a, 115b: 내부탄성부재
117: 제1배럴 118: 제2배럴
120: 외부도체
130: 유전체
140, 150: 외부탄성부재
160: 전도성탄성부재

Claims (5)

  1. 동축 프로브에 있어서,
    반도체 디바이스에 접촉 가능한 상부 콘택트와, 상기 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 테스터에 접촉 가능한 하부 콘택트와, 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트가 서로 멀어지도록 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트 중 적어도 하나를 탄성바이어스 시키는 내부탄성부재를 포함하는 내부도체와;
    상기 내부도체를 둘러싸는 외부도체와;
    상기 내부도체와 상기 외부도체 사이에 배치된 유전체와;
    상기 반도체 디바이스 및 상기 테스터 중 적어도 어느 하나를 상기 외부도체로부터 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키도록 상기 외부도체 외주면에 삽입된 적어도 하나의 외부탄성부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 프로브.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 외부도체는 적어도 상기 유전체의 일부분을 둘러싸며,
    상기 외부탄성부재는 상기 외부도체의 양단에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 동축 프로브.
  3. 동축 프로브에 있어서,
    반도체 디바이스에 접촉 가능한 상부 콘택트와, 상기 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 테스터에 접촉 가능한 하부 콘택트와, 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트가 서로 멀어지도록 상기 상부 콘택트 및 상기 하부 콘택트 중 적어도 하나를 탄성바이어스 시키는 내부탄성부재를 포함하는 내부도체와;
    상기 반도체 디바이스 및 상기 테스터를 멀어지는 방향으로 탄성바이어스 시키고 상기 내부도체를 둘러싸며 접지되는 전도성탄성부재와;
    상기 내부도체와 상기 전도성탄성부재 사이에 배치된 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 프로브.
  4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 내부탄성부재는,
    상기 상부 콘택트를 상기 반도체 디바이스를 향해 탄성바이어스 시키는 제1내부탄성부재와;
    상기 하부 콘택트를 상기 테스터를 향해 탄성바이어스 시키는 제2내부탄성부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 프로브.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 내부도체는,
    상기 상부 콘택트 및 상기 제1내부탄성부재를 수용하는 제1배럴과;
    상기 하부 콘택트 및 상기 제2내부탄성부재를 수용하며 상기 제1배럴과 전기적으로 연결된 제2배럴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동축 프로브.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200273185Y1 (ko) 2002-01-17 2002-04-22 리노공업주식회사 리튬이온 전지의 테스트용 프로브
KR20040022004A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 삼성에스디아이 주식회사 이차전지 테스트용 프로브
KR20050109246A (ko) * 2005-10-14 2005-11-17 리노공업주식회사 동축 접촉 프로브
KR20110127010A (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 김철진 반도체 디바이스 테스트용 포고핀

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200273185Y1 (ko) 2002-01-17 2002-04-22 리노공업주식회사 리튬이온 전지의 테스트용 프로브
KR20040022004A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 삼성에스디아이 주식회사 이차전지 테스트용 프로브
KR20050109246A (ko) * 2005-10-14 2005-11-17 리노공업주식회사 동축 접촉 프로브
KR20110127010A (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 김철진 반도체 디바이스 테스트용 포고핀

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