KR101288164B1 - 프론트 엔드 모듈 - Google Patents

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KR101288164B1
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Abstract

본 발명은, 안테나 포트(ANT)와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트(GND1~GND2n)에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함하는 RF 스위치(100); 및 상기 접지 포트(GND1~GND2n) 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n)를 포함하는 공진용 회로부(200)를 포함할 수 있다.

Description

프론트 엔드 모듈{FRONT-END MODULE}
본 발명은 이동 통신 단말기에 적용될 수 있고, 복수개의 밴드에 상응하는 멀티 경로의 스위칭 기능을 갖는 프론트 엔드 모듈에 관한 것이다.
일반적으로, 휴대전화 등의 이동 통신 단말기에서, 세계적으로 여러 가지의 이동통신 시스템이 서로 다른 방식으로 운영되고 있기 때문에 휴대 전화 이용자는 서로 다른 이동 통신 시스템 하에서도 하나의 휴대전화를 계속하여 사용할 필요성이 있다.
이에 따라, 휴대 전화의 프론트 엔드(Front End) 단은 서로 다른 이동 통신 시스템에서도 사용이 가능하도록 복수개의 밴드를 수용할 수 있는 RF 스위치(Switch)를 이용한 송신용 프론트 엔드 모듈(Front End Module) 또는 수신용 프론트 엔드 모듈(Front End Module)이 많이 사용되고 있다.
이러한 프론트 엔드 모듈(Front End Module)에서 복수개의 밴드를 지원하기 위해 복수의 경로를 선택할 수 있는 RF 스위치(Switch)를 사용할 경우, 각 경로간의 아이솔레이션(Isolation) 특성이 매우 중요하다.
종래의 송신용 프론트 엔드 모듈은, 하나의 안테나 포트를 복수의 송신 포트중에 하나에 연결하는 RF 스위치를 포함한다. 또한, 종래의 수신용 프론트 엔드 모듈은, 하나의 안테나 포트를 복수의 수신 포트중에 하나에 연결하는 RF 스위치를 포함한다.
이러한 RF 스위치는, 안테나 포트와 복수개의 포트 각각 사이에는 각 경로를 포함하고, 이러한 경로 각각은, 해당 경로상에 연결되는 스위치 트랜지스터 그룹(Switch Transistor Grouping)과, 상기 해당 경로와 접지 사이에 연결되는 션트 트랜지스터 그룹(Shunt Transistor Grouping)을 포함한다.
이때, 임의의 제1 경로의 스위치 트랜지스터 그룹이 온상태로 되면 제1 경로의 션트 트랜지스터 그룹은 오프상태가 되고, 다른 경로의 스위치 트랜지스터 그룹 및 다른 경로의 션트 트랜지스터 그룹 각각은 오프상태 및 온상태가 된다.
이와 같은 종래 프론트 엔드 모듈에서, 복수의 밴드간의 아이솔레이션 특성은 스위치 트랜지스터 그룹 및 션트 트랜지스터 그룹의 아이솔레이션 특성에 의해 결정된다.
그런데, 종래 프론트 엔드 모듈에서는, 스위치 트랜지스터 그룹 및 션트 트랜지스터 그룹 각각은 스택된 복수의 트랜지스터로 이루어지고, 이러한 트랜지스터가 오프 상태인 경우에도 트랜지스터 자체 특성에 의해서 RF 신호에 대한 아이솔레이션 특성이 우수하지 못하다는 문제점이 있다.
본 발명의 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 본 발명은, 복수개의 밴드에 상응하는 멀티 경로 서로간의 아이솔레이션 특성이 향상된 프론트 엔드 모듈을 제공한다.
상기한 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 기술적인 측면은, 안테나 포트와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함하는 RF 스위치; 및 상기 접지 포트 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로를 포함하는 공진용 회로부를 포함하는 프론트 엔드 모듈을 제공하는 것이다.
상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로 각각은, 해당 접지포트와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터: 및 상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 이동 통신 단말기에 적용될 수 있는 프론트 엔드 모듈을 이용하면, 복수개의 밴드에 상응하는 멀티 경로 서로간의 아이솔레이션(Isolation) 특성을 향상시킬 수 있고, 이와 같이 아이솔레이션이 향상됨에 따라 이동통신 단말기의 PVT(Power Vs Time) 특성과 변조(Modulation) ORFS(Output RF Spectrum) 특성도 개선되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈의 구성도.
도 2는 도 1의 제1 및 제2 경로상의 제1 및 제2 스위치 트랜지스터 그룹, 제1 및 제2 션트 트랜지스터 그룹 및 제1 및 제2 공진용 소자 회로의 상세도.
도 3은 선택된 주파수 밴드 및 비선택된 주파수 밴드의 주파수 특성도.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시 예는 본 발명의 기술적 사상에 대한 이해를 돕기 위해서 사용된다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈은, RF 스위치(100)와 공진용 회로부(200)를 포함할 수 있다.
상기 RF 스위치(100)는, 안테나 포트(ANT)와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트(GND1~GND2n)에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함할 수 있다.
상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각은, 송신용 신호 포트가 될 수 있고, 또는 수신용 신호 포트가 될 수 있다.
이와 달리, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트는, 제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트(Tx1~Txn)와, 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트(Rx1~Rxn)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 공진용 회로부(200)는, 상기 접지 포트(GND1~GND2n) 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받도록 이루어질 수 있다.
상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받도록 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n) 각각은, 해당 접지포트와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터와, 상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 제 1 내지 제 2n 경로중에서, 제1 및 제2 경로상의 제1 및 제2 스위치 트랜지스터 그룹, 제1 및 제2 션트 트랜지스터 그룹 및 제1 및 제2 공진용 소자 회로에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 도 1의 제1 및 제2 경로(PTH1,PTH2)상의 제1 및 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW11,SW21), 제1 및 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST11,ST21) 및 제1 및 제2 공진용 소자 회로(200-1,200-2)의 상세도이다.
먼저, 도 2를 참조하면, 상기 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S11)를 입력받도록 이루어질 수 있다.
상기 제 1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S12)를 입력받도록 이루어질 수 있다.
다음, 도 2를 참조하면, 상기 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S21)를 입력받도록 이루어질 수 있다.
상기 제 2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S22)를 입력받도록 이루어질 수 있다.
그 다음, 도 2를 참조하면, 상기 제1 공진용 소자 회로(200-1)는, 제1 접지포트(GND1)와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수(fo)를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터(C11)와, 상기 커패시터(C11)에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항(R11)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 공진 주파수(fo)는 인접 밴드의 주파수에 해당되므로, 아이솔레이션 특성을 개선하기 위해서, 제거되어야 할 대상 주파수 밴드의 중심주파수에 해당된다.
또한, 상기 제2 공진용 소자 회로(200-2)는, 제2 접지포트(GND2)와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터(C21)와, 상기 커패시터(C21)에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항(R21)을 포함할 수 있다.
도 3은 선택된 주파수 밴드 및 비선택된 주파수 밴드의 주파수 특성도이다.
도 3에서, G1은 선택된 주파수 밴드의 주파수 특성이고, G2는 비선택 주파수 밴드의 주파수 특성이다.
이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 도면에 의거하여 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈에 대해 설명하면, 먼저 도 1에서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 프론트 엔드 모듈은, RF 스위치(100)와 공진용 회로부(200)를 포함할 수 있다.
상기 RF 스위치(100)는, 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함할 수 있다.
상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은, 안테나 포트(ANT)와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성될 수 있다.
그리고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트(GND1~GND2n)에 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트는, 제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트(Tx1~Txn)와, 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트(Rx1~Rxn)를 포함할 수 있으며, 이러한 구현 예가 도 1에 도시되어 있다.
또한, 상기 공진용 회로부(200)는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n)를 포함할 수 있고, 상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로(200-1~200-2n) 각각은, 상기 접지 포트(GND1~GND2n) 각각과 접지 사이에 형성된다.
상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태일 때, 상기 온상태인 해당 션트 트랜지스터 그룹의 인덕턴스와 해당 공진용 회로부의 캐패시턴스에 의한 공진이 형성되는데, 여기서, 상기 LC 공진을 이용하여 배제 대상인 인접 밴드 배제 특성을 향상시키기 위해서, 해당 공진용 회로부의 캐패시턴스를 조절하면 상기 공진주파수를 배제 대상인 인접 밴드 주파수와 동일하게 할 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 프론트 엔드 모듈이, 제1 송신용 포트(Tx1)와 안테나포트(ANT)간의 제1 경로(PTH1)상의 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11) 및 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST1)과, 제2 송신용 포트(Tx2)와 안테나포트(ANT)간의 제2 경로(PTH2)상의 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21) 및 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)을 포함하는 경우에 대해, 도 2를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 2를 참조하여 제1 경로(PTH1)가 선택되고 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않은 경우에 대해 설명한다.
도 2를 참조하여, 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되기 위한 동작을 설명한다.
첫 번째로, 도 2에서, 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은 온레벨을 갖는 해당 제어신호(S11)에 의해 온상태로 되고, 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은 오프레벨을 갖는 해당 제어신호(S12)에 의해 오프상태로 된다.
여기서, 상기 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S11)를 입력받는다. 또한, 상기 제 1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S12)를 입력받는다.
이에 의해 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되어, 안테나포트(ANT)와 제1 수신용 신호 포트(Tx1)간 신호가 전달될 수 있다.
두 번째로, 도 2를 참조하여 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않기 위한 동작에 대해 설명한다.
도 2에서, 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은 오프레벨을 갖는 해당 제어신호(S21)에 의해 오프상태로 되고, 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은 온레벨을 갖는 해당 제어신호(S12)에 의해 온상태로 된다.
여기서, 상기 제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S21)를 입력받는다. 또한, 상기 제 2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은, 스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고, 상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호(S22)를 입력받는다.
이에 의해 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않으므로, 안테나포트(ANT)와 제2 수신용 신호 포트(Tx2)간에는 신호가 전달되지 않는 것이 바람직하다.
그런데, 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 MOSFET는 그 특성상 RF 신호에 대해 아이솔레이션이 우수하지 않기 때문에, 본 발명에서 제안하는 공진을 이용하면 멀티 경로간 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은 온상태일 때, 상기 온상태인 상기 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)에 포함된 복수의 MOSFET가 모두 온상태가 되고, 상기 온상태로 스택구조로 연결된 복수의 MOSFET는 등가적인 인덕턴스를 갖게 된다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 공진용 소자 회로(200-1,200-2)중, 제 2 공진용 소자 회로(200-2)는, 커패시터(C21)와 저항(R21)을 포함하며, 상기 커패시터(C21)는 제2 접지포트(GND2)와 접지 사이에 연결되어, 미리 설정된 공진 주파수(fo)를 위한 커패시턴스를 가진다. 여기서, 공진주파수(fo)는 배제 대상인 인접 밴드의 주파수에 해당된다.
즉, 상기 온상태인 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)의 등가 인덕턴스와 상기 커패시턴스에 의해서 상기 공진 주파수(fo)에서 공진이 형성된다. 이에 따라, 도 3에 도시한 G2를 참조하면 공진 주파수(fo)에서 아이솔레이션이 상당히 높음을 알 수 있다.
또한, 상기 커패시터(C21)에 병렬로 연결된 저항(R21)은, 상기 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 복수의 MOSFET의 동작을 위해 필요한 직류 전압을 접지로 바이패스시킨다.
반대로, 도 2를 참조하여 제1 경로(PTH1)가 선택되지 않고, 제2 경로(PTH2)가 선택되는 경우에 대해 설명한다.
도 2를 참조하여 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되지 않기 위한 동작을 설명한다.
첫 번째로, 도 2에서, 제1 스위치 트랜지스터 그룹(SW11)은 해당 제어신호(S11)에 의해 오프상태로 되고, 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)은 해당 제어신호(S12)에 의해 온상태로 된다.
이에 의해 상기 제1 경로(PTH1)가 선택되지 않으므로, 안테나포트(ANT)와 제1 수신용 신호 포트(Tx1)간에는 신호가 전달되지 않는다.
두 번째로, 도 2를 참조하여 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되기 위한 동작을 설명한다.
제2 스위치 트랜지스터 그룹(SW21)은 해당 제어신호(S21)에 의해 온상태로 되고, 제2 션트 트랜지스터 그룹(ST21)은 해당 제어신호(S12)에 의해 오프상태로 된다.
이에 의해 상기 제2 경로(PTH2)가 선택되지 않으므로, 안테나포트(ANT)와 제2 수신용 신호 포트(Tx2)간에는 신호가 전달되지 않는 것이 바람직하다.
그런데, 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 MOSFET는 그 특성상 RF 신호에 대해 아이솔레이션이 우수하지 않기 때문에, 본 발명에서 제안하는 공진을 이용하면 멀티 경로간 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
그런데, 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 MOSFET는 그 특성상 RF 신호에 대해 아이솔레이션이 우수하지 않기 때문에, 본 발명에서 제안하는 공진을 이용하면 멀티 경로간 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
이때, 상기 제 1 및 제 2 공진용 소자 회로(200-1,200-2)중, 제 1 공진용 소자 회로(200-1)는, 커패시터(C11)와 저항(R11)을 포함하며, 상기 커패시터(C11)는 제1 접지포트(GND1)와 접지 사이에 연결되어, 미리 설정된 공진 주파수(fo)를 위한 커패시턴스를 가진다. 여기서, 공진주파수(fo)는 배제 대상인 인접 밴드의 주파수에 해당된다.
즉, 상기 온상태인 제1 션트 트랜지스터 그룹(ST11)의 등가 인덕턴스와 상기 커패시턴스에 의해서 상기 공진 주파수(fo)에서 공진이 형성된다. 이에 따라, 도 3에 도시한 G2를 참조하면 공진 주파수(fo)에서 아이솔레이션이 상당히 높음을 알 수 있다.
또한, 상기 커패시터(C11)에 병렬로 연결된 저항(R11)은, 상기 션트 트랜지스터 그룹에 포함되는 복수의 MOSFET의 동작을 위해 필요한 직류 전압을 접지로 바이패스시킨다.
전술한 바와 같은 본 발명에서, 제1 경로가 선택되고 제2 경로가 선택되지 않은 경우, 제2 경로에서 공진이 형성되어 공진 주파수에서 접지로 RF신호가 더 잘 흐르게 되어 제2 경로에서 공진 주파수 신호는 거의 검출되지 않는다. 이렇게 되면 공진 주파수에서 아이솔레이션(Isolation) 특성이 매우 개선된다.
100 : RF 스위치
200 : 공진용 회로부
200-1~200-2n : 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로
ANT : 안테나포트
Tx1~Txn,Rx1~Rxn : 제 1 내지 제 2n 신호 포트
Tx1~Txn : 제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트
Rx1~Rxn : 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트
GND1~GND2n : 제 1 내지 제 2n 접지 포트
C11,C21 : 커패시터
R11,R21 : 저항

Claims (7)

  1. 안테나 포트와, 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각 간에 형성된 제 1 내지 제 2n 경로 각각에 형성된 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹과, 상기 제 1 내지 제 2n 경로 각각과 접지 포트에 형성된 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹을 포함하는 RF 스위치; 및
    상기 접지 포트 각각과 접지 사이에 형성되고, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹중 해당 션트 트랜지스터 그룹이 온상태에서, 미리 설정된 주파수에서 LC 공진을 형성하는 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로를 포함하는 공진용 회로부
    를 포함하는 프론트 엔드 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 스위치 트랜지스터 그룹 각각은
    스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고,
    상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것
    을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 션트 트랜지스터 그룹 각각은
    스택된 구조로 접속된 복수의 MOSFET를 포함하고,
    상기 복수의 MOSFET 게이트는 공통 접속되어 해당 제어 신호를 입력받는 것
    을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 공진용 소자 회로 각각은,
    해당 접지포트와 접지 사이에 연결되고, 미리 설정된 공진 주파수를 위한 커패시턴스를 갖는 커패시터: 및
    상기 커패시터에 병렬로 연결되고, 직류 성분을 접지로 바이패스시키는 저항
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각은,
    송신용 신호 포트인 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트 각각은,
    수신용 신호 포트인 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 2n 신호 포트는,
    제 1 내지 제 n 송신용 신호 포트와, 제 1 내지 제 n 수신용 신호 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 모듈.
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