CN105262442A - 涉及射频放大器的快速接通的电路和设备 - Google Patents
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Abstract
公开一种涉及射频(RF)放大器的快速接通的电路、方法和设备。在一些实施例中，RF放大器电路包括被实现为放大RF信号的放大路径，其中所述放大路径包括开关和放大器。在一些实施例中，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大器路径。在一些实施例中，所述放大器电路包括耦接到所述放大器的补偿电路，其中所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年7月14日提交的、名称为“CIRCUITSANDMETHODSRELATEDTOFASTTURN-ONOFRADIO-FREQUENCYAMPLIFIERS(涉及射频放大器的快速接通的电路和设备)”的美国临时申请No.62/024,087的优先权，由此其所公开的内容全部通过引用明确合并于此。
技术领域
本公开涉及一种能够快速接通的射频放大器。
背景技术
许多电子设备需要将输入射频(RF)信号放大为放大的输出RF信号。放大的输出RF信号可以通过使用RF放大器实现。
发明内容
根据一些实现方式，本公开涉及一种射频(RF)放大器电路，其包括被实现为放大RF信号的放大路径，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
在一些实施例中，所述RF放大器电路的放大路径进一步包括在所述开关和所述放大器之间实现的隔直电容。
在一些实施例中，所述RF放大器电路的所述开关和放大器中的每一个包括具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET开关和FET放大器中的每一个是绝缘体上的硅(SOI)器件。
在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET开关被配置成处于接通状态，以当将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许所述RF信号在所述源极和所述漏极之间通过。在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET放大器被配置成在其栅极处接收来自FET开关和隔直电容的RF信号以及通过其源极或漏极输出所述放大的RF信号。在一些实施例中，所述放大的RF信号通过FET放大器的漏极输出。
在一些实施例中，所述RF放大器电路的FET放大器被配置成接通，以在将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许放大所述RF信号。
在一些实施例中，施加到所述开关的信号包括施加到所述RF放大器电路的FET开关的源极和漏极以改善所述FET开关的插入损耗性能的下降沿信号，所述下降沿信号通过所述隔直电容与所述FET放大器耦接以导致所述FET放大器从所述断开状态缓慢转换到所述接通状态。
在一些实施例中，所述RF放大器电路的补偿电路包括耦接到所述FET放大器的栅极的隔直电容。在一些实施例中，所述RF放大器电路的补偿电路的隔直电容被配置成提供上升沿补偿信号到所述FET放大器的栅极的的电容性耦接以提供补偿施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应的至少一部分。
在一些实施例中，由上升沿补偿信号的电容性耦接提供的补偿导致所述RF放大器电路的FET放大器从所述断开状态更快转换到所述接通状态。
在一些实施例中，所述上升沿补偿信号到所述RF放大器电路的FET放大器的栅极的电容性耦接被配置成基本上消除施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应。
在一些实施例中，所述RF放大电路的放大器包括低噪声放大器(LNA)。在一些实施例中，所述RF放大器电路的LNA被配置成放大接收到的WLAN信号。
在一些实施例中，所述放大路径包括公共天线端口，并且在一些实施例中，所述放大路径被配置成在时分双工模式中操作。
本公开还涉及一种用于放大射频(RF)信号的方法。所述方法包括提供用于放大所述RF信号的放大路径，其中所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述方法进一步包括向所述放大器提供补偿信号，以补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
根据一些实现方式，本公开涉及一种射频(RF)模块，其包括被配置成容纳多个组件的封装基底。所述RF模块进一步包括在所述封装基底上实现的RF放大器电路，所述RF放大器电路包括实现为放大RF信号的放大路径，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，其中所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
在一些实现方式中，所述RF模块的开关和放大器被实现在公共裸芯上。在一些实现方式中，所述RF模块的公共裸芯是绝缘体上的硅(SOI)裸芯。在一些实现方式中，所述RF模块电路的补偿电路也被实现在公共裸芯上。
在一些实现方式中，所述RF模块的放大器是低噪声放大器(LNA)，并且在一些实现方式中，所述RF模块是WLAN模块。
根据一些实现方式，本公开涉及一种无线设备，其包括被配置成有助于发送和接收操作的天线以及与所述天线通信的RF放大器电路。所述RF放大器电路包括被实现为放大RF信号的放大路径，其中所述放大路径包括开关和放大器。所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径。所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，其中所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
在一些实现方式中，所述放大器是低噪声放大器(LNA)，以及所述放大路径被配置成放大通过所述天线接收的RF信号。
在一些实现方式中，所述RF放大器电路进一步包括被配置成放大待发送的RF信号的功率放大器(PA)路径。在一些实施例中，所述无线设备的放大路径和PA路径耦接到所述天线上。
在一些实施例中，所述无线设备的RF放大器电路被配置成在时分双工模式中操作。在一些实现方式中，所述无线设备的RF放大器电路被配置成在一个或多个WLAN频率中操作。
为了总结本公开，本发明的一些方面、优点以及新颖特征已在此处描述。可以理解的是全部这种优点不必根据本发明的任何特定实施例实现。因此，本发明可以以实现或优化按照此处教导的一个或一组优点的方式实施或执行，而不必实现此处可以教导或暗示的其他优势。
附图说明
图1示出被配置成接收输入RF信号RF_in，并产生放大的RF信号RF_out的RF放大器电路的框图。
图2示出其中放大器的快速接通和断开是理想的示例结构。
图3示出施加到RF放大器的示例控制信号。
图4示出其中对于给定的放大器，假设以理想方式发生这种接通/断开状态间的转换以产生阶梯函数的示例接通/断开序列。
图5示出用于两个RF放大器的示例时序图。
图6示出示例放大配置，其中放大器的延迟接通可以导致从而降低其操作速度。
图7示出可以实现用于补偿图6的示例缓慢接通效应的放大器电路的示例配置。
图8示出根据一些实施例的通用放大电路。
图9示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为第一级提供补偿电路。
图10示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为第二级提供补偿电路。
图11示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为第一和第二级的每一个提供补偿电路。
图12示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为第一和第二级两者提供公共补偿电路。
图13示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为补偿电路提供多个放大路径的部分。
图14示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为单独的补偿电路提供多个放大路径的每一个。
图15示出根据一些实施例的放大电路，其中可以为多个放大路径提供公共补偿电路。
图16示出根据一些实施例的可以被实现为为放大器提供改善的接通性能的处理。
图17示出根据一些实施例的可以被实现为为放大器提供改善的接通性能的处理。
图18示出根据一些实施例的在RF模块中实现的示例RF放大器。
图19示出具有在此处描述的一个或多个有利特征的示例无线设备。
具体实施例
在此处提供的标题(若有)仅仅为了方便起见，并且不一定影响要求保护的本发明的范围或含义。
公开了涉及射频(RF)放大器的快速接通的电路、设备、系统和方法等。尽管在快速接通的上下文中进行描述，但是将理解的是本公开的一个或多个特征也可以允许RF放大器的快速断开。
图1示出被配置成接收输入RF信号(RF_in)并产生放大的RF信号(RF_out)的RF放大器电路100的框图。在许多RF应用中，这种放大电路可以包括包含放大器102和开关104的可开关的放大路径。相应地，通过接通开关104和放大器102两者可以使能放大路径。类似地，通过断开开关104和放大器102两者可以禁用放大路径。如在此处描述的，放大器102的这种接通和/或断开可以经受延迟，所述延迟可以转而使得放大器电路100的操作速度变慢。
图1进一步示出放大电路100，所述放大电路100可以进一步包括被实现为有助于放大器102在其接通和断开状态间的快速转换的补偿电路106。例如，并且如在此处更详细地描述的，补偿电路106可以允许放大器102显著更快地接通。
图2示出其中放大器的快速接通和断开是理想的示例结构。两个示例放大路径被示出为共享公共节点110。第一放大路径被示出为在公共节点110和第一节点112a之间，并包括第一开关(SW1)104a和第一放大器102a(Amp1)。类似地，第二放大路径被示出为在公共节点110和第二节点112b之间，并包括第二开关(SW2)104b和第二放大器102b(Amp2)。
在图2的示例中，第一放大路径被示出为通过接通第一开关104a而被使能，并且第二放大路径被示出为通过断开第二开关104b而被禁用。图3示出可以施加到图2的两个放大路径的控制信号的示例，其中假设高状态对应于开关或者放大器的接通状态(并且低状态对应于断开状态)。相应地，第一开关104a(SW1)和第一放大器102a(Amp1)的每一个被示出为在时间t1被提供有上升沿信号以产生高状态。类似地，第二开关104b(SW2)和第二放大器102b(Amp2)的每一个被示出为在时间t1被提供有下降沿信号以产生低状态。
通过图3的示例控制信号，图2的两个放大器(Amp1和Amp2)的每一个可以被反复接通或断开。在一些RF应用中，两个放大路径的这种使能/禁用状态可以被实现为使得公共节点110是天线端口实现，以从而允许两个放大路径共享公共天线。第一放大路径可以是例如接收(Rx)路径，使得第一放大器102a(Amp1)是低噪声放大器(LNA)。第二放大路径可以是例如发送(Tx)路径，使得第二放大器(Amp2)是功率放大器(PA)。在这种示例配置中，Rx和Tx操作可以在时分双工(TDD)配置中实现。
在这种TDD配置中，一个放大器接通，而另一个断开。例如，当Rx操作被使能时，LNA可以接通而PA断开。当Tx操作被使能时，LNA可以断开而PA接通。对于给定的放大器(Amp1或Amp2)，图4示出示例接通/断开序列，其中假设以理想的方式发生这种接通/断开状态的转换以产生阶梯函数。
然而，两个放大器两者或任一者可以不以这种理想的方式转换。例如，并且如图5中所述，假设第一放大器(Amp1)具有接通延迟ΔT1和断开延迟ΔT2。相应地，第一放大器的每一个周期包括与ΔT1和ΔT2相关联的空载时间(deadtime)，从而限制第一放大器的操作速度。
当两个放大器(Amp1和Amp2)在示例TDD配置中操作时，第二放大器(Amp2)的操作速度也被影响，即使第二放大器能够具有理想的接通/断开性能。如图5中所示，第二放大器(Amp2)的这种速度限制是由于在TDD配置中仅Rx和Tx操作中的一个可以通过相同的天线执行的事实。相应地，第二放大器(Amp2)可以在第一放大器(Amp1)的断开到接通转换开始时基本上立刻从接通转换到断开。然而，在第一放大器(Amp1)断开时，第二放大器(Amp2)需要等待接通。
基于前述示例，图5进一步示出在例如TDD配置中操作的第一和第二放大器(Amp1和Amp2)的组合的占空比。如在此处描述的，至少一个放大器的接通或断开的一个或多个延迟可以影响放大器电路的速度。如果两个放大器都经受这种延迟，则对速度的影响甚至可以更加严重。
图6示出示例放大配置120，其中放大器102(例如LNA)的延迟接通可以导致从而降低其操作速度。输入RF信号(RF_in)被示出为通过阻塞电容C1、开关104(SW)(例如FET)和阻塞电容C2被提供到LNA102(例如FET)的栅极。阻塞电容C1、C2通常被配置成提供隔直功能以隔离开关104(SW)和LNA102的直流偏置点。放大的RF信号被示出为通过LNA102的漏极的输出(RF_out)。
为使能这种放大路径，开关104(SW)可以通过施加上升沿信号130接通。类似地，LNA102可以通过经由例如栅极电阻R施加上升沿信号134到栅极节点122接通。两个上升沿信号130、134可以从或者不从公共源极提供，并且它们的幅度可以相同或不同。
为了最小化或降低与FET开关104(SW)相关联的插入损耗，FET的漏极和源极通常被施加有下降沿信号132。这种下降沿信号通常通过阻塞电容C2耦接并抵消上升沿信号134，从而减慢LNA102的接通。这种LNA的延迟接通可以通过经由延迟时段ΔT从断开状态到接通状态的转换的轨迹140描述。这种缓慢接通通常是不理想的，在例如无线-LAN(WLAN)的应用的一些RF应用中可以是有问题的。
图7示出可以被实现用于放大电路100补偿图6的缓慢接通效应的示例配置150。与图6的示例类似，图7的放大配置150被示出为包括输入RF信号(RF_in)，其通过阻塞电容C1、开关104(SW)(例如FET)和阻塞电容C2被提供到LNA102(例如FET)的栅极。阻塞电容C1、C2通常被配置成提供隔直功能以隔离开关104(SW)和LNA102的直流偏置点。放大的RF信号被示出为通过LNA102的漏极的输出(RF_out)。
为了使能这种放大路径，开关104(SW)可以通过施加上升沿信号130接通。LNA102可以通过经由例如栅极电阻R向栅极节点122施加上升沿信号134而接通。两个上升沿信号130、134可以从或不从公共源极提供，并且他们的幅度可以相同或不同。
与图6的示例类似，可以为FET开关104(SW)的漏极和源极施加下降沿信号132以最小化或降低与FET开关104(SW)相关联的插入损耗。这种下降沿信号通常通过阻塞电容C2耦接并抵消上升沿信号134，从而减慢LNA102的接通。
图7示出在一些实施例中，可以在放大器电路100中实现补偿电路106以补偿接通缓慢效应，例如对LNA102的下降沿信号132的前述示例效应。通过示例的方式，补偿电路106可以包括一端连接到栅极节点122，而另一端连接到补偿信号节点的电容C3。电容C3可以被配置成为栅极节点122提供隔直功能，使得在补偿信号节点处施加的控制信号152导致补偿由与放大路径的使能相关联地施加的一个或多个控制信号导致的对LNA102的不理想的接通效应。例如，施加到FET开关104(SW)的漏极和源极的下降沿信号132在此处被描述为通过隔直电容C2耦接以影响施加到栅极节点122的上升沿接通信号134。对于这种示例情况，控制信号152可以是通过隔直电容C3耦接到栅极节点122并补偿下降沿信号132效应的上升沿信号。
在图7中，前述补偿示例被示出为产生LNA102的接通曲线，所述接通曲线由通过小于与图6相关联的延迟时段ΔT的延迟时段ΔT’从断开状态转换到接通状态的轨迹140描述。在一些实施例中，补偿控制信号152和补偿电路106可以被配置成使得LNA102的接通曲线就好像下降沿信号132没有被施加到FET开关104(SW)的漏极和源极一样。相应地，图7的示例配置150可以允许最小化或降低开关相关的插入损耗，同时允许LNA具有快速接通性能。在例如无线-LAN(WLAN)应用的RF应用中，这种性能特征的组合是理想的。
在图7的示例中，通过阻塞电容(C3)的上升沿(补偿控制信号152)的施加被示出为消除由施加到开关104(SW)的下降沿信号132导致的电荷(charge)。由于补偿控制信号152通过阻塞电容(C3)施加，因此其通常不影响开关104(SW)和LNA102的直流偏置。此外，补偿控制信号152的施加允许开关104(SW)和LNA102的独立优化偏置。
在参考图7描述的示例中，LNA102的快速接通可以通过将例如上升沿信号施加到补偿电路而实现。这种上升沿补偿信号可以与LNA(102)和/或开关(104)使能上升沿信号(130和/或134)相类似，其中每一个信号可以从低状态转换到高状态。相应地，在一些实施例中，LNA102的有效快速接通性能可以在不向LNA提供控制信号的中间状态(例如，预充电状态)的情况下实现。
在参考图7描述的示例中，补偿技术包括提供电容性耦接的上升沿信号以补偿电容性耦接的下降沿信号的效应。将理解的是如果电容性耦接的上升沿信号导致不理想的接通效应，则可以以类似的方式施加电容性耦接的下降沿信号以提供补偿。此外，将理解的是本公开的一个或多个特征还可以在其中控制信号不一定是阶梯函数的应用中使用。
在参考图7描述的示例中，在改善接通性能的上下文中描述补偿技术。将理解的是本公开的一个或多个特征也可以被实现为提供放大器的断开性能的改善。
在参考图7描述的示例中，补偿电路106被描述为包括隔直电容(C3)以提供与导致LNA的缓慢接通的控制信号的电容性耦接类似的耦接。将理解的是，取决于特定的放大路径配置，补偿电路106可以被不同地配置。
在参考图7描述的示例中，开关104和LNA102被描述为FET器件。在一些实施例中，可以将这种FET器件实现为例如绝缘体上的硅(SOI)器件。也可以使用其他类型的FET器件。将理解的是其他类型的晶体管也可以用于开关104和LNA102。将理解的是开关104和LNA102可以或可以不基于类似晶体管类型。
在参考图7描述的示例中，在LNA的上下文中描述放大器102。将理解的是本公开的一个或多个特征可以在其他放大应用中实现，包括待发送的RF信号的功率放大(PA)。
相应地，图8示出图7的示例的更通用的描述。在图8中，放大电路100可以描述为包括开关104、隔直电容C以及放大器102的放大路径。具有此处描述的一个或多个特征的补偿电路106可以耦接到放大器102以提供补偿功能以产生改善的接通性能。
图9-15示出在一些实施例中，本公开的一个或多个特征可以在包括多于一个放大器的放大应用中实现。图9-12示出在给定的放大路径中包括多个级的放大配置。在图9-12的示例的每一个中，放大路径被示出为包括开关104、隔直电容C、第一放大级102a以及第二放大级102b。这种放大路径可以与图7的示例类似地使能；并且第一和第二放大级102a、102b可以使用公共信号或单独的使能信号使能。
图9和10示出在一些实施例中，可以为第一和第二级102a、102b的任一者提供具有在此处描述的一或多个特征的补偿电路106。在图9中，补偿电路106被示出为被提供用于第一级102a。在图10中，补偿电路106被示出为被提供用于第二级102b。
图11和12示出在一些实施例中，为第一和第二级102a、102b两者提供如在此处描述的补偿功能。在图11中，第一和第二级102a、102b的每一个被示出为被提供有其自己的补偿电路(106a、106b)。在图12中，第一和第二级102a、102b两者被示出为被耦接到公共补偿电路106。
图13-15示出包括多个放大路径的放大配置。在图13-15的示例的每一个中，两个放大路径被示出为共享公共输入节点。第一放大路径被示出为包括开关104a(SW1)、隔直电容C1以及放大器102a。类似地，第二放大路径包括开关104b(SW2)、隔直电容C2以及放大器102b。这种第一和第二放大路径的每一个可以与图7的示例类似地使能。
图13示出在一些实施例中，可以为放大电路100中的多个放大路径中的一些提供补偿电路106。例如，两个放大路径的第一个被示出为具有耦接到放大器102a的补偿电路106。
图14和15示出在一些实施例中，可以为放大电路100中的全部多个放大路径提供一个或多个补偿电路。在图14的示例中，两个放大路径的每一个被示出为被提供有单独的补偿电路。相应地，第一补偿电路106a被示出为耦接到第一放大路径的放大器102a，第二补偿电路106b被示出为耦接到第二放大路径的放大器102b。
在图15的示例中，两个放大路径两者被示出为被耦接到公共补偿电路106。这种补偿电路可以被配置成提供补偿控制信号到两个放大器102a、102b的任一者或两者。
图16示出可以被实现为如在此处描述的为放大器提供改善的接通性能的处理200。在方框202中，可以使能输入路径到放大器的开关。在方框204中，可以提供第一信号到开关以降低插入损耗。在方框206中，可以使能放大器。在方框208中，可以提供第二信号到放大器以补偿由第一信号导致的延迟接通效应。在一些实施例中，可以基本上同时的，按顺序的，或以任何产生包括例如开关的降低的插入损耗和放大器的更快速接通性能的理想效果的方式施加前述信号。
图17示出可以被实现为图16的处理200的更具体示例的处理220。在方框222中，可以提供上升沿信号以使能沿着输入路径到放大晶体管的开关晶体管。在方框224中，可以施加下降沿信号到开关晶体管以降低插入损耗。在方框226中，可以向放大晶体管提供上升沿使能信号。在方框228中，可以施加上升沿补偿信号到放大晶体管以补偿由施加到开关晶体管的下降沿信号导致的延迟接通效应。在一些实施例中，可以基本上同时的，按顺序的，或以任何产生包括例如开关的降低的插入损耗和放大器的更快速接通性能的理想效果的方式施加前述信号。
图18示出在一些实施例中，具有在此处描述一个或多个特征的放大器裸芯302可以被实现在RF模块300中。如在此处描述的，在这种裸芯上实现的放大器电路可以包括放大器102的一个或多个级，以及一个或多个级的一个或多个补偿电路104。
放大器电路可以被配置为通过输入节点(IN)接收RF信号。更具体地，放大器102被示出为通过开关104和隔直电容C接收RF信号以提供在此处描述的功能。放大的RF信号可以通过输出节点输出。放大器电路的操作可以由例如由节点310统一描述的供电来实现。
在裸芯302上实现的放大器电路可以通过偏置电路304偏置。在一些实施例中，这种偏置电路可以被配置成结合补偿电路106操作，独立于补偿电路106操作或者以其任何组合操作。偏置电路304的操作可以由例如由节点312统一描述的供电、参考电流等实现。
在一些实施例中，放大器电路可以被实现在裸芯302上，并且补偿电路可以被实现在另一半导体裸芯上。在一些实施例中，补偿电路的一些或全部也可以被实现在与放大器电路相同的裸芯上。在图18的示例裸芯302中描述这种配置。
为了描述的目的，将理解的是裸芯302可以包括例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)以及硅化锗(SiGe)。也可以使用其他类型的半导体裸芯。将理解的是在此处描述的放大晶体管和开关晶体管可以包括SOI设备。其他类型的晶体管也可以用于放大晶体管和开关晶体管。
为了描述的目的，将理解的是不同的隔直电容可以被实现为电容器器件。这种电容器器件可以或可以不被实现在与例如放大器102相同的裸芯上。
在一些实施例中，具有在此处描述的一个或多个特征的设备和/或电路可以被包括在例如无线设备的RF设备中。这种设备和/或电路可以被直接实现在无线设备中，以在此处描述的模块化的形式实现，或者以其某种结合实现。在一些实施例中，这种无线设备可以包括例如被配置成提供无线设备的基站、蜂窝电话、智能电话、具有或不具有电话功能的手持无线设备，无线平板等。
图19描述具有在此处描述的一个或多个特征的示例无线设备400。在此处描述的不同配置的上下文中，具有参考图18描述的功能的一个或多个模块300可以被包括在无线设备400中。例如，用于WLAN/GPS操作的前端模块(FEM)452可以包括LNA模块300。这种LNA可以被配置成放大通过天线456接收的WLAN信号。由LNA放大的这种WLAN信号可以被提供到收发器410用于处理，并且随后被提供到基带子系统408。蓝牙信号的发送和接收可以由天线458实现。在示出的示例中，GPS功能可以由与GPS天线454以及GPS接收机450通信的FEM452来实现。
具有一个或多个频带的功率放大器(PA)模块可以被配置成放大用于传输的RF信号。这种PA路径被描述为110a、110b、110c或110d。具有这种PA的PA模块可以提供放大的RF信号到开关414(通过双工器412)，并且开关414可以路由放大的RF信号到天线416。
PA模块可以接收来自以已知方式配置和操作的收发器410的未经放大的RF信号。收发器410也可以被配置成处理所接收的信号。这种接收信号可以通过双工器412从天线416被路由到LNA(未示出)。
收发器410被示出为与基带子系统408交互，所述基带子系统408被配置成提供在适于用户的数据和/或语音信号与适于收发器410的RF信号之间的转换。收发器410也被示出为连接到功率管理组件406，所述功率管理组件406被配置成为无线设备400的操作管理功率。所述功率管理组件也可以控制基带子系统408以及其他组件的操作。
基带子系统408被示出为连接到用户接口402以有助于被提供到用户的和从用户接收的语音和/或数据的不同的输入和输出。基带子系统408也可以连接到存储器404，所述存储器404被配置成存储数据和/或指令以有助于无线设备的操作，和/或为用户提供信息存储。
许多其他无线设备配置可以使用在此处描述的一个或多个特征。例如，无线设备不需要是多频带设备。在另一示例中，无线设备可以包括例如分集天线的额外天线以及例如Wi-Fi、蓝牙和GPS的额外连接特征。
除非上下文清楚地另外要求，否则贯穿说明书和权利要求，词语“包括”和“包含”等应以包含性的含义来解释，而非排他性或穷举性的含义；也就是说，以“包括但不限于”的含义来解释。如这里通常使用的，词语“耦接”指代可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或多个元件。此外，当在本申请中使用时，词语“这里”、“在上面”、“在下面”和类似意思的词语应指代本申请整体，而非本申请的任何特定部分。当上下文允许时，上面的具体实现方式中的、使用单数或复数的词语也可以分别包括复数或单数。在提到两个或多个项的列表时的词语“或”，该词语覆盖对该词语的全部下列解释：列表中的任何项，列表中的全部项以及列表中的项的任何组合。
对本发明的实施例的上面的详细描述意图不是穷举性的或将本发明限制为上面公开的精确形式。如相关领域技术人员将理解的，虽然为了说明的目的在上面描述了本发明的具体实施例和示例，在本发明的范围内各种等效修改是可能的。例如，虽然以给定顺序呈现处理或方框，替换实施例可以执行具有不同顺序的步骤的例程，或采用具有不同顺序的方框的系统，并且可以删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些处理或方框。可以以多种不同方式实现这些处理或方框中的每一个。此外，虽然处理或方框有时被示出为串行执行，可替换地，这些处理或方框可以并行执行，或可以在不同时间执行。
这里提供的本发明的教导可以应用于其它系统，而不一定是上面描述的系统。可以组合在上面描述的各种实施例的元件和动作以提供进一步的实施例。
虽然已描述了本发明的某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且意图不是限制本公开的范围。实际上，这里描述的新方法和系统可以以多种其它形式实施；此外，可以做出这里描述的方法和系统的形式上的各种省略、替代和改变，而不背离本公开的精神。所附权利要求及其等效物意图覆盖将落入本公开的范围和精神内的这种形式或修改。
Claims (20)
1.一种射频(RF)放大器电路，包括：
放大路径，实现放大RF信号，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径；以及
补偿电路，耦接到所述放大器，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
2.如权利要求1所述的电路，其中所述放大路径进一步包括在所述开关和所述放大器之间实现的隔直电容。
3.如权利要求2所述的电路，其中所述开关和放大器中的每一个包括具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。
4.如权利要求3所述的电路，其中所述FET开关被配置成处于接通状态，以使得将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许所述RF信号在所述源极和所述漏极之间通过。
5.如权利要求4所述的电路，其中所述FET放大器被配置成在其栅极处接收来自所述FET开关和所述隔直电容的RF信号，以及通过其源极或漏极输出所述放大的RF信号。
6.如权利要求5所述的电路，其中所述放大的RF信号通过所述FET放大器的漏极输出。
7.如权利要求5所述的电路，其中所述FET放大器被配置成接通，以使得将上升沿开关信号施加到所述栅极时，允许放大所述RF信号。
8.如权利要求7所述的电路，其中施加到所述开关的信号包括施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号以改善所述FET开关的插入损耗性能，所述下降沿信号通过所述隔直电容与所述FET放大器耦接以导致所述FET放大器从所述断开状态缓慢转换到所述接通状态。
9.如权利要求8所述的电路，其中所述补偿电路包括耦接到所述FET放大器的栅极的隔直电容。
10.如权利要求9所述的电路，其中所述补偿电路的隔直电容被配置成提供上升沿补偿信号到所述FET放大器的栅极的电容性耦接以提供补偿施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应的至少一部分。
11.如权利要求10所述的电路，其中由上升沿补偿信号的电容性耦接提供的补偿导致所述FET放大器从所述断开状态更快转换到所述接通状态。
12.如权利要求10所述的电路，其中所述上升沿补偿信号到所述FET放大器的栅极的电容性耦接被配置成基本上消除施加到所述FET开关的源极和漏极的下降沿信号的电容性耦接效应。
13.如权利要求1所述的电路，其中所述放大器包括低噪声放大器(LNA)。
14.如权利要求13所述的电路，其中所述LNA被配置成放大接收的WLAN信号。
15.一种射频(RF)模块，包括：
封装基底，被配置成容纳多个组件；以及
RF放大器电路，实现在所述封装基底上，所述RF放大器电路包括被实现为放大RF信号的放大路径，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径，所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
16.如权利要求15所述的RF模块，其中所述RF模块是WLAN模块。
17.一种无线设备，包括：
天线，被配置成有助于发送和接收操作；以及
RF放大器电路，与所述天线通信，所述RF放大器电路包括被实现为放大RF信号的放大路径，所述放大路径包括开关和放大器，所述开关和放大器中的每一个被配置成接通或断开，从而分别使能或禁用所述放大路径，所述RF放大器电路进一步包括耦接到所述放大器的补偿电路，所述补偿电路被配置成补偿由施加到所述开关上的信号导致的所述放大器在其接通和断开状态间的缓慢转换。
18.如权利要求17所述的无线设备，其中所述放大器是低噪声放大器(LNA)，以及所述放大路径被配置成放大通过所述天线接收的RF信号。
19.如权利要求18所述的无线设备，其中所述RF放大器电路进一步包括被配置成放大待发送的RF信号的功率放大器(PA)路径。
20.如权利要求19所述的无线设备，其中所述放大路径和PA路径中的每一个耦接到所述天线。
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