KR101279487B1 - 단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자 - Google Patents

단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101279487B1
KR101279487B1 KR1020120053312A KR20120053312A KR101279487B1 KR 101279487 B1 KR101279487 B1 KR 101279487B1 KR 1020120053312 A KR1020120053312 A KR 1020120053312A KR 20120053312 A KR20120053312 A KR 20120053312A KR 101279487 B1 KR101279487 B1 KR 101279487B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microwave ferrite
irreversible circuit
insulator
center conductor
circuit element
Prior art date
Application number
KR1020120053312A
Other languages
English (en)
Inventor
반용주
Original Assignee
쓰리알웨이브 (주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쓰리알웨이브 (주) filed Critical 쓰리알웨이브 (주)
Priority to KR1020120053312A priority Critical patent/KR101279487B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101279487B1 publication Critical patent/KR101279487B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/32Non-reciprocal transmission devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/32Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/36Isolators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/32Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38Circulators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/32Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38Circulators
    • H01P1/383Junction circulators, e.g. Y-circulators
    • H01P1/387Strip line circulators

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용하는 비가역 회로 소자로서, 하나의 극판이 마이크로파 페라이트와 영구자석 사이에 밀착되어 배치되며, 중심도체가 상기 마이크로파 페라이트와 절연체 사이에 밀착되어 배치되어 있는, 비가역 회로 소자가 공개된다.

Description

단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자{Non-reciprocal circuit device with single ferrite unit}
본 발명은 비가역 회로 소자에 관한 것으로서, 특히 서큘레이터 및 아이솔레이터와 같은 소자의 소형화 기술에 관한 것이다.
서큘레이터(Circulator) 및 아이솔레이터(Isolator)와 같은 비가역 회로 소자(Non-reciprocal Circuit Element)는, 일반적으로 미리 정해진 포트(port)를 통하여 입력된 신호가 패러데이 회전(Faraday Rotation)에 따라 한쪽 방향으로 회전하여 미리 정해진 다른 포트로 전달되도록 설계된 고주파 통신 부품이다. 서큘레이터의 경우 보통 세 개의 포트를 가지며, 각각의 포트로부터 입력된 신호는 보통 동일한 전달계수 및 반사계수를 가지고 인접한 다른 포트로 전달되도록 설계된다. 따라서 각각의 포트는 입력포트(Input Port)인 동시에 인접 포트에 대하여 방향성(Directivity)을 가지는 출력포트(Output Port)가 될 수 있다. 반면, 아이솔레이터의 경우, 세 개의 포트 중 하나의 포트에 종단저항(Termination)을 연결하여, 각각의 포트가 오로지 하나의 역할 만을 수행 할 수 있도록 설계된다. 즉, 입력포트를 통하여 들어온 신호는 출력포트를 통하여 전달되며, 반대로 출력포트를 통하여 들어온 신호는 종단저항이 연결되어 있는 종단포트(Termination Port)로 전달되어 소멸된다. 따라서 이상적인 아이솔레이터의 경우, 출력포트로부터 입력된 신호가 입력포트로 전달되지 않고 차단된다.
일반적으로 아이솔레이터 및 서큘레이터는 무선 통신 장치의 송신단(Transmitter)에 있어서, 파워앰프(Power Amplifier)와 안테나(Antenna) 사이에 위치하여, 파워 앰프로부터 증폭된 신호가 안테나 쪽으로 적은 손실을 가지고 전달되도록 도와주는 반면, 안테나로부터 반사되어 돌아오는 신호나 원하지 않는 신호가 파워앰프 쪽으로 전달되지 않도록 신호를 차단해 주는 역할을 한다.
무선 통신 수요의 증가와 통신 기술의 발달에 따라 상기 비가역 회로 소자의 재료비 및 생산성을 향상시키기 위한 기술의 연구가 꾸준히 진행되어 왔다. 통상적인 서큘레이터의 경우, 공진기(Resonator)를 구성하는 중심도체가 두 개의 마이크로파 페라이트 사이에 샌드위치 되어 위치하도록 설계되는 스트립라인(stripline) 구조가 일반적이다. 하지만 희토류 등을 사용하는 비교적 고가의 마이크로파 페라이트 및 기타 내부 소자의 수를 줄이기 위하여 도 1에 인용된 미국등록특허 US 7,002,426 및 도 2에 인용된 미국등록특허 US 7,609,124 처럼 한 개의 마이크로파 페라이트만을 이용하는 특허가 출원되어 왔다.
도 1에 도시한 장치의 경우, 연자성체로 이루어진 하우징(121) 내에 한 개의 마이크로파 페라이트(110)가 삽입되고 그 위에 중심도체(102)가 얹힌다. 또한 중심도체(102)와 영구자석(112) 사이에 스페이서(spacer)(114)가 삽입되는데, 이는 중심도체(102)와 영구자석(112) 사이에 공간이 만들어 주어, 중심도체(102)가 마이크로스트립(microstrip)과 유사한 형태로 작동되도록 고안된 것이다. 도 1에 나타낸 US 7,002,426 특허에서 공개된 기술을 사용하면, 보통 서큘레이터 및 아이솔레이터에서 각각 2개 이상 사용되는 마이크로파 페라이트 및 극판(Pole Piece)의 수를 한 개로 줄일 수 있으므로 재료비의 절감 효과를 얻을 수 있다. 하지만 도 1에 따른 기술의 경우, 다음과 같은 문제점 때문에 실용화에 제약이 있다.
1. 상기 적용된 스페이서(114)가 자기장에 흐름에 대해서 에어갭(air gap)처럼 작용하므로 자기저항(magnetic reluctance)이 증가하여 마이크로파 페라이트(110)에 인가되어야 할 정-자기장(Static Magnetic Field)의 세기를 감소시킨다. 따라서 이를 만회하기 위하여, 더 두껍거나 더 강한 영구자석이 사용되어야 하며, 이는 제품 두께의 증가 및 재료비의 상승을 초래할 수 있다.
2. 세라믹 계열의 영구자석이 사용될 경우, 고주파 신호가 그 재질 특성에 영향을 받게 되는데, 그 유전손실이 마이크로파 페라이트에서의 유전손실 보다 100배 이상 크므로, 제품의 삽입손실 증가의 원인이 된다.
3. 영구자석(112)과 마이크로파 페라이트(110) 사이에 극판이 생략되므로, 인가되는 직류자계의 균일성(uniformity)이 악화되어, IMD(Intermodulated Distortion) 및 하모닉(harmonic) 등과 같은 제품의 선형성(linearity)이 나빠질 수 있다.
4. 기존 두 개 이상의 마이크로파 페라이트를 사용하여 설계되는 아이솔레이터 및 서큘레이터의 경우에 반하여, 한 개의 마이크로파 페라이트를 사용하는 경우, 동등한 전기적 특성을 얻기 위해서는 그 중심도체 및 마이크로파 페라이트의 크기가 커져야 한다. 따라서 그 제품의 크기가 필연적으로 커져야 한다.
도 2에 도시한 장치의 경우, 인가되는 정자계가 좀 더 균일성을 가질 수 있도록 영구자석(4)의 한쪽으로의 치우침을 방지하기 위한 측벽(15a)을 가지는 스페이서(15)가 구현되어 있기는 하지만, 그 설계의 목적 및 구현방법이 도 1에 도시한 장치의 경우와 크게 다르지 않다.
본 발명에서는 비가역 회로소자의 부피를 줄이고, 비가역 회로소자의 선형적 특성을 향상시킬 수 있는 구조를 제공하고자 한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 비가역 회로 소자는 한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용한다. 이때, 하나의 극판이 상기 마이크로파 페라이트와 영구자석 사이에 샌드위치 되어 있으며, 중심도체가 상기 마이크로파 페라이트와 절연체 사이에 샌드위치 되어 있다.
이때, 상기 절연체는, 사출되어 제작된 폴리머로 구성되거나, 내열성 폴리머로 구성될 수 있다.
이때, 상기 비가역 회로 소자는 가이드 구조물을 더 포함할 수 있다. 그리고, 상기 절연체, 상기 중심도체, 상기 마이크로파 페라이트, 상기 극판, 및 상기 영구자석 각각의 중심부는, 상기 가이드 구조물에 의해 가이드되어 수직 정렬되어 배치될 수 있다.
이때, 상기 비가역 회로 소자는 접지 역할을 하는 하우징을 더 포함할 수 있으며, 상기 절연체, 상기 중심도체, 상기 마이크로파 페라이트, 상기 극판, 및 상기 영구자석이 순차적으로 적층되어 이루어진 결합체는 상기 하우징 내부에 밀착되어 배치될 수 있다.
이때, 상기 비가역 회로 소자는 접지판 및 하우징을 더 포함할 수 있으며, 상기 절연체는 상기 중심도체와 상기 접지판 사이에 샌드위치될 수 있다. 그리고, 상기 접지판, 상기 절연체, 상기 중심도체, 상기 마이크로파 페라이트, 상기 극판, 및 상기 영구자석으로 이루어진 결합체는 상기 케이스 내부에 밀착되어 배치될 수 있다.
이때, 상기 절연체의 두께는 상기 마이크로파 페라이트의 두께의 1배 내지 3배 사이의 값을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따른, 한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용하는 비가역 회로 소자는, 하나의 극판이 마이크로파 페라이트와 영구자석 사이에 샌드위치 되어 있으며, 중심도체가 상기 마이크로파 페라이트와 세라믹 유전체 사이에 샌드위치 되어 있다.
이때, 상기 세라믹 유전체의 유전률은 5 이상 15 이하의 값을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 따른, 한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용하는 비가역 회로 소자는, 절연체, 중심도체, 상기 한 개의 마이크로파 페라이트, 극판, 및 영구자석이 아래에서 위로 순차적으로 적층된 구조물이 하우징의 내부에 밀착되어 배치되어 있으며, 상기 절연체의 하면은 상기 하우징의 바닥부의 내면 상에 접촉되어 있다.
본 발명에 따르면 작은 부피를 갖는 양호한 선형특성을 갖는 비가역 회로 소자를 제공할 수 있다.
본 발명은 상기 기술된 종래의 한 개의 마이크로파 페라이트를 이용하여 구현된 비가역 회로 소자의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 마이크로파 페라이트와 영구자석 사이에 연자성체(soft magnet)로 만들어진 극판을 삽입함으로써, 마이크로파 페라이트에 인가되는 직류자계의 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 영구자석으로부터 마이크로파 페라이트에 이르는 경로의 자기저항(magnetic reluctance) 및 거리가 줄어들어 마이크로파 페라이트에 인가되는 직류자계의 감소를 최소화할 할 수 있다. 또한 한 개의 마이크로파 페라이트가 중심도체와 함께 사용되는 구조에 있어서 그 마이크로파 페라이트와 중심도체의 크기를 줄이기 위하여, 유전율이 5~30 사이의 값을 갖는 세라믹 유전체를 중심도체와 접지면 사이의 에어갭(air gap)에 삽입하여 주어, 그 중심도체가 마이크로파 페라이트와 세라믹 유전체 사이에 샌드위치된 스트립라인 구조로 작동되므로, 그 세라믹 유전체의 유전율의 제곱근에 반비례하여 공진기의 사이즈를 줄여줄 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 한 개의 마이크로파 페라이트를 사용하는 비가역 회로의 구성을 나타낸 것이다.
도 2는 또 다른 종래기술에 따른 한 개의 마이크로파 페라이트를 사용하는 비가역 회로 소자의 구성을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 한 개의 마이크로파 페라이트가 사용된 비가역 회로 소자의 실시예에 따른 분해 사시도를 나타낸 것이다.
도 4는 도 3에 나타난 비가역 회로 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 한 개의 마이크로파 페라이트가 사용된 비가역 회로 소자의 또 다른 실시예의 따른 분해 사시도를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 설계된 아이솔레이터 및 서큘레이터 등과 같은 비가역 회로 소자의 사시도이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 연자성체로 만들어진 하우징(308)은 중심도체(306)의 연결단자(306a, 306b, 306c)가 외부로 연결될 수 있는 개구부(opening)를 가지며, 그 내경에 플라스틱 사출물로 만들어진 가이드 링(307), 유전율이 5에서 30 사이의 세라믹 유전체(310), 중심도체(306), 마이크로파 페라이트(305), 극판(304), 영구자석(303), 리턴 극판 또는 온도보상기(temperature compensator)(302) 등이 차례로 적층되며, 이를 리드(lid)(301)가 압착하여 고정한다. 극판(304)은 마이크로파 페라이트(305)와 영구자석(303) 사이에 샌드위치 되어 위치한다. 극판(304)은 높은 투자율을 가지는 연자성체로 만들어져 있으므로 영구자석(303)으로부터 마이크로파 페라이트(305)에 인가되는 직류자계를 균일화시켜 주며, 자기저항이 일반적인 유전체나 공기에 비해 훨씬 작으므로 그 인가되는 자계의 감소를 최소화 시켜 준다. 가이드 링(307)은 200°C 이상의 고온에서 견딜 수 있도록 LCP(Liquid Crystal Plastic) 등과 같은 재료를 이용하여 원통형태의 사출물로 만들어지며 그 안에 세라믹 유전체(310), 중심도체(306) 그리고 마이크로파 페라이트(305)가 차례로 적층된다. 마이크로파 페라이트(305)와 세라믹 유전체(310)는 가이드 링(307)의 내경에 의해 하우징(308)의 중심에 정렬되므로, 완성된 비가역 회로 소자의 특성 안정화에 도움을 준다. 중심도체(306)는 공기보다 높은 유전율을 가지는 세라믹 유전체(310)와 역시 세라믹 계인 마이크로파 페라이트(305) 사이에 샌드위치 되어 스트립라인(stripline)의 형태로 적층되므로 단순히 마이크로스트립 구조로 되어었는 종래의 발명에 비해 그 공진기(resonator)의 크기를 유전체(310)의 유전율의 제곱근에 반비례하여 줄일 수 있다(공진기는 마이크로파 페라이트와 중심도체에 의해 구성될 수 있으며, 특정 주파수의 전자기파에 대하여 공진이 발생할 수 있다). 이러한 특성은 유전률과 전파의 파장의 길이와의 관계를 나타내는 아래 [수식 1]로부터 확인할 수 있다.
[수식 1]
Figure 112012040047697-pat00001

그러나 세라믹 유전체의 유전율이 마이크로파 페라이트(305)의 유전율에 비해 너무 높을 경우 혹은 세라믹 유전체(310)의 두께가 너무 얇을 경우, 공진기에 야기되는 전자기장(electro-magnetic field)이 마이크로파 페라이트(305) 보다 세라믹 유전체(310)에 더 집중될 수 있으므로, 세라믹 유전체(310)의 유전율은 아이솔레이터 및 서큘레이터의 원하는 크기와 원하는 전기적 특성에 맞추어 실험적으로 조절되어야 한다. 또한 세라믹 유전체(310)의 두께는 마이크로파 페라이트(305)의 두께와 같거나 최대 3배를 넘지 않는 것이 이상적이다. 세라믹 유전체(310)의 두께가 마이크로파 페라이트(305)의 두께의 3배 이상 될 경우, 세라믹 유전체(310)에 의해 야기된 자기저항에 의해 마이크로파 페라이트(305)에 인가되는 직류자계의 세기를 심각하게 약화시킬 수 있으며, 마이크로파 페라이트(305)에 인가되는 직류자계의 균일성을 크게 악화시킬 수 있다. 여기서 세라믹 유전체(310)는 절연체의 역할을 할 수도 있다.
도 4는 도 3에서 예시한 실시예에 따라 고안된 비가역 회로 소자의 단면도이다.
도 4를 참조하여 설명하면, 하우징(308)의 내벽에 가이드 링(307)이 배치되어 있다. 하우징(308)과 가이드 링(307)의 내측 공간에는, 세라믹 유전체(310), 중심도체(306), 마이크로파 페라이트(305), 극판(304), 영구자석(303), 리턴 극판(온도 보상기)(302)이 순서대로 적층되어 배치된다. 마지막으로, 하우징(308)의 상부에서 결합되는 리드(308)는 이 적층된 구조를 압착하여 고정시킨다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 설계된 비가역 회로 소자의 사시도이다.
도 5를 참조하여 설명하면, 연자성체로 만들어진 하우징(508)의 내경에 플라스틱 사출로 만들어진 플라스틱 구조물(507)이 먼저 삽입되고, 그 위에 중심도체(506), 마이크로파 페라이트(505), 극판(504), 영구자석(503), 리턴 극판 또는 온도보상기(temperature compensator)(502) 등이 차례로 적층되며, 이를 리드(lid)(501)가 압착하여 고정한다. 여기서 플라스틱 구조물(507)은 상기 마이크로파 페라이트(505)와 함께 그 중심도체를 샌드위치 하도록 배치될 수 있다. 이때, 플라스틱 구조물(507)의 평면부(507a)는 도 5에 도시한 바와 같이 격자구조를 가질 수 있으며, 이와 달리 변형된 실시예에서는 플라스틱 구조물(507)의 평면부(507a)가 격자구조가 아닌 평판형 구조를 가질 수도 있다. 플라스틱 구조물(507)의 평면부(507a)의 외주부를 따라, 마이크로파 페라이트(505)를 정렬하기 위한 가이드 링 구조(507b)가 형성되어 있다. 플라스틱 구조물(507)의 평면부(507a)는 중심도체(506)가 접지면으로부터 일정 거리만큼 떨어져 있을 수 있도록 마이크로파 페라이트(505)의 두께와 같거나 최대 3배의 두께를 갖도록 설계되어진다. 이때 리드(lid)(501)에 의해 가해지는 일정정도의 압력에 견딜 수 있도록 그 플라스틱 구조물(507)의 평면부(507a)는 그 사출물 등으로 가득 채워져 있거나, 수직 압력에 강한 격자구조를 가지도록 설계된다. 본 실시예에서 플라스틱 구조물(507)은 가이드 링(guide ring)을 이루는 가이드 링 구조(507b)와 중심도체(506)를 접지면으로 부터 분리시켜 주는 평면부(507a)로 분리하여 구성할 수 있으며, 이때 후자는 테프론(Teflon) 등으로 만들어 질 수 있다. 여기서 하우징(508)이 상기 접지면의 역할을 할 수 있다. 여기서 참조번호 509는 도 5에 따른 비가역 회로 소자를 아이솔레이터로 사용하는 경우에 연결되는 종단저항을 나타낸 것이다.
종래 기술의 일 실시예에 따른 비가역 회로 소자는, ① 하부 영구자석, ② 하부 극판, ③ 하부 마이크로파 페라이트, ④ 중심도체, ⑤ 상부 마이크로파 페라이트, ⑥ 상부 극판, ⑦ 상부 영구자석의 순서로 적층된 적층구조체가 하우징과 리드에 의해 고정 결합될 수 있다. 이때, 이러한 비가역 회로 소자에서 ① 하부 영구자석, ② 하부 극판, ③ 하부 마이크로파 페라이트를 단순히 생략하는 경우에 비하여, 본 발명의 일 실시예와 같이 유전체(310)를 삽입하게 되면, 공진기의 크기를 유전체(310)의 유전율의 제곱근에 반비례하여 줄일 수 있다는 장점이 있다.
상술한 본 발명의 실시예에 따라 구성된, 하나의 마이크로파 페라이트를 사용하는 아이솔레이터 및 서큘레이터 등과 같은 비가역 회로 소자는 다음과 같은 효과를 제공할 수 있다.
1. 극판이 영구자석과 마이크로파 페라이트 사이에 위치하여, 영구자석으로부터의 직류자계가 낮은 자기저항을 가지는 두께가 얇은 극판을 통하여 마이크로파 페라이트에 인가되므로, 종래기술에서 야기되었던 높은 자기저항에 따른 마이크로파 페라이트에 인가되는 직류자계의 감소 효과를 최소화 할 수 있다. 따라서 필요로 하는 영구자석의 두께가 줄어들게되어 완제품의 두께를 줄일 수 있다.
2. 중심도체가 마이크로파 페라이트와 절연체 또는 유전체 사이에 샌드위치된 스트립라인구조가 되어 압착되므로, 마이크로스트립 구조에 비해, 제품 특성이 안정화되고, 신뢰성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
3. 절연체의 재질로 세라믹 유전체를 사용할 경우, 사용되는 마이크로파 페라이트 및 그 중심도체의 크기를 유전율의 제곱근에 비례하여 줄일 수 있다. 따라서 동일한 전기적 성능을 가지는 종래기술로 만들어진 비가역 회로 소자에 비해서 본 발명에 의해 만들어진 비가역 회로 소자는 그 가로 세로 크기를 획기적으로 줄일 수 있다.
4. 상기 기술된 발명의 효과 외에 절연체에 가이드 링의 기능이 추가되므로, 비가역 회로 소자의 조립공정의 단순화를 도모할 수 있으므로 그 생산성의 향상을 얻을 수 있다.
본 발명은 상기 열거된 실시예에 국한되지 않으며, 다양한 방법으로 본 발명의 청구항에 의거하여 구성될 수 있다.
본 발명에서 A가 B와 C 사이에 '샌드위치'된다는 뜻은, A가 B와 C 사이에 배치됨을 의미한다. 이때, A와 B의 접촉면은, A와 B를 서로 가깝게 하려는 외부의 압력에 의해 서로 직접 접촉될 수 있다. 다르게는, A와 B가 본딩 물질을 개재하여 접촉될 수도 있으며, 이때에도 외부의 압력이 가해질 수 있다. A와 C에 대해서도 마찬가지로 설명할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용하는 비가역 회로 소자로서,
    하나의 극판이 상기 마이크로파 페라이트와 영구자석 사이에 샌드위치 되어 있으며, 중심도체가 상기 마이크로파 페라이트와 절연체 사이에 샌드위치 되어 있는,
    비가역 회로 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연체는, 사출되어 제작된 폴리머로 구성되거나, 내열성 폴리머로 구성된, 비가역 회로 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    가이드 구조물을 더 포함하며,
    상기 절연체, 상기 중심도체, 상기 마이크로파 페라이트, 상기 극판, 및 상기 영구자석 각각의 중심부는, 상기 가이드 구조물에 의해 가이드되어 수직 정렬되어 배치되는,
    비가역 회로 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 비가역 회로 소자는 접지 역할을 하는 하우징을 더 포함하며,
    상기 절연체, 상기 중심도체, 상기 마이크로파 페라이트, 상기 극판, 및 상기 영구자석이 순차적으로 적층되어 이루어진 결합체는 상기 하우징 내부에 밀착되어 배치된,
    비가역 회로 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비가역 회로 소자는 접지판 및 하우징을 더 포함하며,
    상기 절연체는 상기 중심도체와 상기 접지판 사이에 샌드위치되며,
    상기 접지판, 상기 절연체, 상기 중심도체, 상기 마이크로파 페라이트, 상기 극판, 및 상기 영구자석으로 이루어진 결합체는 상기 하우징 내부에 밀착되어 배치된,
    비가역 회로 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연체의 두께는 상기 마이크로파 페라이트의 두께의 1배 내지 3배 사이의 값을 갖는, 비가역 회로 소자.
  7. 한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용하는 비가역 회로 소자로서,
    하나의 극판이 마이크로파 페라이트와 영구자석 사이에 샌드위치 되어 있으며, 중심도체가 상기 마이크로파 페라이트와 세라믹 유전체 사이에 샌드위치 되어 있고,
    상기 세라믹 유전체의 유전률은 5 이상 15 이하의 값을 갖는,
    비가역 회로 소자.
  8. 삭제
  9. 한 개의 마이크로파 페라이트만을 사용하는 비가역 회로 소자로서,
    절연체, 중심도체, 상기 한 개의 마이크로파 페라이트, 극판, 및 영구자석이 아래에서 위로 순차적으로 적층된 구조물이 하우징의 내부에 밀착되어 배치되어 있으며,
    상기 절연체의 하면은 상기 하우징의 바닥부의 내면 상에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는,
    비가역 회로 소자.
KR1020120053312A 2012-05-18 2012-05-18 단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자 KR101279487B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120053312A KR101279487B1 (ko) 2012-05-18 2012-05-18 단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120053312A KR101279487B1 (ko) 2012-05-18 2012-05-18 단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101279487B1 true KR101279487B1 (ko) 2013-06-27

Family

ID=48867771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120053312A KR101279487B1 (ko) 2012-05-18 2012-05-18 단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101279487B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101378740B1 (ko) * 2013-10-10 2014-03-27 쓰리알웨이브 (주) 집중정수형 소자가 적용된 분포소자형 공진기를 가지는 비가역 회로소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004072366A (ja) 2002-08-06 2004-03-04 Hitachi Metals Ltd 分布定数型サーキュレータ
US20040174225A1 (en) 2003-03-06 2004-09-09 James Kingston Above resonance isolator/circulator and method of manufacture thereof
KR200369664Y1 (ko) * 2004-09-06 2004-12-09 주식회사 이너트론 서큘레이터/아이솔레이터
JP2006033866A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Ma Com Inc 位置決め部材を有するフェライトサーキュレータ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004072366A (ja) 2002-08-06 2004-03-04 Hitachi Metals Ltd 分布定数型サーキュレータ
US20040174225A1 (en) 2003-03-06 2004-09-09 James Kingston Above resonance isolator/circulator and method of manufacture thereof
JP2006033866A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Ma Com Inc 位置決め部材を有するフェライトサーキュレータ
KR200369664Y1 (ko) * 2004-09-06 2004-12-09 주식회사 이너트론 서큘레이터/아이솔레이터

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101378740B1 (ko) * 2013-10-10 2014-03-27 쓰리알웨이브 (주) 집중정수형 소자가 적용된 분포소자형 공진기를 가지는 비가역 회로소자

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9455486B2 (en) Integrated circulator for phased arrays
US8704608B1 (en) Integrated circulator for phased arrays
CN214124078U (zh) 大功率波导隔离器
CN113809496B (zh) 一种小型化宽带高频隔离器
US6633205B2 (en) Cascaded circulators with common ferrite and common element matching structure
JP5137125B2 (ja) 集積化可能な非可逆回路素子
KR101279487B1 (ko) 단일 페라이트 유닛을 갖는 비가역 회로 소자
US20080111647A1 (en) Non-reciprocal circuit element, composite electronic component, and communication apparatus
US20030030500A1 (en) Compact multi-element cascade circulator
KR100862962B1 (ko) 2단자쌍 절연장치 및 그 평가 방법
US6750730B2 (en) Tuning arrangement for a microwave device
JP6900963B2 (ja) 非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置
CN106953149A (zh) 基于铁氧体磁链的微波隔离器
JP6705472B2 (ja) 非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置
KR200369664Y1 (ko) 서큘레이터/아이솔레이터
JP6747473B2 (ja) 非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置
CN206180067U (zh) 高频波导隔离器
CN112713373B (zh) 一种耐低温微波铁氧体环形器
US20160294032A1 (en) Non-reciprocal circuit element
KR20010092371A (ko) 비가역 회로소자 및 통신 장치
KR102082882B1 (ko) 고전력 광대역 서큘레이터
KR101033804B1 (ko) 하모닉을 감소시키는 서큘레이터\아이솔레이터
JP3932897B2 (ja) 非可逆回路素子および通信装置
JP2003318608A (ja) 非可逆回路素子
JP2004072366A (ja) 分布定数型サーキュレータ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180531

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190604

Year of fee payment: 7