JP6747473B2 - 非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置 - Google Patents
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Description
11 第1の側面
12 第2の側面
13 第3の側面
14 第4の側面
15 実装面
16 上面
20 グランド端子
21 第1の外部端子
22 第2の外部端子
23 第3の外部端子
31,32 永久磁石
40 磁気回転子
41 第1のフェライトコア
42 第2のフェライトコア
41a フェライトコアの上面
42b フェライトコアの下面
43 誘電体
51,52 接地導体
51a〜51c,52a〜52c 切り欠き
61,62 誘電体
70 中心導体
70a 中心導体の下面
70b 中心導体の上面
70c 中心導体のエッジ部
71 第1のポート
72 第2のポート
73 第3のポート
74〜76 分岐導体
80 通信装置
80R 受信回路部
80T 送信回路部
81 受信用増幅回路
82 受信回路
83 送信回路
84 電力増幅回路
91、92 非可逆回路素子
ANT アンテナ
R0 終端抵抗器
Claims (14)
- 磁気回転子と、
前記磁気回転子に直流磁場を印加する永久磁石と、を備え、
前記磁気回転子は、中心導体と、前記中心導体に積層された第1のフェライトコアと、前記中心導体と前記第1のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられた誘電体とを含み、
前記誘電体の誘電率は、前記第1のフェライトコアの誘電率の0.5倍以上であることを特徴とする非可逆回路素子。 - 前記誘電体の誘電率は、前記第1のフェライトコアの誘電率以上であることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記誘電体は、前記中心導体の側面を覆っていることを特徴とする請求項1又は2に記載の非可逆回路素子。
- 前記磁気回転子は、第2のフェライトコアをさらに含み、
前記中心導体は、前記第1及び第2のフェライトコアに挟まれており、
前記誘電体は、前記中心導体と前記第2のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。 - 前記中心導体の下面は、前記第1のフェライトコアと接する部分と前記第1のフェライトコアと接しない部分とを有し、
前記中心導体の上面は、前記第2のフェライトコアと接する部分と前記第2のフェライトコアと接しない部分とを有し、
前記中心導体の前記下面のうち前記第1のフェライトコアと接しない部分と前記第1のフェライトコアとの間に前記誘電体が介在し、且つ、前記中心導体の前記上面のうち前記第2のフェライトコアと接しない部分と前記第2のフェライトコアとの間に前記誘電体が介在することを特徴とする請求項4に記載の非可逆回路素子。 - 前記中心導体は導体厚が厚い部分と薄い部分を有し、前記導体厚が厚い部分は前記第2のフェライトコアと接し、前記導体厚が薄い部分と前記第2のフェライトコアの間に前記誘電体が介在していることを特徴とする請求項4又は5に記載の非可逆回路素子。
- 前記中心導体の下面又は上面は、前記第1又は第2のフェライトコアと接することなく、全面が前記誘電体で覆われていることを特徴とする請求項4に記載の非可逆回路素子。
- 前記中心導体が配置された前記第1のフェライトコアの表面とは反対側に位置する前記第1のフェライトコアの裏面に配置された接地導体をさらに備え、
前記誘電体は、前記第1のフェライトコアと前記接地導体の間に形成される隙間にさらに設けられていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。 - 磁気回転子と、
前記磁気回転子に直流磁場を印加する永久磁石と、を備え、
前記磁気回転子は、中心導体と、前記中心導体に積層された第1のフェライトコアと、前記中心導体と前記第1のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられた誘電体とを含み、
前記磁気回転子は、第2のフェライトコアをさらに含み、
前記中心導体は、前記第1及び第2のフェライトコアに挟まれており、
前記誘電体は、前記中心導体と前記第2のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられており、
前記中心導体の下面は、前記第1のフェライトコアと接する部分と前記第1のフェライトコアと接しない部分とを有し、
前記中心導体の上面は、前記第2のフェライトコアと接する部分と前記第2のフェライトコアと接しない部分とを有し、
前記中心導体の前記下面のうち前記第1のフェライトコアと接しない部分と前記第1のフェライトコアとの間に前記誘電体が介在し、且つ、前記中心導体の前記上面のうち前記第2のフェライトコアと接しない部分と前記第2のフェライトコアとの間に前記誘電体が介在することを特徴とする非可逆回路素子。 - 磁気回転子と、
前記磁気回転子に直流磁場を印加する永久磁石と、を備え、
前記磁気回転子は、中心導体と、前記中心導体に積層された第1のフェライトコアと、前記中心導体と前記第1のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられた誘電体とを含み、
前記磁気回転子は、第2のフェライトコアをさらに含み、
前記中心導体は、前記第1及び第2のフェライトコアに挟まれており、
前記誘電体は、前記中心導体と前記第2のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられており、
前記中心導体は導体厚が厚い部分と薄い部分を有し、前記導体厚が厚い部分は前記第2のフェライトコアと接し、前記導体厚が薄い部分と前記第2のフェライトコアの間に前記誘電体が介在していることを特徴とする非可逆回路素子。 - 磁気回転子と、
前記磁気回転子に直流磁場を印加する永久磁石と、を備え、
前記磁気回転子は、中心導体と、前記中心導体に積層された第1のフェライトコアと、前記中心導体と前記第1のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられた誘電体とを含み、
前記磁気回転子は、第2のフェライトコアをさらに含み、
前記中心導体は、前記第1及び第2のフェライトコアに挟まれており、
前記誘電体は、前記中心導体と前記第2のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられており、
前記中心導体の下面又は上面は、前記第1又は第2のフェライトコアと接することなく、全面が前記誘電体で覆われていることを特徴とする非可逆回路素子。 - 磁気回転子と、
前記磁気回転子に直流磁場を印加する永久磁石と、を備え、
前記磁気回転子は、中心導体と、前記中心導体に積層された第1のフェライトコアと、前記中心導体と前記第1のフェライトコアとの間に形成される隙間に設けられた誘電体とを含み、
前記中心導体が配置された前記第1のフェライトコアの表面とは反対側に位置する前記第1のフェライトコアの裏面に配置された接地導体をさらに備え、
前記誘電体は、前記第1のフェライトコアと前記接地導体の間に形成される隙間にさらに設けられていることを特徴とする非可逆回路素子。 - 前記誘電体の誘電正接(tanδ)が0.01以下であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
- 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の非可逆回路素子を備えた通信装置。
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