KR101268627B1 - Polishing pad of wafer notch portion - Google Patents

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신야 이치카와
토시쿠니 시미즈
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스피드파무 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 콧수염 형상체가 발생해도, 성장하기 전에 콧수염 형상체가 벗겨져 떨어지게 할 수 있는 웨이퍼 노치부(wafer notch portion)의 연마 패드를 제공하는 것을 과제로 하며, 연마 가공을 진행하는 동안에, 노치부(22)에 의해 연마 패드(1)의 외주연부(11)의 섬유의 일부가 깎여서 외주연부(11)에 보풀이 일고, 콧수염이 자란 듯한 콧수염 형상체(16, 17)가 만들어지기 시작하며, 콧수염 형상체(16, 17)가 연마 패드(1)의 중심 측으로 향하여 생기기 시작하면, 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 절입부(切入部)(145, 155)에 도달하여 콧수염 형상체(16, 17)는 연마 패드(1)로부터 벗겨져 떨어진다.An object of the present invention is to provide a polishing pad of a wafer notch portion which can cause the mustache-like body to peel off before growth even if a mustache-like body is generated, and the notch portion 22 during the polishing process. A part of the fibers of the outer circumferential edge 11 of the polishing pad 1 is cut off to cause lint on the outer circumferential edge 11, and a mustache shaped body 16, 17, in which a mustache grows, begins to be made. When the shapes 16 and 17 start to appear toward the center side of the polishing pad 1, the roots of the mustache shapes 16 and 17 reach the cutouts 145 and 155 to form the mustache shapes ( 16 and 17 peel off from the polishing pad 1.

노치부, 연마 패드, 콧수염 형상체, 절입부 Notch, Polishing Pad, Mustache Shape, Cutout

Description

웨이퍼 노치부의 연마 패드{POLISHING PAD OF WAFER NOTCH PORTION}Polishing pad of wafer notch part {POLISHING PAD OF WAFER NOTCH PORTION}

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 외주연부에 형성된 노치부(notch portion)에 대하여 연마 가공을 행하는 웨이퍼 노치부의 연마 패드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing pad of a wafer notch, which performs polishing on a notch portion formed on an outer circumferential portion of a semiconductor wafer or the like.

반도체 웨이퍼는, 판 두께가 얇은 원반형상을 가지고, 그 외주연부에는 치핑(chipping)을 없애기 위해 모따기부가 형성되어 있다. 또 반도체 웨이퍼의 외주연부의 일부에는, 결정 방위를 나타내기 위해, 직선 윤곽 형상의 오리엔테이션 플랫(Orientation flat), 또는 대략 V자 모양이나 대략 원호모양의 노치부(절결부)가 형성되어 있다. 이러한 오리엔테이션 플랫(Orientation Flat) 또는 노치부에는 모따기부에 연속하여 경사면 및 단면(端面: End Side)이 형성되어 있다.The semiconductor wafer has a disk shape with a thin plate thickness, and a chamfer portion is formed in the outer peripheral portion thereof in order to eliminate chipping. Moreover, in order to show a crystal orientation, a part of the outer periphery of the semiconductor wafer is provided with an orientation flat having a linear contour or a notch portion (notched portion) having a substantially V shape or an arc shape. In such an orientation flat or notch, an inclined surface and an end side are formed continuously in the chamfer portion.

노치부의 경사면 및 단면은, 반도체 제조상의 생산율(yield)을 향상시키기 위해, 반도체 웨이퍼의 패턴 형성면과 같이 경면(鏡面)연마된다. 노치부의 경사면 및 단면은, 노치부가 주위와 크게 다른 형상을 하고 있기 때문에, 노치부 전용의 연마 패드를 이용하여 경면 연마된다. 이러한 경면 연마 장치는, 예를 들면, 하기 특허 문헌 1에서 볼 수 있다.The inclined surface and the end surface of the notch portion are mirror polished like the pattern formation surface of the semiconductor wafer in order to improve the yield in semiconductor manufacturing. The inclined surface and the cross section of the notched portion are mirror-polished using a polishing pad dedicated to the notched portion because the notched portion has a shape that is significantly different from the surroundings. Such a mirror polishing apparatus can be seen, for example, in Patent Document 1 below.

이와 같은 경면 연마 장치의 연마 공구로서, 노치부의 윤곽과 거의 일치하지만, 약간 큰 대략 V자 모양이나 원호모양의 외주연부를 가지며, 부직포(不織布) 또는 직포(織布) 등으로 만든 환상(環狀)의 연마 패드가 이용된다. 연마시에는, 연마 패드의 외주연부와 노치부와의 접촉 부분에, 연마 입자를 분산시킨 슬러리(slurry)를 공급하는 동시에, 회전하는 연마 패드를 노치부에 누르면서 연마 가공을 행한다.The polishing tool of such a mirror polishing apparatus has a substantially V-shaped or arc-shaped outer circumferential edge that is substantially coincident with the contour of the notch portion, and has an annular shape made of a nonwoven fabric, a woven fabric, or the like. A polishing pad is used. At the time of grinding | polishing, the slurry which disperse | distributed abrasive particle | grains is supplied to the contact part of the outer peripheral part of a polishing pad and a notch part, and a grinding | polishing process is performed, pressing a rotating polishing pad to a notch part.

연마 패드는, 연마 가공을 진행하는 동안에, 노치부에 의해 섬유의 일부가 벗겨져 떨어지고, 외주연부에 보풀이 일어난다. 보풀이 일어난 섬유는, 각 섬유가 비교적 길어서 연마 패드와 분리하기 어렵기 때문에, 콧수염이 자란 듯한 콧수염 형상체를 형성한다. 이 콧수염 형상체는, 연마 패드의 외주연부 전체의 형태가 무너지고, 외주연부 전체를 정형(整形)하는데 필요한 시간보다도 훨씬 빠르게 발생한다.In the polishing pad, a part of the fiber is peeled off by the notch portion during the polishing process, and fluff occurs on the outer circumferential edge. The fluffed fibers form a mustache shaped like a mustache because each fiber is relatively long and difficult to separate from the polishing pad. This mustache-shape occurs much faster than the time required for shaping the entire outer circumferential edge of the polishing pad and shaping the entire outer circumferential edge.

상기 콧수염 형상체는, 연마 패드의 회전에 의해 휘둘리면서, 마치 채찍과 같이 반도체 웨이퍼 표면을 채찍질한다. 이 채찍질 현상에 의해, 채찍질된 부위는 연마 가공이 다른 장소와는 다른 조건으로 진행한다. 이것에 의해, 노치부와 반도체 웨이퍼의 외주연부와의 경계부로부터 패턴 형성면 중앙으로 향하여 표면 상태가 시각적으로 다른 영역이 발생한다. 이 표면 상태가 시각적으로 다른 영역이 있으면, 연마된 반도체 웨이퍼의 표면 정밀도(조도-組度)의 신뢰성에 대해 의문을 가져올 우려가 있다. The mustache-shaped body whips by the rotation of the polishing pad and whips the semiconductor wafer surface like a whip. By this lashing phenomenon, the whipped part advances on the conditions different from the place where grinding processing differs. As a result, a region where the surface state is visually different from the boundary between the notch portion and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer toward the pattern formation surface center is generated. If there is an area where the surface state is visually different, there is a concern that the surface precision (roughness) reliability of the polished semiconductor wafer may be questioned.

종래는, 특허 문헌 1에 도시한 바와 같이, 콧수염 형상체가 성장하면, 다이아몬드를 매입한 콧수염 제거 공구를 사용해서 연마 패드의 외주연부를 정형하는 것에 의해, 콧수염 형상체를 제거하였다.Conventionally, as shown in patent document 1, when a mustache-shaped body grows, the mustache-shaped body was removed by shaping the outer periphery of a polishing pad using the mustache removal tool which embedded the diamond.

그러나 콧수염 제거 공구를 사용하여 콧수염 형상체를 제거하는 종래 기술에서는, 연마 패드가 젖어 있으면, 콧수염 형상체의 제거 효율이 악화되어, 콧수염 형상체를 완전히 제거하는 것이 어려워진다.However, in the prior art in which the mustache shape is removed using a mustache removing tool, if the polishing pad is wet, the removal efficiency of the mustache shape is deteriorated, and it is difficult to completely remove the mustache shape.

또, 콧수염 제거 공구에 의한 콧수염 형상체의 제거 작업 중에는, 연마 패드에 의한 반도체 웨이퍼의 연마 가공이 중단되기 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 가공 능률이 저하된다. 또한, 콧수염 제거 공구 자체가 연마 패드에 의해 연마되기 때문에, 마모되어 그 수명이 짧아진다. 또, 다이아몬드를 매립(埋立)한 콧수염 제거 공구의 모재(母材)는 금속이므로, 이 금속이 연마 패드에 부착하여, 반도체 웨이퍼의 품질에 악영향을 줄 우려가 있다.In addition, during the removal operation of the mustache-shaped body by the mustache removing tool, the polishing processing of the semiconductor wafer by the polishing pad is stopped, so that the polishing processing efficiency of the semiconductor wafer is reduced. In addition, since the mustache removing tool itself is polished by the polishing pad, it wears out and the life thereof is shortened. Moreover, since the base material of the mustache removal tool which embedded the diamond is a metal, this metal adheres to a polishing pad and may adversely affect the quality of a semiconductor wafer.

[특허문헌 1] 일본국 특허공개 제2005-118903호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2005-118903

본 발명은 콧수염 형상체가 발생하여도, 성장하기 전에 콧수염 형상체가 벗겨져 떨어지는 기능을 갖는 웨이퍼 노치부(notch portion) 연마를 위한 연마 패드를 제공하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to provide a polishing pad for polishing a wafer notch portion having a function of peeling off a mustache shape before growth even if a mustache shape occurs.

상기 과제는 이하의 수단에 의해 해결된다. 즉, 제1의 발명은, 웨이퍼(wafer)의 외주연부에 형성한 노치부(notch portion)를 연마하기 위하여, 부직포(不織布)로 형성된 환상(環狀)의 연마 패드로서, 상기 노치부의 윤곽과 거의 일치하는 단면(斷面) 형상으로 형성된 외주연부, 및, 상기 연마 패드의 외주연부의 근방에서, 연마 패드의 양 측면에 형성되고, 연마 패드의 외주와 실질적으로 동심(同心)의, 연속 또는 단속(斷續)된 절입부(切入部)를 구비한 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다.The said subject is solved by the following means. That is, the first invention is an annular polishing pad formed of a nonwoven fabric in order to polish a notch portion formed on the outer peripheral edge of a wafer. The outer periphery formed in the substantially same cross-sectional shape, and in the vicinity of the outer periphery of the said polishing pad, it is formed in the both sides of a polishing pad, and is continuous or substantially concentric with the outer periphery of a polishing pad. It is the polishing pad of the wafer notch part provided with the interrupted cut-out part.

제2의 발명은, 제1의 발명의 웨이퍼 노치부의 연마패드에 있어서, 상기 절입부는, 연마 패드에 있어서의 동일 반경 위치에서 그 두께의 중앙부를 남기도록 하여 연마 패드의 양 측면으로부터 서로 마주보는 쌍을 이루어 형성되어 있는 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다. In the polishing pad of the wafer notch of the first invention, the second invention is a pair of cutout portions facing each other from both sides of the polishing pad such that the cutout portion is left at the same radial position in the polishing pad. It is a polishing pad of the wafer notch part formed in this way.

제3의 발명은 제2의 발명의 웨이퍼 노치부의 연마패드에 있어서, 상기 절입부는, 복수의 쌍이 있고, 각 쌍이 연마 패드에서 각각 다른 반경 위치에 형성되어 있는 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다.The third invention is the polishing pad of the wafer notch of the second invention, wherein the cutout portion is a polishing pad of the wafer notch, in which there are a plurality of pairs, and each pair is formed at a different radial position from the polishing pad.

제4의 발명은 제1의 발명의 웨이퍼 노치부의 연마패드에 있어서, 상기 절입부는, 연마 패드에서의 다른 반경 위치에서, 연마 패드의 양 측면에 대하여 교대로 형성되어 있는 웨이퍼 노치부의 연마 패드이다.In the polishing pad of the wafer notch of the first invention, the cutout portion is a polishing pad of the wafer notch formed alternately with respect to both sides of the polishing pad at different radial positions of the polishing pad.

본 발명의 웨이퍼 노치부의 연마 패드는, 연마 패드의 외주연부의 근방에서, 연마 패드의 양 측면에 형성되고, 연마 패드의 외주와 거의 동심을 이루는 절입부를 구비하고 있다.The polishing pad of the wafer notch of the present invention is provided on both sides of the polishing pad near the outer circumferential edge of the polishing pad, and has a cutout portion which is substantially concentric with the outer circumference of the polishing pad.

따라서, 콧수염 형상체의 근원 인자가 발생하여도, 절입부의 존재에 의해 성장하기 전에 콧수염 형상체가 연마 패드로부터 벗겨져 떨어지기 때문에, 콧수염 형상체로까지는 성장하지 않는다. 그 때문에, 결과로서 채찍질 현상을 회피할 수 있고, 콧수염 제거공구에 의한 연마 패드의 정형(整形) 작업이 불필요하게 된다. 또한 연마 패드에 의한 반도체 웨이퍼의 연마 가공이 중단되지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 가공 능률이 향상된다. 또 콧수염 제거 공구의 모재(母材) 금속이, 연마 패드에 부착하여 반도체 웨이퍼의 품질에 악영향을 줄 우려도 없어진다.Therefore, even if the root factor of the mustache shape occurs, the mustache shape peels off from the polishing pad before growth due to the presence of the cutout portion, so that it does not grow to the mustache shape. Therefore, the whipping phenomenon can be avoided as a result, and shaping of the polishing pad by the mustache removing tool is unnecessary. In addition, since the polishing of the semiconductor wafer by the polishing pad is not interrupted, the polishing efficiency of the semiconductor wafer is improved. In addition, the base metal of the mustache removing tool adheres to the polishing pad, and there is no fear of adversely affecting the quality of the semiconductor wafer.

이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Example 1-Example 4 of this invention are demonstrated based on drawing.

[실시예 1]Example 1

도 1은, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, (1)은 연마 패드 단일체의 정면도, (2)는 (1)의 A-A단면도이다. 도 2는, 도 1(2)의 P부분 확대 단면도이다. 도 3(1)은 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로서 반도체 웨이퍼의 노치부를 연마하는 연마 장치를 도시하는 정면도, 도 3(2)은 도 3(1)의 Q부 상세도이며, 연마 패드의 외주연부와 반도체 웨이퍼 노치부의 접촉 부분의 확대 평면도이다.1 is a component diagram showing a polishing pad unitary body of Example 1 of the present invention, (1) is a front view of the polishing pad unitary body, and (2) is an A-A cross-sectional view of (1). FIG. 2 is an enlarged sectional view of portion P of FIG. 1 (2). Fig. 3 (1) is a front view showing a polishing apparatus for polishing the notch portion of a semiconductor wafer as the polishing pad of Embodiment 1 of the present invention, and Fig. 3 (2) is a detail view of the Q portion of Fig. 3 (1), and polishing It is an enlarged plan view of the contact part of the outer peripheral part of a pad and a semiconductor wafer notch part.

도 1 내지 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드(1)는, 부직포(不織布) 또는 부직포의 섬유조직을 합성 수지로 굳힌 것으로 이루어지고, 환상(環狀, 도너츠 모양)으로 형성되어 있다.As shown in Fig. 1 to Fig. 3, the polishing pad 1 of the first embodiment of the present invention is formed by hardening a nonwoven fabric or a fiber structure of a nonwoven fabric with a synthetic resin, and has an annular donut shape. )

도 3(1)에 도시한 바와 같이, 원반형의 반도체 웨이퍼(2)는, 웨이퍼 척 테이블(2, Wafer Chuck Table)의 윗면에, 수평으로 고정된다. 반도체 웨이퍼(2)는 판 두께가 얇은 원반 형상을 가지며, 그 외주연부(21)에는, 치핑(chipping)을 없애기 위해, 모따기부(도시 생략)가 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(2)의 외주연부(21)의 1개소에는, 반도체 웨이퍼(2)의 결정 방위를 나타내기 위해, 도 3(2)에 도시한 바와 같이, 대략 V자 모양의 노치부(22, 절취부)가 형성되어 있다. 노치부(22)의 형상은, 대략 V자 모양에 한정되지 않고, 대략 원호모양이라도 좋다.As shown in FIG. 3 (1), the disk-shaped semiconductor wafer 2 is horizontally fixed to the upper surface of the wafer chuck table 2. The semiconductor wafer 2 has a disk shape with a thin plate thickness, and a chamfer (not shown) is formed in the outer peripheral portion 21 so as to eliminate chipping. In one place of the outer periphery 21 of the semiconductor wafer 2, as shown in FIG. 3 (2), the notch portion 22 having a substantially V-shape is used to show the crystal orientation of the semiconductor wafer 2. Cutout) is formed. The shape of the notch part 22 is not limited to substantially V shape, but may be substantially circular arc shape.

도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)에는, 노치부(22)의 대략 V자 모양의 윤곽과 거의 일치하는 대략 V자 모양의 외주연부(11)가 형성되어 있다. 또 연마 패드(1)의 측면(12, 13)에는 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심으로, 외주연부(11)의 근방에, 원호모양의 복수(이 예에서는, 앞과 뒤 각 5개)의 절입부(切 入部)(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)가 각각 형성되어 있다. 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)는 연속된 원호모양(원형)으로 형성되어 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the polishing pad 1 is formed with an approximately V-shaped outer circumferential portion 11 substantially coinciding with the approximately V-shaped outline of the notch portion 22. In addition, the side surfaces 12 and 13 of the polishing pad 1 are concentric with the outer circumferential edge 11 of the polishing pad 1, and in the vicinity of the outer circumferential edge 11, a plurality of arcuate shapes (in this example, front and rear). Each of five cutout portions 141 to 145 and 151 to 155 are formed, respectively. The cutout portions 141 to 145 and 151 to 155 are formed in a continuous arc shape (circular shape).

절입부 형성의 예를 간단히 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)의 절입부(141 ∼ 145)의 지름(D1 ∼ D5)과, 다른 쪽의 측면(13)의 절입부(151 ∼ 155)의 지름(D1 ∼ D5)은, 대등 위치(연마 패드의 동일 반경 위치)에 형성되어 있다. 또 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)의 깊이(H)는, 연마 패드(1)의 두께(T)의 절반(T/2) 미만으로 형성되어 있다. 이것에 의해 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)가 형성된 부분의 두께 방향 중앙부가 남겨지도록 이루어져 있다.An example of cutout formation will be briefly described. As shown in FIG. 2, the diameters D1 to D5 of the cutout portions 141 to 145 of one side surface 12 of the polishing pad 1 and the cutout portions 151 to 152 of the other side surface 13 are shown. The diameters D1 to D5 of the 155 are formed at equivalent positions (the same radial position of the polishing pad). The depths H of the cutout portions 141 to 145 and 151 to 155 are formed to be less than half T / 2 of the thickness T of the polishing pad 1. Thereby, it is comprised so that the thickness direction center part of the part in which cut-out parts 141-145 and 151-155 were formed may be left.

연마 패드(1)의 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)는, 선삭 가공(旋削加工) 또는 프레스 가공으로 형성할 수 있다. 즉, 선삭 가공의 경우에는, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)을 윗 방향으로 해서 연마 패드(1)를 가공 테이블 등의 윗면에 고정한다. The cutout portions 141 to 145 and 151 to 155 of the polishing pad 1 can be formed by turning or pressing. That is, in the case of turning, the polishing pad 1 is fixed to an upper surface such as a work table with one side surface 12 of the polishing pad 1 facing upward.

다음에, 가공 테이블 등을 회전시키면서, 칼끝이 예리한 칼날공구를, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에 대하여 직교하는 방향의 아랫쪽으로 이동하여 접근시키고, 칼날공구를 깊이(H)만큼 깊이 삽입하여, 절입부(145)를 형성한다. 다음에 연마 패드(1)의 반경 방향으로 칼날공구를 이동시키고, 동일한 공정을 행하여 절입부(144)를 형성한다. 이 동작을 반복하여 남은 절입부(143, 142, 141)를 형성한다.Next, while rotating the processing table or the like, the sharp edge of the blade tool is moved downward in the direction orthogonal to one side surface 12 of the polishing pad 1, and the blade tool is moved by the depth H. The depth is inserted to form the cutout 145. Next, the blade tool is moved in the radial direction of the polishing pad 1, and the cutout portion 144 is formed by performing the same process. This operation is repeated to form the remaining cutouts 143, 142, and 141.

다음에, 연마 패드(1)를 뒤집고, 다른 쪽의 측면(13)을 윗 방향으로 해서, 연마 패드(1)를 가공 테이블 등의 윗면에 고정하고, 상기한 동작을 반복함으로써, 다른 쪽의 측면(13) 측의 절입부(151 ∼ 155)를 형성한다.Next, the polishing pad 1 is turned upside down, the other side 13 is turned upward, the polishing pad 1 is fixed to an upper surface such as a work table, and the above-described operation is repeated, whereby the other side is The cutouts 151 to 155 on the side of (13) are formed.

또 선삭 가공 외에, 연마 패드(1)를 회전시키지 않고, 복수의 원환상의 칼날을 연마 패드(1)의 측면(12,13)에 대하여 프레스 하는 프레스 가공에 의해, 절입부를 형성하는 것도 가능하다.In addition to turning, it is also possible to form an incision by press working in which a plurality of annular blades are pressed against the side surfaces 12 and 13 of the polishing pad 1 without rotating the polishing pad 1. .

또한, 절입부를 형성하는 부분 이외의 개소를 고정용 부재 등으로 고정하고, 연마 패드의 양 측면에서 칼날공구와 접촉시켜서 홈을 형성하는 것도 가능하다.In addition, it is also possible to fix a part other than the part which forms a cutout part with a fixing member etc., and to make a groove | channel by making it contact with a blade tool in both sides of a polishing pad.

도 3(1)에 도시한 바와 같이, 상기와 같이 작업한 형상의 연마 패드(1)를 도시하지 않은 스핀들에 부착하고, 도 3(1)의 지면에 평행으로 수직인 평면상에서 회전시킨다. 다음에, 볼 나사, 에어 실린더 등의 이동 수단(도시 생략)에 의해, 연마 패드(1) 또는 웨이퍼 척 테이블(3)을 이동하고, 도 3(2)에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 외주연부(11)를 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)에 끼워 넣고 눌러서 닿게 한다. 동시에, 외주연부(11)와 노치부(22)와의 접촉 부분에, 노즐(31)을 통하여 연마 입자를 분산시킨 슬러리를 공급한다.As shown in Fig. 3 (1), the polishing pad 1 of the shape worked as described above is attached to a spindle (not shown) and rotated on a plane perpendicular to the surface of Fig. 3 (1). Next, the polishing pad 1 or the wafer chuck table 3 is moved by moving means (not shown), such as a ball screw or an air cylinder, and as shown in FIG. 3 (2), the polishing pad 1 The outer periphery 11 of) is inserted into the notch 22 of the semiconductor wafer 2 and pressed to contact it. At the same time, the slurry which disperse | distributed abrasive grains is supplied to the contact part of the outer peripheral part 11 and the notch part 22 through the nozzle 31. FIG.

이것에 의해, 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)가 연마된다. 여기서 연마 패드(1)의 외주연부(11)를 노치부(22)에 눌러서 닿게 한 상태에서, 도 3(1)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(2)를 화살표(R) 방향으로 경사 이동시켜서 노치부(22)의 경사면 및 단면(端面)을 연마한다.As a result, the notch portion 22 of the semiconductor wafer 2 is polished. Here, in the state where the outer periphery 11 of the polishing pad 1 is pressed against the notch 22, the semiconductor wafer 2 is tilted in the direction of the arrow R as shown in FIG. 3 (1). The inclined surface and the end surface of the notch part 22 are polished.

도 4는, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드(1)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)를 연마하는 공정의 전반을 도시하는 설명도이다. 도 5는, 본 발명 의 실시예 1의 연마 패드(1)로, 반도체 웨이퍼(2)의 노치부(22)를 연마하는 공정의 후반을 도시하는 설명도이다. 도 4(1)에 도시한 바와 같이, 연마 가공을 진행하는 동안에, 노치부(22)에 의해 연마 패드(1)의 외주연부(11)의 섬유의 일부가 깎여서 외주연부(11)가 보풀이 일어나고, 콧수염이 자란 듯한 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 만들어지기 시작한다.4 is an explanatory diagram showing the first half of a step of polishing the notch portion 22 of the semiconductor wafer 2 using the polishing pad 1 of the first embodiment of the present invention. 5 is an explanatory diagram showing the second half of the process of polishing the notch portion 22 of the semiconductor wafer 2 with the polishing pad 1 of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4 (1), during the polishing process, a part of the fibers of the outer peripheral portion 11 of the polishing pad 1 is shaved by the notch portion 22 so that the outer peripheral portion 11 is fluffed. This happens, and the roots of the mustache shapes 16, 17, as if the mustaches have grown, begin to form.

도 4(2)에 도시한 바와 같이, 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 연마 패드(1)의 중심 측으로 향하여 성장하기 시작하면, 콧수염 형상체(16, 17)의 근원이 절입부(145, 155)에 도달하고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 콧수염 형상체(16, 17)는 연마 패드(1)로부터 벗겨져 떨어진다.As shown in Fig. 4 (2), when the roots of the mustache shaped bodies 16 and 17 start to grow toward the center side of the polishing pad 1, the roots of the mustache shaped bodies 16 and 17 become cutouts ( 145 and 155 are reached, and the mustache shapes 16 and 17 are peeled off from the polishing pad 1 as shown in FIG. 5.

따라서, 콧수염 형상체가 성장하기 전에 연마 패드(1)로부터 확실히 벗겨져 떨어지기 때문에, 콧수염 형상체의 채찍질 현상을 회피할 수 있고, 콧수염 제거 공구를 이용하여 연마 패드로부터 콧수염을 제거하는 작업이 불필요해진다. 이러한 이유로, 연마 패드에 의한 반도체 웨이퍼의 연마 가공이 중단되지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 가공 능률이 향상된다. 또 콧수염 제거 공구의 모재(母材) 금속이 패드에 부착되어, 이것이 반도체 웨이퍼의 품질에 악영향을 줄 우려도 없어진다.Therefore, since the mustache shaped body is peeled off from the polishing pad 1 before growth, the whipping phenomenon of the mustache shaped body can be avoided, and the work of removing the mustache from the polishing pad by using the mustache removing tool becomes unnecessary. For this reason, since the polishing processing of the semiconductor wafer by the polishing pad is not interrupted, the polishing processing efficiency of the semiconductor wafer is improved. In addition, the base metal of the mustache removing tool adheres to the pad, and there is no fear that this adversely affects the quality of the semiconductor wafer.

[실시예 2][Example 2]

다음에 본 발명의 실시예 2에 대하여 설명한다. 도 6은, 본 발명의 실시예 2의 연마 패드(1) 단일체를 도시하는 부품도이고, 실시예 1의 도 2에 상당하는 도 면이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예 1과 다른 구조 부분과 작용에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 2 of the present invention will be described. FIG. 6 is a component diagram showing a single body of the polishing pad 1 according to the second embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG. 2 of the first embodiment. In the following description, only the structural part and action different from the said Example 1 are demonstrated, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, the same component is attached | subjected with the same number and demonstrated.

실시예 2는, 절입부를, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)과 다른 쪽 측면(13)에서, 서로 다른 치수의 지름으로 형성된 예이다. 즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 측면(12, 13)에는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심(同心)으로, 외주연부(11)의 근방에, 원형의 복수(5개)의 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)가 각각 형성되어 있다.Embodiment 2 is an example in which the cutout part was formed with the diameter of a different dimension in one side surface 12 and the other side surface 13 of the polishing pad 1. That is, as shown in FIG. 6, the side surfaces 12 and 13 of the polishing pad 1 are concentric with the outer circumferential edge 11 of the polishing pad 1 and in the vicinity of the outer circumferential edge 11. A plurality of circular cutouts (141 to 145) and (151 to 155) are formed, respectively.

도 6에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)의 절입부(141 ∼ 145)의 지름(D1 ∼ D5)과, 다른 쪽의 측면(13)의 절입부(151 ∼ 155)의 지름(D1 ∼ D15)은, 다른 지름에 형성되어 있다. 또 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)의 깊이(H)는, 실시예 1과 마찬가지로, 연마 패드(1)의 두께(T)의 절반(T/2) 미만으로 형성되어 있다.As shown in FIG. 6, the diameters D1 to D5 of the cutout portions 141 to 145 of one side surface 12 of the polishing pad 1 and the cutout portions 151 to 152 of the other side surface 13 are shown. The diameters D1 to D15 of 155 are formed at different diameters. In addition, the depth H of the cutout portions 141 to 145 and 151 to 155 is formed to be less than half (T / 2) of the thickness T of the polishing pad 1 as in the first embodiment.

[실시예 3][Example 3]

다음에 본 발명의 실시예 3에 대하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 실시예 3의 연마 패드(1) 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예와 다른 구조 부분과 작용에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 3 of the present invention will be described. Fig. 7 is a part view showing a single body of the polishing pad 1 according to the third embodiment of the present invention, and is a partially enlarged front view. In the following description, only the structural parts and functions different from the above embodiment will be described, and overlapping descriptions will be omitted. In addition, the same component is attached | subjected with the same number and demonstrated.

실시예 3은, 절입부를 단속적(斷續的)인 원호모양으로 형성한 예이다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심으로, 외주연부(11)의 근방에 단속적인 원호모양(파선형)의 복수(5개)의 절입부(181 ∼ 185)가 형성되어 있다. 도시하지 않았지만, 다른 쪽의 측면(13)에도, 단속적인 원호모양의 복수(5개)의 절입부가 형성되어 있다.The third embodiment is an example in which the cutout portion is formed in an intermittent arc shape. That is, as shown in FIG. 7, one side surface 12 of the polishing pad 1 is concentric with the outer circumferential edge 11 of the polishing pad 1 and is intermittently circular in the vicinity of the outer circumferential edge 11. Plural (five) cutouts 181 to 185 of a shape (dashed line) are formed. Although not shown in figure, the other side 13 also has intermittent circular arc-shaped plural (five) cutouts.

실시예 1의 연속된 원호모양의 절입부(141 ∼ 145), (151 ∼ 155)는, 프레스 가공 또는 선삭 가공으로 형성하고 있다. 실시예 3의 단속적인 원호모양의 절입부(181 ∼ 185)는, 절입부(181 ∼ 185)의 지름(D1 ∼ D5)과 동일한 지름의 원환상의 모든 형태의 칼날공구(칼날이 톱의 날처럼 단속적으로 형성되어 있다)를 사용하고, 이것을 두께 방향으로 밀어 넣음으로써 프레스 가공으로 형성할 수 있다.The continuous arc-shaped cutouts 141 to 145 and 151 to 155 of the first embodiment are formed by pressing or turning. The intermittent arc-shaped cutouts 181 to 185 of the third embodiment have all annular blade tools (blade saw blades) having the same diameter as the diameters D1 to D5 of the cutouts 181 to 185. It is formed by intermittently, and can be formed by press working by pushing this in the thickness direction.

[실시예 4]Example 4

다음에 본 발명의 실시예 4에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 실시예 4의 연마 패드(1) 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예와 다른 구조 부분과 작용에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 4 of the present invention will be described. Fig. 8 is a part view showing a single piece of the polishing pad 1 according to the fourth embodiment of the present invention, and is a partially enlarged front view. In the following description, only the structural parts and functions different from the above embodiment will be described, and overlapping descriptions will be omitted. In addition, the same component is attached | subjected with the same number and demonstrated.

실시예 4는, 절입부를 연속한 원호와 단속적(斷續的)인 원호를 연결한 형상으로 형성된 예이다. 즉, 도 8에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심으로, 외주연부(11)의 근방에, 연속한 원호와 단속적인 원호를 연결한 형상의 복수(5개)의 절입부(191 ∼ 195)가 형성되어 있다. 도시하지는 않았지만, 다른 쪽의 측면(13)에도, 연속한 원호와 단 속적인 원호를 연결한 형상의 복수(5개)의 절입부가 형성되어 있다.Example 4 is an example formed in the shape which connected the continuous circular arc and the intermittent circular arc. That is, as shown in FIG. 8, one side surface 12 of the polishing pad 1 is contiguous with the outer circumferential edge 11 of the polishing pad 1, and is continuously adjacent to the outer circumferential edge 11. Plural (five) cutout portions 191 to 195 are formed in a shape in which a circular arc and an intermittent circular arc are connected. Although not shown, the other side surface 13 is also provided with a plurality of cutouts (five) having a shape in which a continuous arc and an intermittent arc are connected.

실시예 4의 연속한 원호와 단속적인 원호를 연결한 형상의 절입부(191 ∼ 915)는, 절입부(191 ∼ 195)의 지름(D1 ∼ D5)과 동일한 지름의 원환상의 모든 형태의 칼날공구를 사용하고, 실시예 3의 경우와 마찬가지로 프레스 가공으로 형성할 수 있다.The cutouts 191 to 915 having the shape of connecting the continuous arc and the intermittent arc of the fourth embodiment have all annular blades having the same diameter as the diameters D1 to D5 of the cutouts 191 to 195. Using a tool, it can form by press working similarly to the case of Example 3.

[실시예 5][Example 5]

다음에 본 발명의 실시예 5에 대하여 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시예 5의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, (1)은 연마 패드 단일체의 정면도, (2)는 (1)의 B-B단면도이다. 이하의 설명에서는, 상기 실시예와 다른 구조 부분에 대해서만 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또 동일 부품에는 동일 번호를 붙여서 설명한다.Next, Example 5 of the present invention will be described. Fig. 9 is a part view showing the polishing pad unitary body of Embodiment 5 of the present invention, (1) is a front view of the polishing pad unitary body, and (2) is a B-B cross-sectional view of (1). In the following description, only the structural part different from the said embodiment is demonstrated, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, the same component is attached | subjected with the same number and demonstrated.

상기 실시예는, 지름이 다른 동심(同心) 모양의 복수의 절입부로 구성되어 있지만, 실시예 5는, 절입부를 소용돌이 모양으로 형성한 예이다. 즉, 도 9에 도시한 바와 같이, 연마 패드(1)의 한쪽의 측면(12)에는, 외주연부(11)의 근방에, 연마 패드(1)의 외주 측으로부터 내주 측으로 향하여, 한 개의 소용돌이 모양의 절입부(41)가 형성되어 있다. 도시하지는 않았지만, 다른 쪽의 측면(13)에도, 한 개의 소용돌이 모양의 절입부(42)가 형성되어 있다.Although the said Example is comprised from the some concentric incision part from which a diameter differs, Example 5 is an example in which the cutout part was formed in a vortex shape. That is, as shown in FIG. 9, in one side surface 12 of the polishing pad 1, in the vicinity of the outer circumferential edge 11, one vortex is formed from the outer circumferential side of the polishing pad 1 toward the inner circumferential side. The incision part 41 of is formed. Although not shown, one vortex cut-out part 42 is also formed in the other side surface 13.

실시예 5의 소용돌이 모양의 절입부(41, 42)는, 소용돌이 모양의 절입부(41, 42)와 같은 형상의 소용돌이 모양으로된 모든 형태의 칼날공구를 이용하여 프레스 가공, 또는 선삭 가공으로 형성할 수 있다.The spiral cut-outs 41 and 42 of the fifth embodiment are formed by pressing or turning by using all types of blade tools having the same spiral shape as the spiral cut-outs 41 and 42. can do.

상기 각 실시예에서는, 절입부는, 한쪽의 측면(12)과 다른 쪽의 측면(13)에, 각각 복수로 형성되어 있지만, 각각 1개만 형성하여도 좋다. 또 상기 실시예의 절입부는, 연마 패드(1)의 외주연부(11)와 동심의 원호모양으로 형성되어 있지만, 외주연부(11)와 거의 동심의 원호모양이라면 좋다. 또 연속한 원호모양의 절입부, 단속적인 원호모양의 절입부, 연속한 원호와 단속적인 원호를 연결한 형상의 절입부 중의 2종류 또는 3종류의 절입부를 혼재시켜도 좋다.In each of the above embodiments, a plurality of cutout portions are formed on one side surface 12 and the other side surface 13, respectively, but only one cutout portion may be formed. In addition, although the cutout part of the said Example is formed in circular arc shape concentric with the outer peripheral edge part 11 of the polishing pad 1, what is necessary is just an arc shape substantially concentric with the outer peripheral edge part 11. As shown in FIG. Moreover, you may mix two or three types of cutouts of the continuous arc-shaped cutout part, the intermittent arc-shaped cutout part, and the cutout part of the shape which connected the continuous circular arc and the intermittent circular arc.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 특허청구의 범위 및 본 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않고도 여러 가지 변경 및 변형이 가능함은 물론이다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the following claims and the technical idea of the present invention.

도 1은, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 도1(1)은 연마 패드 단일체의 정면도, 도1(2)는 도1(1)의 A-A단면도이다.Fig. 1 is a part diagram showing a polishing pad unitary body of Embodiment 1 of the present invention, Fig. 1 (1) is a front view of a polishing pad unitary body, and Fig. 1 (2) is a cross-sectional view A-A of Fig. 1 (1).

도 2는, 도 1(2)의 P부 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged sectional view of the P portion in FIG. 1 (2). FIG.

도 3(1)은, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로 반도체 웨이퍼의 노치부를 연마하는 연마 장치를 도시하는 정면도, 도3(2)는 도3(1)의 Q부 상세도이며, 연마 패드의 외주연부와 반도체 웨이퍼의 노치부와의 접촉 부분의 확대 평면도이다.Fig. 3 (1) is a front view showing a polishing apparatus for polishing the notched portion of a semiconductor wafer with the polishing pad of Embodiment 1 of the present invention, Fig. 3 (2) is a detail view of the Q portion of Fig. 3 (1), It is an enlarged plan view of the contact part of the outer peripheral part of a polishing pad and the notch part of a semiconductor wafer.

도 4는, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로 웨이퍼의 노치부를 연마하는 공정의 전반을 도시하는 설명도이다.4 is an explanatory diagram showing the first half of a step of polishing a notch portion of a wafer with the polishing pad of Example 1 of the present invention.

도 5는, 본 발명의 실시예 1의 연마 패드로 웨이퍼의 노치부를 연마하는 공정의 후반을 도시하는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the latter half of the process of grinding | polishing the notch part of a wafer with the polishing pad of Example 1 of this invention.

도 6은, 본 발명의 실시예 2의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 도 2 상당도(相當圖)이다.FIG. 6 is a component diagram showing the polishing pad unitary body of the second embodiment of the present invention, and is equivalent to FIG. 2.

도 7은, 본 발명의 실시예 3의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다.Fig. 7 is a component diagram showing a polishing pad unitary body of a third embodiment of the present invention, and is a partially enlarged front view.

도 8은, 본 발명의 실시예 4의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 부분 확대 정면도이다.Fig. 8 is a component diagram showing a polishing pad unit body according to a fourth embodiment of the present invention, and is a partially enlarged front view.

도 9는, 본 발명의 실시예 5의 연마 패드 단일체를 도시하는 부품도이고, 도9(1)은 연마 패드 단일체의 정면도, 도9(2)는 도9(1)의 B-B선 단면도이다.Fig. 9 is a part view showing the polishing pad unitary body of the fifth embodiment of the present invention, Fig. 9 (1) is a front view of the polishing pad unitary body, and Fig. 9 (2) is a sectional view taken along the line BB of Fig. 9 (1). .

※부호의 설명※※ Explanation of symbols ※

1…연마 패드One… Abrasive pad

11…외주연부11... Outsourcing

12, 13…측면12, 13... side

141, 142, 143, 144, 145…절입부141, 142, 143, 144, 145... Infeed

151, 152, 153, 154, 155…절입부151, 152, 153, 154, 155... Infeed

16, 17…콧수염 형상체16, 17... Mustache shapes

181, 182, 183, 184, 185…절입부181, 182, 183, 184, 185... Infeed

191, 192, 193, 194, 195…절입부191, 192, 193, 194, 195... Infeed

2…반도체 웨이퍼2… Semiconductor wafer

21…외주연부21 ... Outsourcing

22…노치부(notch portion)22 ... Notch portion

3…웨이퍼 척 테이블(wafer chuck table)3 ... Wafer chuck table

31…노즐31... Nozzle

41, 42…절입부41, 42... Infeed

Claims (4)

웨이퍼(wafer)의 외주연부에 형성한 노치부(notch portion)를 연마하기 위하여, 부직포(不織布)로 형성된 환상(環狀)의 연마 패드로서,As an annular polishing pad formed of a nonwoven fabric, in order to polish the notch portion formed in the outer periphery of a wafer, 상기 노치부의 윤곽과 거의 일치하는 단면(斷面) 형상으로 형성된 외주연부, 및,An outer periphery formed in a cross-sectional shape substantially coinciding with the contour of the notch, and 상기 연마 패드의 외주연부의 근방에서, 연마 패드의 양 측면에 형성되고, 연마 패드의 외주와 실질적으로 동심(同心)의, 연속 또는 단속(斷續)된 절입부(切入部)를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노치부의 연마 패드.In the vicinity of the outer periphery of the polishing pad, formed on both sides of the polishing pad, and having a continuous or interrupted cutout portion that is substantially concentric with the outer periphery of the polishing pad. The polishing pad of the wafer notch part characterized by the above-mentioned. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절입부는, 연마 패드에 있어서의 동일 반경 위치에서 그 두께의 중앙부를 남기도록 하여 연마 패드의 양 측면으로부터 서로 마주보는 쌍을 이루어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노치부의 연마 패드.And the cutout portions are formed in pairs facing each other from both sides of the polishing pad, leaving the center portion of the thickness at the same radial position in the polishing pad. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 절입부는, 복수의 쌍이 있고, 각 쌍이 연마 패드에서 각각 다른 반경 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노치부의 연마 패드.The cutout portion has a plurality of pairs, and each pair is formed at a different radial position from the polishing pad, wherein the polishing pad of the wafer notch portion is characterized in that the cutout portion has a plurality of pairs. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절입부는, 연마 패드에서의 다른 반경 위치에서, 연마 패드의 양 측면에 대하여 교대로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노치부의 연마 패드.And the cutouts are alternately formed with respect to both sides of the polishing pad at different radial positions in the polishing pad.
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