KR101258284B1 - 메모리 소자 구동 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 메모리층을 포함하는 메모리 소자, 상기 메모리 소자를 구동하는 메인 구동부 및 상기 메모리 소자와 상기 메인 구동부 사이에 연결되고, 상기 메모리 소자의 세트 저항을 제어하는 제 2 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로에 관한 것이다. 본 발명의 메모리 소자 구동 회로는 메모리 소자의 세트 상태의 저항을 임의로 조절하여 일정하게 유지할 수 있어 메모리 소자의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
메모리 소자, 메인 구동부, 제 2 구동부, 다이오드, 저항
Description
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 메모리 소자 구동 회로의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 메모리 소자 구동 회로의 단면 개략도이다.
도 3은 본 발명의 메모리 소자 구동 회로에서 메모리 셀의 저항과 인가 전압 사이의 관계를 도시한 그래프이다.
도 4는 메모리 소자 구동 회로에서 제 2 구동부에 의해 세트 저항을 변화시킨 결과를 도시한 그래프이다.
도 5a는 실시예에서 제조된 유기 메모리 소자의 전압에 따른 전류 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5b는 도 5a의 결과를 유기 메모리 소자의 전압에 따른 저항 변화로 나타낸 그래프이다.
도 6a-6c는 본 발명의 메모리 소자 구동 회로에 의해 구동되는 메모리 소자의 메모리 특성을 보여주는 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 메모리 소자 200: 메인 구동부
300: 제 2 구동부 110: 제 1 전극
120: 메모리층 130: 제 2 전극
310: 제 1 다이오드 320: 제 2 다이오드
330: 저항
본 발명은 저항의 차이로 두 가지 이상의 상태를 가질 수 있는 저항 변화형 메모리 소자 구동 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 메모리층을 포함하는 메모리 소자에 연결된, 메모리 소자의 세트 저항을 제어하는 제 2 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로에 관한 것이다.
최근 데이터 압축 및 전송 기술의 발달로 디지털 매체의 이용이 증가됨에 따라서 휴대용 단말기, 각종 스마트 카드, 전자 화폐, 디지털 카메라, 게임용 메모리, MP3 플레이어, 멀티미디어 플레이어 등 새로운 전자기기들이 계속 개발되고 있다. 이러한 새로운 전자기기의 개발은 메모리 소자에 저장되어야 할 정보의 양을 급격하게 증가시키고 있기 때문에, 각종 메모리 소자에 대한 수요가 급증하고 있다. 특히 휴대용 정보기기의 사용이 증가함에 따라서 메모리 소자는 전원이 꺼지 더라도 기록된 정보가 지워지지 않는 비휘발성을 가질 것이 요구하고 있다.
대부분의 메모리 소자는 소자에 전압을 인가할 경우 고저항 상태와 저저항 상태 사이에서 스위칭 될 수 있는 쌍안정성 요소(bistable element)를 포함한다. 저항 변화형 메모리 소자(resistive memory devices) 는 용량형 메모리 (capacitative memory devices)에 대응되는 개념으로 인가 전압에 따라 저항이 달라지고, 저항의 변화에 대응하여 데이타를 저장하는 메모리를 의미한다.
현재 칼코겐 물질 (chalcogenide materials), 반도체, 다양한 종류의 산화물 및 질화물들이 저항 메모리 특성을 갖는 것으로 알려져 있고, 심지어 유기 재료 (organic materials)도 저항 메모리 특성 (resistive memory properties)을 갖는 것으로 밝혀졌다. 이러한 저항 변화형 메모리 소자는 높은 구동 전압 및 전류, 낮은 내구성 및 낮은 박막 취급 특성 등의 단점을 가지나, 최근 재료 공학의 비약적인 발전으로 이러한 문제점들이 극복되면서 비휘발성, 저전력, 고밀도 및 다중 비트 동작 메모리(multi-bit operating memory)로서 주목을 받고 있다. 이러한 저항 변화형 메모리 소자의 예들은 상변화 메모리(Phase Change RAM), 유기 메모리 (organic memory), OxRRAM (Oxide Resistive RAM), 금속 필라멘트 메모리 등이 있다.
유기 메모리 소자를 예로 들어 설명하면, 유기 메모리 소자의 메모리 매트릭스는 상부 전극과 하부 전극 사이에 유기 메모리층이 샌드위치되고, 상부 전극과 하부 전극이 교차하는 지점에 형성되는 메모리 셀이 쌍안정성 특성을 제공한다.
저항 변화형 메모리 소자에서 전형적인 메모리 셀은 2 가지의 상태들 즉, 저 저항 세트(set) 상태와 고저항 리셋 (reset) 상태를 가지며, 저저항 상태일 경우를 데이타 "1"이라 하고, 고저항 상태일 경우를 데이타 "0"이라 하면 데이타의 두 가지 로직 상태를 저장할 수 있다.
이러한 메모리 소자에서 데이터를 독출하는 동작은 메모리 메트릭스의 비트라인과 워드라인을 선택하여 특정 메모리 셀을 선택한 후, 외부에서 전류를 흘려 유기 메모리층의 저항 상태에 따른 전압의 변화의 차이로서 "0" 또는 "1"을 독출한다.
그러나 많은 메모리 소자에서는 세트 상태의 저항이 너무 작아서 별도의 증폭기를 이용하여야만 전압의 변화를 정확하게 독출할 수 있기 때문에, 메모리 소자의 구성이 복잡해지는 문제가 발생할 수 있다. 또한 세트 상태의 저항이 일정하지 않은 경우가 많은데, 이와 같이 세트 상태의 전압이 일정하지 않을 경우, 각 메모리 셀에 대한 독출 동작시 동작 에러가 발생할 수 있다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 하나의 목적은 세트 상태의 저항을 임의로 제어할 수 있는 메모리 소자 구동 회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 세트 상태의 저항을 일정하게 유지하여 메모리 소자의 오동작을 방지하여 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있는 메모리 소자 구동 회로를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은
제 1 전극과 제 2 전극 사이에 메모리층을 포함하는 메모리 소자;
상기 메모리 소자에 연결되어 상기 메모리 소자를 구동하는 메인 구동부: 및
상기 메모리 소자와 상기 메인 구동부 사이에 연결되고, 상기 메모리 소자의 세트 저항을 제어하는 제 2 구동부를 포함하고,
상기 제 2 구동부가 상기 메모리 소자의 외부에 연결되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로에 관계한다.
제 1 전극과 제 2 전극 사이에 메모리층을 포함하는 메모리 소자;
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본 발명에서 상기 제 2 구동부는 상기 메모리 소자의 외부에 접속되거나 상기 메모리 소자의 내부에 형성될 수 있다.
제 2 구동부가 메모리 소자의 외부에 접속되는 경우, 상기 제 2 구동부는 상기 메모리 소자의 일단에 연결된 제 1 다이오드, 상기 제 1 다이오드에 대해 병렬로 연결된 제 2 다이오드 및 상기 제 1 다이오드에 대해 직렬로 연결되고, 상기 제 2 다이오드에 대해 병렬로 연결된 저항을 포함할 수 있다. 이때, 상기 두 개의 다이오드는 서로 반대로 바이어스 되도록 연결된다.
상기 저항의 제 1 단자는 메인 구동부에 연결되고, 상기 저항의 제 2 단자는 제 1 다이오드에 연결될 수 있다. 상기 다이오드는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드일 수 있다.
제 2 구동부가 상기 메모리 소자의 내부에 형성되는 경우에는, 메모리 소자의 제 1 전극과 메모리층 사이의 쇼트키 접합면으로 형성될 수 있다. 이러한 쇼트키 접합면은 제 2 전극의 금속과 접촉하는 반도체층으로 구성될 수 있다.
이하에서 첨부 도면을 참고하여 본 발명에 관하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 메모리 소자 구동 회로는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 메모리층을 포함하는 메모리 소자, 상기 메모리 소자를 구동하는 메인 구동부 및 상기 메모리 소자와 상기 메인 구동부 사이에 연결되어, 상기 메모리 소자의 세트 저항을 제어하는 제 2 구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 메모리 소자 구동 회로의 단면 개략도이다. 도 1을 참고하면, 본 발명의 메모리 소자 구동 회로는 메모리 소자(100), 메인 구동부(200) 및 제 2 구동부(300)를 포함한다. 제 2 구동부(300)는 상기 메모리 소자(100)와 상기 메인 구동부(200) 사이에 연결되어, 상기 메모리 소자(100)의 메모리층(120)의 세트(set) 저항을 제어한다. 상기 메모리층(120)은 유기 메모리 소자의 활성층 이외에 저항의 차이로 두 가지 이상의 상태를 가질 수 있는 모든 형태의 저항 변화형 메모리 소자의 메모리층을 의미한다.
본 발명의 메모리 소자 구동 회로에서 상기 제 2 구동부(300)는 다양한 방법으로 구현될 수 있는데, 일례로 상기 메모리 소자(100)의 외부에 연결되거나 상기 메모리 소자(100)의 내부에 형성될 수 있다.
제 2 구동부(300)가 상기 메모리 소자(100)의 외부에 연결되는 경우에, 상기 제 2 구동부(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 두 개의 다이오드(310 및 320)와 하나의 저항(330)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제 2 구동부(300)는 상기 메모리 소자(100)의 일단에 연결된 제 1 다이오드(310), 상기 제 1 다이오드(310)에 대해 병렬로 연결된 제 2 다이오드(320) 및 상기 제 1 다이오드(310)에 대해 직 렬로 연결되고, 상기 제 2 다이오드(320)에 대해 병렬로 연결된 저항(330)을 포함하고, 여기서 상기 두 개의 다이오드(310, 320)는 전압이 인가되는 경우 서로 반대로 바이어스 되도록 연결된다. 따라서 양의 전압 인가시 제 1 다이오드(310) 쪽으로만 전류가 흐르고, 제 2 다이오드(320) 쪽으로는 전류가 흐르지 않게 된다.
본 발명에서 상기 제 1 다이오드(310) 또는 상기 제 2 다이오드(320)로 사용되는 다이오드는 특별히 제한되지 않는데, 바람직하게는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드일 수 있다. P-N 다이오드의 경우 순방향 턴온 전압이 0.6 내지 0.7 볼트임에 비하여, 쇼트키 다이오드의 경우에는 쇼트키 배리어를 이용하여 순방향 전압을 0.2 내지 0.3 볼트로 낮출 수 있다. 이와 같이 턴온 전압이 낮을 경우 메모리 소자의 독출 전압(reading voltage)을 낮출 수 있기 때문에 쇼트키 다이오드가 더욱 바람직하다. 본 발명에서 상기 제 1 다이오드(310) 및 상기 제 2 다이오드(320)는 동일한 종류의 다이오드로 구성되는 것이 바람직하다.
다른 양상에서, 제 2 구동부(300)는 메모리 소자(100)의 내부에 형성될 수 있다. 이러한 실시예의 메모리 소자 구동 회로를 도 2에 도시하였다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제 2 구동부(300)는 상기 메모리 소자(100)의 제 1 전극(110)과 메모리층(120) 사이의 쇼트키 접합면 형태로 제작될 수 있다. 즉, 제 1 전극(110)의 금속 표면에 반도체를 증착 또는 코팅하여 제작된 반도체층이 부착될 수 있다.
상기 메모리 소자(100)는 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130) 사이에 메모리층(120)이 샌드위치 된다. 이러한 메모리 소자에 전압을 인가하면 메모리층(120) 의 저항값이 쌍안정성을 나타내어 메모리 특성을 시현한다. 메모리 소자가 유기물로 구성되는 유기 메모리 소자의 경우에는 메모리 특성이 유기 재료의 특성으로 인해 나타나므로 메모리 소자는 비휘발성 특성을 시현할 수 있다.
본 발명의 메모리 소자 구동 회로에서 메모리 소자(100)의 메모리층(120)의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 메모리층(120)의 재료는 메모리 소자의 스위칭 방식 등에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들어, 금속 필라멘트의 형성 및 단락에 의해 작동되는 유기 메모리 소자인 경우에는 헤테로 원자를 포함하는 전도성 고분자로 구성될 수 있다.
다른 한편으로, 상기 메모리층(120)은 전기전도도가 10-12 S/cm 이하인, 헤테로 원자를 포함하는 비전기전도성 유기물로 구성될 수 있다. 메모리층(120)이 이와 같이 구성되는 경우, 메모리 소자에 전압이 양의 전압이 인가되면 제 2 전극(130)에서 이온화에 의해 유리된 금속 이온이 메모리층(120)으로 확산되어 메모리층 내의 금속 이온의 분포에 따른 전기전도도의 차이로 메모리 특성을 나타낼 수 있다. 이러한 유기물의 바람직한 예는 폴리(2-비닐 피리딘), 폴리(4-비닐 피리딘), 폴리비닐피롤리돈, 폴리알릴아민, 폴리에틸렌아민, 폴리아크릴아마이드, 폴리아미도아민 및 폴리이미드를 포함한다.
상기 제 1 전극(110) 및 제 2 전극(120)은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인듐틴옥사이드, 티타늄 등의 금속 및 기타 도전성 재료로 구성될 수 있다.
메인 구동부(200)는 일단이 상기 메모리 소자(100)에 연결되고, 타단이 제 2 구동부(300)에 연결되며, 제 2 구동부(300)를 통해서 상기 메모리 소자(100)에 펄스 전압을 인가하여 구동한다.
메모리 소자는 메모리 매트릭스 형태로 구현될 수 있는데, 이러한 메모리 매트릭스는 유리 또는 실리콘 등의 적당한 기판 위에 형성될 수 있다. 메모리 매트릭스에서는 공통-워드 라인을 형성하여 다수의 다중 셀 구조물에 데이터를 저장, 소거, 판독 및 기록할 수 있다. 여기서 기판으로는 기존의 유기 또는 무기계 기판이 이용될 수 있고, 특히 플렉서블 기판(flexible substrate)이 이용될 수도 있다.
다음으로 본 발명의 메모리 소자 구동 회로의 동작에 대해서 위에서 설명한 메모리층 내의 금속이온의 분포에 따라서 저항이 변화되는 메모리 소자의 경우를 예로 들어 설명하면 다음과 같다.
제 2 구동부(300)의 제 1 다이오드(310) 및 제 2 다이오드(320)는 메모리 소자에 전압이 인가되는 경우 서로 반대로 바이어스 되도록 연결되고, 제 1 다이오드(310) 에 저항(330)이 직렬로 연결된다. 또한 메모리 소자에 양 전압을 인가할 경우 저항(330)이 연결된 제 1 다이오드(310)가 순방향으로 바이어스 되고, 제 2 다이오드(320)는 역바이어스되도록 되어 있다. 따라서 양 전압 인가시에는 저항을 거쳐 전원이 메모리 소자에 제공되고, 음 전압 인가시에는 저항을 거치지 않고 공급된다.
메모리 소자(100)의 양단에 양의 전압을 인가하는 경우, 저항(330)이 직렬로 연결되어 있는 제 1 다이오드(310)가 순방향으로 바이어스 되어, 인가 전압이 메모리 셀에 인가되어 셀의 저항을 낮춘다. 메모리 셀의 저항값이 제 2 구동부(300)의 저항(330)의 저항값과 동일하게 되는 순간 옴의 법칙에 따라서 인가 전압이 1/2 값으로 급격하게 감소된다. 일례로 도 3을 참조하면, 총 10볼트의 전압을 인가할 경우, 메모리 셀의 저항값이 제 2 구동부(300)의 저항(330)의 저항값(106 옴)과 동일하게 되는 순간 인가 전압이 5 볼트로 급격하게 반감된다.
이와 같이 인가 전압이 감소되면, 위에서 설명한 금속이온의 분포에 따라서 저항 메모리 특성을 보이는 메모리 소자에서는 셀 내부에서 이온을 이동시키는 힘이 낮아져서 그 상태로 저항이 고정된다. 예를 들면 외부에서 2V의 전압을 1초 동안 인가하였는데, 0.1초만에 메모리 셀의 저항이 제 2 구동부(300)의 저항(330) 수준으로 강하되면 0.1초 동안 2V가 인가되고 나머지 0.9초 동안에는 1V만 인가되어서 금속 이온의 이동이 억제되고 저항의 변화도 발생하지 않고 고정된다.
도 4는 제 2 구동부의 저항(330)의 저항값의 크기 변화에 따른 메모리 셀의 저항값의 변화를 그래프로 도시한 것이다. 도 6에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 메모리 소자 구동 회로에서는 제 2 구동부(300)의 저항(330)의 저항값의 크기를 조절함으로써 메모리 셀의 세트 저항을 조절할 수 있다. 세트 저항이 너무 클 경우 메모리 소자를 구동하기 위한 전력 소모가 너무 커서 문제가 되는데, 이와 같은 경우에 제 2 구동부(300)에 의해 세트 저항을 적정한 수준으로 조절할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 메모리 소자(100)의 양단에 메인구동부(200)를 통해 서 적당한 전압을 인가할 경우 메모리층(120)이 고저항 상태 (high resistance)와 저저항 (low resistance) 상태 사이를 스위칭한다. 즉, 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130) 사이의 메모리층(120)에 금속이온이 균일하게 확산되면, 저저항 세트(set) 상태가 되고, 금속이온이 전극쪽으로 이동하면 고저항 리셋(reset) 상태가 되는데, 예를 들어, 저저항 상태일 경우를 데이타 "1"이라 하고, 고저항 상태일 경우를 데이타 "0"이라 하면 데이타의 두 가지 로직 상태를 저장할 수 있다.
도 5a-5c는 본 발명의 메모리 소자 구동 회로에 의해 구동되는 메모리 소자의 메모리 특성을 보여주는 그래프이다. 도 5a의 그래프에 있어서, 횡축은 제 2 전극과 제 1 전극 사이에 인가된 전압을 제 2 전극측을 양극으로서 나타내고, 종축은 메모리층을 흐르는 전류를 나타낸다.
실시예 1에서 수득된 유기 메모리 소자의 양단에 전압을 인가하여 전류의 변화로서 스위칭 특성을 평가하여 그 결과를 도 5a-b에 나타내었다. 도 5a는 실시예에서 제조된 유기 메모리 소자의 전압에 따른 전류 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5b는 도 5a의 결과를 유기 메모리 소자의 전압에 따른 저항 변화로 나타낸 그래프이다. 도 5에서는 두 개의 다이오드와 하나의 저항으로 구성된 회로 (도 1) 를 이용한 결과이다.
도 5a 를 통해서 확인되는 바와 같이, 본 발명에서와 같이 전기전도도가 10-12 S/cm 이하가 되는 유기물을 이용하여 제조된 유기 메모리 소자는 인가 전압에 따라서 고저항 상태와 저저항 상태가 스위칭 되었다.
도 5a의 그래프에 있어서, 횡축은 제 2 전극과 제 1 전극 사이에 인가된 전 압을 제 2 전극측을 양극으로서 나타내고, 종축은 메모리층을 흐르는 전류를 나타낸다. 도면에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 유기 메모리 소자의 전류 전압 특성은 히스테리시스 특성을 가진다.
유기 메모리 소자를 제작한 직후에는 전도도가 작게 오프 상태에 있다. 즉, 인가 전압이 3.8 V 이하인 범위에서는 오프 상태를 유지하고 있다(도 5a의 ①).
인가 전압이 3.8 V를 넘어서 인가하면, 전류가 급격히 흐르고, 전도도가 큰 상태, 즉 온 상태로 이행된다(도 5a의 ②). 인가 전압을 0 V 까지 낮추는 동안 전류는 선형적으로 감소하고 있다(도 5a의 ③). 다시 -1 V로 감소시키자 저항이 다소 감소하여 전류 기울기가 증가하는 현상을 보이는데 이는 양 전압 인가 시와 달리 음 전압 인가 시에는 외부 저항이 없어지기 때문이다 (도 5a의 ④). 인가 전압이 -1 V에서 저항의 스위칭이 발생하여 높은 저항 상태를 가지게 된다. (도 5a의 ⑤) 되고, 그 후에는 계속 높은 저항을 가진다.
이러한 메모리 현상은 두 개의 다이오드와 하나의 저항으로 구성된 회로를 하나의 쇼트키 다이오드에 의한 회로 (도 2)를 이용해서도 구현 가능하고 그 결과는 도 6a-c에 나타낸 바와 같다. 도 5a의 결과와 유사한데, 사용한 쇼트키 다이오드의 역방향 저항이 107 정도이므로 세트 저항 값이 107 정도로 스위칭 되었다. 도 6b 를 보면 세트 상태의 저항 상태가 쇼트키 다이오드의 역방향 저항과 동일하다는 것을 알 수 있다. 이는 -4 V에서 다시 높은 저항 상태인 리셋 상태로 스위 칭 되었고 이는 메모리로 사용할 수 있다. 이때 각 상태의 비휘발성 특성은 도 6c에 나타나 있다.
도 5b는 도 5a의 특성을 저항과 전압의 관계로 도시한 그래프이고, 도 5c는 시간에 따른 저항의 변화로 나타낸 그래프이다. 도 5c에 나타나는 바와 같이 본 발명의 메모리 소자 구동 회로에 의하면 세트 저항을 일정하게 유지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 구현예를 예로 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 본 발명의 보호범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있으므로, 이러한 다양한 변형예도 본 발명의 보호 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명의 메모리 소자 구동 회로에 의하면 메모리 소자의 세트 저항을 임의로 조절할 수 있다. 따라서 세트 저항이 지나치게 낮은 경우, 이러한 저항을 증폭기 없이 증가시킬 수 있고, 저항이 너무 큰 경우 세트 저항을 줄일 수 있다.
또한 본 발명의 메모리 소자 구동 회로에 의하면 메모리 셀의 저항을 일정하게 고정시킬 수 있어, 메모리 소자의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Claims (9)
- 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 메모리층을 포함하는 메모리 소자;상기 메모리 소자에 연결되어 상기 메모리 소자를 구동하는 메인 구동부: 및상기 메모리 소자와 상기 메인 구동부 사이에 연결되고, 상기 메모리 소자의 세트 저항을 제어하는 제 2 구동부를 포함하고,상기 제 2 구동부가 상기 메모리 소자의 외부에 연결되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 제 2 구동부가상기 메모리 소자의 일단에 연결된 제 1 다이오드;상기 제 1 다이오드에 대해 병렬로 연결된 제 2 다이오드; 및상기 제 1 다이오드에 대해 직렬로 연결되고, 상기 제 2 다이오드에 대해 병렬로 연결된 저항을 포함하고,상기 두 개의 다이오드가 서로 반대로 바이어스 되도록 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
- 제 3항에 있어서, 상기 제1 다이오드 또는 상기 제2 다이오드가 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 구동부가 상기 메모리 소자의 제 1 전극과 메모리층 사이의 쇼트키 접합면인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
- 제 5항에 있어서, 상기 쇼트키 접합면이 제 2 전극의 금속과 접촉하는 반도체층인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 메모리 소자의 메모리층이 전기전도도가 10-12 S/cm 이하인, 헤테로 원자를 포함하는 유기물로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
- 제 7항에 있어서, 상기 유기물이 폴리(2-비닐 피리딘), 폴리(4-비닐 피리딘), 폴리비닐피롤리돈, 폴리알릴아민, 폴리에틸렌아민, 폴리아크릴아마이드, 폴리아미도아민 및 폴리이미드로 구성되는 군에서 선택되는 고분자임을 특징으로 하는 메모리 소자 구동회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 어느 하나가 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인듐틴옥사이드, 및 티타늄으로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나의 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 구동 회로.
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