KR101240823B1 - 대칩을 포함한 인조 대리석 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

3mm 이상의 대칩을 포함하여 자연석에 극히 유사한 미감을 가지는 인조대리석 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 인조 대리석은, 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A) 10~30 중량%, 아크릴계 수지를 포함하는 제1고분자수지(B) 20~50 중량%, 인조대리석에 포함되는 필러(C) 30~60 중량% 및 인조대리석에 포함되는 첨가제(D) 0.1~5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

대칩을 포함한 인조 대리석 및 그 제조 방법{ARTIFICIAL MARBLE CONTAINING BIG SIZE MARBLE CHIP AND THE METHOD THEREOF}
본 발명은 대칩을 포함한 인조 대리석 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 인위적인 미감의 인조 대리석과는 달리 20mm 이상의 입경을 가진 대칩을 포함하여 자연스러운 외관을 갖는 인조 대리석과, 상기 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 방법에 관한 것이다.
인조 대리석은 자연 대리석보다도 경량으로 가공성이 우수하여, 자연대리석의 대체물로서, 마루재, 벽재, 테이블, 키친, 판상, 세면화장대 등의 각종 천판 등에 다양하게 사용되고 있다. 인조 대리석에는 천연석에 유사한 미적이고 고급스런 질감이 요구되어, 어떻게 천연석의 질감을 나타내는가가 중요한 과제가 되고 있다.
일반적인 아크릴계 수지 인조 대리석 제조방법은 메틸메타크릴레이트와 같은 모노머와 폴리메틸메타크릴레이트를 혼합한 컴파운드에 안료 및 경화제 등과 기타 첨가제(개시제, 이형제, 분산제 등)를 혼합한 후 몰드에 주입하여 경화시켜 제조된다. 이 때, 인조 대리석의 다양한 무늬를 표현하기 위해 인조 대리석과 동일한 원료의 칩이 사용되며, 대략 0.1 내지 3 mm의 입경을 가진 칩이 사용된다.
인조 대리석을 제조함에 있어 3mm 크기 이상을 넘어서 20mm 이상과 같은 대입경을 가지는 대칩을 사용할 경우, 이러한 대칩은 밸브를 통과할 수 없을 뿐만 아니라, 칩 자체의 무게로 인해 인조 대리석 컴파운드에서 가라 앉아 칩의 제어가 어려운 문제점이 있다.
상기와 같이, 종래 개발되어온 인조 대리석의 제조 방법으로는 대입경 대칩 무늬의 발현이 불가능하다는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명자들은 상기 문제점을 극복하기 위하여, 종래의 믹싱 공정을 포함하는 제조 방법을 배제하고 대칩을 컴파운드에 직접 배열하는 방법을 통해서 3mm 이상의 크기를 넘어서 20mm 이상과 같은 대칩을 함유한 인조대리석을 제조하는 방법과 이를 통해 제조되는 대칩을 함유한 인조 대리석을 제공하기에 이른 것이다.
본 발명의 목적은 종래의 인조 대리석과는 달리 입경이 매우 큰 대칩을 함유하여 천연석에 극히 유사한 미감을 가지는 인조 대리석을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 인조 대리석은, 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A) 10~30 중량%, 아크릴계 수지를 포함하는 제1고분자수지(B) 20~50 중량%, 인조대리석에 포함되는 필러(C) 30~60 중량% 및 인조대리석에 포함되는 첨가제(D) 0.1~5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 인조 대리석 제조 방법은, (a) 몰드에 하나 이상의 고분자 수지 및 첨가제를 포함하는 컴파운드를 주입하여 베이스 컴파운드 층을 형성하는 단계 (b) 상기 베이스 컴파운드 층 위에 입경이 3mm 이상인 대칩을 배열하여 대칩층을 형성하는 단계 및 (c) 상기 대칩층 위에 하나 이상의 고분자 수지 및 첨가제를 포함하는 컴파운드를 도포하여 커버 컴파운드 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 인조 대리석은 입경이 매우 큰 대칩을 함유하여 인조 대리석의 칩 표현이 극대화되고, 경쟁사와 차별화된 독특한 질감 효과를 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 인조 대리석의 제조 방법은 종래의 믹싱공정으로는 제어할 수 없는 대칩을 칩 배열 공정을 통하여 제어함으로써, 인조 대리석에 포함되는 칩 사이즈의 한계를 벗어나 자연스러운 미감을 가지는 인조 대리석을 제공할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 공정을 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 방법에 대한 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대칩을 포함한 인조대리석 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 인조 대리석은 입경이 매우 큰 대칩을 함유하고 있으며, 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A) 10~30 중량%, 아크릴계 수지를 포함하는 제1고분자수지(B) 20~50 중량%, 인조대리석에 포함되는 필러(C) 30~60 중량% 및 인조대리석에 포함되는 첨가제(D) 0.1~5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 인조대리석은 상기의 중량%로 제조되었을 때, 강도 및 내후성이 우수하고, 가장 자연스러운 미감을 가질 수 있다.
상기 인조 대리석 제조용 칩 혼합물(A)은 입경이 0.1~3mm인 소칩군, 입경이 3mm~40mm인 대칩군, 천연소재를 포함하는 천연소재칩군 및 투명칩군을 포함할 수 있다.
또한, 상기 인조 대리석 제조용 칩 혼합물(A)은 상기 인조 대리석 제조용 칩 혼합물(A) 100중량부를 기준으로 소칩군 20~60 중량부, 대칩군 20~60 중량부, 천연소재칩군 5~15 중량부 및 투명칩군 10~30 중량부로 이루어지는 것이 바람직하다.
소칩군은 입경이 0.1~3mm로서 대칩군에 비하여 비교적 입경이 작은 칩들의 군을 의미한다. 대칩군은 입경이 매우 큰 칩들의 군으로서, 본 발명에 따른 인조 대리석의 무늬 패턴을 보다 자연스럽게 하는 역할을 한다.
천연소재를 포함하는 천연소재칩은 고분자 중합성 물질이 아닌 천연물질을 원료로 한 칩을 의미한다. 천연소재는 이 분야의 통상의 것을 사용할 수 있으며, 그 예에는 자개, 돌, 석분, 석영, 숯, 황토, 자석분, 향료, 펄, 패각류 및 거울 가루로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이 포함될 수 있다. 다만, 천연소재의 종류가 특별히 이에 제한 되는 것은 아니다.
투명칩군은 일반 불투명칩에 비하여 투명도가 우수한 칩들의 군이다. 투명칩은 광학농도가 2.0 이하에 해당하는 칩인 것을 의미한다. 광학농도는 분광광도계를 사용하여, 가시광선범위의 파장으로 입자의 분쇄 전 경화물을 두께 0.2mm의 필름상태로 투명도를 측정하여, 하기 식
광학농도= log10(Ii /It) (Ii 는 입사광선강도, It 는 투과광선강도를 나타낸다)에 의해 구해진다.
대칩군은 상기 대칩군 100중량부를 기준으로 아크릴계 수지를 포함하는 제2고분자수지 25~55 중량부, 필러(filler) 40~70 중량부 및 첨가제 0.1~5 중량부로 이루어질 수 있다. 대칩의 강도, 내후성 및 미감을 고려하여 상기의 조성비를 가지는 것이 바람직하다.
상기 대칩군은 입경 3~10mm의 칩, 입경 10~20mm의 칩 및 입경 20~40mm의 칩을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 인조대리석에 포함되는 대칩은 입경이 3~40mm 이며, 상기 대칩군은 입경 3~10mm의 칩, 입경 10~20mm의 칩 및 입경 20~40mm의 칩을 고루 포함할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 인조대리석은 상기 입경을 갖는 대칩들이 고루 분포됨으로써 자연석과 매우 유사한 미감을 갖는다.
본 발명에 이용되는 상기 제1고분자수지(B)와 제2고분자수지는 아크릴계 수지를 포함하는 고분자 수지로서 성분이 유사하다. 제1고분자수지(B)는 인조대리석에 포함되는 고분자수지이고, 제2고분자수지는 인조대리석 내에 들어가는 칩에 포함되는 고분자수지이다.
상기 고분자수지들은 MMA(methyl methacrylate) 단독, MMA와 분자 내에 비닐기를 하나 가지는 다른 비닐단량체와의 단량체 혼합물, MMA 단독 중합체와 상기 단량체와의 혼합물, 또는 MMA와 분자 내에 비닐기를 하나 가지는 다른 비닐단량체와의 공중합체와 상기 단량체와의 혼합물이 이용될 수 있다.
바람직하게는 상기 아크릴계 수지를 포함하는 제1고분자수지(B) 또는 제2고분자수지는 MMA, PMMA(polymethyl methacrylate) 및 EGDMA(ethylene glycol dimethylacrylate)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1고분자수지(B)는 상기 제1고분자수지(B) 100중량부를 기준으로 MMA 50~80 중량부, PMMA 15~45 중량부 및 EGDMA 0.5~5 중량부로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2고분자수지는 상기 제2고분자수지 100중량부를 기준으로 MMA 50~80 중량부, PMMA 15~45 중량부 및 EGDMA 0.5~5 중량부로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 인조대리석은 상기 제1고분자수지(B)와 제2고분자수지가 상기의 중량부 범위에서 형성됨으로써 솔리드재 특유의 우아하고 미려한 질감을 가지며, 보다 우수한 강도 및 내후성을 가질 수 있다.
상기에서 서술한 입자의 입경 분포, 입자의 형상, 입자의 복수종의 조합 등의 요소를 고려하여, 상기 중량% 범위내에서 인조대리석이 제조될 때 자연스러운 외관 구현성이 가장 우수하다.
상기 대칩군에 포함되는 필러와 인조대리석에 포함되는 필러(C)는 동일한 성분을 사용할 수 있다.
일반적으로 필러는 무기충진제를 사용할 수 있으며, 대칩군 및 인조대리석을 제조함에 있어서 공지의 필러 성분이라면 특별히 제한되지 않는다.
상기 인조대리석에 포함되는 필러(C)는 30~60 중량%로 이루어질 수 있고, 상기 대칩군에 포함되는 필러는 대칩군 100중량부를 기준으로 40~70 중량부로 이루어 질 수 있다.
필러를 지나치게 첨가하면 강도나 대충격성의 저하를 초래할 수 있고, 반대로 지나치게 적으면 질감이 손상되고 내열성 및 난연성의 저하를 초래한다. 따라서, 본 발명에 포함되는 필러는 상기 기술한 범위 내의 중량%를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 인조대리석에 포함되는 첨가제(D)는 인조대리석 제조에 사용되는 공지의 첨가제라면 제한 되지 않는다. 바람직하게는 중합개시제, 계면활성제, 안료, 탈포제 및 UV 흡수제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 인조대리석 제조용 칩에 포함되는 첨가제는 칩 제조에 사용되는 공지의 첨가제라면 제한되지 않는다. 바람직하게는 중합개시제, 계면활성제, 안료 및 탈포제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 대칩을 포함한 인조대리석의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 공정을 나타내는 모식도이다. 그리고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 방법에 대한 순서도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 도시된 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 방법은, (a) 몰드에 하나 이상의 고분자 및 첨가제를 포함하는 컴파운드를 주입하여 베이스 컴파운드 층(3)을 형성하는 단계(S410)와 (b) 상기 베이스 컴파운드 층(3) 위에 입경이 3 mm 이상인 대칩을 배열하여 대칩층(2)을 형성하는 단계(S420) 및 (c) 상기 대칩층 위에 하나 이상의 고분자 및 첨가제를 포함하는 컴파운드를 도포하여 커버 컴파운드 층(1)을 형성하는 단계(S430)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인조 대리석 제조 방법은 (d) 상기 인조대리석을 경화시키는 단계(S440)와 (e) 상기 인조 대리석을 표면처리하는 단계(S450)를 더 포함할 수 있다.
상기 대칩은 입경이 3mm 이상인 인조대리석 제조용 칩을 의미한다.
상기에서 언급한 바와 같이, 입경이 3mm 이상인 칩을 포함한 인조 대리석을 종래의 믹싱 공정을 통하여 제조하게 되면 여러 가지 문제점이 발생된다. 먼저, 대칩은 칩의 크기가 커서 밸브 내에 삽입되기 어렵다. 또한, 대칩과 컴파운드의 믹싱 과정에서 대칩의 무게로 인하여 대칩이 컴파운드 내에 침강하기도 하고, 대칩과 컴파운드의 계면에 기포가 발생하는 등의 부작용이 발생된다. 따라서 대칩의 제어가 용이하고 기포 발생을 최소화하여 인조 대리석이 자연스러운 미감을 가질 수 있도록 본 발명에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석의 제조 방법을 개시한다.
상기 (a) 단계(S410)에서 컴파운드 등이 주입되는 몰드의 종류는 특별히 한정되지 않고 목적하는 인조 대리석의 형상에 따라서 적절히 변경될 수 있다. 본 발명에서는 상기 몰드의 형태를 다양하게 변화시킴으로써 각종 형상의 인조 대리석을 제조할 수 있다.
도 2를 참조하면, 컴파운드가 베이스 컴파운드 주입부(4)를 통하여 상기 몰드에 도포되어 베이스 컴파운드 층(3)을 형성한다. 베이스 컴파운드 층(3)은 배열되는 칩의 두께를 고려하여 15mm 내지 20mm의 두께로 균일하게 도포되는 것이 바람직하다.
베이스 컴파운드 층(3)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하여 형성 될 수 있다.
인조 대리석의 베이스 컴파운드 층(3)과, 커버 컴파운드 층(1)을 구성하는 구체적인 고분자 수지는 특별히 제한되지 않는다. 본 발명의 컴파운드는 아크릴계 인조 대리석, 불포화 폴리에스테르계 인조 대리석, 에폭시계 인조 대리석 등을 포함한, 이 분야에서 공지된 각종의 인조대리석의 제조를 위해 사용되는 컴파운드를 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명에서는 상기와 같은 컴파운드의 예로서, 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지 및 멜라민계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다.
상기 아크릴 수지의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 2-에틸헥실 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트 및 글리시딜 메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아크릴계 단량체를 포함하는 중합체를 사용할 수 있다.
상기 불포화 폴리에스테르의 종류 역시 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 α,β-불포화 이염기산 또는 상기 이염기산 및 포화 이염기산의 혼합물과 다가 알코올의 축합 반응을 통해 제조되는 것으로서, 산가가 5 내지 40이고, 분자량이 1,000 내지 5,000인 폴리에스테르 수지를 사용할 수 있다.
또한, 상기 에폭시 수지의 종류 역시 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄 에폭시 수지 및 페놀 노볼락형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 것을 들 수 있다.
상기 첨가제는 중합 개시제, 계면활성제 등 인조 대리석의 제조를 위한 공지된 각종 첨가제를 의미한다.
상기 (b) 단계(S420)에서는 컴파운드가 몰드 내에 주입되어 형성된 베이스 컴파운드 층(3) 상부에 대칩을 배열하여 대칩층(2)을 형성한다. 대칩을 배열하는 프로세스는 여러가지 방법이 있지만, 도 2를 참조하면 인조 대리석을 단시간에 양산할 수 있도록 이송 컨베이어 벨트를 이용하여 베이스 컴파운드 층(3) 상부에 칩을 균일하게 배열하는 것이 바람직하다.
본 발명의 대칩층(2)을 구성하는 칩의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 수지 칩 및 천연소재 칩으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 칩을 사용할 수 있다.
상기 인조 대리석에 포함되는 수지칩은 이 분야에서 통상 사용되는 것이라면 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다. 예를 들면 아크릴 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 멜라민 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 수지 조성물로부터 제조되는 칩을 사용할 수 있다.
본 발명에서는 또한 칩의 제조 과정에서 적절한 안료나 염료 등의 유색재료를 첨가하거나, 또는 제조된 칩 상에 코팅 또는 증착에 의해 유색재료를 표면 처리함으로써 각종 색상의 착색칩의 제조가 가능하다.
상기 착색칩을 제조함에 있어 천연소재를 사용하는 경우, 이 분야의 통상의 것을 사용할 수 있으며, 그 예에는 자개, 돌, 석분, 석영, 숯, 황토, 자석분, 향료, 펄, 패각류 및 거울 가루로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이 포함될 수 있으며, 특별히 이에 제한 되는 것은 아니다.
상기 착색칩을 사용하여 본 발명에 따른 대칩을 포함한 인조 대리석을 제조하는 경우, 상기 착색칩은 인접하는 칩끼리 상이한 색감을 가지며 배열되는 것이 바람직하다. 상기 인조 대리석의 자연스러운 미감 연출 등을 위함이다.
본 발명인 인조 대리석의 미려한 외관을 위하여 착색칩은 인접한 칩끼리 서로 상이한 색을 가지는 것이 바람직하다. 도 2를 참조하면, 일정한 간격을 두고 배치되는 칩 주입부(7)에, 각각 다른 색을 가진 착색칩이 위치하여 이송 컨베이어 벨트(5)에 주입되도록 프로세스를 구성할 수 있다.
상기 (c) 단계(S430)는 베이스 컴파운드 층(3) 위에 대칩이 배열되어 대칩층(2)이 형성된 후, 대칩층(2) 위에 다시금 컴파운드를 도포하여 커버 컴파운드 층(1)을 형성하는 단계이다. 도 2을 참조하면 상기 커버 컴파운드 층(1)은 커버 컴파운드 주입부(6)를 통하여 몰드에 주입된다. 커버 컴파운드 층(1)은 베이스 컴파운드 층(3)에 배열된 대칩층(2)의 두께를 고려하여 15mm 내지 20mm의 두께로 균일하게 도포되는 것이 바람직하다.
상기 (d) 단계(S440)는, 상기 (a), (b), (c) 단계를 거친 이후 형성된 인조 대리석을 경화 하는 단계이다. 이 때 경화 방법은 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 공지된 방법을 사용하면 된다. 예를 들면, 본 발명에서 상기 경화는 몰드 내부의 온도를 상온 내지 60℃의 범위로 유지한 상태로 수행할 수 있다. 상기 경화 온도는 목적하는 컴파운드 층의 두께 또는 사용되는 컴파운드의 양 등에 따라 적절히 변경될 수 있다.
상기 (e) 단계(S450)는 본 발명인 인조 대리석의 표면에 내스크래치성이나 내마모성 등의 표면 품질을 향상시키거나, 내오염성을 개선하도록 표면 처리하는 단계이다. 표면처리층의 형성 방법은 다양한 방법이 있다. 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트를 이용할 경우, 우레탄 아크릴레이트 UV 경화형 조성물을 커버 컴파운드 상에 도포하고, 자외선 조사를 통해 경화시켜 형성할 수 있다. 또한 열경화성의 왁스를 커버 컴파운드 층(1) 상에 도포하고 열풍 오븐을 통과하여 경화시켜 형성할 수 있다.
(실시예)
본 발명에 따른 인조 대리석 제조 방법을 통하여 하기와 같은 조성 및 중량비를 가지는 인조대리석을 제조하였다.
배열용 대칩의 조성 및 중량비
MMA 28.2 중량%, 필러 58.7 중량%, PMMA 11.3 중량%, EGDMA 0.7 중량%, 계면활성제(PM, n-DDM) 0.4, 중량% 탈포제(BYK-A515) 0.1 중량%, 안료 0.4 중량%, 중합개시제(Luperox 575, Luperox 10M70) 0.2 중량%
인조대리석의 조성 및 중량비
1)컴파운드층에 포함되는 조성
MMA 24.7 중량%, 필러 48.9 중량%, PMMA 8.3 중량%, EGDMA 0.5 중량%, 계면활성제(PM, n-DDM) 0.3 중량%, 기타 첨가제(BYK-A515, BYK-LPW67, UV흡수제, 안료, 중합개시제) 0.2 중량%, 입경이 0.1~3mm인 소칩 6.3 중량%, 투명칩 3. 8 중량%, 천연소재칩 1.8 중량%
2)대칩층에 포함되는 조성
배열용 대칩 5.2 중량%(칩의 입경이 3~10mm, 10~20mm, 20~40mm인 세가지 종류의 칩을 고르게 분산)
본 실시예에 의하여 제조된 인조대리석은 종래의 인조대리석과는 달리 입경이 매우 큰 대칩을 함유한다. 따라서, 본 발명에 따른 인조대리석은 자연석에 보다 유사한 미감을 지니고 다이나믹한 외관 및 큰 무늬패턴을 가질 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 이하에 기재되는 특허청구범위에 의해서 판단되어야 할 것이다.
1 : 커버 컴파운드 층
2 : 대칩이 배열된 대칩층
3 : 베이스 컴파운드 층
4 : 베이스 컴파운드 주입부
5 : 대칩 이송 컨베이어 벨트
6 : 커버 컴파운드 주입부
7 : 대칩 주입부

Claims (17)

  1. 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A) 10~30 중량%,
    아크릴계 수지를 포함하는 제1고분자수지(B) 20~50 중량%,
    인조대리석에 포함되는 필러(C) 30~60 중량% 및
    인조대리석에 포함되는 첨가제(D) 0.1~5 중량%를 포함하고,
    상기 제1고분자수지(B), 필러(C) 및 첨가제(D)를 포함하는 컴파운드로 형성되는 베이스 컴파운드층;,
    상기 베이스 컴파운드층 상부에 상기 칩 혼합물(A)을 포함하는 칩들이 배열되어 형성된 대칩층; 및
    상기 제1고분자수지(B), 필러(C) 및 첨가제(D)를 포함하는 컴파운드로 형성되며, 상기 대칩층을 커버하며 형성된 커버컴파운드층;을 포함하는 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A)은
    입경이 0.1~3mm인 소칩군, 입경이 3mm~40mm인 대칩군, 천연소재를 포함하는 천연소재칩군 및 투명칩군을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A)은
    상기 인조대리석 제조용 칩 혼합물(A) 100중량부를 기준으로 소칩군 20~60 중량부, 대칩군 20~60 중량부, 천연소재칩군 5~15 중량부 및 투명칩군 10~30 중량부로 이루어진 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 대칩군은
    상기 대칩군 100중량부를 기준으로 아크릴계 수지를 포함하는 제2고분자수지 25~55 중량부,
    필러(filler) 40~70 중량부,
    첨가제 0.1~5 중량부로 이루어진 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 대칩군은
    입경 3~10mm의 칩, 입경 10~20mm의 칩 및 입경 20~40mm의 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1고분자수지(B) 또는 제2고분자수지는
    MMA(methyl methacrylate), PMMA(polymethyl methacrylate) 및 EGDMA(ethylene glycol dimethylacrylate)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1고분자수지(B) 또는 상기 제2고분자수지는
    상기 제1고분자수지(B) 또는 상기 제2고분자수지 100중량부를 기준으로 MMA 50~80 중량부, PMMA 15~45 중량부 및 EGDMA 0.5~5 중량부로 이루어진 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 인조대리석에 포함되는 첨가제(D)는
    중합 개시제, 계면활성제, 안료, 탈포제 및 UV 흡수제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 첨가제는
    중합 개시제, 계면활성제, 안료 및 탈포제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
  10. (a) 몰드에 하나 이상의 고분자 및 첨가제를 포함하는 컴파운드를 주입하여 베이스 컴파운드 층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 베이스 컴파운드 층 위에 입경이 3mm 이상인 대칩을 배열하여 대칩층을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 대칩층 위에 하나 이상의 고분자 및 첨가제를 포함하는 컴파운드를 도포하여 커버 컴파운드 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    (d) 상기 인조대리석을 경화시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    (e) 상기 인조 대리석을 표면처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 베이스 컴파운드 층 또는 커버 컴파운드 층에 포함되는 상기 고분자는
    아크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 대칩은
    입경이 20~40 mm인 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 대칩은
    15 내지 20 mm 두께의 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 대칩은
    착색칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 (b) 단계는
    서로 인접하는 착색칩끼리 상이한 색을 가지도록 착색칩들을 배열하는 것을 특징으로 하는 인조 대리석 제조 방법.
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