KR100805636B1 - 깊이감과 반짝이는 효과를 연출하는 고비중화 광반사칩,이의 제조방법 및 이를 포함하는 인조대리석 - Google Patents

Abstract

본 발명은 깊이감과 반짝이는 효과를 연출하는 고비중화 광반사칩, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 인조대리석에 관한 것으로, 위로부터 이 칩이 적용될 인조대리석보다 큰 비중을 갖는 고비중층, 인조대리석보다 작은 비중을 갖는 저비중층 및 광반사 소재를 포함하는 광반사층으로 이루어진 인조대리석용 고비중화 광반사칩을 제공한다.

고비중화, 광반사, 칩, 인조대리석

Description

깊이감과 반짝이는 효과를 연출하는 고비중화 광반사칩, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 인조대리석{Light reflecting chip which relatively increases specific gravity for material with low specific gravity and displays deep and glittering effect, process for preparing the same, and artificial marble containing the same}

도 1은 본 발명에 따른 고비중화 광반사칩의 구조도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10: 고비중화 광반사칩

11: 고비중층

12: 저비중층

13: 광반사층

본 발명은 인조대리석용 칩 및 인조대리석에 관한 것으로, 특히 고비중화에 의해 저비중 소재를 칩 형태로 활용하고 깊이감 있는 광반사 효과를 연출하는 고비중화 광반사칩, 이 칩의 제조방법 및 이 칩을 적용한 인조대리석에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 저비중 소재만을 칩으로 사용할 경우 인조대리석 베이스 수지에 비해 상대적으로 비중이 낮아서 칩의 분포가 상하에 따라 전체적으로 고르지 못하기 때문에 고비중층을 그 칩에 사용하여 베이스 수지의 비중과 유사하게 만들어 칩 분포를 고르게 하는 인조대리석용 칩 및 인조대리석에 관한 것이다.

일반적으로 아크릴계 수지로 제조된 인조대리석은 천연대리석에 비해 화려한 외관 및 우수한 가공성, 경량에 비해 우수한 강도 등의 장점으로, 싱크대 또는 카운터 상판, 테이블 및 각종 인테리어에 적용되고 있으나, 일반적으로 알려진 불투명한 칩들의 구성으로는 천연대리석 또는 화강석에 비하여 고급스러운 패턴을 표현하기에는 한계가 있었다.

아크릴 및 불포화 폴리에스터계 인조대리석의 제조방법은 일반적으로 모노머로 사용되는 메틸메타크릴레이트와 고분자량인 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 불포화 폴리에스터(UPE)를 혼합한 시럽(syrup)에 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 실리카, 규소 등과 같이 비중을 갖는 무기충진제를 혼합한 컴파운드를 주성분으로 하고, 이에 개시제 및 가교제, 연쇄이동제, 커플링제 등의 첨가제와 안료 등을 혼합한 후 성형틀 또는 연속 스틸벨트에서 주형, 경화시켜 제조하는 것이다.

이때, 외관을 표현하는 수단으로는 안료 및 칩이라는 재료가 사용되며, 칩의 주성분은 인조대리석 제조시 통상적으로 사용되는 PMMA가 주로 사용되지만, 필요에 따라 투명도를 갖는 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS) 등의 열가소성 수지 또는 에폭시, 불포화 폴리에스터 등의 열경화성 수지가 사용되기도 한다. 여기에 각종 첨가제와 무안료 또는 한가지 이상의 안료를 투입하여 통상적으로 인조대리석 제조 시와 유사 또는 동일 공정으로 평판을 제조한 후 이를 다양한 크기로 분쇄하여 칩을 제조한다.

현재까지 통상적으로 천연대리석 또는 실리카계 인조대리석(Engineered stone) 등의 제조시에 빛을 받으면 반사되는 반짝임 효과를 내기 위해서 투명층에 금속 코팅을 한 형태의 칩을 사용하는 것이 일반적이다. 그리고 투명층의 소재로는 유리가 주로 사용된다.

그러나, 아크릴계 및 UPE계 인조대리석에 적용할 경우 유리층의 주성분인 실리케이트(silicate)가 고비중이므로 대리석 표면에 집중적으로 분포되는 경향이 있고, 또한 실리케이트의 경도가 높기 때문에 연마가 어렵고, 가공이 힘들다는 단점으로 사용이 극히 제한적이다. 반대로 저비중 소재의 비중을 조절하기 위해서 무기충진제를 사용할 경우에는 그 소재에 관계없이 투명도가 극히 저하되는 단점으로 인해 고투명도 효과 구현에 제약이 크다.

또한, 광반사 효과(이하 반짝임 효과)를 표현하기 위해 펄(pearl), 금속, 유리 플레이크(glass flake) 등의 재료를 사용하여 칩을 제조하여도 이들이 인조대리석 제품 표면에 나타나기 때문에 깊이감을 구현하는 데에는 한계가 있다.

대한민국 특허공개 제2004-59913호에는 칩인칩을 사용한 것을 특징으로 하는 아크릴계 인조대리석이 개시되어 있으나, 이 인조대리석 또한 전체 조성물에서 무기충진제를 사용하여 투명도가 떨어짐은 물론, 반짝임 효과를 구성하는 재료도 제품의 표면에 위치하고 있어 깊이감을 구현하지는 못하고 있다.

대한민국 실용신안등록 제400814호에는 아크릴계 수지 시럽이 경화된 매트릭 스에 불포화 폴리에스터계 입자가 박혀 무늬용 마블칩을 형성하며, 상기 불포화 폴리에스터계 입자에는 반짝이 소재가 박혀 칩인칩을 형성하는 것을 특징으로 하는 인조대리석이 개시되어 있으나, 마블칩에 무기충진제를 사용하여 투명도가 떨어지고 반짝이 입자가 표면에 노출되어 깊이감이 떨어진다.

일본 특허공개 제2001-205750호에는 투명겔코트층과 인조대리석층과의 사이에 광택안료를 포함하는 중간층을 갖는 인조대리석 성형품이 개시되어 있으나, 이 발명은 인조대리석 표면에 광택층과 투명층을 단순히 코팅한 것일 뿐, 본 발명과 같이 칩 형태로서 고비중화에 의한 저비중 소재의 활용과는 관련이 없다.

일본 특허등록 제3648592호에는 비중과 모양을 다르게 만든 여러 종류의 칩을 적용한 인조대리석이 개시되어 있으나, 본 발명과 같은 고비중화에 의한 저비중 소재의 활용, 광반사 효과와는 관련이 없다.

본 발명의 목적은 저비중 소재를 인조대리석에 적용하기 위한 것이다.

본 발명의 다른 목적은 인조대리석에 반짝임 효과를 부여하되 깊이감 있는 광반사 효과를 부여하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 저비중의 투명 소재를 인조대리석에 적용시키기 위해 고비중층을 이용함으로써, 깊이감과 광반사 효과를 연출할 수 있는 재료가 적용된 저비중 소재를 인조대리석에 칩으로 사용할 수 있도록 하는 데에 있어서 가장 주요한 문제인 비중을 조절하는 것이다.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 위로부터 본 발명의 고비중화 광반사칩이 적용될 인조대리석보다 큰 비중을 갖는 고비중층, 인조대리석보다 작은 비중을 갖는 저비중층 및 광반사 소재를 포함하는 광반사층으로 이루어진 인조대리석용 고비중화 광반사칩을 제공한다.

본 발명은 저비중의 투명층에 금속 재료를 전사 또는 증착하거나 펄, 유리 플레이크 등으로 코팅하여 반짝임 효과를 낼 수 있도록 고안된 칩을 제조한 후, 고비중의 무기물을 함유한 비중 조정층과 일체화함으로써 이 칩이 적용될 인조대리석과 비중 차이가 나는 단점을 해결한 것을 특징으로 한다.

본 발명에서 고비중화 광반사칩의 비중은 이 칩이 적용되는 인조대리석 원료 조성물의 비중과 같거나 그 비중차가 ±0.5 이하, 바람직하게는 ±0.2 이하인 것이 바람직하다.

본 발명은 고비중화 광반사칩과 이 칩이 적용되는 인조대리석 원료 조성물과의 비중차를 최소화한 것을 특징으로 하며, 고비중화 광반사칩과 원료 조성물 사이의 비중차가 없는 것, 즉 비중이 동일하거나, 그 비중차가 0.2 이하일 경우 칩 분리현상이 발생하지 않는다.

본 발명자는 천연석에 포함된 석영 및 고순도의 실리카와 같은 투명성을 재현하여 무늬 및 색상에 있어서 천연석에 근접한 인조대리석을 제조하고자, 인조대리석 원료에 아크릴 수지와 같은 투명한 저비중 소재를 도입하였으나, 저비중 소재의 투명성을 확보하기 위하여 충진제를 첨가하지 않음에 따라, 저비중 소재를 칩 형태로 인조대리석에 적용할 때 비중 차에 의하여 칩의 분리현상이 발생하였다.

구체적으로 설명하면, 일반적으로 고분자 수지는 비중 1.5 이하의 저비중 소재이며, 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 투명한 아크릴 수지의 비중은 대략 1.17 내지 1.20 정도이다. 그러나, 인조대리석 원료 조성물의 비중은 일반적으로 1.4 내지 1.8 정도이다.

이와 같이 투명수지와 인조대리석 원료 조성물의 비중차가 존재함에 따라, 이러한 수지로 투명칩을 제조하여 인조대리석에 적용할 때 투명칩의 분리현상이 발생한다. 현재로서는 고비중(1.5 이상)의 투명 고분자가 없어서 고분자 수지만으로 제조된 투명칩을 적용한 인조대리석 제품이 없는 실정이다.

본 발명에서는 투명한 저비중 소재를 상대적으로 고비중화시켜 저비중 소재를 포함하는 칩과 인조대리석 원료 조성물 사이의 비중차를 최소화시킴으로써, 투명한 저비중 소재의 분리현상 없이 천연 석영과 같은 효과를 연출할 수 있다.

본 발명에서 고비중화 광반사칩의 전체 비중은 인조대리석 원료 조성물의 비중과 유사한 1.0 내지 2.0, 특히 1.4 내지 1.8인 것이 바람직하다. 고비중화 광반사칩의 비중이 상기 범위에 이르도록 고비중층의 비중은 2.0 내지 10, 특히 2.0 내지 8.0인 것이 바람직하다. 저비중층의 비중은 0.1 내지 1.5이며, 통상 1.5 이하이다.

본 발명에서 저비중층은 광투과율이 70 내지 100%, 바람직하게는 95% 이상인 투명층인 것이 바람직하다. 기존의 칩들은 수산화 알루미늄과 같은 충진제를 함유하여 광투과율이 60% 이하인 반투명칩이었다. 동일한 광투과율이라도 두께를 조절함으로써 투명효과를 증대시킬 수 있다.

본 발명에서 고안한 칩에 사용되는 베이스 수지는 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 에폭시계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(SMMA: styrene-methylmethacrylate copolymer) 수지 등이며, 아크릴 수지(PMMA), 폴리에스터 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등과 같은 투명한 고분자 수지가 바람직하며, 특히 저비중층은 아크릴계를 베이스 수지로 하는 투명 아크릴 칩인 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 고비중층을 도입함에 의해 광투과율 및 전반적인 물성이 우수한 투명 아크릴 칩을 직접 적용할 수 있음에 따라, 천연 석영칩 효과의 연출을 통한 천연 리얼리티를 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 비중차로 인하여 적용이 불가능하였던 캐스팅 공법 및 연마와 같은 후공정 등 통상적으로 인조대리석 제조에 응용되는 모든 공법의 적용이 가능하다.

본 발명에서 고비중층은 저비중층의 비중 조절을 위하여 충진제를 포함하며, 적절한 충진제로서 바륨, 경탄, 석분, 실리카, 이산화티탄, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 금속분말, 금속염 등을 사용할 수 있다. 충진제의 비중은 적어도 2.0 이상이어야 하며, 바람직한 충진제의 비중 범위는 4.0 내지 10이다. 사용량 대비 비중 조절효과를 높이려면 고비중 충진제를 사용하는 것이 유리하다.

본 발명에서 광반사층에 사용되는 광반사 소재는 금속, 비금속, 펄, 유리 플레이크 등이며, 금속의 경우 전사 또는 증착에 의해 도입되고, 펄이나 유리 플레이크의 경우 수지를 매개로 하여 첨가물로서 도입한다.

본 발명에 따라 투명한 저비중층의 하부에 금속, 펄, 유리 플레이크 등을 적용할 경우, 투명한 저비중층의 두께에 해당하는 깊이감이 형성되기 때문에, 표면층에만 표현되었던 기존의 광반사 효과보다 고급스러운 광반사 효과를 연출할 수 있다.

본 발명에서 고비중화 광반사칩의 형상은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 원통형 또는 사면체, 육면체 또는 그 이상의 다면체일 수 있으며, 육면체 이상의 형태가 일반적이다.

본 발명에서 외관효과 및 성형성 등을 고려하여 고비중화 광반사칩의 크기는 2 내지 20 ㎜ 이며, 고비중화 광반사칩의 투입량은 인조대리석 총량 대비 0.1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 인조대리석보다 낮은 비중을 갖는 저비중층용 평판을 제조하는 단계; 저비중층용 평판의 상부에 인조대리석보다 큰 비중을 갖는 고비중층용 평판을 형성하는 단계; 저비중층용 평판의 하부에 광반사층용 평판을 형성하는 단계; 및 적층된 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에서 고비중층용 평판에 첨가되는 충진제의 비중 및 첨가량을 조절함으로써, 인조대리석 원료 조성물의 비중과 동일하거나 근접하도록 고비중화 광반사칩의 비중을 조절할 수 있다.

본 발명에서 각 평판의 경화방법은 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이터(vibrator)법, UV경화법 등이 적용 가능하며, 광반사층용 평판의 경우 금속 소재 를 전사 또는 증착시켜 형성하거나, 베이스 수지에 펄, 유리 플레이크 또는 이들의 혼합물을 첨가한 후 코팅하여 형성할 수 있다.

또한, 본 발명은 고비중화 광반사칩을 적용한 인조대리석을 제공한다.

본 발명은 투명한 저비중층의 내면에 반사 효과를 갖는 칩을 제공하며, 이 칩을 인조대리석에 적용함으로써 보다 자연석에 가까운 외관을 달성할 수 있다.

본 발명은 칩 제조를 위해 투명도를 떨어뜨리는 무기충진제를 배제하고 저비중의 고투명성 소재를 활용함과 동시에, 반짝임 효과를 발현하는 펄, 유리 플레이크, 금속 등 반사 효과를 구현할 수 있는 모든 재료를 사용 가능함으로써 유리와 거의 동일한 투명도와 깊이감, 반짝임 효과 등을 구현할 수 있는 고급 인조대리석을 제공할 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 고비중화 광반사칩의 구조도로서, 본 발명에 따른 고비중화 광반사칩(10)은 위로부터 고비중층(11), 저비중층(12) 및 광반사층(13)으로 구성되어 있다.

고비중화 광반사칩(10)의 형상은 도면에 도시된 육면체 형태가 적절하나, 이에 제한되지 않고 원통형, 사면체 또는 그 이상의 다면체도 가능하며, 또한 규칙적이거나 불규칙적일 수 있다.

고비중화 광반사칩(10)의 적층구조는 도면에 도시된 바와 같이 고비중층(11), 저비중층(12) 및 광반사층(13)으로 구성됨이 바람직하다. 광반사층(13)이 고비중층(11)의 상부에 형성될 수 있으나, 인조대리석에 적용할 경우 광반사층(13) 이 대리석 제품 표면에 노출되기 때문에, 투명한 저비중층(12)에 의한 깊이감의 부여가 불가능하고 광반사 소재의 안정성과 오염 측면에서도 부적절하다. 광반사층(13)이 중간층으로 구성될 수도 있으나, 이 경우 불투명한 고비중층(11)에 의해 광반사 효과가 떨어지게 된다.

본 발명에 따른 고비중화 광반사칩(10)의 제조공정은 고비중층(11)용 평판의 제조공정, 저비중층(12)용 평판의 제조공정, 광반사층(13)용 평판의 제조공정으로 이루어지고, 각 평판의 제조 및 적층 순서는 특별히 제한되지 않으며, 고비중층용 평판부터이든 광반사층용 평판부터이든 상관없이 공정에 있어서의 우선순위 없이 세 층을 구성한다.

칩 제조용 평판은 중합 가능한 수지 및 무기물 등을 혼합한 컴파운드를 경화시킴으로써 얻어지며, 저비중층(12)용 평판의 경우 무기충진제가 배제된다.

저비중층(12)용 평판은 저비중 소재(비중 0.2 내지 2.0)를 사용하여 평판 형태로 경화시켜 제조한다. 저비중 소재로는 일반적인 투명 수지라면 모두 사용이 가능하나, 물성 및 효과를 고려하여 고투명성 수지인 PMMA, PC, UPE 등의 고분자 수지가 적당하다.　아울러 투명 평판은 그 제조방식에 구애 받지 아니한다.

투명수지를 저비중층(12)으로 사용할 경우 비중이 인조대리석의 베이스와 차이가 커서 경화 시 제품 이면(스틸벨트를 기준으로 이와 접촉하는 면이 제품 표면이 되고 그 반대쪽으로 공기와 접촉하는 면이 이면이 됨)으로 부상하여 실제 제품면에서는 그 효과가 크게 제한된다는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해서 저비중층(12)용 평판을 고비중 필러를 사용한 고비중층(11)과 일체화시킨다.

고비중층(11)용 평판은 베이스 수지 시럽 100 중량부에 대하여 무기 충진제 10 내지 1,000 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 10 중량부를 포함하는 슬러리를 사용하여 평판 형태로 경화시켜 제조한다.

고비중중층(11)에 사용되는 무기충진제는 바륨, 경탄, 석분, 실리카 분말 등의 고비중(비중 2.0 이상)을 가진 소재이다.

고비중층(11) 및 저비중층(12)은 2층 이상의 다층으로 구성할 수도 있으며, 각 평판의 경화방법은 일반적으로 사용되고 있는 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이터법, UV경화법 등 통상적으로 인조대리석 제조시 이용되는 모든 공법이 적용 가능하다.

광반사층(13)은 경화된 저비중층(12)용 평판에 반짝임 또는 반사 효과를 연출할 수 있는 소재를 적용하여 형성한다. 코팅할 경우 펄, 유리 플레이크 등을 수지성분과 함께 섞어 얇게 코팅한 후 경화시키며, 금속성분의 전사 또는 증착 등 이와 유사한 효과를 연출할 수 있는 모든 재료를 이용하여 형성할 수도 있다.

각 평판의 제조 및 적층이 완료되면 적층된 평판을 분쇄하여 고비중화 광반사칩(10)을 제조하며, 고비중화 광반사칩의 적용 크기에 따라 분쇄시 고비중층(11)과 저비중층(12)이 박리되지 않도록 저비중층(12)의 두께와 고비중층(11)의 두께를 조절할 수 있다.

이 세 가지 층이 혼합 작용을 하여 인조대리석 제품 내에서 깊이감, 반짝임, 비중 해결 등의 작용을 하게 된다.

본 발명의 고비중화 광반사칩은 투명한 저비중 소재를 활용한 것으로, 무기충진제를 포함하지 않고 고투명성을 갖는 저비중 소재로만 구성되어 저비중층 자체가 고투명성을 유지할 수 있고, 또한 그 내부에 광반사 효과를 발현하는 소재를 채택함으로써 고투명성, 깊이감, 반짝임 효과 등이 어우러져 전체적으로 고급스러운 외관 효과를 보인다.

[실시예]

아크릴 수지(비중: 1.19, 광투과율: 95%)를 사용하여 투명한 저비중층용 평판을 제조한 후, 이 투명 평판 위에 아크릴계 수지 100 중량부, 고비중의 충진제인 황산 바륨(비중 4.499) 150 중량부를 포함하는 슬러리를 사용하여 고비중층용 평판(비중 3.175)을 형성한 다음, 투명 평판 아래에 펄을 사용하여 광반사층용 평판을 형성한 후, 적층물을 분쇄하여 고비중화 광반사칩을 제조하였다.

이와 같이 제조된 고비중화 광반사칩의 비중은 1.6이었으며, 인조대리석 제조시 투입하여(투입량 20 wt%) 비중 차(±0.2)에 의한 층분리가 없이 양호한 제품을 얻을 수 있었다.

본 발명에서는 고투명한 저비중 소재를 사용함과 동시에 그 내면에 반짝임 효과를 연출할 수 있는 재료를 사용하기 때문에, 투명 깊이감을 얻는 동시에 고급스러운 반짝이는 효과를 얻을 수 있다. 그리고 캐스팅, 프레싱 등의 기존 공법을 그대로 이용 가능하므로 별다른 추가 설비를 요하지 않는다. 이 보다 더 주요한 효과는 인조대리석을 제조함에 있어서 가장 중요한 문제 중 하나인 제품 컴파운드와 칩의 비중차를 해결할 수 있다는 것이다. 보통 아크릴계 또는 UPE계 수지와 같은 저비중 소재는 인조대리석 제조를 위한 컴파운드의 비중보다 낮기 때문에 원하는 패턴을 얻을 수 없었으나, 본 발명의 방법으로는 칩의 비중을 제품 컴파운드의 그것과 비슷한 값으로 맞출 수 있어서 원하는 외관효과를 구현할 수 있다.

Claims (17)

1. 위로부터 고비중화 광반사칩이 적용될 인조대리석보다 큰 비중을 갖는 고비중층, 인조대리석보다 작은 비중을 갖는 저비중층 및 광반사 소재를 포함하는 광반사층으로 이루어진 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
2. 제1항에 있어서, 고비중화 광반사칩의 비중이 이 칩이 적용되는 인조대리석 원료 조성물의 비중과 같거나 그 비중차가 ±0.5 이하인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
3. 제1항에 있어서, 고비중화 광반사칩의 전체 비중이 1.0 내지 2.0인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
4. 제1항에 있어서, 고비중층의 비중이 2.0 내지 10인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
5. 제1항에 있어서, 저비중층의 비중이 0.1 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
6. 제1항에 있어서, 저비중층이 70 내지 100%의 광투과율을 갖는 투명층인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
7. 제1항에 있어서, 고비중층 및 저비중층에 사용되는 베이스 수지가 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 에폭시계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(SMMA) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
8. 제1항에 있어서, 저비중층이 아크릴계 수지 또는 불포화 폴리에스터계 수지를 베이스 수지로 하는 투명층인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
9. 제1항에 있어서, 고비중층이 2.0 내지 10 이상의 비중인 충진제를 포함하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
10. 제9항에 있어서, 충진제가 바륨, 경탄, 석분, 실리카, 이산화티탄, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 금속분말, 금속염 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
11. 제1항에 있어서, 광반사 소재가 금속, 비금속, 펄(pearl), 유리 플레이 크(glass flake) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩.
12. 인조대리석보다 낮은 비중을 갖는 저비중층용 평판을 제조하는 단계;

    저비중층용 평판의 상부에 인조대리석보다 큰 비중을 갖는 고비중층용 평판을 형성하는 단계;

    저비중층용 평판의 하부에 광반사층용 평판을 형성하는 단계; 및

    적층된 평판을 분쇄하는 단계를 포함하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩의 제조방법.
13. 제12항에 있어서, 고비중층용 평판에 첨가되는 충진제의 비중을 2.0 내지 10의 범위에서 그리고 충진제의 첨가량을 베이스 수지 시럽 100 중량부에 대하여 10 내지 1,000 중량부의 범위에서 조절함으로써, 고비중화 광반사칩의 비중이 베이스수지시럽, 무기충진제, 가교제 및 중합개시제를 포함하는 인조대리석 원료 조성물의 비중과 같거나 그 비중차가 ±0.5 이하가 되도록 고비중화 광반사칩의 비중을 조절하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩의 제조방법.
14. 제12항에 있어서, 각 평판의 경화방법이 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이터(vibrator)법 또는 UV경화법인 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩의 제조방법.
15. 제12항에 있어서, 광반사층용 평판을 금속 소재를 전사 또는 증착시켜 형성 하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩의 제조방법.
16. 제12항에 있어서, 광반사층용 평판을 베이스 수지에 펄, 유리 플레이크 또는 이들의 혼합물을 첨가한 후 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 인조대리석용 고비중화 광반사칩의 제조방법.
17. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 고비중화 광반사칩을 베이스수지시럽, 무기충진제, 가교제 및 중합개시제를 포함하는 인조대리석 원료 조성물에 투입한 후 평판 형태로 경화시켜 제조한 인조대리석.

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