KR100879444B1 - 고비중 소재를 칩으로 이용하여 천연석 질감을 구현한인조대리석 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고비중 소재를 인조대리석용 칩으로 사용하여 천연석의 질감을 구현한 인조대리석 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 고비중 소재를 저비중의 고분자 수지로 캐스팅하거나 층화하여 평판을 제조하고 이를 분쇄하여 칩으로 사용함으로써 기존에는 상분리 현상 때문에 적용 불가능했던 고비중 소재를 인조대리석에 적용하여 천연대리석의 질감과 현저히 흡사한 외관효과를 구현할 수 있다.

저비중화, 고비중 소재, 칩, 인조대리석

Description

고비중 소재를 칩으로 이용하여 천연석 질감을 구현한 인조대리석 및 이의 제조방법{Artificial marble using high specific gravity material as chip and process for preparing the same}

도 1은 본 발명에 따른 저비중화 칩의 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 층화에 의해 제조한 저비중화 칩용 평판의 단면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라 캐스팅에 의해 제조한 저비중화 칩용 평판 반제품의 단면도이다.

도 4는 도 3의 평판 반제품으로부터 제조한 저비중화 칩용 평판의 단면도이다.

도 5는 본 발명에 따른 저비중화 칩을 적용한 인조대리석의 단면도이다.

도 6은 도 5의 인조대리석을 샌딩한 후의 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 인조대리석

1a: 바탕 영역

10: 저비중화 칩

11a, 11b, 31a, 31b, 41a, 41b: 저비중 영역

12, 32, 42: 고비중 영역

20: 단색칩

30, 40: 저비중화 칩용 평판

본 발명은 고비중 소재를 인조대리석용 칩으로 사용하여 천연석의 질감을 구현한 인조대리석 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고비중 소재를 저비중의 고분자 수지로 코팅하거나 층화하여 평판을 제조하고 이를 분쇄하여 칩으로 사용함으로써 기존에 적용 불가능했던 고비중 소재를 인조대리석에 적용하여 천연석의 질감과 현저히 흡사한 인조대리석 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

인조대리석은 천연 석분이나 광물을 아크릴, 불포화 폴리에스터, 에폭시 등의 수지성분이나 시멘트와 배합하고 안료 및 첨가제 등을 첨가하여 천연석의 질감을 구현한 인조 합성체를 통칭하며, 대표적으로는 아크릴계 인조대리석, 폴리에스터계 인조대리석, 엔지니어드 스톤(Engineered stone)계 인조대리석 등을 들 수 있다.

여기서 엔지니어드 스톤이란 천연 석분과 석영, 유리, 거울, 수산화 알루미늄 등을 주재료로 하고 15 중량% 이하의 수지를 사용하여 만든 인조대리석을 말하며, 이하 E-stone이라고 명명한다.

종래의 인조대리석 제품은 단색의 제품이거나 몇가지 유색칩만을 사용한 단 순한 외관을 갖고 있어 천연대리석의 외관을 모방하는 인조대리석을 개발하기 위한 많은 연구가 진행되어 왔다.

금속 분말, 석분 등의 고비중 소재는 단독으로 사용시 비중차에 의해 슬러리의 아래쪽으로 가라앉게 되며 이로 인해 배합시에 배합기 아래부분으로 가라앉아 기존 칩과의 분리현상이 발생하여 균일한 제품의 패턴 재현이 불가능 하였다. 또한 금속 분말이나 석분이 모두 가라앉기 때문에 칩몰림 현상이 존재하며, 기존 칩들의 효과구현을 저해하여 자연스러운 느낌이 상실된다.

일본 특허등록 제3648592호에는 비중과 모양을 다르게 만든 여러 종류의 칩을 적용한 인조대리석이 개시되어 있으나, 본 발명에서 개시하는 저비중화에 의한 고비중 소재의 활용과는 관련이 없다.

일본 특허공개 제1999-39852호에는 경화성 수지액과 무기물 충전제와 제1입자로 구성되는 제1혼화물을 성형틀에 주형한 후, 이 위에 경화성 수지액과 무기물 충전제와 상기 제1혼화물의 경화성 수지액과 무기물 충전제로 정해지는 매트릭스 화합물의 비중보다도 비중이 높은 제2입자로 구성되는 제2혼화물을 유입하고 경화시키는 것을 특징으로 하는 인공 대리석의 제법이 개시되어 있으나, 이 발명의 경우 무거운 제2입자의 침강에 의해 외관을 표현한 것으로, 본 발명에서 개시하는 저비중화에 의한 고비중 소재의 활용과는 관련이 없다.

일본 특허공개 제2004-175613호에는 열경화성 수지에 충전제, 병재, 내부 이형제, 경화제 등의 첨가물을 배합하고 얻어지는 수지 조성물로, 이것을 주형 공금형으로 주입하고 성형 경화시키는 것에 의하여 인조 대리석을 제조하는데 이용하는 인조 대리석용의 수지 조성물이고, 병재를 제외한 인조 대리석용의 수지 조성물의 비중과 비교하여 비중이 높은 고비중의 병재를 첨가 배합한 것을 특징으로 하는 인조 대리석용의 수지 조성물이 개시되어 있으나, 이 발명의 경우 칩의 첨가량을 적게 하기 위해 고비중의 칩을 사용한 것으로, 본 발명에서 개시하는 저비중화에 의한 고비중 소재의 활용과는 관련이 없다.

본 발명의 목적은 천연대리석의 질감을 갖게 할 수 있는 다양한 고비중 소재를 인조대리석에 활용하되, 비중 차이를 극복하여 비중이 낮은 기존 칩과 유사한 채로 인조대리석에 칩으로 적용함으로써 기존 칩과의 분리현상을 없애고, 아울러 기존 인조대리석과 동일하게 표면(스틸벨트를 기준으로 이와 접촉하는 면이 제품 표면이 되고 그 반대쪽으로 공기와 접촉하는 면이 이면이 됨)을 제품면으로 사용함으로써 그 물성이 안정적이고, 현저한 천연대리석의 질감의 구현이 가능한 인조대리석 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 바탕 영역과 칩으로 구성되는 인조대리석에 있어서, 상기 칩으로서 바탕 영역의 비중보다 큰 고비중 소재를 사용하되 바탕 영역의 비중보다 작은 저비중 소재를 이용하여 비중을 낮춘 저비중화 칩을 포함하며, 상기 저비중화 칩이 고비중 소재를 포함하여 바탕 영역의 비중보다 큰 고비중 영역 및 저비중 소재로 구성되어 바탕 영역의 비중보다 작은 저비중 영역으로 이루어지되, 고비중 영역을 중심으로 저비중 영역이 상하로 구성되는 샌드위치 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 인조대리석을 제공한다.

본 발명에서 샌드위치 구조를 채택한 이유는 고비중 소재를 보호하고 깊이감 있는 외관효과를 부여하기 위함이다.

본 발명에서 저비중 영역은 보호층(내오염성, 내화학성), 비중조절층, 가공성 향상층, 외관 개선층 등의 역할을 한다. 구체적으로, 저비중 영역은 첫째 고비중 소재에 대한 비중을 낮추어 주는 비중조절층이고, 둘째 금속 등의 고비중 소재가 표면에 노출될 경우 발생할 수 있는 산화 및 오염 문제를 방지하는 보호층이며, 셋째 저비중 영역이 투명하고 고비중 소재가 금속일 경우 깊이감 있는 광반사효과를 연출하는 외관개선층이고, 넷째 주로 고분자 수지로 이루어져 샌딩 등을 용이하게 하는 가공성 향상층이다.

본 발명은 저비중의 고분자 수지(비중 2.0 이하)를 사용하여 고비중 소재(비중 2.0 이상)에 대한 비중을 낮춰 기존 인조대리석 칩과 유사한 새로운 형태의 칩(이하 저비중화 칩이라고 명명함)을 포함하는 인조대리석에 관한 것이다.

본 발명에서 저비중화 칩은 고비중 소재인 금속 분말, 석분 등을 기존 인조대리석에 적용하기 위하여, 저비중의 고분자 수지를 사용하여 캐스팅법으로 표면을 코팅하거나 층화하여 비중을 기존 칩과 유사하게 조절한 칩을 말한다.

본 발명에서는 캐스팅 또는 층화 방법을 사용하여 고비중 소재의 비중을 낮게 만들며, 구체적으로는 고비중 소재를 포함하는 고비중 영역을 저비중의 고분자 수지로 코팅하거나 층화함으로써, 고비중 소재를 상대적으로 저비중화시켜 이 저비중화 칩이 적용될 인조대리석과 비중 차이가 나는 단점을 해결할 수 있다.

본 발명에서 저비중화 칩의 비중은 이 칩이 적용되는 인조대리석 원료 조성물(바탕 영역)의 비중과 같거나 그 비중차가 ±0.2 이하인 것이 바람직하다.

본 발명은 저비중화 칩과 이 칩이 적용되는 인조대리석 원료 조성물과의 비중차를 최소화한 것을 특징으로 하며, 저비중화 칩과 원료 조성물 사이의 비중차가 없는 것, 즉 비중이 동일하거나, 그 비중차가 0.2 이하일 경우 칩 분리현상이 발생하지 않는다.

본 발명자는 천연석의 패턴과 광반사 효과 등을 재현하여 무늬 및 색상에 있어서 천연석에 근접한 인조대리석을 제조하고자, 인조대리석 원료에 금속, 석분과 같은 고비중 소재를 도입하였으나, 고비중 소재를 칩 형태로 인조대리석에 적용할 때 비중차이에 의하여 칩의 분리현상 및 몰림현상이 발생하였다.

구체적으로 설명하면, 일반적으로 금속이나 석분은 비중 2.0 이상의 고비중 소재이나, 인조대리석 원료 조성물의 비중은 일반적으로 1.4 내지 1.8 정도이다.

이와 같이 고비중 소재와 인조대리석 원료 조성물의 비중차가 존재함에 따라, 고비중 소재로 칩을 제조하여 인조대리석에 적용할 때 칩의 분리현상 및 몰림현상이 발생한다.

본 발명에서는 고비중 소재를 상대적으로 저비중화시켜 고비중 소재를 포함하는 칩과 인조대리석 원료 조성물 사이의 비중차를 최소화시킴으로써, 고비중 소재의 분리현상 및 칩 몰림현상없이 천연석과 같은 효과를 연출할 수 있다.

본 발명에서 저비중화 칩의 전체 비중은 인조대리석 원료 조성물의 비중과 유사한 1.3 내지 2.0, 특히 1.6 내지 1.8인 것이 바람직하다. 저비중화 칩의 비중 이 상기 범위에 이르도록 저비중 영역의 비중은 0.2 내지 2.0이며, 특히 1.5 이하가 바람직하다. 고비중 영역의 비중은 1.5 내지 10, 통상 2.0 내지 8.0이다.

본 발명에서 저비중 영역은 광투과율이 70 내지 100%, 바람직하게는 95% 이상인 투명층인 것이 바람직하다. 기존의 칩들은 수산화 알루미늄과 같은 충진제를 함유하여 광투과율이 60% 이하인 반투명칩이었다. 동일한 광투과율이라도 두께를 조절함으로써 투명효과를 증대시킬 수 있다.

본 발명에서 저비중 영역에 사용되는 베이스 수지는 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 에폭시계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(SMMA: styrene-methylmethacrylate copolymer) 수지 등이며, 아크릴 수지(PMMA), 폴리에스터 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등과 같은 투명한 고분자 수지가 바람직하며, 특히 저비중 영역은 아크릴 수지를 베이스 수지로 하는 투명 아크릴층인 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 저비중 영역을 도입함에 의해 광반사 효과, 천연석 효과를 연출하는 고비중 소재를 직접 적용할 수 있음에 따라, 천연석 효과의 연출을 통한 천연 리얼리티를 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 비중차로 인하여 적용이 불가능하였던 캐스팅 공법 및 연마와 같은 후공정의 적용이 가능하다.

본 발명에서 고비중 소재로는 금속 분말, 석분 등을 사용할 수 있으며, 이러한 소재를 사용함에 따라 광반사 효과, 천역석 외관을 연출할 수 있다.

본 발명에서 외관효과 및 성형성 등을 고려하여 저비중화 칩의 크기는 0.5 내지 20 ㎜, 저비중화 칩의 투입량은 인조대리석 원료 조성물 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 100 중량부인 것이 바람직하다.

본 발명의 인조대리석은 아크릴계 인조대리석, 불포화 폴리에스터계 인조대리석, 또는 천연석, 석영, 유리, 거울, 무기충전물 등을 주원료로 하고 베이스 수지 시럽을 인조대리석 전체 중량에 대하여 15 중량% 이하로 사용하여 제작하는 엔지니어드 스톤계 인조대리석일 수 있다.

또한, 본 발명은 저비중화 칩을 적용한 인조대리석의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법은 캐스팅 방법으로서, 인조대리석보다 작은 비중을 갖는 저비중 영역용 조성물에 고비중 소재를 혼합하는 단계; 혼합물을 1차로 경화시킨 후 고비중 소재가 침강한 면에 저비중 영역용 조성물을 도포하고 2차로 경화시키는 단계; 경화된 평판을 분쇄하여 저비중화 칩을 제조하는 단계; 및 저비중화 칩을 인조대리석에 적용하는 단계를 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 제조방법은 층화 방법으로서, 인조대리석보다 작은 비중을 갖는 저비중 영역용 평판을 제조하는 단계; 저비중 영역용 평판 상부에 고비중 영역용 칩 또는 평판을 적층하는 단계; 고비중 영역용 칩 또는 평판 상부에 저비중 영역용 평판을 적층하는 단계; 적층물을 분쇄하여 저비중화 칩을 제조하는 단계; 및 저비중화 칩을 인조대리석에 적용하는 단계를 포함한다.

본 발명에서 저비중화 칩은 상기와 같이 캐스팅 및 층화 방법으로 제조될 수 있으나, 제조방법이 상이하더라도 최종적인 칩의 구조는 샌드위치 구조를 이룬다. 이는 캐스팅 방법에 의해 평판을 제조하더라도 고비중 소재가 무거워 평판 하부로 가라앉게 되고, 이 평판을 뒤집어 고비중 소재가 침강한 쪽으로 저비중 영역을 부가적으로 형성하게 되면, 결국 층화 방법에 의한 것과 동일한 샌드위치 구조가 되기 때문이다.

본 발명에서 저비중 영역용 조성물의 비중 또는 저비중 영역의 두께를 조절함으로써, 인조대리석 원료 조성물의 비중과 동일하거나 근접하도록 저비중화 칩의 비중을 조절할 수 있다.

본 발명에서 각 평판의 경화방법은 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이터(vibrator)법, UV경화법 등이 적용 가능하다.

본 발명에 따라 금속 소재 등 인조대리석 제조 슬러리보다 비중이 높은 소재를 적용함으로써 매우 다양한 소재를 인조대리석에 적용할 수 있으며, 이에 따라 천연대리석의 질감과 현저히 흡사한 외관효과를 구현할 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 저비중화 칩의 단면도로서, 이 저비중화 칩(10)은 고비중 영역(12)을 중심으로 저비중 영역(11a, 11b)이 상하로 구성되는 샌드위치 구조를 가진다. 저비중화 칩(10)의 형상은 특별히 제한되지 않고 예를 들어 육면체, 원통형 등이 가능하고, 또한 규칙적이거나 불규칙적일 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 층화에 의해 제조한 저비중화 칩용 평판의 단면도로서, 이 저비중화 칩용 평판(30)은 고비중 영역(32)을 중심으로 저비중 영역(31a, 31b)이 상하로 구성되는 샌드위치 구조를 가진다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라 캐스팅에 의해 제조한 저비중화 칩용 평판 반제품의 단면도로서, 고비중 소재가 무거워서 가라앉기 때문에 평판 하부에 고비중 영역(42)이 형성됨을 확인할 수 있다. 이때, 고비중 소재가 평판 하부에 편중되어 고비중 영역(42)이 형성되는 것이며, 고비중 영역(42)에 저비중 소재가 포함될 수 있고, 반대로 저비중 영역(41a)에 고비중 소재가 포함될 수도 있다.

도 4는 도 3의 평판 반제품으로부터 제조한 저비중화 칩용 평판의 단면도로서, 이 저비중화 칩용 평판(40)도 고비중 영역(42)을 중심으로 저비중 영역(41a, 41b)이 상하로 구성되는 샌드위치 구조를 가진다.

도 2와 도 4를 비교하여 보면, 저비중화 칩용 평판(30, 40)은 제조방법이 상이하더라도 최종적으로는 동일한 샌드위치 구조를 이룸을 확인할 수 있다.

도 5는 본 발명에 따른 저비중화 칩을 적용한 인조대리석의 단면도로서, 이 인조대리석(1)은 바탕 영역(1a)과 칩으로 구성되며, 칩은 본 발명에 따른 저비중화 칩(10) 및 일반 단색칩(20)으로 구성되어 있다.

저비중화 칩(10)은 바탕 영역(1a)의 비중보다 큰 고비중 소재를 사용하되 바탕 영역(1a)의 비중보다 작은 저비중 소재를 이용하여 비중을 낮춘 칩으로서, 고비중 소재를 포함하여 바탕 영역(1a)의 비중보다 큰 고비중 영역(12) 및 저비중 소재로 구성되어 바탕 영역(1a)의 비중보다 작은 저비중 영역(11)으로 이루어지되, 고비중 영역(12)을 중심으로 저비중 영역(11)이 상하로 구성되는 샌드위치 구조를 갖는다.

도 5에서 확인할 수 있듯이, 저비중화 칩(10)은 바탕 영역(1a)과 비중차이가 거의 없어서, 일반 단색칩(20)과의 분리현상이 없이 고르게 분포되어 있다. 실질적 으로는 저비중화 칩(10)의 비중이 바탕 영역(1a)보다 약간 높도록 제작함으로써, 저비중화 칩(10)을 표면 쪽으로 분포시키는 것이 외관 구현 및 제조 공정 측면에서 바람직하다.

도 6은 도 5의 인조대리석을 샌딩한 후의 단면도로서, 샌딩에 의해 저비중 영역(11)이 부분적으로 제거됨으로써, 투명한 저비중 소재 및 고비중 금속 소재에 의한 깊이감 있는 광반사 효과 등을 구현할 수 있다.

본 발명에 따른 인조대리석의 제조방법은 저비중화 칩의 제조공정 및 이를 이용한 인조대리석의 제조공정으로 구분되며, 저비중화 칩의 제조공정은 캐스팅 공정 및 층화 공정으로 구분된다.

첫째, 저비중 고분자 수지 코팅법(캐스팅법)을 사용하여 고비중 소재의 비중을 낮게 만들 수 있는데, 이 공정은 1차 경화공정, 2차 경화공정 및 분쇄공정으로 구성된다.

구체적으로, 아크릴계 수지 시럽, 불포화 폴리에스테르 시럽, SMMA 시럽 등의 베이스 수지 시럽 100 중량부에 대하여 무기 충진제 0 내지 150 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 5 중량부를 포함하는 저비중 슬러리에 고비중 소재를 칩 형태로 첨가하고 1차 경화한 후, 경화된 판재를 뒤집어서 고비중 소재가 편중된 면에 상기 저비중 슬러리를 도포하고 2차 경화한 다음, 이를 분쇄하여 저비중화 칩을 제조한다.

둘째, 저비중 층화법의 경우, 아크릴계 수지 시럽, 불포화 폴리에스테르 시럽, SMMA 시럽 등의 베이스 수지 시럽 100 중량부에 대하여 무기 충진제 0 내지 150 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 5 중량부를 포함하는 저비중 슬러리를 사용하여 저비중층을 형성한 후, 그 위에 고비중 소재를 판재나 칩 형태로 적층한 다음, 다시 저비중 슬러리로 적층하는 방식으로 평판을 제작한 후, 이를 분쇄하여 저비중화 칩을 제조한다.

상기 두 제조방법에 있어서, 경화방법은 일반적으로 사용되고 있는 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이터법, UV경화법 등이 적용 가능하며, 저비중화 칩의 원료로 사용되는 고분자 수지는 PMMA 수지, UPE 수지, SMMA 수지 등이다(비중 2.0 이하).

저비중화 칩은 고비중 소재와의 비중차이에 따라 저비중층의 두께가 고려되어야 하며, 무기 충진제를 소량 사용할 경우 크랙(crack)이 생기지 않도록 반응속도를 적절히 늦춰줄 필요가 있다.

이와 같이 제조한 저비중화 칩을 적용하여 인조대리석을 제조하고, 인조대리석 제조시 일반 단색칩을 혼용할 경우 도 5와 같은 패턴이 형성되며, 샌딩을 실시하면 도 6과 같은 패턴이 형성된다.

[실시예]

아크릴 수지(비중: 1.19, 광투과율: 95%) 150 중량부에 알루미늄(비중 2.7) 80 중량부를 첨가하고 캐스팅하여 평판 형태로 1차 경화시킨 후, 경화된 평판을 뒤집고 다시 아크릴 수지를 도포하여 2차 경화시킨 다음, 분쇄하여 저비중화 칩을 제조하였다.

이와 같이 제조된 저비중화 칩의 비중은 1.71이었으며, 인조대리석 제조시 투입하여(투입량 10 중량%) 비중 차이(±0.1)에 의한 층분리가 없이 양호한 제품을 얻을 수 있었다.

본 발명에 따라 금속 소재 등 인조대리석 제조 슬러리보다 비중이 높은 소재를 적용함으로써 매우 다양한 소재를 인조대리석에 적용할 수 있으며, 이에 따라 천연대리석의 질감과 현저히 흡사한 외관효과를 구현할 수 있다.

Claims (16)

1. 바탕 영역과 칩으로 구성되는 인조대리석에 있어서,

   상기 칩으로서 바탕 영역의 비중보다 큰 고비중 소재를 사용하되 바탕 영역의 비중보다 작은 저비중 소재를 이용하여 비중을 낮춘 저비중화 칩을 포함하며,

   상기 저비중화 칩이 고비중 소재를 포함하여 바탕 영역의 비중보다 큰 고비중 영역 및 저비중 소재로 구성되어 바탕 영역의 비중보다 작은 저비중 영역으로 이루어지고,

   상기 저비중화 칩이 고비중 영역을 중심으로 저비중 영역이 상하로 구성되는 샌드위치 구조를 가지며,

   저비중화 칩의 비중이 바탕 영역의 비중과 같거나 그 비중차가 ±0.2 이하인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서, 저비중화 칩의 전체 비중이 1.3 내지 2.0인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
4. 제1항에 있어서, 고비중 영역의 비중이 2.0 내지 10인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
5. 제1항에 있어서, 저비중 영역의 비중이 0.2 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
6. 제1항에 있어서, 저비중 영역이 70 내지 100%의 광투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 인조대리석.
7. 제1항에 있어서, 저비중 영역에 사용되는 베이스 수지가 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 에폭시계 수지, 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(SMMA) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
8. 제1항에 있어서, 저비중 영역이 아크릴 수지를 베이스 수지로 하는 투명 아크릴층인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
9. 제1항에 있어서, 고비중 소재가 금속 분말 또는 석분인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
10. 제1항에 있어서, 저비중화 칩의 크기가 0.5 내지 20 ㎜인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
11. 제1항에 있어서, 저비중화 칩의 투입량이 인조대리석 원료 조성물 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 100 중량부인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
12. 제1항에 있어서, 인조대리석이 아크릴계 인조대리석, 불포화 폴리에스터계 인조대리석 또는 엔지니어드 스톤(Engineered stone)계 인조대리석인 것을 특징으로 하는 인조대리석.
13. 바탕 영역과 칩으로 구성되는 인조대리석을 제조함에 있어서,

    비중 0.2 내지 1.5의 저비중 영역용 조성물에 비중 2.0 내지 10의 고비중 소재를 혼합하는 단계;

    혼합물을 1차로 경화시킨 후 고비중 소재가 침강한 면에 저비중 영역용 조성물을 도포하고 2차로 경화시키는 단계;

    경화된 평판을 분쇄하여 저비중화 칩을 제조하는 단계; 및

    저비중화 칩을 인조대리석에 적용하는 단계를 포함하는 인조대리석의 제조방법.
14. 바탕 영역과 칩으로 구성되는 인조대리석을 제조함에 있어서,

    비중 0.2 내지 1.5의 저비중 영역용 평판을 제조하는 단계;

    저비중 영역용 평판 상부에 비중 2.0 내지 10의 고비중 영역용 칩 또는 평판을 적층하는 단계;

    고비중 영역용 칩 또는 평판 상부에 저비중 영역용 평판을 적층하는 단계;

    적층물을 분쇄하여 저비중화 칩을 제조하는 단계; 및

    저비중화 칩을 인조대리석에 적용하는 단계를 포함하는 인조대리석의 제조방법.
15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 저비중 영역용 조성물의 비중 또는 저비중 영역의 두께를 조절함으로써, 바탕 영역의 비중과 같거나 그 비중차가 ±0.2 이하가 되도록 저비중화 칩의 비중을 조절하는 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조방법.
16. 제13항 또는 제14항에 있어서, 각 평판의 경화방법이 캐스팅법, 프레스법, 진동 바이브레이터(vibrator)법 또는 UV경화법인 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조방법.

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