KR101240492B1 - 백색 발광다이오드 및 백색 발광다이오드 램프 - Google Patents

백색 발광다이오드 및 백색 발광다이오드 램프 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드와 램프에 관한 것이다. 상기 백색 발광다이오드는 시트와, 광혼합 역할을 하는 광반사컵을 포함하며, 상기 광반사컵의 내벽면에는 돌기가 설치되고; 상이한 파장의 빛을 출력하는 적어도 6개의 발광다이오드칩을 열전도 시트에 설치하여 전기적으로 조합하며, 형상과 크기가 상기 광반사컵의 하부와 대응되는 리드 프레임은 광반사컵의 외부에 설치되어 시트의 상면에 고정되며; 칩의 전극과 리드 프레임의 도선은 전기적으로 연결되고, 칩에는 투명한 광학재료가 복개되며; 광반사컵의 반사벽 난반사를 통해 다색광을 균일하게 혼합함으로써 고현색성을 구비하는 고효율의 백색 발광다이오드를 제조한다. 상기 백색 발광다이오드를 이용하여 제조한 백색 발광다이오드 램프와 평면 광원에 있어서, 상기 램프는 형광분말로 인한 광색 전환에서의 광에너지 손실을 제거하였기에 전기부터 빛으로의 전환효율이 높고 사용수명이 길며 양산에 유리하다.

Description

백색 발광다이오드 및 백색 발광다이오드 램프{White light LED and lamp of the white light LED}
본 발명은 발광다이오드(이하, LED라 칭함)에 관한 것으로, 특히 상이한 광색을 나타내는 6개 이상의 LED 칩을 광혼합 작용을 하는 광반사 컵 내에 설치하여 전기적으로 조합함으로써 제조된 고현색성을 구비하는 백색 LED 및 이를 이용하여 제조한 백색 LED 램프에 관한 것이다.
현재 출시되고 있는 백색 LED는 모두 남색광과 형광분말을 이용하여 제조된 것으로서, 남색광은 발사파장이 455~465nm인 LED칩에 의해 생성되고, 형광분말은 남색광을 흡수하여 황녹색광을 발사한다. 이러한 방법으로 제조된 LED는 적색 성분이 부족하기에 현색 지수가 높지 못하여 일반적인 조명광원을 대체하기 어렵다.
현재 연구 중인 백색 LED를 제조하는 방법은 아래와 같은 방법을 더 포함하고 있다. 즉
A. 적, 녹, 남 3가지 광색의 LED칩을 조합한 후, 혼색제를 통해 이들로 하여금 혼합되어 백색광을 출력하도록 한다. 여기서 LED칩은 단색광을 발사하고, 반전력 대역폭이 약 20nm이며, 혼색제는 스펙트럼의 성분을 변화시키지 못하고 단지 빛을 혼합시킨다. 따라서 이러한 LED의 스펙트럼은 상호 분립되는 3개의 피크값을 나타내어 연속적인 스펙트럼을 형성하지 못하기 때문에 고현색성의 광원을 형성하기 어려우며 혼색제에 의한 난반사는 심한 광손실을 야기시킨다.
B. 1998년 6월 미국에서 제출한 설계방법(예하면 CN1185042A 문헌)에 의하면, 우선 필요한 현색 지수를 설정한 후, 색도학의 공식에 의해 색좌표를 산출한다. 또한 3개 칩 또는 4개 칩으로 시스템을 구성할 경우의 각 칩이 응당 가져야 할 파장을 계산한 후, 각 파장의 폭을 계산한다. 하지만 이러한 설계 방법은 실제 백색광 LED의 제조에 적용할 수 없다. 그 원인은 아래와 같다.
1) 이러한 설계 방법은 가장 많아 4가지 칩에만 효과를 발생하고, 4가지 칩을 초과할 경우 확정된 해가 없게 된다. 하지만 4가지 칩으로는 우수한 현색성을 구현하기 어렵다.
2) 당해 방법이 제공한 해로 얻은 파장의 제품은 LED칩 공장에서 양산할 수 없는 제품이다. 따라서 현재 양산하고 있는 칩은 예상했던 현색성에 도달하지 못하고 있다. 또한 당해 문헌에서는 여러가지 빛을 어떻게 백색광으로 혼합하는 지에 대한 기술방안을 공개하지 않고 있다.
3) 당해 문헌에서는 실제적인 LED 구조에 대해 공개하지 않았다. 따라서 당해 설계방법을 통해 실현가능한 백색 LED의 기술방안을 얻을 수 없다.
C. 자외광으로 3원색 형광 분말을 여기시킨다. 이 방법은 원리상 형광등과 동일하다. 하지만 우선 자외광 LED를 제작하여야 하고 자외광의 누설은 피면할 수 없는 것이기에 이는 사람의 눈을 손상할 수 있다. 또한 현재의 자외광 LED의 파장은 매우 길기 때문에 3원색 형광 분말을 여기시키는 효율이 상당히 낮다. 아울러 전기부터 빛으로의 전환효율도 매우 낮기 때문에 LED의 전반적 효율이 매우 낮아 아직 실용적이지 못하다.
본 발명의 목적은 상기 종래기술의 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 특히 남색광과 형광 분말을 이용하여 백색 LED를 제조하는 방안에서 적색광 성분이 부족하여 그 스펙트럼과 표준 램프의 스펙트럼 사이에 큰 차이가 존재하게 되어 현색 지수가 부족한 문제점을 극복함으로써, 파장이 상이한 빛을 출력하는 6가지 또는 6가지 이상의 LED칩을 열전도 시트의 상면에 장착하여 전기적으로 조합하고, 내벽에 돌출부를 구비하여 광혼합 역할을 하는 광반사 컵의 반사벽 난반사를 통해 다색광을 균일하게 혼합함으로써 고현색성 및 고효율을 구비하는 백색 LED를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명의 고현색성을 구비하는 백색 LED를 이용하여 백색 LED 램프 및 실내 조명용 LED 평면 광원을 제공하는 것이다. 이러한 백색 LED 램프 및 실내 조명용 LED 평면 광원은 형광 분말이 광색 전환에서의 빛 에너지 손실을 제거하였기에 전기로부터 빛으로의 전환효율이 높고 사용 수명이 길며 양산에 유리하다.
본 발명이 제공하는 고현색성을 구비하는 백색 LED(도면 8a를 참조)는 열전도시트와, 리드 프레임과, 광반사컵과, LED칩 및 투명 실리카겔을 포함하며, 그중 상기 광반사컵은 열전도시트의 상면에 장착되고, 상기 LED칩은 상기 광반사컵 내의 열전도시트에 장착되며, LED칩의 상부에는 투명 실리카겔을 복개하며; 상기 광반사컵은 밑부분이 투각된 원뿔형의 컵이고, 상기 광반사컵의 내벽면에는 광혼합 역할을 하는 돌기가 설치되며; 상기 리드 프레임의 형상 및 크기는 상기 광반사컵의 하부와 대응되고, 상기 리드 프레임은 상기 광반사컵의 하부 외측에 장착되어 상기 열전도시트의 상면에 고정되며; 상기 LED칩은 적어도 6가지 또는 6가지 이상의 상이한 파장의 빛을 출력하는 칩이고, 각 종류의 칩은 적어도 1개이며, 인접한 두개 칩에서 출력되는 빛의 파장 간격이 35~20nm 이고, 상기 칩들 사이의 전기적 연결은 직렬 연결, 병렬 연결 또는 직렬과 병렬 연결을 결합한 방식을 사용하며; 상기 칩의 전극은 리드 프레임의 도선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 기술방안에서 상기 상이한 파장의 빛을 출력하는 6가지 LED칩은 각각 457nm의 남색광 칩, 490nm의 남녹색광 칩, 525nm의 녹색광 칩, 560nm의 황녹색광 칩, 590nm의 등황색광 칩 및 630nm의 적색광 칩이며; 상이한 파장의 빛을 출력하는 6가지 LED칩은 각각 1개씩이고, 열전도시트에서의 배열방식은 상이한 광색의 빛이 용이하게 교차되고 혼합되도록 하는 것을 원칙으로 하며; 칩들 사이의 전기적 연결은 직렬 연결, 병렬 연결 또는 직렬과 병렬을 결합한 연결방식을 사용할 수 있으며, 직렬과 병렬을 결합한 연결방식에서 병렬 연결된 두개 그룹의 전압강하는 반드시 동일해야 한다. 도8b에 도시된 전기적 연결방식은 칩 3개를 직렬 연결하여 1개 그룹을 구성한 후 두개 그룹을 병렬 연결하여 전원에 연결하거나, 또는 두개 그룹을 병렬 연결하지 않고 두개의 구동전원을 사용함으로써 각 전원마다 1개의 그룹(3개의 칩이 직렬 연결)을 구동하도록 하거나, 6개의 칩들을 전부 직렬 연결하여 전원에 연결할 수도 있다. 또한 기타 전기적 연결 방식도 있을 수 있는 바, 이는 사용자의 필요에 따라 결정할 수 있다.
상기 기술방안에서 상이한 파장의 빛을 출력하는 6가지 LED칩은 각각 2개씩 구비되어 열전도시트의 상면에 설치되며, 12개의 칩은 위치가 서로 어긋나게 배열되는데 그 목적은 보다 효과적으로 빛을 혼합시키기 위한 것이며, 12개의 칩을 두개 그룹으로 나누되 각 그룹마다 6개의 칩을 직렬 연결하며, 각 그룹의 칩 갯수가 동일하기 때문에 두 그룹의 전압강하는 동일하며, 다시 두개 그룹을 병렬 연결(도 8d)하며; 두 그룹을 흐르는 전류가 같기 때문에 LED가 균일한 백색광을 출력하며, LED의 전력은 도8b의 6개 칩보다 1배 증가하게 된다.
상기 기술방안에서 상이한 파장의 빛을 출력하는 6가지 이상의 칩은 9 또는 11가지인 바, 그 목적은 LED의 스펙트럼 에너지 분포곡선이 더욱 매끄롭게 하여 표준 램프의 스펙트럼 에너지 분포곡선에 더욱 가깝도록 하기 위한 것으로, 예컨대 457nm, 465nm, 490nm, 515nm, 535nm, 560nm, 590nm, 610nm, 630nm의 9가지 칩을 사용하며, 각 칩마다 한개씩 마련하고, 열전도시트에서의 배열 및 전기적 연결 방식은 도8d에 도시한 바와 같으며, 칩 위치의 배열은 빛을 용이하게 혼합시키는 것을 원칙으로 하며; 상이한 파장의 빛을 출력하는 9가지 LED칩 사이의 전기적 연결에 있어서, 상이한 두개 그룹으로 나누되 한개 그룹은 광색이 남색에 가까운 상이한 파장의 빛을 출력하는 5가지 LED칩을 직렬 연결하고, 다른 한개 그룹은 파장이 적색에 가까운 상이한 파장의 4가지 LED칩을 직렬 연결(도8d를 참조)하며; 두개 그룹의 칩 갯수가 다르기 때문에 2개의 독립적인 전원으로 구동한다.
상기 기술방안에서 상기 LED칩은 전력형 칩을 사용하거나, 복수개의 작은 칩을 조합하여 사용할 수 있으며; 칩의 총 갯수는 소요되는 전력 및 각 칩들이 감당할 수 있는 전력에 의해 결정되며, 이는 해당 분야의 당업자들이 실시 가능한 것이다.
상기 기술방안에서 상기 열전도시트는 금속 구리, 알루미늄 또는 복합재료로 제조한 판상의 시트, 저면에 스크류 또는 스크류 홀을 구비하는 시트, 냉각핀을 구비하는 시트 또는 초전도 열 파이프를 사용할 수 있으며; 상기 냉각핀은 1개 또는 복수개의 나선을 구비하는 나선형의 냉각핀이며; 상기 열전도시트는 냉각 유닛을 사용할 수도 있다.
상기 기술방안에서 상기 광혼합 역할을 하는 광반사컵은 예컨대 구리 또는 알루미늄등 금속재료로 제조되며; 광반사컵의 내벽면에는 구면을 이루는 돌기가 설치되며, 표면은 매우 매끄럽고 높은 반사율을 가지고 있으며; 색혼합의 필요에 따라 상기 돌기는 크기가 같거나 다르게 마련할 수 있으며; 상기 돌기는 광반사컵의 내벽면에격행으로 어긋나게 배열되거나 진열식 배열 또는 큰 것으로부터 작은 것으로 균일하게 배열할 수 있는 바, 발사되는 빛의 각도 및 균일성의 요구에 부합되기만 하면 되며, 도7b와 도7c에서는 각각 두가지 전형적인 배열방식을 도시하였다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명에 의한 LED를 사용하여 제조한 백색 LED램프(도9에 도시)를 더 제공하는 바, 적어도 1개의 상기와 같은 LED를 포함하며, 상기 LED는 시트의 나사 또는 나사공을 통해 냉각기와 직접 기계적으로 접촉되며, 상기 LED의 인출선은 구동회로와 전기연결되며, 구동회로는 그 하우징을 통해 전기커넥터와 전기적으로 연결되며, 상기 LED에는 투광커버를 씌워 장착하고; 냉각기의 하단은 컵모양의 플라스틱소재와 연결되며, 플라스틱소재의 내부 공간에는 구동전원이 설치되며, 플라스틱소재는 구동전원과 냉각기 사이의 충분한 전기적 절연성을 확보하며; 플라스틱소재의 끝단에는 전기커넥터가 연결되며; 상기 LED의 광반사컵은 상기 냉각기의 상단에 장착되며, 광반사컵의 내벽에는 돌기를 구비함으로써 빛을 균일하게 혼합시킨다.
상기 기술방안에서 상기 전기커넥터는 두개 핀 또는 복수개 핀의 삽입식 소켓을 사용하거나 나선형 소켓을 사용하며, 상기 나선형 소켓은 국제 통일적인 규격의 E27 또는 E14 베이스이며; 상기 전기커넥터는 기타 포트를 사용할 수도 있다.
상기 기술방안에서 투광커버는 유리 또는 플라스틱 재질의 투명하거나 착색된 또는 난반사될 수 있는 커버이다.
상기 기술방안에서 상기 투광커버의 내벽에는 광전환 재료층이 마련된다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명에 의한 LED를 사용하여 제조한 실내 조명용 LED평면 광원을 제공하는 바, 적어도 1개의 LED와, 냉각기와, 구동회로와, 전기커넥터와 투광커버를 포함하며, 상기 냉각기는 냉각핀에 2개 또는 4개의 광반사벽을 설치하여 구성되고, 상기 냉각핀의 하면은 익편 형상이며, 광반사벽의 내표면에는 돌기를 구비하고, 광반사벽의 외측에는 전기연결 삽입공이 형성되어 구동전원과 연결되며, 상기 투광커버는 상기 광반사벽에 장착되어 독립적인 면광원을 형성하며; 또는 2개 이상의 LED 평면 광원을 조합하며; 상기 LED는 고현색성을 구비하는 백색 LED인 것을 특징으로 한다.
본 발명이 제공하는 고현색성을 구비하는 백색 LED는 아래와 같은 장점을 구비한다.
1. 적어도 6개 파장의 빛을 발사하는 LED를 하나의 열전도 시트에 장착하여 전기적으로 조합하고, 밑부분이 투각된 원뿔형이며 내벽에 돌기를 구비하여 광혼합 역할을 하는 반사컵의 반사벽 난반사를 이용하여 다색광을 균일하게 혼합함으로써 고현색성 및 고효율의 백색 LED 및 백색 LED 램프를 제조한다. 여기서 이의 스펙트럼 에너지 분포가 표준 램프에 가까워 사람 눈 스펙트럼 민감도 내의 모든 스펙트럼을 포함하기 때문에 광혼합 효과 및 현색성이 우수하며 광손실이 적다.
2. 효율이 높다. 현재 보편화된 형광분말이 남색광을 흡수하여 황녹광을 발사하는 과정에는 일정한 에너지 손실이 동반한다. 하지만 본 발명은 형광분말을 사용하지 않기에 이 부분의 에너지 손실을 피면하였고, 또한 특별한 광혼합 방법을 사용하였기에 발광 효율이 높다.
3. 광감쇄가 적고 광색의 일치성이 우수하다. 현재 보편화된 방법으로 제조한 백색 LED에 있어서, 그 광감쇄는 대체로 칩 발광의 감쇄와 형광분말의 감쇄 두가지가 종합적으로 작용한 결과이다. 하지만 본 발명에서 제조한 LED에는 형광분말 감쇄가 존재하지 않는다. 그 광색은 칩의 광색과 혼합정도에 의해 완전히 결정되기 때문에 양산에 있어서 선택된 각 칩의 파장이 일치하기만 하면 출력되는 빛의 광색도 일치하게 된다.
4. 본 발명의 LED와 LED램프는 개성화된 조명을 실현할 수도 있다. 각 칩의 순방향 전류를 조절하는 것을 통해 출력되는 빛의 세기를 변환함으로써 당해 LED 및 LED램프가 발사하는 빛의 상응한 색온도 내지 단색광을 개변할 수 있다.
도1은 국제 표준 램프 A광원의 스펙트럼 에너지 분포도로서, 색온도는 2856 °K이다.
도2은 국제 표준 램프 D65 광원의 스펙트럼 에너지 분포도로서, 색온도는 6504 °K이다.
도3a는 사람 눈 시각 함수로 파장 대역을 절취한 후의 A광원 표준 램프의 스펙트럼 에너지 분포도이다.
도3b는 사람 눈 시각 함수로 파장 대역을 절취한 후의 D65 표준 램프의 스펙트럼 에너지 분포도이다.
도4는 적, 녹, 남 3개 LED 의 스펙트럼 분포도이다.
도5는 본 발명에 따른 6개 LED의 스펙트럼 에너지 분포도이다.
도6은 본 발명에 따른 6개 스펙트럼을 합성한 후의 스펙트럼 에너지 분포도이다.
도7a는 본 발명에 따른 반사컵 내벽에 형성된 돌기의 배열방식의 단면도이다.
도7b는 본 발명에 따른 반사컵 내벽에 형성된 돌기의 다른 배열방식의 평면도이다.
도7c는 본 발명에 따른 반사컵 내벽에 형성된 돌기의 세번째 배열방식의 예시도이다.
도8a는 본 발명에 따른 높은 현색성을 구비하는 백색LED의 구조에 대한 단면도이다.
도8b는 본 발명에 따른 6개의 LED칩이 열전도 시트에서의 배열 및 전기적 연결 방식의 예시도(도면에서 칩의 파장 단위는 nm임)이다.
도8c는 본 발명에 따른 6개의 LED칩(각각 2개)이 열전도 시트에서의 배열 및 전기적 연결 방식의 예시도(도면에서 칩의 파장 단위는 nm임)이다.
도8d는 본 발명에 따른 9개의 LED칩이 열전도 시트에서의 배열 및 전기적 연결 방식의 예시도(도면에서 칩의 파장 단위는 nm임)이다.
도9는 본 발명에서 제조한 백색 LED를 이용하여 만든 램프 구조의 예시도이다.
도10은 본 발명에서 제조한 고현색성을 구비하는 백색 LED를 이용하여 제조된 면광원 LED램프 구조의 예시도이다.
본 발명은 고현색성을 구비하는 백색 LED를 제조하는 방법을 개시하였다. 즉 실시예에서 사용하는 구체적 기술방안은 하기와 같은 방법으로 실시하는 것으로, 도8a-8b에서의 숫자는 칩의 파장을 가리키는 것이고 이 파장의 단위는 nm이다.
광원의 현색성은 광원이 피사물체의 색상을 재현하는 정도를 평가하는 물리량이다. 태양광은 현색성이 가장 좋은 광원이다. 그것은 태양광이 전반 가시광 파장의 범위내에서 연속적인 스펙트럼을 구비하기 때문이다. 인조광원을 놓고 볼때 국제 규정에 의한 표준 램프의 현색성이 가장 좋다고 할 수 있는 바, 표준 램프도 연속적인 스펙트럼을 발사하며 상이한 색온도는 단지 스펙트럼 에너지 분포가 상이할 뿐이다. 도1은 D65 표준 광원의 가시광 부분에서의 스펙트럼 에너지 분포를 도시하였고, 도2는 표준 A광원의 스펙트럼 에너지 분포도이다. 고현색성을 구비하는 LED를 제조하려면 표준 램프의 스펙트럼 에너지 분포를 모방하여 거의 연속적인 스펙트럼 에너지 분포를 구비하고 표준 램프에 근접한 빛을 발사해야 한다. 하지만 표준 램프가 포함하는 스펙트럼의 영역은 매우 넓은 바, 가시광의 영역에서 380nm~780nm의 전반 영역을 포함하고 있다. LED가 이러한 스펙트럼 범위를 만족하려면 매우 어려우며 그러할 필요도 없다. 그것은 사람 눈이 스펙트럼에 대한 민감영역은 450nm~700nm파장대역이기 때문이다. 이러한 조건과 LED칩의 발광 파장대역에 근거하여, 455nm~680nm 파장대역을 고현색성을 구비하는 LED를 제조하는 스펙트럼의 의거로 할 수 있다.
보통 R,G,B 3색광의 스펙트럼은 도4에 도시한 바와 같이, 두개 피크값 파장 사이는 간격이 매우 크고 연속적인 스펙트럼 곡선을 형성할 수 없다. LED칩이 발사하는 빛의 스펙트럼은 1개의 피크값 파장을 가지고 있으며, 그의 1/2 전력점의 파장은 한 개의 범위를 가지고 있다. 일반적으로 그 폭은 피크값 파장의 ± 10nm이며, 1/4 전력점에서는 ± 18nm이다. 예컨대 피크값 파장이 630nm인 적색광 칩에 있어서, 출력되는 빛의 1/2 전력점에서의 파장 범위는 620nm~640nm이고, 1/4 전력점에서의 파장 범위는 612nm~648nm이다. LED칩의 이러한 특성에 근거하여 연속적인 스펙트럼을 구성할 수 있다. 예하면, 피크값 파장이 630nm인 칩에 있어서, 그가 630nm에서 발사하는 복사전력이 1.0이라고 할 경우, 파장이 612nm인 곳에서의 복사전력은 약 630nm에서의 1/4이다. 또한 파장 피크값이 594nm인 칩에 있어서, 그가 594nm에서의 복사전력도 1.0이라고 할 경우, 당해 칩은 612nm 파장에서 1/4 복사전력을 구비하게 된다. 따라서 2개의 칩이 동시에 빛을 발사할 경우, 612nm 파장에서의 전체적인 복사전력은 응당 630nm 또는 594nm에서의 복사전력 값의 1/2이 된다. 스펙트럼 에너지 분포는 비록 동일한 수평에서의 연속적인 직선은 아니지만 톱니형의 연속적인 스펙트럼이다. 파장 455nm~680nm의 전반 간격은 225nm인 바, 20nm의 간격으로 계산할 경우 적어도 11개의 칩을 구비하게 된다. 하지만 실제로 이렇게 많은 양의 칩이 필요되지 않는다. 그것은 어느 한 색온도 하에서의 표준 램프의 스펙트럼 에너지 분포 곡선은 수평선이 아니기 때문에 구체적인 상황에 따라 빛의 파장 간격을 조절할 수 있기 때문이다. 만약 파장의 간격을 35nm로 할 경우, 6개 상이한 광색의 칩으로 톱니형의 연속적인 스펙트럼을 구성할 수 있다. 파장의 간격을 35nm로 하여 배열하는 6개 칩의 피크값 파장은 각각 457nm, 493nm, 529nm, 565nm, 601nm 및 640nm이다.
구체적인 실시예에 있어서, 칩 생산 공장에서 양산하는 칩의 파장은 미리 제정된 것임을 감안하여 6개 칩의 피크값 파장이 각각 457nm, 490nm, 525nm, 560nm, 590nm 및 630nm인 것으로 선택한다. 이는 비록 계산한 값에 비해 약간의 편차가 존재하나 실제 제조에서는 허용할 수 있는 것이다. 630nm~590nm 사이의 간격이 40nm인 것을 제외하고 기타 피크값 파장의 간격은 모두 35nm보다 작기에 1/4 에너지에서 중첩될 수 있다. 즉 상기 6개 파장의 칩이 동시에 빛을 발사하고 피크값 파장에서의 복사전력이 모두 동일할 경우, 피크값 파장에서 18nm 떨어진 곳에는 2개 칩이 발사하는 복사전력이 존재하게 되며 이곳에서의 총 복사전력은 2개 칩이 발사하는 복사전력의 합이 된다. 이렇게 구성되는 스펙트럼 에너지 분포도는 톱니형의 연속적인 스펙트럼 곡선이며, 6가지 이상의 광색 칩의 조합은 파장의 간격을 작게 하여 곡선이 더욱 곧고 매끈하게끔 한다. 하지만 칩의 갯수가 너무 많을 경우 제조자에게 매우 큰 어려움을 가져다 주게 된다. 도 8d는 9개 광색 칩 조합의 칩 위치 배열도이다.
고현색성의 백광 LED를 제조할 경우 해결해야 할 두번째 문제는 에너지 분포 문제이다. 본 발명에서는 두가지 방법으로 각 파장에서의 에너지 크기를 조절한다.
1. 동일한 피크값 파장의 칩 수량을 선택한다. 예컨대 D65광원을 모방할 경우 짧은 파장의 칩 갯수를 많이 마련하고, A광원을 모방할 경우 긴 파장의 칩 갯수를 많이 마련한다.
2. 칩에 흐르는 전류의 크기를 조절함으로써 에너지를 제어한다. LED는 순방향 온된 후, 상당히 큰 전류범위 내에서 그가 발사하는 빛 에너지는 그를 통과하는 순방향 전류와 정비례 된다.따라서 LED를 흐르는 순방향 전류를 변화시키는 것을 통해 발사하는 빛 에너지의 다소를 조정할 수 있다. 하지만 전류의 변화는 당해 칩의 정격전류를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 전류를 조정하는 방법은 직류조정방식 또는 PWM방식을 사용할 수도 있다.
고현색성을 구비하는 LED를 제조할 경우 해결해야 할 세번째 문제는 혼색에 관한 것이다. 전통적인 혼색방법은 칩의 상부에 대량의 난반사제를 복개하여 빛이 칩의 수용챔버 내에서 여러번 난반사 되도록 함으로써 혼색하는 목적에 도달하는 것이다. 하지만 난반사는 무질서한 것이기에 빛의 손실이 매우 엄중하여 LED의 전반적인 전기로부터 빛으로의 전환효율을 대폭 하강시킨다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 즉 본 발명은 광반사 작용이 있음과 동시에 광혼합 효과도 있도록 하기 위해, 원래의 거칠기가 매우 낮은 반사컵의 내벽에 복수의 돌기들을 설치하되, 이 돌기들은 구면의 일부분으로서 표면이 여전히 매끄럽고 매우 높은 반사율을 가진다. 혼색의 필요에 따라 돌기들은 동일한 크기로 형성될 수도 있고 큰 것으로부터 작은 것으로 격행하여 어긋나게 배열할 수도 있다. 도7b와 도 7c는 각각 두가지 전형적인 배열방식을 도시하였다.
전력형 LED칩의 발광 면적은 1mm2이기에 근거리와 작은 범위내에서는 아직 점광원으로 처리할 수 없어 면광원으로 간주해야 한다. 반사면에서의 각 돌출물들은 모두 각 방향에서부터의 빛의 조사를 받은 후, 반사법칙에 따라 빛을 반사하기에 각 돌출물들을 하나의 점광원으로 간주할 수 있다. 따라서 각 돌출물들은 구면의 상방향 및 측방향으로 빛을 조사하기 때문에 여러 색깔의 빛들을 보다 훌륭하게 혼합할 수 있을 뿐만아니라 광에너지를 지나치게 손실시키지 않기에 고효율의 광혼합 목적에 도달할 수 있다.
실시예1
도8a-도8b를 참조하여 본 발명에 따른 고현색성을 구비하는 백색 LED를 제조한다.
본 실시예에서의 LED 열전도 시트(1)는, 예컨대 금속 구리, 알루미늄 또는 복합재료로 제조한 판상의 시트를 사용할 수 있으며 냉각핀을 구비한다. 여기서 냉각핀은 1개 또는 복수개의 나선을 구비하는 나선형의 냉각핀이다. 상기 LED열전도 시트(1)는 출원번호가 02826127.5이고 발명명칭이 「LED 및 LED램프」인 중국특허에 개시된 시트를 사용할 수도 있다. 상기 LED열전도 시트(1)는 시장에서 구매한 어떠한 LED시트라도 사용할 수 있다. 또는 상기 LED열전도 시트(1)는 본 발명인이 설계한 냉각유닛을 사용할 수도 있는 바, 상기 냉각유닛은 고열전도성의 재료로 구성되며 초전도 열 파이프거나 금속 파이프거나 금속봉으로 구성된 서포터와, 상기 서포터의 상부에 설치된 상기 냉각핀과, 상기 서포터의 주위에 설치된 하부 냉각핀들로 구성된다. 그중, 상기 냉각핀의 중심에는 통공이 형성되어 있고, 당해 통공의 크기는 상기 초전도 열 파이프거나 금속 파이프거나 금속봉의 외경과 동일하다. 상기 초전도 열 파이프 또는 금속 파이프의 내경은 장착하고 자 하는 LED의 냉각시트 저면의 스크류와 결합된다. 여기서 절연재료 또는 금속으로 제조된 다공 또는 메쉬형의 하우징은 서포터의 외면을 감싸 서포터와 일체로 형성된다.
광혼합 역할을 하는 반사컵(3)은 통상적으로 알루미늄 또는 구리에 은을 코팅하여 제조하며, 저부가 투각된 원뿔형의 컵모양을 이루고 있다. 반사컵의 상부에서 하부까지 내벽을 따라 돌기(4, 도7a참조)들이 형성되어 있으며, 돌기(4)들은 직경이 큰 것으로부터 점차 작아지는 방향으로 배열(도 7b참조)된다. 상기 돌기(4)들은 진열배열(도 7c참조)되거나 격행으로 어긋나게 배열될 수도 잇다. 상기 반사컵(3)은 리드 프레임(2) 내의 열전도시트(1) 상면에 장착되며, 반사컵(3)과 열전도시트(1) 의 허용되는 사이각은 10°- 80°일 수 있다. 상기 돌기(4)는 표면이 매끌한 구면체이기에 반사컵의 내벽은 매우 매끄럽게 형성되어 높은 반사율을 가지게 된다.
본 실시예에서는 시장에서 구매할 수 있는 6개의 보편적인 LED칩을 사용한다. 이 칩들간의 피크값 파장의 간격은 약 35nm이며, 그들이 출력하는 빛의 파장은 각각 약 457nm, 490nm, 525nm, 560nm, 590nm 및 630nm이다. 상기 6개 LED칩(5)들 사이는 도선을 통해 전기적으로 연결되되, 전부 직렬 연결되거나 전부 병렬 연결될 수 있다. 본 실시예에서는 파장이 457nm, 490nm 및 525nm인 3개의 칩을 직렬 연결하여 한개 그룹을 이루고, 나머지 3개의 칩을 직렬 연결하여 한개 그룹을 이루었으며, 각각 인출선을 통해 인출하고 있다. 상기 6개 칩들의 배열방식 및 전기적 연결방식은 도8b에 도시한 바와 같이, 각각 3개의 칩들을 직렬 연결하여 한개의 그룹으로 형성한 후, 두개 그룹을 병렬 연결하여 전원에 연결하며, 인출선을 통해 구동회로(8)에 연결한다. 또는 두개 그룹을 병렬 연결하지 않고 두개의 구동전원을 사용하여 각 구동전원마다 한개의 그룹을 구동할 수 있으며, 또는 6개의 칩들을 모두 직렬 연결하여 전원에 연결할 수도 있다. 여기서 또 다른 전기적 연결방식이 있을 수 있는 것은 자명한 바, 사용자의 필요에 따라 결정할 수 있다. 본 실시예는 종래의 RGB가 백색광을 형성하는 것에 비해, 파장이 457nm인 남색광 칩과 파장이 525nm인 녹색광 칩 사이에 파장이 490nm인 칩을 설치하고, 파장이 525nm, 630nm인 적색광 칩 사이에는 적어도 피크값 파장이 560nm 및 590nm인 칩을 설치함으로써 두개의 인접한 피크값 파장 사이의 파장 간격은 기본적으로 35nm이며, 6개의 칩들이 동시에 빛을 발사할 경우, 연속적인 스펙트럼 에너지 분포를 형성하며, 더 이상 단독으로 분립된 피크값을 형성하지 않는다(도면 5, 6을 참조).
상기 6개의 LED칩(5)들은 열전도시트(1)의 상면에 장착되고, 6개의 칩(5)들을 조합한 후의 전극은 리드 프레임(2)으로부터 인출된다. 여기서 리드 프레임(2)은 구리를 매입한 플라스틱부재거나 MPCB판으로 제조될 수 있다. 리드 프레임에 매입된 구리편은 LED전극 인출편(7)으로서, 도선을 통해 LED전극을 인출하여 구동회로(8)에 연결하는 역할을 한다. 리드 프레임의 매입된 구리편은 열전도시트(1)와 전기적으로 절연된다. 반사컵(3)의 외측은 리드 프레임(2)이며, LED칩(5)들의 상부에는 투명 실리카겔(6)이 복개된다.
여기서 상기 6개 칩들의 전극은 단독으로 인출될 수도 있고 그룹으로 나누어 인출될 수도 있어 각 칩들이 발사하는 빛 에너지를 조절하여 필요한 광색을 형성하도록 할 수 있다. 이는 해당 분야의 당업자들이 실시 가능한 것이다. 본 실시예의 6개 LED의 스펙트럼 에너지 분포도는 도6에 도시한 바와 같다.
도8c를 참조하여, 본 발명에 따른 고현색성을 구비한 백색 LED를 구성하는 다른 실시예에 있어서, 상이한 파장의 빛을 발사하는 6가지 칩으로 구성하되, 동일한 파장을 가진 칩을 2개씩 구성하여 도 8c에 도시한 바와 같이 12개의 LED칩(5)들을 열전도시트(1)의 상부에 장착하고, 이 12개의 칩들을 상호 어긋나게 설치하여 광혼합의 목적에 달성하도록 한다. 상이한 파장의 빛을 출력하는 6가지 칩들은 각각 파장이 457nm인 남색광 칩, 파장이 490nm인 남녹색광 칩, 파장이 525nm인 녹색광 칩, 파장이 560nm인 황녹색광 칩, 파장이 590nm인 등황색광 칩 및 파장이 630nm인 적색광 칩이며, 인접된 두개의 피크값 파장간격이 35nm인 것을 원칙으로 설치된다. 상이한 파장의 빛을 출력하는 6가지 칩들은 모두 12개로서 2개 그룹으로 나뉘어지며, 각 그룹의 칩들은 직렬 연결되어 인출편으로 각각 인출되며, 도선을 통해 구동전원과 연결된다. 칩들을 전기적으로 연결한 모습은 도8c에 도시한 바와 같다.
도8d를 참조하여, 각각 상이한 파장의 빛을 출력하는 9가지 칩(각 파장의 칩은 오직 1개씩임)들을 이용하여 본 발명에 따른 고현색성을 구비하는 백색 LED를 제조한다. 상이한 파장의 빛을 출력하는 9가지 칩들을 사용하는 목적은 LED의 스펙트럼 에너지 분포곡선을 더욱 매끄럽도록 하고 표준 램프의 스펙트럼 에너지 분포곡선에 더욱 가깝도록 하기 위한 것이다. 상이한 파장의 빛을 출력하는 9가지 칩들의 파장은 각각 457nm, 465nm, 490nm, 515nm, 535nm, 560nm, 590nm, 610nm 및 630nm이다. 이 9가지 칩들은 광혼합을 쉽게 하는 것을 원칙으로 열전도시트(1)에 배열 장착된다. 여기서 9개 칩들을 두개 그룹으로 나누어지되, 한개 그룹은 남색광에 가까운 칩들을, 즉 파장이 457nm, 535nm, 560nm, 465nm 및 490nm인 5개 칩들을 직렬 연결하여 구성되고, 다른 한개 그룹은 적색 파장에 가까운 칩들, 즉 파장이 590nm, 630nm, 515nm 및 610nm인 4개 칩들로 구성된다. 직렬 연결된 두 그룹의 칩들은 각각 인출편을 통해 인출되며 도선으로 구동회로(8)에 연결한다. 여기서 두 그룹의 칩 갯수가 다르기 때문에 두개의 단독적인 전원으로 그들을 점등시켜야 한다. 비록 전원의 구성은 번거롭지만 두개의 그룹은 각각 별도로 전류를 조절할 수 있어 LED광색을 조절하는데 매우 유리하다. 당해 LED에서 칩의 총 갯수는 소요되는 전력 및 각 칩이 감당할 수 있는 전력에 의해 결정되며, 이는 해당 분야의 당업자들이 실시 가능한 것이다.
9가지 상이한 광색의 칩들을 사용한 조합과 6가지 칩을 사용한 조합을 비교할 경우, 457nm와 490nm 사이에 1개의 465nm의 남색광 칩을 설치하였다. 따라서 원래 490nm와 457nm 사이의 간격은 33nm이고 이 두개 칩의 스펙트럼 에너지 분포곡선이 중첩되는 곳은 1/4전력점이어야 하나, 465nm의 칩을 설치한 후 465nm와 457nm 사이의 간격은 8nm로 되고, 465nm와 490nm 사이의 간격은 25nm로 되어 465nm의 칩이 발사하는 빛이 457nm와 490nm의 칩이 발사하는 빛과 중첩되는 곳은 1/2전력 이상 되는 곳에 위치하게 된다. 이는 종합곡선으로 하여금 당해 파장 대역에서 거의 수평되는 직선을 이루도록 한다. 즉 다시 말하면 457nm 및 490nm 파장 대역에서 각 파장으로 하여금 거의 동일한 전력을 가지도록 한다. 동일한 이유로, 490nm와 535nm 사이에 515nm인 칩을 설치하여 칩이 발광하는 피크값 파장 간격을 45nm로부터 25nm 및 20nm로 줄인다. 또한 590nm와 630nm사이에 610nm인 칩을 설치하여 칩이 발광하는 피크값 파장 간격을 40nm로부터 20nm로 줄인다. 이러한 빛들은 모두 1/2전력점에서 중첩되며, 560nm와 590nm 사이에 30nm의 간격을 가지게 된다. 빛이 중첩되는 전력은 약간 낮기는 하지만 전반적으로 큰 영향을 미치지 않는다. 9개의 칩이 동시에 빛을 발사할 경우, 그의 스펙트럼 에너지 분포도는 더욱 평활하게 된다. 여기서 LED칩의 총 갯수는 소요되는 전력 및 각 칩이 감당할 수 있는 전력에 의해 결정되며, 이는 해당 분야의 당업자들이 실시 가능한 것이다.
상기 실시예에서 LED칩(1)의 크기를 작게 할 수 있는 바, 예컨대0.35mm x 0.35mm로 할 수 있다. 또한 더 크게도 할 수 있는 바, 예컨대 1mm x 1mm 또는 1.5mm x 1.5mm로 할 수도 있다. 각 칩들의 갯수는 제조하고 자 하는 LED의 전력크기에 따라 결정된다.
실시예 2
도9를 참조하여 본 발명에 따른 고현색성의 LED램프를 제조한다.
상기 LED램프는 본 발명에 따라 제조한 임의의 LED(11)를 광원으로 사용한다. 상기 LED(11)는 냉각기(13)의 상부에 직접 장착하여 칩(5)이 동작할 때의 열량을 신속히 방열하도록 한다. 상기 냉각기(13)는 LED램프에 사용되는 일반적인 냉각기이다. 1개의 LED를 사용시 그 광속(光束)이 요구에 만족되지 않을 경우, 복수개의 본 발명에 따른 고현색성의 LED를 사용할 수 있는 바, 이는 해당 분야의 당업자들이 실시 가능한 것이다. LED의 주위에는 원뿔형의 광반사커버(3')가 설치되고, 광반사커버(3')와 LED 장착면의 사이각은 10°- 80°이다. 광반사커버(3')의 내벽에는 보스(4')가 설치되어 광혼합 역할을 하며 발사되는 빛의 각도를 사용 요구에 만족하도록 한다. 상기 원뿔형의 광반사커버도 냉각기(13)의 상부에 설치된다. 냉각기(13)는 고열전도율을 구비하는 재료를 사용하여 제조되며, 외표면에 익편을 구비한 일반적인 구조를 사용한다. 도9에 도시한 바와 같이, 상기 냉각기(13)는 공기 대류가 원활하고 방열효율이 높으며, 상부의 크기는 광혼합 역할을 하는 광반사커버와 대응된다. 냉각기(13)의 하부는 컵모양의 플라스틱소재(14)와 연결되며, 플라스틱소재(14) 의 내부공간에는 구동회로(8)가 장착된다. 플라스틱소재는 구동회로(8)와 냉각기(13) 사이의 충분한 전기 절연성을 확보한다. 플라스틱소재(14)의 끝단에는 전기커넥터(10)가 연결된다. 상기 전기커넥터(10)는 보편적인 E27 또는 E14 베이스를 사용하거나, 두개 핀 또는 복수 핀의 삽입식 소켓을 사용할 수도 있다. 상기 LED는 그 열전도시트의 나사 또는 나사공을 통해 냉각기와 직접 기계적으로 접촉되도록 결합되며, 상기 LED의 인출선은 구동회로(8)와 연결되며, 구동회로(8)는 그 하우징을 통해 전기커넥터(10)와 전기적으로 연결되며, 상기 LED에 투광커버(12)를 장착한다. 상기 투광커버(12)는 예컨대 유리 또는 플라스틱 재질의 착색된 또는 난반사되는 커버를 사용한다. 상기 투광커버의 내벽에는 광전환 재료층을 코팅할 수 있다.
실시예 3
본 발명에 따른 실내 조명용 LED평면 광원을 제조한다.
도10을 참조하여 보면, 당해 실내 조명용 LED평면 광원은 통상적인 LED평면 광원과 유사하다. 구별점이라면 냉각기의 냉각판에 2개 또는 4개의 광반사벽을 설치하고 상기 냉각판의 하면은 익편상태이며, 광반사벽의 내표면에는 돌기(4)가 구비되는 것이다. 상술한 임의의 본 발명에 따른 고현색성을 구비하는 백색 LED(11)거나, 또는 2개 이상의 고현색성을 구비하는 백색 LED(11)(광속의 수요에 따라 LED의 갯수를 정함)를 냉각기의 상면에 직접 장착한다. 광반사벽의 외측에는 전기연결구(10)가 형성되어 구동회로(8)와 연결된다. 투광커버(12)는 광반사벽에 장착된다. 이로하여 독립적인 면광원을 형성하게 된다. 냉각판은 면광원 또는 액정 디스플레이용 백라이트 도광판의 배면 또는 주위에 설치된다. LED가 발사하는 백색광은 밑면과 주위의 반사를 거친 후 상면을 통해 발사된다. 이 과정에서 빛은 복수회 반사되기 때문에 실내 조명용 LED 평면 광원이 발사하는 빛은 매우 균일한 것이다.
여기서 본 발명이 기타 다양한 실시예를 구비하는 것은 자명한 것이며, 본 발명의 주지 및 실질을 벗어나지 않는 상황에서, 해당 분야의 당업자들은 본 발명에 근거하여 여러가지 대응되는 개선 또는 변경을 할 수 있으나, 이러한 개선 또는 변경은 모두 본 발명이 첨부한 권리청구의 보호범위내에 속하는 것으로 이해해야 한다.
1-열전도 시트 2-리드 프레임 3-광반사컵
4-돌기 5-LED칩 6-투명 실리카겔
7-LED전극 인출편 8-구동회로 10-전기커넥터
11-LED광원 12-투광하우징 13-냉각기
14-플라스틱소재 3'-광반사커버 4'-보스

Claims (10)

  1. 열전도시트와, 리드 프레임과, 광반사컵과, 발광다이오드칩 및 투명 실리카겔을 포함하며, 그중 상기 광반사컵은 열전도시트의 상면에 장착되고, 상기 발광다이오드칩은 상기 광반사컵 내의 열전도시트에 장착되며, 발광다이오드칩의 상부에는 투명 실리카겔이 복개되는 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드에 있어서,
    상기 광반사컵은 밑부분이 투각된 원뿔형의 컵이고, 상기 광반사컵의 내벽면에는 광혼합 역할을 하는 돌기가 설치되며;
    상기 리드 프레임의 형상 및 크기는 상기 광반사컵의 밑부분과 대응되고, 상기 리드 프레임은 상기 광반사컵의 밑부분 외측에 장착되어 상기 열전도시트의 상면에 고정되며;
    상기 발광다이오드칩은 상이한 파장의 빛을 출력하는 9가지 칩이고, 상기 9가지 칩의 파장은 각각 457nm, 465nm, 490nm, 515nm, 535nm, 560nm, 590nm, 610nm 및 630nm이고, 그중 9가지 발광다이오드칩은 두개 그룹으로 나누되, 한개 그룹은 파장이 457nm, 535nm, 560nm, 465nm 및 490nm인 5개의 발광다이오드칩을 직렬 연결하여 구성되고, 다른 한개 그룹은 파장이 590nm, 630nm, 515nm 및 610nm인 4개의 발광다이오드칩을 직렬 연결하여 구성되며, 직렬 연결된 두개 그룹의 칩은 각각 도선을 인출하여 인출되고, 도선은 각자의 구동회로에 연결되며,
    상기 돌기는 표면이 매끌한 구면체로서, 돌기의 직경은 동일하거나 상이하며, 그 배열방식은 진열식, 격행으로 어긋나게 배열되거나 또는 광반사컵의 개구로부터 하방으로 큰 것으로부터 작은 것으로 배열되어, 상기 파장이 상이한 광을 혼합시키도록 반사시키며,
    각 종류의 칩은 적어도 1개이며, 인접한 두개 칩이 발광하는 피크값 파장 간격이 35~20nm가 되도록 칩들을 열전도시트에 장착하여 전기적으로 조합하며, 상기 발광다이오드칩의 전극은 리드 프레임의 도선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열전도시트는 금속 구리 또는 알루미늄의 고열전도율을 구비하는 재질로 판상의 시트, 냉각핀을 구비하는 시트, 저면에 스크류 또는 스크류 홀을 구비하는 시트 혹은 냉각유닛이고;
    상기 냉각핀은 한개 또는 복수개의 나선을 구비하는 나선형의 냉각핀이고,
    상기 냉각유닛은 고열전도성의 재료로 구성되며 초전도 열 파이프거나 금속 파이프거나 금속봉인 서포터와, 상기 서포터의 상부에 설치된 냉각핀과, 상기 서포터의 주위에 설치된 하부 냉각핀들로 구성되며, 그중 상기 냉각핀의 중심에는 통공이 형성되어 있고, 당해 통공의 크기는 상기 초전도 열 파이프, 금속 파이프거나 금속봉의 외경과 동일하며; 상기 초전도 열 파이프 또는 금속 파이프의 내경은 장착하고자 하는 LED의 냉각시트 저면의 스크류와 결합되며, 절연재료 또는 금속으로 제조된 다공 또는 메쉬형의 하우징은 서포터의 외면을 감싸 서포터와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광반사컵은 구리 또는 알루미늄 금속재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드.
  6. 삭제
  7. 적어도 1개의 백색 발광다이오드와, 투광커버와, 냉각기와, 구동회로와, 전기커넥터와 투명 실리카겔 및 광반사커버를 포함하며, 청구항 1의 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드를 사용하여 제조한 백색 발광다이오드 램프에 있어서,
    상기 광반사커버는 밑부분이 투각된 원뿔형의 컵이고, 상기 광반사커버의 내벽면에는 보스(凸起)가 설치되며; 상기 광반사커버는 상기 냉각기의 상단에 설치되며; 상기 백색 발광다이오드는 광반사커버의 중심에 장착되되, 상기 백색 발광다이오드의 하면은 상기 냉각기에 긴밀 접촉되며; 상기 냉각기는 익편식 구조이고, 크기는 광반사컵과 대응되며; 상기 백색 발광다이오드의 전극은 리드 프레임에서 인출되고, 도선으로 구동기에 연결되며, 냉각기의 하단은 컵모양의 플라스틱소재와 연결되고, 플라스틱소재의 내부 공간에는 구동전원이 설치되며; 플라스틱소재의 끝단에는 전기커넥터가 위치하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드 램프.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전기커넥터는 나선 소켓으로서 통상적으로 E27 또는 E14 베이스를 사용하거나, 또는 두개 핀 또는 복수개 핀의 삽입식 소켓인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드 램프.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 투광커버는 유리 또는 플라스틱 재질로 제조한 투명하거나 착색된 또는 난반사되는 커버거나, 또는 상기 투광커버의 내벽에는 광전환 재료층이 구비되는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드 램프.
  10. 적어도 1개의 발광다이오드와, 냉각기와, 구동회로와, 전기커넥터와 투광커버를 포함하며, 청구항 1의 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드를 사용하여 제조한 실내 조명용 발광다이오드 평면 광원에 있어서,
    상기 냉각기는 냉각판에 2개 또는 4개의 광반사벽을 설치하고, 상기 냉각판의 하면은 익편 형상이며, 광반사벽의 내표면에는 돌기가 구비되고, 광반사벽의 외측에는 전기연결 삽입공이 형성되어 구동전원과 연결되며, 상기 투광커버는 상기 광반사벽에 장착되어 독립적인 면광원을 형성하며; 또는 2개 이상의 발광다이오드 평면 광원이 조합되며; 상기 발광다이오드는 고현색성을 구비하는 백색 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 실내 조명용 발광다이오드 평면 광원.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101552212B (zh) * 2008-04-02 2011-01-12 展晶科技(深圳)有限公司 半导体元件与热管的接合方法
DE102009010213A1 (de) * 2009-02-23 2010-08-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul
US20110110095A1 (en) * 2009-10-09 2011-05-12 Intematix Corporation Solid-state lamps with passive cooling
US8508127B2 (en) 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
US8274230B2 (en) * 2010-03-26 2012-09-25 Davinci Industrial Inc. LED lamp apparatus and method for adjusting color temperature of LED module therein
US8981665B1 (en) * 2011-06-08 2015-03-17 Google Inc. Color shifting pumped-phosphor light emitting diode light sources via modulation of current pulses
JP6079629B2 (ja) * 2011-07-25 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20130088848A1 (en) * 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
CN103090204A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管照明装置
US8508694B2 (en) 2011-12-13 2013-08-13 Apple Inc. Display with dual-edge light-emitting-diode backlight
GB2493229A (en) * 2012-02-08 2013-01-30 Syndica Optical Technology Co Ltd A LED package for spotlighting with integral lens and preferably reflecting curved sides
US8613526B1 (en) * 2012-08-14 2013-12-24 Huizhou Light Engine, Ltd LED aquarium lighting device
US9411086B2 (en) 2013-01-30 2016-08-09 Cree, Inc. Optical waveguide assembly and light engine including same
US9442243B2 (en) 2013-01-30 2016-09-13 Cree, Inc. Waveguide bodies including redirection features and methods of producing same
US9366396B2 (en) 2013-01-30 2016-06-14 Cree, Inc. Optical waveguide and lamp including same
US9625638B2 (en) 2013-03-15 2017-04-18 Cree, Inc. Optical waveguide body
US9869432B2 (en) 2013-01-30 2018-01-16 Cree, Inc. Luminaires using waveguide bodies and optical elements
US9519095B2 (en) 2013-01-30 2016-12-13 Cree, Inc. Optical waveguides
EP3779539A1 (en) * 2013-01-30 2021-02-17 IDEAL Industries Lighting LLC Led package with modified primary optic
US9291320B2 (en) 2013-01-30 2016-03-22 Cree, Inc. Consolidated troffer
US9690029B2 (en) 2013-01-30 2017-06-27 Cree, Inc. Optical waveguides and luminaires incorporating same
US10379278B2 (en) * 2013-03-15 2019-08-13 Ideal Industries Lighting Llc Outdoor and/or enclosed structure LED luminaire outdoor and/or enclosed structure LED luminaire having outward illumination
US10209429B2 (en) 2013-03-15 2019-02-19 Cree, Inc. Luminaire with selectable luminous intensity pattern
US10436970B2 (en) 2013-03-15 2019-10-08 Ideal Industries Lighting Llc Shaped optical waveguide bodies
US9366799B2 (en) 2013-03-15 2016-06-14 Cree, Inc. Optical waveguide bodies and luminaires utilizing same
US9798072B2 (en) 2013-03-15 2017-10-24 Cree, Inc. Optical element and method of forming an optical element
US10502899B2 (en) * 2013-03-15 2019-12-10 Ideal Industries Lighting Llc Outdoor and/or enclosed structure LED luminaire
JP6267843B2 (ja) * 2013-07-11 2018-01-24 交和電気産業株式会社 照明装置
JP2015198119A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 シャープ株式会社 発光装置
US9241384B2 (en) 2014-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting devices with adjustable color point
US9593812B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Cree, Inc. High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness
US9215761B2 (en) 2014-05-15 2015-12-15 Cree, Inc. Solid state lighting devices with color point non-coincident with blackbody locus
US9192013B1 (en) 2014-06-06 2015-11-17 Cree, Inc. Lighting devices with variable gamut
US9534741B2 (en) 2014-07-23 2017-01-03 Cree, Inc. Lighting devices with illumination regions having different gamut properties
US9702524B2 (en) 2015-01-27 2017-07-11 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices
US10416377B2 (en) 2016-05-06 2019-09-17 Cree, Inc. Luminaire with controllable light emission
US11719882B2 (en) 2016-05-06 2023-08-08 Ideal Industries Lighting Llc Waveguide-based light sources with dynamic beam shaping
RU187121U1 (ru) * 2018-10-22 2019-02-21 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт телевидения" Светодиодный осветитель с комбинированным спектром излучения
US10962216B2 (en) * 2019-03-28 2021-03-30 Shanghai Sansi Electronic Engineering Co. Ltd. LED light source apparatus, lighting device, and lighting control method
US20210080386A1 (en) * 2019-09-18 2021-03-18 Yi-Sheng Ting Light emitting apparatus, light emitting method, spectrometer and spectrum detection method
CN112525854A (zh) * 2019-09-18 2021-03-19 大连兆晶生物科技有限公司 一种鉴定成分的方法
RU196203U1 (ru) * 2019-11-05 2020-02-19 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" Осветительное устройство
TWI825999B (zh) * 2020-02-14 2023-12-11 新加坡商兆晶生物科技股份有限公司(新加坡) 光譜儀及光譜檢測方法
CN111987079B (zh) * 2020-02-20 2023-03-28 大连兆晶生物科技有限公司 发光装置、发光方法、光谱仪及光谱检测方法
KR102401661B1 (ko) 2021-06-23 2022-05-24 김응노 DDoS 공격의 탐지 및 방어 시스템 및 그 방법
CN116406064B (zh) * 2023-06-08 2023-08-15 哈尔滨瑞鑫洋新能源科技有限公司 一种桥梁智能光控预警控制系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286267A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Hitachi Lighting Ltd 発光ダイオードランプ
JP2007043125A (ja) * 2005-06-30 2007-02-15 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007109837A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Hitachi Ltd 照明装置
KR100886784B1 (ko) * 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1915842A (en) * 1932-10-29 1933-06-27 Westinghouse Electric & Mfg Co Illuminating apparatus
JPS63245806A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 東芝ライテック株式会社 照明器具
IN179055B (ko) * 1992-04-15 1997-08-16 Optical & Textile Ltd
HUT76951A (hu) * 1994-09-03 1998-01-28 International Business Machines Corporation Optikai adó-vevő modul
US5851063A (en) 1996-10-28 1998-12-22 General Electric Company Light-emitting diode white light source
JPH11177143A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオードを用いた照明用光源および照明装置
US6200002B1 (en) * 1999-03-26 2001-03-13 Philips Electronics North America Corp. Luminaire having a reflector for mixing light from a multi-color array of leds
CN2396512Y (zh) * 1999-11-02 2000-09-13 游木金 发光二极管晶圆杯座的改良
US6184628B1 (en) * 1999-11-30 2001-02-06 Douglas Ruthenberg Multicolor led lamp bulb for underwater pool lights
JP2002133932A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Casio Comput Co Ltd 光源素子
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
US6746885B2 (en) * 2001-08-24 2004-06-08 Densen Cao Method for making a semiconductor light source
CN100468609C (zh) * 2001-12-29 2009-03-11 杭州富阳新颖电子有限公司 超导热管灯
JP2004264370A (ja) * 2003-02-21 2004-09-24 Komaden:Kk Ledユニット
JP2005159262A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
US20060018118A1 (en) * 2004-07-21 2006-01-26 Lee Joon C Spectrum matching
WO2006038543A2 (ja) * 2004-10-04 2006-04-13 Toshiba Kk 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
JP4176703B2 (ja) * 2004-11-25 2008-11-05 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、カメラ、及び製造方法
JP2006179511A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
ITTO20050028A1 (it) * 2005-01-21 2006-07-22 Space Cannon Vh Srl Dispositivo a led comprendente una pluralita' di diodi led
US20060187376A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Yun-Shih Wang Backlight module and liquid crystal display module
KR20060124831A (ko) * 2005-05-26 2006-12-06 엘지이노텍 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 구비한 액정표시장치
CN2833896Y (zh) * 2005-10-19 2006-11-01 刘振亮 显示屏用发光二极管
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
JP5046507B2 (ja) * 2005-10-27 2012-10-10 京セラ株式会社 発光素子用配線基板および発光装置
US7100681B1 (en) * 2005-10-31 2006-09-05 Foxconn Technology Co., Ltd. Heat dissipation device having heat pipe
KR100997946B1 (ko) * 2005-12-22 2010-12-02 파나소닉 전공 주식회사 Led를 가진 조명 장치
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
DE102007003345B4 (de) * 2007-01-17 2010-07-29 Erco Gmbh Leuchtensteuerungssystem
EP2163808B1 (en) * 2007-05-23 2014-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device
KR101365621B1 (ko) * 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
US7794120B2 (en) * 2008-03-27 2010-09-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Illumination assembly with diffusive reflector cup
US7677767B2 (en) * 2008-04-01 2010-03-16 Wen-Long Chyn LED lamp having higher efficiency

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286267A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Hitachi Lighting Ltd 発光ダイオードランプ
JP2007043125A (ja) * 2005-06-30 2007-02-15 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007109837A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Hitachi Ltd 照明装置
KR100886784B1 (ko) * 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드

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JP5073095B2 (ja) 2012-11-14

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