KR101231570B1 - 가속기 및 사이클로트론 - Google Patents

Abstract

[과제] 본 발명은, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐을 억제할 수 있는 가속기 및 사이클로트론을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단] 본 발명의 사이클로트론은, 이온원으로부터 입사되는 빔을 통과시켜서 가속궤도(T)에 도입하는 스파이럴 인플렉터(21)를 구비하고, 스파이럴 인플렉터(21)는, 통과하는 빔(B)을 수속시키는 빔 수속수단으로서, 빔의 통과궤도(S)에 직교하는 단면에 있어서 갭을 불균일하게 한 플러스전극(23) 및 마이너스전극(27)을 가진다.

Description

가속기 및 사이클로트론{Accelerator and cyclotron}

본 발명은, 빔을 가속궤도(加速軌道)에 도입하는 인플렉터를 구비한 가속기 및 사이클로트론에 관한 것이다.

종래, 이러한 분야의 기술로서, 하기 특허문헌 1에 기재된 사이클로트론이 알려져 있다. 이 종류의 사이클로트론에서는, 가속공간에 있어서의 자극(磁極)과 디(D) 전극(電極)의 작용에 의하여 빔을 와권(渦卷; 소용돌이) 형상의 가속궤도로 가속하여 출력한다. 특허문헌 1의 사이클로트론에는, 가속궤도에 직교하는 입사방향으로부터 빔이 입사된다. 그리고, 빔원(源)으로부터의 빔을, 인플렉터로 90° 구부림으로써, 빔을 가속공간의 상기 가속궤도에 올릴 수 있다.

일본 특허공개 평5－224657호 공보

이 종류의 가속기에서는, 가속궤도에 도입되는 빔이 퍼짐에 의하여, 가속공간을 구획하는 내벽에 빔의 일부가 충돌하여 소멸된다. 이러한 빔 손실에 의하여, 최종적으로 가속기로부터 출력되는 빔의 비율이 저하된다. 따라서, 이 종류의 가속기에 있어서는, 최종적으로 얻어지는 빔의 비율을 향상시키기 위하여, 가속공간의 내벽에 충돌하는 빔을 적게 하도록, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐을 억제하는 것이 요망되고 있었다.

그래서, 본 발명은, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐을 억제할 수 있는 가속기 및 사이클로트론을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 가속기는, 이온원(源)으로부터 입사되는 빔을 통과시켜서 가속궤도에 도입하는 인플렉터를 구비하고, 인플렉터는, 통과하는 빔을 수속(收束)시키는 빔 수속수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

이 가속기에서는, 인플렉터가 빔 수속수단을 가지기 때문에, 이온원으로부터 입사되는 빔이 인플렉터의 빔 수속수단에서 수속되어 가속궤도에 도입되므로, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐을 억제할 수 있다.

구체적으로는, 빔 수속수단은, 빔이 통과하는 빔 통과영역에 왜곡4극성분의 전장(電場)을 발생시키는 것으로 하여도 좋다. 이 경우, 인플렉터를 통과하는 빔은, 빔 수속수단에 의한 왜곡4극성분의 전장에 의하여 수속되어, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐이 억제된다.

또한, 인플렉터는, 빔 통과영역을 이루는 갭(gap)을 두고 대향하여 설치된 플러스전극 및 마이너스전극을 가지고, 플러스전극 및 마이너스전극은, 갭의 너비가, 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에서 불균일하게 되도록 형성되어 있는 것으로 하여도 좋다.

이 경우, 인플렉터의 빔 통과영역에는, 플러스전극 및 마이너스전극에 의한 전장이 발생한다. 그리고, 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에 있어서는, 플러스전극 및 마이너스전극의 갭이 불균일하므로, 빔은 그 단면의 통과위치에 따른 전장의 영향을 받아서, 통과위치에 따라 굴곡된다. 따라서, 빔 통과영역을 통과하는 빔을 수속시키는 것이 가능하여진다.

또한, 구체적으로는, 가속궤도는 와권 형상을 이루고 있고, 갭의 너비는, 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에서, 와권 형상의 가속궤도의 외측에 대응하는 위치일수록 넓게 되어 있는 것으로 하여도 좋다.

또한, 가속궤도는 와권 형상을 이루고 있고, 빔 수속수단은, 빔이 통과하는 빔 통과영역에 전장을 발생시키고, 그 전장의 강도는, 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에서, 와권 형상의 가속궤도의 외측에 대응하는 위치일수록 약하게 하는 것으로 하여도 좋다.

또한, 본 발명의 사이클로트론은, 빔을 와권 형상의 가속궤도에서 가속하는 사이클로트론으로서, 가속궤도에 직교하는 방향의 자장(磁場)을 발생시키는 자극(磁極)과, 빔을 가속하기 위한 전위차를 가속궤도에 발생시키는 디(D) 전극(電極)과, 가속궤도에 직교하는 입사방향으로 입사되는 빔을 통과시키고 굴곡시켜서 가속궤도에 도입하는 인플렉터를 구비하고, 인플렉터는, 통과하는 빔을 수속시키는 빔 수속수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

이 사이클로트론에서는, 인플렉터가 빔 수속수단을 가지기 때문에, 이온원으로부터 입사되는 빔이 인플렉터의 빔 수속수단에서 수속되어 가속궤도에 도입되므로, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐을 억제할 수 있다.

본 발명의 가속기 및 사이클로트론에 의하면, 가속궤도에 도입되는 빔의 퍼짐을 억제할 수 있다.

[도 1] 본 발명의 가속기(사이클로트론)의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다.
[도 2] 도 1의 사이클로트론의 스파이럴 인플렉터를 나타내는 사시도이다.
[도 3] (a), (b), (c)는, 플러스전극·마이너스전극의 단면 형상을 간략히 나타내는 도면이다.
[도 4] 도 2의 스파이럴 인플렉터와 유사한 유사 인플렉터를 나타내는 사시도이다.
[도 5] 본 발명자들에 의한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
[도 6] 본 발명자들에 의한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
[도 7] 인플렉터의 다른 형태에 있어서, 통과궤도에 직교하는 단면을 나타내는 개략 단면도이다.
[도 8] 인플렉터의 또 다른 형태에 있어서, 빔 출구 근방을 위에서 본 평면도이다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 관한 가속기 및 사이클로트론의 적합한 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다.

도 1에 나타내는 사이클로트론(1)은, 이온원(11)으로부터 입사되는 이온입자의 빔(B)을 가속하여 출력하는 가속기이다. 사이클로트론(1)은, 빔(B)을 통과시켜 가속하기 위한 평면시(視)(평면으로 놓고 본 경우) 원형인 가속공간(5)을 구비하고 있다. 여기에서는, 가속공간(5)이 수평으로 뻗어 있도록 사이클로트론(1)이 설치되어 있는 것으로 한다. 이하의 설명에서 “상”, “하”의 개념을 포함하는 용어를 사용하는 경우에는, 도 1에 나타내는 상태의 사이클로트론(1)의 상하에 대응하는 것으로 한다. 또한, 필요한 경우에는 도 1에 나타낸 바와 같이, z축을 연직축으로 하고 xy평면을 수평면으로 하는 xyz 좌표계를 설정하고, x, y, z를 편의상 설명에 사용하는 경우가 있다.

사이클로트론(1)은, 가속공간(5)의 하방 및 상방에 설치된 자극(7)을 구비하고 있다. 다만, 가속공간(5)의 상방의 자극(7)은 도시를 생략하고 있다. 자극(7)은, 가속공간(5)에, 연직방향의 자장을 발생시킨다. 또한, 사이클로트론(1)은, 평면시 부채꼴인 복수의 디 전극(9)을 구비하고 있다. 디 전극(9)은, 원주방향으로 관통된 공동(空洞; cavity)을 가지고 있고, 이 공동이 상기 가속공간(5)의 일부를 이룬다. 복수의 디 전극(9)에 교류전류를 부여함으로써, 디 전극(9)은 둘레방향의 전위차를 가속공간(5)에 발생시키고, 그 전위차에 의하여 빔(B)이 가속된다. 가속공간(5)의 대략 중앙에 도입된 빔(B)은, 자극(7)에 의한 자장과 디 전극(9)에 의한 전장의 작용에 의하여, 가속공간(5) 내에 있어서 수평인 와권 형상의 가속궤도(T)를 그리면서 가속된다. 가속된 빔(B)은, 최종적으로는 가속궤도(T)의 접선방향으로 출력된다. 사이클로트론(1)의 이상의 구성은 공지인 것이므로, 더 상세한 설명은 생략한다.

이온 빔(B)은, 사이클로트론(1)의 하방에 설치된 이온원(11)에서 발생되고, 2개의 솔레노이드(13)를 거쳐서, 연직 상향의 입사방향으로 사이클로트론(1)에 입사된다. 다만, 솔레노이드(13)는, 빔(B)의 발산을 방지하는 기능을 한다. 사이클로트론(1)에서는, 빔(B)을 가속궤도(T)에 도입하기 위하여, 연직으로 입사되는 빔(B)을 수평방향으로 굴곡시킬 필요가 있다. 따라서, 사이클로트론(1)은, 가속공간(5)의 중앙에 설치된 스파이럴 인플렉터(21)를 구비하고 있다. 인플렉터(21)는, 하방으로부터의 빔(B)을 굴곡시켜서, 가속공간(5)의 대략 중앙에서 수평으로 출사한다. 출사된 빔(B)은, 상기 서술한 가속궤도(T)에 도입되어 가속된다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 인플렉터(21)는, 금속괴(塊)(예컨대 동괴(銅塊))로 이루어지고, 서로 대향하는 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)을 구비하고 있다. 플러스전극(23) 및 마이너스전극(27)은, 각각 상이한 정(定)전압전원(도시 생략)에 접속되어 있다. 플러스전극(23)의 표면에는, 뒤틀린 띠 형상의 곡면을 이루는 플러스전극면(23a)이 형성되어 있고, 마이너스전극(27)의 표면에는, 뒤틀린 띠 형상의 곡면을 이루는 마이너스전극면(27a)이 형성되어 있다. 플러스전극면(23a)과 마이너스전극면(27a)은 소정의 갭(gap)을 두고 서로 대면하여 위치하고 있다. 상기 갭으로 구성되는 나선 형상의 공간에는, 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)의 전위차에 의한 전장이 형성된다. 다만, 이온 빔(B)을 구성하는 이온의 극성(플러스 마이너스)에 따라서, 전극(23, 27)의 극성을 반대로 하여도 좋다.

인플렉터(21)의 하단부에 있어서의 플러스전극면(23a)과 마이너스전극면(27a)의 간극으로부터, 연직 상향의 빔(B)이 입사된다. 입사된 빔(B)은, 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)의 전위차에 의한 전장의 영향과 자극(7)에 의한 자장의 영향을 받음으로써, 상기 갭을 따라 나선 형상으로 굴곡하면서 진행한다. 그리고 빔(B)은, 인플렉터(21)의 상부에 있어서의 플러스전극면(23a)과 마이너스전극면(27a)의 간극으로부터, 수평으로 출사된다. 인플렉터(21)로부터 출사된 후, 빔(B)은, 위에서 볼 때 반시계방향의 와권(소용돌이)을 그리면서 상기 가속궤도(T)를 오른다. 다만, 인플렉터(21) 내에 있어서의 빔의 이상적인 통과궤도를, 부호 “S”를 붙여서 도시하고 있다. 이와 같이, 상기 갭으로 구성되는 나선 형상의 공간은, 빔이 통과하는 빔 통과영역(25)이 된다.

계속하여, 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)의 상기 갭의 너비에 대하여 설명한다.

도 3은 각각, 통과궤도(S)에 직교하는 단면에 있어서의, 빔 통과영역(25) 근방의 개략 단면도로서, (a)는 인플렉터(21)의 하단면의 위치, (b)는 인플렉터(21) 내의 임의의 위치, (c)는 (b)보다 통과궤도(S)의 전방(하류측)의 임의의 위치의 단면을 나타낸다. (a), (b), (c) 모두, 통과궤도(S)에 있어서의 빔(B)이 지면(紙面)의 안쪽에서 앞으로 진행하는 방향으로부터 본 단면도이다.

인플렉터(21)의 하단면에 있어서는, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 플러스전극면(23a)과 마이너스전극면(27a)이 평행하여, 상기 갭의 너비(g)는 일정하다. 도 3(b), (c)에 나타내는 바와 같이 임의의 단면을 취했을 경우, 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)의 갭의 너비(g)는 단면 내에서 불균일하며, 도 3(b), (c)의 왼쪽으로 갈수록 넓어지고 있다. 다만, 도 3에 있어서의 좌측은 와권 형상의 가속궤도(T)의 외측에 대응하고, 도 3에 있어서의 우측은 와권 형상의 가속궤도(T)의 내측에 대응한다.

환언하면, 통과궤도(S)에 직교하는 임의의 단면을 취했을 경우, 플러스전극면(23a)의 윤곽과 마이너스전극면(27a)의 윤곽이 여덟 팔(八)자형을 이루도록, 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)이 형성되어 있다. 또한, 도 3(c)는, 도 3(b)보다 통과궤도(S)의 전방(하류측)에 위치하는 단면을 나타낸다. 도 3의 (b)와 (c)의 비교에서 이해되는 바와 같이, 통과궤도(S)의 전방으로 갈수록 갭의 너비(g)의 좌우차(差)가 커지는 3차원 형상으로, 플러스전극(23)과 마이너스전극(27)이 형성되어 있다.

이상과 같은 갭의 너비(g)의 설정에 의하면, 빔 통과영역(25) 내에 있어서, 가속궤도(T)의 외측(도 3에서는 좌측)에 대응하는 위치일수록, 전극(23, 27)에 의한 전장이 약하고, 가속궤도(T)의 내측에 대응하는 위치일수록, 전극(23, 27)에 의한 전장이 강하다고 하는 전장의 분포가 형성된다. 즉, 빔 통과영역(25)에 있어서는, 빔(B)의 통과위치가 도 3의 좌측으로 벗어날수록, 전장에 의하여 빔(B)이 도 3의 하향(또는 상향)으로 받는 힘이 작아진다고 하는 바와 같이, 이른바 왜곡4극성분(歪四極成分)의 전장이 발생되고 있다. 이러한 왜곡4극성분의 전장을 발생시키는 전극(23, 27)의 구성은, 인플렉터(21)를 통과하는 빔(B)을, 특히 연직방향으로 수속시키는 빔 수속수단으로서의 기능을 가지고 있다.

따라서, 왜곡4극성분의 전장이 존재하는 빔 통과영역(25)을, 빔(B)이 통과함으로써, 가속궤도(T)에 도입되는 빔(B)이 특히 연직방향(z방향)으로 수속되어, 빔(B)의 연직방향의 퍼짐이 억제된다. 그리고, 빔(B)의 연직방향의 퍼짐이 억제됨으로써, 가속공간(5)에 있어서, 디 전극(9)의 내벽에 충돌하는 빔이 적어진다. 그 결과, 사이클로트론(1)으로부터 최종적으로 출력되는 빔(B)의 비율(사이클로트론의 투과율 등으로 불리는 경우가 있음)을 향상시킬 수 있다.

상기 서술한 바와 같은 갭의 너비(g)를 실현하기 위한 구체예로서, 갭의 너비(g)를 구체적인 수식으로 나타내면, 하기 식(1)이 된다.

단,

g：소정 위치에 있어서의 갭의 너비

g₀：인플렉터 입구에서의 갭의 너비

k’：틸트 파라미터

b：b=s/A

s：통과궤도(S)를 따라서 측정한 인플렉터 입구로부터 상기 소정 위치까지의 거리

A：인플렉터의 높이

η：왜곡4극성분의 전장의 강도

W：인플렉터의 폭

w：상기 소정 위치의 폭(W)방향에서의 위치

다만, 인플렉터의 높이(A)란, 인플렉터에 있어서의 빔(B)의 입구로부터 빔(B)의 출구까지의 연직방향으로 측정한 길이를 나타낸다. 상기 빔(B)의 입구란, 빔(B)이 전극(23, 27)에 의한 전장의 받기를 시작하는 이론상의 위치로서, 인플렉터(21)의 하단면보다 약간 아래에 위치한다. 또한, 상기 빔(B)의 출구란, 빔(B)이 전극(23, 27)에 의한 전장의 받기를 끝내는 이론상의 위치로서, 플러스전극면(23a), 마이너스전극면(27a)의 상단 위치보다, 약간 빔(B)의 진행방향 전방에 위치한다. 틸트 파라미터(k’)란, 통과궤도(S)에 직교하는 면 내에 있어서의 빔 통과영역(25)의 기울기를 나타내는 파라미터이다. 또한, 인플렉터의 폭(W)이란, 빔 통과영역(25)의 폭을 나타낸다. 인플렉터 입구에서는 b=0이고, 플러스전극면(23a)과 마이너스전극면(27a)은 평행하다. 또한, 인플렉터 출구에서는 b=π／2이다. 식(1)로부터 이해되는 바와 같이, 갭의 너비(g)는, w의존성을 가지게 된다.

다만 비교를 위하여, 도 4에는, 인플렉터(21)와 유사한 다른 타입의 스파이럴 인플렉터(이하, “유사 인플렉터”라고 칭함)(121)를 나타내고 있다. 이 유사 인플렉터(121)에서는, 빔(B)의 통과궤도(S’)에 직교하는 모든 단면에 있어서, 플러스전극(123)과 마이너스전극(127)의 갭의 너비가 일정하다. 즉, 통과궤도(S’)에 직교하는 모든 단면에 나타나는 플러스전극면(123a)의 윤곽과 마이너스전극면(127a)의 윤곽이 평행하도록, 플러스전극(123)과 마이너스전극(127)이 형성되어 있다. 이 유사 인플렉터(121)에서는, 빔 통과영역(125)의 전장은 2극성분(二極成分)만 발생되고 있어서, 인플렉터(21)와 같은 빔의 수속효과는 얻을 수 없다.

계속하여, 인플렉터(21)에 의한 작용 효과를 확인하기 위하여 본 발명자들이 행한 시뮬레이션에 대하여 설명한다.

여기에서는, 빔의 이온입자 5000개에 대하여 인플렉터(21)를 통과시키는 시뮬레이션을 행하고, 인플렉터(21)의 출구에 있어서의 이온입자의 z치(値)와 z’치를 플롯하여, 분포를 도 5에 나타내었다. z치란 이온입자의 연직방향에 있어서의 통과위치(mm)를 나타내고, z’치란 입자의 진행방향을 수평면으로부터의 각도(mrad)로 나타낸 것이다. 또한, 비교를 위하여, 유사 인플렉터(121)에 대해서도 마찬가지의 시뮬레이션을 행하고, 결과를 도 6에 나타내었다.

도 5는, 도 6과 비교하여, z치의 편차가 작은 것이 판명된다. 이는, 인플렉터(21)를 통과한 이온입자의 상하위치가, 유사 인플렉터(121)에 비하여, 보다 가지런하게 되어 있는 것을 의미한다. 또한, 도 5는, 도 6과 비교하여, z’치의 편차가 작고, 제로 mrad에 가까운 각도에 모여 있는 것이 판명된다. 이는, 인플렉터(21)를 통과한 이온입자가, 유사 인플렉터(121)에 비하여, 수평에 가까운 각도로 출사되는 경향이 보다 강한 것을 의미한다. 따라서, 인플렉터(21)에 의하면, 유사 인플렉터(121)에 비하여, 빔(B)을 상하방향으로 수속하는 효과가 얻어질 수 있음이 확인되었다.

본 발명은, 상기 서술한 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 실시형태에서는, 가속공간(5)이 수평으로 뻗어 있도록 사이클로트론(1)이 설치되어 있는 것으로 했지만, 본 발명은, 가속공간이 연직면을 따라서 설치되는 가속기에도, 마찬가지로 적용이 가능하다. 또한 본 발명은, 사이클로트론에 한하지 않고, 싱크로 사이클로트론(가속기)에도 적용이 가능하다.

또한, 금속괴로 이루어지는 전극(23, 27) 대신에, 일정한 두께의 뒤틀린 한 쌍의 판 형상 전극을 이용하여, 단면 여덟 팔(八)자형의 배치에 의하여 상기 서술한 바와 같은 갭을 실현하여도 좋다. 또한, 갭의 너비(g)에 w의존성을 갖게 하는 구성을 실현하기 위해서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 예컨대, 유사 인플렉터(121)의 마이너스전극면(127a)에, 단면 삼각을 이루는 금속부재(129)를 추가하여 접합하여도 좋다. 또한, 빔 통과영역(25)에 있어서의 왜곡4극성분의 전장을 실현하기 위해서는, 유사 인플렉터(121)의 빔 출구의 전방에 왜곡4극자석(磁石)을 설치하여도 좋다. 또한, 빔 통과영역(25)에 있어서의 왜곡4극성분의 전장을 실현하기 위해서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 위에서부터 본 유사 인플렉터(121)의 전극(127, 123)의 길이를, 빔의 진행방향으로, 가속궤도(T)의 내측에 대응하는 위치일수록 길게 하도록 하여도 좋다.

1…사이클로트론(가속기)
7…자극
9…디 전극
11…이온원
21…스파이럴 인플렉터
23…플러스전극(빔 수속수단)
25…빔 통과영역
27…마이너스전극(빔 수속수단)
B…빔
T…가속궤도

Claims (6)

1. 이온원(源)으로부터 입사되는 빔을 통과시켜서 가속궤도에 도입하는 인플렉터를 구비하고,
   상기 인플렉터는, 통과하는 상기 빔을 수속(收束)시키는 빔 수속수단을 가지는 것을 특징으로 하는 가속기.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 빔 수속수단은,
   상기 빔이 통과하는 빔 통과영역에 왜곡4극성분(歪四極成分)의 전장(電場)을 발생시키는 것을 특징으로 하는 가속기.
3. 청구항 2에 있어서,
   상기 인플렉터는,
   상기 빔 통과영역을 이루는 갭을 두고 대향하여 설치된 플러스전극 및 마이너스전극을 가지고,
   상기 플러스전극 및 상기 마이너스전극은,
   상기 갭의 너비가, 상기 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에서 불균일하게 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가속기.
4. 청구항 3에 있어서,
   상기 가속궤도는 와권(渦卷; 소용돌이) 형상을 이루고 있고,
   상기 갭의 너비는, 상기 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에서, 상기 와권 형상의 상기 가속궤도의 외측에 대응하는 위치일수록 넓게 되어 있는 것을 특징으로 하는 가속기.
5. 청구항 1에 있어서,
   상기 가속궤도는 와권 형상을 이루고 있고,
   상기 빔 수속수단은, 상기 빔이 통과하는 빔 통과영역에 전장을 발생시키고,
   상기 전장의 강도는, 상기 빔의 진행방향에 직교하는 단면 내에서, 상기 와권 형상의 상기 가속궤도의 외측에 대응하는 위치일수록 약하게 하는 것을 특징으로 하는 가속기.
6. 빔을 와권(渦卷; 소용돌이) 형상의 가속궤도에서 가속하는 사이클로트론으로서,
   상기 가속궤도에 직교하는 방향의 자장(磁場)을 발생시키는 자극(磁極)과,
   상기 빔을 가속하기 위한 전위차를 상기 가속궤도에 발생시키는 디(D) 전극(電極)과,
   상기 가속궤도에 직교하는 입사방향으로 입사되는 빔을 통과시키고 굴곡시켜서 상기 가속궤도에 도입하는 인플렉터를 구비하고,
   상기 인플렉터는, 통과하는 상기 빔을 수속시키는 빔 수속수단을 가지는 것을 특징으로 하는 사이클로트론.

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