KR101225318B1 - Hybrid Heating Type Evaporator - Google Patents
Hybrid Heating Type Evaporator Download PDFInfo
- Publication number
- KR101225318B1 KR101225318B1 KR1020120105336A KR20120105336A KR101225318B1 KR 101225318 B1 KR101225318 B1 KR 101225318B1 KR 1020120105336 A KR1020120105336 A KR 1020120105336A KR 20120105336 A KR20120105336 A KR 20120105336A KR 101225318 B1 KR101225318 B1 KR 101225318B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- evaporation source
- material injection
- heating
- crucible
- present
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 증착 공정에 사용되는 증발원에 관한 것으로, 직접가열식 증발원과 간접가열식 증발원의 장점을 모두 취사 선택하고 단점을 극복하고자 한 하이브리드 가열방식 증발원을 제공한 것이다.
본 발명은, 물질을 담는 도가니부는 간접가열식으로 하여 도가니의 선택을 재질 등에서 자유롭게 할 수 있도록 하였고, 물질 분사부는 직접가열식으로 구성하여 증발된 물질이 응축되지 않도록 신속하고 효율적으로 가열하도록 하였다.
본 발명에 따르면 고효율의 증발원을 간편한 구성으로 제공할 수 있다. The present invention relates to an evaporation source used in the deposition process, to provide a hybrid heating method evaporation source to select and overcome all the advantages of the direct heating and indirect heating evaporation source.
According to the present invention, the crucible portion containing the material is indirectly heated so that the selection of the crucible can be made free from materials and the like, and the material injection part is configured by direct heating so that the evaporated material is heated quickly and efficiently.
According to the present invention can provide a highly efficient evaporation source in a simple configuration.
Description
본 발명은 증착 공정에 사용되는 증발원에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 OLED, 솔라셀 등을 제작하는 데 사용되는 증착 공정용 증발원에 관한 것이다.The present invention relates to an evaporation source used in the deposition process, and more particularly to an evaporation source for the deposition process used to fabricate OLEDs, solar cells and the like.
OLED 또는 솔라셀 등을 제작하는 데 사용되는 증발원은 가열 방식에 따라 직접가열식 증발원과 간접가열식 증발원으로 나뉠 수 있다.Evaporation sources used to fabricate OLEDs or solar cells can be divided into direct heating evaporation sources and indirect heating evaporation sources depending on the heating method.
증발원 중 특히 대면적 기판에 균일한 두께의 박막을 제작하기 위한 길이가 긴 선형 증발원은 물질을 담는 도가니부와 노즐이 배열된 물질 분사부로 이루어진다. 물질이 들어 있는 도가니부를 가열하여 물질을 증발시키고 증발된 물질을 분사노즐을 통해 기판 쪽으로 분사함에 있어서, 길이가 긴 선형 증발원의 경우 도가니가 팽창하여 고온으로 올리는 것이 힘들며, Cu(Copper)를 이용해 증착할 경우 직접 가열부의 물질 분사구에 응고되어 전류의 흐름과 열팽창이 불균형 해 질수 있다. Among the evaporation sources, a long linear evaporation source for producing a thin film having a uniform thickness on a large-area substrate is composed of a crucible portion containing a material and a material injection portion in which nozzles are arranged. In heating the crucible containing the material to evaporate the material and injecting the evaporated material into the substrate through the injection nozzle, it is difficult to expand the crucible to a high temperature in the case of a long linear evaporation source, and to deposit using Cu (Copper). Doing so solidifies directly at the material injection port of the heating section, resulting in unbalanced current flow and thermal expansion.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 시도되는 것으로 직접가열식(Direct) 증발원의 경우, 선형 증발원의 노즐부 안에 도가니부를 내장시켜 선형 증발원 양단 히터의 전원 접속부에 전원을 연결, 주울열 (Joule's Heat) 을 이용하여 가열하는 방식을 택한다(도 1 참조). In order to solve the above problems, in the case of the direct heating evaporation source, the crucible part is embedded in the nozzle part of the linear evaporation source to connect power to the power connection of the heaters of the linear evaporation source, using Joule's Heat. By heating (see Fig. 1).
이러한 직접가열식 증발원의 경우 손쉽게 고온에 도달할 수 있다는 장점이 있으나, 증발원 내에 도가니부에 금속성 물질을 넣고 가열할 경우, 물질 자체가 저항으로 작용하여 주울열의 발생이 균일하지 않게 되고, 그에 따라 대면적 기판에 증착되는 박막 소자의 품질이 균일하지 않게 되는 단점이 있다.This direct heating evaporation source has the advantage of being able to easily reach a high temperature, but when a metallic material is put into the crucible in the evaporation source and heated, the material itself acts as a resistance, resulting in uneven generation of joule heat, and thus a large area. There is a disadvantage that the quality of the thin film element deposited on the substrate is not uniform.
이에 대해, 간접가열식 (In-direct) 증발원은 증발원 외부에 히터(40)를 장착시켜 히터의 발열에 따라 물질을 담는 도가니부(10)와 물질 분사부(20)를 가열하는 방식을 택한다(도 2 참조).On the contrary, the in-direct evaporation source selects a method in which the
이러한 간접가열식 증발원의 경우, 도가니 재료를 다양하게 선택할 수 있어 구성이 자유롭다는 장점이 있으나, 가열효율이 낮고 길이가 긴 선형 증발원에 적용하게 되면 노즐이 있는 물질 분사부의 가열 효율은 더욱 떨어지고 가열을 위해 구성하는 히터의 지지부재 등을 세라믹재로 상당히 정교하게 만들어야 하고 가열효율 향상을 위해 리플렉터 등을 설치해야하므로 이에 따른 노력과 비용 부담이 크다는 단점이 있다.
In the case of such an indirect heating evaporation source, there is an advantage in that the crucible material can be selected in various ways, but the composition is free. However, when applied to a linear evaporation source having a low heating efficiency and a long length, the heating efficiency of the material injection unit with the nozzle is further reduced and heating is performed. In order to improve the heating efficiency, the support member of the heater, which is constituted for the purpose of making the heater, must be made very precisely, and the reflector must be installed to improve the heating efficiency.
따라서 본 발명의 목적은 금속을 포함한 증착 물질을 고효율로 대면적 기판에 증착할 수 있는 선형 증발원을 제공하고자 하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a linear evaporation source capable of depositing a deposition material including a metal on a large area substrate with high efficiency.
본 발명은, 도가니부를 열선으로 만든 히터로 감싸 히터의 발열량을 도가니에 전달하여 도가니 내부의 물질을 간접가열방식으로 가열하고, The present invention wraps the crucible with a heater made of a heating wire to transfer the calorific value of the heater to the crucible to heat the material inside the crucible by indirect heating,
상기 도가니부에 연결되어 노즐이 형성된 물질 분사부는 도체로 형성하고 물질 분사부 자체 양단에 전원접속부를 형성하여 전원을 접속하여 직접가열방식으로 가열하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 가열방식 증발원을 제공할 수 있다. The material injection part connected to the crucible part and formed with a nozzle may be formed of a conductor, and a power supply connection part may be formed at both ends of the material injection part itself to connect a power source to provide a hybrid heating type evaporation source. .
또한, 본 발명은, 물질 분사부 내부에 개구부를 형성한 배플(baffle)을 하나 이상 설치하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 가열방식 증발원을 제공할 수 있다. In addition, the present invention can provide a hybrid heating type evaporation source, characterized in that at least one baffle having an opening formed in the material injection unit is provided.
또한, 본 발명은, 상기 물질 분사부를 Ta, W, Mo 또는 그라파이트(graphite)를 포함한 가열이 가능한 재질들로 구성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 가열방식 증발원을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a hybrid heating method evaporation source, characterized in that the material injection unit comprises a material capable of heating, including Ta, W, Mo or graphite (graphite).
또한, 본 발명은, 길이가 긴 물질 분사부를 위하여 상기 도가니부를 하나 이상 설치하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 가열방식 증발원을 제공할 수 있다. In addition, the present invention may provide a hybrid heating type evaporation source, characterized in that at least one crucible is provided for a long material injection part.
또한, 본 발명은, 상기 하이브리드 가열 방식 증발원의 주위에 워터 재킷(Water Jacket)을 설치하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 가열방식 증발원을 제공할 수 있다.
In addition, the present invention can provide a hybrid heating method evaporation source characterized in that a water jacket (Water Jacket) is provided around the hybrid heating method evaporation source.
본 발명에 따르면, 도가니부를 구성하는 재료의 선택이 폭 넓어 자유로우며, 도가니부를 가열하여 증발된 물질이 물질 분사부에서 고온을 유지하도록 물질 분사부를 직접가열식으로 가열하므로 고온 도달이 빠르고 고온 유지 또한 용이하며, 증발물에 대한 전원 가열이므로 금속 물질의 경우에도 저항 변화 문제가 생기지 않아, 직접가열 방식과 간접가열 방식의 장점을 모두 취할 수 있다.According to the present invention, the material constituting the crucible part is wide and free, and the material injection part is directly heated so that the evaporated material is heated at the material injection part by heating the crucible part, so that the high temperature is reached and the high temperature is also easy to maintain. In addition, since the heating of power to the evaporate does not cause a change in resistance even in the case of a metal material, it can take advantage of both the direct heating method and the indirect heating method.
또한, 본 발명에 따르면, 물질 분사부에 설치한 배플로 인해, 직접가열 방식의 고온 가열에 따라 있을 수 있는 물질 분사부 외벽의 강도 감소로 인한 외형 변형을 사전에 방지할 수 있고, 증발물질의 경로에 관여하여 증착 균일도를 확보하는데 관여한다.In addition, according to the present invention, due to the baffle installed in the material injection unit, it is possible to prevent the deformation of the appearance due to the reduction in the strength of the outer wall of the material injection unit that may be due to the high temperature heating of the direct heating method, Involved in the pathway to ensure deposition uniformity.
또한, 본 발명에 따르면, 물질 분사부를 대면적 기판에 맞추어 길게 형성하여도 그에 따라 도가니부를 다수 설치하여 증발물의 분포를 전 길이에 대해 균일하게 유지할 수 있다.In addition, according to the present invention, even if the material injection portion is formed long in accordance with the large area substrate, it is possible to install a plurality of crucible portions accordingly to maintain the distribution of the evaporated material uniformly over the entire length.
또한, 본 발명에 따르면, 증발원 주위에 워터 재킷을 설치하여 진공 챔버 내의 여타 물품에 대해 고온에 의한 악영향을 방지할 수 있다. Further, according to the present invention, a water jacket can be provided around the evaporation source to prevent adverse effects due to high temperatures on other articles in the vacuum chamber.
도 1은 종래 직접가열식 증발원의 구성을 나타내는 사시도 이다.
도 2는 종래 간접가열식 증발원의 구성을 나타내는 사시도 이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 가열방식 증발원의 구성을 나타내는 개략적인 사시도 이다.
도 4는 본 발명의 하이브리드 가열방식 증발원의 물질 분사부에 설치되는 배플(baffle)의 실시예들을 나타내는 평면도들이다.
도 5는 상기 배플을 설치한 물질 분사부를 나타내는 단면 구성도이다.
도 6은 본 발명의 하이브리드 가열방식 증발원에 다수의 도가니부를 설치한 것을 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 하이브리드 가열방식 증발원의 물질 분사부의 노즐 형성부를 교체 가능하게 구성한 것을 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 하이브리드 가열방식 증발원의 물질 분사부 주위에 워터 재킷을 설치한 것을 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하향식 하이브리드 가열방식 증발원의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수직 측향식 하이브리드 가열방식 증발원의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 수평 측향식 하이브리드 가열방식 증발원의 구성을 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view showing the configuration of a conventional direct heating evaporation source.
Figure 2 is a perspective view showing the configuration of a conventional indirect heating evaporation source.
Figure 3 is a schematic perspective view showing the configuration of a hybrid heating method evaporation source according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view illustrating embodiments of a baffle installed in the material injection part of the hybrid heating evaporation source of the present invention.
Fig. 5 is a cross sectional view showing a material spraying part provided with the baffle.
6 is a perspective view showing a plurality of crucible parts installed in the hybrid heating type evaporation source of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a replaceable configuration of a nozzle forming part of a material injection part of a hybrid heating evaporation source of the present invention. FIG.
8 is a plan view showing that a water jacket is installed around the material injection part of the hybrid heating method evaporation source of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing the configuration of a top-down hybrid heating method evaporation source according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing the configuration of a vertically oriented hybrid heating type evaporation source according to another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view showing the configuration of a horizontally lateral hybrid heating evaporation source according to another embodiment of the present invention.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3에 나타낸 하이브리드 가열방식 증발원은 물질을 담는 도가니부(100)와 상기 도가니부(100)를 둘러싸는 히터(400)와 도가니부(100) 상단에 결합된 물질 분사부(200)를 포함한다. 상기 물질 분사부(200)에는 물질을 분사시킬 수 있는 노즐 또는 슬롯(220)이 형성되며, 양단에 전원 접속부(300)를 구비한 도체로 구성한다. The hybrid heating type evaporation source shown in FIG. 3 includes a
상기 도가니부(100)는 세라믹, 금속, 석영 등 다양한 재료로 만들 수 있고, 물질 분사부(200)는 Ta, W, Mo 또는 그라파이트(graphite)를 포함한 가열이 가능한 재질들로 구성할 수 있다. The
상기 도가니부(100)의 둘레에는 열선으로 만든 히터(400)가 지지부재와 함께 배치된다. 또한, 히터(400) 주위에 가열 효율을 높이는 리플렉터를 더 포함시켜 구성할 수 있다. The
상기 도가니부(100) 상단에 수평방향으로 길게 뻗은 물질 분사부(200)는 대면적 기판에 물질을 증착할 때 박막 두께를 균일화할 수 있도록 단부 효과(end effect)를 보완할 수 있는 노즐을 구비한다. 즉, 노즐의 단면을 길이가 긴 하나의 슬릿으로 할 경우, 중앙부는 폭이 좁고 단부로 갈수록 슬릿의 폭을 넓히는 구성을 취하고, 원형 단면의 작은 슬롯을 다수 형성할 경우, 그 슬롯의 단면적을 중앙부에서는 작게, 양 단부로 갈수록 크게 구성하거나 슬롯의 분포를 중앙부에서는 소(疏)하게, 양 단부로 갈수록 밀(密)하게 구성한다. The
이와 같은 구성으로 도가니부(100)를 히터(400)로 간접가열 하여 증발된 물질이 물질 분사부(200)로 올라오면, 전원 접속부(300)에 전원을 연결하여 물질 분사부(200) 전체를 직접가열 하여 증발물질이 물질 분사부에서 응축되지 않도록 충분한 고온을 신속하게 제공하여 효율적으로 유지시킨다. 따라서 구리 등의 금속물질을 전원을 이용해 직접 가열할 경우 용융 금속으로 인해 전체적인 저항값이 변해 물질 가열 정도가 위치마다 달라지고 이로 인해 박막 균일도가 달라지는 종래의 직접 가열 증발원 방식에서 있어왔던 문제점과 고온 효율이 낮았던 간접가열 방식 증발원의 문제점이 본 발명에 의해 모두 해결될 수 있다. In such a configuration, when the
증발원의 물질 분사부(200)의 길이를 대면적 기판에 맞추어 길게 할 경우 가열 도중 물질 분사부(200)의 외벽은 고온에 의해 그 강성이 다소 감소하여 외형이 변형될 수 있으므로 이에 대비하여 도 4와 같은 여러 가지 모양의 배플(baffle)(250)을 물질 분사부(200) 내부에 도 5와 같이 설치할 수 있다. 상기 배플(250)은 증발물이 자유롭게 이동할 수 있도록 다수의 구멍 내지는 충분한 개구부를 갖도록 만든다. When the length of the
또한, 물질 분사부(200)의 길이가 길어짐에 따라 증발물의 분포가 도가니부(100) 근처에 집중되는 문제를 해결하기 위해 도 6과 같이 다수의 도가니부(100)를 설치할 수 있다. In addition, as the length of the
물질 분사부(200) 상단에 형성된 노즐을 통해 분사되는 증발물은 증착 공정을 거듭할수록 노즐에 응결될 수 있으며, 이로 인해 증착 박막의 균일도를 해할 수 있으므로 어느 정도 사용한 물질 분사부(200)는 교체하게 된다. 이때 물질 분사부(200) 전체를 교체하는 것보다 노즐이 형성된 부분만을 교체하는 것이 비용 및 자원 절약, 환경 면에서 유리하다. 따라서 본 실시예의 경우, 도 7과 같이 물질 분사부(200)를 상부와 하부의 조립(270)으로 구성하고 필요 시 상부만을 교체하도록 하여 비용 등의 절감을 도모함이 바람직하다.The evaporate sprayed through the nozzle formed on the top of the
또한, 물질 분사부(200) 자체가 전원에 의해 고온으로 가열되므로, 진공 챔버 내에 설치되는 여타의 물품들까지 가열될 수 있고, 이는 물품들을 열화 시킬 수 있다. 따라서 본 실시예에서는 증발원 주변 또는 물질 분사부(200) 주변에 열을 흡수 차단할 수 있는 워터 재킷(water jacket)(500)을 설치하였다(도 8 참조). 이는 일종의 냉각수를 담아두거나 흘려주는 열 흡수 차단 장치로 물질 분사부(200)에 전원을 인가할 전원 접속부(300) 주위를 제외하고 모두 둘러싸도록 설치하는 것이 바람직하다. In addition, since the
도 9는 본 발명의 또 다른 변형 실시예인 하향식 증발원을 보여주는 단면 구성도이다. 9 is a cross-sectional view showing a top-down evaporation source which is another modified embodiment of the present invention.
도가니부(100)를 상부에 배치하고 물질 분사부(200)를 그 아래에 배치하여 하향식 증발원을 구성한다. 하향식 증발원은 증착 효율을 높여 소자 제작 공정에 더욱 유리하다.The
도 10은 본 발명의 또 다른 변형 실시예인 측향식 증발원을 보여주는 단면 구성도이다.10 is a cross-sectional view showing a lateral evaporation source as another modified embodiment of the present invention.
도가니부(100)를 물질 분사부(200)의 측면에 배치하여 측향식 증발원을 구성한다. 이때, 물질 분사부(200)의 배열을 수직 방향으로 놓이게 하며, 이러한 수직으로 길게 배치된 분사 노즐은 대면적 기판에 소자를 증착 형성할 경우, 기판의 처짐 현상을 막기 위해 기판을 수직으로 세워 증착 공정을 수행하는 데 있어 매우 효율적으로 증착할 수 있는 구성을 제공할 수 있다. The
도 11은 본 발명의 또 다른 변형 실시예인 수평 측향식 증발원을 보여주는 단면 구성도이다.11 is a cross-sectional view showing a horizontal lateral evaporation source as another modified embodiment of the present invention.
도가니부(100)가 물질 분사부(200)의 측면에 배치결합되는 것은 도 10에서와 동일하나 물질 분사부(200)의 길이 방향을 수직이 아닌 수평으로 길게 배치되도록 구성한다. The
상기와 같은 하이브리드 가열방식 증발원을 구성하여 직접가열방식과 간접가열방식의 장점을 모두 구비할 수 있다.
By configuring the hybrid heating method evaporation source as described above it can be provided with both advantages of the direct heating method and indirect heating method.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by the claims, and those skilled in the art can make various modifications and adaptations within the scope of the claims. It is self-evident.
100: 도가니부 200: 물질 분사부
250: 배플 500: 워터 재킷(water jacket)
300: 전원 접속부 400: 히터100: crucible part 200: material injection part
250: baffle 500: water jacket
300: power connection 400: heater
Claims (2)
상기 물질 분사부는 도체로 형성되고,
물질 분사부 양단에 전원접속부를 포함하여,
상기 전원접속부에 전원을 접속하여 상기 물질 분사부가 직접가열방식으로 가열되는 것을 특징으로 하는 증발원용 물질 분사부.In the material injection portion connected to the crucible portion, the nozzle is formed,
The material injection portion is formed of a conductor,
Including a power connection at both ends of the material injection,
The material injection unit for an evaporation source, characterized in that the material injection unit is heated in a direct heating method by connecting a power source to the power connection.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120105336A KR101225318B1 (en) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | Hybrid Heating Type Evaporator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120105336A KR101225318B1 (en) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | Hybrid Heating Type Evaporator |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110027954A Division KR101225371B1 (en) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | Hybrid Heating Type Evaporator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120123229A KR20120123229A (en) | 2012-11-08 |
KR101225318B1 true KR101225318B1 (en) | 2013-02-01 |
Family
ID=47509257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120105336A KR101225318B1 (en) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | Hybrid Heating Type Evaporator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101225318B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115885056A (en) * | 2020-08-19 | 2023-03-31 | 3M创新有限公司 | Evaporation boat for evaporating metal |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07197241A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-01 | Tokyo Tungsten Co Ltd | Heater for vacuum deposition device |
KR19990025914A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | 이형곤 | Evaporation Source for Vacuum Deposition |
KR100666573B1 (en) | 2005-01-31 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Deposition source and deposition apparatus using the same |
KR20090047953A (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for linear vapor deposition of organic material |
-
2012
- 2012-09-21 KR KR1020120105336A patent/KR101225318B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07197241A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-01 | Tokyo Tungsten Co Ltd | Heater for vacuum deposition device |
KR19990025914A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | 이형곤 | Evaporation Source for Vacuum Deposition |
KR100666573B1 (en) | 2005-01-31 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Deposition source and deposition apparatus using the same |
KR20090047953A (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Apparatus for linear vapor deposition of organic material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120123229A (en) | 2012-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100517255B1 (en) | Linear type nozzle evaporation source for manufacturing a film of OLEDs | |
EP3559303A1 (en) | Linear evaporation source | |
KR101196517B1 (en) | Evaporation cell with large-capacity crucibles for large-size OLED manufacturing | |
EP3559305B1 (en) | Roll-to roll vapor deposition system | |
KR101109690B1 (en) | Downward type linear source and device for depositing thin film using the same | |
US20110023862A1 (en) | Heat equalizer | |
KR101225318B1 (en) | Hybrid Heating Type Evaporator | |
KR100952313B1 (en) | Unit for supplying source and method for supplying source and apparatus for depositioning thin film | |
KR101282537B1 (en) | Linear Source For Large Area Substrate | |
KR101225371B1 (en) | Hybrid Heating Type Evaporator | |
KR101265067B1 (en) | Linear effusion cell with side orifice array, the method of manufacturing linear effusion cell with side orifice array and evaporator | |
WO2018114377A1 (en) | Linear vapor source | |
KR101787367B1 (en) | Linear Evaporation Deposition Apparatus | |
KR101982092B1 (en) | Distribution-tube heating device for evaporation source of deposition equipment | |
KR101969551B1 (en) | Heating device of distribution-tube and deposition equipment with it | |
JP5611086B2 (en) | Deposition boat and film formation method using the same | |
JP2016079430A (en) | Vacuum deposition apparatus and evaporator used in the same | |
KR101749570B1 (en) | Inductive Heating Linear Evaporation Deposition Apparatus | |
KR102680671B1 (en) | Method for coating a substrate in a vapor deposition apparatus and vacuum chamber | |
KR101233460B1 (en) | A Linear Deposition Source With Direct Heating | |
KR101192525B1 (en) | A Linear Deposition Source With Direct Heating | |
KR101266584B1 (en) | Evaporation source for Large scale deposition using parallel connection of point source | |
KR102313237B1 (en) | Nozzle heating device for evaporation source of deposition equipment | |
KR20070113044A (en) | Linear type evaporator for organic thin film vapor deposition | |
KR101328788B1 (en) | Linear Source For Large Area Substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170103 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171228 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181231 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191231 Year of fee payment: 8 |