KR101219245B1 - 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

광전 변환 소자 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101219245B1
KR101219245B1 KR1020110037299A KR20110037299A KR101219245B1 KR 101219245 B1 KR101219245 B1 KR 101219245B1 KR 1020110037299 A KR1020110037299 A KR 1020110037299A KR 20110037299 A KR20110037299 A KR 20110037299A KR 101219245 B1 KR101219245 B1 KR 101219245B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
slip portion
region
photoelectric conversion
electrode
Prior art date
Application number
KR1020110037299A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120119401A (ko
Inventor
김성수
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020110037299A priority Critical patent/KR101219245B1/ko
Priority to US13/283,351 priority patent/US20120266955A1/en
Priority to EP12165021.2A priority patent/EP2515350A3/en
Publication of KR20120119401A publication Critical patent/KR20120119401A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101219245B1 publication Critical patent/KR101219245B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H01G9/2077—Sealing arrangements, e.g. to prevent the leakage of the electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제1 기판; 상기 제1 기판의 일면의 일측부에 형성된 상기 제1 기판의 제1 영역 및 상기 제1 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제1 기판의 제2 영역을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 기판의 일면의 타측부에 형성되고, 상기 제1 기판의 제1 영역과 나란하게 형성된 제1 논슬립부; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제2 기판의 일면의 일측부에 형성된 상기 제2 기판의 제1 영역 및 상기 제2 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제2 기판의 제2 영역을 포함하는 제2 전극; 상기 제2 기판의 일면의 타측부에 형성되고, 상기 제2 기판의 제1 영역과 나란하게 형성된 제2 논슬립부; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하며 실링 부재의 내측, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전해질 용액을 매립하는 상기 실링 부재;를 포함하고, 상기 실링 부재는 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나와 접촉하는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 논슬립부를 형성함으로써 상하 기판의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Description

광전 변환 소자 및 이의 제조 방법 {Photoelectric conversion device and method of preparing the same}
본 발명은 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 논슬립부를 형성함으로써 정렬도를 향상시킬 수 있는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
태양전지는 다른 에너지원과 달리 자원이 무한하고 환경 친화적인 에너지원으로서, 실리콘 태양전지, 염료 감응 태양전지 등이 알려져 있다.
실리콘 태양전지는 제작비용이 상당히 고가라서 실용화가 곤란하고, 전지 효율을 개선하는데 많은 어려움이 따른다.
이에 비하여, 염료 감응 태양전지는 기존의 실리콘계 태양전지에 비해 제조단가가 현저하게 낮기 때문에 기존의 비정질 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 가능성을 가지고 있고, 실리콘 태양전지와 달리 가시광선을 흡수하여 전자-홀 쌍을 생성할 수 있는 염료분자 및 생성된 전자를 전달하는 전이금속 산화물을 주 구성 재료로 하는 광·전기화학적 태양전지이다.
염료 감응 태양전지에 대한 기술이 지속적으로 발전하면서, SRC(standard reporting conditions)에서 10% 이상의 광전 변환 효율을 기록한 결과가 보고되고 있다. 그러나, 이러한 결과는 활성 면적(active area)이 10mm×10mm 이하인 작은 셀에서만 실현된 결과로, 염료 감응 태양전지를 실용화하기 위해서는 대형화된 모듈을 제작해야 한다.
하지만, 기존에는 대형화된 염료 감응 태양전지가 제작되지 않았기 때문에 상하 기판의 위치 정렬도 및 조립시 정렬도의 중요성이 대두되지 않았다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 논슬립부를 형성함으로써 상하 기판의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 기판; 상기 제1 기판의 일면의 일측부에 형성된 상기 제1 기판의 제1 영역 및 상기 제1 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제1 기판의 제2 영역을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 기판의 일면의 타측부에 형성되고, 상기 제1 기판의 제1 영역과 나란하게 형성된 제1 논슬립부; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제2 기판의 일면의 일측부에 형성된 상기 제2 기판의 제1 영역 및 상기 제2 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제2 기판의 제2 영역을 포함하는 제2 전극; 상기 제2 기판의 일면의 타측부에 형성되고, 상기 제2 기판의 제1 영역과 나란하게 형성된 제2 논슬립부; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하며 실링 부재의 내측, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전해질 용액을 매립하는 상기 실링 부재;를 포함하고, 상기 실링 부재는 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나와 접촉하는 광전 변환 소자가 제공된다.
여기서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 형성된 투명 전극층 및 상대 전극층 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 논슬립부는 상기 제1 전극이 형성되지 않는 상기 제1 기판의 측변에 나란하게 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2 논슬립부는 상기 제2 전극이 형성되지 않는 상기 제2 기판의 측변에 나란하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나는 상기 투명 전극층 및 상대 전극층 중 적어도 어느 하나에 형성된 트렌치일 수 있다.
한편, 상기 투명 전극층 및 상대 전극층 중 적어도 어느 하나는 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출될 수 있다.
또한, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나는 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출될 수 있다.
그리고, 상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성될 수 있다.
한편, 상기 실링 부재의 외측 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전도성 물질층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 전도성 물질층과 접속하는 접속 단자를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1 기판을 마련하는 단계; 상기 제1 기판의 일면의 일측부에 상기 제1 기판의 제1 영역 및 상기 제1 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제1 기판의 제2 영역을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 기판의 일면의 타측부에 상기 제1 기판의 제1 영역과 나란하게 제1 논슬립부를 형성하는 단계; 상기 제1 기판과 대향하게 제2 기판을 마련하는 단계; 상기 제2 기판의 일면의 일측부에 상기 제2 기판의 제1 영역 및 상기 제2 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제2 기판의 제2 영역을 포함하는 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 기판의 일면의 타측부에 상기 제2 기판의 제1 영역과 나란하게 제2 논슬립부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하며 실링 부재의 내측, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전해질 용액을 매립하는 실링 부재를 배치하는 단계를 포함하고, 상기 실링 부재는 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나와 접촉하도록 형성되는 광전 변환 소자의 제조 방법이 제공된다.
여기서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 논슬립부는 상기 제1 전극이 형성되지 않는 상기 제1 기판의 측변에 나란하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 논슬립부는 상기 제2 전극이 형성되지 않는 상기 제2 기판의 측변에 나란하게 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나는 상기 투명 전극층에 형성된 트렌치일 수 있다.
여기서, 상기 투명 전극층은 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출될 수 있다.
또한, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나는 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출될 수 있다.
또한, 상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성될 수 있다.
그리고, 상기 실링 부재의 외측 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전도성 물질층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 전도성 물질층과 접속하는 접속 단자를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 논슬립부를 형성함으로써 각 구성층 간의 위치 정렬도를 향상시킬 수 있는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상하 기판의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있으므로, 공정 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 조립 정렬도를 향상에 따라서 광전 변환 소자의 대면적화를 구현할 수 있으며, 오정렬에 따른 불량률을 또한 저감할 수 있어 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자 단위 셀의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 무기 금속산화물 반도체에 색소가 연결된 상태를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3a은 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제2 기판을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 정렬된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 조립된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 정렬된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 조립된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 정렬된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 조립된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 정렬된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 조립된 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자의 제1 기판 및 제2 기판이 조립된 구조를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 3b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자(1)는 제1 전극(15) 및 제1 논슬립부(19)가 구비된 제1 기판(10), 상기 제1 기판(10)과 대향하며, 제2 전극(15') 및 제2 논슬립부(19')가 구비된 제2 기판(10') 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10')을 접합하며 실링 부재(9)의 내측, 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 공간에 전해질 용액(5)을 매립하는 상기 실링 부재(9)를 포함하고, 상기 실링 부재(9)는 상기 제1 논슬립부(19) 및 상기 제2 논슬립부(19') 중 적어도 어느 하나와 접촉한다.
그리고, 제1 기판(10)의 표면에는 투명 전극층(13)이 더 구비되며, 제2 기판(10')의 표면에도 상대 전극층(7)이 더 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 상기 제1 논슬립부(19)는 투명 전극층(13)에 형성된 트렌치일 수 있으며, 상기 제2 논슬립부(19')는 상대 전극층(7)에 형성된 트렌치일 수 있다.
한편, 실링 부재(9)의 외측 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 공간에 전도성 물질층(21)을 더 구비할 수 있으며, 상기 전도성 물질층(21)과 접속하는 접속 단자(23)를 더 구비할 수 있다. 상술한 구조와 같이, 접속 단자(23)는 광전 변환 소자(1)의 외부에 접속하여 전류 회로를 형성할 수 있는 기존의 인출 도선을 대체할 수 있다.
제1 논슬립부(19)는 제1 전극(15)이 형성되지 않는 상기 제1 기판(10)의 측변에 나란하게 형성되고, 제2 논슬립부(19')는 상기 제2 전극(15')이 형성되지 않는 상기 제2 기판(10')의 측변에 나란하게 형성된다.
2개의 제1 기판(10) 및 제2 기판(10’)은 소정의 간격을 두고 서로 대향하도록 배치된다. 제1 기판(10) 및 제2 기판(10’)의 재질로는, 광전 변환 소자(1)의 외부의 광(태양광 등)의 가시광선 영역으로부터 근적외선 영역에 대하여 광 흡수가 적은 투명한 재료이면 특별히 한정되지 않는다.
2개의 제1 기판(10) 및 제2 기판(10’) 중, 최소한 외부에서의 광이 입사 하는 제1 기판(10)의 표면에는 예를 들면, 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 이용하여 막으로 형성된 투명 도전층(13)이 형성된다. 투명 도전성 산화물로는 예를 들면, 광전 변환 소자(1)의 외부에서의 광의 가시광선 영역으로부터 근적외선 영역에 대하여 광흡수가 적은 도전 재료라면 특별히 한정되지 않는다.
광전 변환 효율을 향상시키기 위해서는, 2개의 전극(15, 15')의 시트 저항(표면 저항)이 될 수 있는 한 낮은 것이 바람직하다.
다만, 2개의 제1 기판(10) 및 제2 기판(10’) 중, 제1 기판(10)과 대향하는 제2 기판(10’)의 표면에 설치된 제2 전극(15’)은 필수적인 것은 아니며, 만일 제2 전극(15’)을 설치한 경우에도 반드시 투명할 필요는 없다(즉, 광전 변환 소자(1)의 외부에서의 광의 가시광선 영역으로부터 근적외선 영역에 대하여 광흡수가 적을 필요는 없음).
제1 전극(15) 및 제2 전극(15’)은 금속산화물 미립자(3a)를 통해 전달되어 도달한 여기 전자를 인출 도선까지 전달하는 역할을 하는 것으로, 제1 기판(10) 및 제2 기판(10’)의 표면에 형성된 금속 배선이다.
상기 제1 전극(15) 및 제2 전극(15’)은 일반적으로 투명 도전층(13)의 시트 저항이 높아서(약 10Ω/sq 이상), 발생한 전류가 투명 도전층(13) 등의 비교적 도전성이 낮은 기재 중에서 줄(joule) 열로 변환되고, 광전 변환 효율이 낮아지는 현상을 방지하기 위해서 형성된다.
따라서, 상기 제1 전극(15) 및 제2 전극(15’)은 투명 도전층(13)과 전기적으로 접속되고 있으며, 상기 제1 전극(15) 및 제2 전극(15’)을 형성하는 재료로서는 Ag, Ag/Pd, Cu, Au, Ni, Ti, Co, Cr, Al 등의 고도전성의 금속 또는 그의 합금이 바람직하다.
상기 제1 전극(15) 및 제2 전극(15’)의 평면 방향에서의 패턴 형태로는 전기 에너지의 손실을 저감시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는데, 격자형, 줄무늬형, 직사각형, 빗(살)형 등의 임의의 형상으로 형성할 수 있다.
도 1을 참조하면, 광 전극층(3)은 제1 전극(15)의 표면에, 복수 개의 TiO2 등의 금속산화물 미립자(3a)를 적층하여 형성되는 나노 포러스막이다.
상기 광 전극층(3)은 상기와 같이 다수의 작은 기공을 포함하는 다공질체로 형성됨으로써, 광 전극층(3)의 표면적을 증가시킬 수 있고, 다량의 증감 색소(3b)를 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 연결시킬 수 있으며, 이에 따라 광전 변환 소자(1)는 높은 광전 변환 효율을 가질 수 있다.
여기서, 도 2에 도시한 바와 같이, 광 전극층(3)에서 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 연결기(3c)를 개재하여 증감 색소(3b)를 연결함으로써, 무기 금속산화물 반도체가 증감된 광 전극층(3)이 얻어진다.
도 2에는 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 증감 색소(3b)가 1개만 연결된 상태를 나타내고 있지만, 이는 단순한 모식도일 뿐이며, 광전 변환 소자(1)의 전기적 출력을 향상시키기 위해서는 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 연결되는 증감 색소(3b)의 수가 가능한 한 많고, 다수의 증감 색소(3b)가 금속산화물 미립자(3a)의 표면의 가능한 한 넓은 범위를 피복하고 있는 상태가 바람직하다.
일반적으로, 무기 금속산화물은 일부의 파장 영역의 광에 대해서 광전 변환 기능을 소유하고 있지만, 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 증감 색소(3b)를 연결함으로써, 가시광선으로부터 근적외선까지의 영역의 광에 대하여 광전 변환이 가능하게 된다.
이러한 금속산화물 미립자(3a)로 사용할 수 있는 화합물로서는, 증감 색소(3b)를 연결하는 것으로 광전 변환 기능이 증감되는 것이면 특별히 제한 되지 않지만, 가격이나 환경 문제 등의 관점에서 보면 산화 티탄(TiO2)이 가장 바람직하다.
증감 색소(3b)는 광여기된 색소의 여기 전자를 무기금속산화물의 전도대에 신속하게 전달할 수 있도록, 그 구조 중에 연결기(3c)로서 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 연결 가능한 작용기를 포함하고 있는 것이 바람직하다.
상대 전극층(7)은 광전 변환 소자(1)의 양극으로서 기능하는 것이며, 2개의 기판(10, 10') 중, 제1 전극(15)이 설치된 제1 기판(10)과 대향하는 제2 전극(15’)이 설치된 제2 기판(10')의 표면에 형성되어 있으며, 막으로 형성된다.
이러한 상대 전극층(7)의 표면(광 전극층(3)과 대향하는 측)에는 도전성을 소유하는 금속 촉매층이 배치된다.
한편, 광 전극층(3)이 설치되어 있는 측의 제1 전극(15) 및 상대 전극층(7)에는, 인출 도선이 접속되고 있다. 제1 전극(15)으로부터의 인출 도선과 상대 전극층(7)으로부터의 인출 도선이 광전 변환 소자(1)의 외부에서 접속됨으로써 전류 회로를 형성할 수 있다.
여기서, 제1 전극(15)과 상대 전극층(7)은 실링재(9)에 의해 소정의 간격으로 이격되어 밀봉되도록 격리될 수 있다.
이러한 실링재(9)는 제1 전극(15) 및 상대 전극층(7)의 외연부에 따라 형성되어 있으며, 제1 전극(15)과 상대 전극층(7) 사이의 공간을 밀봉하는 역할을 할 수 있다.
상기 실링재(9)로서는 밀봉성 및 내식성이 높은 수지를 사용하는 것이 바람직한데, 예를 들면, 필름형으로 형성한 열가소성 수지, 광경화성 수지, 아이오노머 수지, 유리 프릿 등을 사용할 수 있다.
한편, 제1 전극(15)과 상대 전극층(7) 사이의 공간에는, 전해질 용액(5)이 넣어져 실링재(9)에 의해 밀봉되고 있다.
전해질 용액(5)은 예를 들면, 전해질, 매체 및 첨가물을 포함하고 있다.
여기에서, 전해질로는 I3 -/I-계, Br3 -/Br-계 등의 레독스 전해질 등을 사용할 수 있다.
전해질 용액(5)에 이용할 수 있는 매체로서는 양호한 이온 전도성을 발현할 수 있는 화합물인 것이 바람직하다.
상기 전해질 용액(5)에는 광전 변환 소자(1)의 내구성이나 전기적 출력을 향상시키기 위해 각종 첨가물을 더 첨가할 수도 있다.
금속산화물 미립자(3a), 및 상기 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 연결기(3c)를 개재해서 연결된 증감 색소(3b)를 포함하는 광 전극층(3)에서는, 도 2 에 도시한 바와 같이, 금속산화물 미립자(3a)의 표면에 연결된 증감 색소(3b)에 광이 접촉하면, 증감 색소(3b)가 여기 상태로 되고, 증감 색소(3b)는 광여기된 여기 전자를 방출한다. 방출된 여기 전자는 연결기(3c)를 통하여 금속산화물 미립자(3a)의 전도대에 전달된다.
금속산화물 미립자(3a)에 도달한 여기 전자는 다른 금속산화물 미립자(3a)에 전달되어 제1 기판(10)에 도달하고, 인출 도선을 통해서 광전 변환 소자(1)의 외부로 유출된다.
한편, 여기 전자를 방출하여 전자가 부족한 상태가 된 증감 색소(3b)는 상대 전극층(7)으로부터 공급되는 전자를, 전해질 용액(5) 내의 I-/I3 - 등의 전해질을 통해 수취함으로써, 전기적으로 중성의 상태로 되돌아간다.
한편, 제1 전극(15) 및 제2 전극(15')은 상술한 바와 같이, Ag, Ag/Pd, Cu, Au, Ni, Ti, Co, Cr, Al 등의 금속으로 형성되어 있는 때문에, 요오드(I-/I3 - 등)를 함유하는 전해질 용액(5)에 의해 부식될 수 있다. 이에 따라, 광전 변환 소자(1)는 이하에 설명하는 보호층(17, 17')을 포함하고 있다.
보호층(17, 17')은 상기 제1 전극(15) 및 제2 전극(15')의 전해질 용액(5)에 의한 부식을 방지하거나 억제하는 역할을 하는 것으로서, 제1 전극(15) 및 제2 전극(15')의 노출면을 피복하여 전해질 용액(5)에 의한 부식으로부터 보호한다. 여기서, 보호층(17, 17')은 제1 전극(15) 및 제2 전극(15')의 노출면에 저융점의 유리 페이스트 조성물을 도포하고 소성함으로써 얻어진다.
상기 보호층(17, 17')에 이용할 수 있는 유리 페이스트 조성물은 유리 프릿, 바인더 수지, 용제 및 첨가제 등을 포함하는 페이스트 형의 조성물이다.
이하에서는, 도 1, 도 3a 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 논슬립부를 포함하는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 3b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 광전 변환 소자(1)는 제1 전극(15) 및 제1 논슬립부(19)가 구비된 제1 기판(10), 상기 제1 기판(10)과 대향하며, 제2 전극(15') 및 제2 논슬립부(19')가 구비된 제2 기판(10') 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10')을 접합하며 실링 부재(9)의 내측, 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 공간에 전해질 용액(5)을 매립하는 상기 실링 부재(9)를 포함하고, 상기 실링 부재(9)는 상기 제1 논슬립부(19) 및 상기 제2 논슬립부(19') 중 적어도 어느 하나와 접촉한다.
그리고, 제1 기판(10)의 표면에는 투명 전극층(13)이 더 구비되며, 제2 기판(10')의 표면에도 상대 전극층(7)이 더 구비될 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 상기 제1 논슬립부(19a)는 투명 전극층(13)에 형성된 트렌치일 수 있으며, 상기 제2 논슬립부(19a')는 상대 전극층(7)에 형성된 트렌치일 수 있다.
따라서, 투명 전극층(13) 및 상대 전극층(7)은 트렌치의 바닥면을 통해 노출된다.
여기서, 상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성될 수 있으나, 트렌치를 형성하는 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 실링 부재(9)의 외측 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 공간에 전도성 물질층(21)이 더 형성될 수 있으며, 이후 화살표 방향으로 압력을 가하여 목적하던 전도성 물질층(21)의 형태를 완성한다. 다음, 상기 전도성 물질층(21)과 접속하는 접속 단자(23)를 더 형성할 수 있다. 도 8을 참조하면, 접속 단자(23)는 광전 변환 소자(1)의 외부에 접속하여 전류 회로를 형성할 수 있는 기존의 인출 도선을 대체할 수 있다.
제1 논슬립부(19a)는 제1 전극(15)이 형성되지 않는 상기 제1 기판(10)의 측변에 나란하게 형성되고, 제2 논슬립부(19a')는 상기 제2 전극(15')이 형성되지 않는 상기 제2 기판(10')의 측변에 나란하게 형성된다.
제1 논슬립부(19a) 및 제2 논슬립부(19a')를 형성함으로써 광전 변환 소자(1) 내부의 각 구성층 간의 위치 정렬도 및 상하 기판(10, 10')의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 상기 제1 논슬립부(19b)는 투명 전극층(13)을 통과하여 제1 기판(10)에 형성된 트렌치일 수 있으며, 상기 제2 논슬립부(19b')는 상대 전극층(7)을 통과하여 제2 기판(10')에 형성된 트렌치일 수 있다.
따라서, 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10')은 트렌치의 바닥면을 통해 노출된다.
여기서, 상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성될 수 있으나, 트렌치를 형성하는 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 실링 부재(9)의 외측 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 공간에 전도성 물질층(21)이 더 형성될 수 있으며, 이후 화살표 방향으로 압력을 가하여 목적하던 전도성 물질층(21)의 형태를 완성한다. 다음, 상기 전도성 물질층(21)과 접속하는 접속 단자(23)를 더 형성할 수 있다. 도 8을 참조하면, 접속 단자(23)는 광전 변환 소자(2)의 외부에 접속하여 전류 회로를 형성할 수 있는 기존의 인출 도선을 대체할 수 있다.
제1 논슬립부(19b)는 제1 전극(15)이 형성되지 않는 상기 제1 기판(10)의 측변에 나란하게 형성되고, 제2 논슬립부(19b')는 상기 제2 전극(15')이 형성되지 않는 상기 제2 기판(10')의 측변에 나란하게 형성된다.
제1 논슬립부(19b) 및 제2 논슬립부(19b')를 형성함으로써 광전 변환 소자(2) 내부의 각 구성층 간의 위치 정렬도 및 상하 기판(10, 10')의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 상기 제1 논슬립부(19c)는 투명 전극층(13)에 형성된 트렌치일 수 있으며, 상기 제2 논슬립부(19c')는 상대 전극층(7)에 형성된 트렌치일 수 있다.
따라서, 투명 전극층(13) 및 상대 전극층(7)은 트렌치의 바닥면을 통해 노출된다.
여기서, 상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성될 수 있으나, 트렌치를 형성하는 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10')은 각각 실링 부재(9)를 향하는 면이 컷팅되어 있다. 따라서, 실링 부재(9)의 외측 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 더 넓은 공간에 더 많은 양의 전도성 물질층(31)이 더 형성될 수 있으며, 이후 화살표 방향으로 압력을 가하여 목적하던 전도성 물질층(31)의 형태를 완성한다. 다음, 상기 전도성 물질층(31)과 접속하는 접속 단자(33)를 더 형성할 수 있다. 도 8을 참조하면, 접속 단자(33)는 광전 변환 소자(1')의 외부에 접속하여 전류 회로를 형성할 수 있는 기존의 인출 도선을 대체할 수 있다.
제1 논슬립부(19c)는 제1 전극(15)이 형성되지 않는 상기 제1 기판(10)의 측변에 나란하게 형성되고, 제2 논슬립부(19c')는 상기 제2 전극(15')이 형성되지 않는 상기 제2 기판(10')의 측변에 나란하게 형성된다.
제1 논슬립부(19c) 및 제2 논슬립부(19c')를 형성함으로써 광전 변환 소자(1') 내부의 각 구성층 간의 위치 정렬도 및 상하 기판(10, 10')의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 상기 제1 논슬립부(19d)는 투명 전극층(13)을 통과하여 제1 기판(10)에 형성된 트렌치일 수 있으며, 상기 제2 논슬립부(19d')는 상대 전극층(7)을 통과하여 제2 기판(10')에 형성된 트렌치일 수 있다.
따라서, 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10')은 트렌치의 바닥면을 통해 노출된다.
여기서, 상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성될 수 있으나, 트렌치를 형성하는 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10')은 각각 실링 부재(9)를 향하는 면이 컷팅되어 있다. 따라서, 실링 부재(9)의 외측 및 상기 제1 기판(10) 및 상기 제2 기판(10') 사이의 더 넓은 공간에 더 많은 양의 전도성 물질층(31)이 더 형성될 수 있으며, 이후 화살표 방향으로 압력을 가하여 목적하던 전도성 물질층(31)의 형태를 완성한다. 다음, 상기 전도성 물질층(31)과 접속하는 접속 단자(33)를 더 형성할 수 있다. 도 8을 참조하면, 접속 단자(33)는 광전 변환 소자(2')의 외부에 접속하여 전류 회로를 형성할 수 있는 기존의 인출 도선을 대체할 수 있다.
제1 논슬립부(19d)는 제1 전극(15)이 형성되지 않는 상기 제1 기판(10)의 측변에 나란하게 형성되고, 제2 논슬립부(19d')는 상기 제2 전극(15')이 형성되지 않는 상기 제2 기판(10')의 측변에 나란하게 형성된다.
제1 논슬립부(19d) 및 제2 논슬립부(19d')를 형성함으로써 광전 변환 소자(2') 내부의 각 구성층 간의 위치 정렬도 및 상하 기판(10, 10')의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 논슬립부를 형성함으로써 각 구성층 간의 위치 정렬도를 향상시킬 수 있는 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상하 기판의 조립 정렬도를 향상시킬 수 있으므로, 공정 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 조립 정렬도를 향상에 따라서 광전 변환 소자의 대면적화를 구현할 수 있으며, 오정렬에 따른 불량률을 또한 저감할 수 있어 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1: 광전 변환 소자 3: 광 전극층
5: 전해질 용액 7: 상대 전극층
9: 실링 부재 10: 제1 기판
10': 제2 기판 13: 투명 도전층
15: 제1 전극 15': 제2 전극
17, 17': 보호층 19, 19': 논슬립부
21, 31: 전도성 물질층 23, 33: 접속 단자

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판의 일면의 일측부에 형성된 상기 제1 기판의 제1 영역 및 상기 제1 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제1 기판의 제2 영역을 포함하는 제1 전극;
    상기 제1 기판의 일면의 타측부에 형성되고, 상기 제1 기판의 제1 영역과 나란하게 형성된 제1 논슬립부;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판;
    상기 제2 기판의 일면의 일측부에 형성된 상기 제2 기판의 제1 영역 및 상기 제2 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제2 기판의 제2 영역을 포함하는 제2 전극;
    상기 제2 기판의 일면의 타측부에 형성되고, 상기 제2 기판의 제1 영역과 나란하게 형성된 제2 논슬립부; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하며 실링 부재의 내측, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전해질 용액을 매립하는 상기 실링 부재;를 포함하고,
    상기 실링 부재는 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나와 접촉하는 광전 변환 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 형성된 투명 전극층 및 상대 전극층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 논슬립부는 상기 제1 전극이 형성되지 않는 상기 제1 기판의 측변에 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 논슬립부는 상기 제2 전극이 형성되지 않는 상기 제2 기판의 측변에 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나는 상기 투명 전극층 및 상대 전극층 중 적어도 어느 하나에 형성된 트렌치인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 투명 전극층 및 상대 전극층 중 적어도 어느 하나는 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나는 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 실링 부재의 외측 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전도성 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전도성 물질층과 접속하는 접속 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자.
  11. 제1 기판을 마련하는 단계;
    상기 제1 기판의 일면의 일측부에 상기 제1 기판의 제1 영역 및 상기 제1 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제1 기판의 제2 영역을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판의 일면의 타측부에 상기 제1 기판의 제1 영역과 나란하게 제1 논슬립부를 형성하는 단계;
    상기 제1 기판과 대향하게 제2 기판을 마련하는 단계;
    상기 제2 기판의 일면의 일측부에 상기 제2 기판의 제1 영역 및 상기 제2 기판의 제1 영역에서 수지상으로 연장된 상기 제2 기판의 제2 영역을 포함하는 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판의 일면의 타측부에 상기 제2 기판의 제1 영역과 나란하게 제2 논슬립부를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 접합하며 실링 부재의 내측, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전해질 용액을 매립하는 실링 부재를 배치하는 단계를 포함하고,
    상기 실링 부재는 상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나와 접촉하도록 형성되는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나의 표면에 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 논슬립부는 상기 제1 전극이 형성되지 않는 상기 제1 기판의 측변에 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 논슬립부는 상기 제2 전극이 형성되지 않는 상기 제2 기판의 측변에 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 논슬립부 및 상기 제2 논슬립부 중 적어도 어느 하나는 상기 투명 전극층에 형성된 트렌치인 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나는 상기 트렌치의 바닥면을 통해 노출되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 트렌치는 레이저 조사에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 실링 부재의 외측 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 공간에 전도성 물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 전도성 물질층과 접속하는 접속 단자를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 변환 소자의 제조 방법.
KR1020110037299A 2011-04-21 2011-04-21 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법 KR101219245B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037299A KR101219245B1 (ko) 2011-04-21 2011-04-21 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법
US13/283,351 US20120266955A1 (en) 2011-04-21 2011-10-27 Photoelectric conversion device and method of preparing the same
EP12165021.2A EP2515350A3 (en) 2011-04-21 2012-04-20 Photoelectric Device and Method of Preparing the Same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037299A KR101219245B1 (ko) 2011-04-21 2011-04-21 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120119401A KR20120119401A (ko) 2012-10-31
KR101219245B1 true KR101219245B1 (ko) 2013-01-21

Family

ID=46049193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110037299A KR101219245B1 (ko) 2011-04-21 2011-04-21 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120266955A1 (ko)
EP (1) EP2515350A3 (ko)
KR (1) KR101219245B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9983181B2 (en) * 2014-05-01 2018-05-29 Oridion Medical 1987 Ltd. Personalized capnography
JP6353274B2 (ja) * 2014-05-23 2018-07-04 Nok株式会社 電子デバイス用ガスケット
JP6374774B2 (ja) * 2014-11-21 2018-08-15 積水化学工業株式会社 太陽電池の製造方法
JP6521644B2 (ja) * 2015-01-22 2019-05-29 シャープ株式会社 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980064264A (ko) * 1996-12-19 1998-10-07 쯔지하루오 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2005243440A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Hitachi Maxell Ltd 光電変換素子
JP2010228998A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Asahi Glass Co Ltd 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPP967799A0 (en) * 1999-04-09 1999-05-06 Sustainable Technologies Australia Ltd Methods to implement sealing and electrical connections to single cell and multi-cell regenerative photovoltaic photoelectrochemical devices
JP4659954B2 (ja) * 2000-09-19 2011-03-30 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池セルの製造方法及び色素増感型太陽電池モジュールの製造方法
NL1020744C2 (nl) * 2002-06-04 2003-12-08 Stichting Energie Vloeistofhoudend fotovoltaïsch element.
IL153895A (en) * 2003-01-12 2013-01-31 Orion Solar Systems Ltd Solar cell device
JP4063802B2 (ja) * 2004-08-04 2008-03-19 シャープ株式会社 光電極
JP4636890B2 (ja) * 2005-01-24 2011-02-23 積水樹脂株式会社 色素増感型太陽電池
JP2009032614A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Taiyo Yuden Co Ltd 色素増感型太陽電池の製造方法及び色素増感型太陽電池
JP2009272168A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Nok Corp 色素増感型太陽電池
PT104282A (pt) * 2008-12-05 2010-06-07 Univ Do Porto Processo de selagem com vidro de células solares dsc
CN101597325B (zh) * 2009-01-13 2012-04-25 深圳翰宇药业股份有限公司 一种纯化亮丙瑞林(Leuprorelin)的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980064264A (ko) * 1996-12-19 1998-10-07 쯔지하루오 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2005243440A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Hitachi Maxell Ltd 光電変換素子
JP2010228998A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Asahi Glass Co Ltd 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2515350A2 (en) 2012-10-24
EP2515350A3 (en) 2014-08-06
US20120266955A1 (en) 2012-10-25
KR20120119401A (ko) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8957307B2 (en) Photoelectric conversion element module and method for manufacturing photoelectric conversion element module
CN109478470B (zh) 太阳能电池模块
US8669468B2 (en) Photoelectric conversion module
JPWO2009098857A1 (ja) 色素増感太陽電池
KR101030014B1 (ko) 광전변환소자
CN109478469B (zh) 太阳能电池模块
WO2012118050A1 (ja) 色素増感太陽電池、その製造方法、色素増感太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101219245B1 (ko) 광전 변환 소자 및 이의 제조 방법
KR20130023027A (ko) 광전변환모듈 및 그 제조방법
JP6122156B2 (ja) 光電変換素子
KR101152544B1 (ko) 광전 변환 소자용 전극, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전 변환 소자
KR101074781B1 (ko) 스페이서를 구비한 염료감응 태양전지
CN101877282B (zh) 染料敏化太阳能电池模块及其制备方法
KR101050471B1 (ko) 광전 변환 모듈
JP5253476B2 (ja) 光電変換素子
TW201133877A (en) Dye-sensitized solar cell electrode and dye-sensitized solar cell
KR101174890B1 (ko) 광전변환모듈
EP2407986A1 (en) Photoelectric conversion module and method of manufacturing the same
JP5680996B2 (ja) 色素増感太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101117700B1 (ko) 광전변환소자
KR101108186B1 (ko) 광전변환모듈
KR101137380B1 (ko) 광전변환소자 및 그 제조방법
US20120305054A1 (en) Photoelectric conversion module
US8710356B2 (en) Photoelectric conversion module
WO2016104047A1 (ja) 色素増感型太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee