KR101218571B1 - 잉곳 성장장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 잉곳 성장장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 장치 작동에 의한 진동을 감쇄하여 안정적으로 잉곳을 성장시킬 수 있는 잉곳 성장장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 잉곳 성장장치는 내부공간이 마련되는 챔버; 챔버 내부에 설치되며 용융된 원료물질이 수용되는 도가니; 도가니의 일측에 배치되어 도가니를 가열하는 히터; 챔버 상측에 배치되는 하우징; 하우징 내부에 배치되며, 용융된 원료물질로부터 잉곳을 끌어올리는 승강부; 서로 대향하여 이격배치되는 한쌍의 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 대향면을 연결하는 연결 플레이트를 구비하며, 상기 하우징을 지지하는 지지 프레임;을 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따르면 장치에 발생하는 진동 및 외부에서 전달되는 진동을 효과적으로 감소시켜 안정적으로 잉곳을 성장시킬 수 있다. 그리고 잉곳이 중심축으로부터 편심되어 회전하지 않도록 하여 일직선으로 형성되는 잉곳을 생산할 수 있다. 따라서 불량률이 낮아지고 후공정 작업이 용이해져서 생산성을 높일 수 있다. 본 발명은 진동을 최소화함으로써 관련 부품의 손상 및 피로파괴를 방지하여 산업재해를 예방하고 이에 따른 인명사고 및 경제적 손실을 예방할 수 있다. 또한 본 발명은 장치내 배관, 배선 등을 용이하게 정리하여 작업환경을 개선할 수 있다.

Description

잉곳 성장장치{APPARATUS FOR INGOT GROWING}

본 발명은 잉곳 성장장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 장치 작동에 의한 진동을 감쇄하여 안정적으로 잉곳을 성장시킬 수 있는 잉곳 성장장치에 관한 것이다.

최근 환경 문제와 에너지 고갈에 대한 관심이 높아지면서, 에너지 자원이 풍부하고 환경 오염에 대한 문제점이 없으며 에너지 효율이 높은 대체 에너지로서 태양 전지에 대한 관심이 높아지고 있다. 태양 전지는 사용 원료에 따라 결정계, 비정질계, 화합물계 등으로 분류되고, 그 중에서도 결정계 실리콘 태양 전지가 현재 시장에 주로 유통되고 있다.

결정계 실리콘 태양 전지는 단결정형과 다결정형으로 분류된다. 다결정 실리콘 태양 전지는 제조 비용이 낮은 장점이 있지만, 단결정 실리콘 태양 전지에 비해 변환 효율이 낮다. 이에 반해, 단결정 실리콘 태양 전지는 기판의 제조 비용이 높지만, 기판의 품질이 좋기 때문에 변환 효율이 높은 장점이 있다. 그렇기 때문에 에너지 효율성 측면에서 높은 변환 효율을 갖는 단결정 실리콘 태양 전지가 활용되고 있다.

이러한 태양전지를 제조하는 데에 사용되는 단결정 실리콘 웨이퍼는 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 성장시키는 성장과정, 성장된 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼 형태로 자르는 절단공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정, 기계적인 연마에 의하여 발생한 데미지를 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 연마(polishing) 공정, 그리고, 완료된 웨이퍼를 세정하는 세정공정(cleaning)으로 이루어진다.

여기서, 상기 단결정 실리콘 잉곳은 주로 초크랄스키법(Czochralski method, CZ)에 따라 성장되어 제조된다. 이 초크랄스키법은 도가니에 수용되어 가열되는 실리콘융액에 잉곳의 종자를 침지시켜 단결정 잉곳으로 성장시키는 방법이다. 이러한 쵸크랄스키법에 의한 잉곳 성장장치는 승강부를 통해 도가니로부터 단결정 잉곳을 회전시키면서 끌어올린다.

이 때 기계 작동, 지진 등에 의해 진동이 발생하면, 잉곳을 회전하면서 끌어올리는 승강부가 일정하고 안정적인 회전을 하지 못하고 수평이 어긋나 중심축으로부터 편심된 채 회전하게 된다. 따라서 실리콘 잉곳이 일정하게 직선으로 성장하지 못하고 휘어지거나 꾸불거리게 되어 생산성이 떨어지고, 추후공정에서 가공하기 어렵다는 문제점이 발생하였다.

종래에는 이러한 진동을 감소시키기 위하여 승강부를 둘러싼 하우징을 속이 찬 봉 또는 속이 빈 파이프 형태의 지지 프레임으로 고정하였다. 그러나 이러한 형상의 지지 프레임은 지면에 좌우로 작용하는 전단력을 효과적으로 흡수하지 못해 진동 감소의 효과가 크지 않다는 단점이 있었다.

본 발명은 장치에 발생하는 진동을 효과적으로 감소시키거나 외부에서 전달되는 진동을 흡수하여 잉곳을 안정적으로 성장시킬 수 있는 잉곳 성장장치를 제공한다.

또한 본 발명은 잉곳이 중심축으로부터 편심되어 회전하지 않도록 하여 고품질의 잉곳을 생산할 수 있는 잉곳 성장장치를 제공한다.

본 발명은 진동을 최소화함으로써 관련 부품의 손상 및 피로파괴를 방지하고 내구성 있는 잉곳 성장장치를 제공한다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치는 내부공간이 마련되는 챔버; 챔버 내부에 설치되며 용융된 원료물질이 수용되는 도가니; 도가니의 일측에 배치되어 도가니를 가열하는 히터; 챔버 상측에 배치되는 하우징; 하우징 내부에 배치되며, 용융된 원료물질로부터 잉곳을 끌어올리는 승강부; 서로 대향하여 이격배치되는 한쌍의 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 대향면을 연결하는 연결 플레이트를 구비하며, 상기 하우징을 지지하는 지지 프레임;을 포함한다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 한쌍의 지지 플레이트는 평행하게 배치되며 지면에 수직인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 연결 플레이트는 양 지지 플레이트 대향면에 대해 교차하는 방향으로 설치되며, 지면과 수직으로 배치되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 연결 플레이트는 지면과 수직으로 한쌍이 구비되며, 서로 교차하여 배치되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 연결 플레이트는 복수개 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 지지 프레임 일측에 배치되며, 하우징의 진동 및 이격을 방지하는 진동감쇄부를 더 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 하우징의 진동을 감지하는 진동 센서 및 진동감쇄부를 제어하는 진동 제어부를 더 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 지지 프레임 일측에 배치되며 하우징의 수평을 조정하는 수평조정부를 더 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 있어서, 하우징의 수평상태를 감지하는 수평 센서 및 수평조정부를 제어하는 수평 제어부를 더 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 실시예들에 따르면 장치에 발생하는 진동 및 외부에서 전달되는 진동을 효과적으로 감소시켜 안정적으로 잉곳을 성장시킬 수 있다.

또한 본 발명은 잉곳이 중심축으로부터 편심되어 회전하지 않도록 하여 일직선으로 형성되는 잉곳을 생산할 수 있다. 따라서 불량률이 낮아지고 후공정 작업이 용이해져서 생산성을 높일 수 있다.

본 발명은 진동을 최소화함으로써 관련 부품의 손상 및 피로파괴를 방지하여 산업재해를 예방하고 이에 따른 인명사고 및 경제적 손실을 예방할 수 있다.

또한 본 발명은 장치내 배관, 배선 등을 용이하게 정리하여 작업환경을 개선할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 잉곳 성장 장치를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 프레임을 나타내는 사시도이다.
도 3는 도 1의 A-A'에 따른 단면도이다.

이하에서는 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 관하여 구체적으로 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 잉곳 성장 장치를 개략적으로 나타낸 개념도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 프레임을 나타내는 사시도이며, 도 3는 도 1의 A-A'에 따른 단면도이다.

도 1에 의하면 본 실시예에 따른 잉곳 성장장치는 챔버(10), 도가니(20), 히터(30), 하우징(40), 승강부(50) 및 지지 프레임(60)을 포함하여 구성된다.

챔버(10)는 잉곳이 성장하는 내부 공간을 구비한 수단으로서, 원통형상으로 형성되며 챔버(10) 일측, 예를 들면 상측에 잉곳이 출입할 수 있는 출입구(11)가 형성되어 있다. 챔버(10)는 실리콘을 용융시키는 동안 진공 또는 대기압보다 낮은 압력을 유지하는데, 이를 위해 챔버(10) 일측에 진공 펌프(미도시) 및 밸브(미도시)가 마련된다. 또한 챔버(10) 내의 온도 감지를 위해 챔버(10) 일측에 온도 센서가 구비될 수 있다. 챔버(10) 내부에 조성되는 잉곳 성장환경은 챔버(10) 내부의 온도, 압력, 그리고, 챔버(10)의 내부로 공급되는 퍼지가스의 유량 등에 의해 좌우된다.

여기서, 단결정 잉곳 성장을 위한 대표적인 제조방법으로는 단결정인 종자결정(seed crystal, 미도시)을 용융된 원료물질(M)에 담근 후 천천히 끌어 올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralski, CZ)법이 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.

단열재(12)는 챔버 내의 열이 챔버의 내벽을 통해 방출되는 것을 막기 위한 수단으로서, 후술할 히터(30)로부터 발생되는 열에 의해 가열된 융융된 원료물질의 열손실을 방지한다. 단열재(12)는 챔버 내측면, 바닥면 등에 설치되어 도가니(20) 및 히터(30)을 감싸며 열손실을 막는다.

도가니(20)는 챔버(10) 내부에 설치되어 원료물질(M)을 수용하는 수단으로서, 도가니(20) 내에서 원료물질이 용융 및 응고된다. 본 실시예에서의 원료물질은 다결정 실리콘 덩어리로서, 이것을 후술할 히터(30)로 용융시킨다. 도가니(20)는 특히 실리콘이 용융되는 온도인 1450 ℃의 고온에서도 안정성이 뛰어난 물질을 이용하여 제조하는데, 석영 또는 흑연 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.

도가니(20)의 외부에는 도가니(20)를 지지할 수 있도록 형성된 도가니 지지대(21)가 구비된다. 도가니 지지대(21)는 열도성이 우수한 물질, 예를 들면 흑연으로 이루어지는 것이 바람직하다. 도가니 지지대(21)는 회전축(22) 상에 고정 설치되고, 이 회전축(22)은 구동수단(미도시)에 의해 회전되어 도가니(20)를 회전 및 승강 운동하면서 고액 계면이 동일한 높이를 유지하도록 한다.

히터(30)는 도가니(20)에 수용된 원료물질을 용융시키는 수단으로서, 도가니(20)의 일측, 즉 도가니(20)의 외주면과 소정 간격 이격되어 측면, 하부, 상부 등에 설치된다. 히터(30)는 가열되어 용융된 원료물질(M)을 지속적으로 가열함으로써 잉곳(I)이 성장될 수 있는 고온 환경을 조성한다. 히터(30)는 챔버(10) 외부에 전원 공급장치(미도시)로부터 공급된 전원에 의해 열을 발하게 된다.

하우징(40)은 챔버(10)의 내부공간과 연결되어 잉곳(I)이 끌어올려지는 공간을 구비한 장치로서, 원통형상으로 형성되며 일측에 챔버(10)의 출입구(11)와 연결하기 위한 개구부(41)가 구비되어 있다. 하우징(40)은 챔버(10)의 상측에 배치되어 챔버(10)로부터 탈착가능하며, 하우징(40)을 챔버(10)로부터 분리하고 원료물질 또는 성장한 잉곳(I)을 챔버(10) 출입구(11)를 통해 유입 또는 유출시킨다.

승강부(50)는 잉곳(I)을 케이블(51)을 통해 상부로 끌어올릴 수 있도록 챔버(10)의 상측에 배치된 하우징(40) 내부에 설치된다. 케이블(51)의 하부에는 도가니(20) 내의 용융된 원료물질(M)에 접촉되어 인상되면서 단결정 잉곳(I)을 성장시키는 종자결정(미도시)이 고정된다. 승강부(50)는 잉곳(I) 성장 시에 케이블(51)을 감아 인상하면서 회전 운동하며, 이 때 잉곳(I)은 도가니(20)의 회전축(22)과 동일한 축을 중심으로 하여 도가니(20)의 회전방향과 반대방향으로 회전시키면서 끌어 올린다. 도가니(20)의 회전 또는 승강부(50)의 회전에 의해 진동, 이격 등이 발생하면, 승강부(50) 설치된 하우징(40)을 통해 후술할 지지 프레임(60), 진동감쇄부(70), 수평유지부(80) 등에 전달된다.

지지 프레임(60)은 도 2에 도시된 바와 같이 지지면에 설치되어 하우징(40)을 지지하는 수단으로서, 연결부재(65)를 통해 하우징(40)과 연결되어 하우징(30)이 진동에 의해 흔들리거나 이격되는 것을 방지한다. 연결부재(65)는 하우징(40)과 지지 프레임(60)을 연결하는 수단으로서 봉, 파이프, H-빔 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한 하우징(40)을 챔버(10)에서 탈착할 수 있으므로, 연결부재(65)에는 하우징(40)을 회동 또는 수직이동시킬 수 있는 이동부(미도시)가 더 구비될 수 있다.

지지 프레임(60)은 서로 대향하여 이격배치되는 한쌍의 지지 플레이트(61a, 61b) 및 지지 플레이트(61a, 61b)의 대향면을 연결하는 연결 플레이트(62)를 포함하여 구성된다. 지지 플레이트(61a, 61b) 및 연결 플레이트(62)는 상하방향으로 연장형성된 플레이트 형상을 갖는다. 한쌍의 지지 플레이트(61a, 61b)는 서로 평행하며 지면에 수직으로 배치될 수 있으며, 이 때 연결 플레이트(62)는 양 지지 플레이트(61a, 61b) 대향면에 대해 교차하는 방향으로 설치되며, 예를 들면 H-빔과 같은 형태를 가질 수 있다. 또한 이 경우 연결 플레이트(62)가 복수개, 예를 들면 도 3의 (b)와 같이 2개로 형성될 수 있다. 연결 플레이트(62)는 지면과 수직으로 한쌍이 구비되어 서로 교차하여 배치될 수 있다(도 3의 (c) 참조). 이러한 구조의 지지 프레임(60)은 H-빔 형태일 때보다 견고하고, 방진(防振) 능력이 더 개선된다. 이와 같이 지지 프레임(60)이 플레이트가 결합된 구조로 형성되는 경우 종래 봉 또는 파이프 형상의 지지 프레임보다 방진 능력, 특히 비틀림 진동에 대한 흡수능력이 우수하여 외부에서 전달되는 진동이 하우징(40)에 전달되지 않도록 한다. 또한 두 지지 플레이트(61a, 61b) 사이에 공간이 발생하므로, 장치의 배선, 배관 등을 용이하게 정리할 수 있다.

진동감쇄부(70)는 하우징(40)의 진동 및 이격을 방지하기 위한 수단으로서, 지지 프레임(60) 일측, 예컨대 지지 프레임(60) 하단에 설치되어 지지면과 지지프레임(60) 사이에 배치될 수 있다. 진동감쇄부(70)는 예를 들면, 방진 스프링, 진동댐퍼, 방진 패드, 유압식 완충장치, 전자석을 이용한 진동 감쇄장치 등 기계식·전자식 장치를 불문하고 하우징(40)의 진동을 흡수하고 이격을 방지할 수 있는 다양한 장치 중에서 선택될 수 있다. 진동감쇄부(70)가 전자식 장치인 경우에는 하우징(40)의 진동을 감지하는 진동 센서(미도시)가 구비되어 있어 하우징(40)에서 기준치 이상의 진동이 발생하면 이를 감지하는데, 진동 센서는 비틀림 진동, 측면 진동, 상하 진동 등을 감지하는 복수 개의 센서로 구성될 수 있다. 진동 센서는 감지한 진동을 진동 제어부(미도시)에 전달한다. 진동 제어부는 진동 센서에서 전달 받은 신호로부터 진동량을 측정하여 진동감쇄부(70)에서 진동을 흡수하여 최소화하도록 제어한다.

수평조정부(80)는 하우징(40)의 수평을 조정하는 수단으로서, 지지 프레임(60) 일측, 예컨대 지지 프레임(60) 하단에 설치되어 지지면과 지지프레임(60) 사이에 배치될 수 있다. 수평조정부(80)는 기계식·전자식 장치를 불문하고 하우징(40)의 수평조정을 할 수 있는 다양한 장치 중에서 선택될 수 있다. 수평조절부(80)가 전자식 장치인 경우에는 하우징(40)의 수평상태를 감지하는 감지 센서(미도시)가 구비되어 있어 하우징(40)에서 기울어지게 되면 이를 감지하고, 수평 제어부(미도시)로 전달한다. 수평 제어부는 수평 센서에서 전달 받은 신호로부터 기울기를 측정하여 수평조정부(80)에서 기울기를 조절하도록 제어한다.

이하에서는 실리콘 단결정의 성장 공정을 통해 본 발명에 따른 잉곳 성장장치의 작동에 대해 설명하기로 한다. 본 실시예에서의 잉곳 성장장치는 앞서 언급한 바와 같이 쵸크랄스키법에 의해 실리콘 단결정을 성장시킨다.

먼저 하우징(40)을 이동부를 통해 챔버(10)에서 이탈시키고 챔버(10)의 출입구(11)를 통해 성장챔버(10)의 내부로 다결정 실리콘 덩어리를 투입한 다음, 챔버(10) 내의 도가니(20)에 위치시킨다. 도가니(20)에 마련된 다결정 실리콘 덩어리는 히터(30)의 가열에 의해 실리콘 융액(M)으로 용융된다. 지속적으로 히터(30)로 가열하여 용융상태를 유지하도록 한다.

이와 같이 용융된 실리콘(M)이 마련되면, 출입구(11)를 통해 케이블(51)을 이용하여 종자결정을 투입하고 실리콘 융액(M)에 접촉시킨다. 이후, 하우징(40)을 이동부(10)를 이용하여 챔버에 결합하여 내부를 밀폐시키고, 잉곳(I) 성장환경에 맞은 압력과 온도를 세팅한다. 그리고 실리콘 융액(M)과 접촉된 종자결정을 승강부(50)로 회전 및 상승시키면서 잉곳(I)으로 성장시킨다.

잉곳(I)은 종자결정으로부터 가늘고 긴 결정으로 성장하는 네킹(necking) 공정을 거치고 나면, 결정을 직경방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 솔더링(shouldering) 공정을 거치고, 이후에는 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디 그로잉(body growing) 공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디 그로잉이 진행된 후에는 결정의 직경을 서서히 감소시켜 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing) 공정을 거쳐 단결정 성장이 마무리된다.

이 때 잉곳(I)은 회전축(22)에 의해 도가니(20)가 회전하고 이와 동일한 중심축을 갖는 승강부(50)도 도가니(20) 회전의 반대방향으로 회전하면서 성장한다. 그렇기 때문에 회전하면서 진동이나 편심이 발생하거나, 외부로부터의 충격에 의해 진동이 발생하면, 잉곳(I)이 일직선으로 성장하기 어렵다.

승강부(50) 회전의 중심축이 회전축(20)의 중심을 이탈하려 하는 경우에는 지지 프레임(60)이 하우징(40)을 견고하게 지지하고 있으므로, 하우징(40)에 의해 승강부(50)가 편심하려는 것이 방지된다.

하우징(40)에 기준치 이상의 진동이 발생하는 경우에는 진동 센서가 이를 감지하여 진동을 진동 제어부에 전달한다. 진동 제어부는 진동 센서에서 전달 받은 신호로부터 진동량을 측정하여 진동감쇄부(70)에서 진동을 흡수하여 최소화하도록 제어한다. 그리고 외부에서 충격이 가해져서 지지면에 진동이 발생하는 경우에도 지지 프레임(60)에서 일정 수준의 진동을 흡수할 뿐만 아니라, 상기한 과정을 통해 진동감쇄부(70)가 작동하여 진동을 흡수할 수 있다.

또한 하우징(40)이 기울어지는 경우에는 수평 센서가 이를 감지하여 기울임을 수평 제어부에 전달한다. 수평 제어부는 수평 센서에서 전달 받은 신호로부터 기울기를 측정하여 수평조정부(80)에서 기울임을 조정하여 수평을 이루도록 제어한다.

본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.

10 : 챔버 20 : 도가니
30 : 히터 40 : 하우징
50 : 승강부 60 : 지지 프레임
70 : 진동감쇄부 80 : 수평조정부

Claims (9)

1. 내부공간이 마련되는 챔버;
   상기 챔버 내부에 설치되며 용융된 원료물질이 수용되는 도가니;
   상기 도가니의 일측에 배치되어 도가니를 가열하는 히터;
   상기 챔버 상측에 배치되는 하우징;
   상기 하우징 내부에 배치되며, 상기 용융된 원료물질로부터 잉곳을 끌어올리는 승강부;
   서로 대향하여 이격배치되는 한쌍의 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트의 대향면을 연결하는 연결 플레이트를 구비하며, 상기 하우징을 지지하는 지지 프레임;
   을 포함하는 잉곳 성장장치.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 한쌍의 지지 플레이트는 평행하게 배치되며 지면에 수직인 잉곳 성장장치.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 연결 플레이트는 양 지지 플레이트 대향면에 대해 교차하는 방향으로 설치되며, 지면과 수직으로 배치되는 잉곳 성장장치.
4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 연결 플레이트는 지면과 수직으로 한쌍이 구비되며, 서로 교차하여 배치되는 잉곳 성장장치.
5. 청구항 3에 있어서,
   상기 연결 플레이트는 복수개 형성되는 잉곳 성장장치.
6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 지지 프레임 일측에 배치되며, 상기 하우징의 진동 및 이격을 방지하는 진동감쇄부를 더 포함하는 잉곳 성장징치.
7. 청구항 6에 있어서,
   상기 하우징의 진동을 감지하는 진동 센서 및 상기 진동감쇄부를 제어하는 진동 제어부를 더 포함하는 잉곳 성장장치.
8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 지지 프레임 일측에 배치되며 상기 하우징의 수평을 조정하는 수평조정부를 더 포함하는 잉곳 성장장치.
9. 청구항 8에 있어서,
   상기 하우징의 수평상태를 감지하는 수평 센서 및 상기 수평조정부를 제어하는 수평 제어부를 더 포함하는 잉곳 성장장치.
   

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