KR101206924B1 - 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다. 상기 화학 기상 증착 장치용 서셉터는, 웨이퍼가 수평으로 놓여져 수용되는 복수의 포켓; 상기 포켓 내에 설치되어, 상기 웨이퍼의 에지에 접촉 또는 이격되도록 이동가능한 웨이퍼 가이드; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 따르면, 서셉터를 이용한 에피택셜 성장시 웨이퍼의 하면으로 소스가스가 유입되는 것을 차단하고, 이를 통해 노들을 방지할 수 있는 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치를 제공할 수 있다.

Description

화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치{Susceptor for chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition apparatus having the same}
본 발명은 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.
이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시키는 성장 공정, 성장된 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱 공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정, 그리고 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.
이러한 방법으로 제조된 웨이퍼를 폴리시드 웨이퍼(polished wafer)라 한다. 한편, 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer)는 폴리시드 웨이퍼 표면에 또 다른 단결정막(또는 "에피층")을 성장시킨 웨이퍼를 말하며, 폴리시드 웨이퍼보다 표면 결함이 적고, 불순물의 농도나 종류의 제어가 가능한 특성을 갖는 웨이퍼이다. 상기 에피층은 순도가 높고 결정 특성이 우수하여 고집적화되고 있는 반도체 장치의 수율 및 소자 특성 향상에 유리한 장점을 갖는다.
화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)은 반도체 웨이퍼 상에 얇은 층의 물질을 성장시키는 처리이다. 이러한 처리에 의해 상이한 전도성을 갖는 층이 반도체 웨이퍼에 적용되어 희망하는 전기적 특성을 갖게 된다.
웨이퍼 표면에 단결정막을 증착하기 위한 화학 기상 증착 장치는, 단결정막 증착이 이루어지는 공정 챔버와, 그 내부에 장착된 서셉터(susceptor)와, 상기 공정챔버에 구비된 가열 램프(heating lamp)와, 웨이퍼 상으로 소스가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하여 구성된다. 가스분사유닛으로부터 분사된 소스가스는 서셉터 위에 지지된 웨이퍼 상에 단결정막을 형성하게 된다.
화학 기상 증착 장치는 한 번에 처리하는 웨이퍼의 수량에 따라 싱글 타입(Single Type)과 배치 타입(Batch Type)으로 나뉘어지며, 배치 타입은 서셉터의 구조에 따라 배럴 서셉터(Barrel Susceptor), 팬케이크 서셉터(Pan-cake Susceptor) 등으로 나뉜다.
도 1은 종래의 화학 기상 증착 장치에 설치되는 팬케이크 서셉터의 구성을 도시하는 평면도이다.
서셉터(1)에는 웨이퍼(W)를 안착시키기 위한 포켓(2)이 다수 개 설치된다. 웨이퍼(W)는 포켓(2) 내에 놓여져서 웨이퍼(W)의 일면이 소스가스에 노출된다. 웨이퍼(W)는 다른 부분에 비해 편평한 라인을 갖는 플랫부(W')를 구비할 수 있다. 플랫부(W')의 개수 및 형성되는 위치에 따라 웨이퍼(W)의 도전형과 결정방위를 구별할 수 있다. 서셉터(1)는 공정 챔버 내에 설치되어, 소스가스를 웨이퍼(W) 상에 균일하게 증착시키도록 천천히 회전한다.
포켓(2)은 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 커서, 포켓(2)으로부터 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩하기 위한 간극을 구비한다. 예컨대, 150mm 직경의 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 서셉터(1)는 대략 160mm 직경의 포켓(2)을 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 팬케이크 서셉터의 포켓의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 포켓(2)에 안착된 상태에서, 웨이퍼(W)의 상면은 소스가스에 노출된다. 이러한 소스가스가 웨이퍼(W)의 상면에 증착되어 단결정막을 형성하게 된다. 서셉터는 열원에 의해 가열되고, 이러한 열은 포켓(2)에 위치하는 웨이퍼(W)의 하면으로 전달된다. 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면과 하면의 온도차에 의해 웨이퍼(W)의 에지가 위로 휘어지는 현상이 발생되고, 그에 따라 웨이퍼(W)의 하면으로 소스가스가 침투하기 쉬운 구조가 된다.
웨이퍼(W) 상에 단결정막이 증착될 때, 소스가스가 웨이퍼(W)의 하면으로 유입되면 이러한 소스가스가 웨이퍼(W)의 하면에서 성장하여 노들(nodule)이라는 불량을 발생시키고, 이는 반도체 포토공정에서 디포커싱을 유발하는 치명적인 인자가 된다.
이러한 문제를 방지하기 위해, 포켓(2)에 곡면을 주어 제어하는 방법이 있으나, 웨이퍼(W)의 플랫부에서는 도움이 되지 않는다.
따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 서셉터를 이용한 에피택셜 성장시 웨이퍼의 하면으로 소스가스가 유입되는 것을 차단하고, 이를 통해 노들을 방지할 수 있는 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치를 제공하고자 함에 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 화학 기상 증착 장치용 서셉터는, 웨이퍼가 수평으로 놓여져 수용되는 복수의 포켓; 상기 포켓 내에 설치되어, 상기 웨이퍼의 에지에 접촉 또는 이격되도록 이동가능한 웨이퍼 가이드; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼 가이드는 상기 웨이퍼의 에지와 접촉되는 벽부와, 상기 벽부로부터 상기 웨이퍼의 하면 쪽으로 연장되는 바닥부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 바닥부는 상기 벽부와 수직으로 만나는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 바닥부는 상기 벽부와 둔각으로 만나는 연결부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 바닥부는 상기 벽부와 연결되는 라운드부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 포켓은 상기 웨이퍼가 지지되는 지지면을 포함하고, 상기 지지면은 하향으로 경사지는 지지경사부를 포함하고, 상기 웨이퍼 가이드는 상기 지지경사부를 따라 이동되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼 가이드의 밑면은 상기 지지경사부와 대응되는 가이드경사부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼 가이드는 상기 웨이퍼의 에지와 접촉 또는 이격되는 몸체부와, 상기 몸체부와 연결되어 상기 몸체부를 이동시키는 이동핀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼 가이드는 상기 웨이퍼의 플랫부에 접촉 또는 이격되도록 이동가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서셉터는 팬케이크형 서셉터인 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 의하면, 화학 기상 증착 장치는, 화학 기상 증착이 이루어지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 배치되어 웨이퍼를 지지하기 위한 상기 서셉터; 상기 공정 챔버 내의 웨이퍼로 소스가스를 공급하는 가스분사유닛; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 서셉터를 이용한 에피택셜 성장시 웨이퍼의 하면으로 소스가스가 유입되는 것을 차단하고, 이를 통해 노들을 방지할 수 있는 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 화학 기상 증착 장치에 설치되는 팬케이크 서셉터의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 팬케이크 서셉터의 포켓의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 화학 기상 증착 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치에 설치되는 서셉터를 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터에 설치되는 웨이퍼 가이드의 구성을 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가이드를 도시하는 단면도이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 화학 기상 증착 장치의 개략적인 단면도이다.
에피택셜 웨이퍼는 폴리시드 웨이퍼(polished wafer) 표면에 또 다른 단결정막을 성장시킨 웨이퍼를 말한다. 에피택셜 웨이퍼는 기존의 실리콘 웨이퍼보다 표면 결함이 적고, 불순물의 농도나 종류의 제어가 가능한 특성을 갖는 웨이퍼이다. 이러한 단결정막은 순도가 높고 결정 특성이 우수하여 고집적화되고 있는 반도체 장치의 수율 및 소자 특성 향상에 유리한 장점을 갖는다.
한편, 폴리시드 웨이퍼는, 성장된 단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱 공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정, 그리고 웨이퍼를 세정하는 세정공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.
실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(100)는 이송 챔버(110), 로드락 챔버(120, 130), 공정 챔버(140), 가스분사유닛(150) 등을 갖는다.
이송 챔버(110)의 내부에는 수용부(111)가 형성되어 있으며, 이 수용부(111)에는 이송아암(112)이 설치된다. 이송아암(112)은 이송챔버(110), 로드락 챔버(120, 130), 공정 챔버(140) 사이에서 웨이퍼(W)를 이송한다.
로드락 챔버(120, 130)는 이송챔버(110)의 일측에 2개 구비될 수 있다. 일반적으로 로드락 챔버(120, 130)는 단결정막 증착이 이루어지는 공정 챔버(140)에 연결되어, 웨이퍼(W)의 대기장소로 활용된다.
이 중 하나의 로드락 챔버(120)에는 단결정막이 증착되기 전의 웨이퍼(W)가 저장되며, 다른 하나의 로드락 챔버(130)에는 단결정막이 증착된 웨이퍼(W)가 저장될 수 있다. 각 로드락 챔버(120, 130)는 게이트(G)를 통해 이송챔버(110)와 연결된다.
로드락 챔버(120)에 저장된 웨이퍼(W)는 이송아암(112)에 의해 공정 챔버(140)로 이송된다. 공정 챔버(140)에서는 서셉터 위에 안착된 웨이퍼(W) 위에 소스가스에 의한 단결정막 증착공정이 진행된다. 웨이퍼(W) 상에 단결정막을 증착시키는 소스가스는 사염화규소(SiCl4), 삼염화실란(SiHCl3, Trichlorosilane, TCS), 이염화실란(SiH2Cl2, Dichlorosilane) 또는 실란(SiH4) 등과 같이 실리콘(Si)이 함유된 다양한 소스가스들 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 소스가스는 원활한 이송을 위해 비활성가스인 질소(N2), 아르곤(Ar) 또는 수소(H2)와 같은 캐리어가스에 의해 이송된다.
공정 챔버(140)는 이송 챔버(110)의 측면에 결합되며, 게이트(G)를 통해 이송 챔버(110)와 연결된다. 공정 챔버(140)는 그 내부에 웨이퍼(W)가 배치되는 수용부(141)를 갖는다.
공정 챔버(140)의 일측면에는 웨이퍼(W) 상으로 소스가스를 분사하는 가스분사유닛(150)이 위치하고, 반대쪽 측면에는 소스가스가 배출되는 배기장치(143)가 설치되어 있다. 가스분사유닛(150)에는 소스가스를 분사하기 위한 인젝터(152)가 구비된다.
공정 챔버(140)에서 단결정막이 증착된 웨이퍼(W)는 이송아암(112)에 의해 로드락 챔버(130)로 이송되어 냉각된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치에 설치되는 서셉터를 도시하는 평면도이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치용 서셉터에 설치되는 웨이퍼 가이드의 구성을 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 서셉터(200)는 한 번에 복수의 웨이퍼(W)를 안착시켜 단결정막을 증착할 수 있도록 구성된다. 예를 들어, 이러한 서셉터(200)는 팬케이크 서셉터(Pan-cake Susceptor)일 수 있다.
서셉터(200)에는 웨이퍼(W)를 안착시키기 위한 포켓(210)이 복수 개 설치된다. 본 실시예에서는 서셉터(200)의 상부에 8개의 포켓(210)이 형성되어, 한 번에 8장의 웨이퍼(W) 위에 단결정막을 증착할 수 있도록 구성된다. 웨이퍼(W)는 포켓(210) 내에 놓여져서 웨이퍼(W)의 상면이 소스가스에 노출된다.
서셉터(200)는 공정 챔버(140)(도 3 참조) 내에 설치되어, 소스가스를 웨이퍼(W) 상에 균일하게 증착시키도록 천천히 회전한다.
포켓(210)은 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 커서, 포켓(210)으로부터 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩하기 위한 간극을 구비한다. 포켓(210) 내에는 웨이퍼(W)의 에지에 접촉 또는 이격되도록 이동 가능한 웨이퍼 가이드(230)가 설치된다. 웨이퍼 가이드(230)는 웨이퍼(W)가 포켓(210)에 안착되기 전에는 이격 위치에 있다가, 웨이퍼(W)가 포켓(210)에 안착된 후에는 웨이퍼(W)의 에지와 접촉하는 접촉 위치로 이동된다.
이하에서는, 도 5를 참조하여 실시예에 따른 서셉터의 구성을 상세히 설명하기로 한다.
서셉터(200)에는 웨이퍼(W)를 안착시킬 수 있는 포켓(210)이 형성되고, 포켓(210) 내에는 웨이퍼 가이드(230)가 설치된다. 웨이퍼 가이드(230)는 웨이퍼(W)의 에지에 접촉되는 접촉 위치와, 웨이퍼(W)의 에지로부터 이격되는 이격 위치 사이에서 이동 가능하다.
도 5의 (a)에서, 웨이퍼 가이드(230)는 웨이퍼(W)로부터 이격된 이격 위치에 있다. 웨이퍼 가이드(230)가 이격 위치에 있는 상태에서, 웨이퍼(W)는 에피택셜 공정을 위해 서셉터(200)의 각각의 포켓(210) 내로 로딩된다.
웨이퍼 가이드(230)는 몸체부(231)와, 상기 몸체부(231)를 접촉 위치와 이격 위치 사이에서 이동시키기 위한 이동핀(232)을 포함할 수 있다.
상기 몸체부(231)는 벽부(231a)와, 이러한 벽부(231a)로부터 웨이퍼(W)의 하면 쪽으로 연장되는 바닥부(231b)를 구비할 수 있다. 바닥부(231b)는 벽부(231a)와 수직으로 만날 수 있다.
웨이퍼 가이드(230)의 몸체부(231)에는 이동핀(232)이 연결된다. 이동핀(232)은 서셉터(200)에 형성된 가이드홈(201)을 따라 이동될 수 있다. 이동핀(232)은 서셉터(200)의 외부로 노출되어, 웨이퍼 가이드(230)를 움직이도록 수동으로 작동될 수 있다.
서셉터(200)의 포켓(210)에는 웨이퍼(W)가 지지되는 지지면(205)이 형성된다. 이러한 지지면(205)의 일부는 하향으로 경사지게 형성된 지지경사부(205a)로 형성된다. 웨이퍼 가이드(230)의 밑면에는 지지경사부(205a)와 대응되는 가이드경사부(231c)가 형성되고, 웨이퍼 가이드(230)가 접촉 위치와 이격 위치 사이에서 이동할 때 가이드경사부(231c)가 지지경사부(205a)를 따라 이동할 수 있다.
도 5의 (b)에서, 웨이퍼 가이드(230)는 웨이퍼(W)의 에지에 접촉된 접촉 위치에 있다. 도 5의 (a)에 도시된 웨이퍼 가이드(230)의 이격 위치에서 웨이퍼 가이드(230)와 연결된 이동핀(232)을 이동시킴으로써, 웨이퍼 가이드(230)는 지지경사부(205a)를 따라 상승하면서 벽부(231a)가 웨이퍼(W)의 에지와 접촉되도록 이동된다.
접촉 위치에서 웨이퍼 가이드(230)의 벽부(231a)는 웨이퍼(W)의 에지와 밀착되어, 웨이퍼(W)의 에지와 웨이퍼 가이드(230) 사이를 통한 소스가스의 유입이 차단된다. 따라서, 소스가스가 웨이퍼(W)의 하면으로 유입되어 발생되는 노들은 방지될 수 있다.
웨이퍼(W)는 다른 부분에 비해 편평한 라인을 갖는 플랫부(W')(도 1 참조)를 구비하는데, 이러한 플랫부(W')에서는 다른 부분보다 소스가스의 유입이 용이할 수 있다. 본 발명의 웨이퍼 가이드(230)는 이러한 플랫부(W')와 접촉되도록 이동되어, 플랫부(W')를 통한 소스가스의 유입을 방지할 수 있다.
다음에, 가스분사유닛(150)(도 3 참조)에 의한 소스가스의 분사가 시작되고, 웨이퍼(W)의 상면에는 단결정막이 증착된다. 단결정막의 증착이 완료되면, 웨이퍼 가이드(230)와 연결된 연결핀(232)을 이동시킴으로써, 웨이퍼 가이드(230)는 웨이퍼(W)로부터 이격된 이격 위치로 이동될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가이드를 도시하는 단면도이다.
도 6의 (a)를 참조하면, 웨이퍼 가이드(330)는 몸체부(331)와, 상기 몸체부(331)를 접촉 위치와 이격 위치 사이에서 이동시키기 위한 이동핀(332)을 포함한다.
상기 몸체부(331)는 벽부(331a)와, 이러한 벽부(331a)로부터 웨이퍼(W)의 하면 쪽으로 연장되는 바닥부(331b)를 구비할 수 있다. 바닥부(331b)는 벽부(331a)와 둔각으로 만나는 연결부(331b')를 구비할 수 있다. 벽부(331a)와 연결부(331b')가 형성하는 각도 및 연결부(331b')의 길이는 조절될 수 있다. 웨이퍼 가이드(330)가 접촉 위치로 이동될 때, 이러한 연결부(331b')에 의해 웨이퍼 가이드(330)의 벽부(331a)는 웨이퍼(W)의 에지와 부드럽게 잘 밀착될 수 있다.
도 6의 (b)를 참조하면, 웨이퍼 가이드(430)는 몸체부(431)와, 상기 몸체부(431)를 접촉 위치와 이격 위치 사이에서 이동시키기 위한 이동핀(432)을 포함한다.
상기 몸체부(431)는 벽부(431a)와, 이러한 벽부(431a)로부터 웨이퍼(W)의 하면 쪽으로 연장되는 바닥부(431b)를 구비할 수 있다. 바닥부(431b)는 벽부(431a)와 연결되고 곡률을 갖는 라운드부(431b')를 구비할 수 있다. 웨이퍼 가이드(430)가 접촉 위치로 이동될 때, 이러한 라운드부(431b')에 의해 웨이퍼 가이드(430)의 벽부(431a)는 웨이퍼(W)의 에지와 부드럽게 잘 밀착될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 서셉터에서는 소스가스가 웨이퍼(W)의 하면으로 침투하는 것을 방지할 수 있도록, 이격 위치와 접촉 위치 사이에서 이동 가능한 웨이퍼 가이드를 포켓 내에 구비한다. 에피택셜 공정 중에는 웨이퍼 가이드가 웨이퍼(W)의 에지와 밀착되는 접촉 위치로 이동함으로써, 소스가스가 웨이퍼(W)의 하면으로 침투하는 것을 방지하여 노들이 발생되지 않도록 한다.
웨이퍼(W)의 에지와 밀착되도록 이동 가능한 웨이퍼 가이드의 구성은 여러 가지 실시예로 구현될 수 있으며, 상기 실시예는 이러한 웨이퍼 가이드를 제한하지 않는다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
100 : 화학 기상 증착 장치 110 : 이송챔버
111 : 수용부 120, 130 ; 로드락챔버
140 : 공정챔버 143 : 배기장치
150 : 가스분사유닛 152 : 인젝터
200 : 서셉터 201 : 가이드홈
205 : 지지면 205a : 지지경사부
210 : 포켓 230 : 웨이퍼 가이드
231 : 몸체부 231a : 벽부
231b : 바닥부 231c : 가이드경사부
232 : 이동핀 331b' : 연결부
431b' : 라운드부

Claims (11)

  1. 화학 기상 증착 장치용 서셉터에 있어서,
    웨이퍼가 수평으로 놓여져 수용되는 복수의 포켓;
    상기 포켓 내에 설치되어, 상기 웨이퍼의 에지에 접촉 또는 이격되도록 이동가능한 웨이퍼 가이드;를 포함하고,
    상기 웨이퍼 가이드는 상기 웨이퍼의 에지와 접촉되는 벽부와, 상기 벽부로부터 상기 웨이퍼의 하면 쪽으로 연장되는 바닥부를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 바닥부는 상기 벽부와 수직으로 만나는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 바닥부는 상기 벽부와 둔각으로 만나는 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바닥부는 상기 벽부와 연결되는 라운드부를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 포켓은 상기 웨이퍼가 지지되는 지지면을 구비하고,
    상기 지지면은 하향으로 경사지는 지지경사부를 포함하고,
    상기 웨이퍼 가이드는 상기 지지경사부를 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 웨이퍼 가이드의 밑면은 상기 지지경사부와 대응되는 가이드경사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 가이드는 상기 웨이퍼의 에지와 접촉 또는 이격되는 몸체부와, 상기 몸체부와 연결되어 상기 몸체부를 이동시키는 이동핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 가이드는 상기 웨이퍼의 플랫부에 접촉 또는 이격되도록 이동가능한 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터는 팬케이크형 서셉터인 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치용 서셉터.
  11. 화학 기상 증착 장치에 있어서,
    화학 기상 증착이 이루어지는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 배치되어 웨이퍼를 지지하기 위한 제1항, 제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 서셉터;
    상기 공정 챔버 내의 웨이퍼로 소스가스를 공급하는 가스분사유닛;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
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