KR101179065B1 - 샤워 플레이트와 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

샤워 플레이트와 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101179065B1
KR101179065B1 KR1020107019374A KR20107019374A KR101179065B1 KR 101179065 B1 KR101179065 B1 KR 101179065B1 KR 1020107019374 A KR1020107019374 A KR 1020107019374A KR 20107019374 A KR20107019374 A KR 20107019374A KR 101179065 B1 KR101179065 B1 KR 101179065B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow path
shower plate
flat plate
plate
heat medium
Prior art date
Application number
KR1020107019374A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100108449A (ko
Inventor
신야 니시모토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20100108449A publication Critical patent/KR20100108449A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101179065B1 publication Critical patent/KR101179065B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

샤워 플레이트(300)는 제1 평판(301)과, 제2 평판(302)과, 제3 평판(303)을 구비한다. 제3 평판(303)의 제2 평판(302)과 대향하는 면에는, 열매체가 흐르는 유로(303a)가 형성되어 있다. 제3 평판(303)의 중심 영역에는 대략 90도로 교차되는 격자가 형성되어 있고, 이 격자가 교차되는 각도와 동일한 대략 90도로 유로(303a)가 굴곡되어 있다. 이와 같이 유로(303a)를 굴곡시킴으로써, 특히 고온이 되는 중심 영역에 유로(303a)를 많이 설치할 수 있어, 샤워 플레이트를 양호하게 냉각하는 것이 가능해진다.

Description

샤워 플레이트와 이를 이용한 플라즈마 처리 장치{SHOWER PLATE AND PLASMA PROCESSING DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 샤워 플레이트와 이것을 이용한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치 등을 제조할 때에, 박막을 형성하기 위해 마이크로파 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등을 행하는 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 이 플라즈마 처리 장치는 챔버와, 슬롯 안테나와, 유전체 격벽과, 플라즈마 여기(excite) 가스 공급부와, 재치대와, 샤워 플레이트를 구비한다(예를 들면 일본공개특허공보 2002-299241호 참조).
샤워 플레이트는 샤워 플레이트 상에서 발생한 플라즈마를 샤워 플레이트의 아래로 통과시키고, 추가로 샤워 플레이트의 바로 아래에 프로세스 가스를 공급하는 것이다.
그런데, 이 샤워 플레이트는 플라즈마에 노출되기 때문에 고온이 된다. 이때문에, 샤워 플레이트에는 샤워 플레이트를 냉각하기 위한 열매체를 흘리는 유로가 형성되어 있다. 이때, 샤워 플레이트의 온도는 플라즈마 처리 장치에서 행해지는 처리에 영향을 주기 때문에, 샤워 플레이트가 양호하게 냉각되는 것이 요구되고 있다.
본 발명은 전술한 실정을 감안하여 행해진 것으로, 샤워 플레이트를 양호하게 냉각하는 것이 가능한 유로가 형성된 샤워 플레이트와 이것을 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 관점에 따른 샤워 플레이트는,
제1 부재와, 상기 제1 부재에 서로 겹쳐져 접합된 제2 부재를 구비하고,
상기 제1 부재의 상기 제2 부재에 대향하는 면에, 상기 제2 부재와 서로 겹쳐짐으로써, 열매체(熱媒體)가 흐르는 유로로서 기능하는 홈이 형성되고,
상기 유로의 측벽은, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재와의 접합면에 평행한 면 내에서 굴곡되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제2 관점에 따른 플라즈마 처리 장치는, 제1 관점에 따른 샤워 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제3 관점에 따른 샤워 플레이트는,
제1 부재와, 상기 제1 부재에 서로 겹쳐져 접합된 제2 부재를 구비하고,
상기 제1 부재의 상기 제2 부재에 대향하는 면에, 상기 제2 부재와 서로 겹쳐짐으로써, 열매체가 흐르는 유로로서 기능하는 홈이 형성되고,
상기 유로 내에는 적어도 1개의 핀이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제4 관점에 따른 플라즈마 처리 장치는, 제3 관점에 따른 샤워 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원 발명에 의하면, 샤워 플레이트를 양호하게 냉각하는 것이 가능한 유로가 형성된 샤워 플레이트와 이것을 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이 가능하다.
도 1은 플라즈마 처리 장치의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 2는 레이디얼 라인 슬롯 안테나(radial line slot antenna)의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 따른 샤워 플레이트의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3에 나타내는 Ⅳ-Ⅳ선 단면도이다.
도 5는 샤워 플레이트의 제1 평판을 나타내는 평면도이다.
도 6a는 샤워 플레이트의 제2 평판을 나타내는 평면도이다.
도 6b는 샤워 플레이트의 제3 평판을 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태 2에 따른 샤워 플레이트의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 8a는 도 7의 샤워 플레이트의 일부를 확대한 도면이다.
도 8b는 도 8a에 나타내는 ⅧB-ⅧB선 단면도이다.
도 8c는 도 8a에 나타내는 ⅧC-ⅧC선 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 3에 따른 샤워 플레이트의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 10a는 도 9의 샤워 플레이트의 일부를 확대한 도면이다.
도 10b는 도 10a에 나타내는 XB-XB선 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태 4에 따른 샤워 플레이트의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 12a는 도 11의 샤워 플레이트의 일부를 확대한 도면이다.
도 12b는 도 12a에 나타내는 XⅡB-XⅡB선 단면도이다.
도 13은 본 발명의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14a는 본 발명의 변형예를 나타내는 도면으로, 샤워 플레이트의 일부를 확대한 도면이다.
도 14b는 도 14a에 나타내는 XⅣB-XⅣB선 단면도이다.
도 15a는 본 발명의 변형예를 나타내는 도면으로, 샤워 플레이트의 일부를 확대한 도면이다.
도 15b는 도 15a에 나타내는 XVB-XVB선 단면도이다.
도 15c는 도 15a에 나타내는 XVC-XVC선 단면도이다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
본 발명의 실시 형태에 따른 샤워 플레이트 및 이것을 이용한 플라즈마 처리 장치에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 본 실시 형태에서는, 마이크로파 플라즈마 CVD 장치에서 이용되는 샤워 플레이트를 예로 들어 설명한다.
(실시 형태 1)
본 발명의 실시 형태 1에 따른 샤워 플레이트가 이용되는 플라즈마 처리 장치(100)의 구성예를 도 1～도 6b에 나타낸다. 도 1은 플라즈마 처리 장치(100)의 구성예를 나타낸다. 도 2는 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)의 일 예를 나타낸다. 또한, 도 3은 본 실시 형태 1의 샤워 플레이트(300)를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에 나타내는 Ⅳ-Ⅳ선 단면도이다. 또한, 도 5, 도 6a 및 도 6b는 샤워 플레이트(300)를 구성하는 평판을 나타내는 평면도이다.
플라즈마 처리 장치(100)는 플라즈마 발생실(챔버)(101)과, 천판(top plate; 102)(유전체판)과, 안테나(103)와, 도파관(waveguide; 104)과, 플라즈마 가스 공급부(105)와, 기판 보지대(substrate 保持臺; 106)를 구비한다. 안테나(103)는 도파부(실드(shield) 부재)(103a), 레이디얼 라인 슬롯 안테나(RLSA)(103b), 지파판(wavelength-shortening plate; 103c)(유전체)으로 구성된다. 도파관(104)은 외측 도파관(104a)과, 내측 도파관(104b)으로 이루어지는 동축(coaxial) 도파관이다.
플라즈마 처리 장치(100)의 플라즈마 발생실(101)은, 석영 또는 알루미나 등의 마이크로파를 전파하는 유전체 재료로 형성된 천판(102)에 의해 막혀 있다. 플라즈마 발생실(101) 내는 진공 펌프에 의해 진공 상태로 된다. 천판(102) 상에는 안테나(103)가 결합되어 있다.
안테나(103)에는 도파관(104)이 접속되어 있다. 안테나(103)의 도파부(103a)는 도파관(104)의 외측 도파관(104a)에 접속된다. 안테나(103)의 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)는 내측 도파관(104b)에 결합된다. 지파판(103c)은 도파부(103a)와 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)와의 사이에 있어 마이크로파의 파장을 압축한다. 지파판(103c)은 예를 들면 석영이나 알루미나 등의 유전체 재료로 구성된다.
마이크로파원(源)으로부터 도파관(104)을 통하여 마이크로파를 공급한다. 마이크로파는 도파부(103a)와 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)와의 사이를 지름 방향으로 전파하여, 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)의 슬롯으로부터 방사된다.
도 2는 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)의 일 예를 나타내는 평면도이다. 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)는 도파부(103a)의 개구부를 덮는 형상이며, 다수의 슬롯(103b1, 103b2)이 형성되어 있다. 레이디얼 라인 슬롯 안테나(103b)를 도파부(103a)의 하단부에 구비함으로써 마이크로파를 퍼지게 수 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 슬롯(103b1, 103b2)은 동심원 형상이고, 그리고 서로 직교하도록 형성되어 있다. 마이크로파는 슬롯(103b1, 103b2)의 길이 방향으로 수직으로 퍼져, 천판(102) 바로 아래에 플라즈마가 발생한다.
플라즈마 가스 공급부(105)는 천판(102)의 아래에 형성되어 있다. 또한, 플라즈마 가스 공급부(105)에는 분출공이 형성되어 있고, 이 구멍으로부터 플라즈마 여기 가스가 플라즈마 여기 공간(101a)으로 방출된다. 플라즈마 여기 공간(101a)에는, 플라즈마 가스 공급부(105)로부터 예를 들면 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 등의 희가스(rare gas)로 이루어지는 플라즈마 여기 가스가 공급되고, 플라즈마 여기 가스가 마이크로파에 의해 여기되어 플라즈마가 발생한다.
샤워 플레이트(300)는 챔버(101) 내에 있어서 플라즈마 여기 공간(101a) 하에 형성되어 있다. 샤워 플레이트(300)는 스테인리스, 알루미늄 등의 금속으로 형성되어 있다. 또한, 샤워 플레이트(300)는 도 3에 나타내는 바와 같이 평면 형상이 원형인 평판이며, 중심 영역은 대략 90도로 교차되는 골격을 갖는 격자가 형성된다. 플라즈마 여기 공간(101a)에 있어서 발생한 플라즈마는, 이 격자의 골격에 의해 획정되는 개구를 통과하여, 프로세스 공간(101b)으로 공급된다. 또한, 샤워 플레이트(300)에는, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 프로세스 가스를 공급하기 위한 유로(301a)와 분출공(301b)이 형성되어 있다. 도시하지 않는 프로세스 가스 공급원으로부터, 유로(301a), 분출공(301b)을 통하여 프로세스 공간(101b)으로 프로세스 가스가 공급된다.
또한 샤워 플레이트는 플라즈마 처리 중에 고온이 되기 때문에, 샤워 플레이트(300)에는 열매체를 통과시키는 열매체용의 복수의 유로(303a)가 형성된다. 본 실시 형태 1에서는, 유로(303a)를 격자가 교차되는 각도인 90도로 굴곡시켜 형성하고 있다. 이에 수반하여, 샤워 플레이트(300)를 중심각이 90도인 부채 형상의 영역(Z1～Z4)으로 나누어, 영역(Z1～Z4)의 온도에 따라서 온도가 조절된 열매체를 유로(303a)에 도입한다. 이에 따라, 샤워 플레이트(300)를 영역(Z1～Z4)마다 온도 조절하는 것이 가능해진다. 또한 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 영역에 형성된 2개의 유로(303a)에 있어서 열매체를 대향하는 방향으로 흘림으로써, 샤워 플레이트(300)의 냉각의 치우침을 억제하는 것이 가능하다.
또한, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 상에 실리콘의 산화막, 질화막, 또는 산질화막을 형성하는 경우는, 프로세스 가스로서 O2, NH3, N2, H2 등이 샤워 플레이트(300)로부터 프로세스 공간(101b)으로 공급된다. 또한, 실리콘 웨이퍼 등에 에칭 처리를 시행하는 경우는, 프로세스 가스로서 플루오로카본 등이 공급된다.
본 실시 형태 1에서, 샤워 플레이트(300)는 제1 평판(301)과, 제2 평판(302)과, 제3 평판(303)의 3매의 평판으로 구성된다. 이들 평판을 열확산 접합에 의해 접합시킴으로써 샤워 플레이트(300)가 형성된다. 구체적으로는, 도5～도 6b에 나타내는 바와 같이 제1 평판(301), 제2 평판(302), 제3 평판(303)은 각각 중심 영역이 90도로 교차되는 골격을 갖는 격자 형상으로 형성된다. 각 평판에 형성되는 격자는 모두 동일 형상이며, 서로 겹쳐져, 플라즈마가 통과하는 개구로서 기능한다.
또한, 도 5에 나타내는 바와 같이 제1 평판(301)의 제2 평판(302)과 대향하는 면에는, 중심 영역의 격자에 대응하도록, 프로세스 가스용의 유로(301a)가 형성된다. 유로(301a)는 도 4에 나타내는 바와 같이 단면 형상은 대략 직사각형의 홈으로서 형성되어 있고, 제2 평판(302)과 접합됨으로써 닫힌 공간이 되어, 유로로서 기능한다. 본 실시 형태 1에서는 열매체용의 유로(303a)가 샤워 플레이트(300)의 중심 영역에서 굴곡되어 형성되어 있고, 샤워 플레이트는 거의 균등한 4개의 영역(Z1～Z4)으로 나뉘어 온도 관리가 이루어지고 있다. 이에 대응하여, 프로세스 가스용의 유로(301a)는, 각 영역 내의 격자 중과 샤워 플레이트의 중심 영역에 대응하는 격자 중의 합계 5개의 영역으로 나누어 형성되어 있다. 이와 같이 함으로써, 프로세스 가스의 유량 등을 각각의 영역에서 개별적으로 관리할 수 있게 되어, 프로세스의 면내 균일을 도모할 수 있다. 또한, 유로(301a)의 저면(bottom surface)에는 프로세스 가스를 분출시키는 분출공(301b)이 형성된다. 유로(301a)와 분출공(301b)은, 프로세스 가스가 웨이퍼(W)에 균일하게 방출되도록 배치되어 있다. 본 실시 형태 1에서는 웨이퍼(W)와 대향하는 영역에 거의 균일하게 배치되어 있다. 또한, 중심 영역 이외의 유로(301a)로는, 도시하지 않는 프로세스 가스 공급원으로부터 프로세스 가스 공급구(305)를 통하여 프로세스 가스가 도입된다. 중심 영역의 유로(301a)로는, 프로세스 가스 공급 유로(304)를 통하여 프로세스 가스가 공급된다. 프로세스 가스 공급 유로(304)는, 도 5, 도 6a 및 도 6b에 나타내는 바와 같이 제1 평판(301)에 형성된 공급구(304a), 제2 평판에 형성된 구멍(304b, 304c) 및, 제3 평판에 형성된 홈(304d)에 의해 형성된다. 제1 평판(301)의 공급구(304a)로부터 들어간 가스가 제3 평판(303)을 지나, 재차 제1 평판(301)의 중심 영역의 분출공으로부터 분출된다. 본 실시 형태 1에서는, 유로 및 분출공이 형성된 3매의 평판을 열확산 접합에 의해 접합시키고 있기 때문에, 이러한 구성도 가능해진다. 또한 유로(301a) 및 분출공(301b)의 형상, 배치는 도시하는 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경하는 것이 가능하다.
제2 평판(302)은 도 6a에 나타내는 바와 같이 중심 영역이 90도로 교차되는 격자 형상으로 형성된다. 제2 평판(302)의 제1 평판(301) 및 제3 평판(303)에 대향하는 면은 각각 평탄하고, 제1 평판(301), 제3 평판(303)과 서로 겹쳐져 접합됨으로써, 프로세스 가스, 열매체가 흐르는 유로가 형성된다. 또한, 제2 평판(302)에는 프로세스 가스 공급 유로(304)의 구멍(304b, 304c)이 형성된다.
제3 평판(303)은 도 6b에 나타내는 바와 같이 중심 영역이 90도로 교차되는 격자 형상으로 형성되어 있다. 제3 평판(303)에 형성된 격자 상에는, 유로(303a)가 90도로 굴곡되어 형성되어 있다. 유로(303a)의 측벽은, 제3 평판(303)과 제2 평판(302)과의 접합면에 평행한 면 내에서 굴곡되어 있다. 각 영역마다 2개의 유로(303a)가 형성되어 있고, 각 영역 내의 2개의 유로(303a)에서는, 도시하지 않는 냉각 장치에 의해 냉각된 기체 등의 열매체가 대향하는 방향으로 흐른다. 또한, 제3 평판(303)의 중심 영역에는, 프로세스 가스 공급 유로(304)의 홈(304d)이 형성된다.
도 1을 보아도 알 수 있는 바와 같이, 샤워 플레이트(300)는 챔버 벽에 의해 주위가 지지되어 있다. 샤워 플레이트의 주변 영역의 열은 챔버 벽을 통하여 방출되기 때문에, 상대적으로 샤워 플레이트의 중심 영역의 온도가 높아지기 쉽다. 전술한 바와 같이 본 실시 형태 1에서는, 열매체를 흘리는 유로(303a)를 격자의 형상에 맞추어, 샤워 플레이트의 중심 영역에서 90도로 굴곡시키고 있다. 이에 따라, 직선 형상으로 유로를 형성하는 경우와 비교하여, 특히 고온이 되는 샤워 플레이트의 중심 영역에 열매체용의 유로를 집중하여 형성할 수 있기 때문에, 샤워 플레이트는 양호하게 냉각된다.
또한 본 실시 형태 1에서는, 샤워 플레이트(300)를 중심으로부터 거의 균등한 4개의 영역으로 나누고 있어, 각 영역마다의 샤워 플레이트의 온도에 따라서 열매체의 온도, 유량 등을 조절하는 것이 가능하다. 이에 따라, 샤워 플레이트의 온도에 따른, 보다 양호한 온도 관리가 가능해진다. 즉, 본 실시 형태 1에서는, 중심 영역의 냉각 효율을 향상시키면서도, 샤워 플레이트의 각 영역의 온도에 따른, 보다 양호한 온도 관리가 가능하기 때문에, 샤워 플레이트의 면 내 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
(실시 형태 2)
본 발명의 실시 형태 2에 따른 샤워 플레이트(400)를 도 7～도 8c에 나타낸다.
본 실시 형태 2의 샤워 플레이트가 실시 형태 1에 따른 샤워 플레이트(300)와 다른 것은, 열매체를 흘리는 유로의 형상이 다른 점에 있다. 실시 형태 1의 샤워 플레이트와 공통되는 특징에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
본 실시 형태 2의 샤워 플레이트(400)는, 실시 형태 1과 동일하게 제1 평판(401)과, 제2 평판(402)과, 제3 평판(403)으로 구성된다. 각 평판은 중심 영역이 90도로 교차되는 격자 형상으로 형성된다. 본 실시 형태 2에서도, 실시 형태 1과 동일하게 샤워 플레이트를 4개의 영역(Z1～Z4)으로 나누어 온도 관리를 행한다. 또한, 프로세스의 면 내 균일화를 도모하기 위해, 제1 평판(401)의 4개의 영역(Z1～Z4) 및 중심 영역에는, 프로세스 가스 공급용의 유로(401a)와 분출공(401b)이 형성되어 있다. 프로세스 가스용의 유로(401a)로는, 실시 형태 1과 동일하게 프로세스 가스 공급 유로(404)와 프로세스 가스 공급구(405)에 의해 프로세스 가스가 공급된다.
제3 평판(403)의 각 영역 내에는 2개의 열매체용의 유로(403a)가 형성되어 있다. 본 실시 형태 2에서는, 열매체의 도입구 근방에 있어서의 유로(403a)의 단면적이, 도입구 근방 이외의 영역에 있어서의 유로(403a)의 단면적과 비교하여 작게 형성되어 있다. 그 때문에, 유로(403a)의 측벽이, 제3 평판(403)과 제2 평판(402)과의 접합면에 평행한 면 내에서 굴곡되어 있다. 예를 들면, 도 8b 및 도 8c에 나타내는 바와 같이, 유로(403a)의 깊이는 모두 동일하게 형성되어 있지만, 유로(403a)의 폭은 도입구의 근방에서는 폭 w로 형성되고, 샤워 플레이트의 중심 영역에서는 폭 3w로 형성되어 있다. 또한, 도출구의 근방의 폭도 중심 영역과 동일한 폭으로 형성되어 있다.
본 실시 형태 2의 샤워 플레이트(400)에서는, 이와 같이 열매체의 도입구 근방의 유로 단면적을 작게 함으로써, 냉각 효율을 향상시켜, 효율 좋게 샤워 플레이트의 면 내 온도를 균일하게 할 수 있다. 전술한 바와 같이, 샤워 플레이트의 중심 영역은, 주변 영역에 대하여 상대적으로 온도가 높아지기 쉽다. 샤워 플레이트의 열매체의 도입구 근방에서 유로를 가늘게 함으로써, 열매체의 접촉 면적, 즉 전열 면적을 줄일 수 있다. 이에 따라, 샤워 플레이트에 도입된 열매체가, 고온인 중앙 영역에 이르기 전에 온도 상승이 발생하여 냉각 효율이 저하되는 것을 막는 것이 가능하다.
(실시 형태 3)
본 발명의 실시 형태 3에 따른 샤워 플레이트를 도 9～도 10b에 나타낸다.
본 실시 형태의 샤워 플레이트가 실시 형태 2에 따른 샤워 플레이트와 다른 것은, 열매체를 흘리는 유로 내에 핀이 형성되어 있는 점에 있다. 전술한 각 실시 형태의 샤워 플레이트와 공통되는 특징에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
본 실시 형태 3의 샤워 플레이트(500)는, 실시 형태 1과 동일하게 제1 평판(501)과, 제2 평판(502)과, 제3 평판(503)으로 구성된다. 각 평판은 중심 영역이 90도로 교차되는 격자 형상으로 형성된다. 본 실시 형태 3에서도, 실시 형태 1과 동일하게 샤워 플레이트를 4개의 영역(Z1～Z4)으로 나누어 온도 관리를 행한다. 또한, 프로세스의 면 내 균일화를 도모하기 위해, 제1 평판(501)의 4개의 영역(Z1～Z4) 및 중심 영역에는 프로세스 가스 공급용의 유로(501a)와 분출공(501b)이 형성되어 있다. 프로세스 가스용의 유로(501a)로는, 실시 형태 2와 동일하게 프로세스 가스 공급 유로(504)와 프로세스 가스 공급구(505)에 의해 프로세스 가스가 공급된다.
제3 평판(503)의 각 영역 내에는 2개의 열매체용의 유로(503a)가 형성되어 있다. 본 실시 형태 3에서는, 실시 형태 2와 동일하게, 열매체의 도입구 근방에 있어서의 유로(503a)의 단면적이, 도입구 근방 이외의 영역에 있어서의 유로(503a)의 단면적과 비교하여 작게 형성되어 있다.
또한 본 실시 형태 3에서는, 유로(503a) 내에 도 10b에 나타내는 바와 같이 핀(503b)이 형성되어 있다. 핀(503b)은 제3 평판(503)과 일체로 형성되어 있다. 구체적으로는 본 실시 형태 3에서는, 제3 평판(503)에 유로(503a)를 형성할 때에, 핀(503b)이 잔존하도록 유로(503a)를 형성한다. 이와 같이 형성한 제3 평판(503)에 제2 평판(502)을 열확산 접합에 의해 접합시킴으로써, 핀(503b)을 구비하는 유로(503a)가 형성된다. 또한, 핀의 폭은, 예를 들면 도 10b에 나타내는 바와 같이 유로(503a)의 폭 3w에 대하여, 1/3에 해당하는 w의 폭으로 형성된다. 높이는 유로(503a)의 깊이 d1에 대하여, 그보다도 작은 d2로 형성된다.
본 실시 형태 3과 같이 유로 내에 핀을 형성함으로써, 핀이 형성된 영역에 있어서 열매체의 접촉 면적을 늘리는 것이 가능하다. 이에 따라, 냉각 효율을 상승시키는 것이 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서는 샤워 플레이트의 중심 영역에만 핀을 형성하고 있다. 그 때문에, 중심 영역보다도 온도가 낮은 주변 영역에 있어서의 열매체의 접촉 면적을, 중심 영역에 있어서의 접촉 면적보다도 감소시키는 것이 가능하다. 따라서, 고온이 되는 샤워 플레이트의 중심 영역에서의 냉각 효율을 더욱 향상시키는 것이 가능하다.
(실시 형태 4)
본 발명의 실시 형태 4에 따른 샤워 플레이트(600)를 도 11～도 12b에 나타낸다. 본 실시 형태의 샤워 플레이트가 전술한 각 실시 형태에 따른 샤워 플레이트와 다른 것은, 열매체를 흘리는 유로가 1개의 격자 상에 2개 형성되어 있는 점에 있다. 전술한 각 실시 형태의 샤워 플레이트와 공통되는 특징에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
본 실시 형태 4의 샤워 플레이트(600)는, 실시 형태 1과 동일하게 제1 평판(601)과, 제2 평판(602)과, 제3 평판(603)으로 구성되어 있다. 각 평판은 중심 영역이 90도로 교차되는 격자 형상으로 형성된다. 본 실시 형태 4에서도, 실시 형태 1과 동일하게 샤워 플레이트를 4개의 영역(Z1～Z4)으로 나누어 온도 관리를 행한다. 또한, 프로세스의 면 내 균일화를 도모하기 위해, 제1 평판(601)의 4개의 영역(Z1～Z4) 및 중심 영역에는 프로세스 가스 공급용의 유로(601a)와 분출공(601b)이 형성되어 있다. 프로세스 가스용의 유로(601a)로는, 실시 형태 2와 동일하게 프로세스 가스 공급 유로(604)와 프로세스 가스 공급구(605)에 의해 프로세스 가스가 공급된다.
제3 평판(603)의 각 영역 내에는, 1개의 격자 내에 2개의 열매체용의 유로(603a, 603c)가 형성되어 있고, 각각의 유로는 도 12b에 나타내는 바와 같이 격벽(603b)에 의해 분리되어 있다. 이 격벽(603b)은, 유로(603a, 603c)의 깊이와 동일한 높이의 핀이 전(全) 유로 내에 걸쳐서 형성된 것이다. 격벽(603b)은 제3 평판(603)과 일체로 형성되어 있다. 구체적으로는 본 실시 형태 4에서는, 제3 평판(603)에 유로(603a, 603c)를 형성할 때에, 격벽(603b)이 잔존하도록 유로(603a, 603c)를 형성한다. 이와 같이 형성한 제3 평판(603)에 제2 평판(602)를 열확산 접합에 의해 접합시킴으로써, 격벽(603b)에 의해 분리된 유로(603a, 603c)가 형성된다.
격벽의 폭은 예를 들면 도 12b에 나타내는 바와 같이 유로(603a, 603c)를 합친 전체의 폭 3w에 대하여, 1/3에 해당하는 w의 폭으로 형성된다. 또한 격벽(603b)의 폭은 적절히 변경하는 것이 가능하다.
이와 같이 1개의 격자에 2개의 열매체용의 유로를 형성함으로써, 샤워 플레이트 내에 형성하는 유로의 수를 늘릴 수 있어, 냉각 성능을 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태 4에서는 유로(603a)와 유로(603c)는, 도 11～도 12b에 나타내는 바와 같이, 대향하는 방향으로 열매체가 흐른다. 이 경우, 유로(603a)의 도입구 근방에서는 낮은 온도의 열매체가 흐르고, 인접하는 유로(603c)의 도출구에서는 샤워 플레이트를 통과하여 가열된 열매체가 흐른다. 유로(603c)의 도입구 근방에서도 동일하다. 그 때문에, 유로(603a, 603c)를 일체로 보았을 경우, 샤워 플레이트면 내에 있어서의 온도의 치우침을 유로가 1개인 경우보다도 저감시키는 것이 가능해진다. 특히 저온의 열매체를 도입하는 경우, 샤워 플레이트면 내의 온도 불균일이 현저해진다. 따라서, 샤워 플레이트의 면 내 온도 분포를 균일하게 하면서도, 더욱 냉각하고 싶은 경우에는, 이러한 구성의 유로에 비교적 저온의 열매체를 도입하는 것이 바람직하다.
본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 여러 가지 변형 및 응용이 가능하다.
전술한 각 실시 형태에서는, 샤워 플레이트가 평면의 부재를 조합함으로써 형성되는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고 부재는 곡면이라도 좋다.
전술한 각 실시 형태의 특징을 적절히 조합하는 것이 가능하다. 예를 들면, 실시 형태 4와 같이 1개의 격자 상에 2개의 유로를 형성하고, 이 유로의 폭을 실시 형태 2와 같이 변화시켜도 좋고, 또한 실시 형태 3과 같이 유로 내에 핀을 형성하는 것도 가능하다. 또한, 실시 형태 4와 같이 1개의 격자 내에 유로를 2개 형성한 후, 각 유로 내에 핀을 형성하는 것도 가능하다.
또한, 전술한 실시 형태에서는 샤워 플레이트는, 직각으로 교차되는 격자의 경우를 예로 들었지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 13에 나타내는 샤워 플레이트(700)와 같이, 제1 평판(701), 제2 평판(702), 제3 평판(703)의 중심 영역에 형성되는 격자가 교차되는 각도를 60도 등으로 하는 것도 가능하다. 이 경우, 열매체용의 유로(703a)를 도 13에 나타내는 바와 같이 60도로 굴절시켜 형성함으로써, 샤워 플레이트(700)를 영역(Z1～Z6)의 6개의 존(zone)으로 나누어, 온도 관리를 하는 것이 가능해진다. 격자는, 또한 60도보다도 작은 각도로 교차되도록 형성해도 좋다.
또한, 실시 형태 2에서는, 유로가 실시 형태 1과 동일하게 굴곡되어 있는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 유로가 샤워 플레이트를 횡단하도록 직선 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 도입구의 근방에서 유로를 좁게 형성하는 경우, 폭을 좁게 하는 구성에 한정되지 않고, 깊이를 얕게 하는 것에 의해도 좋고, 폭과 깊이를 변화시켜도 좋다. 또한, 전술한 실시 형태 2에서는 유로를 3w의 폭과 w의 폭의 2단계로 변화시키는 구성을 예로 들어 설명했지만, w, 2w, 3w의 3단계로 나누어 유로의 폭을 변화시켜도 좋고, 더욱 많은 단계로 변화시켜도 좋다.
실시 형태 3에서는, 유로가 실시 형태 1과 동일하게 굴곡되어 있는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 유로가 직선 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 유로 내의 핀의 수, 높이 등은 임의이다. 예를 들면, 도 14a 및 14b에 나타내는 바와 같이, 유로(503a) 내에 2개의 핀(503b, 503c)을 형성해도 좋고, 핀의 높이를 유로의 깊이와 동일하게 해도 좋다. 또한, 핀은 제3 평판과 일체로 형성되는 구성에 한정되지 않고 제2 평판에 형성하는 것도 가능하다.
실시 형태 4에서는, 유로가 실시 형태 1과 동일하게 굴곡되어 있는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 유로가 직선 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 또한 실시 형태 4에서는, 1개의 격자 내에 2개의 유로를 형성하는 구성을 예로 들었지만, 이에 한정되지 않고 3개 이상의 유로를 형성하는 것도 가능하다. 또한, 도 15a, 도 15b 및 도 15c에 나타내는 바와 같이 격자 내에 형성된 2개의 유로의 폭을, 열매체의 도입구 부근에서 좁고, 도출구의 근방에서 넓어지도록 형성해도 좋다. 또한, 격벽은 제3 평판과 일체로 형성되는 구성에 한정되지 않고 제2 평판에 형성하는 것도 가능하다.
또한, 전술한 각 실시 형태의 유로에 있어서, 냉각 효율을 상승시키기 위해, 즉 열매체의 접촉 면적을 향상시키기 위해, 열매체가 난류(亂流)가 되도록, 열매체와 접하는 유로의 내면을 거칠게 해도 좋다.
전술한 각 실시 형태에서는 3매의 판으로 이루어지는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 2매라도 좋고 4매 이상이라도 좋다. 또한, 전술한 각 실시 형태에서는, 제1 평판에 프로세스 가스용의 유로가 형성되고, 제3 평판에 열매체용의 유로가 형성되고, 제2 평판에는 유로가 형성되지 않는 구성을 예로 들어 설명했다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 제2 평판의 제1 평판과 대향하는 면에 프로세스 가스용의 유로의 일부를 형성하는 것도 가능하다. 마찬가지로 제2 평판의 제3 평판과 대향하는 면에 열매체용의 유로를 형성해도 좋다. 나아가서는 제1 평판에 프로세스 가스용의 유로를 형성하고, 제2 평판의 제3 평판에 대향하는 면에 열매체용의 유로를 형성하는 구성이어도 좋다.
또한, 전술한 각 실시 형태에서는, 각 평판이 격자 형상으로 잘려져, 당해 격자의 골격에 의해 획정(define)되는 형상이 플라즈마가 통과하는 개구의 형상이 되는 예를 들었다. 그러나, 당해 개구의 형상은, 전술한 실시 형태에 한정되지 않는다. 개구의 평면 형상은 임의이며, 예를 들면 원형으로 형성하는 것도 가능하다.
전술한 실시 형태에서는 플라즈마 처리 장치로서 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 예로 들었지만, 이에 한정되지 않고, 평행 평판형 고주파 여기 플라즈마 처리 장치, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 등, 각종의 플라즈마 처리 장치에 이용하는 것이 가능하다.
또한, 전술한 실시 형태에서는, 주로 열매체로서 냉각 장치 등에 의해 냉각된 열매체를 사용하는 예를 들었지만, 이에 한정되지 않고, 샤워 플레이트의 온도 조절을 위해, 가열된 열매체를 사용하는 것도 가능하다.
이번에 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 할 것이다. 본 발명의 범위는 상기의 설명이 아니라 특허청구의 범위에 의해 나타나며, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
본 출원은, 2008년 3월 24일에 출원된 일본국특허출원 2008-076429호에 기초한다. 본 명세서 중에 일본국특허출원 2008-076429호의 명세서, 특허청구의 범위, 도면 전체를 참조로서 원용하는 것으로 한다.
100 : 플라즈마 처리 장치
101 : 플라즈마 발생실(챔버)
101a : 플라즈마 여기 공간
101b : 프로세스 공간
102 : 천판(유전체판)
103 : 안테나
103a : 도파부(실드 부재)
103b : 레이디얼 라인 슬롯 안테나(RLSA)
103c : 지파판(유전체)
104 : 도파관
104a : 외측 도파관
104b : 내측 도파관
105 : 플라즈마 가스 공급부
106 : 기판 보지대
300, 400, 500, 600, 700 : 샤워 플레이트
301, 401, 501, 601, 701 : 제1 평판
301a, 401a, 501a, 601a : 유로(프로세스 가스용)
301b, 401b, 501b, 601b : 분출공
302, 402, 502, 602, 702 : 제2 평판
303, 403, 503, 603, 703 : 제3 평판
303a, 403a, 503a, 603a, 603c, 703a : 유로(열매체용)
304, 404, 504, 604 : 프로세스 가스 공급 유로
305, 405, 505, 605 : 프로세스 가스 공급구
503b, 503c : 핀
603b : 격벽

Claims (18)

  1. 제1 부재와, 상기 제1 부재에 서로 겹쳐져 접합된 제2 부재를 구비하고,
    상기 제1 부재의 상기 제2 부재에 대향하는 면에, 상기 제2 부재와 서로 겹쳐짐으로써, 열매체(熱媒體)가 흐르는 유로로서 기능하는 홈이 형성되고,
    상기 제1 부재에는 소정의 각도로 교차되는 골격을 갖는 격자가 형성되어 있고,
    상기 유로는 상기 격자의 골격을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유로가 상기 제1 부재의 면 내에 굴곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유로는 복수 형성되어 있고, 상기 제1 부재의 중심 영역에서 굴곡되어 있는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  4. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 유로에 의해, 샤워 플레이트는 균등한 복수의 영역으로 획정되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유로는 상기 격자의 골격을 따라서, 상기 격자의 골격이 교차되는 상기 각도로 굴곡되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유로는, 상기 제1 부재 또는 상기 제2 부재의 주변 영역에 상기 열매체의 도입구 및 도출구를 갖는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유로의 도입구 근방의 횡단면이, 그 외의 영역에 있어서의 상기 유로의 횡단면보다도 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유로 내에는 적어도 1개의 핀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 핀이 전(全) 상기 유로 내에 걸쳐서 형성됨으로써,
    상기 격자의 1개의 골격에, 상기 핀에 의해 분리된 복수개의 상기 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 유로의 상기 열매체와 접하는 면은, 상기 열매체가 난류(亂流)가 되도록 거칠게 되어 있는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재는, 열확산 접합에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  12. 제1항에 있어서,
    프로세스 가스가 흐르는 유로가 형성된 제3 부재를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 유로의 도입구 근방의 횡단면이, 그 외의 영역에 있어서의 상기 유로의 횡단면보다도 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워 플레이트.
  14. 제1항에 기재된 샤워 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제12항에 기재된 샤워 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
KR1020107019374A 2008-03-24 2009-03-06 샤워 플레이트와 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 KR101179065B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008076429 2008-03-24
JPJP-P-2008-076429 2008-03-24
PCT/JP2009/054336 WO2009119285A1 (ja) 2008-03-24 2009-03-06 シャワープレートとこれを用いたプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100108449A KR20100108449A (ko) 2010-10-06
KR101179065B1 true KR101179065B1 (ko) 2012-09-03

Family

ID=41113485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107019374A KR101179065B1 (ko) 2008-03-24 2009-03-06 샤워 플레이트와 이를 이용한 플라즈마 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110011341A1 (ko)
JP (1) JPWO2009119285A1 (ko)
KR (1) KR101179065B1 (ko)
CN (1) CN101981669A (ko)
TW (1) TW201006316A (ko)
WO (1) WO2009119285A1 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101253296B1 (ko) * 2011-02-24 2013-04-10 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
US9132436B2 (en) * 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10697061B2 (en) * 2016-11-21 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two zone flow cooling plate design with concentric or spiral channel for efficient gas distribution assembly cooling
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
KR20200109620A (ko) * 2019-03-13 2020-09-23 (주)포인트엔지니어링 접합부품
KR102117496B1 (ko) * 2019-10-14 2020-06-01 한전원자력연료 주식회사 단순 형상 구조를 갖는 핵연료 집합체의 지지격자

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758101A (ja) * 1993-08-09 1995-03-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd シリコン酸化膜の成膜方法およびｃｖｄ装置
TW277139B (ko) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US5935337A (en) * 1995-04-20 1999-08-10 Ebara Corporation Thin-film vapor deposition apparatus
US5906683A (en) * 1996-04-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Lid assembly for semiconductor processing chamber
US6916399B1 (en) * 1999-06-03 2005-07-12 Applied Materials Inc Temperature controlled window with a fluid supply system
KR100434487B1 (ko) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
JP2002220661A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法
JP2003121023A (ja) * 2001-10-10 2003-04-23 Tokyo Electron Ltd 熱媒体循環装置及びこれを用いた熱処理装置
JP2004363386A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Koyo Thermo System Kk 枚葉式熱処理装置
JP2005085803A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Shinwa Controls Co Ltd サセプタ
WO2005045913A1 (ja) * 2003-11-05 2005-05-19 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
JP2005150506A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置
JP4664119B2 (ja) * 2005-05-17 2011-04-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2007055185A1 (ja) * 2005-11-08 2007-05-18 Tohoku University シャワープレート及びシャワープレートを用いたプラズマ処理装置
JP4901352B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-21 京セラ株式会社 結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009119285A1 (ja) 2009-10-01
US20110011341A1 (en) 2011-01-20
CN101981669A (zh) 2011-02-23
TW201006316A (en) 2010-02-01
KR20100108449A (ko) 2010-10-06
JPWO2009119285A1 (ja) 2011-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101179065B1 (ko) 샤워 플레이트와 이를 이용한 플라즈마 처리 장치
JP3921234B2 (ja) 表面処理装置及びその製造方法
US20110168673A1 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method, and mechanism for regulating temperature of dielectric window
US6059922A (en) Plasma processing apparatus and a plasma processing method
US8968512B2 (en) Temperature adjusting mechanism and semiconductor manufacturing apparatus using temperature adjusting mechanism
US20080178608A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101046902B1 (ko) 샤워 플레이트 및 샤워 플레이트를 사용한 플라즈마 처리장치
US20120118505A1 (en) Plasma processing apparatus and cooling device for plasma processing apparatus
TWI763810B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20090053905A (ko) 천판 및 플라즈마 처리 장치
JP2006294422A (ja) プラズマ処理装置およびスロットアンテナおよびプラズマ処理方法
JP2009245593A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2009231611A (ja) シャワープレート及びシャワープレートの製造方法
JP2008311438A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法、ならびにマイクロ波透過板
US11532461B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI465154B (zh) 用以實施高效率電漿陷阱的設備
TW202224504A (zh) 電漿處理裝置
KR20100106602A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치
CN113380602A (zh) 处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统
US7527706B2 (en) Plasma processing apparatus, process vessel for plasma processing apparatus and dielectric plate for plasma processing apparatus
JP2003168681A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法
JP2005251803A (ja) プラズマ処理装置およびその設計方法
KR20220137990A (ko) 반도체 프로세싱 챔버 윈도우를 위한 냉각 플레이트
JP2002009049A (ja) プラズマ処理方法及びこれを用いたプラズマ処理装置
JP2020068373A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee