JP4901352B2 - 結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法 - Google Patents
結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4901352B2 JP4901352B2 JP2006202343A JP2006202343A JP4901352B2 JP 4901352 B2 JP4901352 B2 JP 4901352B2 JP 2006202343 A JP2006202343 A JP 2006202343A JP 2006202343 A JP2006202343 A JP 2006202343A JP 4901352 B2 JP4901352 B2 JP 4901352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas ejection
- plate
- center
- gas
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
2 加熱板
3 ガス噴出板
4 サセプタ
5 ヒーター
6 モーター
7 ガス噴出箇所
8 冷却管
8a 流入部
8b 流出部
9 排出装置
Claims (9)
- 加熱板と、前記加熱板上であって前記加熱板に対して対向配置したガス噴出板とを備え、
ガスを前記加熱板に噴出し、前記加熱板上に結晶を成膜する結晶成膜装置において、
前記ガス噴出板は、熱を吸収する冷媒を前記ガス噴出板の外側から中央側へ流入する流入部と、前記流入部と接続されるとともに冷媒を中央側から外側へ流出する流出部とを有する冷却管を備えており、
平面視において前記冷却管の中心を通る線を中心線とし、前記ガス噴出板の中心を中心点として、前記中心点から前記中心線に向かって下ろした垂線を、前記流入部と前記流出部の境界とすると、前記流入部と冷媒が接する接触面積は、前記流出部と冷媒が接する接触面積よりも小さくなっており、
前記ガス噴出板は複数の領域に分割されており、前記冷却管が前記各領域に設けられていることを特徴とする結晶成膜装置。 - 請求項1に記載の結晶成膜装置において、
前記冷却管は、前記流出部が前記流入部から分岐して二股に形成されており、それぞれの前記流出部は前記流入部に沿って配置されていることを特徴とする結晶成膜装置。 - 請求項1に記載の結晶成膜装置において、
前記冷却管は、前記流入部から前記流出部へ分岐していることを特徴とする結晶成膜装置。 - 請求項3に記載の結晶成膜装置において、
前記流出部は、前記流入部の両側に配置されていることを特徴とする結晶成膜装置。 - 板体と、
前記板体に形成された複数のガス噴出孔と、
前記板体に形成され、熱を吸収する冷媒を前記板体の外側から中央側へ流入する流入部と、前記流入部と接続されるとともに冷媒を中央側から外側へ流出する流出部とを有する冷却管とを備え、
平面視において前記冷却管の中心を通る線を中心線とし、前記ガス噴出板の中心を中心点として、前記中心点から前記中心線に向かって下ろした垂線を、前記流入部と前記流出部の境界とすると、前記流入部と冷媒が接する接触面積は、前記流出部と冷媒が接する接触面積よりも小さくなっており、
前記ガス噴出板は複数の領域に分割されており、前記冷却管が前記各領域に設けられていることを特徴とするガス噴出板。 - 請求項5に記載のガス噴出板において、
前記冷却管は、前記流出部が前記流入部から分岐して二股に形成されており、それぞれの前記流出部は前記流入部に沿って配置されていることを特徴とするガス噴出板。 - 請求項5に記載のガス噴出板において、
前記冷却管は、前記流入部から前記流出部へ分岐していることを特徴とするガス噴出板。 - 請求項7に記載のガス噴出板において、
前記流出部は、前記流入部の両側に配置されていることを特徴とするガス噴出板。 - ウエハと、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の結晶成膜装置とを準備する工程と、
前記加熱板上に前記ウエハを設置する工程と、
前記加熱板を熱するとともに、前記冷却管に冷媒を流すことで前記ガス噴出板を冷却する工程と、
前記ウエハ上にガスを噴出し結晶を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006202343A JP4901352B2 (ja) | 2006-07-25 | 2006-07-25 | 結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006202343A JP4901352B2 (ja) | 2006-07-25 | 2006-07-25 | 結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008028335A JP2008028335A (ja) | 2008-02-07 |
JP4901352B2 true JP4901352B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=39118629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006202343A Expired - Fee Related JP4901352B2 (ja) | 2006-07-25 | 2006-07-25 | 結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4901352B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110011341A1 (en) * | 2008-03-24 | 2011-01-20 | Tokyo Electron Limited | Shower plate and plasma processing device using the same |
JP5471359B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-04-16 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08157296A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-18 | Fujitsu Ltd | 原料またはガスの供給装置 |
JPH08218171A (ja) * | 1995-02-08 | 1996-08-27 | Nippon Sanso Kk | シャワーヘッド式cvd装置 |
JP3534940B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2004-06-07 | 株式会社荏原製作所 | 薄膜気相成長装置 |
JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
JP3750713B2 (ja) * | 1999-08-24 | 2006-03-01 | 三菱電機株式会社 | 常圧cvd装置 |
TWI224815B (en) * | 2001-08-01 | 2004-12-01 | Tokyo Electron Ltd | Gas processing apparatus and gas processing method |
JP4036292B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2008-01-23 | 古河機械金属株式会社 | 気相成長装置のガス吹き出し部 |
JP4526969B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2010-08-18 | 古河機械金属株式会社 | 気相成長装置 |
-
2006
- 2006-07-25 JP JP2006202343A patent/JP4901352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008028335A (ja) | 2008-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101313524B1 (ko) | 성막 장치와 성막 방법 | |
US7604042B2 (en) | Cooling mechanism with coolant, and treatment device with cooling mechanism | |
US8029621B2 (en) | Raw material feeding device, film formation system and method for feeding gaseous raw material | |
US20060252243A1 (en) | Epitaxial film deposition system and epitaxial film formation method | |
US20110259879A1 (en) | Multi-Zone Induction Heating for Improved Temperature Uniformity in MOCVD and HVPE Chambers | |
JP2007515054A (ja) | 回転可能な注入器を含む交差流れ注入システムを備えた熱処理システム | |
JP2008028270A (ja) | 結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
JP4591523B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
CN107366014B (zh) | 喷头、气相生长装置以及气相生长方法 | |
JP4901352B2 (ja) | 結晶成膜装置、ガス噴出板、及びそれを用いて製造する結晶膜の製造方法 | |
US20180135203A1 (en) | Film forming apparatus | |
JP2013222884A (ja) | 気相成長装置および成膜方法 | |
KR100966370B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
JP2009064850A (ja) | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 | |
JP2009249651A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP5333334B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2005054252A (ja) | 薄膜製造装置及び製造方法 | |
KR100982984B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
JP2012049316A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP5184410B2 (ja) | カバープレートユニット、及びそれを備えた気相成長装置 | |
JP2011114196A (ja) | 気相成長装置および成膜方法 | |
JP4641268B2 (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
KR100956207B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
JP2007035727A (ja) | 気相成長装置およびそれを用いた気相成長方法 | |
JP2007043022A (ja) | 半導体処理装置および半導体処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4901352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |