JPH08218171A - シャワーヘッド式ｃｖｄ装置 - Google Patents
シャワーヘッド式ｃｖｄ装置Info
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- JPH08218171A JPH08218171A JP2082095A JP2082095A JPH08218171A JP H08218171 A JPH08218171 A JP H08218171A JP 2082095 A JP2082095 A JP 2082095A JP 2082095 A JP2082095 A JP 2082095A JP H08218171 A JPH08218171 A JP H08218171A
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- cooling
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 原料をシャワーヘッド状のノズルから噴出し
て基板上に薄膜を形成するシャワーヘッド式ＣＶＤ装置
において、良質な薄膜を形成するとともに、成膜速度の
向上を図る。 【構成】 所定温度に加熱された基板に対向配置される
シャワーヘッドノズルに、冷却油流路１４及び放熱ロッ
ド１７からなる冷却手段を設ける。
て基板上に薄膜を形成するシャワーヘッド式ＣＶＤ装置
において、良質な薄膜を形成するとともに、成膜速度の
向上を図る。 【構成】 所定温度に加熱された基板に対向配置される
シャワーヘッドノズルに、冷却油流路１４及び放熱ロッ
ド１７からなる冷却手段を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シャワーヘッド式ＣＶ
Ｄ装置に関し、詳しくは、原料をシャワーヘッド状のノ
ズルから所定温度に加熱されている基板面上に噴出し、
原料の熱分解生成物を基板上に堆積させて薄膜を形成す
るシャワーヘッド式ＣＶＤ装置に関する。
Ｄ装置に関し、詳しくは、原料をシャワーヘッド状のノ
ズルから所定温度に加熱されている基板面上に噴出し、
原料の熱分解生成物を基板上に堆積させて薄膜を形成す
るシャワーヘッド式ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に半導体薄膜を形成するＣＶＤ装
置として、図９に示すように、原料ガスを噴出するシャ
ワーヘッド状のノズル１（シャワーヘッドノズル）をシ
ャワーヘッド状に形成したシャワーヘッド式ＣＶＤ装置
が知られている。このシャワーヘッド式ＣＶＤ装置は、
反応管２内に設けられたサセプタ３上に基板４を載置
し、ヒーター５でサセプタ３を加熱することにより、基
板４を所定温度、例えば６００℃程度に加熱するととも
に、ノズル１に設けた多数の噴出孔６から原料ガスを噴
出させ、該原料ガスを基板上で熱分解させて堆積させる
ことにより、基板面に薄膜を形成するものである。
置として、図９に示すように、原料ガスを噴出するシャ
ワーヘッド状のノズル１（シャワーヘッドノズル）をシ
ャワーヘッド状に形成したシャワーヘッド式ＣＶＤ装置
が知られている。このシャワーヘッド式ＣＶＤ装置は、
反応管２内に設けられたサセプタ３上に基板４を載置
し、ヒーター５でサセプタ３を加熱することにより、基
板４を所定温度、例えば６００℃程度に加熱するととも
に、ノズル１に設けた多数の噴出孔６から原料ガスを噴
出させ、該原料ガスを基板上で熱分解させて堆積させる
ことにより、基板面に薄膜を形成するものである。
【０００３】上記シャワーヘッド式ＣＶＤ装置は、シャ
ワーヘッド状ノズル１の略全面に設けた噴出孔６から原
料ガスを噴出させるため、比較的大径の基板上にも均一
な薄膜を形成することができ、例えば８インチ以上の基
板に薄膜を形成する際に多く用いられている。
ワーヘッド状ノズル１の略全面に設けた噴出孔６から原
料ガスを噴出させるため、比較的大径の基板上にも均一
な薄膜を形成することができ、例えば８インチ以上の基
板に薄膜を形成する際に多く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シャワーヘッ
ド式ＣＶＤ装置は、成膜速度を高めるためにノズル１を
基板４に近付けると、ノズル１が基板４からの輻射熱に
より加熱されて高温となり、原料がノズル１内あるいは
噴出孔６から噴出する際に、原料の一部が熱分解するこ
とがあった。このようにノズル１部分で原料が熱分解す
ると、薄膜の成膜速度が低下するだけでなく、熱分解に
より生じた固形物が基板面に落下して膜質を劣化させる
原因となる。
ド式ＣＶＤ装置は、成膜速度を高めるためにノズル１を
基板４に近付けると、ノズル１が基板４からの輻射熱に
より加熱されて高温となり、原料がノズル１内あるいは
噴出孔６から噴出する際に、原料の一部が熱分解するこ
とがあった。このようにノズル１部分で原料が熱分解す
ると、薄膜の成膜速度が低下するだけでなく、熱分解に
より生じた固形物が基板面に落下して膜質を劣化させる
原因となる。
【０００５】すなわち、ノズル１が輻射熱で加熱される
のを防止するためにノズル１を基板４から離すと、原料
と基板との接触効率が悪化して成膜速度が低下し、近付
けると上述の原料の分解を生じるという問題があった。
のを防止するためにノズル１を基板４から離すと、原料
と基板との接触効率が悪化して成膜速度が低下し、近付
けると上述の原料の分解を生じるという問題があった。
【０００６】一方、基板４の加熱温度を下げることによ
り、ノズル１の昇温を抑えることも考えられるが、基板
４の温度を下げると所定の組成の薄膜が得られなかった
り、膜質自体が劣化したり、さらには成膜速度も低下し
たりするなどの不都合が生じる。
り、ノズル１の昇温を抑えることも考えられるが、基板
４の温度を下げると所定の組成の薄膜が得られなかった
り、膜質自体が劣化したり、さらには成膜速度も低下し
たりするなどの不都合が生じる。
【０００７】また、原料の温度を下げてからノズル１内
に導入することも考えられるが、ＢａＳｒＴｉＯ3 ，Ｐ
ｂＴｉＯ3 のように、ストロンチウムやバリウム，鉛等
を含む薄膜を形成する際には問題になる。すなわち、こ
のような薄膜を形成する際には、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 やＢ
ａ（ＤＰＭ）2 、Ｐｂ（ＤＰＭ）2 等を用いるが（ＤＰ
Ｍはジピバロイルメタナイトの略）、これらは蒸気圧が
低いために１５０〜２００℃に加熱しなければならず、
しかも、導入経路の途中でこれらが凝縮しないように、
ノズル１に至る流路を２００℃程度に保温しておかなけ
ればならない。
に導入することも考えられるが、ＢａＳｒＴｉＯ3 ，Ｐ
ｂＴｉＯ3 のように、ストロンチウムやバリウム，鉛等
を含む薄膜を形成する際には問題になる。すなわち、こ
のような薄膜を形成する際には、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 やＢ
ａ（ＤＰＭ）2 、Ｐｂ（ＤＰＭ）2 等を用いるが（ＤＰ
Ｍはジピバロイルメタナイトの略）、これらは蒸気圧が
低いために１５０〜２００℃に加熱しなければならず、
しかも、導入経路の途中でこれらが凝縮しないように、
ノズル１に至る流路を２００℃程度に保温しておかなけ
ればならない。
【０００８】したがって、原料の種類によっては、導入
温度を下げることができず、上述のＳｒ（ＤＰＭ）2 等
の原料は、３００℃程度で熱分解するため、ノズル１を
基板４に近付けることができず、成膜速度の向上には限
界があった。
温度を下げることができず、上述のＳｒ（ＤＰＭ）2 等
の原料は、３００℃程度で熱分解するため、ノズル１を
基板４に近付けることができず、成膜速度の向上には限
界があった。
【０００９】このようなことから、従来は、成膜速度を
重視する場合は、ノズル通過時に原料の一部が熱分解す
るのを承知でノズル１を基板４に近付けて成膜している
が、膜質の劣化は避けることができない。一方、膜質を
重視する場合は、成膜速度が低下するのを承知の上でノ
ズル１を基板４から離し、ノズル部分が３００℃以上に
ならないようにしていた。
重視する場合は、ノズル通過時に原料の一部が熱分解す
るのを承知でノズル１を基板４に近付けて成膜している
が、膜質の劣化は避けることができない。一方、膜質を
重視する場合は、成膜速度が低下するのを承知の上でノ
ズル１を基板４から離し、ノズル部分が３００℃以上に
ならないようにしていた。
【００１０】そこで本発明は、ノズルを基板に近付ける
ことができ、比較的大きな基板に対しても良質な薄膜を
形成することができるとともに、成膜速度の向上が図れ
るシャワーヘッド式ＣＶＤ装置を提供することを目的と
している。
ことができ、比較的大きな基板に対しても良質な薄膜を
形成することができるとともに、成膜速度の向上が図れ
るシャワーヘッド式ＣＶＤ装置を提供することを目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のシャワーヘッド式ＣＶＤ装置は、原料ガス
を噴出するシャワーヘッドノズルを、所定温度に加熱さ
れた基板に対向配置したシャワーヘッド式ＣＶＤ装置に
おいて、前記シャワーヘッドノズルに、ノズルを冷却す
る冷却手段を備えたことを特徴としている。
め、本発明のシャワーヘッド式ＣＶＤ装置は、原料ガス
を噴出するシャワーヘッドノズルを、所定温度に加熱さ
れた基板に対向配置したシャワーヘッド式ＣＶＤ装置に
おいて、前記シャワーヘッドノズルに、ノズルを冷却す
る冷却手段を備えたことを特徴としている。
【００１２】さらに、本発明は、上記構成において、前
記冷却手段が、前記シャワーヘッドノズルの反基板側に
設けられた冷却油流路と、該冷却油流路の近傍と原料ガ
ス噴出部の近傍とを接続する放熱ロッドとを備えている
ことを特徴としている。
記冷却手段が、前記シャワーヘッドノズルの反基板側に
設けられた冷却油流路と、該冷却油流路の近傍と原料ガ
ス噴出部の近傍とを接続する放熱ロッドとを備えている
ことを特徴としている。
【００１３】
【作 用】上記構成によれば、ノズルを冷却手段により
冷却することができるので、ノズルを基板に近付けて
も、基板やサセプタからの輻射熱によりノズルが高温に
なることを防止できる。したがって、ノズルを基板に近
付けて成膜速度を高めながら良質な薄膜を形成すること
ができる。
冷却することができるので、ノズルを基板に近付けて
も、基板やサセプタからの輻射熱によりノズルが高温に
なることを防止できる。したがって、ノズルを基板に近
付けて成膜速度を高めながら良質な薄膜を形成すること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を、図面に示す実施例に基づい
てさらに詳細に説明する。図１及び図２は、本発明のシ
ャワーヘッド式ＣＶＤ装置の第１実施例を示すもので、
図１は本発明のシャワーヘッド式ＣＶＤ装置の要部であ
るノズル部分の縦断面図、図２は図１のII−II線断面図
である。
てさらに詳細に説明する。図１及び図２は、本発明のシ
ャワーヘッド式ＣＶＤ装置の第１実施例を示すもので、
図１は本発明のシャワーヘッド式ＣＶＤ装置の要部であ
るノズル部分の縦断面図、図２は図１のII−II線断面図
である。
【００１５】本実施例に示すシャワーヘッドノズル（以
下、単にノズルという）１１は、基板（図示せず）に対
向する面に、従来と同様に、多数の原料噴出用の噴出孔
１２，１２を有するもので、原料ガスは、原料導入管１
３からノズル１１内に流入して噴出孔１２から基板に向
けて噴出する。
下、単にノズルという）１１は、基板（図示せず）に対
向する面に、従来と同様に、多数の原料噴出用の噴出孔
１２，１２を有するもので、原料ガスは、原料導入管１
３からノズル１１内に流入して噴出孔１２から基板に向
けて噴出する。
【００１６】上記ノズル１１の反基板側の面内には、前
記原料導入管１３との接続部を螺旋状に巻くようにして
冷却油流路１４が設けられており、冷却油流入口１５か
ら流入した所定温度の冷却油が冷却油流路１４を通って
冷却油流出口１６から流出するように形成されている。
記原料導入管１３との接続部を螺旋状に巻くようにして
冷却油流路１４が設けられており、冷却油流入口１５か
ら流入した所定温度の冷却油が冷却油流路１４を通って
冷却油流出口１６から流出するように形成されている。
【００１７】また、冷却油流路１４が設けられている面
と、前記噴出孔１２が設けられている面との間には、噴
出孔１２部分の熱を冷却油流路１４側に逃がすための放
熱ロッド１７が複数個設けられている。
と、前記噴出孔１２が設けられている面との間には、噴
出孔１２部分の熱を冷却油流路１４側に逃がすための放
熱ロッド１７が複数個設けられている。
【００１８】このようにノズル１１を形成することによ
り、該ノズル１１を基板に近付けても、ノズル１１の温
度、特に噴出孔１２部分の温度を原料の熱分解温度以下
にすることができるので、膜質を劣化させることなく成
膜速度を向上させることができる。また、冷却油の温度
を適当に設定すれば、原料導入管１３の温度が、原料が
凝縮する温度以下になることもない。
り、該ノズル１１を基板に近付けても、ノズル１１の温
度、特に噴出孔１２部分の温度を原料の熱分解温度以下
にすることができるので、膜質を劣化させることなく成
膜速度を向上させることができる。また、冷却油の温度
を適当に設定すれば、原料導入管１３の温度が、原料が
凝縮する温度以下になることもない。
【００１９】図３及び図４は本発明の第２実施例を示す
もので、ノズル２１の反基板側の面の外部に冷却油流路
２２を設けたものである。本実施例においても、噴出孔
１２が設けられている面を、放熱ロッド１７を介して冷
却油流路２２を流れる冷却油により冷却することができ
る。
もので、ノズル２１の反基板側の面の外部に冷却油流路
２２を設けたものである。本実施例においても、噴出孔
１２が設けられている面を、放熱ロッド１７を介して冷
却油流路２２を流れる冷却油により冷却することができ
る。
【００２０】なお、上記両実施例において、放熱ロッド
１７は、噴出孔１２から噴出する原料の流れに悪影響を
与えない位置に適当な本数を略均等に設置することが好
ましく、熱伝導性がよく、かつ、原料と反応しないも
の、例えば、ノズルと同じアルミニウムやステンレスス
チールからなる棒材を用いることができる。
１７は、噴出孔１２から噴出する原料の流れに悪影響を
与えない位置に適当な本数を略均等に設置することが好
ましく、熱伝導性がよく、かつ、原料と反応しないも
の、例えば、ノズルと同じアルミニウムやステンレスス
チールからなる棒材を用いることができる。
【００２１】図５乃至図８は、本発明の第３実施例及び
その変形例を示すもので、ノズル３１の噴出孔１２を有
する基板側の面の内面に冷却油流路３２を設けたもので
ある。この冷却油流路３２は、図６に示すような屈曲し
た管３２ａ、図７に示すような螺旋状の管３２ｂ、図８
に示すような複数の分岐管を有する管３２ｃなどで形成
することができる。このように、ノズル３１の基板側に
冷却油流路３２を設けることによっても、上記第１及び
第２実施例と同様に、ノズル３１の温度が原料の熱分解
温度以上になることを防止することができる。
その変形例を示すもので、ノズル３１の噴出孔１２を有
する基板側の面の内面に冷却油流路３２を設けたもので
ある。この冷却油流路３２は、図６に示すような屈曲し
た管３２ａ、図７に示すような螺旋状の管３２ｂ、図８
に示すような複数の分岐管を有する管３２ｃなどで形成
することができる。このように、ノズル３１の基板側に
冷却油流路３２を設けることによっても、上記第１及び
第２実施例と同様に、ノズル３１の温度が原料の熱分解
温度以上になることを防止することができる。
【００２２】なお、本発明における冷却手段は、ノズル
の大きさや噴出孔の数及び位置に応じて適宜な位置に、
適宜な形状で設けることが可能であり、例えば、ノズル
側面の周壁に設けてもよい。さらに、冷却手段を冷却す
る方法は、温度範囲や熱容量，コスト等を考慮すれば、
冷却油が最適であるが、他の流体を用いることも可能で
ある。
の大きさや噴出孔の数及び位置に応じて適宜な位置に、
適宜な形状で設けることが可能であり、例えば、ノズル
側面の周壁に設けてもよい。さらに、冷却手段を冷却す
る方法は、温度範囲や熱容量，コスト等を考慮すれば、
冷却油が最適であるが、他の流体を用いることも可能で
ある。
【００２３】また、冷却油等の冷却用流体の温度や流量
は、基板側からの輻射熱の量や許容温度（最高、最低
共）に応じて設定すればよく、特に限定されるものでは
ない。
は、基板側からの輻射熱の量や許容温度（最高、最低
共）に応じて設定すればよく、特に限定されるものでは
ない。
【００２４】ここで、前記第１実施例に示す構成のノズ
ル１１を用いて成膜実験を行った結果を説明する。装置
の全体構成は、前記図９に示す構成の装置を用い、ノズ
ルのみを交換して実験を行った。
ル１１を用いて成膜実験を行った結果を説明する。装置
の全体構成は、前記図９に示す構成の装置を用い、ノズ
ルのみを交換して実験を行った。
【００２５】実験条件は、成長圧力を１Ｔｏｒｒ，基板
温度を６５０℃，基板直径を２４０ｍｍ（約１０イン
チ），サセプタ上面とノズル下面との距離を２０ｍｍと
し、原料の供給条件を、Ｐｂ（ＤＰＭ）2 を原料温度１
４０℃，圧力１００Ｔｏｒｒ，キャリヤーガス流量３５
０ｃｃ／ｍｉｎ、及び、Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3 Ｈ7 ）4 を原
料温度４０℃，圧力１６０Ｔｏｒｒ，キャリヤーガス流
量３５０ｃｃ／ｍｉｎとし、酸素流量を毎分１リットル
とした。
温度を６５０℃，基板直径を２４０ｍｍ（約１０イン
チ），サセプタ上面とノズル下面との距離を２０ｍｍと
し、原料の供給条件を、Ｐｂ（ＤＰＭ）2 を原料温度１
４０℃，圧力１００Ｔｏｒｒ，キャリヤーガス流量３５
０ｃｃ／ｍｉｎ、及び、Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3 Ｈ7 ）4 を原
料温度４０℃，圧力１６０Ｔｏｒｒ，キャリヤーガス流
量３５０ｃｃ／ｍｉｎとし、酸素流量を毎分１リットル
とした。
【００２６】その結果、第１実施例のノズル１１を用い
て冷却油流路１４に１５０℃の冷却油を流した場合は、
毎分１０ｎｍの成膜速度で良好な品質の膜が得られたの
に対し、従来のノズルの場合は、ノズル通過時に原料の
全量が熱分解を起こしてしまい、基板上に膜を形成する
ことができなかった。
て冷却油流路１４に１５０℃の冷却油を流した場合は、
毎分１０ｎｍの成膜速度で良好な品質の膜が得られたの
に対し、従来のノズルの場合は、ノズル通過時に原料の
全量が熱分解を起こしてしまい、基板上に膜を形成する
ことができなかった。
【００２７】また、ノズルの基板側の面の温度を測定し
たところ、本実施例のノズル１１は、全面が略２２０℃
程度に保たれていたのに対し、従来のノズル１は、中心
部が約４５０℃、周辺部が約３５０℃に昇温していた。
さらに、冷却油の温度を１５０℃にしたので、ノズル１
１に接続する原料導入管１３の温度も、Ｐｂ（ＤＰＭ）
2 が凝縮しない１５０℃であった。
たところ、本実施例のノズル１１は、全面が略２２０℃
程度に保たれていたのに対し、従来のノズル１は、中心
部が約４５０℃、周辺部が約３５０℃に昇温していた。
さらに、冷却油の温度を１５０℃にしたので、ノズル１
１に接続する原料導入管１３の温度も、Ｐｂ（ＤＰＭ）
2 が凝縮しない１５０℃であった。
【００２８】なお、ＣＶＤ装置の全体構成は、従来と同
様に構成できるので、詳細な説明は省略する。また、冷
却油等の冷却媒体の供給手段も周知のものを使用するこ
とができる。
様に構成できるので、詳細な説明は省略する。また、冷
却油等の冷却媒体の供給手段も周知のものを使用するこ
とができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシャワー
ヘッド式ＣＶＤ装置は、ノズルを冷却する冷却手段を設
けたから、ノズルを基板に近付けても、ノズルの温度を
原料の熱分解温度以下にすることができ、膜質を劣化さ
せることなく成膜速度を向上させることができる。
ヘッド式ＣＶＤ装置は、ノズルを冷却する冷却手段を設
けたから、ノズルを基板に近付けても、ノズルの温度を
原料の熱分解温度以下にすることができ、膜質を劣化さ
せることなく成膜速度を向上させることができる。
【００３０】また、冷却手段を、ノズルの反基板側に設
けられた冷却油流路と、該冷却油流路の近傍と原料ガス
噴出部の近傍とを接続する放熱ロッドとで形成すること
により、ノズルから噴出する原料の流れに悪影響を与え
ることなく、容易にノズルを所定温度に冷却することが
できる。
けられた冷却油流路と、該冷却油流路の近傍と原料ガス
噴出部の近傍とを接続する放熱ロッドとで形成すること
により、ノズルから噴出する原料の流れに悪影響を与え
ることなく、容易にノズルを所定温度に冷却することが
できる。
【図１】 本発明の第１実施例を示すノズル部分の縦断
面図である。
面図である。
【図２】 図１のII−II線断面図である。
【図３】 本発明の第２実施例を示すノズル部分の縦断
面図である。
面図である。
【図４】 一部を切り欠いた図３のIV−IV線断面図であ
る。
る。
【図５】 本発明の第３実施例を示すノズル部分の縦断
面図である。
面図である。
【図６】 図３のVI−VI線断面図である。
【図７】 第３実施例における変形例を示すノズルの横
断面図である。
断面図である。
【図８】 同じくさらに他の変形例を示すノズルの横断
面図である。
面図である。
【図９】 従来のシャワーヘッド式ＣＶＤ装置の一例を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
１１，２１，３１…シャワーヘッドノズル、１２…噴出
孔、１３…原料導入管、１４，２２，３２…冷却油流
路、１５…冷却油流入口、１６…冷却油流出口、１７…
放熱ロッド
孔、１３…原料導入管、１４，２２，３２…冷却油流
路、１５…冷却油流入口、１６…冷却油流出口、１７…
放熱ロッド
Claims (2)
- 【請求項１】 原料ガスを噴出するシャワーヘッドノズ
ルを、所定温度に加熱された基板に対向配置したシャワ
ーヘッド式ＣＶＤ装置において、前記シャワーヘッドノ
ズルに、ノズルを冷却する冷却手段を備えたことを特徴
とするシャワーヘッド式ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記冷却手段は、前記シャワーヘッドノ
ズルの反基板側に設けられた冷却油流路と、該冷却油流
路の近傍と原料ガス噴出部の近傍とを接続する放熱ロッ
ドとを備えていることを特徴とする請求項１記載のシャ
ワーヘッド式ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082095A JPH08218171A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | シャワーヘッド式ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082095A JPH08218171A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | シャワーヘッド式ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08218171A true JPH08218171A (ja) | 1996-08-27 |
Family
ID=12037681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2082095A Pending JPH08218171A (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | シャワーヘッド式ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08218171A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999042636A1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-08-26 | Aixtron Ag | Cvd-reaktor und dessen verwendung |
| US6635117B1 (en) * | 2000-04-26 | 2003-10-21 | Axcelis Technologies, Inc. | Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system |
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| WO2005024928A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Tokyo Electron Limited | ガス処理装置および放熱方法 |
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| CN102345112A (zh) * | 2011-09-22 | 2012-02-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种半导体处理设备及其气体喷淋头冷却板 |
-
1995
- 1995-02-08 JP JP2082095A patent/JPH08218171A/ja active Pending
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