JP2011071187A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室3と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室32と、基板10が配置される反応室31と、に区画するシャワープレート5と、を備えたプラズマ処理装置1において、ガス導入室内に、冷却装置50が設けられている。
【選択図】図1
Description
さらに、従来のプラズマ処理装置では、処理室103の筐体の壁部内に温度上昇を抑制するための冷却配管が設けられていたが、この場合にはシャワープレート105の周縁部は冷却できるものの、シャワープレート105の平面視中央部付近を冷却することが困難であった。
図1は、本実施形態におけるプラズマ処理装置1の概略構成図である。
図1に示すように、プラズマCVD法を実施するプラズマ処理装置1は、絶縁フランジ81を挟んで真空チャンバ2と電極フランジ4から構成される処理室3を有している。処理室3の内部は、シャワープレート5により基板10が配置される反応室31と、原料ガスが導入されるガス導入室32と、に区画されている。
まず、真空ポンプ28で真空チャンバ2内を真空排気する。真空チャンバ2内を真空状態に維持した状態で、基板10を真空チャンバ2内の反応室31に搬入し、ヒータ15上に載置する。ここで、基板10を載置する前は、ヒータ15は真空チャンバ2内の下方に位置している。つまり、ヒータ15とシャワープレート5との間隔が広くなっており、基板10をヒータ15上に載置しやすい状態に保持されている。
例えば、本実施形態では、プラズマ処理装置に冷却装置のみを配置した場合の説明をしたが、従来のように電極フランジ内にも冷却配管を設けて、冷却装置および冷却配管の両方でシャワープレートや処理室内の温度を調節するように構成してもよい。
Claims (4)
- 原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室と、
該処理室内を前記原料ガスが導入されるガス導入室と、基板が配置される反応室と、に区画するシャワープレートと、を備えたプラズマ処理装置において、
前記ガス導入室内に、冷却装置が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記冷却装置は、
冷却水が通流可能な冷却配管と、
該冷却配管を支持するための冷却板と、
該冷却板と前記シャワープレートとの間に配された伝熱板と、を備え、
前記冷却板および前記伝熱板には、前記原料ガスが通過するためのガス流路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記冷却配管に通流させる前記冷却水の流量を可変可能に構成されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記冷却板が、第1冷却板と第2冷却板とに分割可能に構成されており、前記第1冷却板と前記第2冷却板との間に前記冷却配管を配置可能に構成されていることを特徴とする請求項2または3に記載のプラズマ処理装置。
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